JP2002076062A - 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 - Google Patents

半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】銅箔付き、回路パタ−ン形成後、いずれの場合
においても反りを低減することができる半導体用接着剤
付きテ−プおよび、それを用いた銅張り積層板、ならび
に半導体装置を提供する。 【解決手段】下記（１）〜（３）の特性を有する有機絶
縁性フィルム層と１層以上の半硬化状態の接着剤層から
構成されることを特徴とする半導体用接着剤つきテ−
プ。 （１）膜厚が１０〜６５μm （２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）
の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ/℃ （３）２５℃における引張弾性率が６〜１２ＧＰａ

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路を実
装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンデ
ィング（ＴＡＢ）方式のパターン加工テープ、ボールグ
リッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージ用インターポーザー
等の半導体接続用基板、ダイボンディング材、リードフ
レーム固定テープ、ＬＯＣテープ、多層基板の層間接着
シート、等のフィルム形状の接着剤を用いた半導体装置
を作成するために適した接着剤付きテープおよびそれを
用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）の実装には、金
属製のリードフレームを用いた方式がもっとも多く用い
られているが、近年ではガラスエポキシやポリイミド等
の有機絶縁性フィルム上にＩＣ接続用の導体パターンを
形成した、接続用基板を介した方式が増加している。代
表的なものとして、テープオートメーテッドボンディン
グ（ＴＡＢ）方式によるテープキャリアパッケージ（Ｔ
ＣＰ）が挙げられる。
【０００３】ＴＣＰの接続用基板（パターンテープ）に
はＴＡＢ用接着剤付きテープ（以下ＴＡＢ用テープと称
する）が使用されるのが一般的である。通常のＴＡＢ用
テープは、ポリイミドフィルム等の可撓性を有する有機
絶縁性フィルム上に、未硬化状態の接着剤層および保護
フィルム層として離型性を有するポリエステルフィルム
等を積層した３層構造より構成されている。
【０００４】ＴＡＢ用テープは、（１）スプロケットお
よびデバイス孔の穿孔、（２）銅箔との熱ラミネートお
よび接着剤の加熱硬化、（３）パターン形成（レジスト
塗布、エッチング、レジスト除去）、（４）スズまたは
金−メッキ処理などの加工工程を経て、接続用基板であ
るＴＡＢテープ（パターンテープ）に加工される。図１
にパターンテープの形状を示す。有機絶縁性フィルム１
上に接着剤２、導体パターン５があり、フィルムを送る
ためのスプロケット孔３、デバイスを設置するデバイス
孔４がある。図２にＴＣＰ型半導体装置の一態様の断面
図を示す。パターンテープのインナーリード部６を、半
導体集積回路８の金バンプ１０に熱圧着（インナーリー
ドボンディング）し、半導体集積回路を搭載する。次い
で、封止樹脂９による樹脂封止工程を経て半導体装置が
作成される。最後に、ＴＣＰ型半導体装置は、他の部品
を搭載した回路基板等とアウターリード７を介して接続
され、電子機器への実装がなされる。
【０００５】一方、近年の電子機器の小型・軽量化に伴
い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、パッケ
ージの裏面に接続端子を配列するＢＧＡ（ボールグリッ
ドアレイ）、ＣＳＰ（チップスケールパッケージ）が用
いられるようになってきた。ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＣＰ
と同様に、インターポーザーと称する接続用基板が必須
である。しかし、ＩＣの接続方法において、従来のＴＣ
Ｐでは大半がＴＡＢ方式のギャングボンディングである
のに対し、ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＡＢ方式およびワイヤ
ーボンディング方式のいずれかを、個々のパッケージの
仕様、用途、設計方針等により選択している点が異なっ
ている。図３および図４に半導体装置（ＢＧＡ，ＣＳ
Ｐ）の一態様の断面図を示す。図中、１２、２０は有機
絶縁性フィルム、１３、２１は接着剤、１４、２２は導
体パターン、１５、２３は半導体集積回路、１６、２４
は封止樹脂、１７、２５は金バンプ、１８、２６はハン
ダボール、１９は補強板、２７はソルダーレジストを示
す。
【０００６】ここでいうインターポーザーは、前述のＴ
ＣＰのパターンテープと同様の機能を有するものなの
で、ＴＡＢ用接着剤付きテープを使用することができ
る。インナーリードを有する接続方式に有利であること
は当然であるが、半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイス
ホールを機械的に打ち抜いた後に銅箔をラミネートする
プロセスに特に適している。一方、ワイヤーボンディン
グにより接続するため、インナーリードが不要であった
り、銅箔ごと半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホー
ルを開けるプロセスでは、すでに銅箔を積層し、接着剤
を加熱硬化させた銅張り積層板を用いてもよい。
【０００７】上記のパッケージ形態において、ポリイミ
ド等の絶縁性フィルムの厚みは、機械的強度を持たせる
ため７５μｍ以上が一般的であったが、最近は薄くなる
傾向にある。これは、半田ボール孔径やビアホール孔径
が微細化し、打ち抜きやメッキ等の工程でに支障を来す
ためである。たとえば、機械強度とのバランスから５０
μｍが現実的とされる。
【０００８】しかしながら、７５μｍより薄いフィルム
では剛性が低下し銅箔と貼り合わせた際に反りを生じや
すくなるという問題がある。
【０００９】これに対し、従来の接着剤付きテープでは
接着剤にシロキサン構造を導入し、柔軟性を持たせるこ
とで反りを回避する方法が検討されている。（特開平１
１−３４５８４３号公報）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の反り特
性において、従来の半導体用接着剤付きテープは必ずし
も十分とはいえない。たとえば、接着剤の柔軟性により
反りを低減する方法では、銅箔がある場合は十分な効果
が得られない。言い換えると、回路パターンを形成した
後の銅箔の残存率により反りが変動するという問題があ
る。
【００１１】このことから、銅箔付き状態と回路パター
ンが形成された後の状態のいずれも反りの低減が望まれ
ることがわかる。このような要求に対し、従来技術では
銅箔付き状態と回路パターン形成後の状態の反り低減を
同時に満たすことは不可能であった。
【００１２】本発明はこのような問題点を解決し、銅箔
付き状態と回路パターン形成後の状態の両方の反り低減
を同時に満たし、優れた寸法安定性とワイヤ−ボンディ
ング性を同時に達成し得る半導体用接着剤付きテープお
よびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板なら
