JP2002076492A

JP2002076492A - レーザ装置

Info

Publication number: JP2002076492A
Application number: JP2000254121A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Honda; 正治本多
Original assignee: Tokyo Sanyo Electric Co Ltd; Tottori Sanyo Electric Co Ltd; Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Tokyo Sanyo Electric Co Ltd; Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2000-08-24
Filing date: 2000-08-24
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザ素子と受光素子の位置関係を正確に確
保し、光学素子との結合効率が高いレーザ装置を提供す
る。【解決手段】第１面３と、第１面３より低い第２面４
および第３面５を有し、略凸状に形成されたヒートシン
ク２と、第１面３上に配置されたレーザ素子８とレーザ
素子８の主出射面１０に近接して、第２面４上に設けら
れた光学素子１２と、第３面５上に設けられた受光素子
１３とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はレーザ装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の装置は、例えば図４に示
されている。図４に於て、ステム１００の上にヒートシ
ンク１０１が設けられ、ヒートシンク１０１の垂直面上
に、レーザ素子１０２が固定されている。そして、ステ
ム１００の水平面上に、受光素子１０３が固定されてい
る。これらの部品により、レーザ装置１０４が構成され
ている。

【０００３】更に、このレーザ装置１０４を用いた、Ｄ
ＶＤ用光ピックアップ１０５が図５に示されている。図
５に於て、発振波長が異なる第１レーザ装置１０６と、
第２レーザ装置１０７が配置されている。第１レーザ装
置１０６の上方に、ビームスプリッタ１０８を介して、
対物レンズ１０９が配置され、第２レーザ装置１０７の
上方に、反射ミラー１１０が配置されている。ビームス
プリッタ１０８の左側に、コリメータレンズ１１１と、
反射ミラー１１２が配置されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図４に示した
レーザ装置１０４では、レーザ素子１０２を垂直面に固
定し、受光素子１０３を水平面に固定するため、組立て
しにくく、両者の位置関係を正確に確保しにくい第１の
欠点が有る。更に、このレーザ装置１０４に、光学素子
（例えばコリメータレンズ等）を取付ける場合、キャッ
プ１１３の上方に光学素子を固定していた。そのため、
レーザ素子１０２と光学素子との距離が大きくなり、光
学素子との光結合効率が低い第２の欠点が有る。

【０００５】更に、図５に示したピックアップ１０５で
は、第１レーザ装置１０６の上方に離れてビームスプリ
ッタ１０８を配置し、第２レーザ装置１０７の上方に離
れて反射ミラー１１０を配置するので、レーザ光の出力
損失が大きい第３の欠点が有る。また、ステム１００を
有する第１レーザ装置１０６および第２レーザ装置１０
７を配置するため、装置が大型化（広いスペースを必要
とする事）する第４の欠点が有る。

【０００６】そこで、例えば、特開平６−４５７０３号
公報にて、小型化されたレーザ装置が示されている。こ
の公報によると、リードフレーム上に受光素子が設けら
れ、その上にレーザ素子が設けられている。しかし、レ
ーザ素子の副出射面の高さと受光素子に形成された受光
部の高さとの差が少ない。そのため、レーザ素子による
副出射光の入射角度が小さくなり、受光電流（モニタ電
流）が小さい第５の欠点が有る。

【０００７】本発明はこの様な従来の欠点を考慮して、
レーザ素子と受光素子の位置関係を正確に確保し、光学
素子との光結合効率が高い、レーザ光の出力損失が小さ
い、小型化した、受光電流が大きい、レーザ装置を提供
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の本発明では、第１面と、前記第１面より
低い第２面および第３面を有し、略凸状に形成されたヒ
ートシンクと、前記第１面上に配置されたレーザ素子
と、前記レーザ素子の主出射面に近接して、前記第２面
上に設けられた光学素子と、前記第３面上に設けられた
受光素子とを具備した。

【０００９】請求項２の本発明では、前記光学素子はコ
リメータレンズであるものとする。

【００１０】請求項３の本発明では、第１面と、前記第
１面より低い第２面および第３面を有し、略凸状に形成
されたヒートシンクと、前記第１面上に互いに離れて配
置され、発振波長が異なる第１レーザ素子および第２レ
ーザ素子と、前記第１レーザ素子の主出射面に近接し
て、前記第２面上に設けられた偏光ビームスプリッタと
前記第２レーザ素子の主出射面に近接して、前記第２面
上に設けられた反射ミラーと、前記第３面上に設けられ
た受光素子とを具備した。

