JPH09128798A - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
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- JPH09128798A JPH09128798A JP7287546A JP28754695A JPH09128798A JP H09128798 A JPH09128798 A JP H09128798A JP 7287546 A JP7287546 A JP 7287546A JP 28754695 A JP28754695 A JP 28754695A JP H09128798 A JPH09128798 A JP H09128798A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学ピックアップなどの光学装置において、
その光学部品点数の削減および光学的な配置設定に際し
てのアライメントの簡単化を可能にし、装置全体の簡素
化、小型化を図るＣＬＣ構成の特性を有し、更に、フォ
ーカスサーボ信号の検出が容易にできるようにする。 【解決手段】 互いに近接するように発光部４と少なく
とも１つ以上の第１の受光部５とが同一基板上に積層さ
れ、発光部４の共振器端面から出射した光の被照射部か
らの共振器端面に向かう戻り光ＬＲを第１の受光部５に
よって共焦点近傍で受光検出する光学素子１０２と、こ
の光学素子１０２外に第２の受光部６とを有する光学装
置を構成する。
その光学部品点数の削減および光学的な配置設定に際し
てのアライメントの簡単化を可能にし、装置全体の簡素
化、小型化を図るＣＬＣ構成の特性を有し、更に、フォ
ーカスサーボ信号の検出が容易にできるようにする。 【解決手段】 互いに近接するように発光部４と少なく
とも１つ以上の第１の受光部５とが同一基板上に積層さ
れ、発光部４の共振器端面から出射した光の被照射部か
らの共振器端面に向かう戻り光ＬＲを第１の受光部５に
よって共焦点近傍で受光検出する光学素子１０２と、こ
の光学素子１０２外に第２の受光部６とを有する光学装
置を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光部からの光を
光記録媒体例えば光ディスク、光磁気ディスクなどの被
照射部に照射し、被照射部からの反射による戻り光を受
光検出する場合に適用して好適な光学装置に係わる。
光記録媒体例えば光ディスク、光磁気ディスクなどの被
照射部に照射し、被照射部からの反射による戻り光を受
光検出する場合に適用して好適な光学装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来の光学装置、いわゆるコンパクトデ
ィスク（ＣＤ）プレーヤなどの光ディスクドライブや光
磁気ディスクドライブの光学ピックアップでは、グレー
ティングやビームスプリッタなどの各光学部品を個別に
組み立てるため装置全体の構成が複雑且つ大きくなり、
また、基板上にハイブリッドで組み立てる場合に光学的
な配置設定に際して厳しいアライメント精度を必要とし
ていた。
ィスク（ＣＤ）プレーヤなどの光ディスクドライブや光
磁気ディスクドライブの光学ピックアップでは、グレー
ティングやビームスプリッタなどの各光学部品を個別に
組み立てるため装置全体の構成が複雑且つ大きくなり、
また、基板上にハイブリッドで組み立てる場合に光学的
な配置設定に際して厳しいアライメント精度を必要とし
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、例えば発光部に
光が戻るようにして、その戻り光を受光して検出するに
は、光をビームスプリッタやホログラムなどで分割する
必要がある。そのため受光部が受ける光量が減少すると
いう不都合が生じる。
光が戻るようにして、その戻り光を受光して検出するに
は、光をビームスプリッタやホログラムなどで分割する
必要がある。そのため受光部が受ける光量が減少すると
いう不都合が生じる。
【０００４】このような点を考慮して、光学部品点数の
削減および光学的な配置設定に際してのアライメントの
簡単化を可能にし、装置全体の簡素化、小型化を図る目
的で、レンズなど収束手段の共焦点位置に発光部を配置
し、この発光部のある共焦点位置近傍に受光部を形成す
るいわゆるＣＬＣ（コンフォーカル・レーザ・カプラ）
構成が考えられている。
削減および光学的な配置設定に際してのアライメントの
簡単化を可能にし、装置全体の簡素化、小型化を図る目
的で、レンズなど収束手段の共焦点位置に発光部を配置
し、この発光部のある共焦点位置近傍に受光部を形成す
るいわゆるＣＬＣ（コンフォーカル・レーザ・カプラ）
構成が考えられている。
【０００５】このＣＬＣ構成においては、例えば発光部
に面発光レーザを用いた場合にその半導体レーザの特性
や信頼性が充分でなかった。また半導体プロセスによっ
て、このＣＬＣ構成を製造しようとした場合に、半導体
基板の凹凸の影響が大きく製造が困難であった。
に面発光レーザを用いた場合にその半導体レーザの特性
や信頼性が充分でなかった。また半導体プロセスによっ
て、このＣＬＣ構成を製造しようとした場合に、半導体
基板の凹凸の影響が大きく製造が困難であった。
【０００６】一方、このＣＬＣ構成の光学装置における
フォーカスサーボ信号を検出することが困難であった。
フォーカスサーボ信号を検出することが困難であった。
【０００７】本発明はこのような点を考慮してなされた
もので、光学ピックアップなどの光学装置において、そ
の光学部品点数の削減および光学的な配置設定に際して
のアライメントの簡単化を可能にし、装置全体の簡素
化、小型化を図るＣＬＣ構成の特性を有し、更に、フォ
ーカスサーボ信号の検出が容易にできるようにしたもの
である。
もので、光学ピックアップなどの光学装置において、そ
の光学部品点数の削減および光学的な配置設定に際して
のアライメントの簡単化を可能にし、装置全体の簡素
化、小型化を図るＣＬＣ構成の特性を有し、更に、フォ
ーカスサーボ信号の検出が容易にできるようにしたもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光学装置は、互
いに近接するように発光部と少なくとも１つ以上の第１
の受光部とが同一基板上に積層され、発光部の共振器端
面から出射した光の被照射部からの共振器端面に向かう
戻り光を第１の受光部によって共焦点近傍で受光検出す
る光学素子と、この光学素子外に形成された受光素子か
らなる第２の受光部とを有する構成とされる。
いに近接するように発光部と少なくとも１つ以上の第１
の受光部とが同一基板上に積層され、発光部の共振器端
面から出射した光の被照射部からの共振器端面に向かう
戻り光を第１の受光部によって共焦点近傍で受光検出す
る光学素子と、この光学素子外に形成された受光素子か
らなる第２の受光部とを有する構成とされる。
【０００９】また本発明の光学装置は、互いに近接する
ように発光部と少なくとも１つ以上の第１の受光部とが
同一基板上に積層され、発光部の共振器端面から出射し
た光の被照射部からの共振器端面に向かう戻り光を第１
の受光部によって共焦点近傍で受光検出する光学素子
と、この光学素子上に形成された受光素子と光学素子外
に形成された受光素子とからなる第２の受光部とを有す
る構成とされる。
ように発光部と少なくとも１つ以上の第１の受光部とが
同一基板上に積層され、発光部の共振器端面から出射し
た光の被照射部からの共振器端面に向かう戻り光を第１
の受光部によって共焦点近傍で受光検出する光学素子
と、この光学素子上に形成された受光素子と光学素子外
に形成された受光素子とからなる第２の受光部とを有す
る構成とされる。
【００１０】上述の本発明の構成によれば、発光部の共
振器端面から出射した光の被照射部からの共振器端面に
向かう戻り光を第１の受光部によって共焦点近傍で受光
検出するＣＬＣ構成をなす光学素子に、さらに第２の受
光部を追加することより、例えばこの第２の受光部にお
いて、被照射部への入射光のフォーカス状態の検出すな
わちフォーカスサーボ信号の検出を行うことができる。
振器端面から出射した光の被照射部からの共振器端面に
向かう戻り光を第１の受光部によって共焦点近傍で受光
検出するＣＬＣ構成をなす光学素子に、さらに第２の受
光部を追加することより、例えばこの第２の受光部にお
いて、被照射部への入射光のフォーカス状態の検出すな
わちフォーカスサーボ信号の検出を行うことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の光学装置は、半導体レー
ザからなる発光部の直上ないしは直下の共焦点近傍に受
光部を形成した前述のＣＬＣ構成において、本出願人の
先の出願である特願平７−２３５６８０号出願「光学装
置」に記載された、共焦点近傍でプッシュプル法による
トラッキングサーボ信号の検出を行う光学装置を構成
し、さらに第２の受光部を形成し、例えばフォーカスサ
ーボ信号の検出を行う場合に適用できるものである。
ザからなる発光部の直上ないしは直下の共焦点近傍に受
光部を形成した前述のＣＬＣ構成において、本出願人の
先の出願である特願平７−２３５６８０号出願「光学装
置」に記載された、共焦点近傍でプッシュプル法による
トラッキングサーボ信号の検出を行う光学装置を構成
し、さらに第２の受光部を形成し、例えばフォーカスサ
ーボ信号の検出を行う場合に適用できるものである。
【００１２】上述の共焦点近傍でプッシュプル法による
トラッキングサーボ信号の検出を行う光学装置は、例え
ば図１７および図１８に光学装置の一例の斜視図を示す
ように、例えば同一の半導体基板１１上に、基板面に沿
う方向に共振器長方向を有する半導体レーザＬＤからな
る発光部４と、その直上に２個のフォトダイオードＰＤ
（ＰＤ1 、ＰＤ2 ）からなる受光部５とが積層形成され
た光学素子１０１、１０２が構成されてなる。
トラッキングサーボ信号の検出を行う光学装置は、例え
ば図１７および図１８に光学装置の一例の斜視図を示す
ように、例えば同一の半導体基板１１上に、基板面に沿
う方向に共振器長方向を有する半導体レーザＬＤからな
る発光部４と、その直上に２個のフォトダイオードＰＤ
（ＰＤ1 、ＰＤ2 ）からなる受光部５とが積層形成され
た光学素子１０１、１０２が構成されてなる。
【００１３】図１７の光学装置の光学素子１０１は、第
１導電型例えばｎ型の高不純物濃度の｛１００｝結晶面
を主面とするＧａＡｓ基板１１上に、例えばｎ型のＧａ
Ａｓからなるバッファ層１２、例えばｎ型のＡｌＧａＡ
ｓよりなる第１のクラッド層１３、例えばｉ型ＧａＡｓ
（真性ＧａＡｓ）よりなる活性層１４、第２導電型すな
わちｐ型のＡｌＧａＡｓよりなる第２のクラッド層１５
および第２導電型すなわちｐ型のＧａＡｓからなるキャ
ップ層１６がＭＯＣＶＤ等によるエピタキシーによって
形成されてなる。
１導電型例えばｎ型の高不純物濃度の｛１００｝結晶面
を主面とするＧａＡｓ基板１１上に、例えばｎ型のＧａ
Ａｓからなるバッファ層１２、例えばｎ型のＡｌＧａＡ
ｓよりなる第１のクラッド層１３、例えばｉ型ＧａＡｓ
（真性ＧａＡｓ）よりなる活性層１４、第２導電型すな
わちｐ型のＡｌＧａＡｓよりなる第２のクラッド層１５
および第２導電型すなわちｐ型のＧａＡｓからなるキャ
ップ層１６がＭＯＣＶＤ等によるエピタキシーによって
形成されてなる。
【００１４】さらに第２のクラッド層１５に第１導電型
例えばｎ型ＧａＡｓよりなる電流狭窄層１７を形成して
ブロックし、発光部４すなわちいわゆるスラブ導波路の
水平共振器を有する半導体レーザＬＤが構成されてい
る。
例えばｎ型ＧａＡｓよりなる電流狭窄層１７を形成して
ブロックし、発光部４すなわちいわゆるスラブ導波路の
水平共振器を有する半導体レーザＬＤが構成されてい
る。
【００１５】そして半導体レーザＬＤの直上に、ＭＯＣ
ＶＤ等によるエピタキシーによってこの半導体レーザＬ
Ｄからの直接光を吸収する例えばｐ型の高不純物濃度の
ＧａＡｓよりなる光吸収層１８を介して、ｐｉｎ接合面
が半導体レーザＬＤの水平共振器方向に平行となりかつ
共振器端面に垂直に臨むように、第２導電型すなわちｐ
型のＧａＡｓよりなる第１の半導体層１９、ｉ型のＧａ
Ａｓよりなる第２の半導体層２０および第１導電型すな
わちｎ型のＧａＡｓよりなる第３の半導体層２１により
