JP2005191660A - 光学モジュール - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 73
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 67
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 8
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
【課題】イメージセンサに異物が付着するのを防止できる光学モジュールを提供する。
【解決手段】光学モジュール1は、段差部26が形成された孔24を有すると共に一方の面に配線パターン16aが形成された樹脂回路板22の配線パターン16aと電気的に接続されると共に樹脂回路板の一方の面に孔24を塞ぐようにイメージセンサチップ23を固着し、段差部26に孔24を塞ぐように赤外線フィルタ25を固着する。さらに、樹脂回路板22の他方の面に光学レンズ29を保持するレンズホルダ30を取り付ける。
樹脂回路板に形成された孔をイメージセンサチップチップと光学的に透明な部材で塞ぐため、密閉された空間28ができ、画質を劣化させる塵埃、水分等の異物の侵入を妨げてイメージセンサチップのセンサ部に異物が付着するのを防止することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】光学モジュール1は、段差部26が形成された孔24を有すると共に一方の面に配線パターン16aが形成された樹脂回路板22の配線パターン16aと電気的に接続されると共に樹脂回路板の一方の面に孔24を塞ぐようにイメージセンサチップ23を固着し、段差部26に孔24を塞ぐように赤外線フィルタ25を固着する。さらに、樹脂回路板22の他方の面に光学レンズ29を保持するレンズホルダ30を取り付ける。
樹脂回路板に形成された孔をイメージセンサチップチップと光学的に透明な部材で塞ぐため、密閉された空間28ができ、画質を劣化させる塵埃、水分等の異物の侵入を妨げてイメージセンサチップのセンサ部に異物が付着するのを防止することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、デジタルビデオカメラ、携帯電話等に適用して好適な光学モジュールに関する。
近年、デジタルビデオカメラや携帯電話等に装填するイメージセンサチップを備えた光学モジュールは、高画素化、小型化が進んでおり、撮像素子の画素数が多くなればなるほど、また、1画素の寸法が小さくなればなるほど、画素に対して製造時に混入する異物の影響が大きくなる。また、CCD撮像素子、CMOS撮像素子等のイメージセンサチップと近接する赤外線フィルタや光学ガラスとの距離が短くなると、赤外線フィルタや光学ガラスに付着している異物、傷などの影響が大きく利いてくる。以下、従来の光学モジュールを例示して説明する。
図13には従来汎用されている光学モジュール1の一例を示している。
図13に示すように、光学モジュール1は、絶縁基板2上に、CCD撮像素子、CMOS撮像素子などのイメージセンサチップ3が実装されており、前記絶縁基板2の周面上に鏡筒4が固定して設けられている。(特許文献1参照)
図13に示すように、光学モジュール1は、絶縁基板2上に、CCD撮像素子、CMOS撮像素子などのイメージセンサチップ3が実装されており、前記絶縁基板2の周面上に鏡筒4が固定して設けられている。(特許文献1参照)
前記鏡筒4にはその内側に突出して開口を有する環状ストッパ4aが設けられており、該環状ストッパ4aに向けて光学レンズ5を保持するレンズホルダ6がピント調節可能に取り付けられている。
さらに、前記レンズホルダ6の中央部には前記光学レンズ5に光を入射する孔7が設けられており、前記ストッパ4aの下側に赤外線フィルタ8が取り付けられている。
さらに、前記レンズホルダ6の中央部には前記光学レンズ5に光を入射する孔7が設けられており、前記ストッパ4aの下側に赤外線フィルタ8が取り付けられている。
また、前記絶縁基板2の上下面には、配線パターン9が形成されており、前記イメージセンサチップ3と配線パターン9が金ワイヤ10で電気的に接続されている。また、前記絶縁基板2上には必要に応じて抵抗器やコンデンサ等の受動電子部品11が実装されている。
