JP2002064160A - 導体パターンの形成方法 - Google Patents
導体パターンの形成方法Info
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- JP2002064160A JP2002064160A JP2000254244A JP2000254244A JP2002064160A JP 2002064160 A JP2002064160 A JP 2002064160A JP 2000254244 A JP2000254244 A JP 2000254244A JP 2000254244 A JP2000254244 A JP 2000254244A JP 2002064160 A JP2002064160 A JP 2002064160A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サブトラクティブ法で従来よりも配線ピッチ
の小さい導体パターンを形成することができて、高密度
配線化の要求に対応できるようにする。 【解決手段】 配線基板１２の導体パターンをサブトラ
クティブ法で形成する場合に、導体パターンの線幅の細
い部分（配線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１
６）とでは、最適なエッチング条件が異なることを考慮
して、線幅の細い部分（配線部１４）を形成する工程
と、線幅の太い部分（パッド部１６）を形成する工程と
をエッチング条件を変えて別々に実施する。これによ
り、線幅の細い部分（配線部１４）と線幅の太い部分
（パッド部１６）とをそれぞれ最適なエッチング条件で
エッチングすることができて、サイドエッチング幅を少
なくすることができ、その分、レジストパターンの線
幅、ひいては、配線ピッチを小さくすることができて、
配線密度を高めることができる。
の小さい導体パターンを形成することができて、高密度
配線化の要求に対応できるようにする。 【解決手段】 配線基板１２の導体パターンをサブトラ
クティブ法で形成する場合に、導体パターンの線幅の細
い部分（配線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１
６）とでは、最適なエッチング条件が異なることを考慮
して、線幅の細い部分（配線部１４）を形成する工程
と、線幅の太い部分（パッド部１６）を形成する工程と
をエッチング条件を変えて別々に実施する。これによ
り、線幅の細い部分（配線部１４）と線幅の太い部分
（パッド部１６）とをそれぞれ最適なエッチング条件で
エッチングすることができて、サイドエッチング幅を少
なくすることができ、その分、レジストパターンの線
幅、ひいては、配線ピッチを小さくすることができて、
配線密度を高めることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、サブトラクティブ
法で導体パターンを形成する導体パターンの形成方法に
関するものである。
法で導体パターンを形成する導体パターンの形成方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＡパッケージ等に用いられる高密度
プリント配線板の導体パターンは、主にサブトラクティ
ブ法で形成されている。このサブトラクティブ法は、配
線板の表面に銅箔を張り付け、この銅箔上にドライフィ
ルム等によりレジストパターンを形成し、これにエッチ
ング液をスプレーして、該レジストパターンの開口部か
ら露出する銅箔の不要部分を溶解除去（エッチング）し
て、導体パターンを形成する方法である。
プリント配線板の導体パターンは、主にサブトラクティ
ブ法で形成されている。このサブトラクティブ法は、配
線板の表面に銅箔を張り付け、この銅箔上にドライフィ
ルム等によりレジストパターンを形成し、これにエッチ
ング液をスプレーして、該レジストパターンの開口部か
ら露出する銅箔の不要部分を溶解除去（エッチング）し
て、導体パターンを形成する方法である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、高密度プリン
ト配線板に形成する導体パターンには、線幅が広く線間
スペース幅が狭いワイヤボンディング用のパッド部と、
線幅が狭く線間スペース幅が広い所もある配線部とが混
在している。本来、線幅やスペース幅によって最適なエ
ッチング条件が異なるため、パッド部と配線部とでは最
適なエッチング条件が異なるが、従来の導体パターンの
エッチング方法では、１回のエッチング工程でパッド部
