JPH06314517A - 導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板 - Google Patents
導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板Info
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
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- Conductive Materials (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 主として950℃以下の低温で焼成されるセラ
ミックの多層配線基板に用いる導体ペ−スト及びそれを
用いた多層配線基板を提供すること。 【構成】 93〜97重量部のAg、0.5〜2重量部のPd、残り
の成分がAu及び/又はPt(ただし、Auは0〜5重量部、Pt
は0〜3重量部)からなり、さらに0.3〜3重量部(外割)の
結晶化ガラス及び適量の有機ビヒクルからなる導体ペ−
スト。Agの内部配線3とAg-Pdの表面導体4とを接続し
てなるセラミック多層配線基板において、前記導体ペ−
ストを上記Agの内部配線3とAg-Pdの表面導体4とを接
続するヴイア2に用いたセラミック多層配線基板。 【効果】 Ag内部配線3とAg-Pd表面導体4とを良好に
接続することができ、そのため内部配線に低抵抗のAg導
体を使用した、接続信頼性に優れたセラミック多層基板
を提供することができる。また、本発明にかかる導体ペ
−ストによれば、結晶化ガラスを配合することによりセ
ッタ−への付着が生じることがなく、クラックの発生も
起こらない効果が生じる。
ミックの多層配線基板に用いる導体ペ−スト及びそれを
用いた多層配線基板を提供すること。 【構成】 93〜97重量部のAg、0.5〜2重量部のPd、残り
の成分がAu及び/又はPt(ただし、Auは0〜5重量部、Pt
は0〜3重量部)からなり、さらに0.3〜3重量部(外割)の
結晶化ガラス及び適量の有機ビヒクルからなる導体ペ−
スト。Agの内部配線3とAg-Pdの表面導体4とを接続し
てなるセラミック多層配線基板において、前記導体ペ−
ストを上記Agの内部配線3とAg-Pdの表面導体4とを接
続するヴイア2に用いたセラミック多層配線基板。 【効果】 Ag内部配線3とAg-Pd表面導体4とを良好に
接続することができ、そのため内部配線に低抵抗のAg導
体を使用した、接続信頼性に優れたセラミック多層基板
を提供することができる。また、本発明にかかる導体ペ
−ストによれば、結晶化ガラスを配合することによりセ
ッタ−への付着が生じることがなく、クラックの発生も
起こらない効果が生じる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導体ペ−スト及びそれ
を用いたセラミック多層配線基板に関し、主として950
℃以下の低温で焼成されるセラミックの多層配線基板に
用いる導体ペ−スト及びそれを用いた多層配線基板に関
する。
を用いたセラミック多層配線基板に関し、主として950
℃以下の低温で焼成されるセラミックの多層配線基板に
用いる導体ペ−スト及びそれを用いた多層配線基板に関
する。
【0002】
【従来の技術】電子機器に用いられる配線基板には、高
速化、高密度化などの要求からセラミックの多層基板が
使用されるようになってきている。このような多層基板
には、層間の導通をとるためにヴイアが形成されてい
る。該ヴイアは、一般にセラミックのグリ−ンシ−トに
貫通穴を開け、導電材を充填し、積層、焼成することに
よって形成される。
速化、高密度化などの要求からセラミックの多層基板が
使用されるようになってきている。このような多層基板
には、層間の導通をとるためにヴイアが形成されてい
る。該ヴイアは、一般にセラミックのグリ−ンシ−トに
貫通穴を開け、導電材を充填し、積層、焼成することに
よって形成される。
【0003】セラミックの多層配線基板には、主として
アルミナが用いられている。このアルミナ基板にはタン
グステン等の高融点の配線材料が用いられている。しか
し、近年の高速化、高密度化等の要求から銅や銀、金を
導体とする低温で焼成できる基板が開発され、利用され
つつある。この低温焼成多層セラミック基板の内部導体
としては、銅、銀系の導体、金等が用いられ、一方、そ
の表面導体としては、銅、銀−パラジウム、銀−白金、
金等が用いられている。