従来、前記絶縁基板2としてガラスエポキシ基板やセラミック基板が汎用されてきたが、これらの絶縁基板は発塵し易く、加工途中での塵埃の発生、光学モジュール完成後の振動による塵埃の発生があり、歩留の向上に限界があった。また、前記レンズホルダ6を組み付ける場合、前記イメージセンサチップ3から前記光学レンズ5までの距離がピントとなり、イメージセンサチップの厚さのばらつき、実装時の接着剤の厚さのばらつき、レンズホルダの高さのばらつきがピント合わせの精度を左右する。
また、イメージセンサチップの厚みと絶縁基板の厚みが光学モジュールの総厚となるため、薄型化が困難である。
また、イメージセンサチップの厚みと絶縁基板の厚みが光学モジュールの総厚となるため、薄型化が困難である。
前記塵埃の発生を避けるために、絶縁基板として光学ガラス基板や透明プラスチック基板を採用することが検討された。
図12に示すように、光学モジュール1は、光学ガラス基板12の下面12aに形成された配線パターン13に、バンプを接続電極として有するイメージセンサチップ3aがフリップチップ法で実装され、さらに受動電子部品11が実装されている。また、前記光学ガラス基板12の上面に赤外線フィルタ14が設けられている。
図12に示すように、光学モジュール1は、光学ガラス基板12の下面12aに形成された配線パターン13に、バンプを接続電極として有するイメージセンサチップ3aがフリップチップ法で実装され、さらに受動電子部品11が実装されている。また、前記光学ガラス基板12の上面に赤外線フィルタ14が設けられている。
さらに、前記光学ガラス基板12に光学レンズ5を保持するレンズホルダ6aが固定されて設けられている。該レンズホルダ6aの中央部には、前記光学レンズ5に光を入射する孔7aが設けられている。
前記絶縁基板として、光学ガラス基板を用い、該光学ガラス基板にイメージセンサチップをフリップチップ法で実装すると、光学ガラス基板面とイメージセンサチップ間の距離が数十μmしかなく、光学ガラス面12aに付着した異物や傷の大きさがそのままイメージセンサチップ3aのセンサ部に反映し、画質が悪化する。
本発明は、前記問題点に鑑み、ピント合わせの精度を上げ、塵埃の発生を抑え、イメージセンサチップへの異物の付着を防止することができる光学モジュールを提案するものである。
本発明は、前記問題点に鑑み、ピント合わせの精度を上げ、塵埃の発生を抑え、イメージセンサチップへの異物の付着を防止することができる光学モジュールを提案するものである。
本発明の光学モジュールは、段差部が形成された孔を有すると共に一方の面に配線パターンが形成された樹脂回路板と、
前記配線パターンと電気的に接続されると共に前記樹脂回路板の一方の面に前記孔を塞ぐように固着されたイメージセンサチップと、
前記段差部に前記孔を塞ぐように固着された光学的に透明な部材と
を備える。
前記配線パターンと電気的に接続されると共に前記樹脂回路板の一方の面に前記孔を塞ぐように固着されたイメージセンサチップと、
前記段差部に前記孔を塞ぐように固着された光学的に透明な部材と
を備える。
樹脂回路板に形成された孔をイメージセンサチップチップと光学的に透明な部材で塞ぐため、密閉された空間ができ、画質を劣化させる塵埃、水分等の異物の侵入を妨げてイメージセンサチップのセンサ部に異物が付着するのを防止することができる。また、樹脂回路板を薄くできるので、光学モジュールの薄型化が可能となる。
以下、製造方法を参酌しながら本発明の光学モジュールの構成を説明する。
[工程1] 配線パターンが電着により形成された金属板の用意
図2に示すように、ステンレス鋼板などの金属板の配線パターン形成面15aに電着により複数の個別光学モジュールに対応する配線パターン16を施した金属板15を用意する。
図2に示すように、ステンレス鋼板などの金属板の配線パターン形成面15aに電着により複数の個別光学モジュールに対応する配線パターン16を施した金属板15を用意する。
[工程2] 樹脂モールド工程
図3に示すように、前記工程1で得られた金属板15を上金型17と下金型21に挟んでトランスファーモールド法で樹脂をキャビティ20内に注入して前記配線パターン16(図2)を樹脂モールドし、配線パターン16、モールド樹脂及び金属板15と一体の複数の光学モジュールの各々に対応する成形品を作製する。
