JP2002076555A - 配線基板 - Google Patents

配線基板

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JP2002076555A
JP2002076555A JP2000256920A JP2000256920A JP2002076555A JP 2002076555 A JP2002076555 A JP 2002076555A JP 2000256920 A JP2000256920 A JP 2000256920A JP 2000256920 A JP2000256920 A JP 2000256920A JP 2002076555 A JP2002076555 A JP 2002076555A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring pattern
insulating layer
wiring
bismuth oxide
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000256920A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenori Oshima
重徳 大島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2000256920A priority Critical patent/JP2002076555A/ja
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  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、配線基板上において、第1、第2
の配線パターンの接続部における導通不良を防止するこ
とを目的とするものである。 【解決手段】 そしてこの目的を達成するために本発明
は、第1の配線パターン7の第1の接続部7a上に、第
2の配線パターン10の第1の接続部10aを重合さ
せ、この重合部は絶縁層9の非形成部としたものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は各種電子機器に用い
られる配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種配線基板の構成は、図3か
ら図5に示すような構成となっていた。すなわち図3、
図4に示すごとく、基板1と、この基板1上に設けられ
た第1の配線パターン2と、基板1及び第1の配線パタ
ーン2上に設けたガラス質の絶縁層3と、この絶縁層3
上に設けられた第2の配線パターン4とを備えていた。
前記第1、第2の配線パターン2、4はそれぞれ接合用
のビスマス酸化物を含有し、この第1の配線パターン2
の第1の接続部2a上に、第2の配線パターン4の第1
の接続部4aを重合させ、この重合部によって第1、第
2の配線パターン2、4を接続し電気的な導通を取るよ
うにしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例において問
題となるのは、第1、第2の配線パターン2、4の第1
の接続部2a,4aの接合部において導通不良が生じる
ということであった。この点を図5を用いて詳細に説明
する。この図5において5は、ビスマス酸化物の析出層
である。すなわち、この図5に示すように第1の配線パ
ターン2の第1の接続部2aと、第2の配線パターン4
の第1の接続部4a部分において、ビスマス酸化物の析
出層5が形成されることによって、第1、第2の配線パ
ターン2、4の導通不良が生じているのである。この理
由を説明すると、まず第1の配線パターン2は、基板1
上に接合し、また第2の配線パターン4を絶縁層3上に
接合するために設けられたものである。そしてこの第
1、第2の配線パターン2、4にビスマス酸化物が含有
されていた場合、印刷後の加熱を行うと、このビスマス
酸化物が移動し、この移動したものが第1の接合部分2
a,4a部分に設けられた絶縁層3に衝突し、この絶縁
層3内にビスマス酸化物が移動しにくいことに起因し
て、ビスマス酸化物はこの図5に示すように析出層5と
なるものである。
【0004】この点を更に説明すると、絶縁層3は、結
晶化ガラスで形成されたものであって、このように結晶
化ガラスで形成されたものは第1、第2の配線パターン
2、4中に含まれるビスマス酸化物が移動しにくく、ま
ず第2の配線パターン4の第1の接続部4a内に含有さ
れたビスマス酸化物が、絶縁層3方向に移動した場合
に、この絶縁層3の壁面に衝突して下方へと流れ出し、
この流れ出した結果すなわち、この部分にビスマス酸化
物が集中することによって、この図5に示すようにビス
マス酸化物の析出層5が形成されてしまうものである。
この場合、ビスマス酸化物は導体抵抗が高いので、この
部分において第1、第2の配線パターン2、4の導通不
良が生じてしまうものである。そこで本発明は、このよ
うな第1、第2の配線パターンの導通不良を防止するこ
とを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、第1、第2の配線パターンのそれぞ
れの第1の接続部の重合部を、絶縁層の非形成部とした
ものである。すなわちこのように第1、第2の配線パタ
ーンのそれぞれの第1の接続部の重合部分に絶縁層が形
成されていないと、ビスマス酸化物が移動した場合に、
従来のように絶縁層にそれが衝突することによって、そ
の壁面に沿って流れ出し集中してビスマス酸化物の析出
層が形成されないことになり、このことにより第1、第
2の配線パターンの導通不良が防止されるものである。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、基板と、この基板上に設けられた第1の配線パター
ンと、前記基板上に設けられたガラス質の絶縁層と、こ
の絶縁層上に設けられた第2の配線パターンとを備え、
前記第1、第2の配線パターンは接合用のビスマス酸化
物を含有し、この第1の配線パターンは第1の接続部上
に、前記第2の配線パターンの第1の接合部を重合さ
せ、この重合部は、前記絶縁層の非形成部とした配線基
板であって、第1、第2の配線パターンのそれぞれの第
1の接合部の重合部分において絶縁層が形成されていな
いことにより、第1、第2の配線パターンのそれぞれ第
1の接続部の重合部分において、ビスマス酸化物が移動