アルミナが用いられている。このアルミナ基板にはタン
グステン等の高融点の配線材料が用いられている。しか
し、近年の高速化、高密度化等の要求から銅や銀、金を
導体とする低温で焼成できる基板が開発され、利用され
つつある。この低温焼成多層セラミック基板の内部導体
としては、銅、銀系の導体、金等が用いられ、一方、そ
の表面導体としては、銅、銀−パラジウム、銀−白金、
金等が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、低温焼成多
層セラミック基板において、その内部に銀を、表面に銀
−パラジウムの導体を用いる場合、この内部配線とヴイ
ア又はヴイアと表面のいずれかで銀と銀−パラジウムを
接続する必要がある。
層セラミック基板において、その内部に銀を、表面に銀
−パラジウムの導体を用いる場合、この内部配線とヴイ
ア又はヴイアと表面のいずれかで銀と銀−パラジウムを
接続する必要がある。
【0005】この接続部分では、銀とパラジウムとの原
子の拡散速度が異なることにより、銀中に空隙を生ずる
などの問題があった。そのため、信頼性の高い接続を得
るのが困難であり、特に表面導体を焼き付けた後抵抗や
金導体の焼成を行うと、接続状態が悪化するという問題
があった。
子の拡散速度が異なることにより、銀中に空隙を生ずる
などの問題があった。そのため、信頼性の高い接続を得
るのが困難であり、特に表面導体を焼き付けた後抵抗や
金導体の焼成を行うと、接続状態が悪化するという問題
があった。
【0006】本発明は、上記問題点を解消することを技
術的課題とし、高信頼性の導体接続が可能な導体ペ−ス
ト及びそれを用いたセラミック多層配線基板を提供する
ことを目的とする。
術的課題とし、高信頼性の導体接続が可能な導体ペ−ス
ト及びそれを用いたセラミック多層配線基板を提供する
ことを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヴイア用の導
体ペ−ストとして、Agに特定量のPd、Au及び/又はPt、
結晶化ガラス及びペ−スト化に必要な有機ビヒクルを適
量含むペ−ストを用いることを特徴とする。これによ
り、Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接続してなる
セラミック多層配線基板において、ヴイアと表面導体と
の接続を確実なものとすることができ、また、内部配線
の導体との接続も悪くすることがなく、その結果、高い
信頼性の導体の接続を可能とするものである。
体ペ−ストとして、Agに特定量のPd、Au及び/又はPt、
結晶化ガラス及びペ−スト化に必要な有機ビヒクルを適
量含むペ−ストを用いることを特徴とする。これによ
り、Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接続してなる
セラミック多層配線基板において、ヴイアと表面導体と
の接続を確実なものとすることができ、また、内部配線
の導体との接続も悪くすることがなく、その結果、高い
信頼性の導体の接続を可能とするものである。
【0008】即ち、本発明は、「93〜97重量部のAg、0.
5〜2重量部のPd、残りの成分がAu及び/又はPt(ただ
し、Auは0〜5重量部、Ptは0〜3重量部)からなり、さら
に0.3〜3重量部(外割)の結晶化ガラス及び適量の有機
ビヒクルからなることを特徴とする導体ペ−スト。」を
要旨とし、また、「Agの内部配線とAg-Pdの表面導体と
を接続してなるセラミック多層配線基板において、上記
導体ペ−ストを、上記Agの内部配線とAg-Pdの表面導体
とを接続するヴイアに用いることを特徴とするセラミッ
ク多層配線基板。」を要旨とする。
5〜2重量部のPd、残りの成分がAu及び/又はPt(ただ
し、Auは0〜5重量部、Ptは0〜3重量部)からなり、さら
に0.3〜3重量部(外割)の結晶化ガラス及び適量の有機
ビヒクルからなることを特徴とする導体ペ−スト。」を
要旨とし、また、「Agの内部配線とAg-Pdの表面導体と
を接続してなるセラミック多層配線基板において、上記
導体ペ−ストを、上記Agの内部配線とAg-Pdの表面導体
とを接続するヴイアに用いることを特徴とするセラミッ
ク多層配線基板。」を要旨とする。
【0009】
【作用】上記した本発明に係るヴイア用の導体ペ−スト
によれば、このヴイア用導体としてAgの他にPdを、さら
にAu及び/又はPtを加えることによって、表面のAg-Pd
導体とヴイア導体とが接する部分での金属原子の移動速
度の差が小さくする作用が生じる。そのため、表面導体
からヴイア導体方向への金属原子の拡散量と逆方向の拡
散量との差が少なくなり、ヴイア導体の周辺に発生する
空洞をなくすことができ、ヴイアと表面導体との接続を
確実なものとすることができる。
によれば、このヴイア用導体としてAgの他にPdを、さら
にAu及び/又はPtを加えることによって、表面のAg-Pd
導体とヴイア導体とが接する部分での金属原子の移動速
度の差が小さくする作用が生じる。そのため、表面導体
からヴイア導体方向への金属原子の拡散量と逆方向の拡
散量との差が少なくなり、ヴイア導体の周辺に発生する
空洞をなくすことができ、ヴイアと表面導体との接続を
確実なものとすることができる。
【0010】その上、このヴイア導体を用いれば、内部
の導体との接続も悪くすることがないので、高い信頼性
の導体の接続が可能となるものである。また、上記した
本発明の導体ペ−ストによれば、結晶化ガラスを配合す
ることによりセッタ−への付着が生じることがなく、ク
ラックの発生もない作用が生じる。
の導体との接続も悪くすることがないので、高い信頼性
の導体の接続が可能となるものである。また、上記した
本発明の導体ペ−ストによれば、結晶化ガラスを配合す
ることによりセッタ−への付着が生じることがなく、ク
ラックの発生もない作用が生じる。
【0011】以下、本発明を詳細に説明する。表面のAg
-Pd導体は、通常Pd比率が10〜20wt%のものが用いられ
ている。これは、10wt%より少ないと、エレクトロマイ
グレ−ションの発生する確率が高くなり、一方、20wt%
より多いと高価になるばかりでなく、シ−ト抵抗も上昇
するからである。
-Pd導体は、通常Pd比率が10〜20wt%のものが用いられ
ている。これは、10wt%より少ないと、エレクトロマイ
グレ−ションの発生する確率が高くなり、一方、20wt%
より多いと高価になるばかりでなく、シ−ト抵抗も上昇
するからである。
【0012】本発明において、このAg-Pdからなる表面
導体と接するヴイア導体は、Agを主成分とし、Pdを0.5
〜2wt%含み、Pd、Au、Ptの合計を3〜7wt%含まなけれ
ばならない。Pdは、表面のAg-Pd導体との接続の改良に
有効なため、0.5wt%以上含む必要がある。しかし、2wt
%を超える量では内部のAg導体との接続が悪くなるの
で、0.5〜2wt%の範囲にあることが望ましい。
導体と接するヴイア導体は、Agを主成分とし、Pdを0.5
〜2wt%含み、Pd、Au、Ptの合計を3〜7wt%含まなけれ
ばならない。Pdは、表面のAg-Pd導体との接続の改良に
有効なため、0.5wt%以上含む必要がある。しかし、2wt
%を超える量では内部のAg導体との接続が悪くなるの
で、0.5〜2wt%の範囲にあることが望ましい。
【0013】Au及び/又はPtの添加も表面のAg-Pd導体
との接続を改良できる。Pdの他にAu及び/又はPtを加え
た場合には、内部のAg導体との接続をあまり悪くしない
で表面との接続を改善することができるので、Au、Ptの
いずれか又は両方を1wt%以上加えることが好ましい。P
d、Au、Ptの合計が3wt%より少ないと、表面のAg-Pdと
の接続が悪くなり、逆にこれらの合計が7wt%を超える
場合には、内部のAg導体との接続が悪くなるので、好ま
しくない。また、Au、Ptはそれぞれ5wt%以下、3wt%以
下でないと、内部配線のAg導体との接続が悪くなるの
で、好ましくない。
との接続を改良できる。Pdの他にAu及び/又はPtを加え
た場合には、内部のAg導体との接続をあまり悪くしない
で表面との接続を改善することができるので、Au、Ptの
いずれか又は両方を1wt%以上加えることが好ましい。P
d、Au、Ptの合計が3wt%より少ないと、表面のAg-Pdと
の接続が悪くなり、逆にこれらの合計が7wt%を超える
場合には、内部のAg導体との接続が悪くなるので、好ま
しくない。また、Au、Ptはそれぞれ5wt%以下、3wt%以
下でないと、内部配線のAg導体との接続が悪くなるの
で、好ましくない。
【0014】本発明において、ガラスは、結晶化するも
のが好ましい。それは、再焼成による軟化がなく、基板
との密着性に優れるからであり、また、焼成時にアルミ
ナ等のセッタ−に付着しにくいからである。この結晶化
ガラスとしては、850℃の焼成で結晶を析出するような
組成のものであれば、いずれも使用することができる。
これを例示すれば、SiO2 33%、Al2O3 18%、B2O3 2
%、ZnO 17%、CaO 17%、TiO2 13%の組成からなるガ
ラス(850℃の焼成で結晶を析出する組成のガラス)など
を挙げることができる。
のが好ましい。それは、再焼成による軟化がなく、基板
との密着性に優れるからであり、また、焼成時にアルミ
ナ等のセッタ−に付着しにくいからである。この結晶化
ガラスとしては、850℃の焼成で結晶を析出するような
組成のものであれば、いずれも使用することができる。
これを例示すれば、SiO2 33%、Al2O3 18%、B2O3 2
%、ZnO 17%、CaO 17%、TiO2 13%の組成からなるガ
ラス(850℃の焼成で結晶を析出する組成のガラス)など
を挙げることができる。
【0015】結晶化ガラスの量が0.3wt%未満の場合に
は、アルミナ等焼成時に用いるセッタ−に付着すること
があり、また、ヴイア導体と基板との密着性が良くない
ので空隙を生じることがあり、好ましくない。逆に3%
を超える量では、ヴイア導体の周辺の基板にクラックを
生じることがあるので、本発明では0.3〜3重量部(外
割)の結晶化ガラスを用いるのが好ましい。
は、アルミナ等焼成時に用いるセッタ−に付着すること
があり、また、ヴイア導体と基板との密着性が良くない
ので空隙を生じることがあり、好ましくない。逆に3%
を超える量では、ヴイア導体の周辺の基板にクラックを
生じることがあるので、本発明では0.3〜3重量部(外
割)の結晶化ガラスを用いるのが好ましい。
【0016】本発明において、金属成分として使用する
原材料のうち、Ag粉末としては、球形のAg粉末を使用す
るのが好ましい。球形のAg粉末は、吸油量が小さいため
ペ−スト化しやすく、しかも固形分や粘度の調整が容易
であるからである。このような球形のAg粉末の粒径とし
ては、0.5〜2μmが好ましい。
原材料のうち、Ag粉末としては、球形のAg粉末を使用す
るのが好ましい。球形のAg粉末は、吸油量が小さいため
ペ−スト化しやすく、しかも固形分や粘度の調整が容易
であるからである。このような球形のAg粉末の粒径とし
ては、0.5〜2μmが好ましい。
【0017】また、本発明において、Pd粉末としては、
同じく球形であって、その粒径:0.2〜1μmが好まし
い。一方、Au粉末は粒径:0.2〜1.5μmが、また、Pt粉
末は粒径:0.1〜1.5μmのものが適している。
同じく球形であって、その粒径:0.2〜1μmが好まし
い。一方、Au粉末は粒径:0.2〜1.5μmが、また、Pt粉
末は粒径:0.1〜1.5μmのものが適している。
【0018】有機ビヒクルについては、ペ−スト化で
き、充填できるような粘度特性が得られるものならば、
いずれも使用することができる。これを例示すれば、エ
チルセルロ−ス、メタクリレ−ト樹脂などを高沸点の溶
剤(例えばテルピネオ−ル、ブチルカルビノ−ル、ジブ
チルフタレ−トなどの溶剤)に10〜20%溶解したものを
挙げることができる。
き、充填できるような粘度特性が得られるものならば、
いずれも使用することができる。これを例示すれば、エ
チルセルロ−ス、メタクリレ−ト樹脂などを高沸点の溶
剤(例えばテルピネオ−ル、ブチルカルビノ−ル、ジブ
チルフタレ−トなどの溶剤)に10〜20%溶解したものを
挙げることができる。
【0019】また、有機ビヒクルの量は、金属成分に対
して10〜20%の範囲にあることが好ましい。さらに、本
発明において、必要に応じ分散剤や粘度調整剤などを添
加することも有効であり、これも本発明に包含されるも
のである。
して10〜20%の範囲にあることが好ましい。さらに、本
発明において、必要に応じ分散剤や粘度調整剤などを添
加することも有効であり、これも本発明に包含されるも
のである。
【0020】本発明の導体ペ−ストは、表面にAg-Pdの
導体を、内部配線にAgを用いる場合、これらを接続する
ヴイア導体として用いることができる。また、内部配線
としてAg-Pd導体とAg導体を併用する場合、この接続用
ヴイアとしても使用できる。
導体を、内部配線にAgを用いる場合、これらを接続する
ヴイア導体として用いることができる。また、内部配線
としてAg-Pd導体とAg導体を併用する場合、この接続用
ヴイアとしても使用できる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に挙げ、
本発明をより詳細に説明する。
本発明をより詳細に説明する。
【0022】(実施例1〜7) (1) 原材料 実施例1〜7において、次の原材料を使用した。 ・銀(Ag)粉末:三井金属鉱業社製の粒径約1μmで球形
に近い粉末。 ・パラジウム(Pd)粉末:住友金属鉱山社製の粒径約0.5
μmの粉末。 ・金(Au)粉末:田中貴金属インタ−ナショナル社製の粒
径約1μmの粉末。 ・白金(Pt)粉末:田中貴金属工業社製の粒径約1μmの
粉末。 ・結晶化ガラス:SiO2 33%、Al2O3 18%、B2O3 2%、Z
nO 17%、CaO 17%、TiO2 13%の組成からなるガラス(8
50℃の焼成で結晶を析出する組成のガラス)。 ・有機ビヒクル:エチルセルロ−スを15%ジブチルフタ
レ−トに溶解した有機ビヒクル。
に近い粉末。 ・パラジウム(Pd)粉末:住友金属鉱山社製の粒径約0.5
μmの粉末。 ・金(Au)粉末:田中貴金属インタ−ナショナル社製の粒
径約1μmの粉末。 ・白金(Pt)粉末:田中貴金属工業社製の粒径約1μmの
粉末。 ・結晶化ガラス:SiO2 33%、Al2O3 18%、B2O3 2%、Z
nO 17%、CaO 17%、TiO2 13%の組成からなるガラス(8
50℃の焼成で結晶を析出する組成のガラス)。 ・有機ビヒクル:エチルセルロ−スを15%ジブチルフタ
レ−トに溶解した有機ビヒクル。
【0023】(2) 導体ペ−ストの調製 上記銀(Ag)粉末、パラジウム(Pd)粉末、金(Au)粉末、白
金(Pt)粉末、結晶化ガラスをそれぞれ表1に示す割合
(重量部)で混合し、さらに適量の有機ビヒクルを混合
した後、三本ロ−ルミルで混練し、導体ペ−ストを調製
した。
金(Pt)粉末、結晶化ガラスをそれぞれ表1に示す割合
(重量部)で混合し、さらに適量の有機ビヒクルを混合
した後、三本ロ−ルミルで混練し、導体ペ−ストを調製
した。
【0024】(3) 多層セラミック基板の製造 アルミナ粉末:50重量%とホウケイ酸亜鉛ガラス:50重
量%とを混合し、これに有機バインダ−としてアクリル
樹脂を加えてスラリ−化し、該スラリ−をドクタ−ブレ
−ド法によりシ−ト状(厚み:約0.2mm)に成形し、
セラミックグリ−ンシ−トを得た。
量%とを混合し、これに有機バインダ−としてアクリル
樹脂を加えてスラリ−化し、該スラリ−をドクタ−ブレ
−ド法によりシ−ト状(厚み:約0.2mm)に成形し、
セラミックグリ−ンシ−トを得た。
【0025】このグリ−ンシ−トにNCパンチングによ
り、0.15mmのヴイア用の穴を開けた。次に、この穴に
前記(2)のヴイア用の導体ペ−ストを印刷により充填
し、さらに、この上に内部の配線パタ−ンを印刷した。
熱圧着後、400℃で脱バインダ−し、850℃で焼成して多
層セラミック基板を得た。得られた基板に銀−パラジウ
ム(Pd比率20%)ペ−ストを印刷し、850℃で焼成した。
さらに、この基板を、抵抗や金導体等の焼成を想定し
て、850℃で3回再焼成した。
り、0.15mmのヴイア用の穴を開けた。次に、この穴に
前記(2)のヴイア用の導体ペ−ストを印刷により充填
し、さらに、この上に内部の配線パタ−ンを印刷した。
熱圧着後、400℃で脱バインダ−し、850℃で焼成して多
層セラミック基板を得た。得られた基板に銀−パラジウ
ム(Pd比率20%)ペ−ストを印刷し、850℃で焼成した。
さらに、この基板を、抵抗や金導体等の焼成を想定し
て、850℃で3回再焼成した。
【0026】(4) 評価 導通の評価は、図1に示すようなパタ−ンの基板を作製
し、テスタ−にて導通を調べた。この基板の表裏それぞ
れに96箇所の導通箇所(測定箇所)を設け、各実施例ご
とに50基板作製し、それぞれ合計9600箇所の導通を調査
した。その結果を表1に示す。
し、テスタ−にて導通を調べた。この基板の表裏それぞ
れに96箇所の導通箇所(測定箇所)を設け、各実施例ご
とに50基板作製し、それぞれ合計9600箇所の導通を調査
した。その結果を表1に示す。
【0027】なお、図1は、導通評価用の基板の断面の
模式図であり、1はセラミック層、2はヴイア、3は内
部配線、4は表面導体をそれぞれ示す。上記した導通の
調査は、図1において、端子A−端子B間(表)及び端子
C−端子D間(裏)の導通をテスタ−にて調べたものであ
る。
模式図であり、1はセラミック層、2はヴイア、3は内
部配線、4は表面導体をそれぞれ示す。上記した導通の
調査は、図1において、端子A−端子B間(表)及び端子
C−端子D間(裏)の導通をテスタ−にて調べたものであ
る。
【0028】(比較例1〜6)なお、比較のため、実施
例と同一の原材料を用い、表1に示す割合(重量部)の
導体ペ−ストを実施例と同様に調製した。得られた導体
ペ−ストに対して、同じく実施例と同様に評価を行っ
た。その結果を表1に付記した。比較例1、2、4で
は、断面観察の結果、表面導体とヴイアの接続部付近で
空洞が認められ、また、比較例3では内部配線とヴイア
の接続部で空洞が観察された。
例と同一の原材料を用い、表1に示す割合(重量部)の
導体ペ−ストを実施例と同様に調製した。得られた導体
ペ−ストに対して、同じく実施例と同様に評価を行っ
た。その結果を表1に付記した。比較例1、2、4で
は、断面観察の結果、表面導体とヴイアの接続部付近で
空洞が認められ、また、比較例3では内部配線とヴイア
の接続部で空洞が観察された。
【0029】
【表1】
【0030】Pd配合の有無については、表1から明らか
なように、実施例1〜7においてPdを配合することによ
り表面のAg-Pd導体との接続性が改善され、導通不良が
皆無であった。これに対して、Pdを配合しない比較例1
(Ag:100重量部のペ−スト)では、15箇所の導通不良箇
所が発生した。また、このPdの配合量については、比較
例3(Pd量:3重量部)でみられるように、Pd量が多いと
内部配線との接続が逆に悪くなることが認められ、従っ
て、本発明では、実施例1〜7のようにPd量:0.5〜2wt
%配合するのが好ましい。
なように、実施例1〜7においてPdを配合することによ
り表面のAg-Pd導体との接続性が改善され、導通不良が
皆無であった。これに対して、Pdを配合しない比較例1
(Ag:100重量部のペ−スト)では、15箇所の導通不良箇
所が発生した。また、このPdの配合量については、比較
例3(Pd量:3重量部)でみられるように、Pd量が多いと
内部配線との接続が逆に悪くなることが認められ、従っ
て、本発明では、実施例1〜7のようにPd量:0.5〜2wt
%配合するのが好ましい。
【0031】その上、比較例2との対比から明らかなよ
うに、本発明では、Pd量を0.5〜2wt%とし、さらにAu及
び/又はPtを添加することにより、内部配線との接続を
悪化しないで表面導体との接続を改善する効果があるこ
とが認められた。しかし、Auは5wt%を超えると、実施
例6と比較例5との対比から明らかなように、やはり内
部配線との接続性が悪くなることが認められた。また、
Ptは3wt%を超えると、実施例7と比較例6との対比か
ら明らかなように、同じく内部配線との接続が悪化する
ことが認められた。
うに、本発明では、Pd量を0.5〜2wt%とし、さらにAu及
び/又はPtを添加することにより、内部配線との接続を
悪化しないで表面導体との接続を改善する効果があるこ
とが認められた。しかし、Auは5wt%を超えると、実施
例6と比較例5との対比から明らかなように、やはり内
部配線との接続性が悪くなることが認められた。また、
Ptは3wt%を超えると、実施例7と比較例6との対比か
ら明らかなように、同じく内部配線との接続が悪化する
ことが認められた。
【0032】(実施例8、9)セッタ−への付着及びク
ラック発生の有無を調査するため、表2に示す配合割合
の導体ペ−ストを調製した。(使用原材料は前記と同一
のものを使用した。)この導体ペ−ストを用いたものに
対して、 (1) セッタ−への付着の有無として、アルミナセッタ−
を実体顕微鏡で観察した。 (2) クラック発生の有無として、試料をエポキシ樹脂に
包埋後、断面が見えるように研磨し、顕微鏡にて観察し
た。 この(1)及び(2)の観察結果を表2に示す。
ラック発生の有無を調査するため、表2に示す配合割合
の導体ペ−ストを調製した。(使用原材料は前記と同一
のものを使用した。)この導体ペ−ストを用いたものに
対して、 (1) セッタ−への付着の有無として、アルミナセッタ−
を実体顕微鏡で観察した。 (2) クラック発生の有無として、試料をエポキシ樹脂に
包埋後、断面が見えるように研磨し、顕微鏡にて観察し
た。 この(1)及び(2)の観察結果を表2に示す。
【0033】(比較例7、8)なお、比較のため、結晶
化ガラス無添加(比較例7)及び5重量部添加(比較例8)
の導体ペ−ストを実施例8、9と同様に調製した。この
導体ペ−ストを用いたものに対して、上記(1)及び(2)の
観察をした。その観察結果を表2に付記した。
化ガラス無添加(比較例7)及び5重量部添加(比較例8)
の導体ペ−ストを実施例8、9と同様に調製した。この
導体ペ−ストを用いたものに対して、上記(1)及び(2)の
観察をした。その観察結果を表2に付記した。
【0034】
【表2】
【0035】表2から明らかなように、結晶化ガラス無
添加の比較例7では、クラックが発生しないけれども、
セッタ−への付着が認められた。また、この結晶化ガラ
スを5重量部配合した比較例8では、逆にセッタ−への
付着が認められないものの、クラックが発生した。これ
に対して、実施例8、9でみられるように、結晶化ガラ
スの配合量が0.3〜3wt%でセッタ−への付着及びクラッ
ク発生が認められなかった。
添加の比較例7では、クラックが発生しないけれども、
セッタ−への付着が認められた。また、この結晶化ガラ
スを5重量部配合した比較例8では、逆にセッタ−への
付着が認められないものの、クラックが発生した。これ
に対して、実施例8、9でみられるように、結晶化ガラ
スの配合量が0.3〜3wt%でセッタ−への付着及びクラッ
ク発生が認められなかった。
【0036】
【発明の効果】以上のとおり、本発明にかかる導体ペ−
ストをヴイア用の導体ペ−ストとして用いることによ
り、Ag導体(内部配線)とAg-Pd導体(表面導体)とを
良好に接続することができる効果が生じる。従って、内
部配線に低抵抗のAg導体を使用した、接続信頼性に優れ
たセラミック多層基板を提供することができる。また、
本発明にかかる導体ペ−ストによれば、結晶化ガラスを
配合することによりセッタ−への付着が生じることがな
く、しかもヴイア導体周辺の基板にクラックが発生する
こともない効果が生じる。
ストをヴイア用の導体ペ−ストとして用いることによ
り、Ag導体(内部配線)とAg-Pd導体(表面導体)とを
良好に接続することができる効果が生じる。従って、内
部配線に低抵抗のAg導体を使用した、接続信頼性に優れ
たセラミック多層基板を提供することができる。また、
本発明にかかる導体ペ−ストによれば、結晶化ガラスを
配合することによりセッタ−への付着が生じることがな
く、しかもヴイア導体周辺の基板にクラックが発生する
こともない効果が生じる。
【図1】導通評価用の基板の断面模式図。
1 セラミック層 2 ヴイア 3 内部配線 4 表面導体
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/46 H 6921−4E
Claims (2)
- 【請求項1】 93〜97重量部のAg、0.5〜2重量部のPd、
残りの成分がAu及び/又はPt(ただし、Auは0〜5重量
部、Ptは0〜3重量部)からなり、さらに0.3〜3重量部
(外割)の結晶化ガラス及び適量の有機ビヒクルからな
ることを特徴とする導体ペ−スト。 - 【請求項2】 Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接
続してなるセラミック多層配線基板において、93〜97重
量部のAg、0.5〜2重量部のPd、残りの成分がAu及び/又
はPt(ただし、Auは0〜5重量部、Ptは0〜3重量部)から
なり、さらに0.3〜3重量部(外割)の結晶化ガラス及び
適量の有機ビヒクルからなる導体ペ−ストを、上記Agの
内部配線とAg-Pdの表面導体とを接続するヴイアに用い
ることを特徴とするセラミック多層配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12797893A JP3369633B2 (ja) | 1993-05-01 | 1993-05-01 | 導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12797893A JP3369633B2 (ja) | 1993-05-01 | 1993-05-01 | 導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06314517A true JPH06314517A (ja) | 1994-11-08 |
JP3369633B2 JP3369633B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=14973407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12797893A Expired - Fee Related JP3369633B2 (ja) | 1993-05-01 | 1993-05-01 | 導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3369633B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1069194A1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-01-17 | Sony Corporation | Metal material for electronic parts, electronic parts, electronic apparatuses, and method of processing metal materials |
KR100393592B1 (ko) * | 2001-07-05 | 2003-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 도전성 페이스트 및 이를 이용한 집적 회로 장치 |
EP1981320A1 (en) * | 2006-01-23 | 2008-10-15 | Hitachi Metals Precision, Ltd. | Conductive paste, multilayer ceramic substrate and method for manufacturing multilayer ceramic substrate |
CN109628790A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-16 | 山东赢耐鑫电子科技有限公司 | 一种高纯金银钯铂合金键合引线及其制备方法 |
-
1993
- 1993-05-01 JP JP12797893A patent/JP3369633B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1069194A1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-01-17 | Sony Corporation | Metal material for electronic parts, electronic parts, electronic apparatuses, and method of processing metal materials |
US6723281B1 (en) | 1999-07-12 | 2004-04-20 | Sony Corporation | Metal material for electronic parts, electronic parts, electronic apparatuses, and method of processing metal materials |
KR100715405B1 (ko) * | 1999-07-12 | 2007-05-08 | 소니 가부시끼 가이샤 | 전자 부품용 금속 재료, 전자 부품, 전자 장치, 및 금속재료의 처리 방법 |
KR100393592B1 (ko) * | 2001-07-05 | 2003-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 도전성 페이스트 및 이를 이용한 집적 회로 장치 |
EP1981320A1 (en) * | 2006-01-23 | 2008-10-15 | Hitachi Metals Precision, Ltd. | Conductive paste, multilayer ceramic substrate and method for manufacturing multilayer ceramic substrate |
EP1981320A4 (en) * | 2006-01-23 | 2011-03-02 | Hitachi Metals Ltd | CONDUCTIVE PASTE, MULTILAYER CERAMIC SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTILAYER CERAMIC SUBSTRATE |
US8501299B2 (en) | 2006-01-23 | 2013-08-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Conductive paste, multilayer ceramic substrate and its production method |
CN109628790A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-16 | 山东赢耐鑫电子科技有限公司 | 一种高纯金银钯铂合金键合引线及其制备方法 |
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JP3369633B2 (ja) | 2003-01-20 |
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