【００１１】請求項４の本発明では、前記偏光ビームス
プリッタと、前記反射ミラーの代りに、前記第２面上に
１個のプリズムを設けた。

【００１２】請求項５の本発明では、前記レーザ素子又
は前記第１レーザ素子および前記第２レーザ素子の主出
射面および副出射面が前記第１面より突出した位置にあ
るものとする。

【００１３】請求項６の本発明では、前記第１面と前記
第３面の段差が、前記受光素子の厚さよりも大きいもの
とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、図１の断面図に従い、本
発明の実施の形態１に係るレーザ装置１を説明する。図
１に於て、ヒートシンク２は熱伝導率が高い、かつ、電
気伝導率が高い材質（例えば銅等）から成る。

【００１５】ヒートシンク２は、第１面３と、第１面３
より低い第２面４および第３面５を有し、断面形状が略
凸状に形成されている。この凸状部に於ける高い位置に
ある平面が第１面３である。凸状部に於ける低い位置に
ある平面が第２面４と、第３面５である。

【００１６】具体的には、水平な第２面４につながっ
て、垂直な側面６が形成されている。側面６につながっ
て、水平な第１面３が形成されている。第１面３につな
がって垂直な側面７が形成されている。側面７につなが
って、水平な第３面５が形成されている。第３面５につ
ながって、水平な第１端子部（図示せず）が形成されて
も良い。

【００１７】レーザ素子８は例えば、活性層９と、それ
を挟み、ＧａＡｌＡｓ層から成るクラッド層から構成さ
れる半導体レーザ素子である。レーザ素子８の表面と、
裏面には、各々、表面電極と、裏面電極（共に図示せ
ず）が形成されている。

【００１８】レーザ素子８は、前方が主出射面１０が位
置し、後方が副出射面１１が位置する様に、レーザ素子
８の裏面電極は、第１面３上に、銀ペースト等を介して
固着されている。レーザ素子８は、後方にモニタ用の副
出射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が、前面の
反射率よりも高い様に、形成されている。

【００１９】レーザ素子８の主出射面１０および副出射
面１１は、第１面３より突出した位置にある様に、レー
ザ素子８は設けられている。即ち、主出射面８は、側面
６よりも前方に位置し、副出射面１１は、側面７よりも
後方に位置する様に、設けられている。換言すれば、レ
ーザ素子８の共振器長（活性層９の長さ）は、第１面３
の長さより長く、設けられている。

【００２０】光学素子１２は例えばコリメータレンズで
あり、レーザ素子８の主出射面１０に近接する様に（例
えば０．１〜３ｍｍ）、第２面４上に接着材（図示せ
ず）等を介して、固定されている。

【００２１】この様に、光学素子１２およびレーザ素子
８を同一のヒートシンク２上に固定し、かつ、光学素子
１２と主出射面１０を近接させる事により、光学素子１
２とレーザ素子８との光結合効率が高くなる。

【００２２】また、主出射面１０を側面６よりも前方に
突出させる事により、主出射面１０からの主出射光（レ
ーザビーム）は、側面６に衝突し、邪魔される事が防止
される。その結果として、主出射光は有効に利用され、
上記光結合効率は、更に高くなる。

【００２３】上記構成により、主出射面１０からの主出
射光は、光学素子１２内に進入し、光学素子１２によ
り、略平行な光線として、外部へ進行する。この平行光
線は、例えば、ＣＤ用ピックアップを構成する偏光ビー
ムスプリッタ内に進入する。

【００２４】受光素子１３は例えばＰ−Ｉ−Ｎ構造から
成るシリコン系結晶に、表面電極と裏面電極（共に図示
せず）が設けられたものである。表面電極は、例えばＰ
型拡散領域から成る受光部１４とオーミック接触して形
成されている。受光素子１３の裏面電極は、銀ペースト
等の導電性接着材１５を介して、第３面５上に固着され
ている。

【００２５】第１面３と、第３面５との段差（即ち、側
面７の高さ）は、受光素子１３の厚さよりも大きくなる
様に、設けられている。この構成により、副出射面１１
の高さと、受光部１４の高さとの差が大きくなり、レー
ザ素子８に設けられた副出射面１１からの副出射光の入
射角度が大きくなり、受光部１４に於ける受光電流（モ
ニタ電流）が大きくなる。

