JP2002084049A - 電子部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 原版から被基板への性が向上した電子部材の
提供 【解決手段】 導電性基材の表面の少なくとも一部に絶
縁樹脂層が設けられ、この絶縁樹脂層上に導電性材料を
有する電子部材であって、前記絶縁樹脂層が（Ａ）有機
溶媒可溶性のポリイミドと（Ｂ）親水性ポリマーとから
なるものであり、かつ前記導電性材料が前記絶縁樹脂層
の物理処理および／または化学処理と同時にまたは処理
後に、形成されたものであることを特徴とする、電子部
材

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部材に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】導電性基材の表面に絶縁樹脂層および導
電性材料が設けられた電子部材は、例えば半導体パッケ
ージ用リードフレーム、半導体パッケージ用基板、コネ
クター、半導体装置用検査用治具等として用いられてい
る。このような電子部材の製造にあたっては、基材表面
に上記用途に応じた所定のパターンを形成させることが
行われている。

【０００３】基板表面に配線、電子部品またはマーク等
のパターンを形成する方法として、スクリーン印刷等の
いわゆる印刷法が広く用いられている。この印刷法は安
価で量産に適しているが、得られる配線パターンの精度
が低く、細線の印刷が困難である点で、高精度高密度パ
ターンの形成には適した方法であるとは言い難い。

【０００４】一方、感光性樹脂を用い光学的に露光現像
する方法であるフォトグラフィ法は、極めて高精度高密
度である微細パターンの形成が可能であるため、半導体
電子部品その他の微細加工に一般的に用いられている。
しかしながら、その加工工程が長くかつ複雑であり、加
工設備も高価である問題点がある。

【０００５】このような問題点を解決する方法の一つと
して、電着法によるパターン形成法が提案されている。
この方法は、印刷法同様に安価で量産に適しているう
え、印刷法よりも高精度にパターン形成が可能である点
で優れている。しかしながら、このような従来の方法で
は、電子部品用途に必要な耐熱性、絶縁性および信頼性
を満たすことが困難であった。また、電着によって形成
された層上に導電性材料を設ける場合には、電着層と導
電性材料との接着強度が十分でないという問題点があっ
た。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、絶縁樹脂
層として特定の有機溶剤可溶性ポリイミドと水溶性ポリ
マーとを含む電着層としかつこの絶縁樹脂層を物理処理
および／または化学処理することによって前記課題を解
決できることを見出して、本発明を完成させた。

【０００７】したがって、本発明による電子部材は、導
電性基材の表面の少なくとも一部に絶縁樹脂層が設けら
れ、この絶縁樹脂層上に導電性材料を有する電子部材で
あって、前記絶縁樹脂層が（Ａ）有機溶媒可溶性のポリ
イミドと（Ｂ）親水性ポリマーとからなるものであり、
かつ前記導電性材料が前記絶縁樹脂層の物理処理および
／または化学処理と同時に、または処理後に、形成され
たものであること、を特徴とするものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明による電子部材を説
明する。

【０００９】絶縁樹脂層 本発明による電子部材を構成する絶縁樹脂層は、（Ａ）
有機溶媒可溶性のポリイミドと（Ｂ）親水性ポリマーと
からなるものである。

【００１０】（Ａ）成分（有機溶媒可溶性のポリイミ
ド） ＜有機溶媒可溶性のポリイミドの合成方法＞本発明にお
ける（Ａ）成分は、有機溶媒可溶性のポリイミドからな
る。このようなポリイミドの合成法は特に限定されるも
のではないが、例えば、有機極性溶媒中、テトラカルボ
ン酸二無水物とジアミン化合物とを混合して重縮合させ
て、ポリアミック酸を得たのち、該ポリアミック酸を加
熱イミド化法または化学イミド化法により脱水閉環反応
させることにより、ポリイミドを合成することができ
る。また、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物
との重縮合を多段階で行うことにより、ブロック構造を
有するポリイミドを合成することも可能である。

【００１１】＜テトラカルボン酸二無水物＞本発明にお
ける（Ａ）成分である有機溶媒可溶性のポリイミドの合
成に用いられるテトラカルボン酸二無水物は特に限定さ
れるものではなく、その例としては、ブタンテトラカル
ボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラ
カルボン酸二無水物、１，２−ジメチル−１，２，３，
４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，３−
ジメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，３−ジクロロ−１，２，３，４−シ
クロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４
−テトラメチル−１，２，３，４−シクロブタンテトラ
カルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロペンタン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−シクロヘ
キサンテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′
−ジシクロヘキシルテトラルカルボン酸二無水物、２，
３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、
３，５，６−トリカルボキシノルボルナン−２−酢酸二
無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフランテトラカ
ルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキ
サヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３
−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３
−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ
−５−メチル−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ
−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−
１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサ
ヒドロ−５−エチル−５−（テトラヒドロ−２，５−ジ
オキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラ
ン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘ
キサヒドロ−７−メチル−５−（テトラヒドロ−２，５
−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−
フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，５，９ｂ
−ヘキサヒドロ−７−エチル−５−（テトラヒドロ−
２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−
ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，３，３ａ，４，
５，９ｂ−ヘキサヒドロ−８−メチル−５−（テトラヒ
ドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト
［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，３，３
ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−８−エチル−５−
（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−
ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、１，
３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５，８−ジメ
チル−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フ
ラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−１，３−ジ
オン、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラル）−
３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン
酸二無水物、ビシクロ［２，２，２］−オクト−７−エ
ン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物や、下
記式（１）または式（２）で表される化合物等の脂肪族
テトラカルボン酸二無水物あるいは脂環式テトラカルボ
ン酸二無水物、

【化１】 （式中、Ｒ^１は芳香環を有する２価の有機基を示し、Ｒ
^２は水素原子またはアルキル基を示し、複数存在するＲ
^２は相互に同一でも異なっていてもよい）、

【化２】 （式中、Ｒ^３は芳香環を有する２価の有機基を示し、Ｒ
^４は水素原子またはアルキル基を示し、複数存在するＲ
^４は相互に同一でも異なっていてもよい）；ピロメリッ
ト酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ビフェ
ニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，
８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，
６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，
３′，４，４′−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸
二無水物、３，３′，４，４′−ジメチルジフェニルシ
ランテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−
テトラフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、１，
２，３，４−フランテトラカルボン酸二無水物、４，
４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェ
ニルスルフィド二無水物、４，４′−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、
４，４′−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジ
フェニルプロパン二無水物、３，３′，４，４′−パー
フルオロイソプロピリデンジフタル酸二無水物、３，
３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、ビス（フタル酸）フェニルホスフィンオキサイド二
無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル
酸）二無水物、ｍ−フェニレン−ビス（トリフェニルフ
タル酸）二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−
４，４′−ジフェニルエーテル二無水物、ビス（トリフ
ェニルフタル酸）−４，４′−ジフェニルメタン二無水
物、エチレングリコール−ビス（アンヒドロトリメリテ
ート）、プロピレングリコール−ビス（アンヒドロトリ
メリテート）、１，４−ブタンジオール−ビス（アンヒ
ドロトリメリテート）、１，６−ヘキサンジオール−ビ
ス（アンヒドロトリメリテート）、１，８−オクタンジ
オール−ビス（アンヒドロトリメリテート）、２，２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン−ビス（アン
ヒドロトリメリテート）や、下記式（３）〜（６）で表
される化合物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物、

【化３】

【化４】

【化５】

【化６】 等を挙げることができる。

【００１２】これらのテトラカルボン酸二無水物は、単
独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

【００１３】＜ジアミン化合物＞また、本発明における
（Ａ）成分である有機溶媒可溶性のポリイミドの合成に
用いられるジアミン化合物としては、例えば、ｐ−フェ
ニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４′−
ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェ
ニルエタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′
−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、４，４′
−ジアミノベンズアニリド、４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、１，５−ジアミノナフタレン、３，３′
−ジメチル−４，４′−ジアミノビフェニル、５−アミ
ノ−１−（４′−アミノフェニル）−１，３，３−トリ
メチルインダン、６−アミノ−１−（４′−アミノフェ
ニル）−１，３，３−トリメチルインダン、３，４′−
ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミノベン
ゾフェノン、３，４′−ジアミノベンゾフェノン、４，
４′−ジアミノベンゾフェノン、２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキ
サフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３
−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，９−ビス（４−ア
ミノフェニル）−１０−ヒドロアントラセン、２，７−
ジアミノフルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニ
ル）フルオレン、４，４′−メチレン−ビス（２−クロ
ロアニリン）、２，２′，５，５′−テトラクロロ−
４，４′−ジアミノビフェニル、２，２′−ジクロロ−
４，４′−ジアミノ−５，５′−ジメトキシビフェニ
ル、３，３′−ジメトキシ−４，４′−ジアミノビフェ
ニル、４，４′−（ｐ−フェニレンイソプロピリデン）
ビスアニリン、４，４′−（ｍ−フェニレンイソプロピ
リデン）ビスアニリン、２，２′−ビス［４−（４−ア
ミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］
ヘキサフルオロプロパン、４，４′−ジアミノ−２，
２′−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、４，
４′−ビス［（４−アミノ−２−トリフルオロメチル）
フェノキシ］−オクタフルオロビフェニル等の芳香族ジ
アミン類；１，１−メタキシリレンジアミン、１，３−
プロパンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメ
チレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチ
レンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレン
ジアミン、４，４−ジアミノヘプタメチレンジアミン、
１，４−ジアミノシクロヘキサン、イソホロンジアミ
ン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミン、
ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダニレンジメチレン
ジアミン、トリシクロ［６，２，１，０^２．７］−ウン
デシレンジメチルジアミン、４，４′−メチレンビス
（シクロヘキシルアミン）等の脂肪族ジアミンあるいは
脂環式ジアミン類；２，３−ジアミノピリジン、２，６
−ジアミノピリジン、３，４−ジアミノピリジン、２，
４−ジアミノピリミジン、５，６−ジアミノ−２，３−
ジシアノピラジン、５，６−ジアミノ−２，４−ジヒド
ロキシピリミジン、２，４−ジアミノ−６−ジメチルア
ミノ−１，３，５−トリアジン、１，４−ビス（３−ア
ミノプロピル）ピペラジン、２，４−ジアミノ−６−イ
ソプロポキシ−１，３，５−トリアジン、２，４−ジア
ミノ−６−メトキシ−１，３，５−トリアジン、２，４
−ジアミノ−６−フェニル−１，３，５−トリアジン、
２，４−ジアミノ−６−メチル−１，３，５−トリアジ
ン、２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン、４，
６−ジアミノ−２−ビニル−１，３，５−トリアジン、
２，４−ジアミノ−５−フェニルチアゾール、２，６−
ジアミノプリン、５，６−ジアミノ−１，３−ジメチル
ウラシル、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾー
ル、６，９−ジアミノ−２−エトキシアクリジンラクテ
ート、３，８−ジアミノ−６−フェニルフェナントリジ
ン、１，４−ジアミノピペラジン、３，６−ジアミノア
クリジン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルアミン
や、下記式（７）または（８）で表される化合物等の、
分子内に２つの第一級アミノ基および該第一級アミノ基
以外の窒素原子を有するジアミン類、