図3は金型の全体の要部断面を、図4は1個の光モジュールに対応する要部拡大断面を示している。
図4において、A−A’、B−B’の内側領域内で一個の光学モジュールに対応した後述する樹脂回路板が得られる。
図4に示すように、上金型17には個片部(1個の光モジュールに対応する部分)に対して1個、上金型17が金属板15に達する突起18が設けられている。これらの突起18によって樹脂が注入されるキャビティ20が配線パターン16上にそれぞれ形成される。さらに、前記キャビティ20に後述する赤外線フィルタを固定する段差部(図1)を形成するための段差17aが設けられている。
図3に示すように、前記工程1で得られた金属板15を上金型17と下金型21に挟んでトランスファーモールド法で樹脂をキャビティ20内に注入して前記配線パターン16(図2)を樹脂モールドし、配線パターン16、モールド樹脂及び金属板15と一体の複数の光学モジュールの各々に対応する成形品を作製する。
図3は金型の全体の要部断面を、図4は1個の光モジュールに対応する要部拡大断面を示している。
図4において、A−A’、B−B’の内側領域内で一個の光学モジュールに対応した後述する樹脂回路板が得られる。
図4に示すように、上金型17には個片部(1個の光モジュールに対応する部分)に対して1個、上金型17が金属板15に達する突起18が設けられている。これらの突起18によって樹脂が注入されるキャビティ20が配線パターン16上にそれぞれ形成される。さらに、前記キャビティ20に後述する赤外線フィルタを固定する段差部(図1)を形成するための段差17aが設けられている。
このように構成された金型を用いて配線パターン16をトランスファーモールドすると、前記突起18によって成形品の個片部に後述する孔(図1)が形成される。
この樹脂モールド工程で作製された成形品は、金属板の樹脂成形部の厚みが金型のみの精度で決まり、樹脂厚みを精度よく形成できる。また、前記孔の位置についても配線パターン16、16に対して一括して精度良く配置できる。
この樹脂モールド工程で作製された成形品は、金属板の樹脂成形部の厚みが金型のみの精度で決まり、樹脂厚みを精度よく形成できる。また、前記孔の位置についても配線パターン16、16に対して一括して精度良く配置できる。
[工程3] 金属板の剥離
図5には、工程1における樹脂モールド前、図6には工程2における樹脂モールド後、図7には金属板の剥離工程の断面をそれぞれ模式的に示している。
図6に示すように、金属板15に形成された配線パターン16を樹脂22aで樹脂モールドした成型品から図7に示すように金属板15を剥離する。すると前記金属板15に形成された配線パターン16が樹脂22aの面と同一面となるように樹脂面に転写されて樹脂回路板22が得られる(以下、樹脂22aに配線パターン16が転写された部材を樹脂回路板という)。
ここで樹脂回路板22に発生したばりを落とし、ばりによる塵埃が発生しないようにする。
図5には、工程1における樹脂モールド前、図6には工程2における樹脂モールド後、図7には金属板の剥離工程の断面をそれぞれ模式的に示している。
図6に示すように、金属板15に形成された配線パターン16を樹脂22aで樹脂モールドした成型品から図7に示すように金属板15を剥離する。すると前記金属板15に形成された配線パターン16が樹脂22aの面と同一面となるように樹脂面に転写されて樹脂回路板22が得られる(以下、樹脂22aに配線パターン16が転写された部材を樹脂回路板という)。
ここで樹脂回路板22に発生したばりを落とし、ばりによる塵埃が発生しないようにする。
[工程4] イメージセンサチップの搭載
図8には前記金型で成型された成型品の1個の光学モジュールに対応する樹脂回路板の断面が示されている。
図8に示すように、前記樹脂回路板22の配線パターン16aとイメージセンサチップ23とを電気的に接続する。一例として、異方性熱硬化性樹脂導電ペーストを用いて接続する例を説明する。
図8には前記金型で成型された成型品の1個の光学モジュールに対応する樹脂回路板の断面が示されている。
図8に示すように、前記樹脂回路板22の配線パターン16aとイメージセンサチップ23とを電気的に接続する。一例として、異方性熱硬化性樹脂導電ペーストを用いて接続する例を説明する。
図8に示すように、配線用アルミニウムパッドにバンプ23aが形成されたイメージセンサチップ23を用意する。そして、前記樹脂回路板22の樹脂22aに転写された配線パターン16a側に熱硬化性の異方性導電ペーストを塗布し、フリップチップボンダにてイメージセンサチップ23のセンサ部23bを孔24側にして該孔24を塞ぐように接続部に位置合わせし、加圧・加熱して前記導電ペーストを硬化させて電気的に接続することにより、図9に示すような光学モジュールを得る。
前記イメージセンサチップ23と前記配線パターン16aとの間は、イメージセンサチップ23のバンプ23aの高さで決まるが、その厚みは薄く(バンプ厚み20〜30μm)、この厚みによる高さバラツキを小さく抑えることが可能となる。また、フリップチップ法による実装では配線パターンとイメージセンサチップをある程度加圧されて重なった状態にするため、比較的柔らかいバンプがつぶれ、イメージセンサチップと配線パターンの間隔が接合面内で均一になり、後述する光学レンズ(図1)との間隔の精度を各光学モジュールとも一定のものが得られる。
[工程6] 光学的に透明な部材の実装
前記図9に示す光学モジュールに光学的に透明な部材を搭載する。図9及び図10に示すように、赤外線フィルタ、光学ガラス等の光学的に透明な部材、例えば赤外線フィルタ25をイメージセンサチップ23の搭載面に対して反対側の段差部26に接着剤27(熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂接着剤等)を用いて前記孔24を塞ぐように固定する。
これによって前記孔24の両開口部がイメージセンサチップ23と前記赤外線フィルタ25で塞がれて前記孔24に空間28が形成され、該空間28を密閉することができ、前記空間28に水分や異物が侵入するのを防止することができる。
前記図9に示す光学モジュールに光学的に透明な部材を搭載する。図9及び図10に示すように、赤外線フィルタ、光学ガラス等の光学的に透明な部材、例えば赤外線フィルタ25をイメージセンサチップ23の搭載面に対して反対側の段差部26に接着剤27(熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂接着剤等)を用いて前記孔24を塞ぐように固定する。
これによって前記孔24の両開口部がイメージセンサチップ23と前記赤外線フィルタ25で塞がれて前記孔24に空間28が形成され、該空間28を密閉することができ、前記空間28に水分や異物が侵入するのを防止することができる。
[工程7] 樹脂回路板の分割
前記のように、樹脂回路板22は、複数の光学モジュールを作製できるように個別の光学モジュールが縦横に連なっており、光学モジュールの個別片が得られるように樹脂回路板22を切断して分割する。
ここで、前記孔24がイメージセンサチップと赤外線フィルタとで塞がれて形成された空間は密閉されており、前記樹脂回路板22を個別の光学モジュールに分割する際、異物の侵入を防止することができる。
前記のように、樹脂回路板22は、複数の光学モジュールを作製できるように個別の光学モジュールが縦横に連なっており、光学モジュールの個別片が得られるように樹脂回路板22を切断して分割する。
ここで、前記孔24がイメージセンサチップと赤外線フィルタとで塞がれて形成された空間は密閉されており、前記樹脂回路板22を個別の光学モジュールに分割する際、異物の侵入を防止することができる。
[工程8] レンズホルダの取り付け
図1に示すように、前記分割したイメージセンサチップ搭載済の光学モジュールに光学レンズ29が取り付けられたレンズホルダ30を前記個別樹脂回路板22の樹脂22aの周面22b上に接着剤31を用いて取り付ける。
このようにして、段差部26が形成された孔24を有すると共に一方の面に配線パターン16aが形成された樹脂回路板22と、該配線パターン16aと電気的に接続されると共に前記樹脂回路板の一方の面に前記孔24を塞ぐように固着されたイメージセンサチップ23と、前記段差部26に前記孔24を塞ぐように固着された赤外線フィルタ25と、前記樹脂回路板22の他方の面に固着され、光学レンズ29を保持するレンズホルダ30を備えた光学モジュール1が得られる。
図1に示すように、前記分割したイメージセンサチップ搭載済の光学モジュールに光学レンズ29が取り付けられたレンズホルダ30を前記個別樹脂回路板22の樹脂22aの周面22b上に接着剤31を用いて取り付ける。
このようにして、段差部26が形成された孔24を有すると共に一方の面に配線パターン16aが形成された樹脂回路板22と、該配線パターン16aと電気的に接続されると共に前記樹脂回路板の一方の面に前記孔24を塞ぐように固着されたイメージセンサチップ23と、前記段差部26に前記孔24を塞ぐように固着された赤外線フィルタ25と、前記樹脂回路板22の他方の面に固着され、光学レンズ29を保持するレンズホルダ30を備えた光学モジュール1が得られる。
汎用されているイメージセンサの表面は、アルミニウム配線パターンの露出部があり、この部分は腐食を発生し易い。
前記光学モジュール1は、前記赤外線フィルタ25と前記イメージセンサチップ23との間に形成される空間28が密閉されているので耐湿性が向上し、アルミニウム配線パターンの腐食の発生を防止することができる。また、前記樹脂回路板を薄く形成することができるので、光学モジュールの薄型化が可能となる。
前記実施の形態において、配線パターンにはイメージセンサチップに接続される各種受動部品、半導体チップを必要に応じて搭載して実施することができる。以下、その実施例を図11に示す断面図を参照しながら説明する。
前記光学モジュール1は、前記赤外線フィルタ25と前記イメージセンサチップ23との間に形成される空間28が密閉されているので耐湿性が向上し、アルミニウム配線パターンの腐食の発生を防止することができる。また、前記樹脂回路板を薄く形成することができるので、光学モジュールの薄型化が可能となる。
前記実施の形態において、配線パターンにはイメージセンサチップに接続される各種受動部品、半導体チップを必要に応じて搭載して実施することができる。以下、その実施例を図11に示す断面図を参照しながら説明する。
図11に示す光学モジュールの作製は、図2に示すよなステンレス鋼板などの金属板の片面の全面に電着により複数の光学モジュールに対応する配線パターンを施した金属板を用意する。
次に、前記金属板を上金型と下金型に挟んでトランスファーモールド法で樹脂をキャビティ内に注入して配線パターン16a、該配線パターン16aに接続される受動電子部品32、半導体チップ33を樹脂モールドし、配線パターン16a、受動電子部品、半導体チップ、モールド樹脂及び金属板と一体の複数の光学モジュール成形品を作製する。
樹脂22aに転写された配線パターン16aの樹脂の外部の個所に、必要に応じてチップ抵抗器、チップコンデンサ等の受動電子部品32をはんだペースト、Agペーストを用いて電気的に接続する。
前記樹脂モールドされた半導体チップ33、33は、前記配線パターン16aの所定の個所にワイヤ34でフェイスアップワイヤボンディング法又はフェイスダウンフリップチップ法で実装する。半導体チップの実装方法は、半導体チップの電極端子の形状に応じて選択することができる。
樹脂22aに転写された配線パターン16aの樹脂の外部の個所に、必要に応じてチップ抵抗器、チップコンデンサ等の受動電子部品32をはんだペースト、Agペーストを用いて電気的に接続する。
前記樹脂モールドされた半導体チップ33、33は、前記配線パターン16aの所定の個所にワイヤ34でフェイスアップワイヤボンディング法又はフェイスダウンフリップチップ法で実装する。半導体チップの実装方法は、半導体チップの電極端子の形状に応じて選択することができる。
その後の工程は、前記実施の形態と同様の工程を経て樹脂回路板を作製し、図11に示すような光学モジュール1が得られる。
該光学モジュール1は、段差部26が形成された孔24を備えると共に一方の面に配線パターン16aが形成された樹脂回路板22と、前記配線パターン16aに接続されると共に、前記樹脂回路板22の樹脂22aでモールドされた受動電子部品32、半導体チップ33と、前記配線パターン16aの他方の面と電気的に接続されると共に前記樹脂回路板22の一方の面に前記孔24を塞ぐように固着されたイメージセンサチップ23と、前記段差部26に前記孔24を塞ぐように固着された赤外線フィルタ25と、前記樹脂回路板22の他方の面に光学レンズ29を保持するレンズホルダ30とを備えている。