構成される２つの受光部５すなわちＰＩＮ型のフォトダ
イオードＰＤ（ＰＤ1 ，ＰＤ2 ）による受光素子が形成
されて光学素子１０１が構成されてなる。そして、フォ
トダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の共振器端面に臨む面が受
光面とされる。
ＶＤ等によるエピタキシーによってこの半導体レーザＬ
Ｄからの直接光を吸収する例えばｐ型の高不純物濃度の
ＧａＡｓよりなる光吸収層１８を介して、ｐｉｎ接合面
が半導体レーザＬＤの水平共振器方向に平行となりかつ
共振器端面に垂直に臨むように、第２導電型すなわちｐ
型のＧａＡｓよりなる第１の半導体層１９、ｉ型のＧａ
Ａｓよりなる第２の半導体層２０および第１導電型すな
わちｎ型のＧａＡｓよりなる第３の半導体層２１により
構成される２つの受光部５すなわちＰＩＮ型のフォトダ
イオードＰＤ（ＰＤ1 ，ＰＤ2 ）による受光素子が形成
されて光学素子１０１が構成されてなる。そして、フォ
トダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の共振器端面に臨む面が受
光面とされる。
【００１６】光吸収層１８は、活性層１５と同等あるい
は活性層１５より小さいバンドギャップを有する層と
し、ここで戻り光以外を遮断する。
は活性層１５より小さいバンドギャップを有する層と
し、ここで戻り光以外を遮断する。
【００１７】また光吸収層１８および受光部５の各半導
体層１９〜２１は、発光部４の半導体レーザＬＤ上の一
部を残して形成され、この半導体レーザＬＤ上の残した
面上にはその一部を覆って半導体レーザＬＤのｐ側電極
とフォトダイオードＰＤのｐ側電極とを共用するｐ側電
極２２が形成されている。一方、第３の半導体層２１上
にフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 のｎ側電極２３１、
２３２が形成され、半導体基板１１の下面に半導体レー
ザＬＤのｎ側電極２３が形成されている。
体層１９〜２１は、発光部４の半導体レーザＬＤ上の一
部を残して形成され、この半導体レーザＬＤ上の残した
面上にはその一部を覆って半導体レーザＬＤのｐ側電極
とフォトダイオードＰＤのｐ側電極とを共用するｐ側電
極２２が形成されている。一方、第３の半導体層２１上
にフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 のｎ側電極２３１、
２３２が形成され、半導体基板１１の下面に半導体レー
ザＬＤのｎ側電極２３が形成されている。
【００１８】そして、受光部５を構成する第１の半導体
層１９、第２の半導体層２０および第３の半導体層２１
の中央には、例えばエッチング等の方法で溝２５が形成
され、受光部５が２つのフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ
2 に２分割されている。この２つのフォトダイオードＰ
Ｄ1 ，ＰＤ2 は、そのｐｉｎ接合端面が半導体レーザＬ
Ｄの共振器端面に臨むように併設される。
層１９、第２の半導体層２０および第３の半導体層２１
の中央には、例えばエッチング等の方法で溝２５が形成
され、受光部５が２つのフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ
2 に２分割されている。この２つのフォトダイオードＰ
Ｄ1 ，ＰＤ2 は、そのｐｉｎ接合端面が半導体レーザＬ
Ｄの共振器端面に臨むように併設される。
【００１９】そして図示しないが、発光部４からの出射
光は、収束手段によって光ディスクなど被照射部に収束
照射され、更にこれが被照射部において反射されて戻り
光を生じ、被照射部において反射される前および後にお
いて同軸の経路、すなわち出射光ＬF と同軸の経路を通
過して、再度収束手段により収束されて受光部５におい
て受光される。この受光部５は収束手段の被照射部から
の戻り光に関する共焦点近傍に配置される。
光は、収束手段によって光ディスクなど被照射部に収束
照射され、更にこれが被照射部において反射されて戻り
光を生じ、被照射部において反射される前および後にお
いて同軸の経路、すなわち出射光ＬF と同軸の経路を通
過して、再度収束手段により収束されて受光部５におい
て受光される。この受光部５は収束手段の被照射部から
の戻り光に関する共焦点近傍に配置される。
【００２０】戻り光は、収束手段により光回折限界（即
ちレンズの回折限界）近傍まで収束されるものであり、
受光部５はその各フォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の少
なくとも一部の受光面が、この光回折限界内、即ち発光
部４からの出射光の波長をλ、収束手段の開口数をＮＡ
とするとき、発光部４からの出射光の光軸からの距離が
光の回折限界である１．２２λ／ＮＡの１／２の０．６
１λ／ＮＡ以内の位置に設けられるようにする。すなわ
ち、前述のＣＬＣ構成をなす。
ちレンズの回折限界）近傍まで収束されるものであり、
受光部５はその各フォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の少
なくとも一部の受光面が、この光回折限界内、即ち発光
部４からの出射光の波長をλ、収束手段の開口数をＮＡ
とするとき、発光部４からの出射光の光軸からの距離が
光の回折限界である１．２２λ／ＮＡの１／２の０．６
１λ／ＮＡ以内の位置に設けられるようにする。すなわ
ち、前述のＣＬＣ構成をなす。
【００２１】一方、図１８の光学装置の光学素子１０２
は、図１７の場合と同様の構成の発光部４が形成され、
その直上に絶縁膜２４および２４Ａをマスクとした選択
成長により、第２導電型すなわちｐ型の高不純物濃度の
ＧａＡｓよりなる光吸収層１８、第２導電型すなわちｐ
型のＧａＡｓからなる第１の半導体層３０、第１導電型
すなわちｎ型のＧａＡｓからなる第２の半導体層３１が
形成されて、発光部４の半導体レーザＬＤの共振器端面
の側の第２の半導体層３１には、共振器端面に対して斜
めに（１１１）または（１１０）結晶面が形成され、こ
の結晶面がフォトダイオードＰＤ（ＰＤ1 ，ＰＤ2 ）の
受光面とされている。
は、図１７の場合と同様の構成の発光部４が形成され、
その直上に絶縁膜２４および２４Ａをマスクとした選択
成長により、第２導電型すなわちｐ型の高不純物濃度の
ＧａＡｓよりなる光吸収層１８、第２導電型すなわちｐ
型のＧａＡｓからなる第１の半導体層３０、第１導電型
すなわちｎ型のＧａＡｓからなる第２の半導体層３１が
形成されて、発光部４の半導体レーザＬＤの共振器端面
の側の第２の半導体層３１には、共振器端面に対して斜
めに（１１１）または（１１０）結晶面が形成され、こ
の結晶面がフォトダイオードＰＤ（ＰＤ1 ，ＰＤ2 ）の
受光面とされている。
【００２２】その他の構成は、図１７の光学装置と同じ
であるので、実施例１と対応する部分には同一符号を付
して重複説明を省略する。
であるので、実施例１と対応する部分には同一符号を付
して重複説明を省略する。
【００２３】なお、発光部および受光部の各層の導電型
やその位置関係は、図１７および図１８に示した光学装
置の構成以外にもいくつかの組み合わせが考えられる。
それぞれの場合により、電極の取り出し方等が多少異な
る（特願平７−２３５６８０号参照）。
やその位置関係は、図１７および図１８に示した光学装
置の構成以外にもいくつかの組み合わせが考えられる。
それぞれの場合により、電極の取り出し方等が多少異な
る（特願平７−２３５６８０号参照）。
【００２４】次に、これらの光学装置におけるトラッキ
ングサーボ信号検出について説明する。図１９に図１７
の光学装置における信号の検出を示すように、発光部４
の半導体レーザＬＤからレーザ光が出射され、この出射
光ＬF がディスク等の被照射部からの戻り光ＬR を生じ
て、この戻り光ＬR が受光部５を構成する２分割フォト
ダイオードＰＤ1 およびＰＤ2 において受光される。
ングサーボ信号検出について説明する。図１９に図１７
の光学装置における信号の検出を示すように、発光部４
の半導体レーザＬＤからレーザ光が出射され、この出射
光ＬF がディスク等の被照射部からの戻り光ＬR を生じ
て、この戻り光ＬR が受光部５を構成する２分割フォト
ダイオードＰＤ1 およびＰＤ2 において受光される。
【００２５】そして、これらフォトダイオードＰＤ1 お
よびＰＤ2 で受光した信号を用いて、プッシュプル法に
より例えば差動増幅器４０を介してトラッキングサーボ
信号の検出を行う。この差動増幅器４０において、例え
ばフォトダイオードＰＤ1 の信号とフォトダイオードＰ
Ｄ2 の信号の差信号、すなわち（ＰＤ2 −ＰＤ1 ）の信
号をトラッキングサーボの検出信号とする。
よびＰＤ2 で受光した信号を用いて、プッシュプル法に
より例えば差動増幅器４０を介してトラッキングサーボ
信号の検出を行う。この差動増幅器４０において、例え
ばフォトダイオードＰＤ1 の信号とフォトダイオードＰ
Ｄ2 の信号の差信号、すなわち（ＰＤ2 −ＰＤ1 ）の信
号をトラッキングサーボの検出信号とする。
【００２６】図１８に示した光学装置についても、図２
０に図１８の光学装置における信号の検出を示すよう
に、図１９に示したと同様にフォトダイオードＰＤ1 お
よびＰＤ2 で受光した信号を用いて、プッシュプル法に
より例えば差動増幅器４０を介してトラッキングサーボ
信号の検出を行うことができる。
０に図１８の光学装置における信号の検出を示すよう
に、図１９に示したと同様にフォトダイオードＰＤ1 お
よびＰＤ2 で受光した信号を用いて、プッシュプル法に
より例えば差動増幅器４０を介してトラッキングサーボ
信号の検出を行うことができる。
【００２７】このような光学装置は、従来の光学装置と
比較して、レンズのずれやディスクの反り・傾きに対す
るマージンを大きくでき、安定して正確にトラッキング
サーボ信号や光ディスク上の記録を読み出したＲＦ信号
等の各種信号の検出ができる。
比較して、レンズのずれやディスクの反り・傾きに対す
るマージンを大きくでき、安定して正確にトラッキング
サーボ信号や光ディスク上の記録を読み出したＲＦ信号
等の各種信号の検出ができる。
【００２８】続いて、本発明の光学装置の一例について
説明する。
説明する。
【００２９】図１に本発明の光学装置の一例（以下実施
例１とする）の側面図を示す。図１の光学装置は、図１
８に示した光学装置と同一の光学素子１０２が構成さ
れ、さらに光学素子１０２の外、この場合は斜め前方
に、複数の受光素子、すなわち２分割フォトダイオード
ＰＤ3 ，ＰＤ4 からなる第２の受光部６が形成されてな
る。
例１とする）の側面図を示す。図１の光学装置は、図１
８に示した光学装置と同一の光学素子１０２が構成さ
れ、さらに光学素子１０２の外、この場合は斜め前方
に、複数の受光素子、すなわち２分割フォトダイオード
ＰＤ3 ，ＰＤ4 からなる第２の受光部６が形成されてな
る。
【００３０】この実施例１の光学装置においても、前述
の図１８に示した光学装置と同様に、図示しないが対物
レンズなどの収束手段を有し、発光部からの出射光ＬF
は、収束手段によって光ディスクなど被照射部に収束照
射され、更に被照射部から反射された戻り光ＬR は、被
照射部において反射される前および後において同軸の経
路、すなわち出射光ＬF と同軸の経路を通過して、再度
収束手段により収束されて第１の受光部５において受光
される。この第１の受光部５は収束手段の被照射部から
の戻り光ＬR に関する共焦点近傍に配置される。
の図１８に示した光学装置と同様に、図示しないが対物
レンズなどの収束手段を有し、発光部からの出射光ＬF
は、収束手段によって光ディスクなど被照射部に収束照
射され、更に被照射部から反射された戻り光ＬR は、被
照射部において反射される前および後において同軸の経
路、すなわち出射光ＬF と同軸の経路を通過して、再度
収束手段により収束されて第１の受光部５において受光
される。この第１の受光部５は収束手段の被照射部から
の戻り光ＬR に関する共焦点近傍に配置される。
【００３１】戻り光ＬR は、収束手段により光回折限界
（即ちレンズの回折限界）近傍まで収束され、第１の受
光部５のフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 の一部の受光