【化７】 （式中、Ｒ^５は、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、
ピペリジンおよびピペラジンの群から選ばれる含窒素環
構造を有する化合物に由来する１価の有機基を示し、Ｘ
は２価の有機基を示す）、

【化８】 （式中、Ｒ^６は、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、
ピペリジンおよびピペラジンの群から選ばれる含窒素環
構造を有する化合物に由来する２価の有機基を示し、Ｘ
は２価の有機基を示し、複数存在するＸは相互に同一で
も異なっていてもよい；下記式（９）で表されるモノ置
換フェニレンジアミン類、

【化９】 （式中、Ｙは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨ
ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−または−ＣＯ−を示し、Ｒ^７は水
素原子、ふっ素原子、トリフルオロメチル基、炭素数６
〜３０のアルキル基またはステロイド骨格を有する１価
の基を示す）；下記式（１０）で表されるジアミノオル
ガノシロキサン、

【化１０】 （式中、Ｒ^８は炭素数１〜１２の炭化水素基を示し、複
数存在するＲ^８は相互に同一でも異なっていてもよく、
ｐは１〜３の整数であり、ｑは１〜２０の整数であ
る）；下記式（１１）〜（２３）で表される化合物、

【化１１】

【化１２】

【化１３】

【化１４】 （式中、ｙは２〜１２の整数である）

【化１５】 （式中、ｚは１〜５の整数である）

【化１６】

【化１７】

【化１８】

【化１９】

【化２０】

【化２１】

【化２２】

【化２３】 等を挙げることができる。

【００１４】これらのジアミン化合物は、単独でまたは
２種以上を混合して使用することができる。

【００１５】＜テトラカルボン酸二無水物とジアミン化
合物との使用割合＞本発明における（Ａ）成分である有
機溶媒可溶性のポリイミドの合成に用いられるテトラカ
ルボン酸二無水物とジアミン化合物との使用割合は、ジ
アミン化合物中のアミノ基１当量に対して、テトラカル
ボン酸二無水物中の酸無水物基が０．２〜２当量となる
割合が好ましく、さらに好ましくは０．３〜１．２当量
となる割合である。

【００１６】＜ポリアミック酸の生成＞（Ａ）成分であ
る有機溶媒可溶性のポリイミドの合成における中間生成
物であるポリアミック酸の合成反応は、有機溶媒中にお
いて、典型的には、−２０〜１５０℃、好ましくは０〜
１００℃の温度条件下で行われる。

【００１７】このポリアミック酸の生成の際に用いる有
機溶媒としては、生成するポリアミック酸を溶解しうる
ものであれば特に制限はなく、その例としては、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、γ−ブチロラクトン、テトラメチル尿素、ヘキサ
メチルホスホルトリアミド等の非プロトン系極性溶媒；
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−
ブチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピ
オン酸エチル、しゅう酸ジエチル、マロン酸ジエチル、
乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸ｎ−ブチル等のエ
ステル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソ
ブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；フェノ
ール、ｍ−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェ
ノール等のフェノール類等を挙げることができる。

【００１８】有機溶媒の使用量は、テトラカルボン酸二
無水物とジアミン化合物との合計量が、反応溶液の全量
に対して０．１〜３０重量％になるような量であること
が好ましい。

【００１９】また、前記有機溶媒には、アルコール類、
エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、炭化水素類等の他
の有機溶媒を、生成するポリアミック酸が析出しない範
囲で併用することができる。

【００２０】前記併用できる他の有機溶媒としては、例
えば、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロ
ピルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコ
ール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオー
ル、トリエチレングリコール、エチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジエチルエーテル、エチレングリコー
ルメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテ
ル、エチレングリコール−ｎ−プロピルエーテル、エチ
レングリコール−ｉ−プロピルエーテル、エチレングリ
コール−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールジメ
チルエーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセ
テート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサ
ン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、１，４
−ジクロロブタン、トリクロロエタン、クロルベンゼ
ン、ｏ−ジクロルベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オク
タン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることが
できる。

【００２１】以上のようにしてテトラカルボン酸二無水
物とジアミン化合物とを重縮合させることにより、本発
明における（Ａ）成分の有機溶媒可溶性のポリイミドの
中間生成物であるポリアミック酸の有機溶媒溶液が得ら
れる。

【００２２】得られるポリアミック酸は、その対数粘度
（η_Ｉｎ）の値が、典型的には、０．０５〜１０ｄｌ／
ｇ、好ましくは０．０５〜５ｄｌ／ｇである。

【００２３】ここで、対数粘度（η_Ｉｎ）の値は、Ｎ−
メチル−２−ピロリドンを溶媒として用い、濃度が０．
５ｇ／１００ミリリットルである溶液の流下時間と、該
溶媒の流下時間を、３０℃で測定して、下記式により求
められるものである。 η_Ｉｎ＝Ｉｎ（溶液の流下時間／溶媒の流下時間）÷
（溶液の濃度）

【００２４】＜有機溶媒可溶性のポリイミドの生成＞本
発明における（Ａ）成分である有機溶媒可溶性のポリイ
ミドは、前記ポリアミック酸を脱水閉環することにより
合成することができる。

【００２５】ポリアミック酸の脱水閉環反応は、（イ）
ポリアミック酸の有機溶媒溶液を加熱し、副生する水を
共沸留去する加熱イミド化法、または（ロ）ポリアミッ
ク酸の有機溶媒溶液に脱水剤および脱水閉環触媒を添加
し、必要に応じて加熱して反応させる化学イミド化法に
より行うことができる。

【００２６】前記（イ）の方法における反応温度は、典
型的には、５０〜４００℃、好ましくは１００〜２５０
℃とすることができる。反応温度が５０℃未満では、脱
水閉環反応が十分に進行せず、一方反応温度が４００℃
を超えると、得られるポリイミドの分子量が低下する場
合がある。

【００２７】また、（イ）の方法においては、副生する
水の除去を容易とするため、水と共沸し、特に反応系外
で水と容易に分離しうる成分、例えばベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒を脱水剤として
存在させることもできる。

【００２８】さらに、脱水閉環を促進するために、第三
級アミン、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミ
ン等の脂肪族第三級アミン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン等の芳香族第三級アミン
類；ピリジン、キノリン、イソキノリン等の複素環式第
三級アミン類等の触媒を、ポリアミック酸１００重量部
当たり、例えば１０〜４００重量部添加することもでき
る。

【００２９】次に、前記（ロ）の方法において、脱水剤
としては、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水
トリフルオロ酢酸等の酸無水物を用いることができる。

【００３０】脱水剤の使用量は、ポリアミック酸の繰返
し単位１モルに対して、０．０１〜２０モルが好まし
い。

【００３１】また、脱水閉環触媒としては、例えば、ピ
リジン、コリジン、ルチジン、トリエチルアミン等の第
三級アミン類を用いることができるが、これらに限定さ
れるものではない。

【００３２】脱水閉環触媒の使用量は、使用する脱水剤
１モルに対して、０．０１〜１０モルが好ましい。

【００３３】（ロ）の方法における反応温度は、典型的
には、０〜１８０℃、好ましくは１０〜１５０℃であ
る。

【００３４】（イ）および（ロ）の方法に使用される有
機溶媒としては、ポリアミック酸の合成に用いられる有
機溶媒と同様のものを挙げることができる。

【００３５】また、（イ）および（ロ）の方法により得
られる反応溶液を大量の貧溶媒中に注いで、ポリイミド
を析出させ、この析出物を減圧下乾燥することにより、
ポリイミドを固体として得ることができる。さらには、
この固体ポリイミドを再び有機溶媒に溶解させ、次いで
貧溶媒中に注いで析出させる処理を１回以上行うことに
より、ポリイミドを精製することができる。

【００３６】＜有機溶媒可溶性のポリイミドの一態様＞
本発明における（Ａ）成分である有機溶媒可溶性のポリ
イミドは、分子量が調節された末端修飾型のものであっ
てもよい。

