JP2002100866A - ビアホール形成方法 - Google Patents
ビアホール形成方法Info
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- JP2002100866A JP2002100866A JP2000286629A JP2000286629A JP2002100866A JP 2002100866 A JP2002100866 A JP 2002100866A JP 2000286629 A JP2000286629 A JP 2000286629A JP 2000286629 A JP2000286629 A JP 2000286629A JP 2002100866 A JP2002100866 A JP 2002100866A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】メッキ金属を充填する際にメッキ高さのばらつ
きを低減することのできるビアホール形成方法を提供す
ることにある。 【解決手段】ビアホール７形成後に、ビアホール７内に
残留するガラス繊維糸２を除去するためのガラス除去処
理を行う。これにより、ビアホール７の内壁を略垂直に
形成することができる。このため、ビアホール７内のメ
ッキ液の流れを良好にすることができ、メッキ金属８を
均一に成長させることができる。また、ビアホール７の
形状が均一化され、メッキ高さＬのばらつきを低減する
ことができる。また、フッ化物を用いてガラス除去処理
を行えば、フッ化物のガラスを溶解するという性質によ
って、ビアホール７内に残留するガラス繊維糸２を良好
に除去することができるとともに、ガラス除去処理を低
コストで簡便に行うことができる。
きを低減することのできるビアホール形成方法を提供す
ることにある。 【解決手段】ビアホール７形成後に、ビアホール７内に
残留するガラス繊維糸２を除去するためのガラス除去処
理を行う。これにより、ビアホール７の内壁を略垂直に
形成することができる。このため、ビアホール７内のメ
ッキ液の流れを良好にすることができ、メッキ金属８を
均一に成長させることができる。また、ビアホール７の
形状が均一化され、メッキ高さＬのばらつきを低減する
ことができる。また、フッ化物を用いてガラス除去処理
を行えば、フッ化物のガラスを溶解するという性質によ
って、ビアホール７内に残留するガラス繊維糸２を良好
に除去することができるとともに、ガラス除去処理を低
コストで簡便に行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビアホール形成方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント基板に使用される絶縁性
基板として、ガラス繊維を補強材とした樹脂基板が多用
されている。この樹脂基板は一般的に、ガラス繊維糸を
製織して布状に形成したガラス布に樹脂を含浸し、乾
燥、硬化して板状に形成させたものである。この絶縁性
基板の片面または両面に銅箔を積層した後、銅箔をエッ
チングして所定の導体回路を形成させることによって、
プリント基板が製造される。
基板として、ガラス繊維を補強材とした樹脂基板が多用
されている。この樹脂基板は一般的に、ガラス繊維糸を
製織して布状に形成したガラス布に樹脂を含浸し、乾
燥、硬化して板状に形成させたものである。この絶縁性
基板の片面または両面に銅箔を積層した後、銅箔をエッ
チングして所定の導体回路を形成させることによって、
プリント基板が製造される。
【０００３】このようなプリント基板を多層化した多層
回路基板を製造する場合において、内部に導電性物質を
充填したビアホールによって絶縁性基板の表裏の導体回
路を電気的に接続する技術が知られている。図３には、