と配線部とを両者の中間的なエッチング条件で同時にエ
ッチングするため、パッド部と配線部とを最適なエッチ
ング条件でエッチングすることができなかった。このた
め、導体パターンの側面がエッチングでえぐられるサイ
ドエッチングが大きくなる傾向があり、そのサイドエッ
チングを見込んでレジストパターンの線幅を大きくせざ
るを得なかった。その結果、配線ピッチ（レジストパタ
ーンの線幅＋線間スペース幅）が大きくなって、その
分、配線密度が低下し、近年の高密度配線化の要求に十
分に対応できなくなりつつある。
ト配線板に形成する導体パターンには、線幅が広く線間
スペース幅が狭いワイヤボンディング用のパッド部と、
線幅が狭く線間スペース幅が広い所もある配線部とが混
在している。本来、線幅やスペース幅によって最適なエ
ッチング条件が異なるため、パッド部と配線部とでは最
適なエッチング条件が異なるが、従来の導体パターンの
エッチング方法では、１回のエッチング工程でパッド部
と配線部とを両者の中間的なエッチング条件で同時にエ
ッチングするため、パッド部と配線部とを最適なエッチ
ング条件でエッチングすることができなかった。このた
め、導体パターンの側面がエッチングでえぐられるサイ
ドエッチングが大きくなる傾向があり、そのサイドエッ
チングを見込んでレジストパターンの線幅を大きくせざ
るを得なかった。その結果、配線ピッチ（レジストパタ
ーンの線幅＋線間スペース幅）が大きくなって、その
分、配線密度が低下し、近年の高密度配線化の要求に十
分に対応できなくなりつつある。
【０００４】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、サブトラクティブ法
で従来よりも配線ピッチの小さい導体パターンを形成す
ることができ、最近の高密度配線化の要求に対応するこ
とができる導体パターンの形成方法を提供することにあ
る。
たものであり、従ってその目的は、サブトラクティブ法
で従来よりも配線ピッチの小さい導体パターンを形成す
ることができ、最近の高密度配線化の要求に対応するこ
とができる導体パターンの形成方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１の導体パターンの形成方法は、導
体パターンを線幅の細い部分と線幅の太い部分とに区分
し、線幅の細い部分を形成する工程と、線幅の太い部分
を形成する工程とをエッチング条件を変えて別々に実施
するようにしたものである。このようにすれば、導体パ
ターンの線幅の細い部分と線幅の太い部分とをそれぞれ
最適なエッチング条件でエッチングすることができるた
め、サイドエッチング幅を少なくすることができ、その
分、レジストパターンの線幅を小さくすることができ
る。その結果、配線ピッチ（レジストパターンの線幅＋
線間スペース幅）を小さくすることができて、その分、
配線密度を高めることができる。
に、本発明の請求項１の導体パターンの形成方法は、導
体パターンを線幅の細い部分と線幅の太い部分とに区分
し、線幅の細い部分を形成する工程と、線幅の太い部分
を形成する工程とをエッチング条件を変えて別々に実施
するようにしたものである。このようにすれば、導体パ
ターンの線幅の細い部分と線幅の太い部分とをそれぞれ
最適なエッチング条件でエッチングすることができるた
め、サイドエッチング幅を少なくすることができ、その
分、レジストパターンの線幅を小さくすることができ
る。その結果、配線ピッチ（レジストパターンの線幅＋
線間スペース幅）を小さくすることができて、その分、
配線密度を高めることができる。
【０００６】この場合、請求項２のように、線幅の細い
部分を配線部とし、線幅の太い部分をパッド部とすると
良い。これにより、配線部とパッド部とをそれぞれ最適
なエッチング条件でエッチングすることができ、最近の
高密度配線化の要求に対応することができる。
部分を配線部とし、線幅の太い部分をパッド部とすると
良い。これにより、配線部とパッド部とをそれぞれ最適
なエッチング条件でエッチングすることができ、最近の
高密度配線化の要求に対応することができる。
【０００７】一般に、導体パターンの線幅／線間スペー
ス幅によって最適なエッチング条件が変化することを考
慮して、請求項３のように、導体パターンを線幅／線間
スペース幅に応じて複数のグループに区分し、各グルー
プの導体パターンを形成する工程をエッチング条件を変
えて別々に実施するようにしても良い。このようにすれ
ば、様々な導体パターンを最適なエッチング条件でエッ
チングすることができる。
ス幅によって最適なエッチング条件が変化することを考
慮して、請求項３のように、導体パターンを線幅／線間
スペース幅に応じて複数のグループに区分し、各グルー
プの導体パターンを形成する工程をエッチング条件を変
えて別々に実施するようにしても良い。このようにすれ
ば、様々な導体パターンを最適なエッチング条件でエッ
チングすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態におけ
る導体パターンの形成方法を説明する。まず、銅箔１１
（導体層）が張り付けられた配線基板１２（銅張積層
板）を準備する。ここで、銅箔１１の厚さは、例えば３
〜１２μｍとすることが好ましい。尚、配線基板１２に
は、必要に応じて、スルーホール（図示せず）を形成
し、このスルーホールの内周面にＣｕめっきを施すよう
にしても良い。
る導体パターンの形成方法を説明する。まず、銅箔１１
（導体層）が張り付けられた配線基板１２（銅張積層
板）を準備する。ここで、銅箔１１の厚さは、例えば３
〜１２μｍとすることが好ましい。尚、配線基板１２に
は、必要に応じて、スルーホール（図示せず）を形成
し、このスルーホールの内周面にＣｕめっきを施すよう
にしても良い。
【０００９】そして、図２（ａ）に示すように、配線基
板１２の銅箔１１の表面に１回目のドライフィルム１３
を張り付ける。ここで使用するドライフィルム１３の厚
さは例えば２０〜３０μｍとすることが好ましい。この
後、ドライフィルム１３のうちの配線部１４に相当する
部分だけを露光・現像処理して、図２（ｂ）に示すよう
に、配線部１４をエッチングするためのレジストパター
ン１３ａを形成する。
板１２の銅箔１１の表面に１回目のドライフィルム１３
を張り付ける。ここで使用するドライフィルム１３の厚
さは例えば２０〜３０μｍとすることが好ましい。この
後、ドライフィルム１３のうちの配線部１４に相当する
部分だけを露光・現像処理して、図２（ｂ）に示すよう
に、配線部１４をエッチングするためのレジストパター
ン１３ａを形成する。
【００１０】この後、レジストパターン１３ａに対して
エッチング液をスプレーすることで、図２（ｃ）に示す
ように、レジストパターン１３ａの開口部から露出する
銅箔１１の不要部分をエッチングして配線部１４を形成
する［図４（ａ）参照］。この際、エッチング時間は、
例えば４０〜５０秒とすれば良い。
エッチング液をスプレーすることで、図２（ｃ）に示す
ように、レジストパターン１３ａの開口部から露出する
銅箔１１の不要部分をエッチングして配線部１４を形成
する［図４（ａ）参照］。この際、エッチング時間は、
例えば４０〜５０秒とすれば良い。
【００１１】この場合、配線基板１２表面の導体パター
ンのうちの配線部１４のみをエッチングするため、エッ
チング条件（例えばレジストパターン１３ａの厚みと線
幅、エッチング液の種類、液濃度、スプレー圧、エッチ
ング時間等）は、配線部１４の線幅ａ／線間スペース幅
ｂに応じて最適なエッチング条件を選択すれば良い。こ
れにより、配線部１４の線幅ａ（レジストパターン１３
ａの線幅）＝４０μｍ、線間スペース幅ｂ＝４０μｍ、
配線ピッチ（ａ＋ｂ）＝８０μｍの微細な配線部１４を
形成することが可能となる。一般に、線間スペース幅ｂ
は、絶縁性を確保するために４０μｍ以上必要である。
また、配線部１４の線幅ａは、レジストパターン１３ａ
との接着強度を確保するために４０μｍ以上必要であ
る。
ンのうちの配線部１４のみをエッチングするため、エッ
チング条件（例えばレジストパターン１３ａの厚みと線
幅、エッチング液の種類、液濃度、スプレー圧、エッチ
ング時間等）は、配線部１４の線幅ａ／線間スペース幅
ｂに応じて最適なエッチング条件を選択すれば良い。こ
れにより、配線部１４の線幅ａ（レジストパターン１３
ａの線幅）＝４０μｍ、線間スペース幅ｂ＝４０μｍ、
配線ピッチ（ａ＋ｂ）＝８０μｍの微細な配線部１４を
形成することが可能となる。一般に、線間スペース幅ｂ
は、絶縁性を確保するために４０μｍ以上必要である。
また、配線部１４の線幅ａは、レジストパターン１３ａ
との接着強度を確保するために４０μｍ以上必要であ
る。
【００１２】配線部１４のエッチング後、剥離液（例え
ば３％のＮａＯＨ溶液）を用いて、図２（ｄ）に示すよ
うに、レジストパターン１３ａを剥離した後、図３
（ａ）に示すように、銅箔１１の表面に２回目のドライ
フィルム１５を張り付ける。ここで使用する２回目のド
ライフィルム１５の厚さは、１回目のドライフィルム１
３の厚さと同じものを用いれば良い。
ば３％のＮａＯＨ溶液）を用いて、図２（ｄ）に示すよ
うに、レジストパターン１３ａを剥離した後、図３
（ａ）に示すように、銅箔１１の表面に２回目のドライ
フィルム１５を張り付ける。ここで使用する２回目のド
ライフィルム１５の厚さは、１回目のドライフィルム１
３の厚さと同じものを用いれば良い。
【００１３】この後、ドライフィルム１５のうちのワイ
ヤボンディング用のパッド部１６に相当する部分だけを
露光・現像処理して、図３（ｂ）に示すように、パッド
部１６をエッチングするためのレジストパターン１５ａ
を形成する。
ヤボンディング用のパッド部１６に相当する部分だけを
露光・現像処理して、図３（ｂ）に示すように、パッド
部１６をエッチングするためのレジストパターン１５ａ
を形成する。
【００１４】この後、レジストパターン１５ａに対して
エッチング液をスプレーすることで、図３（ｃ）に示す
ように、レジストパターン１５ａの開口部から露出する
銅箔１１の不要部分をエッチングしてパッド部１６を形
成する［図４（ｂ）参照］。この際、エッチング時間
は、例えば５０〜６０秒とすれば良い。
エッチング液をスプレーすることで、図３（ｃ）に示す
ように、レジストパターン１５ａの開口部から露出する
銅箔１１の不要部分をエッチングしてパッド部１６を形
成する［図４（ｂ）参照］。この際、エッチング時間
は、例えば５０〜６０秒とすれば良い。
【００１５】この場合、配線基板１２表面の導体パター
ンのうちのパッド部１６のみをエッチングするため、エ
ッチング条件（例えばレジストパターン１５ａの厚みと
線幅、エッチング液の種類、液濃度、スプレー圧、エッ
チング時間等）は、パッド部１６の線幅ｃ／線間スペー
ス幅ｄに応じて最適なエッチング条件を選択すれば良
い。これにより、パッド部１６の上端線幅ｃ＝８０μ
ｍ、レジストパターン１５ａの線幅ｄ（パッド部１６の
下端線幅ｄ）＝１００μｍ、線間スペース幅ｅ＝４０μ
ｍ、配線ピッチ（ｄ＋ｅ）＝１４０μｍの微細なパッド
部１６を形成することが可能となる。一般に、パッド部
１６の上端線幅ｃは、ワイヤボンディングの接続信頼性
を確保するために８０μｍ以上必要である。また、線間
スペース幅ｅは、絶縁性を確保するために４０μｍ以上
必要である。パッド部１６のエッチング後、剥離液（例
えば３％のＮａＯＨ溶液）を用いて、図３（ｄ）に示す
ように、レジストパターン１５ａを剥離する。
ンのうちのパッド部１６のみをエッチングするため、エ
ッチング条件（例えばレジストパターン１５ａの厚みと
線幅、エッチング液の種類、液濃度、スプレー圧、エッ
チング時間等）は、パッド部１６の線幅ｃ／線間スペー
ス幅ｄに応じて最適なエッチング条件を選択すれば良
い。これにより、パッド部１６の上端線幅ｃ＝８０μ
ｍ、レジストパターン１５ａの線幅ｄ（パッド部１６の
下端線幅ｄ）＝１００μｍ、線間スペース幅ｅ＝４０μ
ｍ、配線ピッチ（ｄ＋ｅ）＝１４０μｍの微細なパッド
部１６を形成することが可能となる。一般に、パッド部
１６の上端線幅ｃは、ワイヤボンディングの接続信頼性
を確保するために８０μｍ以上必要である。また、線間
スペース幅ｅは、絶縁性を確保するために４０μｍ以上
必要である。パッド部１６のエッチング後、剥離液（例
えば３％のＮａＯＨ溶液）を用いて、図３（ｄ）に示す
ように、レジストパターン１５ａを剥離する。
【００１６】以上説明した本実施形態によれば、配線基
板１２の導体パターンの線幅の細い部分（配線部１４）
と線幅の太い部分（パッド部１６）とでは、最適なエッ
チング条件が異なることを考慮して、線幅の細い部分
（配線部１４）を形成する工程と、線幅の太い部分（パ
ッド部１６）を形成する工程とをエッチング条件を変え
て別々に実施するようにしたので、線幅の細い部分（配
線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１６）とをそれ
ぞれ最適なエッチング条件でエッチングすることができ
て、サイドエッチング幅を少なくすることができ、その
分、レジストパターン１３ａ，１５ａの線幅を小さくす
ることができる。その結果、配線ピッチ（レジストパタ
ーン１３ａ，１５ａの線幅＋線間スペース幅）を小さく
することができて、その分、配線密度を高めることがで
き、最近の高密度配線化の要求に対応することができ
る。
板１２の導体パターンの線幅の細い部分（配線部１４）
と線幅の太い部分（パッド部１６）とでは、最適なエッ
チング条件が異なることを考慮して、線幅の細い部分
（配線部１４）を形成する工程と、線幅の太い部分（パ
ッド部１６）を形成する工程とをエッチング条件を変え
て別々に実施するようにしたので、線幅の細い部分（配
線部１４）と線幅の太い部分（パッド部１６）とをそれ
ぞれ最適なエッチング条件でエッチングすることができ
て、サイドエッチング幅を少なくすることができ、その
分、レジストパターン１３ａ，１５ａの線幅を小さくす
ることができる。その結果、配線ピッチ（レジストパタ
ーン１３ａ，１５ａの線幅＋線間スペース幅）を小さく
することができて、その分、配線密度を高めることがで
き、最近の高密度配線化の要求に対応することができ
る。
【００１７】本発明者は、本実施形態の導体パターンの
形成方法を従来の方法と比較する試験を行ったので、そ
の試験結果を次の表１に示す。
形成方法を従来の方法と比較する試験を行ったので、そ
の試験結果を次の表１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】この試験結果からも明らかなように、従来
の方法では、サイドエッチング幅が大きくなるため、レ
ジストパターンの線幅を本実施形態よりも１０〜２０μ
ｍ大きくする必要がある。そのため、従来の方法では、
配線ピッチが本実施形態よりも１０〜２０μｍ大きくな
り、配線密度が低下する。
の方法では、サイドエッチング幅が大きくなるため、レ
ジストパターンの線幅を本実施形態よりも１０〜２０μ
ｍ大きくする必要がある。そのため、従来の方法では、
配線ピッチが本実施形態よりも１０〜２０μｍ大きくな
り、配線密度が低下する。
【００２０】これに対し、本実施形態では、配線部１４
とパッド部１６とをそれぞれ最適なエッチング条件でエ
ッチングすることができるので、サイドエッチング幅を
従来よりも１０〜２０μｍ少なくすることができ、その
分、レジストパターン１３ａ，１５ａの線幅、ひいては
配線ピッチを従来よりも１０〜２０μｍ小さくすること
ができて、配線密度を高めることができる。
とパッド部１６とをそれぞれ最適なエッチング条件でエ
ッチングすることができるので、サイドエッチング幅を
従来よりも１０〜２０μｍ少なくすることができ、その
分、レジストパターン１３ａ，１５ａの線幅、ひいては
配線ピッチを従来よりも１０〜２０μｍ小さくすること
ができて、配線密度を高めることができる。
【００２１】尚、本実施形態では、配線部１４を形成し
た後にパッド部１６を形成したが、これとは反対に、パ
ッド部１６を形成した後に配線部１４を形成するように
しても良い。
た後にパッド部１６を形成したが、これとは反対に、パ
ッド部１６を形成した後に配線部１４を形成するように
しても良い。
【００２２】また、本実施形態では、配線基板１２の銅
箔１１の表面にドライフィルム１３，１５を張り付けて
レジストパターン１３ａ，１５ａを形成したが、配線基
板１２の銅箔１１の表面に液体レジストを塗布して乾燥
させ、これを露光・現像処理してレジストパターンを形
成するようにしても良い。
箔１１の表面にドライフィルム１３，１５を張り付けて
レジストパターン１３ａ，１５ａを形成したが、配線基
板１２の銅箔１１の表面に液体レジストを塗布して乾燥
させ、これを露光・現像処理してレジストパターンを形
成するようにしても良い。
【００２３】また、一般に、導体パターンの線幅／線間
スペース幅によって最適なエッチング条件が変化するこ
とを考慮して、導体パターンを線幅／線間スペース幅に
応じて複数のグループに区分し、各グループの導体パタ
ーンを形成する工程をエッチング条件を変えて別々に実
施するようにしても良い。このようにすれば、様々な導
体パターンを最適なエッチング条件でエッチングするこ
とができる。
スペース幅によって最適なエッチング条件が変化するこ
とを考慮して、導体パターンを線幅／線間スペース幅に
応じて複数のグループに区分し、各グループの導体パタ
ーンを形成する工程をエッチング条件を変えて別々に実
施するようにしても良い。このようにすれば、様々な導
体パターンを最適なエッチング条件でエッチングするこ
とができる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の請求項１によれば、導体パターンの線幅の細い部分を
形成する工程と、線幅の太い部分を形成する工程とをエ
ッチング条件を変えて別々に実施するようにしたので、
導体パターンの線幅の細い部分と線幅の太い部分とをそ
れぞれ最適なエッチング条件でエッチングすることがで
きて、サイドエッチング幅を少なくすることができる。
これにより、サブトラクティブ法で従来よりも配線ピッ
チの小さい導体パターンを形成することができ、最近の
高密度配線化の要求に対応することができる。
の請求項１によれば、導体パターンの線幅の細い部分を
形成する工程と、線幅の太い部分を形成する工程とをエ
ッチング条件を変えて別々に実施するようにしたので、
導体パターンの線幅の細い部分と線幅の太い部分とをそ
れぞれ最適なエッチング条件でエッチングすることがで
きて、サイドエッチング幅を少なくすることができる。
これにより、サブトラクティブ法で従来よりも配線ピッ
チの小さい導体パターンを形成することができ、最近の
高密度配線化の要求に対応することができる。
【００２５】更に、請求項２では、導体パターンを配線
部とパッド部とに区分してそれぞれ最適なエッチング条
件でエッチングすることができる。
部とパッド部とに区分してそれぞれ最適なエッチング条
件でエッチングすることができる。
【００２６】また、請求項３では、導体パターンを線幅
／線間スペース幅に応じて複数のグループに区分し、各
グループの導体パターンを形成する工程をエッチング条
件を変えて別々に実施するようにしたので、線幅／線間
スペース幅が３種類以上に変化する導体パターンに対し
ても最適なエッチング条件でエッチングすることができ
る。
／線間スペース幅に応じて複数のグループに区分し、各
グループの導体パターンを形成する工程をエッチング条
件を変えて別々に実施するようにしたので、線幅／線間
スペース幅が３種類以上に変化する導体パターンに対し
ても最適なエッチング条件でエッチングすることができ
る。
【図１】本発明の一実施形態における導体パターンの形
成方法を示す工程フローチャート
成方法を示す工程フローチャート
【図２】（ａ）〜（ｄ）は配線部の形成方法を説明する
ための主要部の縦断面図
ための主要部の縦断面図
【図３】（ａ）〜（ｄ）はパッド部の形成方法を説明す
るための主要部の縦断面図
るための主要部の縦断面図
【図４】（ａ）は１回目のエッチング後の導体パターン
の形状を示す平面図、（ｂ）は２回目のエッチング後の
導体パターンの形状を示す平面図
の形状を示す平面図、（ｂ）は２回目のエッチング後の
導体パターンの形状を示す平面図
１１…銅箔（導体層）、１２…配線基板、１３…ドライ
フィルム、１３ａ…レジストパターン、１４…配線部、
１５…ドライフィルム、１５ａ…レジストパターン、１
６…パッド部。
フィルム、１３ａ…レジストパターン、１４…配線部、
１５…ドライフィルム、１５ａ…レジストパターン、１
６…パッド部。
Claims (3)
- 【請求項１】 配線基板の表面に設けられた導体層上に
レジストパターンを形成し、このレジストパターンの開
口部から露出する前記導体層の不要部分をエッチング液
でエッチングして導体パターンを形成する導体パターン
の形成方法において、 前記導体パターンを線幅の細い部分と線幅の太い部分と
に区分し、線幅の細い部分を形成する工程と、線幅の太
い部分を形成する工程とをエッチング条件を変えて別々
に実施することを特徴とする導体パターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記線幅の細い部分は配線部であり、前
記線幅の太い部分はパッド部であることを特徴とする請
求項１に記載の導体パターンの形成方法。 - 【請求項３】 配線基板の表面に設けられた導体層上に
レジストパターンを形成し、このレジストパターンの開
口部から露出する前記導体層の不要部分をエッチング液
でエッチングして導体パターンを形成する導体パターン
の形成方法において、 前記導体パターンを線幅／線間スペース幅に応じて複数
のグループに区分し、各グループの導体パターンを形成
する工程をエッチング条件を変えて別々に実施すること
を特徴とする導体パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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-
2000
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099622A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-07 | Fujitsu Ltd | 基板の製造方法 |
| US8151456B2 (en) | 2007-10-12 | 2012-04-10 | Fujitsu Limited | Method of producing substrate |
| CN113784530A (zh) * | 2021-09-14 | 2021-12-10 | 深圳市众一贸泰电路板有限公司 | 一种电路板的加工方法和系统 |
| CN113784530B (zh) * | 2021-09-14 | 2022-05-24 | 深圳市众一贸泰电路板有限公司 | 一种电路板的加工方法和系统 |
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