JP2002062462A - レンズ一体型固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

レンズ一体型固体撮像装置の製造方法

Info

Publication number
JP2002062462A
JP2002062462A JP2000247884A JP2000247884A JP2002062462A JP 2002062462 A JP2002062462 A JP 2002062462A JP 2000247884 A JP2000247884 A JP 2000247884A JP 2000247884 A JP2000247884 A JP 2000247884A JP 2002062462 A JP2002062462 A JP 2002062462A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
solid
imaging device
state imaging
transparent substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000247884A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3725012B2 (ja
Inventor
Masao Nakamura
政男 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2000247884A priority Critical patent/JP3725012B2/ja
Priority to US09/931,975 priority patent/US6483652B2/en
Publication of JP2002062462A publication Critical patent/JP2002062462A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3725012B2 publication Critical patent/JP3725012B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/02Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses
    • G02B7/022Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for lenses lens and mount having complementary engagement means, e.g. screw/thread
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 組み立てが容易で、光学レンズを通って固体
撮像素子の受光面に入射される光の光軸中心の角度的な
傾きを防いで良好な画像を得ることができるレンズ一体
型固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 透明基板または光学フィルタ1の一方の
面(受光面)を基準面として、他方の面に固体撮像素子
2をフェースダウン実装し、さらに、その受光面を基準
面として、レンズ5を支持するための凹部を有するレン
ズホルダ4を形成する。このレンズホルダ4の凹部にレ
ンズ5を落とし込んで固定することにより、容易に光軸
中心の角度的な傾きを防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学レンズと固体
撮像素子とが一体的に形成されたレンズ一体型札像装置
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図17(a)および図17(b)に、従
来のレンズ一体型固体撮像装置の概略構成を示す。この
固体撮像装置の製造においては、まず、第1工程とし
て、一般にパッケージと称される支持台101にダイボ
ンド材を塗布した後、固体撮像素子102をダイボンド
実装する。次に、第2工程として、パッケージ101に
設置されたリード線103と固体撮像素子102の電気
信号入出力端子とをワイヤーボンドにより接続する。そ
の後、第3工程として、パッケージ101の円筒部10
4内に設けられた凹部105とレンズ106を支持する
支持具107に設けられた突起部108とを係合させ
て、支持具107をパッケージ101に対して軸線方向
に移動させ、次に軸線周りに回転させることにより、レ
ンズ106がパッケージ101に装着される。さらに、
レンズ106を支持する支持具107とパッケージ10
1との間にOリング109を設けて気密性を高めてもよ
い。このようなレンズ一体型固体撮像装置は、例えば特
開平10−301009号公報に開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】レンズ一体型固体撮像
装置は、光学レンズを通った光を固体撮像素子の受光面
で受けて得られた画像を電気信号として出力する装置で
ある。従って、良好な画像を得るためには、固体撮像素
子の受光面に入射される光の光軸中心に角度的な傾きが
あってはならない。
【0004】上述した従来技術では、図18(a)に示
すように、パッケージ101に固体撮像素子102をダ
イボンディングする際に、パッケージ101と固体撮像
素子102をボンディングする必要がある。この平行度
は、ダイボンドステージ(図示せず)に接する面、すな
わちパッケージ101の底面(図18(b)中、C面)
とボンディングツール(図示せず)の平行度、およびパ
ッケージ101のボンディング面(図18(b)中、B
面)に塗布されるダイボンド材110の塗布量や塗布位
置に依存している。従って、実際の固体撮像素子102
の受光面111(図18(b)中、A面)と、パッケー