面が、この光回折限界内の位置に設けられるようにす
る。すなわち、前述のＣＬＣ構成をなすようにする。
（即ちレンズの回折限界）近傍まで収束され、第１の受
光部５のフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 の一部の受光
面が、この光回折限界内の位置に設けられるようにす
る。すなわち、前述のＣＬＣ構成をなすようにする。
【００３２】そして、光学素子１０２上の第１の受光部
５の２分割フォトダイオードＰＤ1，ＰＤ2 において、
戻り光ＬR を受光するとともにその一部を反射させて、
反射した光を斜め前方に配置された第２の受光部６の２
分割フォトダイオードＰＤ3，ＰＤ4 において受光する
ものである。
５の２分割フォトダイオードＰＤ1，ＰＤ2 において、
戻り光ＬR を受光するとともにその一部を反射させて、
反射した光を斜め前方に配置された第２の受光部６の２
分割フォトダイオードＰＤ3，ＰＤ4 において受光する
ものである。
【００３３】第２の受光部６の２分割フォトダイオード
ＰＤ3 ，ＰＤ4 は、被照射部においてジャストフォーカ
スの状態で、受光量が等しく、フォトダイオードＰＤ3
の信号とフォトダイオードＰＤ4 の信号が等しくなる
（すなわちＰＤ3 ＝ＰＤ4 となる）ように配置され、こ
れによりナイフエッジ法によるフォーカスサーボ信号の
検出を行うことができる。
ＰＤ3 ，ＰＤ4 は、被照射部においてジャストフォーカ
スの状態で、受光量が等しく、フォトダイオードＰＤ3
の信号とフォトダイオードＰＤ4 の信号が等しくなる
（すなわちＰＤ3 ＝ＰＤ4 となる）ように配置され、こ
れによりナイフエッジ法によるフォーカスサーボ信号の
検出を行うことができる。
【００３４】この光学装置における、ナイフエッジ法に
よるフォーカスサーボ信号の検出について説明する。図
２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃにそれぞれ被照射部例えばディス
クが収束手段、例えば対物レンズの焦点より近いとき、
焦点に合うとき、焦点より遠いときの状態を示す。
よるフォーカスサーボ信号の検出について説明する。図
２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃにそれぞれ被照射部例えばディス
クが収束手段、例えば対物レンズの焦点より近いとき、
焦点に合うとき、焦点より遠いときの状態を示す。
【００３５】焦点より近い場合（ＮＥＡＲの状態）に
は、戻り光ＬR はフォトダイオードＰＤ3 に主に照射さ
れ、受光量がフォトダイオードＰＤ4 より大であるの
で、フォトダイオードＰＤ3 の信号がフォトダイオード
ＰＤ4 の信号より大、すなわちＰＤ3 ＞ＰＤ4 となる。
焦点に合うとき（ジャストフォーカスの状態）には、上
述のように２つのフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 の信
号が等しく、ＰＤ3 ＝ＰＤ4 となる。焦点より遠い場合
（ＦＡＲの状態）には、戻り光ＬR はフォトダイオード
ＰＤ 4 に主に照射され、受光量がフォトダイオードＰＤ
3 より大であるので、フォトダイオードＰＤ4 の信号が
フォトダイオードＰＤ3 の信号より大、すなわちＰＤ 3
＜ＰＤ4 となる。
は、戻り光ＬR はフォトダイオードＰＤ3 に主に照射さ
れ、受光量がフォトダイオードＰＤ4 より大であるの
で、フォトダイオードＰＤ3 の信号がフォトダイオード
ＰＤ4 の信号より大、すなわちＰＤ3 ＞ＰＤ4 となる。
焦点に合うとき（ジャストフォーカスの状態）には、上
述のように２つのフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 の信
号が等しく、ＰＤ3 ＝ＰＤ4 となる。焦点より遠い場合
（ＦＡＲの状態）には、戻り光ＬR はフォトダイオード
ＰＤ 4 に主に照射され、受光量がフォトダイオードＰＤ
3 より大であるので、フォトダイオードＰＤ4 の信号が
フォトダイオードＰＤ3 の信号より大、すなわちＰＤ 3
＜ＰＤ4 となる。
【００３６】従って、例えば差信号（ＰＤ3 −ＰＤ4 ）
を検出信号として、フォーカスサーボ信号の検出を行え
ば、焦点より近い場合（ＮＥＡＲの状態）には、検出信
号ＰＤ3 −ＰＤ4 ＞０となり、焦点に合うとき（ジャス
トフォーカスの状態）には、検出信号ＰＤ3 −ＰＤ4 ＝
０となり、焦点より遠い場合（ＦＡＲの状態）には、検
出信号ＰＤ3 −ＰＤ4 ＜０となる。図２Ｄに、焦点位置
と検出信号との関係を示す。
を検出信号として、フォーカスサーボ信号の検出を行え
ば、焦点より近い場合（ＮＥＡＲの状態）には、検出信
号ＰＤ3 −ＰＤ4 ＞０となり、焦点に合うとき（ジャス
トフォーカスの状態）には、検出信号ＰＤ3 −ＰＤ4 ＝
０となり、焦点より遠い場合（ＦＡＲの状態）には、検
出信号ＰＤ3 −ＰＤ4 ＜０となる。図２Ｄに、焦点位置
と検出信号との関係を示す。
【００３７】尚、トラッキングサーボ信号の検出は、図
１８の光学装置と同じく、第１の受光部５の２分割フォ
トダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 により、例えば差信号（Ｐ
Ｄ2−ＰＤ1 ）を検出信号として検出することができ
る。
１８の光学装置と同じく、第１の受光部５の２分割フォ
トダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 により、例えば差信号（Ｐ
Ｄ2−ＰＤ1 ）を検出信号として検出することができ
る。
【００３８】また、このフォトダイオードＰＤ1 および
ＰＤ2 からの例えば（ＰＤ1 ＋ＰＤ 2 ）の加算信号を検
出信号として、光ディスク上の記録の読み出しすなわち
ＲＦ信号の検出を行うことができる。
ＰＤ2 からの例えば（ＰＤ1 ＋ＰＤ 2 ）の加算信号を検
出信号として、光ディスク上の記録の読み出しすなわち
ＲＦ信号の検出を行うことができる。
【００３９】次に、この実施例１の光学装置の具体例を
図３に示す。図１および図１８に示した光学素子１０２
が、第１の受光部５が形成された側の面を接続面として
下向きにして、表面に光学素子１０２の半導体レーザＬ
Ｄの出力制御モニタ用のフォトダイオードＰＤM が作り
込まれ、かつ表面の他の部分に電極端子が形成された第
１のシリコン基板１上にマウントされる。そして、光学
素子１０２の第１の受光部５のフォトダイオードＰＤ1
およびＰＤ2 のそれぞれの電極が配線層Ｃを介して端子
ＴPD1 およびＴPD2 に接続され、発光部４の半導体レー
ザＬＤの例えばｐ側の電極が配線層Ｃを介して端子ＴL
に接続され、例えばｎ側電極が金属細線Ｗを介して共通
の端子ＴPLに電気的に接続される。また、半導体レーザ
ＬＤの出力制御モニタ用のフォトダイオードＰＤM は、
配線層Ｃを介して端子ＴPDM に接続される。
図３に示す。図１および図１８に示した光学素子１０２
が、第１の受光部５が形成された側の面を接続面として
下向きにして、表面に光学素子１０２の半導体レーザＬ
Ｄの出力制御モニタ用のフォトダイオードＰＤM が作り
込まれ、かつ表面の他の部分に電極端子が形成された第
１のシリコン基板１上にマウントされる。そして、光学
素子１０２の第１の受光部５のフォトダイオードＰＤ1
およびＰＤ2 のそれぞれの電極が配線層Ｃを介して端子
ＴPD1 およびＴPD2 に接続され、発光部４の半導体レー
ザＬＤの例えばｐ側の電極が配線層Ｃを介して端子ＴL
に接続され、例えばｎ側電極が金属細線Ｗを介して共通
の端子ＴPLに電気的に接続される。また、半導体レーザ
ＬＤの出力制御モニタ用のフォトダイオードＰＤM は、
配線層Ｃを介して端子ＴPDM に接続される。
【００４０】また第１のシリコン基板１は、第２の受光
部６を構成する２分割フォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4
が作り込まれた第２のシリコン基板２上にマウントされ
る。
部６を構成する２分割フォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4
が作り込まれた第２のシリコン基板２上にマウントされ
る。
【００４１】第２の受光部６の２分割フォトダイオード
ＰＤ3 ，ＰＤ4 はそれぞれ配線層Ｃを通じて端子
ＴPD3 ，ＴPD4 に接続される。そして、第２の受光部６
の２分割フォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 は、前述のよ
うに戻り光ＬR の第１の受光部５による反射光を受光し
て、ジャストフォーカスの状態で受光量が等しくなるよ
うに配置形成されてなる。
ＰＤ3 ，ＰＤ4 はそれぞれ配線層Ｃを通じて端子
ＴPD3 ，ＴPD4 に接続される。そして、第２の受光部６
の２分割フォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 は、前述のよ
うに戻り光ＬR の第１の受光部５による反射光を受光し
て、ジャストフォーカスの状態で受光量が等しくなるよ
うに配置形成されてなる。
【００４２】このように光学装置を構成することによ
り、単純な構成によりトラッキングサーボ信号、フォー
カスサーボ信号、ＲＦ信号等の検出ができる。被照射部
からの戻り光が出射光と同じ光路をたどることから、各
光学部品のアライメント調整が簡単である。また、受光
部に戻る光の割合を大きくできる。
り、単純な構成によりトラッキングサーボ信号、フォー
カスサーボ信号、ＲＦ信号等の検出ができる。被照射部
からの戻り光が出射光と同じ光路をたどることから、各
光学部品のアライメント調整が簡単である。また、受光
部に戻る光の割合を大きくできる。
【００４３】そして、レンズのずれやディスクの反り・
傾きに対するマージンを大きくできることから、安定し
た信号検出ができる。また、半導体レーザＬＤの端面は
劈開によって作製することができ、半導体レーザをいわ
ゆる面発光構造にする必要がない。
傾きに対するマージンを大きくできることから、安定し
た信号検出ができる。また、半導体レーザＬＤの端面は
劈開によって作製することができ、半導体レーザをいわ
ゆる面発光構造にする必要がない。
【００４４】第１の受光部５のフォトダイオードＰ
Ｄ1 ，ＰＤ2 による受光面兼反射面は、特定の結晶面に
より形成する代わりにエッチングによる平坦面として形
成することもできる。この場合この受光面（反射面）と
基板面とのなす角度を任意に設定することができる。
Ｄ1 ，ＰＤ2 による受光面兼反射面は、特定の結晶面に
より形成する代わりにエッチングによる平坦面として形
成することもできる。この場合この受光面（反射面）と
基板面とのなす角度を任意に設定することができる。
【００４５】上述の実施例１においては、第２の受光部
のフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4の受光面を、光学素
子１０２の半導体レーザＬＤの共振器長方向に平行に配
置したが、第２の受光部６の受光面の方向・水平面との
なす角度等をその他の配置としても、同様に本発明の光
学装置を構成することができる。
のフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4の受光面を、光学素
子１０２の半導体レーザＬＤの共振器長方向に平行に配
置したが、第２の受光部６の受光面の方向・水平面との
なす角度等をその他の配置としても、同様に本発明の光
学装置を構成することができる。
【００４６】いずれの構成においても、２分割フォトダ
イオードＰＤ3 ，ＰＤ4 の受光量がジャストフォーカス
の状態で等しくなり、焦点がずれた状態では異なるよう
に配置することにより、ナイフエッジ法によるフォーカ
スサーボ信号の検出を行うことができる。この場合の光
学装置の一例を次に示す。
イオードＰＤ3 ，ＰＤ4 の受光量がジャストフォーカス
の状態で等しくなり、焦点がずれた状態では異なるよう
に配置することにより、ナイフエッジ法によるフォーカ
スサーボ信号の検出を行うことができる。この場合の光
学装置の一例を次に示す。
【００４７】図４は、本発明の光学装置の他の例（以下
実施例２とする）の斜視図を示す。この実施例２の光学