【００３７】このような末端修飾型ポリイミドは、ポリ
アミック酸を合成する際に、カルボン酸−無水物、モノ
アミン化合物、アミノ酸、モノイソシアネート化合物等
を反応系に添加することにより合成することができる。

【００３８】前記カルボン酸−無水物としては、例え
ば、無水マイレン酸、無水フタル酸、３−ヒドロキシフ
タル酸無水物、無水イタコン酸、ｎ−デシルこはく酸無
水物、ｎ−ドデシルこはく酸無水物、ｎ−テトラデシル
こはく酸無水物、ｎ−ヘキサデシルこはく酸無水物、ナ
フタレンジカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物等
を挙げることができる。

【００３９】また、前記モノアミン化合物としては、例
えば、アニリン、シクロヘキシルアミン、ｎ−ブチルア
ミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−
ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミ
ン、ｎ−デシルアミン、ｎ−ウンデシルアミン、ｎ−ド
デシルアミン、ｎ−トリデシルアミン、ｎ−テトラデシ
ルアミン、ｎ−ペンタデシルアミン、ｎ−ヘキサデシル
アミン、ｎ−ヘプタデシルアミン、ｎ−オクタデシルア
ミン、ｎ−エイコシルアミン等を挙げることができる。

【００４０】また、前記アミノ酸としては、例えば、ア
ラニン、シスチン、ロイシン、リシン、メチオニン、フ
ェニルアラニン、プロリン、セリン、スレオニン、トリ
プトファン、バリン等を挙げることができる。

【００４１】また、前記モノイソシアネート化合物とし
ては、例えば、フェニルイソシアネート、１−ナフチル
イソシアネート等を挙げることができる。

【００４２】＜反応性基（ａ）を有するポリイミド＞本
発明における（Ａ）成分である有機溶媒可溶性のポリイ
ミドは、例えば、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、
スルホン酸基、アミド基、エポキシ基、イソシアネート
基等の反応性基（ａ）を１種以上有することができる。

【００４３】本発明における反応性基（ａ）を有するポ
リイミドにおいては、その反応性基（ａ）を、後述する
（Ｂ）成分中の反応性基（ｂ）と反応しうるものとする
ことが好ましく、それにより、該ポリイミドと（Ｂ）成
分とが結合して同一粒子内に含む粒子を得ることができ
る。

【００４４】このようなポリイミドは、反応性基（ａ）
を、典型的には、０．１〜５０モル％、好ましくは、
０．２〜３０モル％、さらに好ましくは、０．５〜２０
モル％含有することが望ましい。

【００４５】反応性基（ａ）を有するポリイミドの合成
方法としては、例えば、（ハ）ポリアミック酸中に存在
するアミド酸基（即ち、反応原料のテトラカルボン酸二
無水物およびジアミン化合物から形成される遊離カルボ
キシル基とアミド基）を脱水閉環反応後に残存させる方
法、（ニ）ポリアミック酸の合成に使用されるカルボン
酸二無水物、ジアミン化合物、カルボン酸−無水物、モ
ノアミン化合物等の反応原料として、反応性基（ａ）を
有する化合物を使用し、脱水閉環反応後に反応性基
（ａ）を残存させる方法等を挙げることができる。

【００４６】前記（ハ）の方法は、ポリアミック酸の脱
水閉環反応時に、加熱イミド化法においては、反応時間
と反応温度を適切にコントロールすることにより、その
イミド化率を調整することにより実施でき、また前記
（ニ）の方法は、反応性基（ａ）が脱水閉環反応に関与
する場合、加える脱水剤や脱水閉環触媒の量を調製する
ことにより、イミド化率を調整することにより実施する
ことができる。なお、（ニ）の方法で反応性基（ａ）が
脱水閉環反応に関与しない場合は、反応条件を特に調整
する必要がない。これらの方法のうち、そのイミド化率
の調整の簡便さから、一般に（ニ）の方法が好ましい。

【００４７】以上のようにして得られる有機溶媒可溶性
のポリイミドは、その対数粘度（η _Ｉｎ）の値が、典型
的には、０．０５〜１０ｄｌ／ｇ、好ましくは０．０５
〜５ｄｌ／ｇである。ここで、対数粘度（η_Ｉｎ）は、
前記ポリアミック酸の対数粘度（η_Ｉｎ）と同様の方法
により測定される。

【００４８】（Ｂ）成分（親水性ポリマー） 本発明の電子部材における（Ｂ）成分は、親水性基とし
て、例えば、アミノ基、カルボキシル基、水酸基、スル
ホン酸基、アミド基等を１種以上有し、水に対する２０
℃の溶解度が、典型的には、０．０１ｇ／１００ｇ以
上、好ましくは０．０５ｇ／１００ｇ以上である親水性
ポリマーからなる。

【００４９】また、本発明における（Ｂ）成分である親
水性ポリマーは、前記親水性基に加えて、前記（Ａ）成
分中の反応性基（ａ）と反応しうる反応性基（ｂ）を１
種以上有することが好ましい。

【００５０】このような反応性基（ｂ）としては、例え
ば、エポキシ基、イソシアネート基、カルボキシル基の
ほか、前記親水性基と同様のアミノ基、水酸基、スルホ
ン酸基、アミド基等を挙げることができる。

【００５１】このような本発明の（Ｂ）成分である親水
性ポリマーは、前記（Ａ）成分の有機溶媒可溶性のポリ
イミドと共に同一粒子内に混在することにより、該粒子
を水性媒体中に安定した状態で分散させる作用を示すも
のと考えられる。

【００５２】本発明の（Ｂ）成分である親水性ポリマー
のうち好ましいものは、親水性基を有するモノビニル単
量体（以下、「親水性単量体」という）の単独重合体、
あるいは親水性単量体単位を、典型的には、０．１〜８
０重量％、好ましくは、１〜６０重量％、さらに好まし
くは３〜５０重量％含有する共重合体が望ましく、特に
親水性単量体の共重合体が望ましい。

【００５３】さらに、本発明の（Ｂ）成分である親水性
ポリマーのうち好ましいものは、前記（Ａ）成分中の反
応性基（ａ）と反応しうる反応性基（ｂ）を有するモノ
ビニル単量体（以下、「反応性単量体」という）を、典
型的には、０．１〜３０重量％、好ましくは、０．２〜
２０重量％、さらに好ましくは、０．５〜１５重量％含
有する共重合体が望ましい。

【００５４】本発明の好適態様において（Ｂ）成分であ
る親水性ポリマーを構成する前記親水性単量体あるいは
反応性単量体のうち、アミノ基含有単量体としては、例
えば、２−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレー
ト、２−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、
２−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、３
−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート等のア
ミノアルキル基含有（メタ）アクリレート類；２−（２
−ジメチルアミノエトキシ）エチル（メタ）アクリレー
ト、２−（２−ジエチルアミノエトキシ）エチル（メ
タ）アクリレート、２−（２−ジメチルアミノエトキ
シ）プロピル（メタ）アクリレート、３−（２−ジメチ
ルアミノエトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の
アミノアルコキシアルキル基含有（メタ）アクリレート
類；Ｎ−（２−ジメチルアミノエチル）（メタ）アクリ
ルアミド、Ｎ−（２−ジエチルアミノエチル）（メタ）
アクリルアミド、Ｎ−（２−ジメチルアミノプロピル）
（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（３−ジメチルアミノプ
ロピル）（メタ）アクリルアミド等のＮ−アミノアルキ
ル基含有（メタ）アクリルアミド類；ｐ−ジメチルアミ
ノメチルスチレン、ｐ−ジエチルアミノメチルスチレ
ン、ｐ−ジメチルアミノメチル−α−メチルスチレン、
ｐ−ジエチルアミノメチル−α−メチルスチレン、ｐ−
（２−ジメチルアミノエチル）スチレン、ｐ−（２−ジ
エチルアミノエチル）スチレン、ｐ−（２−ジメチルア
ミノエチル）−α−メチルスチレン、ｐ−（２−ジエチ
ルアミノエチル）−α−メチルスチレン、２−ビニルピ
リン、４−ビニルピリン等のアミノ基含有芳香族ビニル
化合物；グリシジル（メタ）アクリレートと第一級また
は第二級のアミン化合物との付加物等や、これらの単量
体中のアミノ基を中和あるいは四級化した塩等を挙げる
ことができる。

【００５５】本発明の好適態様において（Ｂ）成分であ
る親水性ポリマーを構成する前記親水性単量体あるいは
反応性単量体のうち、カルボキシル基含有単量体として
は、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、けい皮
酸、マイレン酸、フマル酸、イタコン酸等の不飽和カル
ボン酸類やこれらの塩；マレイン酸モノメチルエステ
ル、マレイン酸モノエチルエステル、フマル酸モノメチ
ルエステル、フマル酸モノエチルエステル等の不飽和ポ
リカルボン酸の遊離カルボキシル基含有エステル類やこ
れらの塩；こはく酸のモノ（２−（メタ）アクリロイル
オキシエチル）エステル、フタル酸のモノ（２−（メ
タ）アクリロイルオキシエチル）エステル等の非重合性
ジカルボン酸のモノ（２−（メタ）アクリロイルオキシ
アルキル）エステル類やこれらの塩等を挙げることがで
きる。