びに半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は下記
（１）〜（３）の特性を有する絶縁性フィルム層と１層
以上の半硬化状態の接着剤層の積層体から構成されるこ
とを特徴とする半導体用接着剤付きテープである。 （１）膜厚が１０〜６５μm （２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）
の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ／℃ （３）引張弾性率が６〜１２ＧＰａ
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明者らは、上記の目的を達成
するために半導体用接着剤付きテープの絶縁性フィルム
物性と接着剤成分の物性との関係を鋭意検討した結果、
これらの物性を最適化することにより、銅箔付き状態と
回路パターン形成後の状態の反りがいずれも改善された
半導体装置用接着剤付きテープが得られることを見い出
し、本発明に至ったものである。
【００１５】本発明の半導体装置用接着剤付きテープに
用いられる絶縁性フィルム層とは、下記（１）〜（３）
の特性を有することが必須であるが、それ以外は特に限
定されない。 （１）膜厚が１０〜６５μm （２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）
の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ/℃ （３）２５℃における引張弾性率が６〜１２ＧＰａ。
【００１６】本発明に用いられる絶縁性フィルムは、た
とえば、ポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンス
ルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテ
ルケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、液晶ポリマー等のプラスチックあるいはエポキシ樹
脂含浸ガラスクロス等の複合材料からなるフィルムが例
示され、これらから選ばれる複数のフィルムを積層して
用いても良い。中でもポリイミド樹脂を主成分とするフ
ィルムは機械、電気、耐熱、化学等の諸特性に優れ、コ
スト的にもバランスがよく、好適である。絶縁性フィル
ムは必要に応じて、加水分解、コロナ放電、低温プラズ
マ、物理的粗面化、易接着コーティング処理等の表面処
理をその片面または両面に施すことができる。
【００１７】絶縁性フィルムの膜厚は好ましくは１０〜
６５μｍ、より好ましくは２５〜５５μｍである。１０
μｍより薄いと機械強度が低く、パターン加工以降の工
程で作業性が低下するので好ましくない。６５μｍより
厚いと半田ボール、ビアホールの微細化が困難であり、
好ましくない。
【００１８】フィルムの幅方向（ＴＤ）の５０〜２００
℃における線膨張係数は、好ましくは１７〜３０ｐｐｍ
／℃、より好ましくは１９〜２５ｐｐｍ／℃である。１
７ｐｐｍ／℃より低い場合および３０ｐｐｍ／℃より大
きい場合はいずれも銅箔付き状態での反りが大きく好ま
しくない。
【００１９】本発明における引張弾性率は、ＡＳＴＭ−
Ｄ８８２で定義される２５℃における値であり、好まし
くは６〜１２ＧＰａ、より好ましくは７〜１０ＧＰａで
ある。６ＧＰａより低いと機械強度が低く、パターン加
工以降の工程で作業性が低下するので好ましくない。１
２ＧＰａより高いと反発力が高く、可撓性が低下するの
で好ましくない。
【００２０】本発明の絶縁性フィルム層のフィルム長さ
方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の線膨張係数について
は、その線膨張係数差は好ましくは３〜１０ｐｐｍ／
℃、より好ましくは５〜７ｐｐｍ／℃である。３ｐｐｍ
／℃より小さい場合および１０ｐｐｍ／℃より大きい場
合はいずれも銅箔付き状態での反りが大きく好ましくな
い。また、連続ラミネートの際にＭＤ方向の張力による
伸びとＴＤ方向の熱による伸びとのバランスがよいこと
から、ＭＤがＴＤより小さいほうが好ましい。ここでい
う線膨張係数とは、ＴＭＡ引っ張り荷重法により測定し
たもので、自由収縮を許す状態で３００℃で３０分間加
熱した試験片をＴＭＡ装置に取り付け、荷重２ｇ、昇温
速度２０℃／ｍｉｎの条件で５０℃〜２００℃における
試験片の寸法変化を読みとり、次式により算出したもの
である。 線膨張係数（１／℃）＝（Ｌ1−Ｌ0）／Ｌ0（２００−
５０） Ｌ0：５０℃における試験片の長さ（ｍｍ） Ｌ1：２００℃における試験片の長さ（ｍｍ）。
【００２１】絶縁性フィルム層のフィルム幅方向（Ｔ
Ｄ）の２００℃における熱収縮率は、好ましくは０．０
〜０．２％、より好ましくは０．０〜０．１％である。
熱収縮率は線膨張係数と同様に銅箔付き状態での反りに
影響し、０．０％より低い場合および０．２％より大き
い場合はいずれも銅箔付き状態での反りが大きく好まし
くない。ここでいう熱収縮率とは、ＡＳＴＭ Ｄ１２０
４に準拠した方法で、次式により算出したものである。 熱収縮率（％）＝（Ｌ1−Ｌ2）×１００／Ｌ1 Ｌ1：加熱前の標点間の長さ（ｍｍ） Ｌ2：加熱後の標点間の長さ（ｍｍ）。
【００２２】絶縁性フィルム層のフィルム幅方向（Ｔ
Ｄ）の湿度膨張係数は、好ましくは５〜２３ｐｐｍ／
℃、より好ましくは８〜２０ｐｐｍ／℃である。湿度膨
張係数は線膨張係数と同様に銅箔付き状態での反りに影
響し、５ｐｐｍ／℃より低い場合および２３ｐｐｍ／℃
より大きい場合はいずれも銅箔付き状態での反りが大き
く好ましくない。ここでいう湿度膨張係数とは、荷重５
ｇ、温度２３℃で５〜６０％ＲＨにおける試験片の寸法
変化を読みとり、次式により算出したものである。 湿度膨張係数（１／％ＲＨ）＝（Ｌ1−Ｌ0）／Ｌ0（６
０−５） Ｌ0：５％ＲＨにおける試験片の長さ（ｍｍ） Ｌ1：６０％ＲＨにおける試験片の長さ（ｍｍ）。
【００２３】接着剤層は通常半硬化状態で供され、銅箔
ラミネート後に加熱、加圧、電場、磁場、紫外線、放射
線、超音波等から選ばれる少なくとも１種以上のエネル
ギー印加により硬化、架橋されれば化学構造は特に限定
されない。特に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミド樹脂、マレイミド樹脂から選ばれる少なくとも１
種の熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。熱硬化性
樹脂の添加量は接着剤層の好ましくは２〜２０重量％、
さらに好ましくは４〜１５重量％である。なお硬化前の
接着剤厚みは３〜５０μｍの範囲にあることが好まし
い。
【００２４】エポキシ樹脂は１分子内に２個以上のエポ
キシ基を有するものであれば特に制限されないが、ビス
フェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、
ジヒドロキシナフタレン、ジシクロペンタジエンジフェ
ノール、ジシクロペンタジエンジキシレノール等のジグ
リシジルエーテル、エポキシ化フェノールノボラック、
エポキシ化クレゾールノボラック、エポキシ化トリスフ
ェニロールメタン、エポキシ化テトラフェニロールエタ
ン、エポキシ化メタキシレンジアミン、脂環式エポキシ
等が挙げられる。
【００２５】フェノール樹脂としては、ノボラック型フ
ェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等の公知のフ
ェノール樹脂がいずれも使用できる。たとえば、フェノ
ール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ノニル
フェノール、ｐ−フェニルフェノール等のアルキル置換
フェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環状
アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロゲン基、シア
ノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能基を有するも
の、ナフタレン、アントラセン等の骨格を有するもの、
ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｓ、レゾルシノール、ピロガロール等の多官能性フェノ
ールからなる樹脂が挙げられる。
【００２６】ポリイミド樹脂としては、ピロメリット
酸、３．３’，４．４’−ビフェニルテトラカルボン
酸、３．３’，４．４’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸などの芳香族テトラカルボン酸の二無水物と、４．
４’−ジアミノジフェニルエ−テル、４．４’−ジアミ
ノジフェニルスルホン、パラフェニレンジアミン、ジメ
チルベンジジン、３．３’−ジアミノベンゾフェノンな
どのジアミンの縮重合によって得られるポリアミック酸
をイミド化したものが挙げられる。
【００２７】マレイミド樹脂としては、２官能以上のも
のが好ましく、例えば、Ｎ，Ｎ’−（４，４’ジフェニ
ルメタン）ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレン
ビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレンビスマレイ
ミド、Ｎ，Ｎ’−２，４−トリレンビスマレイミド、
Ｎ，Ｎ’−２，６−トリレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’
−エチレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン
ビスマレイミド等が例示される。
【００２８】本発明の接着剤層に熱硬化樹脂の硬化剤お
よび硬化促進剤を添加することは何等制限されない。た
とえば、芳香族ポリアミン、三フッ化ホウ素トリエチル
アミン錯体等の三フッ化ホウ素のアミン錯体、２−アル
キル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−ア
ルキルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタ
ル酸、無水トリメリット酸等の有機酸、ジシアンジアミ
ド、トリフェニルフォスフィン、ジアザビシクロウンデ
セン等公知のものが使用できる。添加量は接着剤層１０
０重量部に対して０．１〜１０重量部であると好まし
い。
【００２９】以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
【００３０】本発明の接着剤層は、熱可塑性樹脂を含有
させることができる。熱可塑性樹脂は軟化温度を制御す
るのに有効であり、接着力、可撓性、熱応力の緩和、低
吸水性による絶縁性の向上等の機能を有する。熱可塑性
樹脂の添加量は接着剤層の、好ましくは３０〜６０重量
％、さらに好ましくは３５〜５５重量％である。
【００３１】熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル
−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−
ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレン−
ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、アクリル、ポ
リビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステルアミ
ド、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リウレタン等公知のものが例示される。また、これらの
熱可塑性樹脂は前述のフェノール樹脂、エポキシ樹脂等
の熱硬化性樹脂との反応が可能な官能基を有していても
よい。具体的には、アミノ基、カルボキシル基、エポキ
シ基、水酸基、メチロール基、イソシアネート基、ビニ
ル基、シラノール基等である。これらの官能基により熱
硬化性樹脂との結合が強固になり、耐熱性が向上するの
で好ましい。中でも、銅箔との接着性、可撓性、絶縁性
の点からポリアミド樹脂が好ましく、種々のものが使用
できる。特に、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水
率のため絶縁性にすぐれる、炭素数が３６であるジカル
ボン酸（いわゆるダイマー酸）を必須成分として含むポ
リアミド樹脂が好適である。さらにポリアミド樹脂であ
りかつアミン価が１以上３未満のポリアミド樹脂が好ま
しく用いられる。ダイマー酸を含むポリアミド樹脂は、
常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により得られ
るが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、アゼライ
ン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分として
含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、ヘキサ
メチレンジアミン、ピペラジン等の公知のものが使用で
き、吸湿性、溶解性の点から２種以上の混合でもよい。
【００３２】硬化後の該接着剤層のフィルム幅方向（Ｔ
Ｄ）の１５０℃における弾性率は、好ましくは１ＭＰａ
〜５ＧＰａ、より好ましくは２ＭＰａ〜１ＧＰａであ
り、かつフィルム幅方向（ＴＤ）の２５〜１５０℃にお
ける線膨張係数が好ましくは１０〜５００ｐｐｍ／℃、
より好ましくは２０〜３００ｐｐｍ／℃の範囲にあると
好適である。ここでいう弾性率とは、硬化後の接着剤単
膜を動的粘弾性法により、１１０Ｈｚ、３℃／ｍｉｎの
条件で測定し求めたＥ’（貯蔵弾性率）のことである。
弾性率が１ＭＰａより低いとリフロー時の耐熱性が低下
するので好ましくない。弾性率が５ＧＰａより高いと可
とう性不足となると同時に、回路パターン形成後の反り
が大きくなるので好ましくない。
【００３３】なお、高温における弾性率が高いことはワ
イヤーボンディング用途の半導体接続用基板においては
より重要である。具体的には一般的なワイヤーボンデイ
ング温度である１１０〜２００℃がこの範囲に相当す
る。代表値として１５０℃での弾性率（動的粘弾性法に
より求めたＥ’）を指標とすると、上記の範囲が好適で
ある。
【００３４】また、硬化後の該接着剤層のフィルム幅方
向（ＴＤ）の２５℃における弾性率は１０ＭＰａ〜５Ｇ
Ｐａであることが好ましく、より好ましくは１００ＭＰ
ａ〜３ＧＰａの範囲にあると好適である。弾性率が１０
ＭＰａより低いと打ち抜き不良が発生し穿孔性が低下す
るので好ましくない。弾性率が５ＧＰａより大きいと銅
箔との接着力が低下するので好ましくない。
【００３５】さらに、フィルム幅方向（ＴＤ）の２５〜
１５０℃における線膨張係数は好ましくは１０〜５００
ｐｐｍ／℃、より好ましくは２０〜３００ｐｐｍ／℃の
範囲にあると好適である。線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃
より小さい、あるいは５００ｐｐｍ／℃より大きいと反
りが大きくなり好適でない。
【００３６】本発明の半導体装置用接着剤付きテープ
は、保護フィルム層を有していてもよい。保護フィルム
層とは、銅箔を熱ラミネートする前に接着剤面から半導
体用接着剤付きテープの形態を損なうことなく剥離でき
れば特に限定されないが、たとえばシリコーンあるいは
フッ素化合物のコーティング処理を施したポリエステル
フィルム、ポリオレフィンフィルム、およびこれらをラ
ミネートした紙が挙げられる。
【００３７】次に本発明の接着剤付きテープを用いた銅
張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置の製造
方法を例示して説明する。
【００３８】（１）接着剤付きテープの製造方法例 本発明の要件を具備するポリイミド等の絶縁性フィルム
に接着剤組成物溶液をコーティング法により塗工、乾燥
した後所定の幅にスリットし、接着剤付きテープを得
る。
【００３９】また、離型性を付与したポリエステルフィ
ルム等の保護フィルム上に接着剤組成物溶液をコーティ
ング法により塗工、乾燥した後、２９．７〜６０．６ｍ
ｍの規格幅にスリットした接着剤付きテープを、幅３５
〜７０ｍｍの規格幅の絶縁性フィルムの中央部に１００
〜１６０℃、１０Ｎ／ｃｍ、５ｍ／ｍｉｎの条件で熱ロ
ールラミネートする方法でＴＡＢ用接着剤付きテープ形
状として用いても良い。
【００４０】（２）銅張り積層板の製造方法例 （１）の接着剤付きテープサンプルに３〜３５μｍの電
解または圧延銅箔を、１１０〜１８０℃、３０Ｎ／ｃ
ｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネートする。必要に応じ
てエアオーブン中で、８０〜３００℃、１〜２４時間段
階的加熱硬化処理を行ない、銅張り積層板を作成する。
この際に、銅箔張り合わせ前に接着剤付きテープサン
プルにデバイス孔およびハンダボール孔を穿孔しても良
い。
【００４１】（３）半導体接続用基板の製造方法例 （２）で得られた銅張り積層板銅箔の銅箔面に常法によ
りフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥離、
電解金メッキ、ソルダーレジスト膜形成を行ない、半導
体接続用基板（パターン加工テープ）を作成する（図
１）。
【００４２】（４）半導体装置の製造方法例 まず、（３）のパターン加工テープ上にエポキシ系のダ
イボンド材を用いて半導体集積回路（ＩＣ）を接着す
る。さらに、１１０〜２５０℃、３秒で反対面にダイボ
ンディングし、必要に応じてダイボンド材を硬化させ
る。次に、１１０〜２００℃、６０〜１１０ｋＨｚの条
件でワイヤーボンディング接続する。最後にエポキシ系
封止樹脂による封止、ハンダボール接続工程を経てＦＰ
−ＢＧＡ方式の半導体装置を得る（図２）。また、ダイ
ボンド材として本発明の要件を具備するポリイミド等の
絶縁性フィルムの両面に１０〜１００μｍの接着剤層を
有する接着剤付きテープを用いても良い。この場合、パ
ターン加工テープ上への圧着およびＩＣの圧着は、８０
〜２００℃、０．５〜５秒程度が好ましい。また、圧着
後必要に応じて８０〜３００℃、１〜２４時間段階的加
熱硬化処理を行ない、接着剤を硬化させる。
【００４３】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
参考例１（ポリアミド樹脂の合成）酸成分としてダイマ
ー酸（ユニケマ社製、「ＰＲＩＰＯＬ１００９」）およ
びアジピン酸、アミン成分としてヘキサメチレンジアミ
ンを用い、これらの酸／アミン反応物、消泡剤および１
％以下のリン酸触媒を加えポリアミド反応体を調整し
た。この反応体を２０５℃で熱重合させ、定法に従い、
酸化防止剤を添加した後、ポリアミド樹脂を取り出し
た。酸／アミン成分比、重合時間を適宜調整し、以下の
３種のポリアミド樹脂を得た。
【００４４】ポリアミド樹脂Ａ：酸価 １（重量平均分
子量１００，０００）、ポリアミド樹脂Ｂ：酸価２０
（重量平均分子量１０，０００）、ポリアミド樹脂Ｃ：
酸価１０（重量平均分子量２０，０００）。
【００４５】参考例２（ベ−スフィルムの合成） Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドを溶媒として、３，
３’，４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
とｐ−フェニレンジアミンを等モル比ずつ加え、約１０
時間反応させポリアミック酸溶液を得た。この溶液をガ
ラス板上に流延塗布して塗膜を形成した後、その表面に
１３０℃の熱風を６０分間供給して乾燥、剥離して自己
保持性を有するフィルムを作成した。
【００４６】このフィルムを支持枠に固定し、２００℃
〜４５０℃の熱処理を行い、表１に示す特性のポリイミ
ドフィルムＡ〜Ｉを得た。
【００４７】実施例１ （１）接着剤付きテ−プの作成 参考例１で作成したポリアミド樹脂Ａ ３０部、ポリア
ミド樹脂Ｂ １０部、ジ−ｔ−Ｂｕ，ジグリシジルエ−
テルベンゼンエポキシ樹脂（東都化成（株）製、「エポ
ト−トＹＤＣ−１３１２」、エポキシ当量１７５）５
部、ジシクロペンタジエンエポキシ樹脂（東都化成
（株）製、「エポトートＺＸ−１２５７」、エポキシ等
量２５７）１５部、ｔ−ブチルフェノールレゾール樹脂
（四国化成（株）製、「ＣＫＭ１６３４」）４０部、２
−ウンデシルイミダゾール０．３部を配合し、濃度２０
重量％となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混
合溶媒に３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成し
た。
【００４８】この接着剤溶液をバーコータで、保護フィ
ルムである厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート
フィルム（東レ（株）製”ルミラー”）に約１２μｍ乾
燥厚さとなるように塗布し、１００℃、１分および１６
０℃で５分間の乾燥を行ない、接着剤シートを作成し
た。
【００４９】さらに、得られた接着剤シートを参考例２
で作成したポリイミドフィルムＡに１２０℃、１ｋｇ／
ｃｍ2の条件でラミネートして接着剤付きテープを作成
した。得られた接着剤付きテ−プの特性を表１に示し
た。
【００５０】（２）評価用半導体接続用基板（パタ−ン
加工テ−プ）の作成 （１）で作成した接着剤付きテ−プに１８μｍの電解銅
箔（三井金属（株）製ＦＱ−ＶＬＰ箔）を１４０℃、１
０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネート、続いて
エアオーブン中で、８０℃、４時間、１００℃、５時
間、１６０℃、４時間の順次加熱硬化処理を行ない、銅
箔付き接着剤テ−プを得た。
【００５１】さらに、常法によりフォトレジスト膜形
成、エッチング、レジスト剥離、電解金メッキ、ソルダ
ーレジスト膜形成を行ない、ニッケルメッキ厚３μｍ、
金メッキ厚１μｍの半導体接続用接続用基板（パターン
加工テープ）を作成した（図１）。得られたパタ−ン加
工テ−プの特性を表１に示した。
【００５２】（３）半導体装置の作成 （２）で作成したパターン加工テープ上にエポキシ系ダ
イボンド材（リンテック（株）製、「ＬＥ−５００
０」）を用いて２０ｍｍ角のＩＣを圧着し、この状態で
１６０℃、３０分の加熱硬化を行った。次いで、ＩＣと
配線基板を１５０℃、１１０ｋＨｚの条件で、２５μｍ
直径の金ワイヤーでワイヤーボンディング接続した後、
樹脂封止する。最後にハンダボールをリフローにて搭載
し、評価用の半導体装置を得た。得られた半導体装置の
特性を表１に示した。
【００５３】（４）銅箔付き反り用サンプル作成と反り
評価方法 （１）で作成した接着剤付きテープに１８μｍの電解銅
箔を、１４０℃、３０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件で
ラミネートした。続いてサンプルを幅３５ｍｍ×２００
ｍｍにカットし、エアオーブン中で、８０℃、４時間、
１００℃、５時間、１６０℃、４時間の順次加熱硬化処
理を行ない、反り評価用サンプルを得た。反りの測定
は、ＳＥＭＩ−Ｇ７６−０２９９に準じて２３℃、５５
％ＲＨで２４時間調湿した後行い、サンプルの一辺を押
さえて反り上がったサンプルの反対側の高さをノギスで
測定し、反り量とした（銅箔が上側に反る場合をプラス
とした）。
【００５４】（５）回路パターンが形成された状態での
反り評価方法 （４）で作成した反り評価用サンプルの銅箔面に常法に
よりフォトレジスト膜形成、エッチング、レジスト剥
離、電解金メッキを行ない、評価用サンプルとした。接
着剤の面積を１００としたときの導体部分の面積（残存
率）は３０であった。そりの測定は（４）と同様に行っ
た。
【００５５】（６）寸法変化率の評価方法 （１）で作成した接着剤付きテープにスプロケットホー
ル、デバイスホール等を穿孔した。このテ−プ上に任意
の２点Ａ、Ｂを取り、ＡＢ間の距離（Ｌ0）を測長し
た。続いて（２）の手法でパタ−ン加工テ−プを作成
し、ＡＢ間の距離（Ｌ）を測長した。寸法変化率は以下
の式で求めた。寸法変化率＝｛（Ｌ0−Ｌ）／Ｌ0｝×１
００。
【００５６】（７）ワイヤーボンデイング性（ＷＢ性）
評価方法（プル強度） （３）で作成した評価用半導体装置の金ワイヤーをテン
ションゲージで引っ張り、その際の強度を測定した 実施例２〜８ 実施例１に示した方法で作成した接着剤シートおよび、
それぞれ表１に示したベースフィルム（Ｂ〜Ｈ）を用い
て、実施例１と同様の方法で接着剤付きテープ、パター
ン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を
表１に示した。
【００５７】実施例９ 参考例１で作成したポリアミド樹脂Ｃ ４５部、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）
製、「エピコート８２８」）０．５部、ｔ−ブチルフェ
ノールレゾール樹脂（昭和高分子（株）製、「ＣＫＭ１
６３４Ｇ」）１５部、ビスフェノールＡ型レゾール樹脂
（群栄化学（株）製、「ＰＬ−４４１４」）１５部、ク
レゾールノボラックフェノール樹脂（明和化成（株）
製、「Ｈ−１」）１５部を配合し、濃度２０重量％とな
るようにメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に３
０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着
剤溶液から実施例１と同様の方法を用いて接着剤シート
を作成した。さらに実施例１で示したベースフィルムを
用いて、実施例１と同様の方法で接着剤付きテープ、パ
ターン加工テープ、半導体装置を作成した。得られた特
性を表１に示した。
【００５８】実施例１０ 参考例１で作成したポリアミド樹脂Ａ ４５部、フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂（ペトロケミカルズ
（株）製、「ＥＰ１５２」）１０部、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）製、「エピ
コート８２８」）１０部、フェノール樹脂Ｉ（群栄化学
（株）製、「ＰＳ２７８０」）２５部、フェノール樹脂
II（群栄化学（株）製、「ＰＳＭ４３２６」）１０部を
配合し、濃度２０重量％となるようにメタノール／モノ
クロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹拌、混合して接着
剤溶液を作成した。この接着剤溶液から実施例１と同様
の方法を用いて接着剤シートを作成した。さらに実施例
１で示したベースフィルムを用いて、実施例１と同様の
方法で接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体
装置を作成した。得られた特性を表１に示した。
【００５９】実施例１１ Ｎ，Ｎジメチルアセトアミド中に、（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサン９０部、パラフェニレン
ジアミン１０部、３．３’，４．４’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸無水物１００部を溶解し、ポリアミッ
ク酸溶液を得た。この溶液を、実施例１で示したベース
フィルム上にバーコ−タで乾燥後の厚みが３μｍになる
ように塗工し、８０〜１５０℃で乾燥、２５０℃で３０
分間の加熱処理を行い、接着剤付きテープを得た。
【００６０】さらに、この接着剤付きテープに１８μｍ
の電解銅箔（三井金属（株）製ＦＱ−ＶＬＰ箔）を２３
０℃、１０Ｎ／ｃｍ、１ｍ／ｍｉｎの条件でラミネー
ト、続いて不活性ガス雰囲気のオーブン中で、１００
℃、４時間、１６０℃、４時間、２７０℃、２時間の順
次加熱硬化処理を行ない、銅箔付き接着剤テープを得
た。続いて、常法によりフォトレジスト膜形成、エッチ
ング、レジスト剥離、電解金メッキ、ソルダーレジスト
膜形成を行ない、ニッケルメッキ厚３μｍ、金メッキ厚
１μｍの半導体接続用接続用基板（パターン加工テー
プ）を作成した（図１）。得られたパターン加工テ−プ
の特性を表１に示した。
【００６１】また作成したパターン加工テープを用いて
実施例１と同様に評価用の半導体装置を得た。得られた
半導体装置の特性を表１に示した。
【００６２】実施例１２ 参考例１で作成したポリアミド樹脂Ａ ３５部、クレゾ
ール型レゾール樹脂（住友デュレズ（株）製、「ＰＲ９
１２」）６５部を配合し、濃度２０重量％となるように
メタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹
拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液か
ら実施例１と同様の方法を用いて接着剤シ−トを作成し
た。さらに実施例１で示したベースフィルムを用いて、
実施例１と同様の方法で接着剤付きテープ、パターン加
工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表１
に示した。
【００６３】実施例１３ 参考例１で作成したポリアミド樹脂Ｃ ４０部、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ（株）
製、「エピコート８２８」）１０部、３官能ビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂（三井化学（株）製、「ＶＧ３１
０１」）１０部、ｔ−ブチルフェノールレゾール樹脂
（日立化成（株）製、「ヒタノ−ル２４４２」）２７
部、Ｎ，Ｎ’−（４，４’ジフェニルメタン）ビスマレ
イミド１５部を配合し、濃度２０重量％となるようにメ
タノール／モノクロルベンゼン混合溶媒に３０℃で撹
拌、混合して接着剤溶液を作成した。この接着剤溶液か
ら実施例１と同様の方法を用いて接着剤シートを作成し
た。さらに実施例１で示したベ−スフィルムを用いて、
実施例１と同様の方法で接着剤付きテープ、パターン加
工テープ、半導体装置を作成した。得られた特性を表１
に示した。
【００６４】実施例１４ 市販のポリイミドフィルム（宇部興産（株）製、「ユ−
ピレックス７５Ｓ」）をグラインダ−で平均厚み６０μ
ｍになるように研磨した。これを用いて実施例１と同一
の方法で接着剤付きテ−プ、パタ−ン加工テ−プ、半導
体装置を作成した。得られた特性を表１に示した。
【００６５】比較例１ 実施例１で作成した接着剤シートおよび、市販のポリイ
ミドフィルム（宇部興産（株）製、「ユーピレックス５
０Ｓ」）を用い、実施例１と同一の手法で、接着剤付き
テープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。
得られた特性を表２に示した。
【００６６】比較例２ 実施例１で作成した接着剤シートおよび、市販のポリイ
ミドフィルム（東レ・デュポン（株）製、「カプトン２
００Ｖ」）を用い、実施例１と同一の手法で、接着剤付
きテープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成し
た。得られた特性を表２に示した。
【００６７】比較例３ 実施例１で作成した接着剤シートおよび、参考例１で作
成したべースフィルムＩを用いて、実施例１と同一の手
法で接着剤付きテープ、パターン加工テープ、半導体装
置を作成した。得られた特性を表２に示した。
【００６８】比較例４ 実施例９で作成した接着剤シートおよび、ポリイミドフ
ィルム（宇部興産（株）製、「ユーピレックス５０
Ｓ」）を用い、実施例１と同一の手法で、接着剤付きテ
ープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得
られた特性を表２に示した。
【００６９】比較例５ 実施例１３で作成した接着剤シートおよび、ポリイミド
フィルム（宇部興産（株）製、「ユ−ピレックス５０
Ｓ」）を用い、実施例１と同一の手法で、接着剤付きテ
ープ、パターン加工テープ、半導体装置を作成した。得
られた特性を表２に示した。
【００７０】表１の実施例および表２の比較例の結果か
ら、本発明により得られる半導体用接着剤付きテ−プ
は、銅箔付き、回路パタ−ン形成後、いずれの場合にお
いても反りが低減され、なおかつ低い寸法安定性と半導
体装置形成後のプル強度も高く保つことができる優れた
テ−プであった。
【００７１】
【表１】
【００７２】
【表２】
【００７３】
【発明の効果】本発明によれば、銅箔付き、回路パタ−
ン形成後、いずれの場合においても反りを低減すること
ができる半導体用接着剤付きテ−プおよび、それを用い
た銅張り積層板、ならびに半導体装置を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを加工
して得られた、半導体集積回路搭載前の半導体接続用基
板（パターン加工テープ）の一態様の斜視図。
【図２】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用い
た半導体装置（ＴＣＰ）の一態様の断面図。
【図３】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用い
た半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。
【図４】本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用い
た半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。
【符号の説明】
１，１２，２０ 絶縁性フィルム ２，１３，２１ 接着剤 ３ スプロケット孔 ４ デバイス孔 ５，１４，２２ 半導体集積回路接続用の導体 ６ インナーリード部 ７ アウターリード部 ８，１５，２３ 半導体集積回路 ９、１６，２４ 封止樹脂 １０，１７，２５ 金バンプ １１ 保護膜 １８、２６ ハンダボール １９ 補強板 ２７ ソルダーレジスト

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下記（１）〜（３）の特性を有する絶縁性
    フィルム層と１層以上の半硬化状態の接着剤層の積層体
    から構成されることを特徴とする半導体用接着剤付きテ
    ープ。 （１）膜厚が１０〜６５μｍ （２）５０〜２００℃におけるフィルム幅方向（ＴＤ）
    の線膨張係数が１７〜３０ｐｐｍ／℃ （３）引張弾性率が６〜１２ＧＰａ
  2. 【請求項２】絶縁性フィルム層のフィルム幅方向（Ｔ
    Ｄ）と長手方向（ＭＤ）の線膨張係数差が３〜１０ｐｐ
    ｍ/℃であることを特徴とする請求項１記載の半導体装
    置用接着剤付きテープ。
  3. 【請求項３】絶縁性フィルム層がポリイミド樹脂を主成
    分とすることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用
    接着剤付きテープ。
  4. 【請求項４】硬化後の該接着剤層のフィルム幅方向（Ｔ
    Ｄ）の１５０℃における弾性率が１Ｍ Ｐａ〜５ＧＰａ
    であり、かつフィルム幅方向（ＴＤ）の２５〜１５０℃
    における線膨張係数が１０〜５００ｐｐｍ／℃の範囲に
    あることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着
    剤付きテープ。
  5. 【請求項５】接着剤層がエポキシ樹脂、フェノール樹
    脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂から選ばれる少な
    くとも１種の熱硬化性樹脂を含有することを特徴とする
    請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
  6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれか記載の半導体装置
    用接着剤付きテープを用いた銅張り積層板。
  7. 【請求項７】請求項６記載の半導体装置用接着剤付きテ
    ープを用いた半導体接続用基板。
  8. 【請求項８】請求項７記載の半導体接続用基板を用いた
    半導体装置。
  9. 【請求項９】請求項６記載の銅張り積層板を用いた半導
    体接続用基板。
  10. 【請求項１０】請求項９記載の半導体接続用基板を用い
    た半導体装置。
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US10/111,302 US6982484B2 (en) 2000-08-25 2001-08-22 Semiconductor joining substrate utilizing a tape with adhesive and copper-clad laminate sheet
DE60131725T DE60131725T2 (de) 2000-08-25 2001-08-22 Selbstklebeband für substrate zur verbindung mit halbleitern und kupferkaschiertes laminat mit diesem klebeband
KR1020027005242A KR100602537B1 (ko) 2000-08-25 2001-08-22 반도체 접속 기판용 접착제 부착 테이프 및 그것을 사용한동박 적층판
CNB018031447A CN1204611C (zh) 2000-08-25 2001-08-22 用于半导体装置的带粘合剂的带及使用该带的铜膜叠层板
TW090120598A TW594891B (en) 2000-08-25 2001-08-22 The adhesive-attached tape for semiconductor substrate and using them for the copper-affixed laminates
EP01958398A EP1249863B1 (en) 2000-08-25 2001-08-22 Semiconductor joining substrate-use tape with adhesive and copper-clad laminate sheet using it
PCT/JP2001/007183 WO2002017379A1 (fr) 2000-08-25 2001-08-22 Bande adhesive destinee a etre utilisee pour un substrat de connexion de semi-conducteurs et feuille stratifiee revetue de cuivre utilisant ladite bande
AT01958398T ATE380393T1 (de) 2000-08-25 2001-08-22 Selbstklebeband für substrate zur verbindung mit halbleitern und kupferkaschiertes laminat mit diesem klebeband
HK03103570A HK1051441A1 (en) 2000-08-25 2003-05-20 Semiconductor joining substrate-use tape with adhesive and copper-clad laminate sheet using it

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005144805A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属積層板
JP2008204723A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Asahi Glass Co Ltd 燃料電池製造プロセス用キャリアフィルム
US8109432B2 (en) 2005-07-11 2012-02-07 Showa Denko K.K. Method for attachment of solder powder to electronic circuit board and solder-attached electronic circuit board
US8123111B2 (en) 2005-03-29 2012-02-28 Showa Denko K.K. Production method of solder circuit board

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030190466A1 (en) * 2002-04-03 2003-10-09 Katsuji Nakaba Adhesive sheet for producing semiconductor devices
US7005729B2 (en) * 2002-04-24 2006-02-28 Intel Corporation Device packaging using tape automated bonding (TAB) strip bonded to strip carrier frame
JP4082242B2 (ja) * 2003-03-06 2008-04-30 ソニー株式会社 素子転写方法
JP3952196B2 (ja) * 2003-06-25 2007-08-01 信越化学工業株式会社 フレキシブル金属箔ポリイミド積層板の製造方法
JP4397653B2 (ja) * 2003-08-26 2010-01-13 日東電工株式会社 半導体装置製造用接着シート
US7132158B2 (en) * 2003-10-22 2006-11-07 Olin Corporation Support layer for thin copper foil
KR100674907B1 (ko) * 2003-11-26 2007-01-26 삼성전자주식회사 고신뢰성을 갖는 스택형 반도체 패키지
US20090041990A1 (en) * 2005-09-09 2009-02-12 Showa Denko K.K. Method for attachment of solder powder to electronic circuit board and soldered electronic circuit board
KR100728748B1 (ko) * 2005-12-14 2007-06-19 삼성전기주식회사 임베디드 인쇄회로기판 제조방법
US7923373B2 (en) 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
JP5467720B2 (ja) * 2007-12-28 2014-04-09 リンテック株式会社 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法
JP5792924B2 (ja) * 2009-04-30 2015-10-14 住友電気工業株式会社 接着性樹脂組成物並びにこれを用いた積層体及びフレキシブル印刷配線板
JP5384443B2 (ja) 2010-07-28 2014-01-08 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、半導体装置の製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
CN104244586A (zh) * 2013-07-04 2014-12-24 漳州市福世通电子有限公司 一种卷式ic卡线路板铜箔与基材的固化方法
JP6238121B2 (ja) * 2013-10-01 2017-11-29 ローム株式会社 半導体装置
CN105739138A (zh) * 2016-04-28 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种面板、封框胶固化方法及超薄基板加工方法
JP7055282B2 (ja) * 2017-09-29 2022-04-18 エルジー・ケム・リミテッド 有機電子素子の封止方法
JP6909171B2 (ja) * 2018-02-12 2021-07-28 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法
KR102607691B1 (ko) * 2018-12-17 2023-11-30 닛폰세이테츠 가부시키가이샤 스테이터용 접착 적층 코어 및 회전 전기 기계
CN116209237B (zh) * 2022-12-29 2023-10-27 东莞市富颖电子材料有限公司 一种元器件点胶贴及其制备工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10138318A (ja) * 1996-09-13 1998-05-26 Ube Ind Ltd 多層押出しポリイミドフィルムの製法
JPH11300887A (ja) * 1998-04-17 1999-11-02 Ube Ind Ltd 金属箔積層フィルムの製法
JP2000174073A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Ｔａｂ用テープ
JP2000208564A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Ube Ind Ltd Ｌｏｃ用テ―プ

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4868050A (en) * 1987-02-27 1989-09-19 Ube Industries, Ltd. Interleaf-containing, fiber-reinforced epoxy resin prepreg
US5365113A (en) * 1987-06-30 1994-11-15 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US5739263A (en) * 1992-06-04 1998-04-14 Sumitomo Bakelite Company Limited Film adhesive and process for production thereof
US5406124A (en) * 1992-12-04 1995-04-11 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Insulating adhesive tape, and lead frame and semiconductor device employing the tape
JP2923170B2 (ja) * 1993-05-26 1999-07-26 日立電線株式会社 打抜き性に優れたフィルム及びこれを用いたリードフレーム
JPH07278258A (ja) * 1994-04-11 1995-10-24 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、接着剤シート、接着剤付き金属はく、ポリイミドフィルム及び金属はく張りポリイミドフィルム
JPH08174659A (ja) 1994-12-22 1996-07-09 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Ｔａｂ用テープの製造方法
JP2968704B2 (ja) 1995-06-08 1999-11-02 日本電気株式会社 半導体装置
TW340967B (en) * 1996-02-19 1998-09-21 Toray Industries An adhesive sheet for a semiconductor to connect with a substrate, and adhesive sticking tape for tab, an adhesive sticking tape for wire bonding connection, a substrate for connecting with a semiconductor and a semiconductor device
JP3555381B2 (ja) 1996-04-02 2004-08-18 東レ株式会社 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置
JPH10178054A (ja) 1996-10-15 1998-06-30 Toray Ind Inc 半導体集積回路接続用基板およびそれを構成する部品ならびに半導体装置
US6335571B1 (en) * 1997-07-21 2002-01-01 Miguel Albert Capote Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof
JP3347651B2 (ja) * 1997-09-17 2002-11-20 株式会社巴川製紙所 電子部品用接着テープ
US6031068A (en) * 1997-10-23 2000-02-29 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Polyimide composition and base tape for TAB carrier tape and flexible printed circuit board made from said composition
JPH11233567A (ja) 1998-02-12 1999-08-27 Toray Ind Inc 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置
JP3346265B2 (ja) * 1998-02-27 2002-11-18 宇部興産株式会社 芳香族ポリイミドフィルムおよびその積層体
JP3531719B2 (ja) * 1998-10-21 2004-05-31 宇部興産株式会社 ポリイミド樹脂成形体の製造法
JP3815911B2 (ja) 1999-01-11 2006-08-30 宇部興産株式会社 フィルムキャリアテ−プ
JP2002050718A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Hitachi Ltd 半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10138318A (ja) * 1996-09-13 1998-05-26 Ube Ind Ltd 多層押出しポリイミドフィルムの製法
JPH11300887A (ja) * 1998-04-17 1999-11-02 Ube Ind Ltd 金属箔積層フィルムの製法
JP2000174073A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Ｔａｂ用テープ
JP2000208564A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Ube Ind Ltd Ｌｏｃ用テ―プ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005144805A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Mitsui Chemicals Inc ポリイミド金属積層板
US8123111B2 (en) 2005-03-29 2012-02-28 Showa Denko K.K. Production method of solder circuit board
US8109432B2 (en) 2005-07-11 2012-02-07 Showa Denko K.K. Method for attachment of solder powder to electronic circuit board and solder-attached electronic circuit board
JP2008204723A (ja) * 2007-02-19 2008-09-04 Asahi Glass Co Ltd 燃料電池製造プロセス用キャリアフィルム

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