JP2002067387A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 濃度ムラのない良好な画像を形成する。 【解決手段】 ａ−Ｓｉ感光体表面を露光装置の光照射
方向についての主走査方向（感光体長手方向）と副走査
方向（感光体回転方向）との多数のブロックに区画し、
各ブロックごとの電位減衰特性を露光語の電位に応じて
Ａ〜Ｇに分類する。その分類に応じて露光装置の露光光
量を変化させることにより、現像位置における電位ムラ
を減少させることができるので、ａ−Ｓｉ感光体の感光
層の膜厚や膜質の違いによる電位ムラを減少させて、濃
度ムラのない良好な画像を形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式の複
写機、レーザプリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】像担持体としての感光体表面に静電的に
形成したトナー像を、これに密着させた記録材（例え
ば、紙）に静電的に転写する電子写真方式の画像形成装
置において、転写部材として導電性の転写ローラやコロ
ナ帯電器を用いたものが知られている。

【０００３】この画像形成装置においては、転写部材を
感光体に圧接又は近接させて、感光体と転写部材との間
に転写部を形成し、この転写部に記録材を通過させると
ともに、転写部材に感光体上のトナー像と逆極性の転写
バイアス電圧を印加することにより、感光体上のトナー
像を記録材表面に転写するものである。

【０００４】上述の画像形成装置に使用される感光体と
しては、有機感光体（ＯＰＣ感光体）やアモルファスシ
リコン系感光体（以下「ａ−Ｓｉ感光体」という。）等
がよく用いられている。このうちａ−Ｓｉ感光体は、表
面硬度が高く、半導体レーザなどに高い感度を示し、し
かも繰り返し使用による劣化もほとんど認められないこ
とから、高速複写機やレーザビームプリンタ（ＬＢＰ）
などの電子写真用感光体として用いられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のａ−Ｓ
ｉ感光体は、ガスを高周波やマイクロ波でプラズマ化し
て固体化し、アルミシリンダ上に堆積させて成膜すると
いう方法で製造されるため、プラズマを均一にすること
や、プラズマの中心にアルミシリンダを置くことが難し
く、成膜条件を感光体表面全域で精度よく均一なものと
することが困難であった。このため、現像位置におい
て、感光体表面全域内で２０Ｖ程度の電位ムラが発生
し、この電位ムラにより濃度ムラが発生するという問題
があった。

【０００６】上述の電位ムラは、成膜時の膜厚ムラよ
り静電容量の違いができて帯電能に差が生じること、
成膜状態の不均一等に起因する局所的な膜質の違いによ
り電位減衰特性に差が生じること、などによって発生す
るものである。

【０００７】上述の帯電後の電位減衰は、ａ−Ｓｉ感光
体を用いた場合、ＯＰＣ感光体に比べ暗状態でも非常に
大きく、さらに像露光の光メモリによる電位減衰が増大
されるため、前回の像露光による光メモリを消すため
に、帯電前に前露光を行うことが必要となる。

【０００８】ここで、光メモリについて説明する。ａ−
Ｓｉ感光体を帯電し像露光を行うと光キャリアを生成し
電位を減衰させる。しかしこのとき、ａ−Ｓｉ感光体
は、多くのタングリングボンド（未結合手）を有してお
り、これが局在準位となって光キャリアの一部を捕捉し
てその走行性を低下させ、あるいは光生成キャリアの再
結合確率を低下させる。したがって、画像形成プロセス
において、ａ-Ｓｉ感光体は、露光によって生成された
光キャリアの一部は、次工程の帯電時にａ−Ｓｉ感光体
に電界がかかると同時に局在準位から開放され、露光部
と非露光部とでａ−Ｓｉ感光体の表面電位に差が生じ
て、これが最終的に光メモリとなる。

【０００９】そこで、帯電前に露光器によって均一露光
を行うことによりａ−Ｓｉ感光体内部に潜在する光キャ
リアを過多にし全面で均一になるようにして、光メモリ
を消去することが一般的である。このとき、前露光器か
ら発する前露光の光量を増やしたり、前露光の波長をａ
−Ｓｉ感光体の分光感度ピーク（約６８０〜７００ｎ
ｍ）に近づけたりすることにより、より効果的に光メモ
リ（ゴースト）を消去することが可能である。

