WO2004096492A1 - ポリッシング装置 - Google Patents

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WO2004096492A1
WO2004096492A1 PCT/JP2004/006138 JP2004006138W WO2004096492A1 WO 2004096492 A1 WO2004096492 A1 WO 2004096492A1 JP 2004006138 W JP2004006138 W JP 2004006138W WO 2004096492 A1 WO2004096492 A1 WO 2004096492A1
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polishing
gas
liquid
tool
liquid separation
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PCT/JP2004/006138
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English (en)
French (fr)
Inventor
Satoshi Nagai
Original Assignee
Ebara Corporation
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Publication date
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Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/12—Lapping plates for working plane surfaces
    • B24B37/16—Lapping plates for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping plate surface, e.g. grooved

Definitions

  • the present invention relates to a polishing apparatus, and more particularly to a polishing apparatus for polishing a flat surface of an object to be polished such as a semiconductor wafer.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a substrate holding member called a top ring or a carrier head or the like for holding a semiconductor wafer.
  • an apparatus When polishing a semiconductor wafer using such a polishing apparatus, the semiconductor wafer is held against the polishing tape with a predetermined pressure while the semiconductor wafer is held by the substrate holding device. At this time, the semiconductor wafer is brought into sliding contact with the polishing surface by supplying the polishing liquid to the polishing surface formed on the upper surface of the cloth while the polishing table and the substrate holding device are moved relative to each other. Polished.
  • the replacement of the cloth (polishing pad) on the turntable is performed as follows. That is, first, stop the operation of the polishing apparatus and remove the cloth from the polishing table. After that, the adhering substance such as adhesive remaining on the upper surface of the polishing table and the polishing liquid are washed away, and the polishing table is dried. Then, the new cloth is directly stuck on the upper surface of the polishing table with an adhesive or the like, and the work of cloth repositioning is completed.
  • the conventional cloth reattaching operation is performed through various steps, there is a disadvantage that the workability is poor.
  • the number of production openings per unit time of the polishing device decreases as the time of the work of replacing the cloth increases. Had the disadvantage of
  • the present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and it is an object of the present invention to provide a polishing apparatus capable of efficiently performing the replacement operation of the polishing pad disposed on the upper surface of the polishing table. I assume.
  • the present invention has a polishing table and a polishing tool attached to the upper part of the polishing table, and while the polishing tool is supplied to the polishing tool, the object to be polished is
  • the polishing tool preferably includes a polishing pad and a base on which the polishing pad is mounted, and the polishing tool is preferably divided into a plurality of divided bodies.
  • the polishing tool can be easily removed from the polishing table by releasing the vacuum in the fluid flow channel. Further, since the separation work of the divided bodies can be performed one by one, the exchange work of the polishing tool (the polishing pad and the base) can be easily performed, and the work efficiency can be improved.
  • a preferred embodiment of the present invention is characterized in that the base is made of resin or metal.
  • polishing pads and bases are used polishing tools. Therefore, the work of removing the used polishing pad from the base and affixing a new polishing pad on the base, which has caused the distortion of the base, can be omitted.
  • the polishing pad and the base are formed of the same material.
  • a preferred embodiment of the present invention is characterized in that a gas-liquid separator for separating the polishing liquid and the gas is disposed between the fluid flow path and a vacuum source for forming a vacuum in the fluid flow path.
  • the polishing tool composed of a plurality of divided bodies is fixed to the polishing table by the vacuum formed in the fluid channel, but in this configuration, the vacuumed fluid channel is formed in the fluid channel. It is expected that the polishing fluid will flow with the ambient atmosphere gas and the polishing fluid will be sucked into the vacuum source. According to the present invention configured as described above, even when the polishing fluid flows into the fluid flow channel, the polishing fluid is collected by the gas-liquid separator before it is sucked into the vacuum source. Can. This can prevent the polishing liquid from being sucked into the vacuum source.
  • a preferred embodiment of the present invention is characterized in that it further comprises a plurality of polishing liquid supply ports for supplying a plurality of polishing liquids.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a plan view showing the cross cartridge shown in FIG. 1
  • FIG. 2B is a sectional view of the divided body shown in FIG. 2A
  • FIG. 2C is an exploded perspective view of the cross cartridge shown in FIG. is there.
  • FIG. 3 is a plan view showing a polishing table according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a storage tank for storing cross cartridges according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic view showing a gas-liquid separation tank according to a second embodiment of the present invention.
  • 6A to 6C are diagrams for explaining the operation of the gas-liquid separation tank in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a polishing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • 2A is a plan view showing the cross cartridge shown in FIG. 1
  • FIG. 2B is a cross-sectional view of the divided body shown in FIG. 2A
  • FIG. 2C is an exploded perspective view of the cross cartridge shown in FIG. .
  • FIG. 3 is a plan view showing a polishing table according to the first embodiment of the present invention.
  • Cross cartridge 1 is a cross (polishing pad) 1 0
  • base (base) 11 is basically composed of one.
  • the upper surface of the cross 10 constitutes a polished surface in sliding contact with the semiconductor wafer W.
  • the upper surface of the fixed abrasive plate obtained by solidifying fine abrasive grains (consisting of CeO 2 etc.) with a binder such as resin can be used as a polishing surface.
  • the polishing table 20 is connected to a motor (not shown) disposed below the polishing table 20, and is rotatable about its axis as indicated by the arrow. Further, the first polishing liquid supply nozzle (polishing liquid supply port) 22 A is installed above the polishing table 20, and the first polishing liquid supply nozzle 22 A is located on the cloth 10. Polishing fluid (slurry) Q is to be supplied. Further, a second polishing liquid supply nozzle (polishing liquid supply port) 22 B is installed above the polishing table 20, and from this second polishing liquid supply nozzle 22 B, the polishing liquid Q and In this case, different types of polishing liquids are supplied on the cloth 10. The polishing solution to be supplied to the cloth 10 is appropriately selected according to the polishing process.
  • the top ring 30 is connected to the top ring shaft 32 and is connected to the motor and the elevating cylinder (not shown) via the top ring shaft 32. As a result, the top ring 30 is vertically movable and rotatable about the top ring shaft 32 as indicated by the arrows. Further, the top ring 30 is provided with an elastic mat 34 such as polyurethane on its lower surface, and the semiconductor wafer W to be polished is held by vacuum or the like on the lower surface of the elastic mat 34.
  • an elastic mat 34 such as polyurethane
  • the top ring 30 can press the semiconductor wafer W held on its lower surface against the cross 10 at an arbitrary pressure while rotating.
  • a guide ring 36 for preventing the semiconductor wafer W from coming off is provided at the lower outer peripheral portion of the top ring 30.
  • Top ring 30 and top ring shaft 32 are connected by a universal joint.
  • the universal joint portion includes a spherical bearing mechanism 43 that enables the top ring 30 and the top ring shaft 32 to tilt relative to each other, and a rotation transmission mechanism that transmits the rotation of the top ring shaft 32 to the top ring 30. 4 and transmits pressure and rotational force while allowing each other to tilt from the top ring shaft 32 to the top ring 30.
  • the semiconductor wafer W held on the lower surface of the top ring 30 is pressed against the cloth 10 on the upper surface of the rotating polishing table 20.
  • the polishing liquid Q is supplied onto the cloth 10 from the polishing liquid supply nozzle 22A.
  • polishing is performed in a state where the polishing solution Q is present between the surface to be polished (lower surface) of the semiconductor wafer W and the cloth 10.
  • the cross cartridge 1 is divided into four divided bodies 1A, IB, 1C, and ID. That is, the cross cartridge 1 has four fan-shaped base pieces 1 1 A, 1 1 B, 1 1 C, 1 ID and the upper surface of these base pieces 1 1 A, 11 B, 1 1 C, 11 D
  • the fan-shaped cloth pieces 1 OA, 10 B, 10 C, 10 D are fixed to each with an adhesive or the like.
  • the base pieces 1 1 A, 1 1 B, 1 1 C, 1 ID are formed of a hard resin (eg, PVC (polyvinyl chloride)).
  • the cross pieces 10 A, 10 B, 10 C, 10 D are abrasive cloths such as resin sheets.
  • the base piece may be made of metal such as stainless steel.
  • a through hole 12 is formed at the tip on the center side of each base piece 1 1 A, 1 1 B, 1 1 C, 1 ID.
  • Pin 13 is pierced. The lower end of the pin 13 is inserted into a penetration hole (not shown) provided in the polishing table 20, and the upper end of the pin 13 is fixed to a fixing member 14 detachably attached to the polishing table 20.
  • a fixing member 14 detachably attached to the polishing table 20.
  • a fluid flow path 40 is formed inside the polishing table 20.
  • the fluid flow path 40 is opened at the upper surface of the polishing table 20, and as shown in FIG. 3, a plurality of openings 40a are formed uniformly over substantially the entire upper surface of the polishing table 20.
  • the fluid channel 40 penetrates the polishing table 20, and the lower end of the fluid channel 40 is connected to a gas-liquid separation tank (gas-liquid separator) 42.
  • the gas-liquid separation tank 42 is configured to separate the liquid and the gas, store the separated liquid inside, and allow only the gas to pass.
  • the gas-liquid separation tank 42 is connected to a vacuum source 45 such as a vacuum pump.
  • the vacuum (negative pressure) is formed in the fluid flow channel 40 through the gas-liquid separation tank 42 by driving the pressure sensor.
  • the cross cartridge 1 is adsorbed and fixed to the upper surface of the polishing table 20 by the vacuum formed in the fluid flow path 40.
  • the work of replacing the cross cartridge 1 configured as described above is performed as follows. That is, first, the top ring 30 is retracted from the polishing table 20 and the rotation of the polishing table 20 is stopped. Next, the vacuum source 45 is stopped, and the vacuum formed in the fluid flow path 40 is released. Thereby, the fixing state of the cross cartridge 1 to the polishing table 20 is released. After that, remove the fixing member 14 and the pin 13 from the polishing table 20 by force, and remove the cross cartridge 1 from the polishing tape 20 by force. Then, place a new cross cartridge (not shown) on the polishing table 20, attach the pins 13 and fixing members 14 to the polishing table 20, and fix the position of the cross cartridge (division body). .
  • the cross cartridge 1 is composed of four divisions 1 A, 1 B, 1 C, 1 D, and these four divisions 1 A, 1 B, 1 C, 1 D are polishing tables 20 Since each of the cross cartridges 1 is detachably attached to each of the cross cartridges 1, replacement of the cross cartridge 1 can be performed for each of the divided bodies 1 A,. Therefore, the replacement operation of the cross cartridge 1 becomes easy, and the working efficiency can be improved.
  • the cross cartridge is composed of four divided bodies, but may be composed of two or three divided bodies instead.
  • the polishing liquid when a vacuum is formed in the fluid flow path 40, the polishing liquid is drawn from the minute gap between the divided bodies 1A, IB, 1C, 1D of the cross cartridge 1, and a gas of the surrounding atmosphere is generated. It may flow into the fluid channel 40 together with the The polishing fluid that has flowed into the fluid flow path 40 is guided by the gas-liquid separation tank 42, and the polishing liquid and the gas are separated in the gas-liquid separation tank 42.
  • the separated polishing liquid is stored in the gas-liquid separation tank 42, and only the gas is sucked from the gas-liquid separation tank 42 to the vacuum source 45. Therefore, the polishing liquid is prevented from flowing into the vacuum source 45, whereby the failure of the vacuum source 45 caused by the flowing of the polishing liquid is prevented.
  • a plurality of polishing processes can be performed by one polishing apparatus. That is, the semiconductor wafer is polished while supplying the polishing liquid Q from the first polishing liquid supply nozzle 2 2 A to the cloth 10 (first polishing process). Next, the cross cartridge 1 is replaced with another cross cartridge (not shown), and polishing of the semiconductor wafer is performed while supplying a polishing liquid of a type different from the polishing liquid Q from the second polishing liquid supply nozzle 22 B. Do (second polishing process). While the second polishing process is being performed, the cross cartridge 1 used in the first polishing process is stored in the storage tank 46 shown in FIG.
  • FIG. 4 is a perspective view showing a storage tank for storing cross cartridges according to the first embodiment of the present invention.
  • water 47 is stored in the storage tank 46.
  • the divisions 1 A, 1 B, 1 C, 1 D of the cross cartridge 1 used in the first polishing process are transported to the storage tank 46 and immersed in water 47. This prevents the polishing liquid (slurry) adhering on the cloth 10 from drying, and also causes the divided bodies 1 A, 1 B, 1 C, and ID to be attached to the polishing table 20 again. You can reduce the time of 'I award driving.
  • FIG. 5 is a schematic view showing a gas-liquid separation tank according to a second embodiment of the present invention.
  • 6A to 6C are diagrams for explaining the operation of the gas-liquid separation tank in the second embodiment of the present invention.
  • the polishing apparatus according to the present embodiment is different from the polishing apparatus according to the first embodiment in which only one gas-liquid separation tank is provided, in that the polishing apparatus according to the present embodiment includes two gas-liquid separation tanks.
  • the redundant description will be omitted.
  • the first gas-liquid separation tank 4 2 A and the second gas-liquid separation tank 4 2 B are arranged in parallel, and the fluid flow path 40 through the pipe 50 (figure 1) is connected to each.
  • a check valve 5 2, 5 2 is provided in the pipe 50, and the non-return valve 5 2, 5 2 maintains the vacuum formed in the fluid flow path 40.
  • the first and second gas-liquid separation tanks 4 2 A and 4 2 B are connected to a vacuum source 45 through pipes 5 4 and 5 6 respectively.
  • the pipe 54 connected to the first gas-liquid separation tank 4 2 A is provided with a first valve 5 8 A, and is connected to the second gas-liquid separation tank 4 2 B
  • the pipe 56 is provided with a second valve 5 8 B. And, by operating the first and second valves 5 8 A and 5 8 B, the communication state between the first and second gas-liquid separation tanks 4 2 A and 4 2 B and the vacuum source 45 Are independently controllable.
  • Each of the first and second gas-liquid separation tanks 4 2 A and 4 2 B is provided with a sensor 60 for detecting whether or not the amount of polishing liquid accumulated inside thereof exceeds a predetermined value. There is. At the lower ends of the first and second gas-liquid separation tanks 4 2 A and 4 2 B, drain pipes 6 2 A and 6 2 B are provided to drain the polishing liquid accumulated inside the first and second gas-liquid separation tanks. At the upper end of the second gas / liquid separation tank 4 2 A, 4 2 B, communication pipes 6 4 A, 6 4 B are provided for connecting the inside and the outside.
  • the first drain valve 6 6 A, 6 6 A is provided in the first gas-liquid separation tank 4 2 A and the drain pipe 6 2 A and the communication pipe 6 4 A
  • the second gas-liquid separation A second drain valve 6 6 B, 6 6 B is provided in the drain pipe 6 2 B and the communicating pipe 6 4 B connected to the tank 4 2 B.
  • the first and second gas-liquid separation tanks 4 2 A, 4 2 The polishing fluid in B is discharged from drain piping 6 2 A, 6 2 B.
  • the sensor 60 a liquid level sensor or the like is preferably used.
  • FIGS. 6A to 6C The arrows shown in FIGS. 6A to 6C indicate the flow of gas. Also, in FIGS. 6A to 6C, the black valve and the drain valve are in the closed state, and the white valve and the drain valve are in the open state.
  • the first valve 5 8 A and the second drain pulp 6 6 B, 6 6 B are closed, the second valve 5 8 B and the first drain valve 6 6 A, 6 6 A is open (hereinafter this state is called S 1). That is, only the second gas-liquid separation tank 42 B communicates with the vacuum source 45. At this time, the polishing liquid accumulated in the first gas-liquid separation tank 42 A is discharged.
  • the first drain valve 6 6 A, 6 6 A is closed and the first valley 5 8 A is opened. That is, the first and second valleys 5 8 A and 5 8 B are opened, and the first valley of the valleys 6 6 A and 6 6 .
  • the A and second drain valves 6 6 B and 6 6 B are closed (hereinafter, this state is referred to as S 2).
  • the first and second gas-liquid separation tanks 4 2 A and 4 2 B communicate with the vacuum source 45. At this time, the polishing fluid is not discharged.
  • the second valve 58B is closed and the second drain valves 66B and 66B are opened. That is, the first valve 5 8 A and the second drain valve 6 6 B, 6 6 B are opened, and the second valve 5 8 B and the first drain valve 6 6 A, 6 6 A are closed. (Hereafter, this state is called S3). At this time, the polishing liquid accumulated in the second gas-liquid separation tank 42 B is discharged.
  • the second drain valve 6 6 B, 6 6 B is closed.
  • the second valve 58 B is opened and the state of S 2 is established.
  • the state of S 1 is established. In this way, the discharge operation of the polishing liquid with one cycle of S1, S2, S3, S2, and S1 is performed.
  • the vacuum state formed in the fluid flow path 40 can be maintained without breaking it.
  • the polishing fluid in the fluid separation tanks 4 2 A and 4 2 B can be discharged. Therefore, it is not necessary to stop the operation of the polishing apparatus in order to discharge the polishing liquid from the gas-liquid separation tank 42 A, 42 B.
  • the polishing tool can be easily removed from the polishing table by releasing the vacuum in the fluid flow channel.
  • the separation work of the divided bodies can be performed one by one, the work of replacing the polishing tool (the polishing pad and the base) can be easily performed, and the work efficiency can be improved.
  • the present invention is applicable to a polishing apparatus for polishing a surface to be polished of an object to be polished such as a semiconductor wafer to be flat.

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Description

明 細 書 ポリッシング装置 技術分野
本発明は、 ポリッシング装置に係り、 特に半導体ウェハなどの研磨対象物の被 研磨面を平坦に研磨するためのポリッシング装置に関するものである。 背景技術
半導体デバイスの製造工程においては、 半導体デバイス表面の平坦化技術がま すます重要になっている。 この平坦化技術のうち、 最も重要な技術は、 化学的機 械的研磨 （C M P (Chemical Mechanical Polishing) ) である。 この化学的機 械的研磨は、 ポリツシング装置を用いて、 シリカ （S i 0 2 ) 等の砥粒を含んだ 研磨液を研磨面上に供給しつつ半導体ウェハなどの基板を研磨面に摺接させて 研磨を行うものである。
この種のポリツシング装置は、 上面にクロス （研磨パッド） が接着剤などによ り貼り付けられた研磨テーブルと、 半導体ウェハを保持するためのトツプリング 又はキャリアへッド等と称される基板保持装置とを備えている。 このようなポリ ッシング装置を用いて半導体ウェハの研磨を行う場合には、 基板保持装置により 半導体ウェハを保持しつつ、 この半導体ウェハを研磨テープノレに対して所定の圧 力で押圧する。 このとき、 クロスの上面に形成された研磨面に研磨液を供給しつ つ研磨テーブルと基板保持装置とを相対運動させることにより半導体ウェハが 研磨面に摺接し、 半導体ウェハの表面が平坦かつ鏡面に研磨される。
上述したポリツシング装置において、 ターンテーブル上のクロス （研磨パッ ド） の貼り替えは次のように行われる。 すなわち、 まず、 ポリツシング装置の運 転を停止し、 研磨テーブルからクロスを剥がす。 その後、 研磨テーブルの上面に 残留した接着剤等の付着物や研磨液を洗い落とし、 研磨テーブルを乾燥させる。 そして、 新しいクロスを直接研磨テーブルの上面に接着剤などで貼り付けること によりクロスの貼り替え作業が終了する。 このように、 従来のクロスの貼り替え作業は種々の工程を経てなされるため、 作業性が悪いという欠点があった。 また、 クロスの貼り替え作業中は、 ポリッシ ング装置の運転を停止させる必要があるため、 クロスの貼り替え作業の時間が長 くなるに従って、 ポリッシング装置の単位時間当たりの生産口ット数が低下する という欠点があった。
このような欠点を解決するために、 日本国特許出願公開公報特開平 8—1 1 8 2 3 1号に開示されているように、 金属等から製作された台座 (ベース） とクロ ス （研磨布） とから構成されるクロスカートリツジを研磨テープル上にポルトに より着脱可能に取り付ける方法が行われている。 この方法によれば、 クロスカー トリッジの簡易な交換作業のみでクロスを交換することができるので、 クロス交 换作業の時間を短縮させることができる。 したがって、 ポリツシング装置の運転 を停止させる時間を短くすることができ、 ポリッシング装置の単位時間当たりの 生産口ッド数を上げることができる。
しかしながら、 研磨対象物である半導体ウェハの径が大きくなるに従い、 クロ スカートリッジの径も大きくなり、 このために、 クロスカートリッジの取り扱い が困難となるという問題があった。 発明の開示
本発明は、 上述した従来の間題点に鑑みてなされたもので、 研磨テーブルの上 面に配置される研磨パッドの交換作業を効率的に行うことができるポリッシン グ装置を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、 本発明は、 研磨テーブルと、 該研磨テーブル の上部に取り付けられた研磨工具とを有し、 前記研磨工具に研磨液を供給しなが ら研磨対象物を前記研磨工具に摺接させて研磨するポリッシング装置であって、 前記研磨テーブルの上面に開口する流体流路を設け、 前記流体流路内に真空を形 成することにより前記研磨工具を前記研磨テーブルに固定することを特徴とす る。
この場合において、 前記研磨工具は研磨パッドと該研磨パッドが載置されるべ ースとを備え、 前記研磨工具は複数の分割体に分割されていることが好ましレ、。 このように構成された本発明によれば、 流体流路内の真空を開放することによ り研磨工具を研磨テーブルから簡単に取り外すことができる。 また、 分割体の着 脱作業を 1つずつ行うことができるので、 研磨工具 (研磨パッド及びベース) の 交换作業を容易に行うことができ、 作業効率を向上させることが可能となる。 本発明の好ましい態様は、 前記ベースは樹脂製または金属製であることを特徴 とする。
このように構成された本発明によれば、 使用済みの研磨工具 （研磨パッド及び ベース） をそのまま廃棄することが可能となる。 したがって、 ベースのゆがみの 原因となっていた、 使用済みの研磨パッドをベースから剥がし、 このベースの上 に新しい研磨パッドを貼り付ける、 といった作業を省略することができる。 本発明の好ましい態様は、 前記研磨パッドと前記ベースとは、 同一の材質から 形成されていることを特徴とする。
このように構成された本発明によれば、 研磨工具を廃棄するときに、 研磨パッ ドとベースとを分別することが不要となる。
本発明の好ましい態様は、 前記研磨液と気体とを分離させる気液分離器を、 前 記流体流路と前記流体流路内に真空を形成する真空源との間に配置したことを 特徴とする。
上述したように、 複数の分割体から構成される研磨工具は、 流体流路内に^成 された真空により研磨テーブルに固定されるが、 この構成では、 真空となった流 体流路内に研磨液が周囲雰囲気の気体と共に流入し、 研磨液が真空源に吸入され てしまうことが予想される。 上述のように構成された本発明によれば、 研磨液が 流体流路内に流入した場合でも、 研磨液が真空源に吸入される前にこの研磨液を 気液分離器により捕集することができる。 これにより、 研磨液が真空源に吸入さ れてしまうことが防止できる。
本発明の好ましい態様は、 複数種の研磨液を供給するための複数の研磨液供給 口を更に備えたことを特 ί敷とする。
一般に、 研磨プロセスを変更する際には研磨液を変更する必要があり、 クロス コンタミネーシヨンを防ぐ目的で研磨工具を研磨プロセスに応じて交換する必 要がある。 このため、 従来では、 1台のポリッシング装置で複数の研磨プロセス を行うことは困難であった。 これに対し、 上述のように構成された本発明によれ ば、 研磨プロセスの変更に応じて研磨パッドを容易に交換することが可能となる。 したがって、研磨液供給口から所望の研磨液を研磨工具に供給し、これによつて、 複数の研磨プロセスを 1台のポリッシング装置で行うことが可能となる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1の実施形態におけるポリッシング装置を示す概略断面図 である。
図 2 Aは図 1に示すクロスカートリッジを示す平面図であり、 図 2 Bは図 2 A に示す分割体の断面図であり、 図 2 Cは図 1に示すクロスカートリッジの分解斜 視図である。
図 3は、 本発明の第 1の実施形態における研磨テーブルを示す平面図である。 図 4は、 本発明の第 1の実施形態におけるクロスカートリツジを保管するため の保管槽を示す斜視図である。
図 5は、 本発明の第 2の実施形態における気液分離槽を示す模式図である。 図 6 A乃至図 6 Cは本発明の第 2の実施形態における気液分離槽の動作を説 明するための図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図 1は本発明の第 1の実施形態におけるポリッシング装置を示す概略断面図 である。 図 2 Aは図 1に示すクロスカートリッジを示す平面図であり、 図 2 Bは 図 2 Aに示す分割体の断面図であり、 図 2 Cは図 1に示すクロスカートリッジの 分解斜視図である。 図 3は本発明の第 1の実施形態における研磨テーブルを示す 平面図である。
図 1に示すように、 本実施形態に係るポリツシング装置は、 上面にクロスカー トリッジ （研磨工具） 1が取り付けられた研磨テーブル 2 0と、 研磨対象物であ る半導体ウェハ wを保持してクロスカー 1、リッジ 1の上面に押圧するトツプリ ング 3 0とを備えている。 クロスカートリッジ 1は、 クロス （研磨パッド） 1 0 とベース （台座） 1 1とから基本的に構成されている。 ここで、 クロス 1 0の上 面は、 半導体ウェハ Wと摺接する研磨面を構成している。 なお、 微細な砥粒 (C e 0 2等からなる） を榭脂等のバインダで固めた固定砥粒板の上面を研磨面とし て構成することもできる。
研磨テーブル 2 0は、 その下方に配置されるモータ (図示せず) に連結されて おり、 矢印で示すようにその軸心回りに回転可能になっている。 また、 研磨テー ブル 2 0の上方には第 1の研磨液供給ノズル (研磨液供給口） 2 2 Aが設置され ており、この第 1の研磨液供給ノズル 2 2 Aからクロス 1 0上に研磨液 (スラリ） Qが供給されるようになっている。 さらに、 研磨テーブル 2 0の上方には第 2の 研磨液供給ノズル （研磨液供給口） 2 2 Bが設置されており、 この第 2の研磨液 供給ノズル 2 2 Bからは、 研磨液 Qとは異なる種類の研磨液がクロス 1 0上に供 給されるようになっている。 なお、 クロス 1 0に供給すべき研磨液は、 研磨プロ セスに応じて適宜選択される。
トップリング 3 0は、 トップリングシャフト 3 2に連結されており、 このトツ プリングシャフト 3 2を介してモータ及び昇降シリンダ （図示せず） に連結され ている。 これにより トップリング 3 0は、 矢印で示すように昇降可能かつトップ リングシャフト 3 2回りに回転可能となっている。 また、 トップリング 3 0はそ の下面にポリウレタン等の弾性マット 3 4を備えており、 この弾性マット 3 4の 下面に、 研磨対象物である半導体ウェハ Wが真空等によって保持される。
このような構成により、 トップリング 3 0は自転しながら、 その下面に保持し た半導体ウェハ Wをクロス 1 0に対して任意の圧力で押圧することができるよ うになつている。 なお、 トップリング 3 0の下部外周部には、 半導体ウェハ Wの 外れ止めを行うガイドリング 3 6が設けられている。
トップリング 3 0とトツプリングシャフト 3 2とは自在継手部により連結さ れている。 この自在継手部は、 トップリング 3 0及びトップリングシャフト 3 2 とを互いに傾動可能とする球面軸受機構 4 3と、 トツプリングシャフト 3 2の回 転をトップリング 3 0に伝達する回転伝達機構 4 4とを備えており、 トップリン グシャフト 3 2からトツプリング 3 0に対して互いの傾動を許容しつつ押圧力 及ぴ回転力を伝達する。 上述の構成を有するポリッシング装置において、 トツプリング 30の下面に保 持された半導体ウェハ Wは、 回転している研磨テーブル 20の上面のクロス 10 に押圧される。 このとき、 研磨液供給ノズル 22 Aからはクロス 10上に研磨液 Qが供給される。 これによつて、 半導体ウェハ Wの被研磨面 (下面) とクロス 1 0との間に研磨液 Qが存在した状態でポリッシングが行われる。
図 2 A乃至図 2 Cに示すように、 クロスカートリッジ 1は 4つの分割体 1 A， I B, 1 C, IDに分割されている。 すなわち、 クロスカートリ ッジ 1は、 4つ の扇形のベース片 1 1 A， 1 1 B, 1 1 C, 1 IDと、これらのベース片 1 1A， 11 B, 1 1 C， 11 Dの上面にそれぞれ接着剤などにより固定される扇形のク ロス片 1 OA, 10 B, 10 C, 10Dとを備えている。 なお、ベース片 1 1 A, 1 1 B, 1 1 C, 1 IDは硬質の樹脂 （例えば、 PVC (ポリ塩化ビニル） ) 力 ら形成されている。 また、 クロス片 10 A, 10B， 10C， 10Dは樹脂シー ト等の研磨布である。 なお、 ステンレスなどの金属によりベース片 （ベース） を 構成してもよい。
各ベース片 1 1 A， 1 1 B, 1 1 C, 1 IDの中心側の先端部には通孔 12が 形成されており、 これらの通孔 1 2には、 図 1に示すように、 ピン 13が揷通さ れている。 ピン 13の下端は研磨テーブル 20に設けられた揷入孔 （図示せず） に揷通され、 ピン 13の上端は研磨テーブル 20に着脱可能に取り付けられた固 定部材 14に固定されている。 これらのピン 13を通孔 12及び研磨テーブル 2 0の揷入孔に揷通させることにより、 各分割体 1A， 1 B, 1 C， 1Dの研磨テ 一ブル 20に対する相対位置が固定される。
図 1に示すように、 研磨テーブル 20の内部には流体流路 40が形成されてい る。 この流体流路 40は研磨テーブル 20の上面で開口し、 図 3に示すように、 研磨テーブル 20の上面のほぼ全体に亘つて複数の開口部 40 aが均一に形成 されている。 流体流路 40は研磨テーブル 20を貫通し、 流体流路 40の下端は 気液分離槽 （気液分離器） 42に接続されている。 この気液分離槽 42は、 液体 と気体とを分離し、 分離された液体を内部に貯留し、 気体のみを通過させるよう に構成されている。
気液分離槽 42は真空ポンプなどの真空源 45に接続されており、 真空源 45 を駆動させることにより、気液分離槽 4 2を介して流体流路 4 0内に真空（負圧） が形成されるようになっている。 このような構成により、 流体流路 4 0内に形成 された真空によってクロスカートリッジ 1が研磨テーブル 2 0の上面に吸着さ れ固定される。
上述のように構成されたクロスカートリッジ 1を交換する作業は次のように 行われる。 すなわち、 まず、 トップリング 3 0を研磨テーブル 2 0から退避させ ると共に、研磨テーブル 2 0の回転を停止させる。次に、真空源 4 5を停止させ、 流体流路 4 0内に形成されている真空を開放する。 これにより、 クロスカートリ ッジ 1の研磨テーブル 2 0への固定状態が解除される。 その後、 固定部材 1 4及 びピン 1 3を研磨テーブル 2 0力、ら取り外し、 クロスカートリッジ 1を研磨テー プノレ 2 0力、ら取り除く。 そして、 新たなクロスカートリッジ （図示せず） を研磨 テーブル 2 0に載置し、 ピン 1 3及び固定部材 1 4を研磨テーブル 2 0に取り付 け、 クロスカートリッジ （分割体） の位置を固定する。 その後、 真空源 4 5を駆 動させ、 これによりクロスカートリッジが研磨テープル 2 0の上面に固定される。 上述したように、 クロスカートリッジ 1は 4つの分割体 1 A, 1 B， 1 C , 1 Dから構成され、 これらの 4つの分割体 1 A, 1 B , 1 C , 1 Dは研磨テーブル 2 0にそれぞれ着脱可能に取り付けられているので、 クロスカートリッジ 1の交 換は、 分割体 1 A， .I B , 1 C， I Dごとに行うことができる。 従って、 クロス カートリッジ 1の交換作業が容易になり、 作業効率を向上させることが可能とな る。 なお、 本実施形態では、 クロスカートリッジは 4つの分割体から構成されて いるが、 これに代えて、 2つ又は 3つの分割体から構成することもできる。
上述の構成において、 流体流路 4 0に真空を形成した際、 クロスカートリッジ 1の分割体 1 A, I B , 1 C , 1 D同士の微小な隙間から研磨液が吸入され、 周 囲雰囲気の気体と共に流体流路 4 0に流入する場合がある。 流体流路 4 0に流入 した研磨液は気液分離槽 4 2に導力ゝれ、 気液分離槽 4 2にて研磨液と気体とが分 離される。 分離された研磨液は気液分離槽 4 2内に貯留され、 気体のみが気液分 離槽 4 2から真空源 4 5に吸入される。 したがって、 真空源 4 5に研磨液が流入 することが防止され、 これにより、 研磨液の流入に起因する真空源 4 5の故障が 防止される。 また、 本実施形態によれば、 1台のポリッシング装置により複数の研磨プロセ スを行うことができる。 すなわち、 第 1の研磨液供給ノズル 2 2 Aからクロス 1 0に研磨液 Qを供給しながら半導体ウェハの研磨を行う (第 1の研磨プロセス)。 次に、 クロスカートリッジ 1を別のクロスカートリッジ (図示せず) に交換し、 第 2の研磨液供給ノズル 2 2 Bから研磨液 Qとは異なる種類の研磨液を供給し ながら半導体ウェハの研磨を行う (第 2の研磨プロセス) 。 第 2の研磨プロセス が行われている間、 第 1の研磨プロセスで使用されたクロスカートリッジ 1は、 図 4に示す保管槽 4 6にて保管される。
図 4は本発明の第 1の実施形態におけるクロスカートリツジを保管するため の保管槽を示す斜視図である。 図 4に示すように、 保管槽 4 6内には水 4 7が貯 留されている。 第 1の研磨プロセスで使用されたクロスカートリッジ 1の分割体 1 A, 1 B , 1 C , 1 Dは保管槽 4 6に搬送され、 水 4 7中に浸漬される。 これ により、 クロス 1 0上に付着している研磨液 （スラリ） が乾燥することが防止さ れ、 また、 分割体 1 A, 1 B , 1 C , I Dを研磨テープル 2 0に再び取り付けた ときの' I賞らし運転の時間を短縮することができる。
次に、 本発明の第 2の実施形態について説明する。 図 5は本発明の第 2の実施 形態における気液分離槽を示す模式図である。 図 6 A乃至図 6 Cは本発明の第 2 の実施形態における気液分離槽の動作を説明するための図である。 本実施形態に 係るポリッシング装置は 2つの気液分離槽を備えている点で、 1つの気液分離槽 のみを備えている第 1の実施形態におけるポリッシング装置と異なっている。 な お、 特に説明しない構成及び動作は第 1の実施形態と同様であるので、 その重複 する説明を省略する。
図 5に示すように、 第 1の気液分離槽 4 2 A及び第 2の気液分離槽 4 2 Bは並 列に配置されており、 配管 5 0を介して流体流路 4 0 (図 1参照） にそれぞれ接 続されている。 この配管 5 0には逆止弁 5 2， 5 2が設けられており、 この逆止 弁 5 2 , 5 2によつて流体流路 4 0に形成された真空が維持されるようになって いる。 第 1及び第 2の気液分離槽 4 2 A, 4 2 Bは、 それぞれ配管 5 4， 5 6を 介して真空源 4 5に接続されている。 第 1の気液分離槽 4 2 Aに接続される配管 5 4には第 1のバルブ 5 8 Aが設けられ、 第 2の気液分離槽 4 2 Bに接続される 配管 5 6には第 2のバルブ 5 8 Bが設けられている。 そして、 第 1及び第 2のバ ルブ 5 8 A， 5 8 Bを操作することにより、 第 1及び第 2の気液分離槽 4 2 A, 4 2 Bと真空?原 4 5との連通状態が独立して制御可能になっている。
第 1及び第 2の気液分離槽 4 2 A, 4 2 Bには、 その内部に溜まつた研磨液の 量が所定の値を超えたか否かを検出するセンサ 6 0がそれぞれ設けられている。 第 1及ぴ第 2の気液分離槽 4 2 A, 4 2 Bの下端には、 その内部に溜まった研磨 液を排出するためのドレン配管 6 2 A, 6 2 Bが設けられ、 第 1及ぴ第 2の気液 分離槽 4 2 A, 4 2 Bの上端には、 その内部と外部とを連通させる連通配管 6 4 A, 6 4 Bが設けられている。 第 1の気液分離槽 4 2 Aに接続されるドレン配管 6 2 A及ぴ連通配管 6 4 Aには第 1のドレンバルブ 6 6 A, 6 6 Aが設けられ、 第 2の気液分離槽 4 2 Bに接続されるドレン配管 6 2 B及び連通配管 6 4 Bに は第 2のドレンバルブ 6 6 B， 6 6 Bが設けられている。 そして、 第 1のドレン バルブ 6 6 A, 6 6 A及び第 2のドレンバルブ 6 6 B， 6 6 Bを操作することに より、第 1及び第 2の気液分離槽 4 2 A, 4 2 B内の研磨液がドレン配管 6 2 A, 6 2 Bから排出されるようになっている。 なお、 上記センサ 6 0としては液面セ ンサなどが好適に用いられる。
次に、 図 6 A乃至図 6 Cを参照して本実施形態に係る気液分離槽の動作につい て説明する。 なお、 図 6 A乃至図 6 Cに示す矢印は気体の流れを示している。 ま た、 図 6 A乃至図 6 Cにおいて、 黒のバルブ及びドレンバルブは閉じた状態を示 し、 白のバルブ及びドレンバルブは開いた状態を示している。
図 6 Aに示すように、 第 1のバルブ 5 8 A及び第 2のドレンパルプ 6 6 B， 6 6 Bは閉じられ、 第 2のバルブ 5 8 B及ぴ第 1のドレンバルブ 6 6 A, 6 6 Aは 開かれている （以下、 この状態を S 1という） 。 すなわち、 第 2の気液分離槽 4 2 Bのみが真空源 4 5に連通している。 このとき、 第 1の気液分離槽 4 2 Aに溜 まった研磨液が排出される。
第 2の気液分離槽 4 2 Bに配置されたセンサ 6 0により研磨液の量が所定の 値に達したことが検出されると、 図 6 Bに示すように、 第 1のドレンバルブ 6 6 A, 6 6 Aが閉じられると共に、 第 1のバノレブ 5 8 Aが開かれる。 すなわち、 第 1及ぴ第 2のバノレブ 5 8 A, 5 8 Bは開かれ、 第 1のドレンパノレブ 6 6 A, 6 6 A及ぴ第 2のドレンバルブ 6 6 B， 6 6 Bは閉じられている （以下、 この状態を S 2という） 。 これにより、 第 1及び第 2の気液分離槽 4 2 A， 4 2 Bと真空源 4 5とが連通される。 このとき、 研磨液の排出は行われなレ、。
S 2の状態で所定時間が経過した後、 図 6 Cに示すように、 第 2のバルブ 5 8 Bが閉じられると共に、 第 2のドレンバルブ 6 6 B , 6 6 Bが開かれる。 すなわ ち、 第 1のバルブ 5 8 A及び第 2のドレンバルブ 6 6 B , 6 6 Bは開かれ、 第 2 のバルブ 5 8 B及び第 1のドレンバルブ 6 6 A, 6 6 Aは閉じられている（以下、 この状態を S 3という） 。 このとき、 第 2の気液分離槽 4 2 B内に溜まった研磨 液が排出される。
第 1の気液分離槽 4 2 Aに配置されたセンサ 6 0により研磨液の量が所定の 値を超えたことが検出されると、 第 2のドレンバルブ 6 6 B， 6 6 Bが閉じられ ると共に、 第 2のバルブ 5 8 Bが開かれ、 S 2の状態になる。 さらに、 所定時間 経過後、 S 1の状態となる。 このようにして、 S l、 S 2、 S 3、 S 2、 S Iを 1サイクルとした研磨液の排出動作が行われる。
このように、 2つの気液分離槽 4 2 A, 4 2 Bを交互に真空源 4 5に連通させ ることにより、 流体流路 4 0内に形成された真空状態を破壌することなく気液分 離槽 4 2 A, 4 2 B内の研磨液を排出することができる。 したがって、 気液分離 槽 4 2 A， 4 2 Bから研磨液を排出するためにポリッシング装置の運転を停止さ せる必要がなくなる。
以上説明したように、 本発明によれば、 流体流路内の真空を開放することによ り研磨工具を研磨テーブルから簡単に取り外すことができる。 また、 分割体の着 脱作業を 1つずつ行うことができるので、 研磨工具 （研磨パッド及ぴベース） の 交換作業を容易に行うことができ、 作業効率を向上させることが可能となる。 産業上の利用の可能性
本発明は、 半導体ウェハなどの研磨対象物の被研磨面を平坦に研磨するための ポリッシング装置に適用可能である。

Claims

請求の範囲
1 . 研磨テーブルと、 該研磨テーブルの上部に取り付けられた研磨工具とを有 し、 前記研磨工具に研磨液を供給しながら研磨対象物を前記研磨工具に摺接させ て研磨するポリッシング装置であって、
前記研磨テーブルの上面に開口する流体流路を設け、 前記流体流路内に真空を 形成することにより前記研磨工具を前記研磨テ一ブルに固定することを特徴と するポリッシング装置。
2 . 前記研磨工具は研磨パッドと該研磨パッドが載置されるベースとを備え、 前記研磨工具は複数の分割体に分割されていることを特徴とする請求項 1に記 載のポリッシング装置。
3 . 前記ベースは樹脂製または金属製であることを特徴とする請求項 2に記載 のポリッシング装置。
4 · 前記研磨パッドと前記ベースとは、 同一の材質から形成されていることを 特徴とする請求項 2に記載のポリッシング装置。
5 . 前記研磨液と気体とを分離させる気液分離器を、 前記流体流路と前記流体 流路内に真空を形成する真空源との間に配置したことを特徴とする請求項 1乃 至 4のいずれか 1項に記載のポリッシング装置。
6 . 複数種の研磨液を供給するための複数の研磨液供給口を更に備えたことを 特徴とする請求項 1乃至 5のいずれか 1項に記載のポリッシング装置。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059661A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Sony Corp 研磨方法および研磨装置
JP4680314B1 (ja) * 2010-02-04 2011-05-11 東邦エンジニアリング株式会社 研磨パッド用補助板およびそれを用いた研磨パッドの再生方法
JP5980476B2 (ja) * 2010-12-27 2016-08-31 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置およびポリッシング方法
JP5795977B2 (ja) * 2012-03-14 2015-10-14 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP6190286B2 (ja) * 2014-02-14 2017-08-30 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
JP2021174914A (ja) * 2020-04-28 2021-11-01 株式会社ディスコ ウェットエッチング方法、及び、ウェットエッチング装置
CN112792711B (zh) * 2020-12-31 2022-05-17 武汉风帆电化科技股份有限公司 一种晶硅片碱抛光装置及抛光工艺

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH106209A (ja) * 1996-06-21 1998-01-13 Ebara Corp ポリッシング装置
JP2002103262A (ja) * 2000-09-27 2002-04-09 Nippei Toyama Corp 半導体ウェーハの吸着装置
JP2002110598A (ja) * 2000-09-26 2002-04-12 Toshiba Corp Ｃｍｐ装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6602380B1 (en) * 1998-10-28 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for releasably attaching a polishing pad to a chemical-mechanical planarization machine
US6244931B1 (en) * 1999-04-02 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Buffer station on CMP system
US6561881B2 (en) * 2001-03-15 2003-05-13 Oriol Inc. System and method for chemical mechanical polishing using multiple small polishing pads
US6641468B2 (en) * 2002-03-05 2003-11-04 Promos Technologies Inc Slurry distributor
JP2004288727A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Seiko Epson Corp Ｃｍｐ装置、ｃｍｐ研磨方法、半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH106209A (ja) * 1996-06-21 1998-01-13 Ebara Corp ポリッシング装置
JP2002110598A (ja) * 2000-09-26 2002-04-12 Toshiba Corp Ｃｍｐ装置
JP2002103262A (ja) * 2000-09-27 2002-04-09 Nippei Toyama Corp 半導体ウェーハの吸着装置

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