JPH10303558A - セラミック配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、内部導体と表面導体の組成が異なる
場合であっても、接続部で接続不良を少なくできる、セ
ラミック配線基板を提供することを目的とする。 【解決手段】ガラスセラミック本体１ａ，１ｂの内部に
Ａｇからなる内部導体２を有し、基板表面にＡｇ１００
重量部に対して１２〜３０重量のＰｄを含む組成の表面
導体３を形成してなるガラスセラミック多層配線基板Ａ
において、内部導体２と表面導体３とを接続する第３の
導体４がＡｇ１００重量部に対し、３〜５重量部のＰｔ
又は１〜５重量のＰｄを含む組成からなり、内部導体２
と表面導体３の間Ｌを１５０μｍ以上離して設けたこと
を特徴とする。第３の導体を設けたから焼成時に緩衝層
となり内部導体２のＡｇと表面導体３のＡｇ−Ｐｄ間の
Ａｇの拡散によって起こる断線を防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路からなる
チップ部品の配線基板やチップ部品が実装されるセラミ
ック配線基板等、基板内部で導体を形成する内部導体と
基板表面で導体路を形成する表面導体との接続構造を有
するセラミック配線基板に関し、特に、内部導体と外部
導体との組成が異なるセラミック配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば集積回路等のチップ部
品やこれを実装する配線基板の小型化、高密度化にとも
ない、セラミック多層配線基板の導体路に低抵抗導体を
使用することが要請されている。そしてこの要請を実現
するために、１０００℃以下で焼成可能なセラミックに
おいては、低抵抗導体として低融点金属材料が使用可能
であり、特に低抵抗メタライズ組成物としては、Ａｕ、
Ａｕ−Ｐｔ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属
やＣｕが用いられてきた。この内Ａｕ、Ａｕ−Ｐｔは空
気中で焼成することができるが、コストが高いという問
題がある。またＣｕに関しては還元雰囲気で焼成するた
めに脱バインダー性が問題となり、厳密な雰囲気制御が
必要となってくる。そこで空気中で焼成でき、又、Ａｕ
系導体と比べると安価であるＡｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−
Ｐｄ等のＡｇ系導体が用いられるようになってきた。

【０００３】しかしながら上記のようなＡｇ系導体の
内、Ａｇを用いた場合、基板表面にＡｇを用いて電極を
形成すると、ハンダにより電極材料であるＡｇが喰われ
てしまい、プリント基板への接続信頼性が低下する。一
方、Ａｇ−ＰｄやＡｇ−Ｐｔを用いた場合には表面電極
に関してはハンダによる電極材料の喰われは少なくなる
ものの、内部導体として使用する場合には抵抗値がＡｇ
より高いために導体損失が大きくなってしまうという問
題点がある。つまり、導体路をＡｇ系導体を用いて形成
する場合には、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等の導体
を単独で使用して内部導体及び表面導体を形成すること
が困難である。

【０００４】このため、従来では、セラミック多層配線
基板において、Ａｇ系導体にて内部導体及び表面導体を
形成する場合には、例えば、図４（ａ）に示すようにセ
ラミック体１０１の間の導体路を形成する内部導体１０
２にはＡｇを用い、セラミック体１０１の表面の導体路
を形成する表面導体１０３にはＡｇ−Ｐｄを用いるよう
にしている。

【０００５】ところが、このように内部導体１０２と表
面導体１０３とに異なる組成のものを使用し、内部の導
体路を表面の導体路に接続しようとすると、セラミック
体１０１を形成するグリーンシートに内部導体１０２及
び表面導体１０３等を形成するためのメタライズペース
トをスクリーン印刷した後の焼成時に、内部導体１０２
のＡｇの拡散速度がＡｇ−Ｐｄ中のＰｂの拡散速度より
も速いため、内部導体１０２のＡｇが表面導体のＡｇ−
Ｐｄ中に拡散してしまい、この拡散速度の違いから内部
導体１０２のＡｇと表面導体１０３のＡｇ−Ｐｄとの接
続部に隙間ができて断線し、導通不良を発生する。