絶縁性基板１０１の所定の位置にビアホール１０２が形
成された片面銅張積層板１０３を示した。このビアホー
ル１０２内には、銅箔１０４を一方の電極として使用し
た電気メッキ法によって、メッキ金属１０５が充填され
ている。
回路基板を製造する場合において、内部に導電性物質を
充填したビアホールによって絶縁性基板の表裏の導体回
路を電気的に接続する技術が知られている。図３には、
絶縁性基板１０１の所定の位置にビアホール１０２が形
成された片面銅張積層板１０３を示した。このビアホー
ル１０２内には、銅箔１０４を一方の電極として使用し
た電気メッキ法によって、メッキ金属１０５が充填され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、各ビアホー
ル１０２内に金属めっきを行う際に、メッキ金属１０５
のメッキ高さＬにばらつきが生じる場合がある。このよ
うな場合には、メッキ高さＬが不足したビアホール１０
２においては、隣接するプリント基板の導体回路との接
触性が低下するおそれがあり、一方、メッキ高さＬが過
剰となれば、多層回路基板の厚さ精度に狂いが生ずるお
それがあった。
ル１０２内に金属めっきを行う際に、メッキ金属１０５
のメッキ高さＬにばらつきが生じる場合がある。このよ
うな場合には、メッキ高さＬが不足したビアホール１０
２においては、隣接するプリント基板の導体回路との接
触性が低下するおそれがあり、一方、メッキ高さＬが過
剰となれば、多層回路基板の厚さ精度に狂いが生ずるお
それがあった。
【０００５】本発明者は、上記した問題を解決すべく鋭
意研究してきたところ、全く意外にも、レーザによって
形成されたビアホール１０２の形状にばらつきが存在す
るためにメッキ高さＬにばらつきが生じるという、当業
者にも一考もされていなかった問題点があることを見出
した。
意研究してきたところ、全く意外にも、レーザによって
形成されたビアホール１０２の形状にばらつきが存在す
るためにメッキ高さＬにばらつきが生じるという、当業
者にも一考もされていなかった問題点があることを見出
した。
【０００６】すなわち、絶縁性基板１０１において、樹
脂１０６部分はレーザのエネルギーによって容易に溶
融、蒸発するために穴あけを容易に行うことができる。
しかし、ガラス布１０７の存在する部分は樹脂１０６部
分に比較して穴あけ速度が遅くなるため、ガラス繊維糸
１０８が残留して孔内に突出する。このために、ビアホ
ール１０２は、厚さ方向の中央部分が狭まった略鼓型の
形状となってしまう。このようなビアホール１０２に電
気メッキを行えば、メッキ液の流れが悪くなるためにメ
ッキ金属１０５は均一に成長することができず、メッキ
高さＬにばらつきが生じてしまう。
脂１０６部分はレーザのエネルギーによって容易に溶
融、蒸発するために穴あけを容易に行うことができる。
しかし、ガラス布１０７の存在する部分は樹脂１０６部
分に比較して穴あけ速度が遅くなるため、ガラス繊維糸
１０８が残留して孔内に突出する。このために、ビアホ
ール１０２は、厚さ方向の中央部分が狭まった略鼓型の
形状となってしまう。このようなビアホール１０２に電
気メッキを行えば、メッキ液の流れが悪くなるためにメ
ッキ金属１０５は均一に成長することができず、メッキ
高さＬにばらつきが生じてしまう。
【０００７】また、一般的にガラス布１０７はガラス繊
維糸１０８を緯糸１０８Ａと経糸１０８Ｂがそれぞれ１
本おきに上下しながら交差するように製織されているた
め、緯糸１０８Ａと経糸１０８Ｂの交差する部分は特に
ガラス繊維の密度が高くなる。この交差位置にビアホー
ル１０２が位置する場合には、さらに穴あけ速度が遅く
なるために、ビアホール１０２の内径がさらに狭まって
しまう。このようなビアホール１０２においてはメッキ
金属１０５の成長速度が遅くなるため、メッキ高さＬに
ばらつきが生じてしまう。
維糸１０８を緯糸１０８Ａと経糸１０８Ｂがそれぞれ１
本おきに上下しながら交差するように製織されているた
め、緯糸１０８Ａと経糸１０８Ｂの交差する部分は特に
ガラス繊維の密度が高くなる。この交差位置にビアホー
ル１０２が位置する場合には、さらに穴あけ速度が遅く
なるために、ビアホール１０２の内径がさらに狭まって
しまう。このようなビアホール１０２においてはメッキ
金属１０５の成長速度が遅くなるため、メッキ高さＬに
ばらつきが生じてしまう。
【０００８】本発明は、上記した事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、メッキ金属を充填する際にメ
ッキ高さのばらつきを低減することのできるビアホール
形成方法を提供することにある。
ものであり、その目的は、メッキ金属を充填する際にメ
ッキ高さのばらつきを低減することのできるビアホール
形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに請求項１の発明に係るビアホール形成方法は、ガラ
ス布に樹脂を含浸させた絶縁性基板にレーザ照射を行っ
てビアホールを形成するビアホール形成方法であって、
レーザ照射後に前記ビアホール内に残留するガラス繊維
を除去するガラス除去処理を行うことを特徴とする。
めに請求項１の発明に係るビアホール形成方法は、ガラ
ス布に樹脂を含浸させた絶縁性基板にレーザ照射を行っ
てビアホールを形成するビアホール形成方法であって、
レーザ照射後に前記ビアホール内に残留するガラス繊維
を除去するガラス除去処理を行うことを特徴とする。
【００１０】本発明に用いられる絶縁性基板とは、プリ
ント基板用の絶縁性基板に通常用いられる基板であっ
て、ガラス布に樹脂を含浸して板状に形成させたもので
ある。ここで、ガラス布とは、ガラス繊維糸を製織して
布状に形成させたものであってもよく、ガラス不織布で
あってもよい。また、ガラス布に含浸させる樹脂の種類
は、プリント基板用の絶縁性基板に通常使用されるもの
であれば特に制限はなく、例えばエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂等が使用できる。この樹脂に
は、必要に応じて硬化促進剤、着色剤、酸化防止剤、紫
外線不透過剤、還元剤、充填剤等が添加されていてもよ
い。また、絶縁性基板の片面もしくは両面には導体層と
なる銅箔があらかじめ貼り付けられていてもよい。
ント基板用の絶縁性基板に通常用いられる基板であっ
て、ガラス布に樹脂を含浸して板状に形成させたもので
ある。ここで、ガラス布とは、ガラス繊維糸を製織して
布状に形成させたものであってもよく、ガラス不織布で
あってもよい。また、ガラス布に含浸させる樹脂の種類
は、プリント基板用の絶縁性基板に通常使用されるもの
であれば特に制限はなく、例えばエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂等が使用できる。この樹脂に
は、必要に応じて硬化促進剤、着色剤、酸化防止剤、紫
外線不透過剤、還元剤、充填剤等が添加されていてもよ
い。また、絶縁性基板の片面もしくは両面には導体層と
なる銅箔があらかじめ貼り付けられていてもよい。
【００１１】また、ビアホールの形成手段であるレーザ
としては、プリント基板の加工に通常使用されるレーザ
であれば特に制限はなく、例えば炭酸ガスレーザ、エキ
シマレーザ、ＹＡＧレーザ等が使用できる。
としては、プリント基板の加工に通常使用されるレーザ
であれば特に制限はなく、例えば炭酸ガスレーザ、エキ
シマレーザ、ＹＡＧレーザ等が使用できる。
【００１２】また、ガラス除去処理としては、例えばビ
アホール内に残留したガラスに選択的にレーザを照射す
ることによって除去するレーザ処理、あるいは、ガラス
を選択的に溶解する作用を持つ化合物による処理等が使