した際にもビスマス酸化物の集中した析出層が形成され
ず、このことによって第1、第2の配線パターンの絶縁
不良が生じなくなるものである。
【0007】次に本発明の請求項2に記載の発明は、第
1、第2の配線パターンを異種組成分の金属で形成した
ものである。すなわち、第1、第2の配線パターンは、
基板あるいは絶縁層の材料によって、あるいはその後の
配線作業の都合等によって、異種組成分の金属で作られ
ることがあるのであるが、このように第1、第2の配線
パターンが異種組成分の金属で形成された場合、更にビ
スマス酸化物の移動というものが大きく加速されること
になる。すなわち第1、第2の配線パターンが異種組成
分の金属で形成された場合には、一方の配線パターンか
ら、他方の配線パターンへの金属の拡散が起こり、この
拡散によってビスマス酸化物はより大きく移動すること
になり、このことが集中的なビスマス酸化物の拡散層を
形成することになってしまうのであるが、この時であっ
たとしても、絶縁層をこの重合部分に設けないことによ
って、その集中を少なくすることが出来、このことが第
1、第2の配線パターンの導通不良を防止することに効
果を上げることになるものである。
【0008】以下本発明の一実施形態を添付図面に従っ
て説明する。図1、図2において6は、アルミナで形成
された基板で、この基板6上には、銀系の金属で形成さ
れた第1の配線パターン7、8が設けられている。ま
た、第1の配線パターン8上には、結晶化ガラスで形成
された絶縁層9が設けられている。そして、この絶縁層
9上に、第1の配線パターン8と異なる組成分の銀系の
金属で形成された第2の配線パターン10が設けられて
いる。
【0009】すなわち、第1の配線パターン8と第2の
配線パターン10は、図1に示すごとく、直行方向でク
ロスしており、この間の絶縁を取るために絶縁層9が設
けられているのである。但し、この第2の配線パターン
10と第1の配線パターン7は、接合する必要があり、
そのために絶縁層9は、図1に示すごとく窓11が設け
られている。この窓11は図1に示すごとく、第1の配
線パターン7の第1の接続部7aと第2の配線パターン
10の第1の接続部10aの接合部分には設けられてお
らず、その外周を大きく囲む状態でこの窓11は形成さ
れているものである。すなわち、この窓11が絶縁層9
の非形成部となっているものである。
【0010】このようにした場合、第2の配線パターン
10を印刷形成した後に焼成を行うと、第1の配線パタ
ーン7と第2の配線パターン10が異種組成分の金属で
あることから、一方から他方への拡散現象が起こる。こ
の場合、第1の配線パターン7、8は銀系の金属、第2
の配線パターン10は第1の配線パターン7、8と異な
る組成分の銀系の金属で形成されており、第1の配線パ
ターン7から、第2の配線パターン10へ銀の拡散が始
まる。銀の拡散が行われたことにより、その拡散の反応
として第2の配線パターン10側から、第1の配線パタ
ーン7側へのビスマス酸化物の移動が起きることにな
る。
【0011】すなわち第1の配線パターン7、8及び、
第2の配線パターン10は、それぞれ基板6あるいは絶
縁層9にガラス成分で接合するためのビスマス酸化物を
含有させており、このような加熱を行うと銀の拡散の反
応として、ビスマス酸化物が第1の配線パターン7側へ
と拡散することになる。但しこの場合、本実施形態にお
いては、この部分には、図1に示すごとく窓11を設け
ており、この部分は絶縁層9の非形成部としているの
で、このビスマス酸化物の拡散が起きる時にも、その拡
散が一部に集中して起きることが無くなり、この結果と
して第1の接続部分7a、10a部分において導通不良
が生じることが無くなった。
【0012】
【発明の効果】以上のように本発明は、基板とこの基板
上に設けられた第1の配線パターンと、前記基板上に設
けられたガラス質の絶縁層と、この絶縁層上に設けられ
た第2の配線パターンとを備え、前記第1、第2の配線
パターンは、接合用のビスマス酸化物を含有し、この第
1の配線パターンの第1の接続部上に前記第2の配線パ
ターンの第1の接続部を重合させ、この重合部は前記絶
縁層の非形成部としたものであるので、第1、第2の配
線パターンのそれぞれの第1の接続部の重合部におい
て、ビスマス酸化物の集中的な析出が起きず、この結果
としてこの部分における導通不良を防止させるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の平面図
【図2】その断面図
【図3】従来例の平面図
【図4】その断面図
【図5】そのA部の拡大断面図
【符号の説明】
6 基板 7 第1の配線パターン 8 第1の配線パターン 9 絶縁層 10 第2の配線パターン 11 窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 AA07 AA13 BB01 BB24 BB31 CC11 CC22 DD05 DD31 EE08 GG01 5E317 AA11 BB01 BB04 BB11 BB14 CC11 CC22 CD21 GG11 5E338 AA03 BB63 BB75 CD02 EE27 EE28 EE33

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、この基板上に設けられた第1の
    配線パターンと、前記基板上に設けられたガラス質の絶
    縁層と、この絶縁層上に設けた第2の配線パターンとを
    備え、前記第1、第2の配線パターンは接合用のビスマ
    ス酸化物を含有し、この第1の配線パターンの第1の接
    続部上に前記第2の配線パターンの第1の接続部を重合
    させ、この重合部における第1、第2の配線パターンの
    界面は絶縁層の非形成部とした配線基板。
  2. 【請求項2】 第1の配線パターンと、第2の配線パタ
    ーンを、異種組成分の金属により形成した請求項1に記
    載の配線基板。
JP2000256920A 2000-08-28 2000-08-28 配線基板 Pending JP2002076555A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8261703B2 (en) 2006-09-15 2012-09-11 Honda Motor Co., Ltd. Variable stroke engine

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