【０００６】一方、このような問題点を改良するため
に、導体のＡｇ，Ａｇ−Ｐｄを接続する場合に内部導体
を厚くするか、表面導体を薄くすることにより焼成時の
拡散の影響を小さくするような構造のものが特公平７−
１１８５８１号や特開平７−２７３４５７号に示されて
いる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような接
続構造では接続部位が基板やチップ部品の側面のように
一方の厚みを制御することが困難な場合が特に問題とな
ってくる。特に、図４（ｂ）に示すようにセラミック体
１０１の間に介在しているＡｇの内部導体１０２の端部
１０２ａがＡｇ−Ｐｄの表面導体１０３に断面図上にお
いていわば点として接続された場合、この微少な接続面
積が接続界面での拡散を強調して、接続不良の発生する
確率が著しく高まる。

【０００８】そこで、本発明は、内部導体と表面導体の
組成が異なる場合であっても、接続部で接続不良を少な
くすることができる、セラミック配線基板を提供するこ
とを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段、発明の実施の形態及び発
明の効果】上記目的を達成するためになされた請求項１
に記載の発明は、基板内部に内部導体を有し、該内部導
体の組成と異なった組成を有する表面導体からなる導体
路を基板表面に有するセラミック配線基板において、前
記内部導体にて形成される導体路と前記表面導体にて形
成される導体路とを、メタルの拡散緩衝用の組成を有す
る第３の導体にて接続してなることを特徴とする。

【００１０】請求項１の発明によると、内部導体の組成
と表面導体の組成とが異なる場合であっても、第３の導
体が特に基板焼成時に生ずるメタルの拡散を抑制するか
ら、従来例のように内部導体と表面導体との接続部に隙
間が生じたりせず接続不良を少なくできる。

【００１１】請求項２記載の発明は、請求項１記載のセ
ラミック配線基板において、前記内部導体、前記第３の
導体及び前記表面導体がＡｇを主成分とすると共に、各
導体中のＡｇ含有量がこの順で小さくなることを特徴と
する。請求項２の発明によると、内部導体のＡｇ成分量
と表面導体のＡｇ成分量とが異なる場合であっても、第
３の導体が双方の持つＡｇ成分量の中間成分量であるか
ら基板焼成時に生ずるメタルの拡散を効果的に抑制す
る。

【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
記載のセラミック配線基板において、前記内部導体がＡ
ｇからなり、前記表面導体がＡｇ１００重量部に対して
１２〜３０重量部のＰｄを含む組成からなり、前記第３
の導体がＡｇ１００重量部に対し、３〜５重量部のＰｔ
又は１〜５重量部のＰｄを含む組成からなることを特徴
とする。

【００１３】請求項３に記載の発明によると、内部導体
と表面導体の間に第３の導体を設けることにより、内部
導体であるＡｇと表面導体であるＡｇ−Ｐｄとの間の拡
散が第３の導体が緩衝層となることにより緩和される。
ここで、第３の導体を、Ａｇ１００重量部に対し３〜５
重量部のＰｔ又は１〜５重量部のＰｄにしたのは、Ｐｔ
が３重量部より少ないと、緩衝層としての効果が得られ
ず、５重量部よりも多いと安定した合金層を得ることが
できないため接続の信頼性が低下するからである。又、
Ｐｄが１重量部より少ないと、緩衝層としての効果が得
られず、５重量部より多いと内部導体として用いている
Ａｇとの接続部においてＡｇの拡散が進み断線が生じる
からである。

【００１４】請求項４に記載の発明は、請求項１〜３い
ずれか記載のセラミック配線基板において、前記内部導
体にて形成される導体路と前記表面導体にて形成される
導体路との間が少なくとも１５０μｍ以上離れており、
その間に前記第３の導体が存在することを特徴とする。

【００１５】請求項４に記載の発明によると、内部導体
と表面導体との間に断線が生じ難い。ここで、内部導体
と表面導体との距離を１５０μｍ以上離すのは、内部導
体のＡｇが表面導体へ向かって基板中を拡散してしま
い、緩衝層を通り越して表面導体に影響し、断線が生じ
易いからである。