用できる。
アホール内に残留したガラスに選択的にレーザを照射す
ることによって除去するレーザ処理、あるいは、ガラス
を選択的に溶解する作用を持つ化合物による処理等が使
用できる。
【００１３】請求項２の発明は、請求項１に記載のビア
ホール形成方法であって、前記ガラス除去処理がフッ化
物処理であることを特徴とする。
ホール形成方法であって、前記ガラス除去処理がフッ化
物処理であることを特徴とする。
【００１４】ここで、フッ化物としては、例えばフッ化
水素酸、フッ化アンモニウム等が使用できる。また、処
理方法としては、例えばフッ化物水溶液に絶縁性基板を
浸漬することにより行うことができる。このとき、フッ
化物水溶液の濃度は、使用するフッ化物の種類により変
動し、一概に限定されないが、ガラス除去が充分に行わ
れ、かつ、ガラス布が過剰に腐食されない濃度であるこ
とが好ましい。また、浸漬時間は使用するフッ化物の種
類や濃度によって変動し、一概に限定されないが、ビア
ホール内に突出したガラスが充分に除去され、かつ、ガ
ラス布が過剰に腐食されない範囲であることが好まし
い。
水素酸、フッ化アンモニウム等が使用できる。また、処
理方法としては、例えばフッ化物水溶液に絶縁性基板を
浸漬することにより行うことができる。このとき、フッ
化物水溶液の濃度は、使用するフッ化物の種類により変
動し、一概に限定されないが、ガラス除去が充分に行わ
れ、かつ、ガラス布が過剰に腐食されない濃度であるこ
とが好ましい。また、浸漬時間は使用するフッ化物の種
類や濃度によって変動し、一概に限定されないが、ビア
ホール内に突出したガラスが充分に除去され、かつ、ガ
ラス布が過剰に腐食されない範囲であることが好まし
い。
【００１５】
【発明の作用、および発明の効果】請求項１の発明によ
れば、ビアホール形成後に、ビアホール内に残留するガ
ラス繊維を除去するためのガラス除去処理を行う。これ
により、ビアホールの内壁を略垂直に形成することがで
きる。このため、ビアホール内のめっき液の流れを良好
にすることができ、めっき金属を均一に成長させること
ができる。また、ビアホールの形状が均一化され、めっ
き高さのばらつきを低減することができる。
れば、ビアホール形成後に、ビアホール内に残留するガ
ラス繊維を除去するためのガラス除去処理を行う。これ
により、ビアホールの内壁を略垂直に形成することがで
きる。このため、ビアホール内のめっき液の流れを良好
にすることができ、めっき金属を均一に成長させること
ができる。また、ビアホールの形状が均一化され、めっ
き高さのばらつきを低減することができる。
【００１６】請求項２の発明によれば、ガラス除去処理
としてはフッ化物処理を行う。フッ化物は、ガラスを溶
解する性質を有しているため、ビアホール内に残留する
ガラス繊維を良好に除去することができる。また、フッ
酸やフッ化アンモニウム等のフッ化物は安価に入手する
ことができるため、低コストでガラス除去処理を行うこ
とができる。さらに、多数のビアホールについてのガラ
ス除去処理を一度に行うことが可能なため、ガラス除去
処理を短時間で簡便に行うことができる。
としてはフッ化物処理を行う。フッ化物は、ガラスを溶
解する性質を有しているため、ビアホール内に残留する
ガラス繊維を良好に除去することができる。また、フッ
酸やフッ化アンモニウム等のフッ化物は安価に入手する
ことができるため、低コストでガラス除去処理を行うこ
とができる。さらに、多数のビアホールについてのガラ
ス除去処理を一度に行うことが可能なため、ガラス除去
処理を短時間で簡便に行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図１〜図２を参照しつつ詳細に説明する。
て、図１〜図２を参照しつつ詳細に説明する。
【００１８】本実施形態の絶縁性基板１は、ガラス繊維
糸２（本発明のガラス繊維に該当する）を平織りに製織
して布状としたガラス布３を、エポキシ樹脂４の入った
ワニスタンクで樹脂含浸し、熱風式乾燥機で乾燥させて
板状に形成させたガラス布基材エポキシ樹脂である。こ
の絶縁性基板１の片面に全面に銅箔５を貼りつけて、片
面銅張積層板６を形成させる（図１Ａ）。
糸２（本発明のガラス繊維に該当する）を平織りに製織
して布状としたガラス布３を、エポキシ樹脂４の入った
ワニスタンクで樹脂含浸し、熱風式乾燥機で乾燥させて
板状に形成させたガラス布基材エポキシ樹脂である。こ
の絶縁性基板１の片面に全面に銅箔５を貼りつけて、片
面銅張積層板６を形成させる（図１Ａ）。
【００１９】この片面銅張積層板６の所定の位置に、絶
縁性基板１の銅箔５とは反対側の面（図１において上面
側）からレーザ照射を行い、絶縁性基板１の厚さ方向に
貫通して銅箔５に到達するビアホール７を形成する（図
１Ｂ）。レーザ加工は、例えばパルス発振型炭酸ガスレ
ーザ加工装置によって行うことが可能であり、その場合
には、パルスエネルギーが２．０ｍＪ〜１０．０ｍＪ、
パルス幅が１μｓ〜１００μｓ、パルス間隔が０．５ｍ
ｓ以上、ショット数が３〜５０という条件で形成するこ
とが望ましい。
縁性基板１の銅箔５とは反対側の面（図１において上面
側）からレーザ照射を行い、絶縁性基板１の厚さ方向に
貫通して銅箔５に到達するビアホール７を形成する（図
１Ｂ）。レーザ加工は、例えばパルス発振型炭酸ガスレ
ーザ加工装置によって行うことが可能であり、その場合
には、パルスエネルギーが２．０ｍＪ〜１０．０ｍＪ、
パルス幅が１μｓ〜１００μｓ、パルス間隔が０．５ｍ
ｓ以上、ショット数が３〜５０という条件で形成するこ
とが望ましい。
【００２０】このとき、絶縁性基板１においてガラス繊
維糸２が存在する部分は、樹脂４部分に比較して穴あけ
速度が遅くなるため、ガラス繊維糸２が残留して孔内に
突出する。このために、ビアホール７は、厚さ方向の中
央部分が狭まった略鼓型の形状となっている。
維糸２が存在する部分は、樹脂４部分に比較して穴あけ
速度が遅くなるため、ガラス繊維糸２が残留して孔内に
突出する。このために、ビアホール７は、厚さ方向の中
央部分が狭まった略鼓型の形状となっている。
【００２１】次いで、形成されたビアホール７につい
て、ガラス除去処理を行う。ガラス除去処理は、例えば
フッ化アンモニウム水溶液に片面銅張積層板６を浸漬す
ることによって行う。これにより、ビアホール７内に突
出したガラス繊維糸２が溶解されて除去され、ビアホー
ル７の内壁が略垂直に形成される（図１Ｃ）。ここで、
フッ化アンモニウムの濃度は０．１％〜２０％であるこ
とが好ましく、また、浸漬時間は１分間〜１０分間であ
ることが好ましい。濃度および浸漬時間がこの範囲より
も低ければ、ガラス除去が充分に行われず、またこの範
囲よりも高ければ、ガラス布が過剰に腐食されるおそれ
があるからである。
て、ガラス除去処理を行う。ガラス除去処理は、例えば
フッ化アンモニウム水溶液に片面銅張積層板６を浸漬す
ることによって行う。これにより、ビアホール７内に突
出したガラス繊維糸２が溶解されて除去され、ビアホー
ル７の内壁が略垂直に形成される（図１Ｃ）。ここで、
フッ化アンモニウムの濃度は０．１％〜２０％であるこ
とが好ましく、また、浸漬時間は１分間〜１０分間であ
ることが好ましい。濃度および浸漬時間がこの範囲より
も低ければ、ガラス除去が充分に行われず、またこの範
囲よりも高ければ、ガラス布が過剰に腐食されるおそれ
があるからである。
【００２２】その後、銅箔５をポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）製の保護フィルム（図示せず）で保護し
ておき、銅箔５を一方の電極として電気メッキ法によっ
てビアホール７内にメッキ金属８を充填する（図１
Ｄ）。ここで、ビアホール７の内壁が略垂直に形成され
ているため、ビアホール７内のめっき液の流れを良好に
することができ、メッキ金属８を均一に成長させること
ができる。また、ビアホール７の形状が均一化されてい
るため、メッキ高さＬのばらつきを低減することができ
る。
ート（ＰＥＴ）製の保護フィルム（図示せず）で保護し
ておき、銅箔５を一方の電極として電気メッキ法によっ
てビアホール７内にメッキ金属８を充填する（図１
Ｄ）。ここで、ビアホール７の内壁が略垂直に形成され
ているため、ビアホール７内のめっき液の流れを良好に
することができ、メッキ金属８を均一に成長させること
ができる。また、ビアホール７の形状が均一化されてい
るため、メッキ高さＬのばらつきを低減することができ
る。
【００２３】＜本実施形態による実施例＞片面銅張積層
板６として、ガラス布エポキシ樹脂により形成された厚
さ１３０μｍの絶縁性基板１の片面に全面に厚さ１２μ
ｍの銅箔５を貼り付けたものを用い、絶縁性基板１にレ
ーザ照射により内径１００μｍのビアホール７を形成し
た。
板６として、ガラス布エポキシ樹脂により形成された厚
さ１３０μｍの絶縁性基板１の片面に全面に厚さ１２μ
ｍの銅箔５を貼り付けたものを用い、絶縁性基板１にレ
ーザ照射により内径１００μｍのビアホール７を形成し
た。
【００２４】形成されたビアホール７について、フッ化
物処理を行った。５０ｇのフッ化アンモニウムを水に溶
解して１０００ｍｌとし、これに硫酸５０ｇを加えてフ
ッ化アンモニウム水溶液を調製した。このフッ化アンモ
ニウム水溶液に、ビアホール７が形成された片面銅張積
層板６を浸漬し、室温で３分間放置した。
物処理を行った。５０ｇのフッ化アンモニウムを水に溶
解して１０００ｍｌとし、これに硫酸５０ｇを加えてフ
ッ化アンモニウム水溶液を調製した。このフッ化アンモ
ニウム水溶液に、ビアホール７が形成された片面銅張積
層板６を浸漬し、室温で３分間放置した。
【００２５】その後、この片面銅張積層板６を水洗後、
銅箔５を一方の電極とした電気メッキ法により、ビアホ
ール７内にメッキ金属８を充填した。このメッキ金属８
のメッキ高さＬを測定した。
銅箔５を一方の電極とした電気メッキ法により、ビアホ
ール７内にメッキ金属８を充填した。このメッキ金属８
のメッキ高さＬを測定した。
【００２６】メッキ高さＬの分布を示すグラフを、図２
に示した。４５個のビアホール７について測定を行い、
メッキ高さＬの平均値は１２２．８μｍ、標準偏差は
５．０μｍであった。また、比較としてフッ化物処理を
行わないビアホール７についてメッキ金属８を充填し、
メッキ高さを測定したところ、その標準偏差は１７．３
μｍであった。これらの結果より、フッ化物処理を行う
ことによってメッキ高さＬのばらつきが低減されている
ことがわかった。
に示した。４５個のビアホール７について測定を行い、
メッキ高さＬの平均値は１２２．８μｍ、標準偏差は
５．０μｍであった。また、比較としてフッ化物処理を
行わないビアホール７についてメッキ金属８を充填し、
メッキ高さを測定したところ、その標準偏差は１７．３
μｍであった。これらの結果より、フッ化物処理を行う
ことによってメッキ高さＬのばらつきが低減されている
ことがわかった。
【００２７】以上のように本実施形態によれば、ビアホ
ール７形成後に、ビアホール７内に残留するガラス繊維
糸２を除去するためのガラス除去処理を行う。これによ
り、ビアホール７の内壁を略垂直に形成することができ
る。このため、ビアホール７内のメッキ液の流れを良好
にすることができ、メッキ金属８を均一に成長させるこ
とができる。また、ビアホール７の形状が均一化され、
メッキ高さＬのばらつきを低減することができる。
ール７形成後に、ビアホール７内に残留するガラス繊維
糸２を除去するためのガラス除去処理を行う。これによ