【００１０】しかしながら、上述のようにａ−Ｓｉ感光
体に膜厚ムラや、膜質の違いによる電位減衰特性の差が
存在すると、光導電層間にかかる電界が異なるため、上
記局在準位からの光キャリアの解放に差が生じ、帯電位
置においてたとえ均一に帯電できたとしても、現像位置
においては電位ムラが生じてしまう。また、帯電能につ
いても膜厚が薄い部分ほど静電容量が大きくなるため不
利となり、帯電能が低下してくると上記の現像部での帯
電ムラはより顕著となってしまう。

【００１１】以上のような理由で、帯電−現像間での電
位減衰は非常に大きくなり、１００〜２００Ｖ程度の電
位減衰が生じる。このとき前述の膜厚ムラや、電位減衰
特性の違いにより感光体表面全域内で１０〜２０Ｖ程度
の電位ムラが発生してしまっていた。

【００１２】このような電位ムラが生じた場合、静電容
量の大きなａ−Ｓｉ感光体においては、ＯＰＣ感光体に
比べてコントラストも小さいため、影響をより大きく受
けてしまい、濃度ムラも顕著になってしまう。

【００１３】本発明は、上述事情に鑑みてなされたもの
であり、濃度ムラのない良好な画像を形成することので
きる画像形成装置を提供することを目的とするものであ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めの請求項１にかかる本発明は、表面に光導電層を有す
る像担持体と、前記像担持体表面を帯電する帯電装置
と、帯電後の前記像担持体表面を露光して静電潜像を形
成する露光装置と、前記静電潜像にトナーを付着させて
トナー像として現像する現像装置と、前記トナー像を他
の部材に転写させる転写装置とを備えた画像形成装置に
おいて、前記像担持体の表面全域の電位減衰特性を２次
元化して表した特性テーブルを記憶した記憶手段を有
し、前記露光装置は、前記記憶手段に記憶された前記特
性テーブルに応じて露光時の露光光量を変化させる、こ
とを特徴とする。

【００１５】請求項２に係る本発明は、請求項１の画像
形成装置において、前記記憶手段は、前記特性テーブル
として、前記像担持体表面を前記露光装置の光走査方向
についての主走査方向及び副走査方向に多数に分割した
ブロックごとの電位減衰特性を記憶する、ことを特徴と
する。

【００１６】請求項３に係る本発明は、請求項２の画像
形成装置において、前記ブロックは、前記露光装置の記
録解像度に応じて設定する、ことを特徴とする。

【００１７】請求項４に係る本発明は、請求項１、２、
又は３の画像形成装置において、前記光導電層が、シリ
コン原子を母体とする水素原子とハロゲン原子とのうち
の少なくとも一方を含有する非単結晶材料によって形成
されている、ことを特徴とする。

【００１８】請求項５に係る本発明は、請求項１、２、
３、又は４の画像形成装置において、前記画像形成装置
本体は、前記露光装置の露光の副走査方向である前記像
担持体の回転方向についての位置情報を検知する手段を
有している、ことを特徴とする。

【００１９】請求項６に係る本発明は、請求項１、２、
３、４、又は５の画像形成装置において、前記記憶手段
が前記像担持体と一体的に構成されている、ことを特徴
とする。

【００２０】請求項７に係る本発明は、請求項１、２、
３、４、又は５の画像形成装置において、前記記憶手段
が前記像担持体を除く前記画像形成装置本体側に装着さ
れている、ことを特徴とする。

【００２１】〔作用〕上記のように、感光体の電位減衰
特性に合わせて露光光量を変えることにより、現像部に
おける電位ムラを緩和させることが可能となり、ａ−Ｓ
ｉ感光体を用いた場合においてもムラのない良好な画像
を得ることが可能になる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図面に沿って、本発明の実
施の形態について説明する。

【００２３】図１に、本発明に係る画像形成装置の一例
を示す。同図は、画像形成装置としてのレーザビームプ
リンタの概略構成を示す縦断面図である。

【００２４】同図に示す画像形成装置は、画像形成装置
本体Ａの内部に、像担持体としてドラム形の電子写真感
光体（以下「感光ドラム」という。）１を備えている。
感光ドラム１の周囲にはその回転方向に沿ってほぼ順
に、帯電装置２、露光装置３、現像装置４、転写装置
５、クリーニング装置６、前帯電器７等が配設されてい
る。また、記録材（例えば、紙）Ｐの搬送方向に沿って
の上流側から順に、給搬送装置８、定着装置９、排紙ト
レイ１０が配設されており、画像形成装置本体Ａの上部
には、画像読取装置１１が配設されている。