【００１６】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４い
ずれか記載のセラミック配線基板において、前記基板の
材料が１０００℃以下で焼成可能な低温焼成ガラスセラ
ミックであることを特徴とする。請求項５に記載の発明
によると、低温で焼成できるから従来のような高温の焼
成炉が不要となり、上述のＡｇ系の導体等とセラミック
体との同時焼成も可能となる。

【００１７】ここで、内部導体と表面導体とを接続する
第３の導体としては、請求項６〜８に記載のように、第
３の導体を基板内部に形成することにより、第３の導体
と内部導体とを基板内部で接続し、第３の導体と表面導
体とを基板表面で接続するようにしてもよく、或いは請
求項８，９に記載のように、第３の導体を基板表面に形
成することにより、第３の導体と内部導体及び表面導体
とを夫々基板表面で接続するようにしてもよい。

【００１８】そして、第３の導体を基板内部に形成した
場合には、請求項６に記載のように、第３の導体の一端
を基板表面に単に露出させ、その露出した第３の導体の
端部に表面導体を接続するようにしてもよいが、請求項
７に記載のように、第３の導体の一端を基板表面に突出
させ、その突出した第３の導体の端部が表面導体の凹部
に食い込むことによって、第３の導体と表面導体とが接
続されるようにすれば、その接続をより確実に行うこと
ができる。

【００１９】またこの場合、さらに請求項８に記載のよ
うに、基板表面から突出した第３の導体の端部を、基板
表面に沿って屈曲させ、表面導体が、その屈曲した第３
の導体の端部を凹部に収納して、第３の導体の端部全体
を上から被うように形成すれば、第３の導体と表面導体
との接続部の面積をより大きくして、これら各部の接続
をより確実に行うことができる。

【００２０】一方、第３の導体を、基板表面に形成する
場合には、請求項９に記載のように、内部導体を第３の
導体の中央部分に接続し、表面導体を第３の導体の端部
に接続するようにしてもよく、或いは請求項１０に記載
のように、内部導体を第３の導体の中央部分に接続し、
表面導体を第３の導体を上から被うように形成すること
で第３の導体に接続するようにしてもよい。

【００２１】そして、この場合、請求項９に記載のよう
に構成すれば、内部導体と表面導体との距離を確保し易
く、請求項４に記載のセラミック配線基板を容易に実現
できることになる。また、請求項１０に記載のように構
成すれば、内部導体と表面導体との距離を確保するため
には、基板表面に形成する第３の導体を厚くする必要が
あるが、表面導体により第３の導体を保護することが可
能になる。

【００２２】尚、本発明における基板表面とは、チップ
部品等が実装される主表面のみならず、その裏面及び側
面も含む概念である。又、本発明のセラミック配線基板
は、複数の絶縁層が積層され、その絶縁層間に内部導体
にて導体路が形成されてなる多層配線基板であることが
好ましいが、必ずしもこれに限らず、例えば単層の絶縁
基板にビアホールを設け、ビアホールの開口面に表面導
体からなる導体路が形成されると共に、ビアホールの壁
面に内部導体のメタライズが施されて導体路が形成され
たものであってもよい。

【００２３】上述のように、表面導体と内部導体の間に
第３の導体を設けることにより、第３の導体が緩衝層と
して働き焼成時に起こるＡｇとＡｇ−Ｐｄ間のＡｇの拡
散によって起こる断線を防ぐことができる。又、表面導
体と内部導体との距離をとることにより、内部導体に対
する表面導体の影響を小さくできることから、内部導体
のＡｇの表面導体への拡散を抑えることができ、導通不
良を低減することが可能となる。

【００２４】

【実施例】本発明のセラミック配線基板の実施例を図に
基づいて説明する。実施例のガラスセラミック多層配線
基板Ａは、図１に示すように、内部導体と表面導体とを
接続する第３の導体を基板内部に形成することにより、
第３の導体と内部導体とを基板内部で接続し、第３の導
体と表面導体とを基板表面で接続させてある。

【００２５】ガラスセラミック本体１ａ，１ｂの間に介
在するＡｇからなる内部導体２とＡｇ−Ｐｄからなる表
面導体（電極）３とが第３の導体（緩衝層）４を介して
接続されている。第３の導体４は、内部導体２側の端が
内部導体２に重なるように張り出し部４ａを有してお
り、ここで内部導体２の端部２ａと第３の導体４の張り
出し部４ａとが確実に接続される。一方、第３の導体４
の表面導体３側の端の接続部４ｂは表面導体３の基板側
の接続部３ａに接続される。尚、内部導体２の端部と表
面導体３との距離Ｌを１５０μｍ以上離して設けてあ
る。

【００２６】（第３の導体にＡｇ−Ｐｄを用いた場合）
次に、第３の導体４にＡｇ−Ｐｄを用いた場合の具体的
実施例として、第３の導体４の組成を、平均粒径３μｍ
のＡｇ粉末と平均粒径０．５μｍのＰｄ粉末を用いてＡ
ｇ粉末１００重量部に対してＰｄ粉末５重量部、Ｐｄ粉
末３重量部、Ｐｄ粉末１重量部の３段階とし、内部導体
と表面導体の距離Ｌを２５０μｍ、ｌ７０μｍ、１５０
μｍの３種類の構造とした５種類のテストピースを夫々
６０個製造し、各テストピースの断線発生率を求めた
（表１参照）。又、これら５種類のテストピースの比較
例として、構造の異なる３種類のテストピースについて
も夫々６０個製造し、各テストピースの断線発生率を求
めた。

【００２７】尚、表１において、断線発生率は各テスト
ピース６０個の平均値である。

【００２８】

【表１】 ここで、表１に示した実施例１〜５及び比較例１〜３の
各テストピースの製造工程の概略を説明する。実施例１
では、内部導体用のメタライズペーストとして、平均粒
径３μｍのＡｇ粉末を有機質バインダー（エチルセルロ
ース）と有機溶媒（ブチルカルビトール）と共に混合
し、３本ロールミルを通して攪拌することによつてペー
ストを調製した。

【００２９】又、表面導体用のメタライズペーストとし
て、平均粒径３μｍのＡｇ粉末１００重量部と平均粒径
０．５μｍのＰｄ粉末１２〜３０重量部を組成とし、こ
れらを有機質バインダー（エチルセルロース）と有機溶
媒（プチルカルビトール）と共に混合し、３本ロールミ
ルを通して攪拌することによってペーストを調製した。

【００３０】さらに、第３の導体用のメタライズペース
トとして、平均粒径３μｍのＡｇ粉末１００重量部と、
平均粒径０．５μｍのＰｄ粉末５重量部とを含むメタラ
イズ組成とし、これらを有機質バインダー（エチルセル
ロース）と有機溶媒（プチルカルビトール）と共に混合
し、３本ロールミルを通して攪拌することによってペー
ストを調製した。

【００３１】図１に示すように、焼成によりガラスセラ
ミックとなるグリーンシート１ａの表面に内部導体２用
のメタライズペーストを用いて表面導体３の形成位置か
ら距離Ｌを２５０μｍだけ空けて厚さ１０〜３０μｍの
スクリーン印刷を施し、次に、第３の導体用のメタライ
ズペーストを用いて内部導体２と表面導体３の間を接続
できるように厚さ１０〜３０μｍのスクリーン印刷を施
す。尚、スクリーン印刷する際、内部導体２と表面導体
３の間の第３の導体４は、内部導体２の端部２ａに第３
の導体４の端部４ａが重なるようにスクリーン印刷を施
す。

【００３２】内部導体２と第３の導体４のスクリーン印
刷が終了したら、その上に上記グリーンシート１ａと同
様のグリーンシート１ｂを載せて、スクリーン印刷部分
を挟み込むように積層する。次に、積層したグリーンシ
ートを熱圧着を行って固定した後、側面に表面導体３用
のメタライズペーストを用いて厚さ１０〜３０μｍのス
クリーン印刷を施す。表面導体３のメタライズペースト
のスクリーン印刷がすんだら熱圧着し、積層体を形成す
る。

【００３３】この積層体を９００〜９５０℃の空気中で
焼成してガラスセラミック多層配線基板Ａを製造した。
実施例２は、内部導体２と表面導体３との距離Ｌを１７
０μｍとした。他は、実施例１と同じである。