【００５６】本発明の好適態様において（Ｂ）成分であ
る親水性ポリマーを構成する前記親水性単量体あるいは
反応性単量体のうち、水酸基含有単量体としては、例え
ば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−
ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロ
キシプロピル（メタ）アクリレート、Ｎ−メチロール
（メタ）アクリルアミド、フタル酸の２−（メタ）アク
リロイルオキシエチル、２−ヒドロキシエチルジエステ
ル等を挙げることができ、スルホン酸基含有ビニル系単
量体としては、例えば、ｐ−スチレンスルホン酸、ｐ−
α−メチルスチレンスルホン酸、スルホン化イソプレン
やこれらの塩等を挙げることができ、アミド基含有単量
体としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、クロト
ン酸アミド、けい皮酸アミド、マレイン酸ジアミド、フ
マル酸ジアミド等を挙げることができる。

【００５７】本発明の好適態様において（Ｂ）成分であ
る親水性ポリマーを構成する反応性単量体のうち、ま
た、エポキシ基含有単量体としては、例えば、グリシジ
ル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル、
３，４−エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート
等を挙げることができる。

【００５８】本発明の好適態様において（Ｂ）成分であ
る親水性ポリマーを構成する反応性単量体のうち、イソ
シアネート基含有単量体としては、例えば、２−イソシ
アナトエチル（メタ）アクリレート、２−イソシアナト
プロピル（メタ）アクリレート、３−イソシアナトプロ
ピル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。

【００５９】これらの親水性単量体および反応性単量体
は、単独でまたは２種以上を混合して使用することがで
きる。

【００６０】また、本発明の好適態様において（Ｂ）成
分である親水性ポリマーを構成する親水性単量体あるい
は反応性単量体と共重合しうる他のモノビニル単量体と
しては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル
（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレ
ート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル
（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレー
ト、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル
（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレ
ート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウ
リル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリ
レート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート等の（シ
クロ）アルキル（メタ）アクリレート類；２−メトキシ
エチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メ
タ）アクリレート、２−メトキシプロピル（メタ）アク
リレート、３−メトキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、２−メトキシブチル（メタ）アクリレート、３−メ
トキシブチル（メタ）アクリレート、４−メトキシブチ
ル（メタ）アクリレート、ｐ−メトキシシクロヘキシル
（メタ）アクリレート等のアルコキシ（シクロ）アルキ
ル（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリ
ル、シアン化ビニリデン、クロトンニトリル、２−シア
ノエチル（メタ）アクリレート、２−シアノプロピル
（メタ）アクリレート、３−シアノプロピル（メタ）ア
クリレート等のシアノ基含有単量体類；Ｎ−メトキシメ
チル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エトキシメチル（メ
タ）アクリルアミド、Ｎ−（２−メトキシエチル）（メ
タ）アクリルアミド、Ｎ−（３−メトキシプロピル）
（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（４−メトキシブチル）
（メタ）アクリルアミド等の前記アミド基含有単量体の
Ｎ−アルコキシアルキル置換誘導体類；トリフルオロエ
チル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロプロピル
（メタ）アクリレート、ヘプタフルオロブチル（メタ）
アクリレート等のフルオロアルキル（メタ）アクリレー
ト類；トリメチルシロキサニルジメチルシリルプロピル
（メタ）アクリレート、トリス（トリメチルシロキサニ
ル）シリルプロピル（メタ）アクリレート、ジ（メタ）
アクリロイルプロピルジメチルシリルエーテル等のシロ
キサニル化合物類；スチレン、ｏ−ビニルトルエン、ｍ
−ビニルトルエン、ｐ−ビニルトルエン、ｐ−エチルス
チレン、α−メチルスチレン、α−フルオロスチレン等
のモノビニル芳香族化合物；塩化ビニル、塩化ビニリデ
ン等のハロゲン化ビニル化合物；酢酸ビニル、プロピオ
ン酸ビニル等のビニルエステル類；エチレン、ブタジエ
ン、イソプレン等の不飽和脂肪族炭化水素類のほか、シ
リコン変性モノマー、マクロモノマー等を挙げることが
できる。前記他のモノビニル単量体は、単独でまたは２
種以上を混合して使用することができる。

【００６１】さらに、得られる共重合体の親水性を過度
に損なわない範囲の量で、例えば、ジビニルベンゼン、
ジイソプロペニルベンゼン等のポリビニル芳香族化合
物；エチレンビス（メタ）アクリルアミド、トリメチレ
ンビス（メタ）アクリルアミド、 テトラメチレンビス
（メタ）アクリルアミド等のビス（メタ）アクリルアミ
ド類；エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジ
エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチ
レングリコールジアクリレート、プロピレングリコール
ジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ
（メタ）アクリレート、１，３−ブチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ
（メタ）アクリレート、１，６−ヘキシレングリコール
ジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ
（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）ア
クリロキシプロピオキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）
プロパン等のジ（メタ）アクリレート類；グリセリント
リ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ
（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メ
タ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メ
タ）アクリレート、ジ−トリメチロールプロパンテトラ
アクリレート等の３個以上の（メタ）アクリロキシ基を
有する単量体等の１種以上の架橋性単量体を共重合させ
ることもできる。

【００６２】本発明の（Ｂ）成分である親水性ポリマー
は、例えば、ラジカル重合開始剤を用い、必要に応じて
連鎖移動剤の存在下における公知の溶液重合などにより
製造することができる。この溶液重合に用いる重合媒体
としては、例えば、水、極性溶剤、水と極性溶媒との混
合媒体等を挙げることができる。この極性溶媒として
は、例えば、アセトニトリル、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラ
クトン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルトリ
アミド、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、
酢酸ｎ−ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３
−エトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオ
ン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、しゅう
酸ジエチル、マロン酸ジエチル、乳酸エチル、乳酸ブチ
ル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチル
ケトン、シクロヘキサノン、エチレングリコール、１，
３−プロピレングリコール、１，４−ブチレングリコー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、
ポリエチレングリコール２００、ポリエチレングリコー
ル４００、ポリエチレングリコール６００、ポリエチレ
ングリコール１５００、グリセリン、Ｎ−メチロールピ
ロリドン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコール
モノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル、ジエチレングリコールジエーテル、メタノール、
エタノール等を挙げることができる。これらの極性溶媒
は、単独でまたは２種以上を混合して使用することがで
きる。

【００６３】また、本発明における親水性ポリマーとし
ては、好ましくは水に対する前記溶解度条件を満たす公
知の親水性ポリマー、例えば、ポリビニルピロリドン、
ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ポリスチレン
のスルホン化物、スチレン−イソプレン共重合体のスル
ホン化物等を使用することもできる。

【００６４】本発明における親水性ポリマーのゲルパー
ミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による数平
均分子量（以下、「Ｍｎ」という）は、典型的には、
１，０００〜１００，０００、好ましくは３，０００〜
２０，０００である。

【００６５】前記親水性ポリマーは、単独でまたは２種
以上を混合して使用することができる。本発明の（Ｂ）
成分である親水性ポリマーは、溶液あるいは固体として
電着層形成液の調製に使用される。

【００６６】導電性基板 本発明による電子部材に用いられる導電性基板は、従来
から一般的に用いられているものであれば特に限定され
ない。例えば、半導体パッケージ用リードフレーム、半
導体パッケージ用基板、コネクター、半導体装置用検査
用治具において用いられたものを用いることができる。

【００６７】本発明では、銅、ステンレス、銀、金、ニ
ッケル、クロム、亜鉛、鉛、錫、白金などを用いること
ができる。

【００６８】導電性材料 本発明による電子部材に用いられる導電性材料層の材料
は、配線板や多層配線板に一般に用いられているもので
あれば特に限定されない。好ましくは、めっき法などの
電着法により薄膜形成が可能なものであり、たとえば、
銅、銀、金、ニッケル、クロム、亜鉛、鉛、錫、白金な
どを用いることができる。

【００６９】電子部材の製造方法 本発明による電子部材は、導電性基材の表面の少なくと
も一部に絶縁樹脂層が設けられ、この絶縁樹脂層上に導
電性材料が設けられてなる電子部材であって、前記絶縁
樹脂層が（Ａ）有機溶媒可溶性のポリイミドと（Ｂ）親
水性ポリマーとからなるものであり、かつ前記導電性材
料が前記絶縁樹脂層の物理処理および／または化学処理
と同時に、または処理後に、形成されたものであること
を特徴とするものである。

【００７０】図１は、このような電子部材の製造法の好
ましい一例の概要を示すものである。

【００７１】図１（ａ）には、導電性基材（１）の断面
を示されている。この図１（ａ）の導電性基材（１）に
はスルーホールが設けられている。

【００７２】この導電性基材（１）の表面には、図１
（ｂ）に示されるように、絶縁樹脂層（２）が設けられ
る。この絶縁樹脂層（２）が電着法で形成されたもので
ある場合、その導電性基材（１）のスルーホール内壁面
にも絶縁樹脂層（２）が形成される。

【００７３】そして、この絶縁樹脂層（２）は物理処理
または化学処理によってその表面が処理され（図１
（ｃ））、次いで導電性材料（３）が絶縁樹脂層（２）
上に設けられ、本発明による電子部材が製造される。

【００７４】このようにして得られた電子部材は、その
後、所望の配線パターンが得られるようにレジスト
（４）を設けた後（図２（ａ）、電解メッキ層（５）を
設け（図２（ｂ））、レジストを剥離し（図２
（ｃ））、次いで、フラッシュエッチング処理によっ
て、前記の導電性材料（３）を除去すれば、導電性基材
（１）に、絶縁樹脂層（２）、導電性材料（３）および
電解メッキ層が順次形成された電子部材を得ることがで
きる。

