TW202308032A - 基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明公開了一種基板處理方法。本發明的基板處理方法的特徵在於，包括如下的步驟：將晶圓部放置在卡盤台；在卡盤台裝載晶圓部；噴射臂模組向晶圓部噴射第一處理液而對晶圓部進行處理；噴射臂模組向晶圓部噴射第二處理液而對晶圓部進行處理；在卡盤台乾燥晶圓部；以及從卡盤台卸載晶圓部。

Description

基板處理方法
本發明涉及基板處理方法，更詳細地，涉及能夠縮減晶圓部的處理時間，並且能夠提高晶圓部的處理及清洗性能的基板處理方法。
通常，在半導體工序中進行用於蝕刻晶圓部的蝕刻工序、用於將晶圓部切割成多個晶粒的分離工序、用於清洗晶圓部的清洗工序等。基板處理裝置用於晶圓部的蝕刻工序或清洗工序。
基板處理裝置設置為可旋轉，並且由在上部放置晶圓部的旋轉台、以環形結合到旋轉台的邊緣區域的密封圈等構成。在旋轉台旋轉的狀態下，向放置於旋轉台的晶圓部供給處理液。
本發明的背景技術公開在韓國公開專利公報第10-2016-0122067號（2016年10月21日公開，發明名稱：晶圓部處理裝置及用於晶圓部處理裝置的密封圈）。
本發明是為了解決上述問題而提出的，本發明的目的在於，提供一種基板處理方法，能夠縮減晶圓部的處理時間，並且能夠提高晶圓部的處理及清洗性能。
本發明的基板處理方法的特徵在於，包括如下的步驟：將晶圓部放置在卡盤台；在所述卡盤台裝載所述晶圓部；噴射臂模組向所述晶圓部噴射第一處理液而對所述晶圓部進行處理；所述噴射臂模組向所述晶圓部噴射第二處理液而對所述晶圓部進行處理；在所述卡盤台乾燥所述晶圓部；以及從所述卡盤台卸載所述晶圓部。
將所述晶圓部放置在所述卡盤台的步驟可包括如下的步驟：傳輸裝置把持從第二移送模組傳遞的所述晶圓部；以及隨著所述傳輸裝置的下降，將所述晶圓部放置在所述卡盤台。
在所述卡盤台裝載所述晶圓部的步驟可包括如下的步驟：隨著所述卡盤台的卡盤模組被驅動，晶圓限制部限制所述晶圓部的卡環部；以及隨著移動模組使所述卡盤台的真空卡盤部移動，向半徑方向拉動所述晶圓部，以擴大所述晶圓部的多個晶粒的間隔。
從所述卡盤台卸載所述晶圓部的步驟可包括如下的步驟：隨著移動模組使所述卡盤台的真空卡盤部回到原位置，所述晶圓部恢復原狀態；以及隨著所述卡盤台的卡盤模組被驅動，晶圓限制部解除對所述晶圓部的卡環部的限制。
所述噴射臂模組向所述晶圓部噴射第一處理液而對所述晶圓部進行處理的步驟可包括如下的步驟：所述噴射臂模組向所述晶圓部的上側移動；以及所述噴射臂模組在預定角度範圍內擺動並向所述晶圓部噴射第一處理液。
所述第一處理液可以為去離子水（DI water）。
在所述噴射臂模組向所述晶圓部噴射第二處理液而對所述晶圓部進行處理的步驟中，所述噴射臂模組可在預定角度範圍內擺動並向所述晶圓部噴射第二處理液。
所述第二清洗液可以為去離子水與氮（N 2）的混合物。
在所述卡盤台中乾燥所述晶圓部的步驟可包括如下的步驟：所述噴射臂模組向所述卡盤台的外側移動；以及隨著所述卡盤台進行旋轉，乾燥所述晶圓部。
根據本發明，即使在狹小的空間內，傳輸裝置也可以從第二移送模組接收晶圓部並放置在卡盤台，並且可以從卡盤台排出完成處理的晶圓部。
並且，根據本發明，隨著傾斜（tilting）裝置進行旋轉，可以輕鬆將環形蓋部限制在卡盤台裝置及從卡盤台裝置解除環形蓋部。並且，卡盤台裝置的卡盤模組可以迅速限制及解除環形蓋部。因此，可以縮減晶圓部的處理及清洗時間。
並且，根據本發明，噴射臂模組和噴射吸入臂模組對晶圓部進行處理，因此，可以利用多個種類的處理液或清洗液對晶圓部進行處理。因此，可通過多種方式進行晶圓部的處理工序。
並且，根據本發明，卡盤台裝置包括：晶圓限制部，用於限制晶圓部的卡環部；蓋限制部，用於限制環形蓋部；以及移動模組，使真空卡盤部移動，以向半徑方向拉動晶圓部。因此，可以進行如下擴晶工序，即，在晶圓限制部將晶圓部的卡環部限制在卡盤台、並且移動模組使真空卡盤部移動來擴大晶圓部的晶粒之間的間隔的狀態下，對晶圓部進行處理。並且，可以進行如下剝離清洗工序，即，在蓋限制部將環形蓋部限制在真空卡盤部的上側的狀態下對晶圓部進行處理。
並且，根據本發明，移動模組使真空卡盤部移動，以擴大晶圓部中的晶粒的間隔，因此，可以通過清洗液輕鬆去除附著在晶粒的表面的異物和位於多個晶粒之間的縫隙的異物。因此，晶圓部的清洗性能可以得到顯著提高，可以顯著減少晶圓部的不良率。
以下參照附圖對本發明的基板處理方法的一實施例進行說明。在說明基板處理方法的過程中，為了說明的明確性及便利性，可以放大示出附圖所示的線的厚度或結構要素的尺寸等。並且，後述的術語為考慮到在本發明中的功能而定義的術語，這可根據使用人員、應用人員的意圖或慣例而不同。因此，對於這種術語的定義應根據本說明書全文內容來定義。
圖1為簡要示出本發明一實施例的晶圓部的俯視圖，圖2為簡要示出本發明一實施例的基板處理裝置的方塊圖，圖3為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的視覺矯正器（vision aligner）的俯視圖。
參照圖1至圖3，本發明一實施例的基板處理裝置1對晶圓部10進行處理。在蝕刻工序中蝕刻的環形框架的晶圓部10在分離工序中被切割成矩陣狀。環形框架的晶圓部10包括：晶圓11，包括被切割成矩陣狀來排列的多個晶粒；黏結片12，供晶圓11附著；以及卡環部13，與黏結片12的周圍連接，以將黏結片12支撐為繃緊的狀態。黏結片12由沿著水平方向可伸縮的材質形成。隨著黏結片12被卡環部13拉緊，多個晶粒被定位，薄板的晶粒維持平板狀態。以下，將環形框架的晶圓部10稱為晶圓部10。
晶圓盒20為在與外部密封的內部空間裝載多個晶圓部10，在單位工序設備之間移動晶圓部10的前方開放型一體式容器（FOUP：front opening unified pod）。向單位工序設備傳送的晶圓盒20放置在配置於單位工序設備的一側的裝載端口模組（未圖示）的上表面，使晶圓盒20的內部空間與外部密封並開放晶圓部盒門（未圖示）。由此，晶圓部10可以防止來自外部環境的污染並在單位工序設備之間移動。
在晶圓盒20中裝載的晶圓部10被第一移送模組50所吸附並裝載於緩衝單元30。緩衝單元30包括兩個前槽（未圖示）和兩個後槽（未圖示）。第一移送模組50可以採用通過真空壓吸附晶圓部10的真空吸附機器人。
裝載於緩衝單元30的晶圓部10通過第一移送模組50承載於視覺矯正器40。視覺矯正器40包括：矯正器台41，用於放置晶圓部10；以及視覺部（未圖示），向矯正器台41照射光來讀取晶圓部10。視覺矯正器40能夠以矯正器台41的中心為基準旋轉4°左右，以矯正器台41的中心為基準向左右方向移動7mm左右。可在視覺部中讀取晶圓部10的位置和晶圓11的中心部來對齊晶圓部10的位置。在此情況下，視覺部讀取晶圓11的中心部與卡環部13的中心部是否一致，並對齊晶圓部10，以使晶圓11的中心部對齊在準確位置。
在視覺矯正器40中對齊的晶圓部10通過第二移送模組60投入到第一處理腔室70和第二處理腔室80。在第一處理腔室70中，向晶圓部10噴射處理液而對晶圓部10進行處理。第二處理腔室80設置有多個。在第二處理腔室80中，向晶圓部10噴射處理液，同時吸入向處理液的上側漂浮的異物，而對晶圓部10進行處理。
圖4為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的第一處理腔室和第二處理腔室的俯視圖。