装置は、光学素子１０２の第１の受光部５の２分割フォ
トダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 が形成された面に垂直に、
かつ第１の受光部５の反射面から斜め後方に第２の受光
部６のフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 が配置されてな
る。そして、半導体レーザＬＤからの出射光ＬF が収束
手段を介して、図示しないが被照射部に照射され、これ
より反射した戻り光ＬR が第１の受光部５の受光面に入
射され、かつ戻り光ＬR の一部が第１の受光面で反射し
て第２の受光部６に入射される。
実施例２とする）の斜視図を示す。この実施例２の光学
装置は、光学素子１０２の第１の受光部５の２分割フォ
トダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 が形成された面に垂直に、
かつ第１の受光部５の反射面から斜め後方に第２の受光
部６のフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 が配置されてな
る。そして、半導体レーザＬＤからの出射光ＬF が収束
手段を介して、図示しないが被照射部に照射され、これ
より反射した戻り光ＬR が第１の受光部５の受光面に入
射され、かつ戻り光ＬR の一部が第１の受光面で反射し
て第２の受光部６に入射される。
【００４８】この場合も差信号（ＰＤ3 −ＰＤ4 ）を検
出信号とすることにより、図２Ｄに示したような検出信
号を得ることができる。
出信号とすることにより、図２Ｄに示したような検出信
号を得ることができる。
【００４９】ここで前述のように、第１の受光部５によ
る反射面の角度を任意に設定できることから、第２の受
光部６を、第１の受光部５の反射面から斜め前方に配置
する構成とすることもできる。
る反射面の角度を任意に設定できることから、第２の受
光部６を、第１の受光部５の反射面から斜め前方に配置
する構成とすることもできる。
【００５０】その他、第１の受光部５と発光部４との境
界面に電流阻止層を形成する構成、第１の受光部５のフ
ォトダイオードを拡散により形成する構成、第１の受光
部５のフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の分割を拡散層
やイオン注入層により行う構成等もとることができる。
界面に電流阻止層を形成する構成、第１の受光部５のフ
ォトダイオードを拡散により形成する構成、第１の受光
部５のフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の分割を拡散層
やイオン注入層により行う構成等もとることができる。
【００５１】実施例１では、第１の受光部５のフォトダ
イオードＰＤ1 およびＰＤ2 の受光面が平行とされ、こ
れに応じて第２の受光部６を配置した構成の例である
が、ＰＤ1 の受光面とＰＤ2 の受光面とを非平行にし
て、それぞれ異なる方向に反射光を生じさせ、これを受
光するように第２の受光部６を配置する構成とすること
もできる。この例を次に示す。
イオードＰＤ1 およびＰＤ2 の受光面が平行とされ、こ
れに応じて第２の受光部６を配置した構成の例である
が、ＰＤ1 の受光面とＰＤ2 の受光面とを非平行にし
て、それぞれ異なる方向に反射光を生じさせ、これを受
光するように第２の受光部６を配置する構成とすること
もできる。この例を次に示す。
【００５２】図５は、本発明の光学装置のさらに他の例
（以下実施例３とする）の斜視図を示す。この実施例３
の光学装置は、第１の受光部５のフォトダイオードＰＤ
1 とＰＤ2 を、絶縁膜２４Ａをマスクとしてそれぞれ異
なる方位に選択成長させて、半導体レーザＬＤの共振器
端面に対して傾斜したフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ 2
の各受光面が、そのなす角度が１８０°でない所定の角
度となるように形成された光学素子１０３を構成してい
る。
（以下実施例３とする）の斜視図を示す。この実施例３
の光学装置は、第１の受光部５のフォトダイオードＰＤ
1 とＰＤ2 を、絶縁膜２４Ａをマスクとしてそれぞれ異
なる方位に選択成長させて、半導体レーザＬＤの共振器
端面に対して傾斜したフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ 2
の各受光面が、そのなす角度が１８０°でない所定の角
度となるように形成された光学素子１０３を構成してい
る。
【００５３】そして、被照射部からの戻り光ＬR は、こ
れら第１の受光部５のフォトダイオードＰＤ1 およびＰ
Ｄ2 の各受光面により、それぞれ異なる方向に反射さ
れ、それぞれ光学素子の斜め上方に形成された、第２の
受光部６の２つの２分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ
4aとＰＤ3b，ＰＤ4bにて受光検出される。この場合に
は、第２の受光部６の２つの２分割フォトダイオードＰ
Ｄ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，ＰＤ4bとは、互いに離れた位置
に配置形成される。
れら第１の受光部５のフォトダイオードＰＤ1 およびＰ
Ｄ2 の各受光面により、それぞれ異なる方向に反射さ
れ、それぞれ光学素子の斜め上方に形成された、第２の
受光部６の２つの２分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ
4aとＰＤ3b，ＰＤ4bにて受光検出される。この場合に
は、第２の受光部６の２つの２分割フォトダイオードＰ
Ｄ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，ＰＤ4bとは、互いに離れた位置
に配置形成される。
【００５４】このとき、第１の受光部５に照射された戻
り光ＬR は、それぞれフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2
の受光面において例えば斜線で示すように照射され、こ
の受光面で反射して、反射光が第２の受光部６の２つの
２分割フォトダイオードＰＤ 3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，ＰＤ
4bにおいて、それぞれ図中斜線で示すように受光検出さ
れる。
り光ＬR は、それぞれフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2
の受光面において例えば斜線で示すように照射され、こ
の受光面で反射して、反射光が第２の受光部６の２つの
２分割フォトダイオードＰＤ 3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，ＰＤ
4bにおいて、それぞれ図中斜線で示すように受光検出さ
れる。
【００５５】この実施例３の場合は、図１に示した実施
例１の場合と比較して、第２の受光部６の２分割フォト
ダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 が中央から２つに分かれ、そ
れぞれ半導体レーザＬＤからの出射光の光軸に対して対
称な位置に配置された構成に相当する。すなわち、ジャ
ストフォーカス状態で受光量がＰＤ3a＝ＰＤ4a，ＰＤ 3b
＝ＰＤ4bとなるように配置形成されてなる。
例１の場合と比較して、第２の受光部６の２分割フォト
ダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 が中央から２つに分かれ、そ
れぞれ半導体レーザＬＤからの出射光の光軸に対して対
称な位置に配置された構成に相当する。すなわち、ジャ
ストフォーカス状態で受光量がＰＤ3a＝ＰＤ4a，ＰＤ 3b
＝ＰＤ4bとなるように配置形成されてなる。
【００５６】その他の構成は、実施例１と同じであるの
で、実施例１と対応する部分には同一符号を付して重複
説明を省略する。
で、実施例１と対応する部分には同一符号を付して重複
説明を省略する。
【００５７】この実施例３の光学装置においても、実施
例１の光学装置と同様に、第１の受光部５のフォトダイ
オードＰＤ1 ，ＰＤ2 によりプッシュプル法によるトラ
ッキングサーボ信号の検出を行い、第２の受光部６の２
つの２分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，
ＰＤ4bによりナイフエッジ法によるフォーカスサーボ信
号の検出を行うことができる。この場合は、フォーカス
サーボ信号は、例えば｛（ＰＤ3a−ＰＤ4a）＋（ＰＤ 3b
−ＰＤ4b）｝を検出信号として検出を行う。
例１の光学装置と同様に、第１の受光部５のフォトダイ
オードＰＤ1 ，ＰＤ2 によりプッシュプル法によるトラ
ッキングサーボ信号の検出を行い、第２の受光部６の２
つの２分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，
ＰＤ4bによりナイフエッジ法によるフォーカスサーボ信
号の検出を行うことができる。この場合は、フォーカス
サーボ信号は、例えば｛（ＰＤ3a−ＰＤ4a）＋（ＰＤ 3b
−ＰＤ4b）｝を検出信号として検出を行う。
【００５８】この実施例３の光学装置では、第１の受光
部５による反射光を用いて、第２の受光部６の２つの２
分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，ＰＤ4b
により、プッシュプル法によるトラッキングサーボ信号
の検出を行う構成とすることもできる。この場合も、反
射光が被照射部例えばディスクのずれや反りの影響を受
けないので、トラッキングサーボ信号にオフセットを生
じることがない。この場合は、トラッキングサーボ信号
は、例えば｛（ＰＤ3a＋ＰＤ4a）−（ＰＤ3b＋Ｐ
Ｄ4b）｝を検出信号として検出を行う。尚、このとき第
１の受光部５を単に反射面とする構成をとることもでき
る。
部５による反射光を用いて、第２の受光部６の２つの２
分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，ＰＤ4b
により、プッシュプル法によるトラッキングサーボ信号
の検出を行う構成とすることもできる。この場合も、反
射光が被照射部例えばディスクのずれや反りの影響を受
けないので、トラッキングサーボ信号にオフセットを生
じることがない。この場合は、トラッキングサーボ信号
は、例えば｛（ＰＤ3a＋ＰＤ4a）−（ＰＤ3b＋Ｐ
Ｄ4b）｝を検出信号として検出を行う。尚、このとき第
１の受光部５を単に反射面とする構成をとることもでき
る。
【００５９】次に、この実施例３の光学装置の具体例を
図６に示す。図５に示した光学素子１０３が、第１の受
光部５が形成された側の面を接続面として下向きにし
て、表面に光学素子１０３の半導体レーザＬＤの出力制
御モニタ用のフォトダイオードＰＤM が作り込まれ、か
つ表面の他の部分に電極端子が形成された第１のシリコ
ン基板１上にマウントされる。そして、光学素子１０３
の第１の受光部５のフォトダイオードＰＤ1 およびＰＤ
2 のそれぞれの電極が配線層Ｃを介して端子ＴPD1 およ
びＴPD2 に接続され、発光部４の半導体レーザＬＤの例
えばｐ側の電極が配線層Ｃを介して端子ＴL に接続さ
れ、例えばｎ側電極が金属細線Ｗを介して共通の端子Ｔ
PLに電気的に接続される。また、半導体レーザＬＤの出
力制御モニタ用のフォトダイオードＰＤM は、配線層Ｃ
を介して端子ＴPDM に接続される。
図６に示す。図５に示した光学素子１０３が、第１の受
光部５が形成された側の面を接続面として下向きにし
て、表面に光学素子１０３の半導体レーザＬＤの出力制
御モニタ用のフォトダイオードＰＤM が作り込まれ、か
つ表面の他の部分に電極端子が形成された第１のシリコ
ン基板１上にマウントされる。そして、光学素子１０３
の第１の受光部５のフォトダイオードＰＤ1 およびＰＤ
2 のそれぞれの電極が配線層Ｃを介して端子ＴPD1 およ
びＴPD2 に接続され、発光部４の半導体レーザＬＤの例
えばｐ側の電極が配線層Ｃを介して端子ＴL に接続さ
れ、例えばｎ側電極が金属細線Ｗを介して共通の端子Ｔ
PLに電気的に接続される。また、半導体レーザＬＤの出
力制御モニタ用のフォトダイオードＰＤM は、配線層Ｃ
を介して端子ＴPDM に接続される。
【００６０】また第１のシリコン基板１は、第２の受光
部６を構成する２つの２分割フォトダイオードＰＤ3a，
ＰＤ4aおよびＰＤ3b，ＰＤ4bが作り込まれた第２のシリ
コン基板２上にマウントされる。第２の受光部６の２つ
の２分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，Ｐ
Ｄ4bは、それぞれ配線層Ｃを通じて端子ＴPD3a，ＴPD4a
とＴPD3b，ＴPD4bに接続される。
部６を構成する２つの２分割フォトダイオードＰＤ3a，
ＰＤ4aおよびＰＤ3b，ＰＤ4bが作り込まれた第２のシリ
コン基板２上にマウントされる。第２の受光部６の２つ
の２分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，Ｐ
Ｄ4bは、それぞれ配線層Ｃを通じて端子ＴPD3a，ＴPD4a
とＴPD3b，ＴPD4bに接続される。
【００６１】そして、第２の受光部６の２つの２分割フ
ォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aおよびＰＤ3b，ＰＤ
4bは、前述のように戻り光ＬR の第１の受光部５による
反射光を受光して、ジャストフォーカスの状態で受光量
がそれぞれ等しくなるように配置形成されてなる。
ォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aおよびＰＤ3b，ＰＤ
4bは、前述のように戻り光ＬR の第１の受光部５による
反射光を受光して、ジャストフォーカスの状態で受光量
がそれぞれ等しくなるように配置形成されてなる。
【００６２】このように光学装置を構成することによ
り、実施例１の場合と同様に、単純な構成によりトラッ
キングサーボ信号、フォーカスサーボ信号、ＲＦ信号等
の検出ができる。また、その他実施例１と同様な効果を
得ることができる。
り、実施例１の場合と同様に、単純な構成によりトラッ
キングサーボ信号、フォーカスサーボ信号、ＲＦ信号等
の検出ができる。また、その他実施例１と同様な効果を
得ることができる。
【００６３】図７は本発明の光学装置をいわゆるレーザ
カプラに適用した場合の例（以下実施例４とする）の斜
視図を示す。
カプラに適用した場合の例（以下実施例４とする）の斜
視図を示す。
【００６４】図７に示す光学装置は、図６に示した具体
例と同じ構成の第１のシリコン基板１および光学素子１
０３をマウントしさらに第１のシリコン基板１を第２の
シリコン基板２上にマウントする。そして、第２のシリ
コン基板２の表面には、第２の受光部６の２つの２分割
フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，ＰＤ4bが作
り込まれ、この２つの２分割フォトダイオードを覆っ
て、第２のシリコン基板２上にマイクロプリズム６０が
載置されてなる。
例と同じ構成の第１のシリコン基板１および光学素子１
０３をマウントしさらに第１のシリコン基板１を第２の
シリコン基板２上にマウントする。そして、第２のシリ
コン基板２の表面には、第２の受光部６の２つの２分割
フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aとＰＤ3b，ＰＤ4bが作
り込まれ、この２つの２分割フォトダイオードを覆っ
て、第２のシリコン基板２上にマイクロプリズム６０が
載置されてなる。
【００６５】マイクロプリズム６０には斜面６０ａが形
成され、この斜面６０ａが半導体レーザＬＤの共振器端
面と向かい合って配置される。そして、半導体レーザＬ
Ｄからの出射光ＬF および被照射部からの戻り光ＬRは
この斜面６０ａで反射され、戻り光ＬR が第１の受光部
５のフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の受光面で受光さ
れ、かつ戻り光ＬR の一部がこのフォトダイオードＰＤ
1 ，ＰＤ2 の受光面で反射した反射光が斜面６０ａを透
過する構成とされる。この反射光はマイクロプリズム６
０内を通過し、それぞれ第２の受光部の２分割フォトダ
イオードＰＤ3a，ＰＤ4aおよびＰＤ3b，ＰＤ4bにおいて
受光検出される。
成され、この斜面６０ａが半導体レーザＬＤの共振器端
面と向かい合って配置される。そして、半導体レーザＬ
Ｄからの出射光ＬF および被照射部からの戻り光ＬRは
この斜面６０ａで反射され、戻り光ＬR が第１の受光部
５のフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の受光面で受光さ
れ、かつ戻り光ＬR の一部がこのフォトダイオードＰＤ
1 ，ＰＤ2 の受光面で反射した反射光が斜面６０ａを透
過する構成とされる。この反射光はマイクロプリズム６
０内を通過し、それぞれ第２の受光部の２分割フォトダ
イオードＰＤ3a，ＰＤ4aおよびＰＤ3b，ＰＤ4bにおいて
受光検出される。
【００６６】ここで、図２１Ａに通常のレーザカプラの
概略構成図を示す。出力制御モニタ用のフォトダイオー
ドＰＤM が作り込まれたシリコン基板４８上にマウント
した半導体レーザＬＤを光源として、これらの部品とマ
イクロプリズム６０とが基盤すなわち、例えばシリコン
基板５０上に配置されてレーザカプラを構成している。
そして、マイクロプリズム６０下に２つの４分割フォト
ダイオードＰＤ1 〜ＰＤ4 ，ＰＤ5 〜ＰＤ8 が配置され
る。フォトダイオードＰＤ1〜ＰＤ8 は、シリコン基板
５０の表面に拡散などによって形成される。
概略構成図を示す。出力制御モニタ用のフォトダイオー
ドＰＤM が作り込まれたシリコン基板４８上にマウント
した半導体レーザＬＤを光源として、これらの部品とマ
イクロプリズム６０とが基盤すなわち、例えばシリコン
基板５０上に配置されてレーザカプラを構成している。
そして、マイクロプリズム６０下に２つの４分割フォト
ダイオードＰＤ1 〜ＰＤ4 ，ＰＤ5 〜ＰＤ8 が配置され
る。フォトダイオードＰＤ1〜ＰＤ8 は、シリコン基板
５０の表面に拡散などによって形成される。
【００６７】この４分割フォトダイオードは、図２１Ｂ
にその拡大図を示すように、フォトダイオードＰＤ1 ，
ＰＤ2 とフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 が対称であ
り、フォーカスおよびトラッキングが合った状態で光量
がＰＤ1 ＋ＰＤ4 ＝ＰＤ2 ＋ＰＤ3 となるように配置形
成されている。ＰＤ5 〜ＰＤ8 についても同様である。
にその拡大図を示すように、フォトダイオードＰＤ1 ，
ＰＤ2 とフォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 が対称であ
り、フォーカスおよびトラッキングが合った状態で光量
がＰＤ1 ＋ＰＤ4 ＝ＰＤ2 ＋ＰＤ3 となるように配置形
成されている。ＰＤ5 〜ＰＤ8 についても同様である。
【００６８】このレーザカプラでは、半導体レーザＬＤ
からの出射光ＬF がマイクロプリズム６０の例えば４５
°のハーフミラー斜面で反射して図において垂直方向に
向かい、被照射部、例えばディスクに照射される。ディ
スクで反射された戻り光ＬRはマイクロプリズム６０の
ハーフミラー斜面よりマイクロプリズム６０内に入射さ
れ、まず４分割フォトダイオードＰＤ1 〜ＰＤ4 で受光
されるとともに反射されて、これがマイクロプリズム６
０上面で反射された後にもう一方の４分割フォトダイオ
ードＰＤ5 〜ＰＤ8 でも受光される。
からの出射光ＬF がマイクロプリズム６０の例えば４５
°のハーフミラー斜面で反射して図において垂直方向に
向かい、被照射部、例えばディスクに照射される。ディ
スクで反射された戻り光ＬRはマイクロプリズム６０の
ハーフミラー斜面よりマイクロプリズム６０内に入射さ
れ、まず４分割フォトダイオードＰＤ1 〜ＰＤ4 で受光
されるとともに反射されて、これがマイクロプリズム６
０上面で反射された後にもう一方の４分割フォトダイオ
ードＰＤ5 〜ＰＤ8 でも受光される。
【００６９】このレーザカプラでは、４分割フォトダイ
オードＰＤ1 〜ＰＤ4 ，ＰＤ5 〜ＰＤ8 から得られる例
えば〔（ＰＤ1 ＋ＰＤ2 ＋ＰＤ7 ＋ＰＤ8 ）−（ＰＤ3
＋ＰＤ4 ＋ＰＤ5 ＋ＰＤ6 ）〕の信号を検出信号として
プッシュプル法によりトラッキングサーボを行ってい
る。また、例えば〔（ＰＤ1 ＋ＰＤ4 −ＰＤ2 −Ｐ
Ｄ3 ）−（ＰＤ5 ＋ＰＤ8 −ＰＤ6 −ＰＤ7 ）〕の信号
を検出信号としてフォーカスサーボを行い、例えば（Ｐ
Ｄ1 ＋ＰＤ2 ＋ＰＤ3 ＋ＰＤ4 ＋ＰＤ5 ＋ＰＤ6 ＋ＰＤ
7 ＋ＰＤ8 ）の信号すなわち全ての和信号を検出信号と
してＲＦ信号の検出を行っている。
オードＰＤ1 〜ＰＤ4 ，ＰＤ5 〜ＰＤ8 から得られる例
えば〔（ＰＤ1 ＋ＰＤ2 ＋ＰＤ7 ＋ＰＤ8 ）−（ＰＤ3
＋ＰＤ4 ＋ＰＤ5 ＋ＰＤ6 ）〕の信号を検出信号として
プッシュプル法によりトラッキングサーボを行ってい
る。また、例えば〔（ＰＤ1 ＋ＰＤ4 −ＰＤ2 −Ｐ
Ｄ3 ）−（ＰＤ5 ＋ＰＤ8 −ＰＤ6 −ＰＤ7 ）〕の信号
を検出信号としてフォーカスサーボを行い、例えば（Ｐ
Ｄ1 ＋ＰＤ2 ＋ＰＤ3 ＋ＰＤ4 ＋ＰＤ5 ＋ＰＤ6 ＋ＰＤ
7 ＋ＰＤ8 ）の信号すなわち全ての和信号を検出信号と
してＲＦ信号の検出を行っている。
【００７０】この図２１の構成のレーザカプラでは、前
述のようにディスクやレンズのずれなどによりトラッキ
ングサーボ信号にオフセットが生じる欠点を有する。
述のようにディスクやレンズのずれなどによりトラッキ
ングサーボ信号にオフセットが生じる欠点を有する。
【００７１】これに対して、図７に示した光学装置にお
いては、トラッキングサーボ信号の検出を発光部４とＣ
ＬＣ構成をなす第１の受光部５で行うことにより、共焦
点の特性からオフセットを回避することができる。すな
わち、第１の受光部５の２つのフォトダイオードＰＤ1
およびＰＤ2 により前述の各実施例と同様に、例えば
（ＰＤ2 −ＰＤ1 ）の差信号をトラッキングサーボの検
出信号として検出する。
いては、トラッキングサーボ信号の検出を発光部４とＣ
ＬＣ構成をなす第１の受光部５で行うことにより、共焦
点の特性からオフセットを回避することができる。すな
わち、第１の受光部５の２つのフォトダイオードＰＤ1
およびＰＤ2 により前述の各実施例と同様に、例えば
（ＰＤ2 −ＰＤ1 ）の差信号をトラッキングサーボの検
出信号として検出する。
【００７２】尚、フォーカスサーボ信号およびＲＦ信号
は、マイクロプリズム６０下に位置する第２の受光部６
の２つの２分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aおよび
ＰＤ 3b，ＰＤ4bにより検出する。すなわち、例えば
｛（ＰＤ3a−ＰＤ4a）＋（ＰＤ3b−ＰＤ4b）｝を検出信
号としてフォーカスサーボ信号の検出を行う。
は、マイクロプリズム６０下に位置する第２の受光部６
の２つの２分割フォトダイオードＰＤ3a，ＰＤ4aおよび
ＰＤ 3b，ＰＤ4bにより検出する。すなわち、例えば
｛（ＰＤ3a−ＰＤ4a）＋（ＰＤ3b−ＰＤ4b）｝を検出信
号としてフォーカスサーボ信号の検出を行う。
【００７３】ＲＦ信号は、例えば（ＰＤ1 ＋ＰＤ2 ＋Ｐ
Ｄ3a＋ＰＤ3b＋ＰＤ4a＋ＰＤ4b）の信号すなわち全ての
和信号を検出信号とする。
Ｄ3a＋ＰＤ3b＋ＰＤ4a＋ＰＤ4b）の信号すなわち全ての
和信号を検出信号とする。
【００７４】このようにレーザカプラに適用した実施例
４の場合にも、実施例３と同様に第２の受光部６の２分
割フォトダイオードを用いてトラッキングサーボを行う
ことができる。
４の場合にも、実施例３と同様に第２の受光部６の２分
割フォトダイオードを用いてトラッキングサーボを行う
ことができる。
【００７５】また図７の構成の光学装置において、図８
に光学素子の概略斜視図を示すように、半導体レーザＬ
Ｄの共振器の両外側にその共振器端面に対して斜面１０
ａを形成した、レーザチップによる光学素子１０５を光
源に用いることもできる。この斜面１０ａにより戻り光
ＬR が反射され、図７と同様にしてマイクロプリズム６
０下の２つの２分割フォトダイオードで受光検出され、
これにより図７の場合と同様の効果を得ることができ
る。斜面１０ａは、例えばエッチング等により平坦面を
形成する。この例では光学素子１０５の共焦点位置にフ
ォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 を作り込む必要がなく単
なる反射面（斜面１０ａ）だけでよい。
に光学素子の概略斜視図を示すように、半導体レーザＬ
Ｄの共振器の両外側にその共振器端面に対して斜面１０
ａを形成した、レーザチップによる光学素子１０５を光
源に用いることもできる。この斜面１０ａにより戻り光
ＬR が反射され、図７と同様にしてマイクロプリズム６
０下の２つの２分割フォトダイオードで受光検出され、
これにより図７の場合と同様の効果を得ることができ
る。斜面１０ａは、例えばエッチング等により平坦面を
形成する。この例では光学素子１０５の共焦点位置にフ
ォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 を作り込む必要がなく単
なる反射面（斜面１０ａ）だけでよい。
【００７６】次に、図１７に示した光学装置と同様に共
振器端面がフォトダイオードの受光面とされた光学素子
を用いた例を示す。図９は、本発明の光学装置のさらに
他の例（以下実施例５とする）の斜視図を示す。この光
学装置は、図１７の光学素子１０１に、さらにその上面
のフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の後方位置にフォト
ダイオードＰＤ3 を形成した光学素子１０４を構成し、
さらにこの光学素子１０４から間隔を置いて上方にフォ
トダイオードＰＤ4 が、光学素子１０４上のフォトダイ
オードＰＤ3 と、互いの受光面が平行となるように配置
形成されてなる。
振器端面がフォトダイオードの受光面とされた光学素子
を用いた例を示す。図９は、本発明の光学装置のさらに
他の例（以下実施例５とする）の斜視図を示す。この光
学装置は、図１７の光学素子１０１に、さらにその上面
のフォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2 の後方位置にフォト
ダイオードＰＤ3 を形成した光学素子１０４を構成し、
さらにこの光学素子１０４から間隔を置いて上方にフォ
トダイオードＰＤ4 が、光学素子１０４上のフォトダイ
オードＰＤ3 と、互いの受光面が平行となるように配置
形成されてなる。
【００７７】そして、フォトダイオードＰＤ1 ，ＰＤ2
により第１の受光部５を構成し、２つのフォトダイオー
ドＰＤ3 とＰＤ4 により第２の受光部６を構成する。こ
の第２の受光部６によりフォーカスサーボ信号の検出を
行う。ＰＤ3 とＰＤ 4 は、図示しないが、ジャストフォ
ーカスの状態において、ともに受光面が戻り光ＬR と平
行で、受光量がともにほぼ０となるように配置される。
により第１の受光部５を構成し、２つのフォトダイオー
ドＰＤ3 とＰＤ4 により第２の受光部６を構成する。こ
の第２の受光部６によりフォーカスサーボ信号の検出を
行う。ＰＤ3 とＰＤ 4 は、図示しないが、ジャストフォ
ーカスの状態において、ともに受光面が戻り光ＬR と平
行で、受光量がともにほぼ０となるように配置される。
【００７８】フォトダイオードＰＤ3 は、ＰＤ1 ，ＰＤ
2 とともに例えばＰＩＮ型構造に積層形成されたのち、
エッチングにより溝２５を形成してＰＤ1 ，ＰＤ2 と分
離されてなる。またフォトダイオードＰＤ3 には、ＰＤ
1 ，ＰＤ2 と同様に、表面にｎ側の電極２３３が形成さ
れる。その他の構成は、図１７と同じであるので、図１
７と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。
2 とともに例えばＰＩＮ型構造に積層形成されたのち、
エッチングにより溝２５を形成してＰＤ1 ，ＰＤ2 と分
離されてなる。またフォトダイオードＰＤ3 には、ＰＤ
1 ，ＰＤ2 と同様に、表面にｎ側の電極２３３が形成さ
れる。その他の構成は、図１７と同じであるので、図１
７と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略
する。
【００７９】この実施例５の光学装置における、フォー
カスサーボ信号の検出について説明する。図１０Ａ、図
１０Ｂ、図１０Ｃにそれぞれ被照射部例えばディスクが
収束手段の焦点より近いとき、焦点に合うとき、焦点よ
り遠いときの状態を示す。
カスサーボ信号の検出について説明する。図１０Ａ、図
１０Ｂ、図１０Ｃにそれぞれ被照射部例えばディスクが
収束手段の焦点より近いとき、焦点に合うとき、焦点よ
り遠いときの状態を示す。
【００８０】焦点より近い場合（ＮＥＡＲの状態）に
は、戻り光ＬR はＰＤ3 に照射され、ＰＤ4 には照射さ
れない。焦点に合うとき（ジャストフォーカスの状態）
には、戻り光ＬR がフォトダイオードの受光面と平行と
なるため、上述のようにともに受光量がほぼ０となる。
焦点より遠い場合（ＦＡＲの状態）には、戻り光ＬR は
ＰＤ4 に照射され、ＰＤ3 には第１の受光部５の上端で
光が蹴られるので照射されない。
は、戻り光ＬR はＰＤ3 に照射され、ＰＤ4 には照射さ
れない。焦点に合うとき（ジャストフォーカスの状態）
には、戻り光ＬR がフォトダイオードの受光面と平行と
なるため、上述のようにともに受光量がほぼ０となる。
焦点より遠い場合（ＦＡＲの状態）には、戻り光ＬR は
ＰＤ4 に照射され、ＰＤ3 には第１の受光部５の上端で
光が蹴られるので照射されない。
【００８１】従って、例えば差信号（ＰＤ3 −ＰＤ4 ）
を検出信号として、フォーカスサーボ信号の検出を行え
ば、焦点より近い場合（ＮＥＡＲの状態）には、フォト
ダイオードＰＤ4 の信号はほとんど生じないので検出信
号がＰＤ3 −ＰＤ4 ＝ＰＤ3＞０となり、焦点に合うと
き（ジャストフォーカスの状態）には、いずれのフォト
ダイオードの信号もほとんど生じないので検出信号がＰ
Ｄ3 −ＰＤ4 ＝０−０＝０となり、焦点より遠い場合
（ＦＡＲの状態）には、フォトダイオードＰＤ3の信号
はほとんど生じないので検出信号がＰＤ3 −ＰＤ4 ＝−
ＰＤ4 ＜０となる。図１０Ｄに、焦点位置と検出信号と
の関係を示す。
を検出信号として、フォーカスサーボ信号の検出を行え
ば、焦点より近い場合（ＮＥＡＲの状態）には、フォト
ダイオードＰＤ4 の信号はほとんど生じないので検出信
号がＰＤ3 −ＰＤ4 ＝ＰＤ3＞０となり、焦点に合うと
き（ジャストフォーカスの状態）には、いずれのフォト
ダイオードの信号もほとんど生じないので検出信号がＰ
Ｄ3 −ＰＤ4 ＝０−０＝０となり、焦点より遠い場合
（ＦＡＲの状態）には、フォトダイオードＰＤ3の信号
はほとんど生じないので検出信号がＰＤ3 −ＰＤ4 ＝−
ＰＤ4 ＜０となる。図１０Ｄに、焦点位置と検出信号と
の関係を示す。
【００８２】トラッキングサーボ信号の検出は、図１７
の光学装置と同じく、第１の受光部５の２分割フォトダ
イオードＰＤ1 ，ＰＤ2 により、例えば差信号（ＰＤ2
−ＰＤ1 ）を検出信号として検出することができる。
の光学装置と同じく、第１の受光部５の２分割フォトダ
イオードＰＤ1 ，ＰＤ2 により、例えば差信号（ＰＤ2
−ＰＤ1 ）を検出信号として検出することができる。
【００８３】また、このフォトダイオードＰＤ1 および
ＰＤ2 からの例えば（ＰＤ1 ＋ＰＤ 2 ）の加算信号を検
出信号として、光ディスク上の記録の読み出しすなわち
ＲＦ信号の検出を行うことができる。
ＰＤ2 からの例えば（ＰＤ1 ＋ＰＤ 2 ）の加算信号を検
出信号として、光ディスク上の記録の読み出しすなわち
ＲＦ信号の検出を行うことができる。
【００８４】このとき第１の受光部５は、図１８に示し
た光学装置の光学素子１０２のように、受光面が斜面と
して形成された構成としても、同様にＰＤ3 とＰＤ4 を
配置形成して、フォーカスサーボ信号の検出を行うこと
ができる。
た光学装置の光学素子１０２のように、受光面が斜面と
して形成された構成としても、同様にＰＤ3 とＰＤ4 を
配置形成して、フォーカスサーボ信号の検出を行うこと
ができる。
【００８５】この実施例５の光学装置の具体例を図１１
に示す。前述した第１のシリコン基板１と同様に、半導
体レーザＬＤの出力制御モニタ用フォトダイオードＰＤ
M とその端子ＴPDM が作り込まれたシリコン基板３上
に、透明板２６を介して光学素子１０４がマウントされ
ている。
に示す。前述した第１のシリコン基板１と同様に、半導
体レーザＬＤの出力制御モニタ用フォトダイオードＰＤ
M とその端子ＴPDM が作り込まれたシリコン基板３上
に、透明板２６を介して光学素子１０４がマウントされ
ている。
【００８６】透明板２６の下のシリコン基板３には、第
２の受光部６を構成する一方のフォトダイオードＰＤ4
（図示せず）が作りこまれ、このＰＤ4 は配線層Ｃを介
してシリコン基板３の透明板２６と接しない位置に形成
された端子ＴPD4 と接続されている。
２の受光部６を構成する一方のフォトダイオードＰＤ4
（図示せず）が作りこまれ、このＰＤ4 は配線層Ｃを介
してシリコン基板３の透明板２６と接しない位置に形成
された端子ＴPD4 と接続されている。
【００８７】また、透明板２６の表面には各電極端子が
形成され、光学素子１０４の第１の受光部５フォトダイ
オードＰＤ1 ，ＰＤ2 のそれぞれの電極が配線層Ｃを介
して端子ＴPD1 ，ＴPD2 に接続され、第２の受光部６の
光学素子１０４に形成されたもう一方のフォトダイオー
ドＰＤ3 の電極が配線層Ｃを介して端子ＴPD3 に接続さ
れ、半導体レーザＬＤの電極が配線層Ｃを介して端子Ｔ
L に接続され、フォトダイオードＰＤと半導体レーザＬ
Ｄの共通電極が金属細線Ｗにより端子ＴPLに接続されて
いる。
形成され、光学素子１０４の第１の受光部５フォトダイ
オードＰＤ1 ，ＰＤ2 のそれぞれの電極が配線層Ｃを介
して端子ＴPD1 ，ＴPD2 に接続され、第２の受光部６の
光学素子１０４に形成されたもう一方のフォトダイオー
ドＰＤ3 の電極が配線層Ｃを介して端子ＴPD3 に接続さ
れ、半導体レーザＬＤの電極が配線層Ｃを介して端子Ｔ
L に接続され、フォトダイオードＰＤと半導体レーザＬ
Ｄの共通電極が金属細線Ｗにより端子ＴPLに接続されて
いる。
【００８８】この透明板２６は、レーザ光に対して透明
な材料、例えばガラス等よりなり、また図１２に図１１
の光学装置の要部の概略断面図を示すように、ＰＤ3 と
ＰＤ 4 の間のスペーサとしての役目も果たす。戻り光Ｌ
R は、この透明板２６を透過し、これにより図１０Ａ〜
図１０Ｄに示したようにフォーカスサーボ信号の検出を
行うことができる。
な材料、例えばガラス等よりなり、また図１２に図１１
の光学装置の要部の概略断面図を示すように、ＰＤ3 と
ＰＤ 4 の間のスペーサとしての役目も果たす。戻り光Ｌ
R は、この透明板２６を透過し、これにより図１０Ａ〜
図１０Ｄに示したようにフォーカスサーボ信号の検出を
行うことができる。
【００８９】第２の受光部６のフォトダイオードＰＤ3
およびＰＤ4 は、その一方あるいは両方を透明板２６の
表面に形成する構成もとることができる。図１３Ａに透
明板２６の断面図を示すように、例えば透明板２６の両
面に、アモルファスシリコンや多結晶シリコン等によ
り、それぞれＰＤ3 およびＰＤ4 を形成することができ
る。この場合の光学装置の要部の概略断面図を、図１３
Ｂに示す。この場合には、図１２のように第１の受光部
５とＰＤ3 との間に溝２５を形成することや、ＰＤ 3 の
電極を形成する必要がなく、図１７に示した光学素子１
０１をそのまま用いることができる。
およびＰＤ4 は、その一方あるいは両方を透明板２６の
表面に形成する構成もとることができる。図１３Ａに透
明板２６の断面図を示すように、例えば透明板２６の両
面に、アモルファスシリコンや多結晶シリコン等によ
り、それぞれＰＤ3 およびＰＤ4 を形成することができ
る。この場合の光学装置の要部の概略断面図を、図１３
Ｂに示す。この場合には、図１２のように第１の受光部
５とＰＤ3 との間に溝２５を形成することや、ＰＤ 3 の
電極を形成する必要がなく、図１７に示した光学素子１
０１をそのまま用いることができる。
【００９０】この実施例５の光学装置によれば、トラッ
キングサーボ信号およびフォーカスサーボ信号等が安定
して得られる等、実施例１の光学装置と同様な効果を得
ることができる。また、半導体レーザＬＤの端面と、フ
ォトダイオードＰＤの受光面とは劈開によって作製する
ことができ、半導体レーザをいわゆる面発光構造にする
必要がない。
キングサーボ信号およびフォーカスサーボ信号等が安定
して得られる等、実施例１の光学装置と同様な効果を得
ることができる。また、半導体レーザＬＤの端面と、フ
ォトダイオードＰＤの受光面とは劈開によって作製する
ことができ、半導体レーザをいわゆる面発光構造にする
必要がない。
【００９１】上述のように、本発明による光学装置で
は、面発光構造の半導体レーザＬＤではなく、通常の半
導体レーザの製造工程と同様にして作製可能な劈開共振
器型の半導体レーザＬＤが形成された、ＣＬＣ構成の光
学素子を用いることを基本としているため、レーザ特性
や信頼性に有利である。
は、面発光構造の半導体レーザＬＤではなく、通常の半
導体レーザの製造工程と同様にして作製可能な劈開共振
器型の半導体レーザＬＤが形成された、ＣＬＣ構成の光
学素子を用いることを基本としているため、レーザ特性
や信頼性に有利である。
【００９２】また、ＣＬＣ構成の光学素子とは別にフォ
トダイオード受光素子を追加して配置形成するだけの構
成であるため、装置の構造が非常に単純であり、かつ、
図２１の現行のレーザカプラのマイクロプリズムのよう
な特殊な光学部品がなくとも、ＲＦ信号、トラッキング
信号、フォーカス信号を得ることができるため、ピック
アップとして、作製プロセスやコスト面で有利である。
トダイオード受光素子を追加して配置形成するだけの構
成であるため、装置の構造が非常に単純であり、かつ、
図２１の現行のレーザカプラのマイクロプリズムのよう
な特殊な光学部品がなくとも、ＲＦ信号、トラッキング
信号、フォーカス信号を得ることができるため、ピック
アップとして、作製プロセスやコスト面で有利である。
【００９３】さらに、本発明の光学装置は、共焦点近傍
の第１の受光部においてプッシュプル法を適用して１ス
ポット検出によりトラッキングサーボを行うので、レン
ズの横移動やディスクの反り等に対して安定で、しかも
３スポット法によるトラッキングサーボを行う場合と比
較して光の利用効率も高い。
の第１の受光部においてプッシュプル法を適用して１ス
ポット検出によりトラッキングサーボを行うので、レン
ズの横移動やディスクの反り等に対して安定で、しかも
３スポット法によるトラッキングサーボを行う場合と比
較して光の利用効率も高い。
【００９４】そして、あとはレンズ等の収束手段を加え
るだけで光ピックアップが構成でき、また共焦点光学系
を構成するため、光学部品のアライメントが極めて容易
である。すなわち、光学系に対する設計の自由度や許容
性が非常に大きい。
るだけで光ピックアップが構成でき、また共焦点光学系
を構成するため、光学部品のアライメントが極めて容易
である。すなわち、光学系に対する設計の自由度や許容
性が非常に大きい。
【００９５】さらに、本発明の光学装置は横方向出射構
造を基本としているため、図１４に本発明の光学装置を
適用した光学ピックアップの概略構成図を示すように、
例えば図６の実施例３の具体例の光学装置と同様に、光
学素子１０がマウントされた第１のシリコン基板１が第
２のシリコン基板２上にマウントされ、第２のシリコン
基板２表面に受光部６が形成された構成をとり、これと
例えば対物レンズ等の収束手段８と立ち上げミラー２７
とを組み合わせることができる。
造を基本としているため、図１４に本発明の光学装置を
適用した光学ピックアップの概略構成図を示すように、
例えば図６の実施例３の具体例の光学装置と同様に、光
学素子１０がマウントされた第１のシリコン基板１が第
２のシリコン基板２上にマウントされ、第２のシリコン
基板２表面に受光部６が形成された構成をとり、これと
例えば対物レンズ等の収束手段８と立ち上げミラー２７
とを組み合わせることができる。
【００９６】光学素子１０の発光部から出射した光が、
立ち上げミラー２７で反射され、その方向を鉛直方向と
され、収束手段８で収束され、被照射部９例えばディス
クに照射される。このようにすると、光学装置の大きさ
に比して厚みが小とされた薄型の光学ピックアップに適
用しやすい構成が取れる。
立ち上げミラー２７で反射され、その方向を鉛直方向と
され、収束手段８で収束され、被照射部９例えばディス
クに照射される。このようにすると、光学装置の大きさ
に比して厚みが小とされた薄型の光学ピックアップに適
用しやすい構成が取れる。
【００９７】本発明の光学装置によれば、例えばフリッ
プチップ実装を基本とした、量産性やコストに優れた光
ピックアップが実現できる。また、フォトダイオードを
作り込んだシリコン基板には、種々の信号処理回路を内
蔵することが容易にできる。
プチップ実装を基本とした、量産性やコストに優れた光
ピックアップが実現できる。また、フォトダイオードを
作り込んだシリコン基板には、種々の信号処理回路を内
蔵することが容易にできる。
【００９８】また、本発明の光学装置を光磁気ディスク
の信号検出すなわち光磁気信号の検出にも適用すること
ができる。例えば実施例１の光学装置の場合は、図１５
に光学装置の要部の拡大図を示すように、図３の第２の
シリコン基板２表面に形成された、第２の受光部６のフ
ォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 を、それぞれ２分割して
ＰＤ3a，ＰＤ3bおよびＰＤ 4a，ＰＤ4bとして、各フォト
ダイオードの上にワイヤグリッドからなる偏光子２８を
形成する。このとき、偏光子２８のワイヤグリッド格子
の方向をＰＤ3aおよびＰＤ4aとＰＤ3bおよびＰＤ4bにお
いて、互いに直交する方向になるように形成する。
の信号検出すなわち光磁気信号の検出にも適用すること
ができる。例えば実施例１の光学装置の場合は、図１５
に光学装置の要部の拡大図を示すように、図３の第２の
シリコン基板２表面に形成された、第２の受光部６のフ
ォトダイオードＰＤ3 ，ＰＤ4 を、それぞれ２分割して
ＰＤ3a，ＰＤ3bおよびＰＤ 4a，ＰＤ4bとして、各フォト
ダイオードの上にワイヤグリッドからなる偏光子２８を
形成する。このとき、偏光子２８のワイヤグリッド格子
の方向をＰＤ3aおよびＰＤ4aとＰＤ3bおよびＰＤ4bにお
いて、互いに直交する方向になるように形成する。
【００９９】そして、フォーカスサーボ信号は、例えば
｛（ＰＤ3a＋ＰＤ3b）−（ＰＤ4a＋ＰＤ4b）｝を検出信
号として検出を行う。また光磁気信号は、例えば｛（Ｐ
Ｄ3a＋ＰＤ4a）−（ＰＤ3b＋ＰＤ4b）｝を検出信号とす
れば、偏光の方向により信号が正負に変わることから、
光磁気信号の検出を行うことができる。
｛（ＰＤ3a＋ＰＤ3b）−（ＰＤ4a＋ＰＤ4b）｝を検出信
号として検出を行う。また光磁気信号は、例えば｛（Ｐ
Ｄ3a＋ＰＤ4a）−（ＰＤ3b＋ＰＤ4b）｝を検出信号とす
れば、偏光の方向により信号が正負に変わることから、
光磁気信号の検出を行うことができる。
【０１００】実施例３および実施例５の光学装置でも同
様にして、光磁気信号の検出を行う構成を採ることがで
きる。
様にして、光磁気信号の検出を行う構成を採ることがで
きる。
【０１０１】図１６Ａに、光磁気信号を検出する構成の
光学装置の他の例の概略側面図を示す。この光学装置
は、図９に示した実施例５の光学装置に対して、光学素
子１０６の共焦点近傍の第１の受光部５のフォトダイオ
ードＰＤ1 ，ＰＤ2 の受光面を共振器端面に対して斜面
として形成し、この受光面で戻り光ＬR を反射して、光
学素子１０６の斜め前方に配置形成した第３の受光部７
で受光するものである。
光学装置の他の例の概略側面図を示す。この光学装置
は、図９に示した実施例５の光学装置に対して、光学素
子１０６の共焦点近傍の第１の受光部５のフォトダイオ
ードＰＤ1 ，ＰＤ2 の受光面を共振器端面に対して斜面
として形成し、この受光面で戻り光ＬR を反射して、光
学素子１０６の斜め前方に配置形成した第３の受光部７
で受光するものである。
【０１０２】第３の受光部７には、２分割フォトダイオ
ードＰＤ5a，ＰＤ5bが形成され、その表面に例えばワイ
ヤグリッドによる格子が形成された偏光子２８が形成さ
れる。そして、図１６Ｂに図１６Ａの第３の受光部の拡
大平面図を示すように、ワイヤグリッド格子の方向は、
ＰＤ5aとＰＤ5bでそれぞれ直交する方向に形成する。
ードＰＤ5a，ＰＤ5bが形成され、その表面に例えばワイ
ヤグリッドによる格子が形成された偏光子２８が形成さ
れる。そして、図１６Ｂに図１６Ａの第３の受光部の拡
大平面図を示すように、ワイヤグリッド格子の方向は、
ＰＤ5aとＰＤ5bでそれぞれ直交する方向に形成する。
【０１０３】このような構成とすれば、例えば（ＰＤ5a
−ＰＤ5b）を検出信号として、光磁気信号の検出を行う
ことができる。
−ＰＤ5b）を検出信号として、光磁気信号の検出を行う
ことができる。
【０１０４】また本発明の光学装置は、半導体レーザＬ
Ｄを高出力化することで、容易に光磁気記録や相変化記
録等の記録媒体への記録用の光学装置として適用でき
る。半導体レーザＬＤは、現在用いられているさまざま
な構造を適用することができる。また光学素子を構成す
る材料は、上述のＡｌＧａＡｓ−ＧａＡｓ系の他に例え
ば、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＺｎＭｇＳＳｅ系、ＩｎＧａＡ
ｓＰ系やその他の半導体レーザを作成可能な材料系によ
り構成することができる。
Ｄを高出力化することで、容易に光磁気記録や相変化記
録等の記録媒体への記録用の光学装置として適用でき
る。半導体レーザＬＤは、現在用いられているさまざま
な構造を適用することができる。また光学素子を構成す
る材料は、上述のＡｌＧａＡｓ−ＧａＡｓ系の他に例え
ば、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＺｎＭｇＳＳｅ系、ＩｎＧａＡ
ｓＰ系やその他の半導体レーザを作成可能な材料系によ
り構成することができる。
【０１０５】上述の各例は本発明の光学装置の一例であ
り、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成
が取り得る。
り、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成
が取り得る。
【０１０６】本発明の光学装置を適用する被照射部とし
ては、例えばコンパクトディスク、相変化光ディスク、
光磁気ディスク等の各種光学ディスクを適用することが
できる。いずれの場合も本発明の光学装置を適用するこ
とにより、安定してフォーカスサーボ信号およびトラッ
キングサーボ信号等各種信号の検出ができる。
ては、例えばコンパクトディスク、相変化光ディスク、
光磁気ディスク等の各種光学ディスクを適用することが
できる。いずれの場合も本発明の光学装置を適用するこ
とにより、安定してフォーカスサーボ信号およびトラッ
キングサーボ信号等各種信号の検出ができる。
【０１０７】
【発明の効果】上述の本発明によれば、発光部に戻る光
の共焦点の近傍に第１の受光部を配置し、特に発光部と
第１の受光部とを同一基板上に形成することにより、光
学装置全体のサイズが縮小でき、光学部品の点数を少な
くすることができる。これにより光学装置の小型化が図
られることになる。
の共焦点の近傍に第１の受光部を配置し、特に発光部と
第１の受光部とを同一基板上に形成することにより、光
学装置全体のサイズが縮小でき、光学部品の点数を少な
くすることができる。これにより光学装置の小型化が図
られることになる。
【０１０８】また出射光と戻り光が同軸の経路をたどる
ことから、光学系が単純になり、特殊な部品を必要とせ
ず、しかも位置合わせの調整が簡単になる。その上ビー
ムスプリッタ等で分割する従来の場合と比較して、受光
部に戻る光の割合を大きくでき、受光量を多くできる。
従って、より低いレーザ出力で同じ受光量を実現でき、
消費電力の少ない光学装置を構成することができる。
ことから、光学系が単純になり、特殊な部品を必要とせ
ず、しかも位置合わせの調整が簡単になる。その上ビー
ムスプリッタ等で分割する従来の場合と比較して、受光
部に戻る光の割合を大きくでき、受光量を多くできる。
従って、より低いレーザ出力で同じ受光量を実現でき、
消費電力の少ない光学装置を構成することができる。
【０１０９】戻り光の共焦点近傍で受光することによ
り、遠視野で行う場合よりも安定して正確にプッシュプ
ル検出を行うことができることから、安定したトラッキ
ングサーボ信号検出が可能である。さらに戻り光を分割
させ第２の受光部で検出することにより、特殊なプリズ
ム等を必要とせずにフォーカスサーボ信号等の各種信号
の検出ができる。
り、遠視野で行う場合よりも安定して正確にプッシュプ
ル検出を行うことができることから、安定したトラッキ
ングサーボ信号検出が可能である。さらに戻り光を分割
させ第２の受光部で検出することにより、特殊なプリズ
ム等を必要とせずにフォーカスサーボ信号等の各種信号
の検出ができる。
【０１１０】そして本発明の光学装置は、水平共振器型
のレーザを有するＣＬＣ構成の光学素子と、その外に追
加したフォトダイオード等の受光素子とからなる単純な
構成とされる。従って、簡易な製造工程で光学ピックア
ップ等の光学装置を製造できる。
のレーザを有するＣＬＣ構成の光学素子と、その外に追
加したフォトダイオード等の受光素子とからなる単純な
構成とされる。従って、簡易な製造工程で光学ピックア
ップ等の光学装置を製造できる。
【０１１１】また本発明の光学装置では発光部を面発光
構造にする必要がないため、通常の半導体レーザ構造の
製造プロセスと同様にして作製でき、かつレーザ特性や
信頼性に有利である。また半導体レーザの構造や光学装
置を構成する光学系の設計の許容性・自由度も大きい。
従って、光学装置の設計および製造が容易にできるよう
になる。
構造にする必要がないため、通常の半導体レーザ構造の
製造プロセスと同様にして作製でき、かつレーザ特性や
信頼性に有利である。また半導体レーザの構造や光学装
置を構成する光学系の設計の許容性・自由度も大きい。
従って、光学装置の設計および製造が容易にできるよう
になる。
【０１１２】本発明を、光ディスク、相変化光ディス
ク、光磁気ディスクを光記録媒体として用いる光学装置
に適用することにより、従来より低消費電力化、装置の
小型化、信号検出すなわち再生や記録の安定化を図るこ
とができることから、性能の優れた光学装置を実現する
ことができる。
ク、光磁気ディスクを光記録媒体として用いる光学装置
に適用することにより、従来より低消費電力化、装置の
小型化、信号検出すなわち再生や記録の安定化を図るこ
とができることから、性能の優れた光学装置を実現する
ことができる。
【図１】本発明の光学装置の一例の斜視図である。
【図２】Ａ、Ｂ、Ｃ 図１の光学装置におけるフォーカ
スサーボ信号の検出を示す図である。 Ｄ 焦点位置とフォーカスサーボ信号の検出信号の図で
ある。
スサーボ信号の検出を示す図である。 Ｄ 焦点位置とフォーカスサーボ信号の検出信号の図で
ある。
【図３】図１の光学装置の具体例を示した図である。
【図４】第２の受光部の受光面を共振器端面と平行とし
た例の図である。
た例の図である。
【図５】本発明の光学装置の他の例の斜視図である。
【図６】図５の光学装置の具体例を示した図である。
【図７】図５の光学装置をレーザカプラに適用した概略
図である。
図である。
【図８】共振器の両外側に共振器端面に対して斜面を形
成した光学素子の概略斜視図である。
成した光学素子の概略斜視図である。
【図９】本発明の光学装置のさらに他の例の概略図であ
る。
る。
【図１０】Ａ、Ｂ、Ｃ 図１の光学装置におけるフォー
カスサーボ信号の検出を示す図である。 Ｄ フォーカスサーボ信号の検出信号の曲線である。
カスサーボ信号の検出を示す図である。 Ｄ フォーカスサーボ信号の検出信号の曲線である。
【図１１】図９の光学装置の具体例を示した図である。
【図１２】図１１の光学装置の要部の概略断面図であ
る。
る。
【図１３】Ａ 透明板の概略断面図である。 Ｂ 図１３Ａの透明板を用いた光学装置の要部の概略断
面図である。
面図である。
【図１４】本発明の光学装置を適用した光学装置を適用
した光学ピックアップの概略構成図である。
した光学ピックアップの概略構成図である。
【図１５】本発明の光学装置の一例の要部の拡大図であ
る。
る。
【図１６】Ａ 光磁気信号を検出する構成の光学装置の
例の概略側面図である。 Ｂ 図１６Ａの第３の受光部の拡大平面図である。
例の概略側面図である。 Ｂ 図１６Ａの第３の受光部の拡大平面図である。
【図１７】本発明の光学装置に供するＣＬＣ構成の光学
素子を有する光学装置の一例の斜視図である。
素子を有する光学装置の一例の斜視図である。
【図１８】本発明の光学装置に供するＣＬＣ構成の光学
素子を有する光学装置の他の例の斜視図である。
素子を有する光学装置の他の例の斜視図である。
【図１９】図１７の光学装置における信号の検出を示す
図である。
図である。
【図２０】図１８の光学装置における信号の検出を示す
図である。
図である。
【図２１】Ａ 通常のレーザカプラの概略斜視図であ
る。 Ｂ 図２１Ａの４分割フォトダイオードの拡大平面図で
ある。
る。 Ｂ 図２１Ａの４分割フォトダイオードの拡大平面図で
ある。
１ 第１のシリコン基板 ２ 第２のシリコン基板 ３ シリコン基板 ４ 発光部 ＬＤ 半導体レーザ ５ 受光部、第１の受光部 ６ 第２の受光部 ７ 第３の受光部 ８ 収束手段 ９ 被照射部 ＬF 出射光 ＬR 戻り光 ＰＤ（ＰＤ1 〜ＰＤ8 ） フォトダイオード １０、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０
６ 光学素子 １１ 半導体基板 １２ バッファ層 １３ 第１のクラッド層 １４ 活性層 １５ 第２のクラッド層 １６ キャップ層 １７ 電流狭窄層 １８ 光吸収層 １９ 第１の半導体層（第２導電型） ２０ 第２の半導体層（ｉ型） ２１ 第３の半導体層（第１導電型） ２２ ｐ側電極 ２３、２３１、２３２、２３３ ｎ側電極 ２４、２４Ａ 絶縁膜 ２５ 溝 ２６ 透明板 ２７ 立ち上げミラー ２８ 偏光子 ３０ 第１の半導体層（第２導電型） ３１ 第２の半導体層（第１導電型） ３５ 絶縁膜 ４０ 差動増幅器 ４５ 絶縁膜 ＰＤM 出力制御モニタ用フォトダイオード ＴPD1 、ＴPD2 、ＴPD3 、ＴPD4 端子 ＴL 、ＴPL、ＴM 端子 ４８、５０ シリコン基板 ６０ マイクロプリズム
６ 光学素子 １１ 半導体基板 １２ バッファ層 １３ 第１のクラッド層 １４ 活性層 １５ 第２のクラッド層 １６ キャップ層 １７ 電流狭窄層 １８ 光吸収層 １９ 第１の半導体層（第２導電型） ２０ 第２の半導体層（ｉ型） ２１ 第３の半導体層（第１導電型） ２２ ｐ側電極 ２３、２３１、２３２、２３３ ｎ側電極 ２４、２４Ａ 絶縁膜 ２５ 溝 ２６ 透明板 ２７ 立ち上げミラー ２８ 偏光子 ３０ 第１の半導体層（第２導電型） ３１ 第２の半導体層（第１導電型） ３５ 絶縁膜 ４０ 差動増幅器 ４５ 絶縁膜 ＰＤM 出力制御モニタ用フォトダイオード ＴPD1 、ＴPD2 、ＴPD3 、ＴPD4 端子 ＴL 、ＴPL、ＴM 端子 ４８、５０ シリコン基板 ６０ マイクロプリズム
Claims (9)
- 【請求項１】 互いに近接するように発光部と少なくと
も１つ以上の第１の受光部とが同一基板上に積層され、 上記発光部の共振器端面から出射した光の被照射部から
の該共振器端面に向かう戻り光を上記第１の受光部によ
って共焦点近傍で受光検出する光学素子と、 上記光学素子外に形成された受光素子からなる第２の受
光部とを有することを特徴とする光学装置。 - 【請求項２】 互いに近接するように発光部と少なくと
も１つ以上の第１の受光部とが同一基板上に積層され、 上記発光部の共振器端面から出射した光の被照射部から
の該共振器端面に向かう戻り光を上記第１の受光部によ
って共焦点近傍で受光検出する光学素子と、 上記光学素子上に形成された受光素子と上記光学素子外
に形成された受光素子とからなる第２の受光部とを有す
ることを特徴とする光学装置。 - 【請求項３】 上記第２の受光部によりフォーカスサー
ボ信号の検出を行うことを特徴とする請求項１に記載の
光学装置。 - 【請求項４】 上記第２の受光部によりフォーカスサー
ボ信号の検出を行うことを特徴とする請求項２に記載の
光学装置。 - 【請求項５】 上記第１の受光部が上記発光部の共振器
端面に対して斜めの角度をなす受光面を有し、 該受光面において反射した上記戻り光を第２の受光部に
より受光検出することを特徴とする請求項１に記載の光
学装置。 - 【請求項６】 上記第１の受光部が複数の受光素子から
なり、 各受光素子において上記受光面がそれぞれ異なる方向に
形成され、 該受光面により、共焦点位置の光を分割して反射するこ
とを特徴とする請求項５に記載の光学装置。 - 【請求項７】 上記受光面が特定の結晶面とされたこと
を特徴とする請求項５に記載の光学装置。 - 【請求項８】 上記受光面がエッチングによる平坦面と
されたことを特徴とする請求項５に記載の光学装置。 - 【請求項９】 上記第２の受光部が複数の受光素子から
なり、これら受光素子がその受光面を互いに向かい合っ
て平行に配置形成されたことを特徴とする請求項２に記
載の光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28754695A JP3533273B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28754695A JP3533273B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09128798A true JPH09128798A (ja) | 1997-05-16 |
| JP3533273B2 JP3533273B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=17718744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28754695A Expired - Fee Related JP3533273B2 (ja) | 1995-11-06 | 1995-11-06 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3533273B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001256665A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-09-21 | Rohm Co Ltd | 受発光複合素子およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| JP2006080225A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Ricoh Co Ltd | 自励発振型半導体レーザ、自励発振型半導体レーザの製造方法、光センサ装置、光伝送システム及び記録再生装置 |
-
1995
- 1995-11-06 JP JP28754695A patent/JP3533273B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001256665A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-09-21 | Rohm Co Ltd | 受発光複合素子およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| JP2006080225A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Ricoh Co Ltd | 自励発振型半導体レーザ、自励発振型半導体レーザの製造方法、光センサ装置、光伝送システム及び記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3533273B2 (ja) | 2004-05-31 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |