JPH037877Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH037877Y2 JPH037877Y2 JP14358684U JP14358684U JPH037877Y2 JP H037877 Y2 JPH037877 Y2 JP H037877Y2 JP 14358684 U JP14358684 U JP 14358684U JP 14358684 U JP14358684 U JP 14358684U JP H037877 Y2 JPH037877 Y2 JP H037877Y2
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- JP
- Japan
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- layer
- thin
- lead terminal
- insulating
- substrate
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、ガラスなどの絶縁基板上に薄膜Al
層を配線層として形成した陽極基板を具備する螢
光表示管に関し、特に陽極基板の端子構造に関す
るものである。
層を配線層として形成した陽極基板を具備する螢
光表示管に関し、特に陽極基板の端子構造に関す
るものである。
近年、螢光表示管の表示機能が拡大するに伴つ
て陽極基板上での配線密度が著しく増大し、従来
からの厚膜印刷による陽極基板の作成にかえて、
薄膜形成技術を利用して陽極基板を作成する方法
が開発され実用化されている。この種の陽極基板
の作成法としては、構造的に大別して、２層の薄
膜導電層を絶縁層を介して立体的に交叉して形成
するクロスオーバタイプのものと、薄膜導電層を
１層で形成するノンクロスオーバタイプのものと
があるが、いずれのものも薄膜導電層を配線層と
する場合、そのリード端子部分はハンダ付け等に
より基板の外部へ導通をとるため、厚膜印刷によ
る厚膜導電層が形成されている。
て陽極基板上での配線密度が著しく増大し、従来
からの厚膜印刷による陽極基板の作成にかえて、
薄膜形成技術を利用して陽極基板を作成する方法
が開発され実用化されている。この種の陽極基板
の作成法としては、構造的に大別して、２層の薄
膜導電層を絶縁層を介して立体的に交叉して形成
するクロスオーバタイプのものと、薄膜導電層を
１層で形成するノンクロスオーバタイプのものと
があるが、いずれのものも薄膜導電層を配線層と
する場合、そのリード端子部分はハンダ付け等に
より基板の外部へ導通をとるため、厚膜印刷によ
る厚膜導電層が形成されている。
第２図ａおよびｂは従来の螢光表示管において
用いられている陽極基板の一例を示す主要断面図
およびその平面図であり、１つのリード端子部分
を示す。すなわち、従来では、第２図に示すよう
に、絶縁基板としてのガラス基板１上の全面にス
パツタ法等により薄膜Al層を形成したうえ、こ
の薄膜Al層をフオトリソグラフイ技術によりパ
ターニングして陽極などの配線パターンに対応す
る薄膜Al層２を配線層としてそれぞれ形成する
とともに、リード端子部分に対応する薄膜Al層
２１を導出導電層として形成する。次いで、この
ガラス基板１上の前記薄膜Al層２を含むほぼ全
面に、ガラスを主成分とする絶縁体ペーストを用
いてスクリーン印刷により厚膜絶縁層３をオーバ
コート層として形成する。これにより、各リード
端子部分となる薄膜Al層２１が露出される。し
かる後、この露出した各々の薄膜Al層２１上に、
Agを主成分とするAgペーストを用いてスクリー
ン印刷により厚膜Ag層４が前記絶縁層３の端面
３ａと所定のギヤツプを有してそれぞれ形成され
ている。
用いられている陽極基板の一例を示す主要断面図
およびその平面図であり、１つのリード端子部分
を示す。すなわち、従来では、第２図に示すよう
に、絶縁基板としてのガラス基板１上の全面にス
パツタ法等により薄膜Al層を形成したうえ、こ
の薄膜Al層をフオトリソグラフイ技術によりパ
ターニングして陽極などの配線パターンに対応す
る薄膜Al層２を配線層としてそれぞれ形成する
とともに、リード端子部分に対応する薄膜Al層
２１を導出導電層として形成する。次いで、この
ガラス基板１上の前記薄膜Al層２を含むほぼ全
面に、ガラスを主成分とする絶縁体ペーストを用
いてスクリーン印刷により厚膜絶縁層３をオーバ
コート層として形成する。これにより、各リード
端子部分となる薄膜Al層２１が露出される。し
かる後、この露出した各々の薄膜Al層２１上に、
Agを主成分とするAgペーストを用いてスクリー
ン印刷により厚膜Ag層４が前記絶縁層３の端面
３ａと所定のギヤツプを有してそれぞれ形成され
ている。
しかし、このような従来の陽極基板は、リード
端子部分となる薄膜Al層２１の一部２２が露出
されているため、その薄膜Al層２１と厚膜Ag層
４との境が反応しやすくなる。すなわち、一般に
AlとAgとは高温で合金化するものの、低温（封
着温度450〜500℃）においても両者のイオン半径
が異なるため、イオン半径の小さいAlがイオン
半径の大きいAgの中に入り込む（拡散が起る）
ためにAlの結合が崩壊し、従つてもろくなりや
すい。この現象は両者が空気中にさらされている
場合、特に早く進行することになり、これは酸素
が触媒的な役割をするものと考えられている。そ
の結果、Alの金属結合が崩壊するために、高低
抗となるか又は導通不良となる。また、Alが空
気中に露出した部分があると、その露出部分と封
着部が重なつた場合封着用フリツトガラスが固化
時に収縮し、これに伴なつてAlにも収縮が起り
断線に至ることがある。さらには、作業中に露出
した薄いAl層にキズが入つたりして断線を起こ
すおそれもあつた。
端子部分となる薄膜Al層２１の一部２２が露出
されているため、その薄膜Al層２１と厚膜Ag層
４との境が反応しやすくなる。すなわち、一般に
AlとAgとは高温で合金化するものの、低温（封
着温度450〜500℃）においても両者のイオン半径
が異なるため、イオン半径の小さいAlがイオン
半径の大きいAgの中に入り込む（拡散が起る）
ためにAlの結合が崩壊し、従つてもろくなりや
すい。この現象は両者が空気中にさらされている
場合、特に早く進行することになり、これは酸素
が触媒的な役割をするものと考えられている。そ
の結果、Alの金属結合が崩壊するために、高低
抗となるか又は導通不良となる。また、Alが空
気中に露出した部分があると、その露出部分と封
着部が重なつた場合封着用フリツトガラスが固化
時に収縮し、これに伴なつてAlにも収縮が起り
断線に至ることがある。さらには、作業中に露出
した薄いAl層にキズが入つたりして断線を起こ
すおそれもあつた。
本考案は、かかる点に鑑みてなされたもので、
上記した従来の欠点を解消した螢光表示管を提供
することを目的とする。
上記した従来の欠点を解消した螢光表示管を提供
することを目的とする。
このような目的を達成するために、本考案は、
絶縁基板上に薄膜Al層を配線層として形成した
陽極基板を具備する螢光表示管において、前記絶
縁基板上に前記薄膜Al層の各々のリード端子部
分を露出させて絶縁層を形成し、これらリード端
子部分に、該各リード端子部分をそれぞれ被覆す
べく前記絶縁層の一部に重ねて厚膜Ag層を形成
したものである。
絶縁基板上に薄膜Al層を配線層として形成した
陽極基板を具備する螢光表示管において、前記絶
縁基板上に前記薄膜Al層の各々のリード端子部
分を露出させて絶縁層を形成し、これらリード端
子部分に、該各リード端子部分をそれぞれ被覆す
べく前記絶縁層の一部に重ねて厚膜Ag層を形成
したものである。
本考案においては、薄膜Al層の露出している
リード端子部分を厚膜Ag層で被覆することによ
り、薄膜Al層の露出部がなくなるので、この薄
Al電層を効果的に保護することができる。
リード端子部分を厚膜Ag層で被覆することによ
り、薄膜Al層の露出部がなくなるので、この薄
Al電層を効果的に保護することができる。
〔実施例〕
第１図ａおよびｂは本考案の一実施例による陽
極基板の主要断面図およびその平面図であり、同
図において第２図と同一または相当部分は同一符
号を付している。この実施例の陽極基板は、ガラ
ス基板１上の全面に薄膜Al層を形成したうえ、
この薄膜Al層をパターンニングして陽極などの
配線パターンに対応する薄膜Al層２を配線層と
して形成するとともに、リード端子部分に対応す
る薄膜Al層２１を導出導電層として形成する点
は第２図に示す従来のものと同様であるが、ガラ
ス基板１上に前記薄膜Al層２の各々のリード端
子部分となる薄膜Al層２１を露出させて絶縁層
３を形成し、これらリード端子部分の薄膜Al層
２１上に、該各薄膜Al層２１をそれぞれ被覆す
べく厚膜Ag層４１を前記絶縁層３の一部に重ね
て積層形成したものである。
極基板の主要断面図およびその平面図であり、同
図において第２図と同一または相当部分は同一符
号を付している。この実施例の陽極基板は、ガラ
ス基板１上の全面に薄膜Al層を形成したうえ、
この薄膜Al層をパターンニングして陽極などの
配線パターンに対応する薄膜Al層２を配線層と
して形成するとともに、リード端子部分に対応す
る薄膜Al層２１を導出導電層として形成する点
は第２図に示す従来のものと同様であるが、ガラ
ス基板１上に前記薄膜Al層２の各々のリード端
子部分となる薄膜Al層２１を露出させて絶縁層
３を形成し、これらリード端子部分の薄膜Al層
２１上に、該各薄膜Al層２１をそれぞれ被覆す
べく厚膜Ag層４１を前記絶縁層３の一部に重ね
て積層形成したものである。
このように構成された陽極基板は、リード端子
部分となる薄膜Al層２１すべてが厚膜Ag層４１
で被覆されるので、このAl層２１は、上述した
従来のように、封着用フリツトガラスと接するこ
とがなくなり、そのフリツトガラスとの反応もな
く断線の発生がなくなる。また、作業中にキズが
入ることもなく、キズによる断線のおそれもなく
なるとともに、薄膜Al層２１と厚膜Ag層４１と
の境の反応もなくなる等の利点を奏する。
部分となる薄膜Al層２１すべてが厚膜Ag層４１
で被覆されるので、このAl層２１は、上述した
従来のように、封着用フリツトガラスと接するこ
とがなくなり、そのフリツトガラスとの反応もな
く断線の発生がなくなる。また、作業中にキズが
入ることもなく、キズによる断線のおそれもなく
なるとともに、薄膜Al層２１と厚膜Ag層４１と
の境の反応もなくなる等の利点を奏する。
以上説明したように、本考案に係る螢光表示管
によれば、陽極基板上のリード端子部分となる薄
Al電層のすべてを被覆することにより、この薄
膜Al層にキズが入つたり、断線の発生もなくな
り、しかも厚膜Ag層との境の反応もなくなるの
で、配線の信頼性向上にすぐれた効果がある。
によれば、陽極基板上のリード端子部分となる薄
Al電層のすべてを被覆することにより、この薄
膜Al層にキズが入つたり、断線の発生もなくな
り、しかも厚膜Ag層との境の反応もなくなるの
で、配線の信頼性向上にすぐれた効果がある。
第１図ａおよびｂは本考案の一実施例における
陽極基板の主要断面図およびその平面図、第２図
ａおよびｂは従来の一例を示す陽極基板の主要断
面図およびその平面図である。 １……ガラス基板、２……薄膜Al層、２１…
…リード端子部分の薄膜Al層、３……絶縁層、
４１……厚膜Ag層。
陽極基板の主要断面図およびその平面図、第２図
ａおよびｂは従来の一例を示す陽極基板の主要断
面図およびその平面図である。 １……ガラス基板、２……薄膜Al層、２１…
…リード端子部分の薄膜Al層、３……絶縁層、
４１……厚膜Ag層。
Claims (1)
- 絶縁基板上に薄膜Al層を配線層として形成し
た陽極基板を具備する螢光表示管において、前記
絶縁基板上に前記薄膜Al層の各々のリード端子
部分を露出させて絶縁層を形成し、これらリード
端子部分に、該各リード端子部分をそれぞれ被覆
すべく前記絶縁層の一部に重ねて厚膜Ag層を形
成したことを特徴とする螢光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14358684U JPH037877Y2 (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14358684U JPH037877Y2 (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6160455U JPS6160455U (ja) | 1986-04-23 |
| JPH037877Y2 true JPH037877Y2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=30701878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14358684U Expired JPH037877Y2 (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH037877Y2 (ja) |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP14358684U patent/JPH037877Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6160455U (ja) | 1986-04-23 |
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