參照圖4，在第一處理腔室70設置有離子發生器102、傳輸裝置100、傾斜裝置200、卡盤台裝置300、噴射裝置400及抽吸裝置500。在第二處理腔室80設置有離子發生器102、傳輸裝置100、傾斜裝置200、卡盤台裝置300、噴射裝置400。
離子發生器102分別設置在第一處理腔室70和第二處理腔室80的上側。離子發生器102去除在晶圓部10的處理工序和非處理工序中發生的靜電。離子發生器102防止在晶圓部10、第一處理腔室70和第二處理腔室80的內部發生靜電，因此，可以防止異物因靜電而再次附著在晶圓部10。
若將空氣作為供給氣體供給到離子發生器102，供給去離子水（DI water）作為清洗液，則通過離子發生器102離子化的陽離子及陰離子可以與清洗液一同噴射在晶圓部10的上部。
在向晶圓部10的上部噴射包含陽離子和陰離子的去離子水之前，測定出的晶圓部10的靜電電位大致為3.6KV。反之，在向晶圓部的上部噴射包含陽離子和陰離子的去離子水之後，所測定的靜電電位大致為-0.10 KV至-0.17KV。對於這種負電壓，可通過增加離子發生器102的（+）離子發生量來將晶圓部10的靜電控制在接近“0”的理想值。
圖5為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傳輸裝置的側視圖，圖6為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傳輸裝置的俯視圖，圖7為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的傳輸裝置中的夾具部的側視圖，圖8為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的傳輸裝置中的夾具部引出的狀態的側視圖。
參照圖5至圖8，傳輸裝置100設置在卡盤台裝置300的兩側。傳輸裝置100將第二移送模組60所移送的晶圓部10放置在卡盤台裝置300的上側。
傳輸裝置100包括升降部120、傳輸部130及夾具部140。
升降部120設置在卡盤台320、330的外側。升降部120在卡盤台320、330的直徑方向兩側設置有一對。升降部120設置在底座部110的下側。升降部120可以採用滾珠螺桿方式、線性發動機方式、帶驅動方式等多種方式。
傳輸部130與升降部120連接，以通過升降部120進行升降，且配置在卡盤台320、330的外側。傳輸部130分別設置在升降部120。傳輸部130配置在底座部110的上側。
夾具部140以可往復移動的方式設置在傳輸部130，以便可以把持或放下晶圓部10。夾具部140分別設置在一對傳輸部130。一對夾具部140支撐晶圓部10的環形框架部15的兩側。夾具部140接收通過第二移送模組60移送的晶圓部10，隨著通過升降部120下降，將夾具部140放置在卡盤台320、330。
升降部120和傳輸部130配置在卡盤台320、330的外側，夾具部140與升降部120及傳輸部130沿著上下方向並排配置，因此，可以顯著減少夾具部140的設置空間和夾具部140的移動軌跡。因此，即使在狹小的空間，也能夠從第二移送模組60接收晶圓部10並放置在卡盤台320、330，並且能夠從卡盤台320、330排出完成處理的晶圓部10。
升降部120包括：升降臂驅動部402，配置在傳輸部130的下側；動力傳遞部123，與升降臂驅動部402連接；以及線性引導部124，與動力傳遞部123連接，以使傳輸部130升降。升降臂驅動部402可配置在殼體部121的外部，動力傳遞部123和線性引導部124配置在殼體部121的內部。若升降臂驅動部402向動力傳遞部123傳遞動力，則隨著線性引導部124在殼體部121中升降，傳輸部130可以沿著上下方向移動。
升降臂驅動部402可以採用馬達部。動力傳遞部123可以為通過升降臂驅動部402旋轉的滾珠螺桿。
線性引導部124包括：固定引導部125，在升降臂驅動部402沿著上下方向並排配置；移動引導部126，以可升降的方式與固定引導部125結合，並且與動力傳遞部123連接，以通過動力傳遞部123進行移動；以及升降桿部127，與移動引導件和傳輸部130連接。固定引導部125可以為在殼體部121的內部沿著上下方向並排配置的固定軌道部。移動引導部126以可滑動的方式與固定引導部125結合。升降桿部127以沿著上下方向移動的方式設置在殼體部121。若驅動升降臂驅動部402，則移動引導部126沿著固定引導部125進行移動，升降桿部127通過移動引導部126進行移動。因此，可以準確地控制傳輸部130的上下衝程。
夾具部140包括夾具驅動部141、一個以上的小齒輪部142、多個齒條部145、146及指狀部147。
夾具驅動部141設置在傳輸部130。夾具驅動部141可以採用液壓缸、滾珠螺桿或帶驅動方式的馬達部等多種方式。
小齒輪部142設置有至少一個，與夾具驅動部141連接，以通過夾具驅動部141移動。
多個齒條部145、146以與小齒輪部142嚙合的方式設置，通過小齒輪部142的旋轉來進行移動。齒條部145、146以可移動的方式設置在小齒輪部142的兩側。當小齒輪部142設置有一個時，齒條部145、146以與小齒輪部142的兩側嚙合的方式可以設置有兩個。當小齒輪部142設置有兩個時，齒條部145、146可以以與兩個小齒輪部142嚙合的方式設置有三個。
指狀部147從一個齒條部146延伸，以把持晶圓部10。在此情況下，指狀部147設置在當夾具驅動部141驅動時距離傳輸部130最遠的一個齒條部146。
以下對設置一個小齒輪部142和兩個齒條部145、146的夾具部140進行說明。
在小齒輪部142的外側面形成小齒輪鋸齒部（未圖示）。在此情況下，多個齒條部145、146包括：第一齒條部145，以與小齒輪部142嚙合的方式設置；以及第二齒條部146，以與小齒輪部142嚙合的方式設置，通過小齒輪部142的旋轉進行往復運動，並且指狀部147從第二齒條部146延伸。在此情況下，小齒輪部142配置在第一齒條部145與第二齒條部146之間。並且，小齒輪部142的小齒輪鋸齒部以與第一齒條部145的上側和第二齒條部146的下側嚙合的方式設置。
第一齒條部145固定在傳輸部130的外罩部131，第二齒條部146通過小齒輪部142的平移及旋轉來進行移動。若驅動夾具驅動部141，則小齒輪部142沿著第一齒條部145同時執行平移運動和旋轉運動，因此，第二齒條部146通過小齒輪部142的平移距離和旋轉運動移動一定距離。因此，夾具驅動部141可以使第二齒條部146移動小齒輪部142移動的距離的兩倍左右，因此，與夾具驅動部141衝程相比，指狀部147的衝程可以顯著增加。
小齒輪部142包括：滑塊部143，與夾具驅動部141連接，以可在第一齒條部145與第二齒條部146之間往復運動的方式設置；以及小齒輪齒部144，以可旋轉的方式與滑塊部143結合，與滑塊部143一同移動而使第二齒條部146移動。滑塊部143與第一齒條部145和第二齒條部146並排配置。當夾具驅動部141驅動時，小齒輪齒部144與滑塊部143一同沿著直線方向進行平移運動，與第一齒條部145嚙合來執行旋轉運動。
夾具驅動部141包括：氣缸部141a，設置在傳輸部130；移動桿部141b，以可移動的方式設置在氣缸部141a；以及連接連桿部141c，與移動桿部141b和滑塊部143連接。連接連桿部141c從氣缸部141a的移動桿部141b向上側延伸並與滑塊部143連接。連接連桿部141c通過氣缸部141a的移動桿部141b沿著直線方向進行移動。隨著移動桿部141b進行移動，滑塊部143進行移動。