【００７５】電着層形成液 本発明の電子部材に用いることのできる電着層形成液
は、（Ａ）有機溶媒可溶性のポリイミドと（Ｂ）親水性
ポリマーを同一粒子内に含み、平均粒子径が０．０３〜
５μｍ、好ましくは０．０５〜３μｍである粒子から構
成される水性分散体からなるものを主成分とする。

【００７６】（成分ＡとＢの割合）本発明の電子部材に
用いることのできる電着層形成液における有機溶剤可溶
性のポリイミドと親水性ポリマーとの使用割合は、有機
溶剤可溶性のポリイミドが、典型的には、２０〜９０重
量％、好ましくは３０〜８０重量％であり、親水性ポリ
マーが、典型的には、８０〜１０重量％、好ましくは７
０〜２０重量％である。この場合、ポリイミドが２０重
量％未満で、親水性ポリマーが８０重量％を超えると、
水性分散体から得られる硬化物の電気絶縁性が低下する
傾向があり、またポリイミドが９０重量％を超え、親水
性ポリマーが１０重量％未満では、得られる水性分散体
の保存安定性が低下する傾向がある。

【００７７】本発明の電子部材に用いることのできる電
着層形成液における水性媒体とは、水を主成分とする媒
体を意味する。この場合、水性媒体中における水の含有
率は、典型的には、４０重量％以上、好ましくは５０重
量％以上である。場合により水と共に使用される他の媒
体としては、例えば、前記ポリアミック酸あるいはポリ
イミドの合成に使用される非プロトン性極性溶媒、エス
テル類、ケトン類、フェノール類や、前記親水性ポリマ
ーの合成に使用される極性溶媒と同様のものを挙げるこ
とができる。

【００７８】電着層形成液の製造方法 本発明の電子部材に用いることのできる電着層形成液の
製造方法としては、前記所定の水性分散体が得られる限
り特に限定されるものではないが、例えば、（Ｉ）有機
溶媒可溶性のポリイミドと親水性ポリマーとを、有機溶
媒中にて溶液状態で混合したのち、この混合溶液を水性
媒体中に分散させて混合して、所定の平均粒子径の粒子
とし、場合により有機溶媒の少なくとも一部を除去する
方法、（II）溶液から分離された有機溶媒可溶性のポリ
イミドと親水性ポリマーとを、固体状態で混合して、所
定の平均粒子径の粒子としたのち、該粒子を水性媒体中
に分散させる方法等を挙げることができるが、特に
（Ｉ）の方法が好ましい。これらの方法は、必要に応じ
て加熱下で実施することができる。

【００７９】以下、本発明に用いることのできる電着層
形成液の製造方法を、前記（Ｉ）の方法を中心としてさ
らに具体的に説明する。

【００８０】有機溶媒可溶性のポリイミドと親水性ポリ
マーとを有機溶媒中にて溶液状態で混合する方法として
は、例えば、（i）別々に調製したポリイミドの溶液と
親水性ポリマーの溶液とを混合する方法、（ii）ポリイ
ミドと親水性ポリマーのいずれか一方の溶液に、他方を
固体として添加して混合溶解する方法、（iii）ポリイ
ミドと親水性ポリマーをともに固体として有機溶媒に添
加して、混合溶解する方法等を挙げることができるが、
特に（ｉ）の方法が好ましい。

【００８１】ポリイミドと親水性ポリマーとを溶液状態
で混合する際に使用される有機溶媒としては、ポリイミ
ドおよび親水性ポリマーに対して不活性であり、かつこ
れらを溶解しうる限り、特に限定されるものでないが、
例えば、前記ポリアミック酸あるいはポリイミドの合成
に使用される非プロトン性極性溶媒、エステル類、ケト
ン類、フェノール類や、前記親水性ポリマーの合成に使
用される極性溶媒等を挙げることができる。これらの有
機溶媒は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。また、（ｉ）の方法の場合、ポリイミドの
溶液と親水性ポリマーの溶液に使用される有機溶媒は、
同一でも異なってもよい。

【００８２】さらに、（i）〜（iii）の方法により得ら
れる混合溶液には、目的に応じて他の化合物を添加する
ことができる。

【００８３】この有機溶媒可溶性のポリイミドと親水性
ポリマーとの混合溶液に加えることのできる化合物とし
ては、例えば、エポキシ化ポリブタジエン、ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、ナフタレン系エポキシ樹脂、フ
ルオレン系エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、
グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ化合
物；トリレンジイソシアネート等のジイソシアネート化
合物やそのブロック化物；高密度ポリエチレン、中密度
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポ
リアリレート、脂肪族ポリアミド、ポリアミドイミド、
ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケ
トン、ポリフェニレンスルフィド、（変性）ポリカルボ
ジイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、
変性ポリフェニレンオキシド等の熱可塑性あるいは熱硬
化性の樹脂等を挙げることができる。これらの化合物
は、単独でまたは２種以上を混合して使用することがで
きる。

【００８４】有機溶媒可溶性のポリアミドと親水性ポリ
マーとの混合溶液の濃度は、両成分の合計量として、好
ましくは５〜６０重量％、さらに好ましくは１０〜５０
重量％である。

【００８５】有機溶媒可溶性のポリイミドと親水性ポリ
マーとを溶液状態で混合する際には、例えば、攪拌翼、
リボン、スクリュウ等の適宜の混合手段を採用すること
ができる。また、混合条件は、回転数が、典型的には、
１０〜５０，０００ｒｐｍ、好ましくは２０〜５，００
０ｒｐｍである。

【００８６】また、有機溶媒可溶性のポリイミドと親水
性ポリマーとを溶液状態で混合する際には、必要に応じ
て界面活性剤を適量添加することもできる。但し、得ら
れる電着層形成液を絶縁材として使用する場合は、界面
活性剤が絶縁耐久性を低下させる要因ともなることがあ
るため、その使用量を極力少なくすることが好ましい。

【００８７】さらに、本発明においては、電着層形成液
のｐＨを、好ましくは４〜１０、さらに好ましくは５〜
９とすることが望ましく、それにより、保存安定性が特
に優れた水性分散体を得ることができる。

【００８８】このようなｐＨ調整は、例えば、（iv）有
機溶媒可溶性のポリイミドと親水性ポリマーとの混合溶
液に、必要量のｐＨ調整剤を添加したのち、水性媒体中
に分散させる方法、（v）有機溶媒可溶性のポリイミド
と親水性ポリマーとの混合溶液を、必要量のｐＨ調整剤
を添加した水性媒体中に分散させる方法、（vi）有機溶
媒可溶性のポリイミドと親水性ポリマーとの混合溶液を
水性媒体中に分散させながら、必要量のｐＨ調整剤を添
加する方法等により実施することができるが、特に（i
v）の方法が好ましい。なお、前記（ii）の方法におい
てｐＨ調整する際には、予め必要量のｐＨ調整剤を水性
媒体中に添加しておけばよい。

【００８９】前記ｐＨ調整剤としては、特に限定される
ものではなく、例えば、アンモニア、トリエチルアミ
ン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウ
ム、アルカノールアミン等の有機または無機の塩基；ぎ
酸、酢酸、酪酸、塩酸、硫酸等の有機または無機のプロ
トン酸等を挙げることができる。これらのｐＨ調整剤
は、有機溶媒可溶性のポリイミド中の反応性基（ａ）あ
るいは親水性ポリマー中の親水性基や反応性基（ｂ）の
種類や、これらの組み合せ等に応じて使い分けられる。

【００９０】次に、有機溶媒可溶性のポリイミドと親水
性ポリマーとの混合溶液を水性媒体中に分散させる際に
は、該混合溶液に水性媒体を添加しても、あるいは該混
合溶液を水性媒体に添加してもよいが、特に後者の方法
が好ましい。

【００９１】有機溶媒可溶性のポリイミドと親水性ポリ
マーとの混合溶液を水性媒体中に分散させる際には、例
えば、攪拌翼、リボン、スクリュウ等の適宜の混合手段
を採用することができる。また、混合条件は、電着層形
成液の固形分濃度、分散粒子の所望の平均粒子径等によ
って変わるが、回転数が、典型的には、１０〜５０，０
００ｒｐｍ、好ましくは２０〜５，０００ｒｐｍであ
る。

【００９２】電着層形成液を調製する際に、水以外の有
機溶媒あるいは媒体を除去する方法としては、例えば、
蒸留、限外ろ過等を挙げることができる。

【００９３】本発明の電子部材形成に用いることのでき
る電着層形成液における水性媒体の合計使用量は、有機
溶媒可溶性のポリイミドと親水性ポリマーとの合計１０
０重量部に対して、好ましくは１０〜１０，０００重量
部、さらに好ましくは２０〜５，０００重量部である。
本発明の電子部材形成に用いることのできる電着層形成
液における粒子の平均粒子径は、０．０３〜５μｍ、好
ましくは０．０５〜２μｍである。この場合、粒子の平
均粒子径が０．０３μｍ未満では、水性分散体としたと
きの粘度が高くなりすぎ、また５μｍを超えると、水性
分散体としての保存安定性が低下して、粒子が沈降しや
すくなる。この平均粒子径は、公知の光学的方法や電子
顕微鏡により測定することができる。

【００９４】さらに、本発明においては、電着層形成液
を製造する際に、有機溶媒可溶性のポリイミド中の反応
性基（ａ）と親水性ポリマー中の反応性基（ｂ）とを適
切に組み合せて、該ポリイミドと該親水性ポリマーと
を、有機溶媒中にて溶液状態で混合して、必要に応じて
加熱しつつ、反応させたのち、この反応溶液と水性媒体
とを混合し、場合により有機溶媒の少なくとも一部を除
去することにより、該ポリイミドと該親水性ポリマーと
を相互に結合して同一粒子内に含み、前記所定の平均粒
子径を有する粒子を、水性媒体中に分散させることによ
り、水系分散体としての保存安定性および硬化物の諸物
性に著しく優れた電着層形成液を製造することができ
る。

【００９５】添加剤 本発明の電子部材形成に用いることのできる電着層形成
液には、必要に応じて各種の添加剤を配合することがで
きる。このような添加剤としては、例えば、エポキシ化
ポリブタジエン、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナ
フタレン系エポキシ樹脂、フルオレン系エポキシ樹脂、
ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポ
キシ樹脂等のエポキシ化合物；トリレンジイソシアネー
ト等のジイソシアネート化合物やそのブロック化物；高
密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート、ポリアリレート、脂肪族ポリア
ミド、ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポリエーテル
スルホン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンスルフ
ィド、（変性）ポリカルボジイミド、ポリエーテルイミ
ド、ポリエステルイミド、変性ポリフェニレンオキシド
等の熱可塑性あるいは熱硬化性の樹脂等を挙げることが
できる。

【００９６】また、他の添加剤としては、例えば、クレ
ー、ゼオライト、タルク、マイカ、シリカ、カーボンブ
ラック、グラファイト、アルミナ、炭酸カルシウム、酸
化チタン、ワラストナイト等の充填剤や、ガラス、カー
ボン、アルミナ、チタン酸カリウム、ほう酸アルミニウ
ム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、芳香族ポリアミド、ポリ
アミドイミド、ポリイミド、全芳香族ポリエステル、超
高分子量ポリエチレン、フッ素樹脂、高強度ポリアクリ
ロニトリル、高強力ポリビニルアルーコル等の繊維ある
いはウイスカー等の補強材を挙げることができる。ま
た、前記補強材は、例えば、織布、不織布、編み物等の
布帛の形で用い、該布帛に本発明の電子部材形成に用い
ることのできる電着層形成液を含浸させて使用すること
もできる。

【００９７】前記各添加剤は、それぞれ単独でまたは２
種以上を混合して使用することができる。

【００９８】さらに、前記以外の添加剤としては、例え
ば、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、
帯電防止剤、難燃剤、着色剤、滑剤、防曇剤、接着性改
善剤、防かび剤等を挙げることができる。

【００９９】また必要に応じて、少量の乳化剤や水溶性
分散剤を電着層形成液に添加することもできる。

【０１００】導電性材料の形成 導電性材料は、好ましくは無電解めっきによって絶縁樹
脂層に形成させることができる。導電性材料および無電
解めっき方法は、従来から配線板や多層配線板などの電
子部材に従来から用いられているものの中から適当なも
のと適宜選択して使用することができあたる。例えば、
銅、コバルト、銀、金、ニッケル、クロム、亜鉛、鉛、
錫、白金、などを用いることができる。このような無電
解めっきにあたっては、各種の還元剤、錯化剤、ｐＨ調
整剤、ｐＨ緩衝剤、安定剤、改良剤などを共存させるこ
とができる。また、触媒としては、塩化パラジウムが好
ましい。

【０１０１】物理処理および化学処理 前記の導電性材料は、物理処理および／または化学的処
理と同時に、処理後に、形成される。物理的処理の好ま
しいものとしては、ウェットブラスト処理および放電処
理、ＵＶ処理、プラズマ処理があり、化学的処理の好ま
しい例としては過マンガン酸塩溶液に浸漬することから
なるものがある。

【０１０２】具体的処理内容は適宜定めることができる
が、本発明で好ましいものを示せば下記の通りである。

【０１０３】ウェットブラスト処理） アルミナビーズや球状シリカの砥粒を水に混入した状態
で、吹きつけて粗面化する方法 放電処理）放電現象を利用した表面処理法。放電にはア
ーク放電・グロー放電・コロナ放電があり、処理は適宜
定めることができる。 プラズマ処理法）プラズマを利用した表面処理法。プラ
ズマを発生させる方法にはグロー放電処理とコロナ放電
処理がある。また、プラズマ中の励起不活性気体による
ＣＡＳＩＮＧ処理もできる。 ＵＶ処理）ＵＶ（紫外線）処理は２５５ｎｍ以下の低波
長成分を含むＵＶ（紫外線）光およびそれによってよれ
に発生したオゾンにより有機物表面を改質させる方法で
ある。 過マンガン酸塩溶液処理）過マンガン酸塩溶液処理の通
常の工程は、膨潤処理、過マンガン酸塩処理、中和処理
の３ステップから成り立っている。膨潤処理は樹脂を柔
らかくし、この柔らかになった樹脂を過マンガン酸塩処
理で酸化エッチングし粗面化させる。最後に中和処理に
て過マンガン酸塩の残さ物と反応生成物を中和除去す
る。

【０１０４】導電性材料は、物理処理および／または化
学的処理と同時にまたは処理後に形成される。ここで、
導電性材料を物理処理および／または化学的処理と同時
に形成されるとは、具体的には、イオンプレーティン
グ、真空蒸着、スパッタリングされるということを示す
ものである。

【０１０５】レジストの形成 本発明の電子部材に用いることのできるレジスト（４）
の形成方法および材料は、電気絶縁層をパターンニング
することが可能であれば、特に限定されない。この方法
としては、例えばフォトレジスト、スクリーン印刷、精
密ディスペンス、エッチングが挙げられる。このうち、
微細パターン形成に有利なフォトレジストを使用するこ
とが好ましい。また、材料は、絶縁性であれば有機膜、
無機膜を問わず適用することができるが、後の工程にお
いて耐酸性、耐溶剤性、耐電圧等が要求される場合があ
るため、このような特性を有するものを使用することが
より好ましい。特に好ましい具体例としては、環化ゴム
系フォトレジスト、熱硬化性を有するアクリル系レジス
ト、メラミン系レジスト、水溶性コロイド系フォトレジ
ストがあげられる。

【０１０６】本発明の電子部材に用いることのできる原
版に用いることのできる電気絶縁性のマスクパターンは
典型的には以下のように形成する。導電性基板の表面に
公知の方法でマスクを形成する。次いで所定パターンの
フォトマスクを介してマスクパターンに紫外線を照射
し、露光、現像する。かくして、導電性基板の表面に所
定パターンのマスクパターン及び非マスク部が形成され
る。

【０１０７】

【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態
をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの
実施例に何ら制約されるものではない。以下において、
特記しない限り、「部」および「％」は重量基準であ
る。

【０１０８】ポリイミドの合成 合成例１ テトラカルボン酸二無水物として３，３’，４，４’−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９
４ｇ（５０ミリモル）、４，４’−［２，２，２−トリ
フルオロメチル−１−（トリフルオロ）エチリデン］ビ
ス（１，２−ベンゼンジカルボン酸無水物）１７．７８
ｇ（４０ミリモル）および１，３，３ａ，４，５，９ｂ
−ヘキサヒドロ−５（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ
−３−フラニル）−ナフト［１，２−ｃ］−フラン−
１，３−ジオン３．００ｇ（１０ミリモル）、ジアミン
化合物として２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］プロパン３６．９５ｇ（９０ミリモル）
および式（１０）に対応するオルガノシロキサンＬＰ７
１００（商品名、信越化学製）２．４９ｇ（１０ミリモ
ル）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４５０ｇに溶解し
て、室温で１２時間反応させた。その後、この反応溶液
に、ピリジン３２ｇおよび無水酢酸７１ｇを添加し、１
００℃で３時間脱水閉環反応を行った。次いで、反応溶
液を減圧留去して精製し、対数粘度０．５１ｄｌ／ｇ、
イミド化率９５％で、５％のポリアミック酸を含む固形
分１０％のポリイミド（Ａ−１）の溶液を得た。

【０１０９】合成例２ テトラカルボン酸二無水物として３，３’，４，４’−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物３５．８
８ｇ（１００ミリモル）、ジアミン化合物として２，２
−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロ
パン３２．８４ｇ（８０ミリモル）、４，４’−ジアミ
ノジフェニルメタン１．９８ｇ（１０ミリモル）および
式（１０）に対応するオルガノシロキサンＸ−２２−１
６１ＡＳ（商品名、信越化学製）９．００ｇ（１０ミリ
モル）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５００ｇに溶解
して、室温で１２時間反応させた。その後、この反応溶
液に、ピリジン３２ｇおよび無水酢酸７１ｇを添加し、
１００℃で３時間脱水閉環反応を行った。次いで、反応
溶液を減圧留去して精製し、対数粘度０．４５ｄｌ／
ｇ、イミド化率９５％で、５％のポリアミック酸を含む
固形分１０％のポリイミド（Ａ−２）の溶液を得た。

【０１１０】合成例３ テトラカルボン酸二無水物として３，３’，４，４’−
ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物１７．９
４ｇ（５０ミリモル）および３，３’，４，４’−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物１６．１１（５０
ミリモル）、ジアミン化合物として２，２−ビス［４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン２８．７
４ｇ（７０ミリモル）、ジアミノ安息香酸（２０ミリモ
ル）および式（１０）に対応するオルガノシロキサンＸ
−２２−１６１ＡＳ（商品名、信越化学製）９．００ｇ
（１０ミリモル）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５０
０ｇに溶解して、室温で１２時間反応させた。その後、
この反応溶液に、ピリジン８ｇおよび無水酢酸１０ｇを
添加し、１００℃で３時間脱水閉環反応を行った。次い
で、反応溶液を減圧留去して精製し、対数粘度０．４８
ｄｌ／ｇ、イミド化率５０％で、５０％のポリアミック
酸を含む固形分１０％のポリイミド（Ａ−３）の溶液を
得た。

【０１１１】親水性ポリマーの合成 合成例４ γ−ブチロラクトン１００部を入れた反応容器を、窒素
ガス雰囲気下で８５℃に保持し、この反応容器に、ｎ−
ブチルアクリレート６５部、ジメチルアミノエチルアク
リレート３０部、グリシジルメタアクリレート５部およ
びアゾビスイソブチロニトリル１部からなる混合液を５
時間かけて連続的に添加しつつ、撹拌下で溶液重合を行
なった。滴下終了後、８５℃でさらに２時間撹拌を続け
て、溶液重合を完結させ、固形分５０％の親水性ポリマ
ー（Ｂ−１）の溶液を得た。

【０１１２】合成例５ γ−ブチロラクトン１００部を入れた反応容器を、窒素
ガス雰囲気下で８５℃に保持し、この反応容器に、ｎ−
ブチルアクリレート６５部、ジメチルアミノエチルアク
リレート３０部、イソシアナトエチルメタアクリレート
５部およびアゾビスイソブチロニトリル１部からなる混
合液を５時間かけて連続的に添加しつつ、撹拌下で溶液
重合を行なった。滴下終了後、８５℃でさらに２時間撹
拌を続けて、溶液重合を完結させ、固形分５０％の親水
性ポリマー（Ｂ−２）の溶液を得た。

【０１１３】合成例６ Ｎ−メチルピロリドン１００部を入れた反応容器を、窒
素ガス雰囲気下で８５℃に保持し、この反応容器に、ｎ
−ブチルアクリレート６０部、メチルメタアクリレート
５部、ジメチルアミノプロピルアクリルアミド３０部、
グリシジルメタアクリレート５部およびアゾビスイソブ
チロニトリル１部からなる混合液を５時間かけて連続的
に添加しつつ、撹拌下で溶液重合を行なった。滴下終了
後、８５℃でさらに２時間撹拌を続けて、溶液重合を完
結させ、固形分５０％の親水性ポリマー（Ｂ−３）の溶
液を得た。

【０１１４】合成例７ γ−ブチロラクトン１００部を入れた反応容器を、窒素
ガス雰囲気下で８５℃に保持し、この反応容器に、ｎ−
ブチルアクリレート６５部、スチレン５部、メタクリル
酸３０部およびアゾビスイソブチロニトリル１部からな
る混合液を５時間かけて連続的に添加しつつ、撹拌下で
溶液重合を行なった。滴下終了後、８５℃でさらに２時
間撹拌を続けて、溶液重合を完結させ、固形分５０％の
親水性ポリマー（Ｂ−４）の溶液を得た。

【０１１５】合成例８ Ｎ−メチルピロリドン１００部を入れた反応容器を、窒
素ガス雰囲気下で８５℃に保持し、この反応容器に、ｎ
−ブチルアクリレート６５部、メチルメタアクリレート
５部、アクリル酸３０部およびアゾビスイソブチロニト
リル１部からなる混合液を５時間かけて連続的に添加し
つつ、撹拌下で溶液重合を行なった。滴下終了後、８５
℃でさらに２時間撹拌を続けて、溶液重合を完結させ、
固形分５０％の親水性ポリマー（Ｂ−５）の溶液を得
た。

【０１１６】電着膜形成液の調製 調製例１ ポリイミド（Ａ−１）の溶液７０部（固形分）に対し
て、親水性ポリマー（Ｂ−１）の溶液３０部（固形分）
を添加して十分混合し、７０℃で３時間加熱したのち、
酢酸３部を徐々に添加して混合し、ｐＨ調整を行った。
次いで、蒸留水１０００部を徐々に添加しつつ強く撹拌
して、凝集物のない電着液Ａを得た。

【０１１７】調製例２ 親水性ポリマーとして（Ｂ−２）を用いた以外は、調製
例１と同様にして、電着液Ｂを得た。

【０１１８】調製例３ 親水性ポリマーとして（Ｂ−３）を用いた以外は、調製
例１と同様にして、電着液Ｃを得た。

【０１１９】調製例４ ポリイミドの量（Ａ-２）を５０部（固形分）、親水性
ポリマー（Ｂ−１）を３０部（固形分）および添加剤と
してエピコートＹＬ９８０（商品名、油化シェル製）２
０部（固形分）を用いた以外は、調製例１と同様にし
て、電着液Ｄを得た。

【０１２０】調製例５ ポリイミド（Ａ-３）を５０部（固形分）、親水性ポリ
マー（Ｂ−１）を３０部（固形分）および添加剤として
エピコートＹＸ４０００Ｈ（油化シェルエポキシ）を２
０部用いた以外は、調製例１と同様にして、電着液Ｅを
得た。

【０１２１】調製例６ ポリイミド(Ａ-１)を３０部（固形分）、親水性ポリマ
ー（Ｂ-２）を４０部（固形分量）および添加剤として
エピコートＸＬ９８０（商品名、油化シェルエポキシ
製）を３０部用いた以外は調製例１と同様にして、電着
液Ｆを得た。

【０１２２】調製例７ ポリイミドとして（Ａ−２）を５０部（固形分）、親水
性ポリマー（Ｂ―４）を３０部（固形分量）、添加剤と
してエピコートＹＸ４０００Ｈ（商品名、油化シェルエ
ポキシ製）を２０部（固形分）、ｐＨ調節剤としてトリ
エタノールアミンを用いた以外は、調製例１と同様にし
て、電着液Ｇを得た。

【０１２３】調製例８ ポリイミド（Ａ−３）を５０部（固形分）、親水性ポリ
マーとして（Ｂ−５）を３０部、添加剤としてエピコー
ト１００１（商品名、油化シェルエポキシ製）を２０部
（固形分）、ｐＨ調節剤としてトリエタノールアミンを
用いた以外は、調製例１と同様にして、電着液Ｈを得
た。

【０１２４】実施例１ １）電着被覆 金属基板（ＳＵＳ３０４、厚さ０.１ｍｍ）上にレジス
トを塗布し、露光現像によりパターンを両面に設け、塩
化第二鉄溶液にてエッチング、レジスト剥離を行い、２
００μｍの貫通穴を設けた。調整された電着液Ａ浴中
で、金属基板を陰極に、白金電極を陽極にして、温度２
５℃、極間４ｃｍ、電圧１５０Ｖを印加し、６０ｓｅｃ
で電着し、ウェット膜厚５０μｍの塗膜を得た。

【０１２５】２）乾燥、硬化 減圧下６０℃-１時間の乾燥の後、窒素雰囲気下で２５
０℃-１時間硬化処理を行い、絶縁被覆金属基板を得
た。

【０１２６】３）粗化処理 マコー（株）製ウェットブラスト装置にて、アルミナ砥
石、０.７ｋｇ/ｍ^２の水圧、１０ｍ/ｍｉｎの処理速度
で絶縁被覆金属基板に処理を行った。

【０１２７】４）無電解めっき 水洗後、下記の材料、工程で絶縁被覆金属基板に無電解
Ｎｉめっき処理を行った。 センタイジング：Ｓ−１０Ｘ（上村工業製）室温 ３
分 アクチベータ：Ａ-１０Ｘ（上村工業製）室温 ３分 無電解めっき：ＮＰＲ-４（上村工業製）８０℃ １
分 めっき層が約０.２μｍの無電解Ｎｉめっき層付き絶縁
被覆部材を得た。

【０１２８】５）レジストイメージング 上記無電解Ｎｉめっき付き絶縁被覆部材上に東京応化製
レジスト「ＰＭＥＲ-ＡＲ９００」を乾燥（８５℃-３０
分）後１０μｍの厚さで塗布。露光現像を行い、所定の
パターンを形成した。 乾燥条件：８５℃３０分 露光条件：３００ｍｊ／ｃｍ^２ 現像：Ｐ−６Ｇ（東京応化工業（株）製）３分浸漬

【０１２９】６）電解めっき 下記のめっき浴にて電解めっきを行い、銅の膜厚を１０
μｍにした。 銅めっき組成 硫酸銅５水和物 ７０ｇ／Ｌ 硫酸 ２００ｇ／Ｌ 塩酸 ０.５ｇ／Ｌ スーパースロー２０００光沢剤 １０ｍｌ／Ｌ スーパースロー２０００補正剤 ５ｍｌ／Ｌ 温度 ２５℃ 電流密度 ４Ａ／ｄｍ^２ 処理時間 １２分

【０１３０】７）レジスト剥離 アセトンに１分間浸漬することによって上記レジストの
剥離を行った。

【０１３１】８）余分な金属層の除去 余分なＮｉめっきはニムデンリップＣ−１１にて剥離。
触媒除去するために、アルメックス（株）製ＰＴＨパラ
ジウムリムーサーにて除去を行い電子部材を作製した。

【０１３２】実施例２ 実施例１の電着液Ａを、電着液Ｂに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１３３】実施例３ 実施例１の電着液Ａを、電着液Ｃに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１３４】実施例４ 実施例１の電着液Ａを、電着液Ｄに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１３５】実施例５ 実施例１の電着液Ａを、電着液Ｅに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１３６】実施例６ 実施例１の電着液Ａを、電着液Ｆに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１３７】実施例７ 実施例１の電着液Ａを、電着液Ｇに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１３８】実施例８ 実施例１の電着液Ａを、電着液Ｈに換えて１）電着被覆
時に金属基板を陽極に、白金電極を陰極にして電着し、
後は同様に電子部材を作製した。