ジ101のボンディング面(図18(b)中、B面)お
よびパッケージ101の底面(図18(b)中、C面)
とを高精度で平行に配置することは非常に困難であっ
た。さらに、レンズが取り付けられるパッケージの円筒
部104の内壁面(図18(c)中、D面)と固体撮像
素子102のボンディング面(図18(c)中、B面)
との角度、およびレンズ支持具107の側面(図18
(d)中、E面)とレンズ中心(高さ方向)112との
角度は、各々少しずつではあるが、公差による傾きを含
んでいる。これらが全て組合わさった場合、レンズ10
6を通った光の光軸中心113と固体撮像素子102の
受光面111との角度(図18(e)中、F)に必ず傾
きが発生してしまうという問題があった。
【0005】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するためになされたものであり、組み立てが容易で、
光学レンズを通って固体撮像素子の受光面に入射される
光の光軸中心の角度的な傾きを防いで良好な画像を得る
ことができるレンズ一体型固体撮像装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のレンズ一体型固
体撮像装置の製造方法は、固体撮像素子とレンズとが一
体的に形成されたレンズ一体型固体撮像装置を製造する
方法であって、透明基板または光学フィルタの一方の面
を基準面として、該透明基板または該光学フィルタの他
方の面に、固体撮像素子をフェースダウン実装する第1
工程と、該透明基板または光学フィルタの一方の面を基
準面として、該透明基板または該光学フィルタの一方の
面に、レンズを支持するための凹部を有するレンズホル
ダを形成する第2工程とを含み、そのことにより上記目
的が達成される。
【0007】上記方法によれば、透明基板または光学フ
ィルタの一方の面(受光面)を基準面として他方の面に
固体撮像素子の受光面を設置し、その透明基板または光
学フィルタの一方の面(受光面)を基準面として形成し
たレンズホルダの凹部にレンズを落とし込んで固定する
ことにより、容易に光軸中心の角度的な傾きを防ぐこと
が可能である。
【0008】前記第1工程において、超音波接続工法に
より前記固体撮像素子をフェースダウン実装してもよ
い。
【0009】上記方法によれば、低温接続により高スル
ープットを得ることが可能である。
【0010】前記第2工程において、金型に樹脂を流す
ことにより前記レンズホルダを形成してもよい。
【0011】上記方法によれば、透明基板または光学フ
ィルタ上に直接レンズホルダが形成されるため、より小
型化を図ることが可能となる。
【0012】前記第2工程において、前記レンズホルダ
とパッケージとを一体成形してもよい。
【0013】上記方法によれば、レンズホルダとパッケ
ージとを一括して成形することができるので、部品点数
を少なくして、レンズ一体型固体撮像装置を低コストで
作製することができる。
【0014】前記第2工程において、前記金型と前記透
明基板または前記光学フィルタの一方の面を、真空吸着
方法により吸着してもよい。
【0015】上記方法によれば、透明基板または光学フ
ィルタを固定することができる。また、樹脂を流し込む
前に真空度を測定することにより、真空度によって透明
基板または光学フィルタの受光面の傾きを判断して成形
不良を防ぐことができる。さらに、このときに設ける真
空穴により、レンズホルダ内の光が通る中空部分を形成
することができる。
【0016】前記金型に樹脂を流す前に、樹脂充填空間
の周囲にOリングを挿入する工程を含んでいてもよい。
【0017】上記方法によれば、真空穴を設けた場合に
金型と透明基板または光学フィルタとの接触面が充分に
取れなくても、金型と透明基板または光学フィルタとの
間に樹脂が進入するのを防ぐことができる。
【0018】前記第1工程の後で、前記固体撮像素子を
樹脂で覆う工程を含んでいてもよい。
【0019】上記方法によれば、後の工程で樹脂モール
ドする際に気密性を確保することができる。
【0020】前記第1工程の後または前記固体撮像素子
を樹脂で覆う工程の後で、前記第2工程の前に、外部に
電気信号の入出力を行うためのリードを取り付ける工程
を含んでいてもよい。
【0021】上記方法によれば、希望する形状のリード
を取り付けることにより、本発明のレンズ一体型固体撮
像装置を他機器へ組み込む際に容易に実装することがで
きる。
【0022】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照しながら説明する。
【0023】図1(a)〜図1(c)は本発明の一実施
形態によって作製されるレンズ一体型固体撮像装置の概
略構成を説明するための図である。このレンズ一体型固
体撮像装置は、配線付き透明基板(または光学フィル
タ)1の一方の面に固体撮像素子2がフェースダウン実
装され、その周囲が熱硬化性樹脂3で覆われている。透
明基板1の他方の面には樹脂モールドパッケージ兼レン
ズホルダ4が形成され、レンズホルダ4の凹部にレンズ
5が取り付けられている。さらに、透明基板1の一方の
面の端部には突起電極6が設けられ、外部に電気信号の
入出力を行うためのリード7に接続されている。
【0024】このレンズ一体型固体撮像装置は、例えば
以下のようにして作製することができる。
【0025】まず、図2に示すように、厚み0.5mm
〜0.7mm程度のガラス等からなる透明板または光学
フィルタ1a上に、固体撮像素子の受光領域を除く部分
にCVD法やスパッタリング法等によりSiO2等から
なる絶縁膜1bを形成し、その上にAl等の金属材料を
スパッタリング法により成膜および加工して配線1cを
形成するこの透明板または光学フィルタ1a上には、後
述するリードフレームへの接続のために突起電極1dを
設ける。この突起電極1dとしては、メッキにより形成
したAuメッキバンプおよびAuワイヤによるAuバン
プのいずれを用いてもよい。
【0026】次に、図3に示すように、固体撮像素子2
の外周に電気信号の入出力を行うために設けた外部入出
力端子2aに、Auワイヤバンプをボンディングして突
起電極2bを形成する。このときに形成されるAuワイ
ヤバンプは、固体撮像素子2を配線付き透明基板に接合
する際に塑性変形させるため、固体撮像素子2の受光面
8に設けられているマイクロレンズ(図示せず)よりも
高い高さ(20μm〜30μm)で形成する。
【0027】次に、図4(a)に示すように、透明基板
1に形成された配線に固体撮像素子2を実装する。この
実装は、固体撮像素子2の受光面8が透明基板1の配線
形成面に対して向かい合わせになるように配置(フェー
スダウン)し、固体撮像素子2の突起電極と透明基板1
の配線とを合金接合する。このとき、超音波接続工法を
用いることにより、低温接続で高スループットを得るこ
とができる。例えば、透明基板1側の配線を拡散係数の
高いアルミニウムで形成することにより、最大でも12
0℃程度の低温で容易に接合が可能であり、さらに、超
音波を印加するだけで合金が形成されて接合が完了する
ことから、高スループットを得ることができる。また、
透明基板の平行度(図4(b)中、H面およびG面)が
出ていなくても、ボンディングステージとボンディング
ツール(図示せず)に平行度が出ていれば、超音波印加
の際にかけられる1バンプあたり50g〜100gの押
圧加重によって、前工程で形成されたバンプ(突起電極
2)が変形し(図4(b)中、JとJ’およびKと
K’)し、その結果、ボンディングステージに接触して
いる面、すなわち透明基板1の受光面9(図4(b)
中、H面)と固体撮像素子2の受光面8(図4(b)
中、I面)の平行度が高精度で確保されることになる。
【0028】次に、図5に示すように、固体撮像素子の
側面および裏面に熱硬化性樹脂3を塗布し、加熱して樹
脂を硬化する。固体撮像素子の外周に熱硬化性樹脂3を
塗布する理由は、後工程で樹脂モールドする際の気密性
を確保するためである。熱硬化性樹脂として、200P
a・s〜300Pa・s程度の高粘度でチキソ性を有す
るものを用いることにより、固体撮像素子と透明基板と
の隙間に回り込む樹脂量を制御することができる。
【0029】次に、外部に電気信号を入出力するための
リードの接続を行う。図6に示すように、マトリクス状
に配置されたインナーリードがタイバで接続されたリー
ドフレーム10を用意する。このリードフレーム10
は、厚さ80μm〜130μm程度であり、Cuを主材
料として、上記突起電極1dが触れる部分にのみPdを
下地としたAuメッキやNiを下地としたAgメッキを
行っておく。本実施形態では、リードフレーム10と固
体撮像素子実装済みの透明基板1との接続を超音波接続
工法により行うため、AuやAgメッキの厚みをボンデ
ィングメッキとして使用できる程度の厚み(1μm程
度)にしておく。実際の接続は、図7に示すように、透
明基板1を固体撮像素子2の受光面8が上向きになるよ
うに(フェースアップ)すると、突起電極1dが下向き
になるので、この突起電極1dとリードフレーム10の
AuまたはAgメッキされた部分とを接触させて押圧加
重をかけながら超音波を印加して接合する。ここで超音
波接続工法を用いることにより、接合プロセスを統一す
ることができるので、生産設備の投資を抑えることがで
きる。
【0030】次に、前の工程で固体撮像素子実装済みの
透明基板1を実装したリードフレームを上金型と下金型
で挟み込み、その中に熱硬化性樹脂を流し込むことによ
り、レンズホルダとパッケージを一体成形する。図8に
示すようにリードフレーム10に設けた位置決め穴10
aと、図9に示すように下金型11に設けた位置決めピ
ン11aとをはめ合わせることにより、金型内のリード
フレームの位置を決めることができる。さらに、図9に
示すように下金型11に真空穴11bを設けて、リード
フレーム10を設置した後、1つ当たり20kPs程度
の真空引きを行って透明基板1の受光面9(図9中、H
面)を吸着することにより透明基板1を固定すると共
に、レンズホルダ内の光が通る中空部分を形成する。さ
らに、樹脂を流し込む前に真空度を測定することによ
り、真空度によってリードフレームに実装された固体撮
像素子実装済みの透明基板の状態を判断することができ
る。例えば真空度が上がらない場合には、リードフレー
ムに実装された固体撮像素子実装済みの透明基板の受光
面(図9中、H面)が傾いていると判断することができ
るので、成形不良を防止することも可能となる。なお、
透明基板1と金型との接触面が充分に取れない場合に
は、図10に示すように、樹脂充填空間13に樹脂を流
し込んだときに樹脂が透明基板1と金型との間に流れ込
むおそれがある。このような場合には、図11に示すよ
うに、樹脂充填空間13の周囲にOリング14を挿入す
ることにより、樹脂が進入を防ぐことができる。このO
リング14は成形品内に残るため、リードフレームを下
金型に設置する前に、樹脂モールド部分毎に挿入させ
る。
【0031】次に、図12(a)に示すように、レンズ
ホルダとパッケージとが一括成形されたリードフレーム
からフレームカットして個々のパッケージに切り分けた
後、図12(b)に示すように、パッケージ外周にはみ
出たリード部分(フレームカット部分10b)をベンド
して曲げる。
【0032】その後、図13に示すように、レンズホル
ダ4の中空部に設けた凹部4aにレンズ5を落とし込ん
で取り付ける。レンズの固定方法としては、例えば図1
4(a)に示すようにレンズホルダ4の凹部内にU溝4
bを設け、このU溝4bに接着剤15を流してレンズ5
を固定する方法や、図14(b)に示すようにテーパ1
6aを有する蓋16を被せてレンズ5を押圧し、接着剤
15により固定する方法、図14(c)に示すようにレ
ンズホルダ4にオネジ4cを形成し、メネジ17aを形
成したキャップ17をねじ込むことにより固定する方法
等が上げられる。これらの方法は全て、レンズ5とレン
ズホルダ4が接する面(図15中、O面)を基準面とし
てレンズが取り付けられているものであり、この基準を
確保できるレンズ固定方法であれば、どのような方法で
もよい。
【0033】以上が本発明のレンズ一体型固体撮像装置
の製造方法の基本的な例であるが、本製造方法によれ
ば、透明基板1または光学フィルタの受光面(図15
中、H面)を全ての基準として、固体撮像素子2の受光
面(図15中、I面)を設置し、さらに、レンズホルダ
4の凹部(図15中、O面およびL面)を形成すること
から、レンズ5をレンズホルダ4の凹部に落とし込み、
接触面(図15中、N面およびM面)を固定することに
より、簡単に光軸中心の角度(図15中、P角)にズレ
が無い構造を得ることができる。さらに、リードフレー
ムの形状を変えることにより、図16(a)のようなQ
FP(Quad Flat Gull−WingLea
d Package)タイプの形状から、図16(b)
のようなFPC(Flexible Printed
Circuits)タイプの形状や図16(c)のよう
なQFN(Quad Flat Non−Leaded
Package)タイプの形状等、様々な形状に対応
することが可能である。
【0034】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
使用部品点数が少なく、簡単で生産性の高い製造プロセ
スにより、光軸中心の角度的な傾きを防ぐことができ
る。よって、今後益々小型化および薄型化する傾向にあ
る固体撮像装置を組み込んだ製品に対して、高品位でよ
り安価なレンズ一体型固体撮像装置を提供することが可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)および(b)は本発明の一実施形態によ
って作製されるレンズ一体型固体撮像装置の概略構成を
説明するための斜視図であり、(c)はその断面図であ
る。
【図2】本発明の一実施形態であるレンズ一体型固体撮
像装置の製造工程を説明するための斜視図である。
【図3】本発明の一実施形態であるレンズ一体型固体撮
像装置の製造工程を説明するための斜視図である。
【図4】(a)は本発明の一実施形態であるレンズ一体
型固体撮像装置の製造工程を説明するための断面図であ
り、(b)は透明基板の受光面と固体撮像素子の受光面
の平行度が確保されることを説明するための図である。
【図5】本発明の一実施形態であるレンズ一体型固体撮
像装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図6】本発明の一実施形態において用いられるリード
フレームの形状を示す斜視図である。
【図7】本発明の一実施形態であるレンズ一体型固体撮
像装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図8】本発明の一実施形態においてリードフレームに
設けられる位置決め穴を示す斜視図である。
【図9】本発明の一実施形態であるレンズ一体型固体撮
像装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図10】本発明の一実施形態において想定される樹脂
の進入を説明するための断面図である。
【図11】本発明の他の実施形態であるレンズ一体型固
体撮像装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図12】(a)および(b)は本発明の一実施形態で
あるレンズ一体型固体撮像装置の製造工程を説明するた
めの斜視図である。
【図13】本発明の一実施形態であるレンズ一体型固体
撮像装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図14】(a)〜(c)は本発明におけるレンズ固定
方法の例を説明するための断面図である。
【図15】本発明のレンズ一体型固体撮像装置の製造方
法により、光軸中心の角度の傾きを防げることについて
説明するための断面図である。
【図16】(a)〜(c)は本発明により作製されるレ
ンズ一体型固体撮像装置の形状の例を示す斜視図であ
る。
【図17】(a)は従来のレンズ一体型固体撮像装置の
概略構成を示す斜視図であり、(b)はその断面図であ
る。
【図18】(a)〜(e)は、従来のレンズ一体型固体
撮像装置の製造方法における問題点を説明するための図
である。
【符号の説明】
1 透明基板 1a ガラス等からなる透明板または光学フィルタ 1b 絶縁膜 1c 配線 1d、2b 突起電極 2 固体撮像素子 2a 外部入出力端子 3 熱硬化性樹脂 4 樹脂モールドパッケージ兼レンズホルダ 4a レンズホルダの凹部 4b U溝 4c オネジ 5 レンズ 6 突起電極 7 リード 8 固体撮像素子の受光面 9 透明基板の受光面 10 リードフレーム 10a 位置決め穴 10b フレームカット部分 11 下金型 11a 位置決めピン 11b 真空穴 12 上金型 13 樹脂充填空間 14 Oリング 15 接着剤 16 蓋 16a テーパ 17 キャップ 17a メネジ 101 支持台(パッケージ) 102 固体撮像素子 103 リード線 104 の円筒部 105 凹部 106 レンズ 107 支持具 108 突起部 109 Oリング 110 ダイボンド材 111 固体撮像素子の受光面 112 レンズ中心(高さ方向) 113 光軸中心
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 5/335 H01L 31/02 B Fターム(参考) 2H044 AA02 AA05 AA09 AJ04 4M118 AA10 AB01 GD02 HA12 HA20 HA23 HA24 HA26 HA31 5C024 CY47 CY49 EX42 5F088 BA01 BA15 BA16 BA18 BB03 JA01 JA02 JA03 JA05 JA12 JA20

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固体撮像素子とレンズとが一体的に形成
    されたレンズ一体型固体撮像装置を製造する方法であっ
    て、 透明基板または光学フィルタの一方の面を基準面とし
    て、該透明基板または該光学フィルタの他方の面に、固
    体撮像素子をフェースダウン実装する第1工程と、 該透明基板または光学フィルタの一方の面を基準面とし
    て、該透明基板または該光学フィルタの一方の面に、レ
    ンズを支持するための凹部を有するレンズホルダを形成
    する第2工程とを含むレンズ一体型固体撮像装置の製造
    方法。
  2. 【請求項2】 前記第1工程において、超音波接続工法
    により前記固体撮像素子をフェースダウン実装する請求
    項1に記載のレンズ一体型固体撮像装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記第2工程において、金型に樹脂を流
    すことにより前記レンズホルダを形成する請求項1また
    は請求項2に記載のレンズ一体型固体撮像装置の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 前記第2工程において、前記レンズホル
    ダとパッケージとを一体成形する請求項3に記載のレン
    ズ一体型固体撮像装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記第2工程において、前記金型と前記
    透明基板または前記光学フィルタの一方の面を、真空吸
    着方法により吸着する請求項3または請求項4に記載の
    レンズ一体型固体撮像装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記金型に樹脂を流す前に、樹脂充填空
    間の周囲にOリングを挿入する工程を含む請求項3乃至
    請求項5のいずれかに記載のレンズ一体型固体撮像装置
    の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記第1工程の後で、前記固体撮像素子
    を樹脂で覆う工程を含む請求項1乃至請求項6のいずれ
    かに記載のレンズ一体型固体撮像装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記第1工程の後で、前記第2工程の前
    に、外部に電気信号の入出力を行うためのリードを取り
    付ける工程を含む請求項1乃至請求項7のいずれかに記
    載のレンズ一体型固体撮像装置の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記固体撮像素子を樹脂で覆う工程の後
    で、前記第2工程の前に、外部に電気信号の入出力を行
    うためのリードを取り付ける請求項7に記載のレンズ一
    体型固体撮像装置の製造方法。
JP2000247884A 2000-08-17 2000-08-17 レンズ一体型固体撮像装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3725012B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000247884A JP3725012B2 (ja) 2000-08-17 2000-08-17 レンズ一体型固体撮像装置の製造方法
US09/931,975 US6483652B2 (en) 2000-08-17 2001-08-16 Method for producing solid-state imaging device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000247884A JP3725012B2 (ja) 2000-08-17 2000-08-17 レンズ一体型固体撮像装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002062462A true JP2002062462A (ja) 2002-02-28
JP3725012B2 JP3725012B2 (ja) 2005-12-07