【００２６】その結果、副出射光量を正確にモニタ（監
視）する事ができ、主出射光量を正確に制御する事がで
きる。

【００２７】また、副出射面１１を側面７よりも後方に
突出させる事により、副出射面１１からの副出射光は、
側面７に衝突し、邪魔される事が防止できる。その結
果、副出射光は有効に利用され、上記受光電流は、更に
大きくなる。

【００２８】銅等から成る第２端子部と、第３端子部
（共に図示せず）は、ヒートシンク２と近接して配置さ
れている。金等から成る第１金属細線（図示せず）は、
レーザ素子８の表面電極と、第２端子部の適所との間を
結ぶ様に配線されている。金等から成る第２金属細線
（図示せず）は、受光素子１３の表面電極と、第３端子
部の適所との間を結ぶ様に配線されている。以上の部品
により、このレーザ装置１は構成されている。

【００２９】次に図２に従い、本発明の実施の形態２に
係るレーザ装置１６を説明する。図２（ａ）は、このレ
ーザ装置１６の平面図、図２（ｂ）は、レーザ装置１６
の側面図である。

【００３０】これらの図に於て、ヒートシンク１７は熱
伝導率が高く、電気伝導率が高い材質（例えば銅等）か
ら成る。ヒートシンク１７は第１面１８と、第１面１８
より低い第２面１９および第３面２０を有し、断面形状
が略凸状に形成されている。この凸状部に於ける高い位
置にある平面が第１面１８である。凸状部に於ける低い
位置にある平面が、第２面１９と、第３面５である。

【００３１】水平な第２面４につながって、垂直な側面
２１が形成されている。側面２１につながって、水平な
第１面１８が形成されている。第１面１８につながっ
て、垂直な側面２２が形成されている。垂直な側面２２
につながって、水平な第３面２０が形成されている。第
３面２０につながって、水平な第１端子部（図示せず）
が形成されても良い。

【００３２】第１レーザ素子２３は例えば、活性層２４
と、それを挟むクラッド層から成り例えば６５０ｎｍの
発振波長を有するものである。第１レーザ素子２３の表
面と裏面には、各々、表面電極と裏面電極（共に図示せ
ず）が形成されている。

【００３３】第１レーザ素子２３は、前方に主出射面２
５が位置し、後方に副出射面２６が位置する様に、第１
レーザ素子２３の裏面電極は、第１面１８上に、銀ペー
スト等を介して固着されている。第１レーザ素子２３
は、後方にモニタ用の副出射が行われる様に、後面の反
射膜の反射率が、前面の反射率よりも高い様に、形成さ
れている。

【００３４】第１レーザ素子２３の主出射面２５および
副出射面２６は、第１面１８より突出した位置にある様
に、設けられている。即ち、主出射面２５は、側面２１
よりも前方に位置し、副出射面２６は、側面２２よりも
後方に位置する様に、設けられている。

【００３５】第２レーザ素子２７は例えば、活性層（図
示せず）と、それを挟み、ＧａＡｌＡｓのクラッド層か
ら成り、例えば７８０ｎｍの発振波長を有するものであ
る。第２レーザ素子２７の表面と裏面には、各々、表面
電極と裏面電極（共に図示せず）が形成されている。

【００３６】第２レーザ素子２７は、前方に主出射面２
８が位置し、後方に副出射面２９が位置する様に、第２
レーザ素子２７の裏面電極は、第１面１８上に、銀ペー
スト等を介して固着されている。第２レーザ素子２７
は、後方にモニタ用の副出射が行われる様に、後面の反
射膜の反射率が、前面の反射率よりも高い様に、形成さ
れている。

【００３７】第２レーザ素子２７の主出射面２８および
副出射面２９は、第１面１８より突出した位置にある様
に、設けられている。即ち、主出射面２８は、側面２１
よりも前方に位置し、副出射面２９は、側面２２よりも
後方に位置する様に、設けられている。

【００３８】この様に、第１レーザ素子２３と第２レー
ザ素子２７は、各々、発振波長が異なる。そして、第１
レーザ素子２３と第２レーザ素子２７は、第１面１８上
に、互いに離れて位置する様に、配置されている。

【００３９】偏光ビームスプリッタ３０は、第１レーザ
素子２３の主出射面２５に近接する様に、第２面１９上
に、接着材等を介して固着されている。

【００４０】また、主出射面２５を側面２１よりも前方
に突出させる事により、主出射面２５からの主出射光
は、側面２１に衝突し、邪魔される事が防止される。そ
の結果主出射光は有効に利用され、偏光ビームスプリッ
タ３０との光結合効率は、高くなる。

【００４１】反射ミラー３２は、第２レーザ素子２７の
主出射面２８に近接する様に、第２面１９上に、接着材
等を介して固着されている。第２レーザ素子２７からの
主出射光は、反射ミラー３２の反射面３３にて反射さ
れ、その反射光３４は、偏光ビームスプリッタ３０内に
進入する様に、構成されている。

【００４２】受光素子３５は例えば、Ｐ−Ｉ−Ｎ構造か
ら成るシリコン系結晶に、表面電極と裏面電極（共に図
示せず）が設けられたものである。表面電極は、例えば
Ｐ型拡散領域から成る受光部３６とオーミック接触して
形成されている。受光素子３５の裏面電極は、銀ペース
ト等の導電性接着材３７を介して、第３面２０上に固着
されている。

【００４３】第１面１８と、第３面２０との段差（即
ち、側面２２の高さ）は、受光素子３５の厚さよりも大
きくなる様に、設けられている。この構成により、第１
レーザ素子２３の副出射面２６の高さと、受光部３６の
高さとの差が大きくなる（図２（ｂ）参照）。その結
果、副出射面２６からの副出射光の入射角度が大きくな
り、受光部１４に於ける受光電流（モニタ電流）は大き
くなる。

【００４４】また、第１面１８と、第３面２０との段差
を、受光素子３５の厚さよりも大きくする事により、第
２レーザ素子２７の副出射面２９の高さと、受光部３６
の高さとの差が大きくなる。その結果、副出射面２９か
らの副出射光の入射角度が大きくなり、受光部１４に於
ける受光電流は大きくなる。

【００４５】銅等から成る第２端子部と、第３端子部
と、第４端子部（共に図示せず）は、ヒートシンク１７
と近接して配置されている。金等から成る第１金属細線
（図示せず）は、第１レーザ素子２３の表面電極と、第
２端子部の適所との間を結ぶ様に、配線されている。

【００４６】金等から成る第２金属細線（図示せず）
は、第２レーザ素子２７の表面電極と第３端子部の適所
との間を結ぶ様に、配線されている。金等から成る第３
金属細線（図示せず）は、受光素子３５の表面電極と、
第４端子部の適所との間を結ぶ様に、配線されている。
以上の部品により、このレーザ装置１６は構成されてい
る。

【００４７】また、偏光ビームスプリッタ３０の前方に
は、コリメータレンズ（図示せず）を介して、対物レン
ズが配置されている。偏光ビームスプリッタ３０の側方
には凹レンズ（図示せず）を介して、光検出器３９が配
置されている。上記部品と、レーザ装置１６等により、
光ピックアップ装置４０が構成されている。

【００４８】次に、再び図２に従い、このレーザ装置１
６の動作説明を行う。最初に、使用者は例えば、プレー
ヤにＤＶＤをセットし、ＤＶＤ用運転スイッチ（共に図
示せず）を押したとする。その結果、第２端子部と第１
端子部との間に電圧が印加され、第４端子部と第１端子
部との間に電圧が印加される。また、第４端子部は電流
検出器（図示せず）に接続されている。

【００４９】第１レーザ素子２３に所定の電圧が印加さ
れ、主出射面２５から主出射光４２が出射され、副出射
面２６が副出射光が出射される。

【００５０】主出射光４２は、偏光ビームスプリッタ３
０を通過し、進行光４２として、コリメータレンズを通
り、対物レンズ３８を通り、ＤＶＤの記録面に到達す
る。上記記録面で反射された光は、対物レンズ３８と、
コリメータレンズを通り、反射光４３となり、偏光ビー
ムスプリッタ３０内に進入する。

【００５１】上記進入した光は、境界面３１にて屈折さ
れ、進行光４４として、光検出器３９内に進入する。進
入した光は光検出器３９によりデータとして再生され
る。

【００５２】また、この時、第４端子部に接続された電
流検出器は、受光部３６の受光電流を検出し、第１レー
ザ素子２３に印加される電圧を制御し、６５０ｎｍの発
振波長を持つ主出射光が所定の出力を行う様に、構成さ
れている。

【００５３】次に、使用者は例えば、ＣＤ−Ｒディスク
を再生したい場合は、プレーヤからＤＶＤを取除き、Ｃ
Ｄ−Ｒディスクをセットし、ＣＤ−Ｒ用運転スイッチ
（共に図示せず）を押す。その結果、第３端子部と第１
端子部との間に電圧が印加され第４端子部と第１端子部
との間に電圧が印加される。

【００５４】第２レーザ素子２７に所定の電圧が印加さ
れ、主出射面２８から主出射光が出射され、主出射光３
３ａは反射面３３で反射され、反射光３４となって、偏
光ビームスプリッタ３０内に進入する。

【００５５】上記進入した光は、境界面３１にて反射さ
れ、進行光４２として、コリメータレンズと対物レンズ
３８を通り、ＣＤ−Ｒディスクの記録面に到達する。上
記記録面で反射された光は、対物レンズ３８と、コリメ
ータレンズを通り、反射光４３となり、偏光ビームスプ
リッタ３０内に進入する。

【００５６】上記進入した光は、境界面３１にて屈折さ
れ、進行光４４として、光検出器３９内に進入する。こ
の進入した光は、光検出器３９により、データとして再
生される。

【００５７】また、この時、第４端子部に接続された電
流検出器は、受光部３６の受光電流を検出し、第２レー
ザ素子２７に印加される電圧を制御し、７８０ｎｍの発
振波長を持つ主出射光が所定の出力を行う様に、構成さ
れている。

【００５８】次に図３に従い、本発明の実施の形態３に
係るレーザ装置４６を説明する。図３は、このレーザ装
置４６に用いられるプリズム４７の平面図である。

【００５９】図３に於て、プリズム４７は、１側に反射
面４８が形成され、他側近傍に、境界面４９が形成され
ている。即ち、反射面４８は、図２（ａ）に示された反
射ミラー３２に形成された反射面３３と同一の機能を有
している。また、境界面４９は、図２（ａ）に示された
偏光ビームスプリッタ３０に形成された境界面３１と同
一の機能を有している。

【００６０】反射面４８が第２レーザ素子２７の主出射
面２８に近接し、境界面４９が第１レーザ素子２３に形
成された主出射面２５に近接する様に、プリズム４７は
第２面１９上に固定されている。

【００６１】即ち、図２に示した偏光ビームスプリッタ
３０と、反射ミラー３２の代りに、図３に示したプリズ
ム４７は、第２面１９上に設けられている。

【００６２】上記構成により、第２レーザ素子２７から
出射された主出射光３３ａと、反射光３４と、第１レー
ザ素子２３から出射された主出射光４１と、進行光４２
と、反射光４３と、進行光４４は各々、図２に於て同じ
番号にて示した光と同一であり、同一の動作を行う。

【００６３】

【発明の効果】請求項１の本発明では、第１面と、前記
第１面より低い第２面および第３面を有し、略凸状に形
成されたヒートシンクと、前記第１面上に配置されたレ
ーザ素子と、前記レーザ素子の主出射面に近接して、前
記第２面上に設けられた光学素子と、前記第３面上に設
けられた受光素子とを具備するものである。この様に、
光学素子と、レーザ素子と、受光素子を同一のヒートシ
ンク上に、同一方向（水平方向）にて組立てるので、組
立し易く、上記３部品につき、各部品同士の位置関係を
正確に確保できる。また、レーザ素子に近接する様に、
ヒートシンクの前面（第２面）に段差を設けて、光学素
子を設けるので、光学素子とレーザ素子を近接させる事
ができる。その結果、光学素子との光結合効率が高くな
る。

【００６４】請求項２の本発明では、前記光学素子はコ
リメータレンズであるものとする。この様にして、レー
ザ素子から出射される主出射光（長円形のスポット）
は、コリメータレンズにより、真円のスポットに整形さ
れる。その結果、上記整形された光が対物レンズを通過
した後、集束されたスポットも真円となり、正確な信号
の再生ができる。また、コリメータレンズとレーザ素子
を近接させる事ができるので、光結合効率は高くなる。

【００６５】請求項３の本発明では、第１面と、前記第
１面より低い第２面および第３面を有し、略凸状に形成
されたヒートシンクと、前記第１面上に互いに離れて配
置され、発振波長が異なる第１レーザ素子および第２レ
ーザ素子と、前記第１レーザ素子の主出射面に近接し
て、前記第２面上に設けられた偏光ビームスプリッタと
前記第２レーザ素子の主出射面に近接して、前記第２面
上に設けられた反射ミラーと、前記第３面上に設けられ
た受光素子とを具備するものとする。この様に、第１レ
ーザ素子に近接して偏光ビームスプリッタを設けるの
で、レーザ光（主出射光）の出力損失を小さくできる。
また、従来の様に、ステム型のレーザ装置を２個並べる
のではなく、単なるレーザ素子を２個並べるので、装置
全体として小型化できる。そして、発振波長が異なる２
種類のレーザ光を出射するので、例えば異なる型のディ
スク（ＤＶＤとＣＤ−Ｒ等）を再生できる。

【００６６】請求項４の本発明では、前記偏光ビームス
プリッタと、前記反射ミラーの代りに、前記第２面上に
１個のプリズムを設ける構成とする。この様に、偏光ビ
ームスプリッタと、反射ミラーの代りに、１個のプリズ
ムを用いる事により、プリズムに形成された反射面と境
界面との位置関係が正確に得られる。故に、第１レーザ
素子からの主出射光と、第２レーザ素子からの主出射光
に於ける進行角度を正確に制御できる。

【００６７】請求項５の本発明では、前記レーザ素子又
は前記第１レーザ素子および前記第２レーザ素子の主出
射面および副出射面が前記第１面より突出した位置にあ
る構成とする。この構成により、各レーザ素子からの主
出射光は、ヒートシンクの側面に衝突し、邪魔される事
を防止される。また、各レーザ素子からの副出射光はヒ
ートシンクの側面に衝突し、邪魔される事を防止され
る。

【００６８】請求項６の本発明では、前記第１面と前記
第３面の段差が、前記受光素子の厚さよりも大きい構成
とする。この構成により、レーザ素子の副出射面の高さ
と、受光部の高さとの差が大きくなり、副出射光の入射
角度が大きくなり、受光部における受光電流が大きくな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係るレーザ装置１の断
面図である。

【図２】図２（ａ）は、本発明の実施の形態２に係るレ
ーザ装置１６の平面図、図２（ｂ）はレーザ装置１６の
側面図である。

【図３】本発明の実施の形態３に係るレーザ装置４６に
用いられるプリズム４７の平面図である。

【図４】従来のレーザ装置１０４の斜視図である。

【図５】従来のレーザ装置を用いたＤＶＤ用光ピックア
ップの概略図である。

【符号の説明】

２ヒートシンク３第１面４第２面５第３面８レーザ素子１２光学素子１３受光素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１面と、前記第１面より低い第２面お
よび第３面を有し、略凸状に形成されたヒートシンク
と、前記第１面上に配置されたレーザ素子と、前記レー
ザ素子の主出射面に近接して、前記第２面上に設けられ
た光学素子と、前記第３面上に設けられた受光素子とを
具備した事を特徴とするレーザ装置。
【請求項２】前記光学素子はコリメータレンズである
事を特徴とする請求項１のレーザ装置。
【請求項３】第１面と、前記第１面より低い第２面お
よび第３面を有し、略凸状に形成されたヒートシンク
と、前記第１面上に互いに離れて配置され、発振波長が
異なる第１レーザ素子および第２レーザ素子と、前記第
１レーザ素子の主出射面に近接して、前記第２面上に設
けられた偏光ビームスプリッタと、前記第２レーザ素子
の主出射面に近接して、前記第２面上に設けられた反射
ミラーと前記第３面上に設けられた受光素子とを具備し
た事を特徴とするレーザ装置。
【請求項４】前記偏光ビームスプリッタと、前記反射
ミラーの代りに、前記第２面上に１個のプリズムを設け
た事を特徴とする請求項３のレーザ装置。
【請求項５】前記レーザ素子又は前記第１レーザ素子
および前記第２レーザ素子の主出射面および副出射面が
前記第１面より突出した位置にある事を特徴とする請求
項１又は請求項３のレーザ装置。
【請求項６】前記第１面と前記第３面の段差が、前記
受光素子の厚さよりも大きい事を特徴とする請求項１又
は請求項３のレーザ装置。