該光学モジュール1は、段差部26が形成された孔24を備えると共に一方の面に配線パターン16aが形成された樹脂回路板22と、前記配線パターン16aに接続されると共に、前記樹脂回路板22の樹脂22aでモールドされた受動電子部品32、半導体チップ33と、前記配線パターン16aの他方の面と電気的に接続されると共に前記樹脂回路板22の一方の面に前記孔24を塞ぐように固着されたイメージセンサチップ23と、前記段差部26に前記孔24を塞ぐように固着された赤外線フィルタ25と、前記樹脂回路板22の他方の面に光学レンズ29を保持するレンズホルダ30とを備えている。
汎用されているイメージセンサの表面は、アルミニウム配線パターンの露出部があり、この部分は腐食を発生し易い。
この光学モジュールも前記赤外線フィルタ25とイメージセンサチップ23との間に形成される空間28が密閉されているので耐湿性が向上し、アルミニウム配線パターンの腐食の発生を防止することができる。
この光学モジュールも前記赤外線フィルタ25とイメージセンサチップ23との間に形成される空間28が密閉されているので耐湿性が向上し、アルミニウム配線パターンの腐食の発生を防止することができる。
1・・光学モジュール 22・・樹脂回路板 16a・・樹脂22aに転写された配線パターン 23・・イメージセンサチップ 25・・赤外線フィルタ 29・・光学レンズ30・・レンズホルダ
Claims (8)
- 段差部が形成された孔を有すると共に一方の面に配線パターンが形成された樹脂回路板と、
前記配線パターンと電気的に接続されると共に前記樹脂回路板の一方の面に前記孔を塞ぐように固着されたイメージセンサチップと、
前記段差部に前記孔を塞ぐように固着された光学的に透明な部材と
を備えることを特徴とする光学モジュール。 - 前記樹脂回路板の他方の面に固着され、光学レンズを保持するレンズホルダを備えることを特徴とする請求項1の光学モジュール。
- 前記光学的に透明な部材は、赤外線フィルタであることを特徴とする請求項1又は2の光学モジュール。
- 前記光学的に透明な部材は、光学ガラスであることを特徴とする請求項1又は2の光学モジュール。
- 段差部が形成された孔を有すると共に一方の面に配線パターンが形成された樹脂回路板と、
前記配線パターンに電気的に接続されると共に前記樹脂回路板の樹脂でモールドされた受動電子部品及び半導体チップと、
前記配線パターンと電気的に接続されると共に前記樹脂回路板の一方の面に前記孔を塞ぐように固着されたイメージセンサチップと、
前記段差部に前記孔を塞ぐように固着された光学的に透明な部材と
を備えることを特徴とする光学モジュール。 - 前記樹脂回路板の他方の面に固着され、光学レンズを保持するレンズホルダを備えることを特徴とする請求項5の光学モジュール。
- 前記光学的に透明な部材は、赤外線フィルタであることを特徴とする請求項5又は6の光学モジュール。
- 前記光学的に透明な部材は、光学ガラスであることを特徴とする請求項5又は6の光学モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003427257A JP2005191660A (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 光学モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005191660A true JP2005191660A (ja) | 2005-07-14 |
Family
ID=34786588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2003427257A Pending JP2005191660A (ja) | 2003-12-24 | 2003-12-24 | 光学モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2005191660A (ja) |
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- 2003-12-24 JP JP2003427257A patent/JP2005191660A/ja active Pending
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