JP3131152B2 - 垂直共振器の面発光レーザーダイオードを用いた光ピックアップ - Google Patents
垂直共振器の面発光レーザーダイオードを用いた光ピックアップInfo
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Description
り、特に光源として垂直共振器の面発光レーザーダイオ
ード(vertical cavity surface-emitting laser vcsel
diode)を用いた光ピックアップに関する。
使用される従来のホログラム光ピックアップの光学系配
置断面図である。ここで、その構成を説明すれば次のよ
うである。PCB 基板1上にサブマウント2が設置され、
このサブマウント2の側面に光源としてのエッジ発光レ
ーザーダイオード3とこのエッジ発光レーザーダイオー
ド3の光出力を感知するためのフォトダイオード8が装
着されている。またエッジ発光レーザーダイオード3か
ら発振されてディスク7で反射される光を検出するため
の光検出器4がPCB 基板1に搭載されている。そして光
源のレーザーダイオード3から発進された光を回折させ
るホログラム素子5と、前記ホログラム素子5から光を
ディスク7のトラックに載せられた情報の読出できるよ
うに偏光限界まで集束させる対物レンズ6が具備されて
いる。
プレーヤーの光ピックアップは次のように動作する。ま
ず光源3から発振された偏光方向が一定でないレーザー
ビームはホログラム素子5を経て平行光に変わって対物
レンズ6に入射される。この対物レンズ6に入射された
平行光は偏光限界まで集束されてディスクのトラックに
入射される。
ラックに記録された情報により偏光方向を変えて反射さ
れ、対物レンズ6を経てホログラム素子5に入射され
る。ホログラム素子5に入射された情報の載せられた反
射光は光検出器4に回折される。この回折光から光検出
器4はディスクに載せられた情報及びフォーカシングエ
ラーとトラッキングエラーの検出のための信号を検出す
る。
ックアップではエッジ発光レーザーダイオード3がサブ
マウント2に装着された状態でその光軸をホログラム素
子5に対して整列しにくく、また別のサブマウント2が
必要であり、光検出器4をプリント回路基板上に別に整
列すべきの難点がある。従って、大量生産時に組立性が
激しく劣るという問題点がある。
円形の非点収差の大きな光を放射するので光検出器4を
通して検出されるラッキングエラー信号に誤情報を伝達
して正確なラッキングに障害となり、また光学系を通過
する時、光損失が多くてディスク面に到達する光量が激
しく減ることにより光効率が劣る短所がある。前記のよ
うな問題点を改善するために、本出願人は図2乃至図5
に示されたような垂直共振器の面発光レーザーダイオー
ドを利用したホログラム光ピックアップを提案したこと
がある。
光源としての垂直共振器の面発光レーザーダイオード
3’と反射光検出用の光検出器4’が単一半導体基板
1’に同一構造で形成され単一チップとしてPCB 基板1
に搭載される。そして光源の垂直共振器の面発光レーザ
ーダイオード3’から発振された光を平行光に変えると
共に反射光を回折させる役割をするホログラム素子5
と、前記ホログラム素子5からの平行光をディスク7の
トラックに載せられた情報の読出できるように偏光限界
まで集束させる対物レンズ6が具備されている。
イオード3’を用いたコンパクトディスクプレーヤーの
光ピックアップは次のように動作する。まず垂直共振器
の面発光レーザーダイオード3’から発振された非点収
差の小さい円偏光のレーザービームはホログラム素子5
を経て直線偏光の平行光に変わって対物レンズ6に入射
される。この対物レンズ6に入射された平行光は偏光限
界まで集束されてディスク7のトラックに入射される。
トラックに入射された直線偏光のビームはトラックに記
録された情報に応じて偏光方向を変えて反射され、対物
レンズ6を経てホログラム素子5に入射されて回折され
る。この回折光は光検出器4’に入射される。この回折
光から光検出器4’はディスク7に載せられた情報を電
気的信号に検出することになる。
イオードの非点収差の小さい単一モードの発振光を利用
すれば、トラッキング(エラー検出)及びフォーカシン
グの特性が改善されうる。即ち、図4(B)に示された
ように、面発光レーザーダイオード3’から発振された
光は従来のエッジ形レーザーダイオード3(図4
(A))から発振された光より非点収差の小さな円形に
近い単一モードの光であって、拡散が少なくなり光学系
での損失が小さい利点がある。
10と光検出器11は図3に示されたように同一な垂直
共振器の面発光レーザーダイオードの構造を有するので
1つのチップに同時に集積できて2つの素子を1つの工
程で生産でき、組立時にも光軸調整が一回にできるので
生産性向上の効果が得られる。即ち、垂直共振器の面発
光レーザーダイオードは光源として利用されることだけ
でなく、ダイオード自体に逆バイアス電圧印加による吸
収増加効果とレイジングのための多重反射鏡を通した吸
収強化効果を利用して100Åほどの薄い吸収層に因す
る吸収効率の減少を克服して光検出器として利用されう
る。よって、光源及び光検出器を単一基板に同じ構造と
して1つのチップに制作しうる。
ザーダイオード3’と光検出器用素子4’が単一チップ
で集積されていることを示す。各素子3’、4’は光源
及び光検出器として各々動作しうる。この際、光検出器
4’には逆バイアス電圧を印加してレーザー発振が起こ
らないようにする。図3及び図5に基づき光源及び光検
出器として使用されるMBE 形垂直共振器の面発光レーザ
ーダイオードの構造を説明すれば次のようである。
層とn-AlAs層を交代に積層して形成された下部反射鏡層
13と、n-Alx Ga1- xAsの下部スペーサ層14と、i-In
y Ga 1- yAsの活性層15と、p-Alx Ga1- xAsの上部スペ
ーサ層16と、 p-AlAs 層とp-GaAs層等を交代に積層し
て形成された上部反射鏡層17が順次に積層される。全
てのMBE 形の面発光レーザーダイオードはMBE 技法によ
り成長され、一般レーザーダイオードのように2つの反
射鏡と活性層に大別される。この中活性層15は光を発
生させる部分であって、100Å厚さの4つのGaAs量子
ウェールを有し、総厚さは400Åであり、8500Å
の波長で発光するようになっている。そして、この量子
ウェールはファブリーペロー(Fabry Perot )共振器の
中央の最大光波振幅の位置に置かれてレーザー発振モー
ドに効率的に寄与しうる。この4つの量子ウェールから
得られるレーザー最大利得は0.01ほどである。従っ
て、上下反射鏡13、17の反射率も少なくとも99%
以上となるべきである。また、下部反射鏡13はSiドー
ピングされ、上部反射鏡17はBeドーピング(P形)さ
れた。Beドーピングは上側に行くほどドーピング密度が
大きくなるように調整されている。そして上下スペーサ
14、16の厚さを調整することによりレーザー発振波
長を決定しうる。
ードを使用する光ピックアップは光源と光検出器として
使用される半導体素子を一括工程で製造しうる長所はあ
るが、逆バイアス電圧を印加して光検出器として使用さ
れる面発光レーザーダイオードは99.6%以上の高反
射率を有するブラッグ(Bragg )ミラーをその上部に含
んでいるのでディスクに反射された情報を有する反射光
が光検出器の活性層に到達する比率が極めて低くて信号
検出が難しい。
差の小さい単一モードの光を放射して光学系での光損失
を減らし、光源と光検出器を単一チップに集束させると
共に充分量の反射光を光検出器として検出しうる光ピッ
クアップを提供することにある。
の本発明によるホログラム光ピックアップは、基板上に
下部反射鏡層と、前記下部反射鏡層上の下部スペーサ層
と、前記下部スペーサ層上の活性層と、前記活性層上の
上部スペーサ層と、前記スペーサ層上の上部反射鏡層が
順次に積層され形成された光源としての垂直共振器の面
発光レーザーダイオード及び前記基板上に前記垂直共振
器の面発光レーザーダイオードと各々同一形の下部反射
鏡層、前記下部反射鏡層、下部スペーサ層活性層及び上
部スペーサ層が順次に積層されて形成され、ディスクか
ら反射された光を検出する光検出器が集積されたチップ
と、前記垂直共振器の面発光レーザーダイオードから発
振された光を直線偏光の平行光に変えると共に前記ディ
スクから反射された光を前記光検出器に回折させるホロ
グラム素子と、前記ホログラム素子を通過した光を前記
ディスク上に集束させる対物レンズとを具備することを
特徴とする。
アス電圧を加えて光検出器としての役割をさせることが
望ましい。
3及び図5の構成要素と同じものに対しては同じ部材番
号が使用される。図6を参照するに、本発明による面発
光レーザーダイオードを用いたホログラム光ピックアッ
プはPCB 基板1、n+形基板1’、面発光レーザーダイ
オード63、光検出器64、ホログラム素子5、対物レ
ンズ6を含んで構成される。レーザーダイオード及び光
検出器が集積された素子の拡大斜視図である。
レーザーダイオード63はPCB 1上のn +形基板1’の
上面にn-GaAs層とn-AlAs層を交代に積層して形成された
下部反射鏡層13と、n-Alx Ga1- xAsの下部スペーサ層
14と、i-Iny Ga1- yAsの活性層15と、p-Alx Ga1- x
Asの上部スペーサ層16と、p-AlAs層とp-GaAs層等を交
代に積層して形成された上部反射鏡層17が順次に積層
された構造となっている。
ザーダイオード63はMBE 技法により成長され、一般レ
ーザーダイオードのように2つの反射鏡と活性層に分け
られる。活性層15は光を発生させる部分であって、1
00Å厚さの4つのGaAs量子ウェールを有し、総厚さは
400Åであり、8500Åの波長で発光するようにな
っている。そして、この量子ウェールはファブリーペロ
ー共振器の中央の最大光波振幅の位置に置かれてレーザ
ー発振モードに効率的に寄与しうる。この4つの量子ウ
ェールから得られるレーザー最大利得は0.01ほどで
ある。従って、上下反射鏡13、17の反射率も少なく
とも99%以上となるべきである。また、下部反射鏡1
3はSiドーピングされ、上部反射鏡17はBeドーピング
(P 形)されている。Beドーピングは上側に行くほどド
ーピング密度が大きくなるように調整されている。そし
て上下スペーサ14、16の厚さを調整することによる
レーザー発振波長を決定しうる。
ード63の構造で上部反射鏡17の一部または全部を蝕
刻により除去することにより形成される。こうすると、
光検出器64に入射される情報が載せられた反射光が反
射される反射率を大幅に減らすことにより、電気信号に
変わる光量を増加させうる。この電気信号を利用して所
望の情報とトラッキング及びフォーカシング等のディス
クサーボに必要な情報を得る。従って、光効率を高め、
製品の信頼性を大きく向上させる(情報の再生が余程正
確になる)。そして、上部反射鏡は完全に除去すること
が光検出の効率面で優秀である。
光レーザーダイオード構造でない通常的なフォトダイオ
ード構造で形成されうる。光検出器をフォトダイオード
で形成した場合には逆バイアスを印加する必要がないの
で駆動方法が簡単になる長所がある。このように、光源
として使用される面発光レーザーダイオード63の垂直
結晶成長構造は図8に示されたようであり、光検出器6
4として使用される場合の結晶成長構造は図8に構造で
上部Beドーピングミラー層の一部または全部の除去と同
じである。そして、面発光レーザーダイオードの中央領
域での正弦波の強度分布は図9に示された通りである。
ログラム光ピックアップは垂直共振器の面発光レーザー
ダイオード構造の光源及び光検出器を1つのチップに形
成するが、光検出器として使用される面発光レーザーダ
イオード構造の上部反射鏡層の一部または全部を除去す
ることにより非点収差の小さく、特性の優秀なレーザー
ビームが得られることだけでなく、ディスクから反射さ
れる光を感度よく検出して光損失を著しく減らしうる。
図である。
レーザーダイオードを利用したホログラム光ピックアッ
プの光学系配置図である。
及び光検出器が集積されたチップの斜視図である。
オードと垂直共振器の面発光レーザーダイオードとの出
力ビーム特性比較図である。
及び光検出器の拡大断面図である。
たホログラム光ピックアップの光学系配置図である。
及び光検出器が集積されたチップの斜視図である。
造図である。
波の強度分布図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 基板上に光源としての垂直共振器の面発
光レーザーダイオードとディスクから反射された光を検
出する光検出器とが並んで集積されている構成のチップ
と、 前記光源から発振された光を直線偏光の平行光に変える
と共に前記ディスクから反射された光を前記光検出器に
回折させるホログラム素子と、 そして前記ホログラム素子を通過した光を前記ディスク
上に集束させる対物レンズとを具備してなり、 上記チップの垂直共振器の面発光レーザーダイオード
は、上記基板上に下部反射鏡層と、前記下部反射鏡層上
の下部スペーサ層と、前記スペーサ層上の活性層と、前
記活性層上の上部スペーサ層と、前記スペーサ層上の上
部反射鏡層が順次に積層されて形成された構成であり、 上記チップの光検出器は、前記基板上に前記垂直共振器
の面発光レーザーダイオードと各々同一形の下部反射鏡
層、下部スペーサ層活性層、上部スペーサ層、及び上部
反射鏡層が順次に積層され、この後に、上記上部反射鏡
層を蝕刻によって除去して形成された構成であることを
特徴とする光ピックアップ。 - 【請求項2】 前記光検出器には逆バイアス電圧がかか
ることを特徴とする請求項1に記載の光ピックアップ。 - 【請求項3】 前記上下反射鏡層は多層構造の多重反射
器よりなることを特徴とする請求項1に記載の光ピック
アップ。
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Families Citing this family (20)
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US6657931B1 (en) * | 1959-02-02 | 2003-12-02 | Sony Corporation | Optical disc drive for performing read/write operations on optical disks |
KR100195137B1 (ko) * | 1996-10-24 | 1999-06-15 | 윤종용 | 호환형 광픽업장치 |
US5894467A (en) * | 1997-02-19 | 1999-04-13 | Hewlett-Packard Company | Multiple VSEL assembly for read/write and tracking applications in optical disks |
JP3426962B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2003-07-14 | 株式会社日立製作所 | 光ヘッドおよびそれを用いた光学的情報記録再生装置 |
US6542527B1 (en) | 1998-08-27 | 2003-04-01 | Regents Of The University Of Minnesota | Vertical cavity surface emitting laser |
DE19839305B4 (de) * | 1998-08-28 | 2009-01-15 | Siemens Ag | Reflexlichtschranke |
KR100618969B1 (ko) | 1999-07-12 | 2006-08-31 | 삼성전자주식회사 | 광송수신 모듈 |
US6351443B1 (en) * | 1999-11-04 | 2002-02-26 | Industrial Technology Research Institute | Diffractive stack pickup head for optical disk drives and method to fabricate the pickup head |
US6614743B1 (en) * | 1999-11-11 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
US6515305B2 (en) | 2000-09-18 | 2003-02-04 | Regents Of The University Of Minnesota | Vertical cavity surface emitting laser with single mode confinement |
US6778581B1 (en) * | 2002-09-24 | 2004-08-17 | Finisar Corporation | Tunable vertical cavity surface emitting laser |
JP4370597B2 (ja) * | 2003-09-11 | 2009-11-25 | 株式会社エフ・イー・シー | 識別用のicチップと、そのデータの読出し方法、書込み方法 |
CN1898732A (zh) * | 2003-12-24 | 2007-01-17 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 改进的光学读出 |
CN100414345C (zh) * | 2006-09-21 | 2008-08-27 | 中北大学 | 快速成形激光二极管能量源及其设备 |
JP5580676B2 (ja) * | 2010-07-14 | 2014-08-27 | オリンパス株式会社 | 光学式センサ |
CN104103650B (zh) | 2014-07-09 | 2018-03-23 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 光学模块及其制造方法以及包括光学模块的电子装置 |
EP3176888A1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-07 | Koninklijke Philips N.V. | Sensor chip |
DE102018200566B4 (de) * | 2018-01-15 | 2021-07-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | System und Verfahren zur Überwachung der Fertigungsgenauigkeit bei der additiven Herstellung dreidimensionaler Bauteile |
DE102018124040A1 (de) * | 2018-07-24 | 2020-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische halbleitervorrichtung mit ersten und zweiten optoelektronischen elementen |
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EP0390445A3 (en) * | 1989-03-27 | 1992-01-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup head |
JP2733399B2 (ja) * | 1991-12-04 | 1998-03-30 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ装置、及びホログラム素子 |
US5285466A (en) * | 1992-05-20 | 1994-02-08 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Feedback mechanism for vertical cavity surface emitting lasers |
DE4404635C2 (de) * | 1993-02-17 | 1998-06-18 | Hitachi Ltd | Schwimmender optischer Abtastkopf, der integral mit einer Lichtquelle und einem Photodetektor ausgebildet ist, und optisches Plattengerät mit einem solchen |
US5483511A (en) * | 1993-02-17 | 1996-01-09 | Vixel Corporation | Multiple beam optical memory system with solid-state lasers |
US5406543A (en) * | 1993-04-07 | 1995-04-11 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical head with semiconductor laser |
JP2779126B2 (ja) * | 1993-12-27 | 1998-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 垂直空胴表面発光型レーザーダイオードを使用した光ピックアップヘッド装置 |
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