【００２５】上述の感光ドラム１は、アルミシリンダの
外周面に、ａ−Ｓｉ感光体を層状に設けたものであり、
駆動手段（不図示）によって矢印Ｒ１方向に所定のプロ
セススピードで回転駆動される。なお、感光ドラム１に
ついては後に詳述する。

【００２６】感光ドラム１は、その表面が帯電装置２に
よって所定の極性・所定の電位に均一に帯電される。帯
電装置２としては、例えば、感光ドラム１に対して非接
触のコロナ帯電器を使用することができる。

【００２７】帯電後の感光ドラム１は、露光装置３によ
って静電潜像が形成される。画像読取装置１１は、矢印
Ｋ１２方向及びその反対方向に移動可能な光源１２を有
しており、光源１２は、原稿台ガラス１３上に画像面を
下方に向けて載置された原稿Ｇの画像面を照射する。画
像面からの反射光は、反射ミラー、レンズ等を介してＣ
ＣＤ（いずれも不図示）によって読み取られ、読み取ら
れた画像情報は、適宜に加工されて露光装置３に入力さ
れる。露光装置３は、レーザ発振器３ａ、ポリゴンミラ
ー３ｂ、レンズ３ｃ、反射ミラー３ｄ等を有しており、
上述の画像読取装置１１から入力された画像情報に応じ
て感光ドラム１表面を露光して静電潜像を形成する。

【００２８】感光ドラム１表面に形成された静電潜像
は、現像装置４によってトナーが付着されてトナー像と
して現像される。一方、給搬送装置８の給紙カセット８
ａに収納されている記録材Ｐが、給紙ローラ８ｂによっ
て給紙され、搬送ローラ８ｃによって、ローラ８ｅ及び
ローラ８ｆに掛け渡されている転写ベルト８ｄ表面に担
持される。上述の現像装置４によって感光ドラム１上に
形成されたトナー像は、転写装置５にトナー像と逆極性
の転写バイアスを印加することで、転写ベルト８ｄ上の
記録材Ｐ表面に転写される。

【００２９】トナー像が転写された記録材Ｐは、転写ベ
ルト８ｄによって定着装置９に搬送され、ここで、定着
ローラ９ａと加圧ローラ９ｂとによって加熱・加圧され
て表面にトナー像が定着され、その後、排紙トレイ１０
上に排出される。

【００３０】図５（ａ）〜（ｆ）を参照して、ａ−Ｓｉ
感光体によって構成された感光ドラム１について詳述す
る。なお、いずれの図も、感光ドラム１の軸心を含む縦
断面図のうちの、軸心よりも上方に位置する部分の一部
を模式的に示すものである。

【００３１】図５（ａ）に示す感光ドラム１は、感光体
用としての円筒状のドラム（支持体）２１の表面に、感
光層２２を設けたものである。感光層２２はａ−Ｓｉ：
Ｈ、Ｘからなり光導電性を有する光導電層２３で構成さ
れている。

【００３２】図５（ｂ）に示す感光ドラム１は、感光体
用としてのアルミニウムなどからなる導電性のドラム２
１の表面に、感光層２２が設けられている。この感光層
２２はａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなり光導電性を有する光導
電層２３と、ａ−Ｓｉ系表面層２４とから構成されてい
る。

【００３３】さらに、図５（ｃ）〜（ｆ）に示すよう
に、ａ−Ｓｉ系電荷注入阻止層２５を設けたり、光導電
層２３がａ−Ｓｉ：Ｈ、Ｘからなる電荷発生層２７及び
電荷輸送層２８と、ａ−Ｓｉ系表面層２４とから構成さ
れたりしてもよい。

【００３４】上述の電荷注入阻止層２５は導電性のドラ
ム２１から光導電層２３へ電荷が注入することを阻止す
るために、必要に応じて設けられるものである。また、
ドラム２１としては、それ自体が導電性であっても、ま
た、導電処理を施した電気絶縁性のものであってもよ
い。

【００３５】感光層２２の一部を構成する光導電層２３
は、ドラム２１上、必要に応じて下引き層（不図示）上
に形成され、プラズマＣＶＤ法（ｐ−ＣＶＤ法）、スパ
ッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、
光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの周知の薄膜堆積法によっ
て形成することができる。ｐ−ＣＶＤ法としては、ＲＦ
帯、ＶＨＦ帯、μＭ帯の周波数帯を利用したものが利用
されており、上述の各層は、周知の装置及び膜形成方法
にて製造される。本発明において、光導電層２３の層厚
は、所望の電子写真特性が得られる点、使用状態におけ
る電気容量が前述の範囲に収まる点、経済的効果がある
点などを考慮して適宜に所望にしたがって決定され、好
ましくは２０〜５０μｍである。

【００３６】なお、図５（ａ）〜（ｆ）中の符号２６
は、自由表面を示している。

【００３７】つづいて、本発明の特徴を説明する。本発
明では、ａ−Ｓｉ感光体表面全域にわたる電位減衰特性
の違いによって発生する帯電ムラ、ひいては濃度ムラを
なくすために以下のような構成をとっている。

【００３８】本実施の形態で感光ドラム１として用いた
ａ−Ｓｉ感光体は、製造時における各ａ−Ｓｉ感光体ご
とにその電位減衰特性を特性テーブルとしてもつように
している。すなわち、各ａ−Ｓｉ感光体表面を帯電した
後、露光位置において露光装置により所定の光量で露光
し、その後、現像位置でのａ−Ｓｉ感光体の表面電位を
ａ−Ｓｉ感光体内部に設置されたメモリチップ（記憶手
段）に記録しておくのである。この特性テーブルはａ−
Ｓｉ感光体表面全域を、露光装置３の光走査方向につい
ての主走査方向（感光体長手方向）及び副走査方向（感
光体回転方向）に、記録解像度に合わせた適当なブロッ
クに区画し、各ブロックごとの電位減衰をデータを記憶
して全体として電位減衰特性マップを作成するものであ
る。

【００３９】上述の、適当なブロックの区画としては、
例えば、感光ドラム１（ａ−Ｓｉ感光体）表面全体を最
大サイズで１０ｍｍ×１０ｍｍのブロックに区画する。
実際には、記録解像度の１ｐｉｘｅｌサイズ×１０００
ｐｉｘｅｌを１辺としたブロックが適当である。記録解
像度が４００ｄｐｉの場合、６３．５μｍ×１０００＝
６．３５ｍｍであるので、６．３５ｍｍ×６．３５ｍｍ
に分割する。

【００４０】この電位減衰特性マップの作成は、そのａ
−Ｓｉ感光体を、これが実際に装着される画像形成装置
本体Ａに装着して行う必要はない。

【００４１】このメモリチップに記憶された電位減衰特
性マップのデータは、その感光ドラム１（ａ−Ｓｉ感光
体）を画像形成装置本体Ａにセットした際に画像形成装
置本体Ａ側の制御装置（不図示）によって読み取り、そ
の各ブロックごとのデータをもとに、現像位置において
均一な表面電位となるように、露光装置３（本実施の形
態では、レーザを使用している）の露光光量を電位減衰
特性マップに記録されたブロックごとに変更する。

【００４２】ａ−Ｓｉ感光体表面についての電位減衰特
性マップと実際のａ−Ｓｉ感光体表面との対応は、デー
タを記録したメモリチップから画像形成装置本体Ａにデ
ータを転送するための接点（後述）を基準とし、ａ−Ｓ
ｉ感光体停止時に常にその場所が所定の位置に来るよう
に設定した。

【００４３】図６に示すように、ａ−Ｓｉ感光体である
感光ドラム１の軸方向の両端部のそれぞれに取り付けら
れたフランジ３０、３１のうちの、感光ドラム１を画像
形成装置本体Ａに装着する際の先端側のフランジ３０
に、ドラム内部のメモリチップ３２（図７（ａ）参照）
への接点３３を設ける。画像形成装置本体Ａは、この接
点３３を通じてメモリチップ３２から、装着された感光
ドラム１の帯電特性についてのブロックデータを読み取
る。この接点３３が位置情報を検知する手段を兼ねる。
方法としては、図７（ａ）の状態が感光ドラム停止時で
あり、画像形成装置本体Ａ側に配設したメモリデータ読
み取り用のピン３４が接点３３に加圧されて固定されて
いるが、図７（ｂ）に示す感光ドラム駆動時にはピン３
４は、加圧解除されて接点３３から離れ、したがって感
光ドラム１は、フリーで回転可能となっている。回転し
ていた感光ドラム１が停止されるときには、感光ドラム
１の停止直前に、ピン３４が加圧されて接点３３に固定
され、感光ドラム１が停止するようになっている。

【００４４】次に、図８を参照して、感光ドラム表面に
設定したブロックと、ブロック化した画像データとの対
向関係を説明する。なお、図８では、横軸に露光光量
（Ｌａｓｅｒ Ｐｏｗｅｒ）を、また縦軸に感光ドラム
表面電位を取っている。図８の実線は、使用する感光ド
ラムの露光光量ｖｓ電位のグラフ（ＥＶカーブ）を示
し、また破線は、その逆数のグラフを示している。設定
された露光後の電位はＶｌであり、そのときの露光光量
はＬＰである。このＥＶカーブを元に、Ａ〜Ｇに電位を
分割する。Ａ〜Ｇのそれぞれの範囲の中心値の電位をＶ
ｌに補正するための電位は、水平右向きの矢印が指す、
右の縦軸に示されたＬＰＡ〜ＬＰＧとなる。この補正後
の露光光量を感光ドラム表面の各ブロックの露光光量と
し、メモリチップ３２上に記録されたブロックに対応す
る領域の画像を露光する際の露光光量とする。

【００４５】図４に、本実施の形態での画像出力の流れ
を示す。

【００４６】まず、電位減衰特性マップに記録されたａ
−Ｓｉ感光体表面の露光後の現像位置における電位が所
定の電位Ｖｌ（本実施の形態では３０Ｖに設定した）に
対し、どれだけずれているかを、図３に示すようにＶｌ
を中心として６Ｖ刻みでａ−Ｓｉ感光体表面をＡ〜Ｇの
８段階に分類したものと比較する。すなわち各ブロック
が上述のＡ〜Ｇのどれに相当するかをみる（ステップＳ
１）。図３中の曲線はａ−Ｓｉ感光体表面における露光
装置３の例えば主走査方向の露光後の表面電位（Ｖｌ）
である。

【００４７】 Ａ：（Ｖｌ＋１５Ｖ）＜Ａの範囲 Ｂ：（Ｖｌ＋９Ｖ）＜Ｂ（Ｖｌ＋１５Ｖ）の範囲 Ｃ：（Ｖｌ＋３Ｖ）＜Ｂ（Ｖｌ＋９Ｖ）の範囲 Ｄ：（Ｖｌ−３Ｖ）＜Ｄ（Ｖｌ＋３Ｖ）の範囲 Ｅ：（Ｖｌ−９Ｖ）＜Ｅ（Ｖｌ−３Ｖ）の範囲 Ｆ：（Ｖｌ−１５Ｖ）＜Ｅ（Ｖｌ−９Ｖ）の範囲 Ｇ：（Ｖｌ−１５Ｖ）の範囲 この分類に対応し、画像形成装置本体Ａの処理回路（不
図示）によって処理し（ステップＳ２）、ａ−Ｓｉ感光
体表面全領域の各ブロックを図４に示すようにＡ〜Ｇに
分類し、ａ−Ｓｉ感光体表面のそれぞれのブロックのＶ
ｌがＤの範囲にはいるように露光光量をＡ〜Ｇにあわせ
８段階に設定する（ステップＳ３）。

【００４８】一方、入力画像は、画像全域にわたり感光
体表面に対応したブロックに区切られて画像処理される
（ステップＳ４、Ｓ５）。

【００４９】次にａ−Ｓｉ感光体表面のブロックと、処
理された入力画像のブロックとを対応させ（Ｓ６）、そ
れぞれのブロック内での像露光の際のレーザ光量（露光
情報）を決定し（ステップＳ７）、その決定されたレー
ザ光量に基づいて像露光を行う。

【００５０】その結果、ａ−Ｓｉ感光体表面全域におい
て、露光後の現像位置における電位をそろえることが可
能になり、画像ムラのない良好な出力画像を得ることが
可能になった。

【００５１】なお、以上では、特に効果の大きい像担持
体としてａ−Ｓｉ感光体を使用した画像形成装置につい
て説明したが、本発明は、ａ−Ｓｉ感光体以外の他の像
担持体、例えばＯＰＣ感光体に対しても適用することが
できる。

【００５２】以上の実施の形態において、メモリチップ
はａ−Ｓｉ感光体と一体に構成してもよく、又は、ａ−
Ｓｉ感光体を除く画像形成装置本体側に装着するように
してもよい。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
像担持体表面を多数のブロックに区画し、各ブロックご
との電位減衰特性に合わせて露光装置の露光光量を変化
させることにより、現像位置における電位ムラを減少さ
せることができるので、像担持体の感光層の膜厚や膜質
の違いによる電位ムラを減少させて、濃度ムラのない良
好な画像を形成することができる。特に像担持体とし
て、ａ−Ｓｉ感光体を使用した場合に有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る画像形成装置の概略構成を示す縦
断面図。

【図２】画像出力の流れを示すフローチャート。

【図３】露光後の感光ドラム表面の電位の分布を示す
図。

【図４】感光ドラム表面の露光後の主走査方向（長手方
向）及び副走査方向（回転方向）の電位レベルを示す
図。

【図５】（ａ）〜（ｆ）は感光体の構成を示す縦断面
図。

【図６】感光ドラム１のフランジに設けられた接点を示
す斜視図。

【図７】（ａ）は感光ドラムが停止されて感光ドラム側
の接点と、画像形成装置本体側のピンとが接続されてい
る状態を示す縦断面図。（ｂ）はピンが接点から外され
て、感光ドラムが回転可能となっている状態を示す縦断
面図。

【図８】感光体の露光光量と電位との関係（ＥＶカー
ブ）を示す図。

【符号の説明】

１ 像担持体（感光ドラム、ａ−Ｓｉ感光体） ２ 帯電装置 ３ 露光装置 ４ 現像装置 ５ 転写装置 ２３ 光導電層 ３２ 記憶手段（メモリチップ） ３３ 位置情報を検知する手段（接点）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に光導電層を有する像担持体と、前
   記像担持体表面を帯電する帯電装置と、帯電後の前記像
   担持体表面を露光して静電潜像を形成する露光装置と、
   前記静電潜像にトナーを付着させてトナー像として現像
   する現像装置と、前記トナー像を他の部材に転写させる
   転写装置とを備えた画像形成装置において、 前記像担持体の表面全域の電位減衰特性を２次元化して
   表した特性テーブルを記憶した記憶手段を有し、 前記露光装置は、前記記憶手段に記憶された前記特性テ
   ーブルに応じて露光時の露光光量を変化させる、 ことを特徴とする画像形成装置。
2. 【請求項２】 前記記憶手段は、前記特性テーブルとし
   て、前記像担持体表面を前記露光装置の光走査方向につ
   いての主走査方向及び副走査方向に多数に分割したブロ
   ックごとの電位減衰特性を記憶する、 ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
3. 【請求項３】 前記ブロックは、前記露光装置の記録解
   像度に応じて設定する、 ことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
4. 【請求項４】 前記光導電層が、シリコン原子を母体と
   する水素原子とハロゲン原子とのうちの少なくとも一方
   を含有する非単結晶材料によって形成されている、 ことを特徴とする請求項１、２、又は３に記載の画像形
   成装置。
5. 【請求項５】 前記画像形成装置本体は、前記露光装置
   の露光の副走査方向である前記像担持体の回転方向につ
   いての位置情報を検知する手段を有している、 ことを特徴とする請求項１、２、３、又は４に記載の画
   像形成装置。
6. 【請求項６】 前記記憶手段が前記像担持体と一体的に
   構成されている、 ことを特徴とする請求項１、２、３、４、又は５に記載
   の画像形成装置。
7. 【請求項７】 前記記憶手段が前記像担持体を除く前記
   画像形成装置本体側に装着されている、 ことを特徴とする請求項１、２、３、４、又は５に記載
   の画像形成装置。