指狀部147包括通過真空吸附把持晶圓部10的真空吸附部148。指狀部147可以設置有兩個以上的真空吸附部148。真空吸附部148真空吸附晶圓部10的環形框架部15。可以在指狀部147的內部形成真空流路部（未圖示），以在真空吸附部148形成真空。
圖9為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傾斜裝置的側視圖，圖10為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的傾斜裝置中的把持單元下降的狀態的側視圖，圖11為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傾斜裝置的把持單元的俯視圖，圖12為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傾斜裝置的把持單元的後視圖，圖13為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傾斜裝置的把持單元的放大圖。
參照圖9至圖13，傾斜裝置200包括傾斜馬達部210、傾斜單元220、升降單元230及把持單元240。
在傾斜裝置200的下側設置有卡盤台裝置300。卡盤台裝置300以可通過卡盤驅動部310旋轉的方式設置。卡盤驅動部310可以採用帶驅動方式、齒輪驅動方式等的馬達部。
卡盤台裝置300設置在旋轉軸部311的上側，以通過旋轉軸部311進行旋轉。在真空卡盤部330放置晶圓部10等晶圓部10。在真空卡盤部330的周圍部突出設置有多個卡盤銷部303，以固定環形蓋部201。
傾斜裝置200把持環形蓋部201並與卡盤台裝置300結合。在環形蓋部201的周圍部下側形成有多個固定孔部202，以當環形蓋部201放置在卡盤台裝置300時插入多個卡盤銷部303中。並且，在環形蓋部201的周圍部外側面形成有多個限制槽部203（參照圖17），以被把持單元240把持。多個限制槽部203與把持單元240的鎖定銷部259對置形成。環形蓋部201密封放置在真空卡盤部330的晶圓部10的周圍，以防止當處理晶圓部10時，處理液向晶圓部10的周圍和環形蓋部201的內部滲透。
傾斜單元220以可旋轉的方式連接在傾斜馬達部210的傾斜軸部212。在傾斜單元220形成有傾斜臂部222，以與傾斜馬達部210的傾斜軸部212連接。傾斜單元220在等待狀態下維持向上側豎立的狀態。當環形蓋部201與真空卡盤部330的周圍部結合時，傾斜馬達部210使傾斜單元220向真空卡盤部330的上側水平旋轉。在傾斜單元220設置有可以設定把持單元240的水平方向初始位置的設定模組（未圖示），以在把持單元240的環形蓋部201的結合位置水平地設置。
升降單元230設置在傾斜單元220。升降單元230設置在傾斜單元220的中心部。升降單元230的升降桿部233以通過傾斜單元220的中心部來移動的方式設置。在傾斜單元220設置有多個升降引導部235，以引導升降單元230的升降。
把持單元240與升降單元230連接，以通過升降單元230升降，並且用於把持環形蓋部201。在晶圓部10放置在真空卡盤部330之前，把持單元240處於以把持環形蓋部201的狀態豎直立起的等待狀態。
若在真空卡盤部330放置晶圓部10，則隨著傾斜馬達部210的驅動，傾斜單元220和把持單元240水平旋轉。若傾斜單元220和把持單元240結束旋轉，則隨著升降單元230的驅動，把持單元240向傾斜單元220的下側移動。在此情況下，傾斜單元220並不與升降單元230一同下降，而是保持水平狀態。
隨著把持單元240的下降，環形蓋部201放置於真空卡盤部330。把持單元240維持通過升降單元230下降的狀態，以保持將環形蓋部201與真空卡盤部330結合的狀態，直到環形蓋部201徹底定位（chucking）在真空卡盤部330的卡盤模組350（參照圖15）。
若在真空卡盤部330中完成環形蓋部201的結合，則隨著升降單元230的驅動，把持單元240向上側移動並與傾斜單元220的下側接觸或稍微隔開。若把持單元240徹底向上側移動，則隨著傾斜馬達部210的驅動，傾斜單元220和把持單元240以豎直立起或幾乎豎直立起的等待狀態進行旋轉。
位置校正單元260以可發生遊隙（floating，浮動）的方式設置在升降單元230和把持單元240，以當把持單元240將環形蓋部201與真空卡盤部330結合時校正把持單元240的結合偏差。結合偏差為當把持單元240的環形蓋部201結合時，把持單元240的鎖定銷部259與環形蓋部201的限制槽部203偏離的偏差。
位置校正單元260包括止推部261和彈性部件268。
多個止推部261與升降部件135和浮動板243連接，以當環形蓋部201鎖定時，浮動板243發生與結合偏差相應的遊隙。彈性部件268設置在中心部件241，對浮動板243施加彈力，以當環形蓋部201解除鎖定時，使浮動板243回到原位置。
當把持單元240通過升降單元230下降來將環形蓋部201與真空卡盤部330結合時，有可能隨著環形蓋部201的固定孔部202與真空卡盤部330的卡盤銷部303稍微偏離，發生結合偏差。在此情況下，位置校正單元260允許把持單元240在結合偏差範圍內沿著水平方向發生遊隙。
如上所述，傾斜單元220和把持單元240可通過傾斜馬達部210進行旋轉，因此，精密地控制傾斜馬達部210的旋轉角度來精密地設定把持單元240的高度（等級）及密封圈結合位置。並且，把持單元240和傾斜單元220初始設定在環形蓋部201的結合位置。因此，可以顯著縮減設定把持單元240的把持位置的時間。
傾斜單元220以可旋轉的方式設置在傾斜馬達部210，因此，當傾斜馬達部210發生故障或靜電等時，傾斜馬達部210保持當前狀態。因此，當發生故障或靜電時，可以防止傾斜單元220和把持單元240掉落而與真空卡盤部330發生碰撞。
並且，把持單元240通過位置校正單元260以可發生遊隙的方式設置在升降單元230，因此，在把持單元240微細偏離的狀態下，將環形蓋部201與真空卡盤部330結合時，允許位置校正單元260校正把持單元240的結合偏差。因此，可以防止因環形蓋部201與真空卡盤部330的卡盤銷部303的結合偏差而發生磨損，由此可以防止在卡盤銷部303和環形蓋部201中產生異物。並且，可以防止異物流入到在把持單元240和環形蓋部201的下部進行處理的晶圓部10，因此，可以將晶圓部10的污染或不良最小化。
並且，傾斜馬達部210使傾斜單元220和把持單元240傾斜旋轉，因此，可以減少驅動要素的設置數量。因此，可以減少晶圓部10的處理裝置的製造費用。
升降單元230包括升降驅動部231及升降部件235。
升降驅動部231設置在傾斜單元220。升降驅動部231包括升降氣缸部232和以可升降的方式設置在升降氣缸部232的升降桿部233。在升降桿部233的下側固定升降部件235。若流體流入到升降氣缸部232，則升降桿部233向下側移動，若流體從升降氣缸部232排出，則升降桿部233向上側移動。
升降部件235與升降驅動部231和把持單元240連接，以通過升降驅動部231升降，並且，以使把持單元240發生遊隙的方式設置位置校正單元260。升降部件235包括與把持單元240隔開設置的升降板部236。在升降板部236的中心部形成有結合槽部237，以結合升降驅動部231的升降桿部233。
把持單元240包括中心部件241、浮動板243、多個凸輪連桿部251、連桿驅動部255及鎖定部256。
中心部件241配置在升降部件235的下側。中心部件241與升降部件235的下側面部隔開，配置在升降部件235的中心部。在中心部件241的周圍部，多個中心肋（未圖示）徑向突出形成。中心部件241以可沿著浮動板243的圓周方向旋轉預定角度的方式設置。
浮動板243結合在中心部件241的下側，與位置校正單元260連接。浮動板243以與真空卡盤部330對置的方式呈圓盤狀。浮動板243以接觸升降部件235的下側的方式設置。在浮動板243的周圍部貫通形成有引導孔部246，以當凸輪連桿部251旋轉時，鎖定部256向浮動板243的半徑方向直線運動。
多個凸輪連桿部251與中心部件241以徑向連接。凸輪連桿部251分別與中心部件241連接。凸輪連桿部251通過多個緊固螺栓（未圖示）固定在中心部件241。凸輪連桿部251呈直線型板狀。
連桿驅動部255與凸輪連桿部251和浮動板243連接，以使多個凸輪連桿部251移動。連桿驅動部255的一側固定在浮動板243，連桿驅動部255的另一側與一個凸輪連桿部251連接。連桿驅動部255包括連桿氣缸部255a和以可移動的方式設置在連桿氣缸部255a的連桿部255b。隨著流體流入到連桿氣缸部255a，連桿部255b從連桿氣缸部255a引出，隨著從連桿氣缸部255a排出流體，連桿部255b引入到連桿氣缸部255a。
鎖定部256分別設置在多個凸輪連桿部251，當多個凸輪連桿部251移動時，對環形蓋部201進行鎖定及解除鎖定。在浮動板243的周圍部，與每個凸輪連桿部251分別連接有一個鎖定部256。
當連桿驅動部255驅動時，中心部件241與多個凸輪連桿部251一同旋轉。即，隨著連桿驅動部255的驅動，與連桿驅動部255連接的一個凸輪連桿部251以浮動板243的中心部為中心旋轉預定角度。隨著一個凸輪連桿部251旋轉預定角度，中心部件241向浮動板243的圓周方向進行旋轉，因此，多個凸輪連桿部251同時向圓周方向旋轉預定角度。隨著多個凸輪連桿部251進行旋轉，多個鎖定部256對環形蓋部201同時進行鎖定及解除鎖定來把持環形蓋部201。在此情況下，浮動板243不會進行旋轉。
凸輪連桿部251包括：凸輪桿部252，與中心部件241徑向連接；以及凸輪部253，與凸輪桿部252連接，形成有長孔部254，以使鎖定部256進行移動。在此情況下，凸輪部253呈板形，長孔部254相對於凸輪部253的旋轉半徑傾斜。凸輪桿部252與連桿驅動部255的連桿部255b連接。隨著連桿驅動部255的驅動，凸輪桿部252和凸輪部253旋轉預定角度。隨著凸輪部253的旋轉，鎖定部256可沿著長孔部254進行移動並向浮動板243的半徑方向進行直線運動，因此，鎖定部256通過進行直線運動來對環形蓋部201進行鎖定及解除鎖定。
鎖定部256包括：滑動部257，以可移動的方式與長孔部254結合；鎖定引導部258，與滑動部257連接，以當滑動部257移動時進行直線移動；以及鎖定銷部259，設置在鎖定引導部258，以當鎖定引導部258移動時對環形蓋部201進行鎖定及解除鎖定。滑動部257為與長孔部254滾動接觸的滑動輥。鎖定引導部258以可直線移動的方式設置在形成於浮動板243的周圍部的引導孔部246。鎖定銷部259從鎖定引導部258的內側突出延伸。鎖定銷部259的端部呈圓錐形等多種形狀，以插入在環形蓋部201的限制槽部203中。
鎖定引導部258包括：引導軸部258a，與滑動部257連接，以可移動的方式設置在浮動板243的引導孔部246；引導部件258b，與引導軸部258a連接，且設置有鎖定銷部259；多個引導輥部258c，以支撐引導部件258b的兩側的方式設置。引導軸部258a與滑動部257進行軸結合，引導部件258b呈矩形板狀，引導輥部258c在引導部件258b的兩側配置有兩個以上。在引導輥部258c的周圍部形成有插入槽部（未圖示），以供引導部件258b的側面部插入。隨著連桿驅動部255使凸輪連桿部251移動，滑動部257和引導軸部258a向半徑方向直線運動，隨著引導軸部258a進行移動，引導部件258b沿著引導孔部246運動。在此情況下，當引導部件258b移動時，多個引導輥部258c進行旋轉並支撐引導部件258b。
鎖定部256的長孔部254在浮動板243的圓周方向傾斜形成，滑動部257插入到長孔部254中，引導軸部258a插入到直線型的引導孔部246中。因此，若隨著凸輪連桿部251向一側旋轉，滑動部257和引導軸部258a向長孔部254的一端部側移動，則隨著引導部件258b向浮動板243的中心部側移動，鎖定銷部259插入到環形蓋部201的限制槽部203中並鎖定（把持）環形蓋部201。並且，若隨著凸輪連桿部251向另一側旋轉，滑動部257和引導軸部258a向長孔部254的另一端部側移動，則隨著引導部件258b向浮動板243的外側移動，鎖定銷部259與環形蓋部201的限制槽部203分離並對環形蓋部201解除鎖定（解除限制）。
傾斜裝置200還包括以可移動的方式設置在卡盤台320、330的一側的對接（docking）部270，以當晶圓部10結合固定在卡盤台320、330時防止傾斜裝置200的翹起。對接部270設置在對接框架部271。傾斜裝置200包括從傾斜裝置200延伸的延伸臂部224和設置在延伸臂部224的端部的被壓部225。被壓部225包括下側朝向對接部270突出的被壓肋。
因此，對接部270限制傾斜裝置200的被壓部225，以防止傾斜裝置200翹起，因此，當把持單元240通過升降單元130下降並將晶圓部10與卡盤台320、330結合時，可以防止晶圓部10的位置發生變更。進而，可通過防止晶圓部10的固定孔部202和卡盤銷部303的磨損來防止產生異物。
對接部270包括設置在對接框架部271的對接驅動部173和以限制傾斜裝置200的方式通過對接驅動部173移動的對接加壓部175。對接驅動部173以可向前後及上下方向移動的方式設置，以在傾斜裝置200通過升降單元130徹底下降之後對傾斜單元的被壓部225施加向下側壓力。對接驅動部173可採用使對接加壓部175移動來限制傾斜裝置200的多種方式。
圖14為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的卡盤台裝置的剖視圖，圖15為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的卡盤台裝置中移動模組使真空卡盤部移動的狀態的剖視圖，圖16為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的卡盤台中的移動模組的剖視圖，圖17為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的卡盤台裝置中晶圓部向半徑方向拉伸的狀態的圖，圖18為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的卡盤台裝置的卡盤模組的放大圖，圖19為在本發明一實施例的基板處理裝置的卡盤台裝置中卡盤模組的晶圓限制部限制晶圓部的狀態的剖視圖，圖20為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的卡盤台裝置中的卡盤模組的晶圓限制部的立體圖。
參照圖14至圖20，卡盤台裝置300包括旋轉卡盤部320、真空卡盤部330、卡盤模組350及移動模組325。
卡盤驅動部310包括與卡盤台320、330的旋轉中心連接的旋轉軸311和設置在旋轉軸311的卡盤馬達部313。卡盤馬達部313包括：定子（未圖示），設置在外罩（未圖示）的內部；以及轉子（未圖示），配置在定子的內部，以包圍旋轉軸311的方式設置。並且，卡盤驅動部310也可以採用通過帶使旋轉軸311旋轉的帶驅動方式或者通過鏈條使旋轉軸311旋轉的鏈條驅動方式。
在旋轉軸311形成有用於在真空卡盤部330形成真空的真空流路部315。真空流路部315沿著旋轉軸311的長度方向形成。在真空卡盤部330形成有與真空流路部315連接的真空腔室335。
卡盤台320、330包括旋轉卡盤部320和真空卡盤部330。
旋轉卡盤部320以可旋轉的方式設置在卡盤驅動部310。旋轉卡盤部320整體上可呈圓盤狀。
真空卡盤部330放置在旋轉卡盤部320。在真空卡盤部330承載晶圓部10。真空卡盤部330整體上呈圓盤狀，以放置於旋轉卡盤部320的上部。當卡盤驅動部310驅動時，真空卡盤部330與旋轉卡盤部320一同旋轉。
在此情況下，在執行蝕刻工序時，在真空卡盤部330放置多個晶粒11未被切割的狀態的晶圓部10。在執行清洗工序時，在真空卡盤部330放置多個晶粒11被切割的狀態的晶圓部10。當從晶圓部10切割晶粒11時，在晶粒11的表面以及晶粒11之間的縫隙有可能殘留異物。
移動模組325以移動真空卡盤部330或卡盤模組350的方式設置，以擴大晶圓部10中的晶粒11的間隔。若卡盤模組350將晶圓部10的卡環部13固定在真空卡盤部330的周圍部的狀態下移動模組325進行了移動，則晶圓部10通過移動模組325的移動被加壓。在此情況下，隨著晶圓部10的黏結片12被拉向半徑方向，黏結片12向半徑方向拉伸，多個晶粒11之間的間隔G2將擴大。若在多個晶粒11之間的間隔G2擴大的狀態下，向多個晶粒11噴射清洗液，則可以通過清洗液輕鬆去除附著在晶粒11的表面的異物甚至位於多個晶粒11之間的縫隙的異物。因此，可以顯著提高在晶圓部10中的異物的清洗性能。並且，隨著晶圓部10的清洗性能得到顯著提高，可以顯著減少晶圓部10的不良率。
移動模組325包括媒介流路部326和移動桿部327。媒介流路部326以向卡盤驅動部310供給移動媒介的方式形成。媒介流路部326可沿著旋轉軸311的長度方向配置在旋轉軸311的內部。移動媒介可以為空氣或氣體。移動桿部327通過移動媒介的壓力升降，以與真空卡盤部330的下部接觸的方式設置。在移動桿部327可以設置有恢復彈簧，以當解除移動媒介的壓力時，使移動媒介恢復到原位置。移動桿部327和媒介流路部326可以沿著旋轉軸311的圓周方向設置有多個。當多個移動桿部327使真空卡盤部330升降時，真空卡盤部330可以保持水平狀態而進行升降。
當然，作為移動模組325，除所述移動桿部327之外，還可以採用氣缸部或螺線管部等。
真空卡盤部330包括第一真空卡盤331及第二真空卡盤333。第一真空卡盤331以與旋轉卡盤部320一同旋轉的方式設置在旋轉卡盤部320，且形成有真空腔室335。第一真空卡盤331形成真空壓，以吸附晶圓部10。第二真空卡盤333承載於第一真空卡盤331，且設置有環形蓋部201，以通過移動模組（未圖示）移動的方式設置。
在第二真空卡盤333形成有與第一真空卡盤331的媒介流路部315連通的多個吸附孔部（未圖示），以吸附晶圓部10。多個吸附孔部可沿著第二真空卡盤333的圓周方向以同心圓形狀排列。若在媒介流路部315形成了真空壓，則通過吸附孔部的真空吸附力，晶圓部10可以緊密地緊貼在第二真空卡盤333的上表面。
卡盤台裝置300包括卡盤模組350，該卡盤模組350設置在旋轉卡盤部320，將晶圓部10固定在真空卡盤部330，將環形蓋部201固定在旋轉卡盤部320。
卡盤模組350包括卡盤底座351、卡盤旋轉部355、多個第一卡盤連桿部360、多個晶圓限制部370、多個第二卡盤連桿部380及多個蓋限制部390。
卡盤底座351設置在旋轉卡盤部320。卡盤旋轉部355與卡盤底座351連接，以使卡盤底座351旋轉。多個第一卡盤連桿部360分別與卡盤底座351徑向連接，且當卡盤底座351旋轉時進行移動。多個晶圓限制部370分別與第一卡盤連桿部360連接，以當第一卡盤連桿部360移動時，將晶圓部10的卡環部13固定在真空卡盤部330。卡盤底座351以與旋轉卡盤部320形成同心的方式設置。卡盤底座351、卡盤旋轉部355、第一卡盤連桿部360配置在旋轉卡盤部320的內部，晶圓限制部370配置在旋轉卡盤部320和真空卡盤部330的周圍。
若驅動卡盤旋轉部355，則隨著卡盤底座351旋轉預定角度，多個第一卡盤連桿部360向卡盤底座351的半徑方向移動。隨著多個第一卡盤連桿部360同時移動，多個晶圓限制部370將晶圓部10的卡環部13壓接固定在第一真空卡盤331的周圍部。
卡盤底座351包括底座主體部352、多個引導部353及底座齒輪部354。
底座主體部352以與旋轉卡盤部320的旋轉軸311形成同心的方式呈環形。底座主體部352配置在旋轉卡盤部320的內部。多個引導部353形成在底座主體部352，以供第一卡盤連桿部360以可移動的方式結合。多個引導部353的數量為第一卡盤連桿部360數量的兩倍，沿著底座主體部352的圓周方向以等間隔形成。第一卡盤連桿部360以一對一的方式與多個引導部353結合。底座齒輪部354形成在底座主體部352，與卡盤旋轉部355連接。底座齒輪部354以圓弧狀配置在底座主體部352的內周面。隨著卡盤旋轉部355的驅動，底座齒輪部354進行旋轉，隨著底座主體部352與底座齒輪部354一同旋轉，第一卡盤連桿部360向底座主體部352的半徑方向移動。
引導部353相對於底座主體部352的半徑傾斜地形成。引導部353可以為引導孔部。引導部353可以為引導槽或引導凸起部。由於引導部353相對於底座主體部352的半徑傾斜地形成，因此，隨著底座主體部352旋轉預定角度，第一卡盤連桿部360向底座主體部352的半徑方向進行直線運動。
第一卡盤連桿部360包括第一引導滑塊361、第一連桿部件362及第一連桿齒輪部363。第一引導滑塊361以可移動的方式與引導部353結合。第一連桿部件362與第一引導滑塊361連接，當第一引導滑塊361移動時，沿著底座主體部352的半徑方向進行直線運動。第一連桿部件362呈直線桿狀。第一連桿齒輪部363以與晶圓限制部370嚙合而移動的方式形成在第一連桿部件362。第一連桿齒輪部363呈與第一連桿部件362的長度方向並排的齒條狀。
第一卡盤連桿部360還包括第一連桿部件362以可直線移動的方式結合的第一引導塊364。第一引導塊364防止當底座主體部352旋轉時，第一連桿部件362向底座主體部352的圓周方向旋轉。因此，若底座主體部352旋轉時，第一引導滑塊361沿著引導部353進行移動，則第一連桿部件362可以直線運動，而不進行旋轉。
晶圓限制部370包括加壓夾具部375，當夾具連桿部373移動時，加壓夾具部375以對晶圓部10的卡環部13進行加壓及解除加壓的方式進行旋轉。加壓夾具部375呈圓弧狀，以沿著圓周方向加壓固定晶圓部10的卡環部13。
加壓夾具部375包括：夾具回旋部375a，與夾具支撐部374鉸鏈結合，與夾具連桿部373連接；以及加壓指狀部375b，形成在夾具回旋部375a，以對晶圓部10的卡環部13進行加壓及解除加壓。若第一卡盤連桿部360直線移動時，夾具齒輪部372與第一連桿齒輪部363嚙合來旋轉，則夾具回旋部375a在夾具支撐部374中進行旋轉。隨著夾具回旋部375a回旋，加壓指狀部375b對晶圓部10的卡環部13進行加壓及解除加壓。
多個第二卡盤連桿部380與卡盤底座351徑向連接，且當卡盤底座351旋轉時進行移動。多個蓋限制部390與第二卡盤連桿部380連接，以當第二卡盤連桿部380移動時，將環形蓋部201固定在旋轉卡盤部320。隨著卡盤旋轉部355的驅動，底座齒輪部354進行旋轉，隨著底座主體部352與底座齒輪部354一同旋轉，第二卡盤連桿部380向底座主體部352的半徑方向移動。在此情況下，當卡盤底座351的底座主體部352旋轉時，多個第一卡盤連桿部360和多個第二卡盤連桿部380同時移動。隨著第一卡盤連桿部360的移動，晶圓部10的卡環部13固定在真空卡盤部330，隨著第二卡盤連桿部380的移動，環形蓋部201固定在旋轉卡盤部320。因此，利用一個卡盤底座351和一個卡盤旋轉部355來將晶圓部10和環形蓋部201同時固定在真空卡盤部330和旋轉卡盤部320，因此可以簡化卡盤台裝置300的結構。
第二卡盤連桿部380包括第二引導滑塊381及第二連桿部件382。
第二引導滑塊381以可移動的方式與引導部353結合。第二連桿部件382與第二引導滑塊381連接，當第二引導滑塊381移動時，沿著底座主體部352的半徑方向進行直線運動。第二連桿齒輪部392以與蓋限制部390嚙合而移動的方式形成在第二連桿部件382。第二連桿部件382呈直線桿狀。第二連桿齒輪部392呈與第二連桿部件382的長度方向並排的齒條狀。
第二卡盤連桿部380還包括第二連桿部件382以可直線移動的方式結合的第二引導塊384。第二引導塊384防止當底座主體部352旋轉時，第二卡盤連桿部380向底座主體部352的圓周方向旋轉。因此，若底座主體部352旋轉時，第二引導滑塊381沿著引導部353進行移動，則第二連桿部件382可以直線運動，而不進行旋轉。
蓋限制部390與第二卡盤連桿部380連接，以當第二卡盤連桿部380移動時，將環形蓋部201的限制臺階部（未圖示）固定在旋轉卡盤部320。
如上所述，卡盤台裝置300包括：晶圓限制部370，用於限制晶圓部10的卡環部13；蓋限制部390，用於限制環形蓋部201；以及移動模組325，以向半徑方向拉動晶圓部10的方式使真空卡盤部330移動。因此，可以進行如下擴晶工序（wafer expanding process），即，晶圓限制部370在真空卡盤部330限制晶圓部10的卡環部13，使真空卡盤部330移動來擴大晶圓部10的晶粒11之間的間隔的狀態下對晶圓部10進行處理。並且，可以進行如下剝離清洗工序（debonding cleaning process），即，蓋限制部390在將環形蓋部201限制在真空卡盤部330的上側的狀態下對晶圓部10進行處理。
圖21為簡要示出本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置的俯視圖，圖22為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置中的噴射臂模組的立體圖，圖23為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置中的噴射臂模組的第一噴射噴嘴部的放大圖，圖24為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置中的噴射吸入臂模組的第二噴射噴嘴部和第二吸入噴嘴部的放大圖。
參照圖21至圖24，處理液噴射裝置400設置在卡盤台裝置300的外側。處理液噴射裝置400包括臂驅動部402、噴射臂模組410及噴射吸入臂模組420。
噴射臂模組410與臂驅動部402連接。噴射臂模組410通過臂驅動部402向卡盤台裝置300的上下方向移動，以可從卡盤台裝置300的外側向內側旋轉的方式設置。
噴射臂模組410包括第一噴射臂部411和第一噴射噴嘴部413。第一噴射臂部411配置在晶圓部10的直徑方向一半左右的上側。第一噴射噴嘴部包括與多個處理液供給管部（未圖示）連接的一個以上的第一噴射噴嘴414、415。第一噴射噴嘴414、415可以噴射多個化學物質之類的清洗液來對晶圓部10進行化學處理。
第一噴射噴嘴414、415的數量可根據處理液噴射裝置400的方式或晶圓部10的處理方式以多種方式改變。晶圓部10的處理方式包括晶圓部10的蝕刻方式或清洗方式等。
噴射吸入臂模組420與臂驅動部402連接。噴射吸入臂模組420通過臂驅動部402向卡盤台裝置300的上下方向移動，以可從卡盤台裝置300的外側向內側旋轉的方式設置。
噴射吸入模組420包括第二噴射臂部421、第二噴射噴嘴部423及第二吸入噴嘴部426。第二噴射臂部421配置在晶圓部10的直徑方向一半左右的上側。第二噴射噴嘴部423包括第二噴射噴嘴424及第三噴射噴嘴425。第二吸入噴嘴部426浸漬在處理液中，以吸入卡盤台裝置300中容納的處理液和沉澱物。並且，第二噴射噴嘴部423與處理液隔開固定高度來配置，以向放置在卡盤台裝置300的晶圓部10噴射處理液。第二噴射噴嘴424向晶圓部10噴射混合了去離子水和氮的清洗液。第三噴射噴嘴425向晶圓部10噴射天拿水（thinner）等處理液。當在第二噴射噴嘴424和第三噴射噴嘴425中的一個噴射處理液而對晶圓部10進行處理時，第二吸入噴嘴部426吸入漂浮在處理液的沉澱物。
圖25為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置中與噴射吸入臂模組的第二吸入噴嘴部連接的吸入罐部的圖。
參照圖25，在噴射吸入模組420的第二吸入噴嘴部426中吸入的沉澱物通過流動管線部430向吸入罐部440排出。
流動管線部430與第二吸入噴嘴部426連接，以使沉澱物和處理液流動。若在流動管線部430產生了吸入壓力，則第二吸入噴嘴部426吸入在處理液的上側漂浮的沉澱物。被第二吸入噴嘴部426吸入的沉澱物和處理液在流動管線部430中流動。
吸入罐部440與流動管線部430連接，以使沉澱物和處理液流入吸入罐部440。在吸入罐部440的內部形成比大氣壓低的負壓，以吸入沉澱物和處理液。
噴射器部450設置在流動管線部430，以在第二吸入噴嘴部426和流動管線部430形成吸入壓力。噴射器部450設置在流動管線部430，因此，與在第二吸入噴嘴部426設置噴射器部450的結構相比，可以將第二吸入噴嘴部426擴管。並且，可以增加噴射器部450的尺寸。因此，可以防止第二吸入噴嘴部426和噴射器部450被沉澱物堵塞。
在晶圓部10處理工序結束之後，噴射器部450可以驅動預設的時間。例如，在晶圓部10處理工序結束之後，噴射器部450大致驅動3分鐘至5分鐘左右。因此，殘留在第二吸入噴嘴部426和流動管線部430的沉澱物和處理液徹底向吸入罐部440排出，因此，可以防止處理液從第二吸入噴嘴部426掉落並再次污染晶圓部10。
噴射器部450包括噴射器主體部451和供氣部453。向噴射器主體部451流入被流動管線部430吸入的沉澱物和處理液。供氣部453與噴射器主體部451連接，以向噴射器主體部451供給氣體。作為氣體，公開了防止爆炸性或與處理液化學結合的氫氣。供氣部453向噴射器主體部451供給氣體，因此，在噴射器主體部451的內部產生比大氣壓低的吸入壓力。並且，噴射器主體部451的氣體向吸入罐部440流入之後排出，因此，在吸入罐部440的內部形成負壓。
吸入罐部440包括吸入罐主體部441、過濾部444及排放部446。
吸入罐主體部441與流動管線部430連接。向吸入罐主體部441流入在流動管線部430中流動的處理液、沉澱物及氣體。隨著氣體通過排出管線部467排出，在吸入罐主體部441形成比大氣壓低的負壓。吸入罐主體部441的底面向中心部側傾斜地形成，以聚集處理液。
在吸入罐主體部441的上側設置有窗口部443，以可從外部觀察吸入罐內部。因此，工作人員可以觀察窗口部443來檢驗吸入罐主體部441的內部狀態。
過濾部444配置在吸入罐主體部441的內部，以過濾從流動管線部430排出的沉澱物。過濾部444被支撐部445支撐。
過濾部444包括層疊在流動管線部430和排放部446之間的多個過濾器444a，多個過濾器444a具有的篩網越朝向排放部446側越小。因此，上側的過濾器444a過濾粒子較大的沉澱物，下側的過濾器444a過濾粒子較小的沉澱物。多個過濾器444a以可分離的方式設置在支撐部445。因此，在過濾器444a堵塞的情況下，在從支撐部445分離過濾器444a之後清洗過濾器444a，並將清洗後的過濾器444a重新設置在支撐部445。
排放部446與吸入罐主體部441連接，以排出經過濾部444過濾的處理液。排放部446與吸入罐主體部441的底面部442中的最低部分連接。排放部446可以與處理液回收部（未圖示）或卡盤台裝置300連接。排放部446可以與吸入罐主體部441的底面部442中的最低部分連接，因此，可以防止處理液殘留在吸入罐主體部441的內部。
基板處理裝置1還包括與吸入罐主體部441和排放部446連接的溢流管線部461。溢流管線部461與吸入罐部440中的過濾部444的上側連接。當過濾部444被沉澱物堵塞時，處理液有可能向吸入罐主體部441的上側溢流。在此情況下，溢流的處理液通過溢流管線部461向排放部446排出。
基板處理裝置1還包括用於檢測吸入罐主體部441的處理液流入到溢流管線部461的溢流檢測部463。溢流檢測部463可以為檢測處理液水位的水位檢測傳感器。若在溢流檢測部463中檢測到處理液的溢流，則溢流檢測部463向控制部470傳輸信號。控制部470進行控制，使提醒部465產生警報音，並中斷從第二噴射噴嘴部423供給處理液。工作人員在開放吸入罐主體部441之後更換或清洗過濾部444。
基板處理裝置1還包括與吸入罐部440連接的排出管線部467，以排出吸入罐部440內部的處理液煙霧（fume）和氣體。排出管線部467可以與回收裝置（未圖示）連接。隨著處理液的蒸發，將發生處理液煙霧，處理液煙霧和氣體通過排出管線部467排出，因此，在吸入罐部440的內部形成負壓。因此，流動管線部430的處理液、沉澱物及氣體被吸入到吸入罐部440的內部。
對如上所述的本發明一實施例的基板處理裝置的基板處理方法進行說明。
圖26為簡要示出本發明一實施例的基板處理方法的圖，圖27為簡要示出本發明一實施例的基板處理方法的流程圖。
參照圖26及圖27，晶圓部10放置在卡盤台320、330（步驟S11）（參照圖26的（a）部分）。在此情況下，傳輸裝置100把持第二移送模組60所傳遞的晶圓部10，隨著傳輸裝置100的下降，將晶圓部10放置在卡盤台320、330。
隨著升降部120的驅動，傳輸部130將上升，夾具部140從傳輸部130引出。在此情況下，第一齒條部145固定在傳輸部130的外罩部131，第二齒條部146通過小齒輪部142的平移及旋轉來進行移動。若驅動夾具驅動部141，則小齒輪部142沿著第一齒條部145同時進行平移運動和旋轉運動，因此，第二齒條部146通過小齒輪部142的平移距離和旋轉運動而移動兩倍距離。若第二移送模組60向夾具部140的指狀部147傳遞晶圓部10，則指狀部147通過真空吸附力真空吸附晶圓部10。
接著，若隨著升降部120的驅動，傳輸部130下降，則承載於指狀部147的晶圓部10放置於卡盤台320、330的真空卡盤部330。隨著在真空卡盤部330形成真空，晶圓部10被真空吸附在真空卡盤部330。
在卡盤台320、330裝載晶圓部10（步驟S12）。在此情況下，隨著卡盤台320、330的卡盤模組350的驅動，晶圓限制部370限制晶圓部10的卡環部13，隨著移動模組325使卡盤台320、330的真空卡盤部330移動（上升），向半徑方向拉動晶圓部10，以擴大晶圓部10的晶粒11之間的間隔G2。
隨著卡盤旋轉部355的驅動，底座齒輪部354向一側旋轉，隨著底座主體部352與底座齒輪部354一同向一側旋轉，第一卡盤連桿部360和第二卡盤連桿部380向底座主體部352的半徑方向移動。在此情況下，當卡盤底座351的底座主體部352旋轉時，多個第一卡盤連桿部360和多個第二卡盤連桿部380同時移動。隨著第一卡盤連桿部360的移動，晶圓部10的卡環部13通過晶圓限制部370的加壓夾具375被限制在真空卡盤部330。
對此，若向移動模組325的媒介流路部326供給氣體等移動媒介，則移動桿部327通過移動媒介的壓力上升而使真空卡盤部330上升。隨著真空卡盤部的上升，晶圓部10的黏結片12被拉向半徑方向。隨著黏結片12向半徑方向拉伸，擴大多個晶粒11之間的間隔G2。
噴射臂模組410向晶圓部10噴射第一處理液而對晶圓部10進行處理（步驟S13）（參照圖26的（b）部分）。在此情況下，噴射臂模組410向晶圓部10的上側移動，噴射臂模組410在預定角度範圍內擺動並向晶圓部10噴射第一處理液。隨著向晶圓部10噴射第一處理液，對晶圓部10進行處理。其中，第一處理液為去離子水（DI water）。
噴射臂模組410向晶圓部10噴射第二清洗液而對晶圓部10進行處理（步驟S14）（參照圖26的（c）部分）。在此情況下，噴射臂模組410在預定角度範圍內擺動並向晶圓部10噴射第二清洗液。並且，卡盤台320、330使晶圓部10旋轉。第二清洗液為去離子水和氮（N 2）的混合物。
若完成基於第二清洗液的清洗，則中斷向噴射臂模組410供給第二清洗液。
在卡盤台320、330中乾燥晶圓部10（步驟S15）（參照圖26的（d）部分）。在此情況下，噴射臂模組410向卡盤台320、330的外側移動，卡盤台320、330旋轉並乾燥晶圓部10。隨著卡盤台320、330的旋轉，附著在晶圓部10的第二清洗液通過離心力向半徑方向流動並排出。因此，可以顯著縮減晶圓部10的乾燥時間。
從卡盤台320、330卸載晶圓部10（步驟S16）。在此情況下，隨著移動模組325使卡盤台320、330的真空卡盤部330回到（下降到）原位置，晶圓部10恢復到原狀態，隨著卡盤台320、330的卡盤模組350的驅動，晶圓限制部370解除對晶圓部10的卡環部13的限制。
下面對從卡盤台320、330卸載晶圓部10的步驟進行詳細說明，具體如下。若從移動模組325的媒介流路部326排出氣體等移動媒介，則移動桿部327通過移動媒介的壓力解除而下降並使真空卡盤部330下降。隨著真空卡盤部330的下降，晶圓部10的黏結片12收縮成原狀態。隨著黏結片12收縮成原狀態，多個晶粒11之間的間隔G2變窄成原狀態。接著，隨著卡盤旋轉部355的驅動，底座齒輪部354向另一側旋轉，隨著底座主體部352與底座齒輪部354一同向另一側旋轉，第一卡盤連桿部360和第二卡盤連桿部380向底座主體部352的半徑方向移動。在此情況下，當卡盤底座351的底座主體部352旋轉時，多個第一卡盤連桿部360和多個第二卡盤連桿部380同時移動。隨著第一卡盤連桿部360的移動，從晶圓限制部370的加壓夾具375解除對晶圓部10的卡環部13的限制。
若對晶圓部10解除了晶圓限制部370的限制，則排出模組（未圖示）拾取晶圓部10來使其向卡盤台320、330的外側移動。
如上所述，噴射臂模組410和噴射吸入臂模組420處理晶圓部10，因此可利用多個種類的處理液或清洗液對晶圓部10進行處理。因此，晶圓部10的處理工序可根據處理液或清洗液的種類以多種方式實現。
雖然參照附圖所示的實施例說明了本發明，但這僅屬於例示，只要是本案所屬技術領域中具有通常知識者，就能夠理解可實施多種變形及等同的其他實施例。
因此，本發明的真正的保護範圍通過申請專利範圍來定義。
10:晶圓部 11:晶圓 12:黏結片 13:卡環部 20:晶圓盒 30:緩衝單元 40:視覺矯正器 41:矯正器台 50:第一移送模組 60:第二移送模組 70:第一處理腔室 80:第二處理腔室 102:離子發生器 100:傳輸裝置 120:升降部 130:傳輸部 140:夾具部 141:夾具驅動部 142:小齒輪部 145:第一齒條部 146:第二齒條部 147:指狀部 200:傾斜裝置 201:環形蓋部 202:固定孔部 203:限制孔部 210:傾斜馬達部 220:傾斜單元 230:升降單元 240:把持單元 241:中心部件 243:浮動板 251:凸輪連桿部 255:連桿驅動部 256:鎖定部 300:卡盤台裝置 310:卡盤驅動部 320:旋轉卡盤部 325:移動模組 326:媒介流路部 327:移動桿部 330:真空卡盤部 331:第一真空卡盤 333:第二真空卡盤 335:真空腔室 350:卡盤模組 360:第一卡盤連桿部 370:晶圓限制部 380:第二卡盤連桿部 390:蓋限制部 400:處理液噴射裝置 402:臂驅動部 410:噴射臂模組 420:噴射吸入臂模組 440:吸入罐部 450:噴射器部 S11-S16:步驟
圖1為簡要示出本發明一實施例的晶圓部的俯視圖。 圖2為簡要示出本發明一實施例的基板處理裝置的方塊圖。 圖3為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的視覺矯正器的俯視圖。 圖4為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的第一處理腔室和第二處理腔室的俯視圖。 圖5為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傳輸裝置的側視圖。 圖6為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傳輸裝置的俯視圖。 圖7為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的傳輸裝置中的夾具部的側視圖。 圖8為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的傳輸裝置中的夾具部引出的狀態的側視圖。 圖9為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傾斜裝置的側視圖。 圖10為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的傾斜裝置中的把持單元下降的狀態的側視圖。 圖11為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傾斜裝置的把持單元的俯視圖。 圖12為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傾斜裝置的把持單元的後視圖。 圖13為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的傾斜裝置的把持單元的放大圖。 圖14為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的卡盤台裝置的剖視圖。 圖15為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的卡盤台裝置中移動模組使真空卡盤部移動的狀態的剖視圖。 圖16為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的卡盤台中的移動模組的剖視圖。 圖17為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置中的卡盤台裝置中晶圓部向半徑方向拉伸的狀態的圖。 圖18為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的卡盤台裝置的卡盤模組的放大圖。 圖19為在本發明一實施例的基板處理裝置的卡盤台裝置中卡盤模組的晶圓限制部限制晶圓部的狀態的剖視圖。 圖20為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的卡盤台裝置中的卡盤模組的晶圓限制部的立體圖。 圖21為簡要示出本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置的俯視圖。 圖22為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置中的噴射臂模組的立體圖。 圖23為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置中的噴射臂模組的第一噴射噴嘴部的放大圖。 圖24為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置中的噴射吸入臂模組的第二噴射噴嘴部和第二吸入噴嘴部的放大圖。 圖25為簡要示出在本發明一實施例的基板處理裝置的處理液噴射裝置中與噴射吸入臂模組的第二吸入噴嘴部連接的吸入罐部的圖。 圖26為簡要示出本發明一實施例的基板處理方法的圖。 圖27為簡要示出本發明一實施例的基板處理方法的流程圖。
S11-S16:步驟

Claims (9)

  1. 一種基板處理方法，其中，包括如下的步驟： 將一晶圓部放置在一卡盤台； 在該卡盤台裝載該晶圓部； 一噴射臂模組向該晶圓部噴射一第一處理液而對該晶圓部進行處理； 該噴射臂模組向該晶圓部噴射一第二處理液而對該晶圓部進行處理； 在該卡盤台乾燥該晶圓部；以及 從該卡盤台卸載該晶圓部。
  2. 根據請求項1所述的基板處理方法，其中， 將該晶圓部放置在該卡盤台的步驟包括如下的步驟： 以一傳輸裝置把持從一第二移送模組傳遞的該晶圓部；以及 隨著該傳輸裝置的下降，將該晶圓部放置在該卡盤台。
  3. 根據請求項1所述的基板處理方法，其中， 在該卡盤台裝載該晶圓部的步驟包括如下的步驟： 隨著該卡盤台的一卡盤模組被驅動，一晶圓限制部限制該晶圓部的一卡環部；以及 隨著一移動模組使該卡盤台的一真空卡盤部移動，向半徑方向拉動該晶圓部，以擴大該晶圓部的多個晶粒的間隔。
  4. 根據請求項3所述的基板處理方法，其中， 從該卡盤台卸載該晶圓部的步驟包括如下的步驟： 隨著該移動模組使該卡盤台的該真空卡盤部回到原位置，該晶圓部恢復原狀態；以及 隨著該卡盤台的該卡盤模組被驅動，該晶圓限制部解除對該晶圓部的該卡環部的限制。
  5. 根據請求項1所述的基板處理方法，其中， 該噴射臂模組向該晶圓部噴射該第一處理液而對該晶圓部進行處理的步驟包括如下的步驟： 該噴射臂模組向該晶圓部的上側移動；以及 該噴射臂模組在預定角度範圍內擺動並向該晶圓部噴射該第一處理液。
  6. 根據請求項5所述的基板處理方法，其中， 該第一處理液為去離子水。
  7. 根據請求項1所述的基板處理方法，其中， 在該噴射臂模組向該晶圓部噴射該第二處理液而對該晶圓部進行處理的步驟中，該噴射臂模組在預定角度範圍內擺動並向該晶圓部噴射該第二處理液。
  8. 根據請求項7所述的基板處理方法，其中， 該第二處理液為去離子水與氮的混合物。
  9. 根據請求項1所述的基板處理方法，其中， 在該卡盤台乾燥該晶圓部的步驟包括如下的步驟： 該噴射臂模組向該卡盤台的外側移動；以及 隨著該卡盤台進行旋轉，乾燥該晶圓部。
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