り、ビアホール７の内壁を略垂直に形成することができ
る。このため、ビアホール７内のメッキ液の流れを良好
にすることができ、メッキ金属８を均一に成長させるこ
とができる。また、ビアホール７の形状が均一化され、
メッキ高さＬのばらつきを低減することができる。
【００２８】また、フッ化アンモニウム等のフッ化物を
用いてガラス除去処理を行えば、ビアホール７内に残留
するガラス繊維糸２を良好に除去することができる。ま
た、フッ化物は安価に入手することができるため、低コ
ストでガラス除去処理を行うことができる。さらに、フ
ッ化物の水溶液に絶縁性基板１を浸漬することにより、
多数のビアホール７についてのガラス除去処理を一度に
行うことが可能なため、ガラス除去処理を短時間で簡便
に行うことができる。
用いてガラス除去処理を行えば、ビアホール７内に残留
するガラス繊維糸２を良好に除去することができる。ま
た、フッ化物は安価に入手することができるため、低コ
ストでガラス除去処理を行うことができる。さらに、フ
ッ化物の水溶液に絶縁性基板１を浸漬することにより、
多数のビアホール７についてのガラス除去処理を一度に
行うことが可能なため、ガラス除去処理を短時間で簡便
に行うことができる。
【００２９】なお、本発明の技術的範囲は、上記した実
施形態によって限定されるものではなく、例えば、次に
記載するようなものも本発明の技術的範囲に含まれる。
その他、本発明の技術的範囲は、均等の範囲にまで及ぶ
ものである。（１）本実施形態では、フッ化物としてフ
ッ化アンモニウムを使用したが、本発明によればフッ化
物の種類は本実施形態に限るものではなく、例えばフッ
化水素酸であってもよい。また、２種以上のフッ化物を
混合して使用してもよい。（２）本実施形態では、メッ
キ金属８は電気メッキ法によってビアホール７内に充填
したが、本発明によればメッキ金属の充填方法は本実施
形態の限りではなく、例えば無電解メッキ法によっても
よい。
施形態によって限定されるものではなく、例えば、次に
記載するようなものも本発明の技術的範囲に含まれる。
その他、本発明の技術的範囲は、均等の範囲にまで及ぶ
ものである。（１）本実施形態では、フッ化物としてフ
ッ化アンモニウムを使用したが、本発明によればフッ化
物の種類は本実施形態に限るものではなく、例えばフッ
化水素酸であってもよい。また、２種以上のフッ化物を
混合して使用してもよい。（２）本実施形態では、メッ
キ金属８は電気メッキ法によってビアホール７内に充填
したが、本発明によればメッキ金属の充填方法は本実施
形態の限りではなく、例えば無電解メッキ法によっても
よい。
【図１】本実施形態のビアホール形成方法を示す断面図 （Ａ）片面銅張積層板の断面図 （Ｂ）片面銅張積層板にビアホールを形成させた断面図 （Ｃ）ビアホールにガラス除去処理を施した断面図 （Ｄ）ビアホールにメッキ金属を充填した断面図
【図２】メッキ金属のメッキ高さの分布を示すグラフ
【図３】従来のビアホールにメッキ金属を充填した断面
図
図
１…絶縁性基板 ２…ガラス繊維糸（ガラス繊維） ３…ガラス布 ４…エポキシ樹脂（樹脂） ７…ビアホール
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス布に樹脂を含浸させてなる絶縁性
基板にレーザ照射を行ってビアホールを形成するビアホ
ール形成方法であって、 レーザ照射後に前記ビアホール内に残留するガラス繊維
を除去するガラス除去処理を行うことを特徴とするビア
ホール形成方法。 - 【請求項２】 前記ガラス除去処理がフッ化物処理であ
ることを特徴とする請求項１に記載のビアホール形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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