【０１３９】実施例９ １）電着被覆 金属基板（ＳＵＳ３０４、厚さ０.１ｍｍ）上にレジス
トを塗布し、露光現像によりパターンを両面に設け、塩
化第二鉄溶液にてエッチング、レジスト剥離を行い、２
００μｍの貫通穴を設けた。調整された電着液浴中で、
温度２５℃、極間４ｃｍ、電圧１５０Ｖを印加し、６０
ｓｅｃで電着し、ウェット膜厚５０μｍの塗膜を得た。

【０１４０】２）乾燥、硬化 減圧下６０℃-１時間の乾燥の後、窒素雰囲気下で２５
０℃-１時間硬化処理を行い、絶縁被覆金属基板を得
た。

【０１４１】３）スパッタ工程 アネルバ（株）製：装置ＳＰＦ−５３０Ｈにて銅金属を
スパッタリングし、銅金属層が約０.２μｍの銅金属層
付き絶縁被覆部材を得た。

【０１４２】４）レジストイメージング 上記銅金属層付き絶縁被覆部材上に東京応化製レジスト
「ＰＭＥＲ-ＡＲ９００」を乾燥（８５℃-３０分）後１０
μｍの厚さで塗布。露光現像を行い、所定のパターンを
形成した。 乾燥条件：８５℃３０分 露光条件：３００ｍｊ／ｃｍ^２ 現像：Ｐ−６Ｇ（東京応化工業（株）製）３分浸漬

【０１４３】５）電解めっき 下記のめっき浴にて電解めっきを行い、銅の膜厚を１０
μｍにした。 銅めっき組成 硫酸銅５水和物 ７０ｇ／Ｌ 硫酸 ２００ｇ／Ｌ 塩酸 ０.５ｇ／Ｌ スーパースロー２０００光沢剤 １０ｍｌ／Ｌ スーパースロー２０００補正剤 ５ｍｌ／Ｌ 温度 ２５℃ 電流密度 ４Ａ／ｄｍ^２ 処理時間 １２分

【０１４４】６）レジスト剥離 アセトンに１分間浸積することによって上記レジストの
剥離を行った。

【０１４５】７）余分な金属層の除去 余分な銅めっきはエンプレートＡＤ−４８５（メルテッ
クス社製）でソフトエッチングして、電子部材を形成し
た。

【０１４６】実施例１０ 実施例９の電着液Ａを、電着液Ｄに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１４７】実施例１１ 実施例９の電着液Ａを、電着液Ｅに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１４８】実施例１２ 実施例９の電着液Ａを、電着液Ｆに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１４９】実施例１３ 実施例９の電着液Ａを、電着液Ｇに換えて同様に電子部
材を作製した。

【０１５０】実施例１４（コロナ放電） 実施例１の３）の粗化処理をウエットブラストの代わり
に、コロナ保電（＋極）５ＫＶで３分間処理した以外は
実施例１と同様に電子部材を作製した。

【０１５１】実施例１５ 実施例１４の電着液Ａを、電着液Ｄに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１５２】実施例１６ 実施例１４の電着液Ａを、電着液Ｅに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１５３】実施例１７ 実施例１４の電着液Ａを、電着液Ｆに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１５４】実施例１８ 実施例１４の電着液Ａを、電着液Ｇに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１５５】実施例１９（ＵＶ処理） 実施例１の３）の粗化処理をウエットブラストのかわり
に、ステージ温度１５０℃でＵＶ・オゾン処理（装置：
ＤＵＶ−１１００−２Ｂ／日本電池（株）製）３分間処
理した以外は実施例１と同様にして電子部材を作製し
た。

【０１５６】実施例２０ 実施例１９の電着液Ａを、電着液Ｄに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１５７】実施例２１ 実施例１４の電着液Ａを、電着液Ｅに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１５８】実施例２２ 実施例１４の電着液Ａを、電着液Ｆに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１５９】実施例２３ 実施例１４の電着液Ａを、電着液Ｇに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１６０】実施例２４（プラズマ処理） 実施例１の３）の粗化処理をウエットブラストの代わり
に、放電電流１５０ｍＡで酸素プラズマ処理を５分間施
した以外は実施例１と同様にして電子部材を作製した。

【０１６１】実施例２５ 実施例２４の電着液Ａを、電着液Ｄに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１６２】実施例２６ 実施例２４の電着液Ａを、電着液Ｅに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１６３】実施例２７ 実施例２４の電着液Ａを、電着液Ｆに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１６４】実施例２８ 実施例２４の電着液Ａを、電着液Ｇに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１６５】実施例２９（過マンガン酸塩処理） 実施例１の３）の粗化処理をウエットブラストの代わり
に、以下に示す工程を行った以外は実施例１と同様にし
て電子部材を作製した。

【０１６６】１）試料を、マキュダイザー９２０４（商
品名／日本マクダミッド株式会社製）にて、液温３５で
１分間浸漬し、水洗する。

【０１６７】２）試料を、マキュダイザー９２７５（商
品名／日本マクダミッド株式会社製）にて、７５℃の過
マンガン酸塩溶液に２分間浸漬し、回収水洗し、水洗す
る。

【０１６８】３）試料を、４３℃のマキュダイザー９２
７９（商品名／日本マクダミッド株式会社製）にて、１
分間浸漬後、水洗し、乾燥する。

【０１６９】実施例３０ 実施例２９の電着液Ａを、電着液Ｄに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１７０】実施例３１ 実施例２９の電着液Ａを、電着液Ｅに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１７１】実施例３２ 実施例２９の電着液Ａを、電着液Ｆに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１７２】実施例３３ 実施例２９の電着液Ａを、電着液Ｇに換えて同様に電子
部材を作製した。

【０１７３】

【発明の効果】本発明によれば、絶縁性の高い樹脂層と
金属層の密着性が高い電子部材が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による電子部材の製造法の好ましい一例
の概要を示す図

【図２】本発明による電子部材の製造法の好ましい一例
の概要を示す図

【符号の説明】

１ 導電性基材 ２ 絶縁樹脂層 ３ 導電性材料 ４ レジスト ５ 電解メッキ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/05 Ｈ０５Ｋ 1/05 Ｂ Ｆターム(参考） 4F100 AB04 AK01B AK49B BA03 BA10A BA10C DE01B EA06B EH66B EH71B EJ01 EJ12B EJ15 EJ34B EJ42B EJ51 EJ54B EJ61B GB41 JB05B JB07B JG01A JG01C JG04B JK06 JL11 JM01B YY00B 5E315 AA05 BB01 BB16 CC09 CC11 DD11 GG20

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電性基材の表面の少なくとも一部に絶縁
   樹脂層が設けられ、この絶縁樹脂層上に導電性材料を有
   する電子部材であって、前記絶縁樹脂層が（Ａ）有機溶
   媒可溶性のポリイミドと（Ｂ）親水性ポリマーとからな
   るものであり、かつ前記導電性材料が前記絶縁樹脂層の
   物理処理および／または化学処理と同時に、または処理
   後に、形成されたものであることを特徴とする、電子部
   材。
2. 【請求項２】前記絶縁樹脂層が、（Ａ）有機可溶性のポ
   リイミドと（Ｂ）親水性ポリマーとを同一分子内に含
   み、平均粒子径が０．０３〜５μｍである粒子が水性媒
   体中に分散してなるエマルジョン溶液から形成された絶
   縁樹脂層であることを特徴とする、請求項１記載の電子
   部材。
3. 【請求項３】前記絶縁樹脂層が、電着法により形成され
   たものであることを特徴とする、請求項２記載の電子部
   材。
4. 【請求項４】前記絶縁樹脂層が、（Ａ）成分としてカル
   ボキシル基、アミノ基、水酸基、スルホン基、アミド
   基、エポキシ基、及びイソシアネート基からなる群より
   選ばれた反応性基（ａ）を１種以上有する有機溶媒可溶
   性のポリイミドと前記（Ｂ）成分としてエポキシ基、イ
   ソシアネート基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、
   スルホン酸基、およびアミド基から選ばれた反応性基
   （ｂ）を１種以上有する親水性ポリマー、 とを、有機溶媒中にて溶液状態で混合して、反応させた
   のち、この反応後の溶液と水性媒体とを混合して得られ
   る電着液を用いて形成されたものであることを特徴とす
   る、請求項３記載の電子部材。
5. 【請求項５】前記絶縁樹脂層が、前記（Ａ）成分と前記
   （Ｂ）成分との反応時に、反応物の加熱を行い、この反
   応後の溶液と水性媒体との混合時に有機溶媒の少なくと
   も一部を除去して得られた電着液から形成されたもので
   あることを特徴とする、請求項４に記載の電子部材。
6. 【請求項６】前記導電性材料が、無電解めっきによって
   形成されたものであることを特徴とする、請求項１〜５
   のいずれか１項に記載の電子部材。
7. 【請求項７】前記導電性材料が、スパッタ法にで形成さ
   れたものであることを特徴とする、請求項１〜５のいず
   れか１項に記載の電子部材。
8. 【請求項８】前記物理処理が、ウェットブラストである
   ことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに１項に記
   載の電子部材。
9. 【請求項９】前記物理処理が、プラズマ処理であること
   を特徴とする、請求項１〜７のいずれかに１項に記載の
   電子部材。
10. 【請求項１０】前記化学処理が、過マンガン酸塩溶液に
    浸漬することからなることを特徴とする、請求項１〜７
    項のいずれか１項に記載の電子部材。
11. 【請求項１１】前記物理処理が、ＵＶ処理であることを
    特徴とする、請求項１〜７のいずれかに１項に記載の電
    子部材。
12. 【請求項１２】前記物理処理が、放電処理であることを
    特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子
    部材。