【００３４】実施例３は内部導体２と表面導体３との距
離Ｌを１５０μｍとした。他は、実施例１と同じであ
る。実施例４は第３の導体４の組成をＡｇ粉末１００重
量部、Ｐｄ粉末３重量部とし、内部導体２と表面導体３
との距離Ｌを１５０μｍとした。他は、実施例１と同じ
である。

【００３５】実施例５は第３の導体４の組成をＡｇ粉末
１００重量部、Ｐｄ粉末１重量部とし、他は、実施例４
と同じである。比較例１は第３の導体４の組成を内部導
体と同様のＡｇ粉末１００重量部とし、内部導体２と表
面導体３との距離Ｌを２５０μｍとした。他は、実施例
１と同じである。

【００３６】比較例２は第３の導体４の組成をＡｇ粉末
１００重量部、Ｐｄ粉末５重量部とし、内部導体２と表
面導体３との距離Ｌを１００μｍとした。他は、実施例
１と同じである。比較例３は第３の導体４の組成をＡｇ
粉末１００重量部、Ｐｄ粉末１０重量部とし、内部導体
２と表面導体３との距離Ｌを１５０μｍとした。他は、
実施例１と同じである。

【００３７】実施例１〜５のテストピースと比較例１〜
３のテストピースの焼成後における断線状況を検査した
ところ、表１に示すように、比較例１〜３では断線発生
率が８７．３〜１００％もあるものが、実施例１〜５に
おいては１０％以下を示すよい結果が得られた。

【００３８】特に第３の導体４にＡｇ−Ｐｄを用いた場
合は、Ｐｄが１〜５重量部の範囲内で高い重量部の方が
よい結果が得られ、Ｐｄを５重量部にすると断線が発生
しない。又、内部導体と表面導体との距離Ｌに関しては
比較例２で示すようにＰｄを５重量部であっても距離Ｌ
が１００μｍの場合では断線発生率がよくない。しか
し、距離Ｌを１５０μｍ以上の間隔を空けるとさらによ
い結果が得られた。尚、Ｐｄ５重量部においては、距離
Ｌを１５０μｍ、１７０μｍ、２５０μｍとした場合の
距離差からの断線発生率に差異はない。

【００３９】（第３の導体にＡｇ−Ｐｔを用いた場合）
次に、第３の導体４にＡｇ−Ｐｔを用いた場合の具体的
実施例として、第３の導体４のメタライズ組成として平
均粒径３μｍのＡｇ粉末と、平均粒径０．５μｍのＰｔ
粉末を用いてＡｇ粉末１００重量部に対してＰｔ粉末３
重量部、Ｐｔ粉末４重量部、Ｐｔ粉末５重量部の３段階
とし、内部導体と表面導体の距離Ｌを２５０μｍ、ｌ５
０μｍの２種類の構造とした６種類のテストピースを夫
々６０個製造し、各テストピースの断線発生率を求めた
（表２参照）。又、これら６種類のテストピースの比較
例として、構造の異なる２種類のテストピースについて
も夫々６０個製造し、各テストピースの断線発生率を求
めた。

【００４０】尚、表２において、断線発生率は各テスト
ピース６０個の平均値である。

【００４１】

【表２】 ここで、表２に示した実施例６〜１１及び比較例４，５
の各テストピースの製造工程の概略を説明する。実施例
６は、内部導体用メタライズペーストと表面導体用のメ
タライズペーストは実施例１と同じものを用いた。

【００４２】又、第３の導体用のメタライズペーストを
平均粒径３μｍのＡｇ粉末１００重量部と、平均粒径
０．５μｍのＰｔ粉末３重量部を含むメタライズ組成に
混合し、実施例１と同じようにしてメタライズペースト
とし、実施例１と同じような構造となるような製造工程
を施した。

【００４３】尚、内部導体２と表面導体３との距離Ｌを
２５０μｍとした。実施例７は内部導体２と表面導体３
との距離Ｌを１５０μｍとした。他は、実施例６と同じ
である。実施例８は、第３の導体用のペーストをＡｇ粉
末１００重量部と、Ｐｔ粉末４重量部を含む組成とし
た。他は実施例６と同じである。

【００４４】実施例９は、内部導体２と表面導体３との
距離Ｌを１５０μｍとした。他は、実施例８と同じであ
る。実施例１０は、第３の導体用のペーストをＡｇ粉末
１００重量部と、Ｐｔ粉末５重量部を含む組成とした。
他は実施例６と同じである。

【００４５】実施例１１は、内部導体２と表面導体３と
の距離Ｌを１５０μｍとした。他は、実施例１０と同じ
である。比較例４は、第３の導体用のペーストをＡｇ粉
末１００重量部と、Ｐｔ粉末２重量部を含む組成とし、
内部導体２と表面導体３との距離Ｌを１５０μｍとし
た。他は実施例６と同じである。

【００４６】比較例５は、第３の導体用のペーストをＡ
ｇ粉末１００重量部と、Ｐｔ粉末６重量部を含む組成と
した。他は比較例４と同じである。実施例６〜１１のテ
ストピースと比較例４及び５のテストピースの焼成後に
おける断線状況を検査したところ、表２に示すように比
較例４及び５の断線発生率が１７．５％、５８．７％あ
ったものが、実施例６〜１１においては１０％以下を示
すよい結果が得られた。

【００４７】特に第３の導体にＡｇ−Ｐｔを用いた場合
は、Ｐｔが３〜５重量部の範囲の中でもＰｔ量の高い方
がよい結果が得られた。又、内部導体と表面導体との距
離が大きいほどよい結果が得られ、２５０μｍの距離を
空けると断線が発生しない。以上、本発明の実施例につ
いて説明したが、本発明の趣旨の範囲を越えない限り種
々の実施ができる。例えば、内部導体と表面導体とを接
続する第３の導体を基板内部に形成することにより、第
３の導体と内部導体とを基板内部で接続し、第３の導体
と表面導体とを基板表面で接続させてある他の構造の実
施例として、図２（ａ）に示すように、表面導体３に第
３の導体４の端部４ｂが食い込むだけの凹部３ｄを形成
し、第３の導体４の端部４ｂを凹部３ｄに確実に接続さ
せてある。他は前記構造（図１）の実施例と同じであ
る。

【００４８】このように構成すれば、図１の実施例の作
用効果の他に第３の導体４と表面導体３との接続面を大
きく形成できるから第３の導体と表面導体をさらに確実
に接続できる。又、図２（ｂ）に示すように第３の導体
４の表面導体３側の端部４ｂを基板表面に沿って屈曲さ
せ、表面導体３が、その屈曲した第３の導体４の端部４
ｂを、凹部３ｄに収納して、第３の導体の端部全体を上
から被うように形成させてある。他は前記構造（図１）
の実施例と同じである。このように構成すれば、第３の
導体４と表面導体３との接続部の面積をより大きくし
て、これら各部の接続をより確実に行なうことができ
る。

【００４９】さらに、第３の導体を基板表面に形成し、
内部導体を第３の導体の中央部分に接続させたその他の
構造の実施例として、図３（ａ）に示すように、第３の
導体１４を基板表面に配置し、第３の導体１４の中央部
分１４ａに内部導体２の先端部２ａを接続し、第３の導
体１４の端部１４ｂと表面導体３の端部３ｂ及び第３の
導体１４の端部１４ｃと表面導体３の端部３ｃとが確実
に接続される。尚、内部導体２と表面導体３との間には
距離Ｌを設けてある。このように構成すれば、内部導体
２と表面導体３との距離を確保し易い。

【００５０】又、図３（ｂ）に示すように、第３の導体
１４の表面１４ｅを表面導体３で上から被うように形成
し、第３の導体１４の表面１４ｅの接続部と表面導体３
の凹部３ｅとが確実に接続される。他は前記図３（ａ）
の実施例と同じ構造である。このような構成とした場合
は、内部導体と表面導体との距離を確保するためには、
基板表面に形成する第３の導体を厚くする必要がある
が、表面導体により第３の導体を保護することが可能に
なる。

【００５１】さらに、内部導体２と第３の導体４との接
続はガラスセラミック配線基板の導体を内部導体と表面
導体とを第３の導体を介して接続する説明をしたが、集
積回路のセラミック多層基板の配線層間を電気的に接続
するためのビアと配線層との接続においても、配線層と
ビアとの間に第３の導体を介することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例のセラミック配線基板の要部を表す断
面図。

【図２】 他の実施例のセラミック配線基板の要部を表
す断面図。

【図３】 他の実施例のセラミック配線基板の要部を表
す断面図。

【図４】 従来例のセラミック配線基板の要部を表す断
面図。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ…ガラスセラミック本体（セラミックグリー
ンシート）、２…内部導体、３…表面導体（電極）、３
ａ…表面導体の基板側接続部、３ｂ，３ｃ…表面導体の
端部、３ｄ，３ｅ…表面導体の凹部、４…第３の導体
（緩衝層）、４ｂ…第３の導体の端部、１４ｂ，１４ｃ
…第３の導体の接続部、１４ｅ…第３の導体の表面、Ａ
…ガラスセラミック配線基板。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板内部に内部導体を有し、該内部導体
   の組成と異なった組成を有する表面導体からなる導体路
   を基板表面に有するセラミック配線基板において、 前記内部導体にて形成される導体路と前記表面導体にて
   形成される導体路とを、メタルの拡散緩衝用の組成を有
   する第３の導体にて接続してなることを特徴とするセラ
   ミック配線基板。
2. 【請求項２】 請求項１記載のセラミック配線基板にお
   いて、 前記内部導体、前記第３の導体及び前記表面導体がＡｇ
   を主成分とすると共に、各導体中のＡｇ含有量がこの順
   で小さくなることを特徴とするセラミック配線基板。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載のセラミック配線基
   板において、 前記内部導体がＡｇからなり、前記表面導体がＡｇ１０
   ０重量部に対して１２〜３０重量部のＰｄを含む組成か
   らなり、前記第３の導体がＡｇ１００重量部に対し、３
   〜５重量部のＰｔ又は１〜５重量部のＰｄを含む組成か
   らなることを特徴とするセラミック配線基板。
4. 【請求項４】 請求項１〜３いずれか記載のセラミック
   配線基板において、 前記内部導体にて形成される導体路と前記表面導体にて
   形成される導体路との間が少なくとも１５０μｍ以上離
   れており、その間に前記第３の導体が存在することを特
   徴とするセラミック配線基板。
5. 【請求項５】 請求項１〜４いずれか記載のセラミック
   配線基板において、 前記基板の材料が１０００℃以下で焼成可能な低温焼成
   ガラスセラミックであることを特徴とするセラミック配
   線基板。
6. 【請求項６】 請求項１〜５いずれか記載のセラミック
   配線基板において、 前記第３の導体は、一端が基板表面に露出するよう、基
   板内部に形成され、 前記内部導体は、該第３の導体の他端に基板内部で接続
   され、 前記表面導体は、基板表面に露出した第３の導体の端に
   接続されることを特徴とするセラミック配線基板。
7. 【請求項７】 請求項６に記載のセラミック配線基板に
   おいて、 前記第３の導体の一端は、基板表面から突出され、該突
   出した第３の導体の端部は、前記表面導体の凹部に食い
   込むことにより、前記表面導体に接続されることを特徴
   とするセラミック配線基板。
8. 【請求項８】 請求項７記載のセラミック配線基板にお
   いて、 前記基板表面から突出された第３の導体の一端は、基板
   表面に沿って屈曲しており、前記表面導体は、該屈曲し
   た第３の導体の端部を前記凹部に収納して、該端部全体
   を上から被うように形成されていることを特徴とするセ
   ラミック配線基板。
9. 【請求項９】 請求項１〜５いずれか記載のセラミック
   配線基板において、 前記第３の導体は基板表面に形成され、前記内部導体は
   該第３の導体の中央部分に接続され、前記表面導体は前
   記第３の導体の端部に接続されることを特徴とするセラ
   ミック配線基板。
10. 【請求項１０】 請求項１〜５いずれか記載のセラミッ
    ク配線基板において、 前記第３の導体は基板表面に形成され、前記内部導体は
    該第３の導体の中央部分に接続され、前記表面導体は前
    記第３の導体を上から被うように形成することで第３の
    導体に接続されることを特徴とするセラミック基板。