JP2002092578A - Ｉｃモジュール及びその製造方法 - Google Patents

Ｉｃモジュール及びその製造方法

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JP2002092578A JP2000285742A JP2000285742A JP2002092578A JP 2002092578 A JP2002092578 A JP 2002092578A JP 2000285742 A JP2000285742 A JP 2000285742A JP 2000285742 A JP2000285742 A JP 2000285742A JP 2002092578 A JP2002092578 A JP 2002092578A
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bump
output terminal
module
winding coil
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Kazunari Nakagawa
和成 中川
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Hitachi Maxell Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐久性及び信頼性に優れたＩＣモジュールを
提供すること、及び、当該ＩＣモジュールを安価かつ高
能率に製造する方法を提供すること。 【解決手段】 ＩＣチップ１と、当該ＩＣチップ１の入
出力端子に形成されたバンプ４と、当該バンプ４に直接
接続された巻線コイル５とからＩＣモジュールを構成す
る。巻線コイル５は、銅線５ａが絶縁被膜５ｂで被覆さ
れた被覆導線をもって形成されており、当該巻線コイル
５の端部は、銅線５ａの中心線Ｘ−Ｘを入出力端子２の
開口幅Ｗ内に配置して、バンプ４と直接接続される。銅
線５ａとバンプ４との直接接続手段としては、溶接又は
ウエッジボンディングを用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非接触式ＩＣカー
ドなどの情報担体に搭載されるＩＣモジュールと当該Ｉ
Ｃモジュールの製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基体内にＩＣチップと当該Ｉ
Ｃチップの入出力端子に接続されたアンテナコイルとを
埋設し、リーダライタからの電源の受給とリーダライタ
との間の信号の送受信を非接触で行う非接触通信式の情
報担体が提案されている。また、この種の情報担体にお
いて、ＩＣチップとして入出力端子にバンプが形成され
たものを用いる技術、並びにアンテナコイルとして巻線
コイル（バルクコイル）を用いる技術も従来より提案さ
れている。
【０００３】従来におけるＩＣチップと巻線コイルとの
接続は、ＩＣチップを配線基板にフェースアップ方式で
実装し、当該ＩＣチップの入出力端子に形成されたバン
プと配線基板に形成された電極端子とをワイヤボンディ
ング接続すると共に、当該電極端子の他端に巻線コイル
をはんだ付け等の手段によって接続する方法、又は、Ｉ
Ｃチップを配線基板にフェースダウン方式で実装し、当
該ＩＣチップの入出力端子に形成されたバンプと配線基
板に形成された電極端子とを異方性導電接着剤や導電ペ
ーストを介して接続すると共に、当該電極端子の他端に
巻線コイルをはんだ付け等の手段によって接続する方法
が一般に採られている。
【０００４】これら従来のＩＣモジュールは、配線基板
を不可欠な構成要素とするので、部品点数が多くかつ製
造工程が複雑になることから製品である情報担体が高コ
ストになるばかりでなく、製品である情報担体の薄形化
及びフレキシブル化を図ることが難しいという問題があ
る。また、ＩＣチップの入出力端子と配線基板に形成さ
れた電極端子とを異方性導電接着剤や導電ペーストを介
して接続するものは、接続状態が不安定になりやすく、
寄生容量などによる通信特性の劣化を生じやすいという
問題もある。
【０００５】本願出願人は、先に、かかる従来技術の不
備を解消するため、ＩＣチップの入出力端子に形成され
たバンプと巻線コイルとを溶接又はウエッジボンディン
グ等によって直接接続したＩＣモジュールを提案した
（特開平１１−２６３０９１号）。
【０００６】本願出願人が先に提案したＩＣモジュール
によれば、ＩＣチップの入出力端子と巻線コイルとをバ
ンプを介して直接接続するので、配線基板を省略するこ
とができて、製品である情報担体の低コスト化、薄形化
及びフレキシブル化を図ることができると共に、入出力
端子と巻線コイルとの接続状態を安定化できて、その通
信特性を改善することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、バンプと巻
線コイルとを溶接により直接接続する場合、ＩＣチップ
の入出力端子には加熱ヘッドの押圧力が作用する。ま
た、バンプと巻線コイルとをウエッジボンディングによ
り直接接続する場合、ＩＣチップの入出力端子にはウエ
ッジツールの押圧力とウエッジツールにて発生した超音
波エネルギとが作用する。このため、バンプに対する巻
線コイルの中心の設定位置が不適切であると、溶接やウ
エッジボンディングを実行する際にバンプの下地である
入出力端子や絶縁保護膜に大きな外力が作用し、これら
入出力端子や絶縁保護膜が破壊されたり、さらには入出
力端子の下地であるシリコンが破壊されるといった不都
合が生じやすい。
【０００８】この点を図８に基づいてさらに詳細に説明
すると、図８はＩＣチップの入出力端子形成部の構成を
示す要部断面図であって、１はＩＣチップ、２はＩＣチ
ップ１の入出力端子、３はＩＣチップ１の表面に形成さ
れた絶縁保護膜、４は入出力端子２に形成されたバン
プ、５は巻線コイルを示している。バンプ４としては、
比較的安価に形成できることから、通常、無電解めっき
法により形成されたニッケルバンプが用いられるが、無
電解めっき法により形成されたバンプ４は、図８に示す
ように上部が入出力端子２の開口幅よりも広くなり、絶
縁保護膜３の上面にも形成される。なお、無電解めっき
法により形成されたバンプ４の平面積は、バンプ高さが
高くなるほど大きくなる。また、バンプ４は電解めっき
法によっても形成することができ、この方法によれば原
理的にはバンプ４を入出力端子２の開口幅と同一サイズ
に形成することもできるが、バンプ４と絶縁保護膜３と
の隙間から水分が侵入するのを防止するため、電解めっ
き法による場合にも、通常は、無電解めっき法による場
合と同様に、バンプ４の上部が入出力端子２の開口幅よ
りも広くなるように形成される。
【０００９】ニッケルバンプ４と巻線コイル５との接合
に際して、巻線コイルを構成する線材の中心が入出力端
子２の開口端（図８のＣ点）に合致されるか、或いはそ
れよりも外側（図８のＤ点）に合致されると、ニッケル
は硬質でほとんど変形しないため、溶接ヘッドやボンデ
ィングツールの押圧力が入出力端子２の開口端に集中
し、入出力端子２に亀裂６が発生したり、最悪の場合に
はＩＣチップ１の本体であるシリコンに亀裂７が発生す
るといった不都合が生じやすくなる。また、これと共
に、絶縁保護膜３にも大きな押圧力が作用するため、絶
縁保護膜３が塑性変形してバンプ４と絶縁保護膜３との
間に隙間８が生じ、当該隙間８から水分が侵入して入出
力端子２が腐蝕されるといった不都合も生じやすくな
る。
【００１０】これらの各不都合のうち、絶縁保護膜３の
塑性変形は、ＩＣモジュール製造後の検査工程で発見す
ることが難しく、情報担体の使用中に入出力端子２の腐
蝕が徐々に進行し、ＩＣモジュールの特性が発揮できな
くなった段階で初めて発見されるおそれがある。また、
入出力端子２の亀裂やシリコンの亀裂についても、ＩＣ
モジュールの特性に悪影響を及ぼす程度の大きなもの
は、製造後の検査工程でチェックすることができるが、
ＩＣモジュールの機能に悪影響を及ぼさない程度の軽微
なものについては、ＩＣモジュール製造時の検査工程で
発見することが難しく、情報担体の使用中に繰り返し熱
応力や曲げ応力を受けてクラックが成長し、ＩＣモジュ
ールの機能が発揮できなくなった段階で初めて発見され
るおそれがある。したがって、バンプ４に対する巻線コ
イル５の設定位置の不適切に起因する不都合は、ＩＣモ
ジュールの製造段階で完全に防止されなくてはならな
い。
【００１１】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたものであって、その目的は、耐久性及び信頼性に
優れたＩＣモジュールを提供すること、及び、当該ＩＣ
モジュールを安価かつ高能率に製造する方法を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決するため、ＩＣモジュールに関しては、第１に、Ｉ
Ｃチップと、当該ＩＣチップの入出力端子に形成された
バンプと、当該バンプに直接接続された巻線コイルとを
備えたＩＣモジュールにおいて、前記巻線コイルを構成
する導線の中心を、前記入出力端子の開口幅内に設定す
るという構成にした。
【００１３】かように、巻線コイルを構成する導線の中
心を入出力端子の開口幅内に設定すると、バンプと巻線
コイルとの直接接続時にバンプを介して入出力端子に均
一な押圧力を負荷することができるので、入出力端子の
一部に応力が集中することがなく、入出力端子の破壊や
その下地であるシリコンの破壊を防止できる。また、Ｉ
Ｃチップの表面に形成された絶縁保護膜にも過大な押圧
力が作用しないので、絶縁保護膜の塑性変形が防止さ
れ、入出力端子への水分の侵入、ひいては入出力端子の
腐食を防止することができる。
【００１４】本発明は、前記の課題を解決するため、第
２に、前記第１の課題解決手段における巻線コイルを被
覆銅線をもって形成すると共に、前記第１の課題解決手
段におけるバンプを、表面に金めっきが施されたニッケ
ルをもって形成するという構成にした。
【００１５】前記したようにニッケルバンプは硬度が高
く、溶接時又はウエッジボンディング時にほとんど変形
しないため、バンプに対する巻線コイルの設定位置が不
適切であると、入出力端子の一部に応力が集中しやす
く、入出力端子の破壊やその下地であるシリコンの破
壊、それに絶縁保護膜の塑性変形による入出力端子の腐
食を生じやすい。よって、ニッケルバンプと巻線コイル
とを直接接続するＩＣモジュールについて前記第１の課
題解決手段をとった場合に、その効果が最も効率的に発
揮される。また、巻線コイルとして被覆銅線を用い、か
つ、バンプの表面に金めっきを施すと、金と銅との融点
が近いことから銅線と金めっき層とを容易に合金化して
接合することができ、巻線コイルとバンプとの直接接続
作業を容易なものにすることができる。加えて、銅線と
金めっき層とを合金化して接合すると、はんだや導電ペ
ースト或いは異方性導電接着剤などの異種材料を介して
接合する場合に比べて接続の安定性を高めることができ
ると共に、インピーダンスの増加や寄生容量の発生によ
る特性の劣化を防止することができる。
【００１６】一方、ＩＣモジュールの製造方法に関して
は、前記の課題を解決するため、第１に、ＩＣチップの
入出力端子に形成されたバンプ上に巻線コイルを構成す
る被覆導線を当接し、当該被覆導線の中心を前記入出力
端子の開口幅内に配置する工程と、当該被覆導線に加熱
ヘッドを押しつけ、当該加熱ヘッドの熱により前記被覆
導線の絶縁被覆を除去すると共に、絶縁被覆を除去する
ことによって露出された導線と前記バンプとを溶接する
工程とを含む工程を経てＩＣモジュールを製造するとい
う構成にした。
【００１７】かように、巻線コイルを構成する被覆導線
の中心を入出力端子の開口幅内に配置してバンプ上に被
覆導線を当接し、当該被覆導線に加熱ヘッドを押しつけ
ると、当該加熱ヘッドの押圧力を入出力端子の全面に均
一に分散することができるので、入出力端子の一部に応
力が集中することがなく、入出力端子やその下地である
シリコンの破壊、並びにＩＣチップの表面に形成された
絶縁保護膜の塑性変形のないＩＣモジュールを形成する
ことができる。また、加熱ヘッドを押しつけることによ
って巻線コイルをバンプとを接合すると、加熱ヘッドか
ら与えられる熱によって被覆導線の絶縁被覆が自動的に
除去されるので、溶接に先立って絶縁被覆の除去作業を
行う必要がなく、ＩＣモジュールの製造を効率的に行う
ことができる。
【００１８】また、第２に、巻線コイルを構成する被覆
導線の先端部より絶縁被覆を除去し、導線を露出させる
工程と、前記ＩＣチップの入出力端子に形成されたバン
プ上に前記露出された導線を当接し、当該導線の中心を
前記入出力端子の開口幅内に配置する工程と、当該導線
にウエッジツールを押しつけ、当該ウエッジツールより
負荷される超音波エネルギによって前記導線とバンプと
を接合する工程とを含む工程を経てＩＣモジュールを製
造するという構成にした。
【００１９】かように、巻線コイルを構成する被覆導線
の中心を入出力端子の開口幅内に配置してバンプ上に被
覆導線を当接し、当該被覆導線にウエッジツールを押し
つけると、当該ツールの押圧力を入出力端子の全面に均
一に分散することができるので、入出力端子の一部に応
力が集中することがなく、入出力端子やその下地である
シリコンの破壊、並びにＩＣチップの表面に形成された
絶縁保護膜の塑性変形のないＩＣモジュールを形成する
ことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＩＣモジュー
ルの一実施形態例を、図１乃至図３に基づいて説明す
る。図１は本例に係るＩＣモジュールの平面図、図２は
図１のＡ部拡大図、図３は図２のＢ−Ｂ断面図である。
これらの図において、符号５ａは巻線コイル５の導線、
符号５ｂは巻線コイル５の絶縁被覆を示し、その他、前
出の図８と対応する部分には、それと同一の符号が表示
されている。
【００２１】図１から明らかなように、本例のＩＣモジ
ュールは、ＩＣチップ１と、当該ＩＣチップ１の入出力
端子に形成されたバンプ４と、当該バンプ４に直接接続
された巻線コイル５とから構成されており、図示しない
リーダライタと巻線コイル５とを電磁結合させることに
よって、リーダライタからＩＣチップ１への電源の供給
及びリーダライタとＩＣチップ１との間の信号の送受信
を非接触で行うようになっている。
【００２２】ＩＣチップ１としては、従来より非接触式
ＩＣカードに搭載されている任意のＩＣチップを用いる
ことができるが、非接触式ＩＣカードの薄形化を図るた
め、樹脂パッケージを有さず、かつ、全厚が５０μｍ〜
１５０μｍ程度に薄形化されたベアチップを用いること
が特に好ましい。ＩＣチップ１には、図２及び図３に示
すように、アルミニウムなどからなる入出力端子（パッ
ド）２と絶縁性樹脂からなる絶縁保護膜３とが形成され
ており、入出力端子２の周辺部は絶縁保護膜３にて覆わ
れている。本明細書においては、入出力端子２の中央部
の絶縁保護膜３にて覆われていない領域を入出力端子２
の開口部といい、その大きさＷを入出力端子２の開口幅
という。本例のＩＣチップ１においては、入出力端子２
の開口幅Ｗを、約１００μｍに形成した。
【００２３】バンプ４は、入出力端子２の開口部より形
成されたニッケル部４ａと、当該ニッケル部４ａの表面
にフラッシュめっきされた金めっき層４ｂとからなる。
ニッケル部４ａは、無電解めっき法又は電解めっき法を
もって形成することができるが、所要のニッケル部４ａ
を安価に形成できることから、無電解めっき法をもって
形成することが特に好ましい。無電解めっき法をもって
形成されたニッケル部４ａは、図２及び図３に示すよう
に、その上部の寸法が入出力端子２の開口幅Ｗよりも大
きくなって、絶縁保護膜３の上面にも形成される。ニッ
ケル部４ａの平面積は、ニッケル部４ａの高さが大きく
なるほど大きくなる。本実施形態例においては、ニッケ
ル部４ａの高さを約３０μｍに調整した。
【００２４】巻線コイル５は、図２及び図３に示すよう
に、銅線５ａが絶縁被膜５ｂで被覆された被覆導線をも
って形成される。銅線５ａの直径は２０μｍ乃至１００
μｍ、絶縁被覆５ｂの膜厚は約５μｍであり、これをＩ
Ｃチップ１の特性に合わせて１回乃至数十回ターンさせ
ることによって、巻線コイル５が形成される。巻線コイ
ル５の端部は、図２及び図３に示すように、銅線５ａの
中心線Ｘ−Ｘを入出力端子２の開口幅Ｗ内に配置して、
バンプ４と直接接続される。銅線５ａとバンプ４との直
接接続手段としては、溶接又はウエッジボンディングを
用いることができる。これらの手段によると、銅線５ａ
とバンプ４の金めっき層４ｂとが合金化し、何らの異物
を介することなく直接接続される。
【００２５】本例のＩＣモジュールは、銅線５ａの中心
をＩＣチップ１の入出力端子２の開口幅Ｗ内に設定した
ので、バンプ４と巻線コイル５との直接接続時にバンプ
４を介して入出力端子２に均一な押圧力を負荷すること
ができ、入出力端子２の一部への応力集中を防止できる
ことから、入出力端子２の破壊やその下地であるシリコ
ンの破壊を防止できる。また、ＩＣチップ１の表面に形
成された絶縁保護膜３にも過大な押圧力が作用しないの
で、絶縁保護膜３の塑性変形が防止され、入出力端子２
への水分の侵入による入出力端子の腐食を防止すること
ができる。さらに、バンプ４として硬度が高いニッケル
バンプを形成したので、巻線コイル５を構成する銅線５
ａの中心を入出力端子２の開口幅Ｗ内に設定することに
よる効果が最も効率的に発揮される。加えて、巻線コイ
ル５として被覆銅線を用い、かつバンプ４の表面に金め
っき層４ｂを施したので、金と銅との融点が近いことか
ら銅線５ａと金めっき層４ｂとを容易に合金化して接合
することができ、巻線コイル５とバンプ４との直接接続
作業を容易なものにすることができる。また、銅線５ａ
と金めっき層４ｂとを合金化して接合できることから、
はんだや導電ペースト或いは異方性導電接着剤などの異
種材料を介して接合する場合に比べて接続の安定性を高
めることができると共に、インピーダンスの増加や寄生
容量の発生による特性の劣化を防止することができる。
【００２６】なお、前記実施形態例においては、巻線コ
イルを被覆銅線をもって形成したが、接合時の加熱条件
等によっては、他の金属線、例えばアルミニウム線に絶
縁被覆を施した被覆導線を用いることも可能である。
【００２７】次に、本発明に係るＩＣモジュール製造方
法の第１例を、図４及び図５に基づいて説明する。図４
はバンプに対する巻線コイルの配置を示す要部断面図、
図５はバンプと巻線コイルとの溶接方法を示す断面図で
ある。これらの図において、前出の図１乃至図３と対応
する部分には、それと同一の符号が表示されている。
【００２８】本例のＩＣモジュール製造方法は、バンプ
４と巻線コイル５とを溶接することを特徴とするもので
あって、まず、図４に示すように、巻線コイル５を構成
する被覆導線の中心Ｘ−Ｘを入出力端子２の開口幅Ｗ内
にして、被覆導線をバンプ４上に設置する。次いで、図
５に示すように、当該被覆導線の上方より加熱ヘッド１
１を当接し、バンプ４上に被覆導線を固定する。加熱ヘ
ッド１１は、図５に示すように、絶縁部材１２を介して
対向に配置された電極１３，１４と、これら各電極１
３，１４の先端部に接するように配置された例えばモリ
ブデンテープなどの抵抗発熱体１５とから構成されてお
り、前記抵抗発熱体１５を介して前記各電極１３，１４
の先端部が前記被覆導線に当接され、バンプ４と被覆導
線との間に所要の押圧力を負荷する。次いで、前記抵抗
発熱体１５を介して前記各電極１３，１４間に通電し、
前記抵抗発熱体１５を加熱する。この熱によって、被覆
導線の絶縁被覆５ｂが局部的に蒸発又は昇華されるた
め、該部の絶縁被覆５ｂが除去されて導線５ａが露出さ
れ、露出された導線５ａと抵抗発熱体１５及びバンプ４
とが互いに直接接触する。この状態からさらに押圧力と
熱とを加えると、導線５ａとバンプ４の表面に形成され
た金めっき層４ｂとが溶融して合金化され、電気的に接
続される。
【００２９】本例のＩＣモジュール製造方法は、巻線コ
イルを構成する被覆導線の中心を入出力端子２の開口幅
Ｗ内に配置してバンプ４上に被覆導線を当接し、当該被
覆導線に加熱ヘッド１１を押しつけるので、当該加熱ヘ
ッド１１の押圧力を入出力端子２の全面に均一に分散す
ることができ、入出力端子２やその下地であるシリコン
の破壊、並びにＩＣチップ１の表面に形成された絶縁保
護膜３の塑性変形を防止することができる。また、本例
のＩＣモジュール製造方法は、被覆導線に加熱ヘッド１
１を押し付ける工程で被覆導線の絶縁被覆を自動的に除
去することができるので、溶接作業前に絶縁被覆を除去
する必要がなく、ＩＣモジュールの製造を高能率に行う
ことができる。
【００３０】次に、本発明に係るＩＣモジュール製造方
法の第２例を、図６及び図７に基づいて説明する。図６
はバンプに対する巻線コイルの配置を示す要部断面図、
図７はバンプと巻線コイルとのウエッジボンディング方
法を示す断面図である。これらの図において、前出の図
１乃至図３と対応する部分には、それと同一の符号が表
示されている。
【００３１】本例のＩＣモジュール製造方法は、バンプ
４と巻線コイル５とをウエッジボンディングすることを
特徴とするものであって、接合作業を実行するに先立
ち、巻線コイルを構成する被覆導線の先端部より絶縁被
覆５ｂを局部的に除去する。絶縁被覆５ｂの除去方法と
しては、被覆導線の先端部にレーザ光線を照射し、該部
の絶縁被覆を蒸発又は昇華させるという方法をとること
ができる。しかる後に、図６に示すように、絶縁被覆５
ｂを除去することによって露出された導線５ａの中心Ｘ
−Ｘを入出力端子２の開口幅Ｗ内にして、バンプ４上に
設置する。次いで、図７に示すように、露出された導線
５ａの上方よりウエッジツール２１を当接し、バンプ４
上に導線５ａを固定する。ウエッジツール２１は、図７
に示すように、加振部２２と当該加振部２２にて発生し
た超音波を接合部に伝達するホーン２３とから構成され
ており、当該ホーン２３の先端部が前記露出された導線
５ａに当接され、バンプ４と露出された導線５ａとの間
に所要の押圧力を負荷する。次いで、前記加振部２２を
起動し、前記ホーン２３を介してバンプ４と露出された
導線５ａとの間に所要の押圧力と超音波とを印加する。
このエネルギにより、導線５ａとバンプ４の表面に形成
された金めっき層４ｂとが溶融して合金化され、電気的
に接続される。
【００３２】本例のＩＣモジュール製造方法は、巻線コ
イルを構成する導線５ａの中心を入出力端子２の開口幅
Ｗ内に配置してバンプ４上に導線５ａを当接し、当該導
線５ａにウエッジツール２１を押しつけるので、当該ウ
エッジツール２１の押圧力や超音波を入出力端子２の全
面に均一に分散することができ、入出力端子２やその下
地であるシリコンの破壊、並びにＩＣチップ１の表面に
形成された絶縁保護膜３の塑性変形を防止することがで
きる。
【００３３】
【発明の効果】請求項１に記載の発明は、巻線コイルを
構成する導線の中心を入出力端子の開口幅内に設定した
ので、バンプと巻線コイルとの直接接続時にバンプを介
して入出力端子に均一な押圧力を負荷することができ、
入出力端子の一部への応力集中を防止できて、入出力端
子の破壊やその下地であるシリコンの破壊を防止でき
る。また、ＩＣチップの表面に形成された絶縁保護膜へ
の過大な押圧力の作用も防止できるので、絶縁保護膜の
塑性変形が防止され、入出力端子への水分の侵入による
入出力端子の腐食を防止することができる。
【００３４】請求項２に記載の発明は、ＩＣチップの入
出力端子に硬度が高く溶接時又はウエッジボンディング
時にほとんど変形しないニッケルバンプを形成したの
で、巻線コイルを構成する導線の中心を入出力端子の開
口幅内に設定した場合に、その効果が最も効率的に発揮
される。また、巻線コイルとして被覆銅線を用い、か
つ、バンプの表面に金めっきを施したので、銅線と金め
っき層とを容易に合金化して接合することができ、巻線
コイルとバンプとの直接接続作業を容易なものにするこ
とができる。加えて、銅線と金めっき層とを合金化して
接合することから、はんだや導電ペースト或いは異方性
導電接着剤などの異種材料を介して接合する場合に比べ
て接続の安定性を高めることができると共に、インピー
ダンスの増加や寄生容量の発生による特性の劣化を防止
することができる。
【００３５】請求項３に記載の発明は、巻線コイルを構
成する被覆導線の中心を入出力端子の開口幅内に配置し
てバンプ上に被覆導線を当接し、当該被覆導線に加熱ヘ
ッドを押しつけるので、当該加熱ヘッドの押圧力を入出
力端子の全面に均一に分散することができ、入出力端子
の一部への応力集中を防止できて、入出力端子やその下
地であるシリコンの破壊、並びにＩＣチップの表面に形
成された絶縁保護膜の塑性変形のないＩＣモジュールを
形成することができる。また、加熱ヘッドを押しつける
ことによって巻線コイルとバンプとを接合するので、加
熱ヘッドから与えられる熱によって被覆導線の絶縁被覆
を自動的に除去することができ、溶接に先立って絶縁被
覆の除去作業を行う必要がないことから、ＩＣモジュー
ルの製造を効率的に行うことができる。
【００３６】請求項４に記載の発明は、巻線コイルを構
成する被覆導線の中心を入出力端子の開口幅内に配置し
てバンプ上に被覆導線を当接し、当該被覆導線にウエッ
ジツールを押しつけるので、当該ツールの押圧力を入出
力端子の全面に均一に分散することができ、入出力端子
の一部への応力集中を防止できて、入出力端子やその下
地であるシリコンの破壊、並びにＩＣチップの表面に形
成された絶縁保護膜の塑性変形のないＩＣモジュールを
形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例に係るＩＣモジュールの平面図であ
る。
【図２】図１のＡ部拡大図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】バンプに対する巻線コイルの配置を示す要部断
面図である。
【図５】バンプと巻線コイルとの溶接方法を示す断面図
である。
【図６】バンプに対する巻線コイルの配置を示す要部断
面図である。
【図７】バンプと巻線コイルとのウエッジボンディング
方法を示す断面図である。
【図８】バンプに対する巻線コイルの配置が不適切であ
る場合に生じる不都合を示す要部断面図である。
【符号の説明】
１ ＩＣチップ ２ 入出力端子 ３ 絶縁保護層 ４ バンプ ５ 巻線コイル ５ａ 導線（銅線） ５ｂ 絶縁被覆 １１ 加熱ヘッド ２１ ウエッジツール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０３Ａ ６０４Ｄ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＩＣチップと、当該ＩＣチップの入出力
    端子に形成されたバンプと、当該バンプに直接接続され
    た巻線コイルとを備えたＩＣモジュールにおいて、前記
    巻線コイルを構成する導線の中心を、前記入出力端子の
    開口幅内に設定したことを特徴とするＩＣモジュール。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のＩＣモジュールにおい
    て、前記巻線コイルを被覆銅線をもって形成すると共
    に、前記バンプを、表面に金めっきが施されたニッケル
    をもって形成したことを特徴とするＩＣモジュール。
  3. 【請求項３】 ＩＣチップの入出力端子に形成されたバ
    ンプ上に巻線コイルを構成する被覆導線を当接し、当該
    被覆導線の中心を前記入出力端子の開口幅内に配置する
    工程と、当該被覆導線に加熱ヘッドを押しつけ、当該加
    熱ヘッドの熱により前記被覆導線の絶縁被覆を除去する
    と共に、絶縁被覆を除去することによって露出された導
    線と前記バンプとを溶接する工程とを含むことを特徴と
    するＩＣモジュールの製造方法。
  4. 【請求項４】 巻線コイルを構成する被覆導線の先端部
    より絶縁被覆を除去し、導線を露出させる工程と、前記
    ＩＣチップの入出力端子に形成されたバンプ上に前記露
    出された導線を当接し、当該導線の中心を前記入出力端
    子の開口幅内に配置する工程と、当該導線にウエッジツ
    ールを押しつけ、当該ウエッジツールより負荷される超
    音波エネルギによって前記導線とバンプとを接合する工
    程とを含むことを特徴とするＩＣモジュールの製造方
    法。
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