Family

ID=18737886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000247884A Expired - Fee Related JP3725012B2 (ja) 2000-08-17 2000-08-17 レンズ一体型固体撮像装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6483652B2 (ja)
JP (1) JP3725012B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002320150A (ja) * 2001-04-24 2002-10-31 Rohm Co Ltd イメージセンサモジュール、およびイメージセンサモジュールの製造方法
KR20030091549A (ko) * 2002-05-28 2003-12-03 삼성전기주식회사 이미지 센서모듈 및 그 제조공정
JP2006505126A (ja) * 2002-10-29 2006-02-09 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 光センサパッケージ
JP2006128625A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2007165610A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Sony Corp 撮像素子
US7579583B2 (en) 2003-12-02 2009-08-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid-state imaging apparatus, wiring substrate and methods of manufacturing the same
US7929045B2 (en) 2007-06-15 2011-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device and electronic apparatus including same
US8288710B2 (en) 2006-09-26 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image sensing device capable of preventing dust from attaching to optical path, method for manufacturing same, and electronic device
WO2016186048A1 (ja) * 2015-05-21 2016-11-24 三菱電機株式会社 レーザ光源装置およびレーザ光源装置の組み立て方法
JP2019519087A (ja) * 2016-03-12 2019-07-04 ニンボー サニー オプテック カンパニー,リミテッド アレイ撮像モジュール及び成形感光性アセンブリ、並びに電子機器向けのその製造方法

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3540281B2 (ja) * 2001-02-02 2004-07-07 シャープ株式会社 撮像装置
JPWO2003015400A1 (ja) * 2001-08-07 2004-12-02 日立マクセル株式会社 カメラモジュール
JP2003309271A (ja) * 2002-04-18 2003-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路素子の実装構造および実装方法
AU2003263519A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for assembling a camera module
WO2004107437A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-09 Valen Technologies (S) Pte Ltd Image sensing module and method for constructing the same
US6934065B2 (en) * 2003-09-18 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
WO2005031879A1 (de) * 2003-09-26 2005-04-07 Siemens Aktiengesellschaft Optisches modul und optisches system
US7583862B2 (en) * 2003-11-26 2009-09-01 Aptina Imaging Corporation Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7872686B2 (en) * 2004-02-20 2011-01-18 Flextronics International Usa, Inc. Integrated lens and chip assembly for a digital camera
US7253397B2 (en) * 2004-02-23 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
TWI282873B (en) * 2004-03-12 2007-06-21 Premier Image Technology Corp Lens module and assembling method thereof
KR100539259B1 (ko) * 2004-04-26 2005-12-27 삼성전자주식회사 자동으로 정렬되는 렌즈를 포함하는 이미지 센서 모듈, 그제조방법 및 렌즈의 자동 초점 조절방법
US7253957B2 (en) * 2004-05-13 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers
US8092734B2 (en) 2004-05-13 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers
US20050275750A1 (en) 2004-06-09 2005-12-15 Salman Akram Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging
US7498647B2 (en) 2004-06-10 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7199439B2 (en) * 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7262405B2 (en) * 2004-06-14 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Prefabricated housings for microelectronic imagers
US7294897B2 (en) * 2004-06-29 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7232754B2 (en) 2004-06-29 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices
US7416913B2 (en) * 2004-07-16 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs
US7189954B2 (en) * 2004-07-19 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers
EP1624493A3 (fr) * 2004-07-23 2006-09-13 Stmicroelectronics Sa Procédé de fabrication de module optique pour boîtier semiconducteur à capteur optique
US7402453B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7364934B2 (en) 2004-08-10 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7397066B2 (en) * 2004-08-19 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7223626B2 (en) * 2004-08-19 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers
US7115961B2 (en) * 2004-08-24 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imaging devices and methods of packaging microelectronic imaging devices
US7429494B2 (en) * 2004-08-24 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices having integral reference features and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7276393B2 (en) * 2004-08-26 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20070148807A1 (en) 2005-08-22 2007-06-28 Salman Akram Microelectronic imagers with integrated optical devices and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7511262B2 (en) * 2004-08-30 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Optical device and assembly for use with imaging dies, and wafer-label imager assembly
US7646075B2 (en) * 2004-08-31 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers having front side contacts
US7300857B2 (en) 2004-09-02 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers
JP2006178045A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Konica Minolta Photo Imaging Inc 手振れ補正ユニットおよび撮像装置
US7271482B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
US7214919B2 (en) * 2005-02-08 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7303931B2 (en) * 2005-02-10 2007-12-04 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having microlenses and methods of forming microlenses on microfeature workpieces
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7795134B2 (en) 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
KR100721167B1 (ko) * 2005-08-24 2007-05-23 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈과 그 제조 방법 및 이를 이용한 카메라모듈
US7262134B2 (en) * 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
US20090040360A1 (en) * 2006-02-24 2009-02-12 Koji Taniguchi Imaging device and portable terminal device
US8092102B2 (en) * 2006-05-31 2012-01-10 Flextronics Ap Llc Camera module with premolded lens housing and method of manufacture
US7596309B2 (en) * 2006-10-24 2009-09-29 Fu Zhun Precision Industry (Shen Zhen) Co., Ltd. Auto-focusing camera
JP2008148222A (ja) * 2006-12-13 2008-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置とその製造方法
CN101271885B (zh) * 2007-03-21 2010-06-09 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 影像感测器封装及其应用的影像摄取装置
US7968042B2 (en) * 2008-04-16 2011-06-28 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus for step-and-repeat molding
US20100194465A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ali Salih Temperature compensated current source and method therefor
TW201320728A (zh) * 2011-11-03 2013-05-16 Altek Corp 鏡頭座、其製造方法及其影像擷取裝置
DE102012219397A1 (de) 2012-07-04 2014-01-09 Robert Bosch Gmbh Schnittlängenanzeigevorrichtung
US10451891B2 (en) * 2014-10-17 2019-10-22 Lg Innotek Co., Ltd. Lens moving apparatus
US9955054B2 (en) 2015-02-05 2018-04-24 Robert Bosch Gmbh Camera and method for assembling with fixed final alignment
US20220173256A1 (en) * 2020-12-02 2022-06-02 Texas Instruments Incorporated Optical sensor packages with glass members

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63308375A (ja) * 1987-06-10 1988-12-15 Hitachi Ltd 固体撮像装置
US5400072A (en) * 1988-12-23 1995-03-21 Hitachi, Ltd. Video camera unit having an airtight mounting arrangement for an image sensor chip
JPH10301009A (ja) 1997-04-25 1998-11-13 Sony Corp 光学装置
US6266197B1 (en) * 1999-12-08 2001-07-24 Amkor Technology, Inc. Molded window array for image sensor packages

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002320150A (ja) * 2001-04-24 2002-10-31 Rohm Co Ltd イメージセンサモジュール、およびイメージセンサモジュールの製造方法
JP4698874B2 (ja) * 2001-04-24 2011-06-08 ローム株式会社 イメージセンサモジュール、およびイメージセンサモジュールの製造方法
KR20030091549A (ko) * 2002-05-28 2003-12-03 삼성전기주식회사 이미지 센서모듈 및 그 제조공정
JP4705784B2 (ja) * 2002-10-29 2011-06-22 タング スング キャピタル エルエルシー イメージセンサデバイスの製造方法
JP2006505126A (ja) * 2002-10-29 2006-02-09 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 光センサパッケージ
US7579583B2 (en) 2003-12-02 2009-08-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid-state imaging apparatus, wiring substrate and methods of manufacturing the same
JP2006128625A (ja) * 2004-09-30 2006-05-18 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2007165610A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Sony Corp 撮像素子
US8288710B2 (en) 2006-09-26 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image sensing device capable of preventing dust from attaching to optical path, method for manufacturing same, and electronic device
US7929045B2 (en) 2007-06-15 2011-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device and electronic apparatus including same
WO2016186048A1 (ja) * 2015-05-21 2016-11-24 三菱電機株式会社 レーザ光源装置およびレーザ光源装置の組み立て方法
JPWO2016186048A1 (ja) * 2015-05-21 2017-11-02 三菱電機株式会社 レーザ光源装置およびレーザ光源装置の組み立て方法
JP2019519087A (ja) * 2016-03-12 2019-07-04 ニンボー サニー オプテック カンパニー,リミテッド アレイ撮像モジュール及び成形感光性アセンブリ、並びに電子機器向けのその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020034022A1 (en) 2002-03-21
US6483652B2 (en) 2002-11-19
JP3725012B2 (ja) 2005-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3725012B2 (ja) レンズ一体型固体撮像装置の製造方法
US7367120B2 (en) Method for producing a solid-state imaging device
US9118825B2 (en) Attachment of wafer level optics
KR100288385B1 (ko) 반도체장치 및 그의 제조방법
US7755030B2 (en) Optical device including a wiring having a reentrant cavity
JP4606063B2 (ja) 光学デバイスおよびその製造方法
WO2015176601A1 (zh) 图像传感器结构及其封装方法
JP4827593B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US8077248B2 (en) Optical device and production method thereof
US8120128B2 (en) Optical device
US7719585B2 (en) Solid-state imaging device
WO1997005660A1 (fr) Dispositif de prise de vues a semi-conducteurs et fabrication dudit dispositif
JP2009088510A (ja) ガラスキャップモールディングパッケージ及びその製造方法、並びにカメラモジュール
US7002257B2 (en) Optical component package and packaging including an optical component horizontally attached to a substrate
US6864117B2 (en) Method for producing solid-state imaging device
JPH11111959A (ja) 固体撮像素子収納容器およびそれを用いた固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2005191660A (ja) 光学モジュール
KR100956381B1 (ko) 웨이퍼 레벨 카메라 모듈의 제조 방법
JPH10214919A (ja) マルチチップモジュールの製造方法
JPH10144898A (ja) 固体撮像装置
JP4070775B2 (ja) 半導体装置
KR100820913B1 (ko) 반도체 패키지, 그 제조방법 및 이미지 센서용 반도체패키지 모듈
JP2005142334A (ja) プリモールド型の半導体パッケージ及びこれを用いた半導体装置
JP2008027928A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040618

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20050920

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20050920

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080930

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090930

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100930

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110930

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees