KR101283217B1 - 고체 촬상 장치, 그 제조 방법 및 카메라 모듈 - Google Patents

고체 촬상 장치, 그 제조 방법 및 카메라 모듈 Download PDF

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노보루 가와바따
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소니 주식회사
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Abstract

본 발명의 과제는 소형화를 실현하는 동시에, 밀봉 유리의 수평도의 향상을 실현할 수 있는 반도체 패키지를 제공하는 것이다.
CCD 고체 촬상 소자(4)가 탑재된 세라믹 베이스(2)와, CCD 고체 촬상 소자와 세라믹 베이스와의 전기적 접속을 확보하는 금 세선(7)과, 세라믹 베이스의 단자와 금 세선의 일부를 밀봉하는 에폭시 수지(9)와, 에폭시 수지 상에 배치되고, CCD 고체 촬상 소자의 상방에 위치하는 밀봉 유리(10)를 구비하는 고체 촬상 장치(1)에 있어서, 밀봉 유리의 네 코너를, 세라믹 베이스에 형성된 지지 부재(8)로 지지한다.
CCD 고체 촬상 소자, 세라믹 베이스, 금 세선, 에폭시 수지, 밀봉 유리

Description

고체 촬상 장치, 그 제조 방법 및 카메라 모듈 {SOLID STATE IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND CAMERA MODULE}
도1은 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치를 설명하기 위한 모식적인 평면도 및 단면도.
도2는 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 변형예를 설명하기 위한 모식적인 단면도.
도3은 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 제조 방법의 공정을 설명하기 위한 도면.
도4는 세라믹 기판을 설명하기 위한 모식도.
도5는 밀봉 유리의 위치 어긋남을 설명하기 위한 모식도.
도6은 종래의 고체 촬상 카메라 모듈을 설명하기 위한 모식적인 단면도.
도7은 종래의 고체 촬상 장치를 설명하기 위한 모식적인 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : CCD 고체 촬상 장치
2 : 세라믹 베이스
3 : 다이 페이스트
4 : CCD 고체 촬상 소자
5 : 제1 단자
6 : 제2 단자
7 : 금 세선
8 : 지지 부재
9 : 에폭시 수지
10 : 밀봉 유리
11 : 통기 구멍
12 : 알루미나 코트
13 : 돌기물
20 : 세라믹 기판
[문헌 1] 일본 특허 공개 2003-332542호 공보
본 발명은 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 및 카메라 모듈에 관한 것이다. 상세하게는, 고체 촬상 소자가 탑재된 반도체 패키지 베이스를 이용한 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 및 카메라 모듈에 관한 것이다.
최근, CCD 이메저나 CMOS 이메저를 사용한 고체 촬상 카메라 모듈은, 신호 처리 계통을 포함하는 카메라 시스템으로서 휴대 전화, PDA(personal digital assistance) 등의 모바일 단말에 탑재하는 용도가 요구되고 있다.
이하, 도면을 이용하여 종래의 고체 촬상 카메라 모듈에 대해 설명한다.
도6은 종래의 고체 촬상 카메라 모듈을 설명하기 위한 모식적인 단면도이고, 여기서 도시하는 고체 촬상 카메라 모듈(101)은 CCD 고체 촬상 장치(반도체 패키지)(102) 및 렌즈 경통(103)을 구비한다.
상기한 CCD 고체 촬상 장치는, 반도체 패키지 베이스(104)에 다이 페이스트(105)에서 CCD 고체 촬상 소자(106)가 탑재되어 있고, CCD 고체 촬상 소자에 형성된 제1 단자(116)와 반도체 패키지 베이스에 형성된 제2 단자(117)가 본딩 와이어(107)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 반도체 패키지 베이스에는 오목부(118)가 설치되어 있고, 이 오목부에 밀봉 수지(109)를 개재하여 밀봉 유리(110)를 탑재하는(배치하여 고정하는) 것에 의해 반도체 패키지 베이스의 개구부(108)를 폐색하고 있다.
또한, 렌즈 경통은 CCD 고체 촬상 소자 상에 결상을 행하는 렌즈(111) 및 적외광을 차단하는 광학 필터(도시하지 않음)를 갖고, 렌즈 고정 수지(112)에 의해 CCD 고체 촬상 장치에 고정되어 있다.
또한, CCD 고체 촬상 장치는, 반도체 패키지 베이스의 바닥면에 형성된 땜납 범프(113)에 의해 CCD 고체 촬상 소자와 다른 회로를 전기적으로 접속하는 가요성 회로 기판(114)에 접속되어 있고, 이 가요성 회로 기판에는 회로 형성을 위한 전자부품(115)이 설치되어 있다.
여기서, 고체 촬상 장치에 대한 소형화의 요구에 대응하기 위해, 반도체 패 키지 베이스의 상면에 밀봉 유리를 탑재하는 구성의 고체 촬상 장치가 제안되어 있다[도7의 (a) 참조].
즉, 반도체 패키지 베이스에 오목부를 형성하고, 이 오목부에 밀봉 유리를 탑재하는 구성의 경우(도6에서 도시하는 구성의 경우)에는, 오목부의 외측 영역(도6 중 부호 A로 나타내는 영역)의 분만큼 밀봉 유리보다도 고체 촬상 장치가 커지는 데 반해, 반도체 패키지 베이스의 상면에 밀봉 유리를 탑재하는 구성의 경우[도7의 (a)에서 도시하는 구성의 경우]에는, 고체 촬상 장치는 대략 밀봉 유리와 동일한 크기로 할 수 있어, 결과적으로 고체 촬상 장치의 소형화를 실현할 수 있기 때문에, 반도체 패키지 베이스의 상면에 밀봉 유리를 탑재하는 구성의 고체 촬상 장치가 제안되어 있는 것이다.
그런데, 최근은, 고체 촬상 장치에 대한 소형화의 요구가 더 강해져 오고 있고, 이러한 요구에 따르기 위해, 예를 들어 특허 문헌 1에서 기재하는 바와 같이, 본딩 와이어를 수지 재료 등의 밀봉체(119)로 밀봉하고, 이 밀봉체의 상면에 밀봉 유리를 탑재하는 구성의 고체 촬상 장치가 제안되어 있다[도7의 (b) 참조].
즉, 반도체 패키지 베이스의 상면에 밀봉 유리를 탑재하는 구성의 경우[도7의 (a)에서 도시하는 구성의 경우]에는, 반도체 패키지 베이스에 형성된 제2 단자의 외측 영역[도7의 (a) 중 부호 B로 나타내는 영역]에 밀봉 유리를 지지하기 위한 영역을 마련할 필요가 있는 데 반해, 본딩 와이어를 밀봉체로 밀봉하고, 이 밀봉체의 상면에 밀봉 유리를 탑재하는 구성의 경우[도7의 (b)에서 도시하는 구성의 경우]에는, 제2 단자의 외측 영역에 밀봉 유리를 지지하기 위한 영역을 마련할 필요 가 없어, 결과적으로 고체 촬상 장치의 소형화를 실현할 수 있기 때문에, 본딩 와이어를 밀봉체로 밀봉하고, 이 밀봉체의 상면에 밀봉 유리를 탑재하는 구성의 고체 촬상 장치가 제안되어 있는 것이다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 2003-332542호 공보
그러나, 상기한 고체 촬상 장치에서는, 수지 재료 등으로 이루어지는 밀봉체의 상면에 탑재된 밀봉 유리의 수평도를 확보하는 것이 곤란했다.
즉, 밀봉체의 상면에 밀봉 유리가 탑재된 고체 촬상 장치는 수지 재료 등으로 본딩 와이어의 밀봉을 행하고, 수지 재료를 경화하기 전에 밀봉 유리를 수지 재료의 상면에 배치하고, 그 후에 수지 재료를 경화하여 밀봉 유리를 고정하는 것에 의해 제조되는 것이지만, 수지 재료 상에 밀봉 유리를 배치할 때에 수지 재료가 경화하고 있지 않고, 미경화 상태(연성의 상태)의 수지 재료 상에 밀봉 유리를 배치하기 때문에, 밀봉 유리의 수평도를 확보하는 것이 곤란하게 되는 것이다.
또한, 본딩 와이어를 밀봉한 수지 재료를 경화한 후에 수지 재료 상에 밀봉 유리를 배치하는 것에 의해, 밀봉 유리의 수평도를 확보하는 것은 가능하다. 단, 수지 재료를 경화한 후에 밀봉 유리를 수지 재료 상에 배치하는 경우에는, 수지 재료의 경화를 기다릴 필요가 있어, 수지 재료의 경화에 필요로 하는 시간만큼 제품 수율의 저하를 초래하게 된다. 또한, 경화한 수지 재료 상에 배치한 밀봉 유리를 고정하기 위해서는, 경화한 수지 재료에 밀봉 수지를 도포하거나, 혹은 밀봉 유리에 밀봉 수지를 도포하고, 이 밀봉 수지를 개재하여 경화한 수지 재료 상에 밀봉 유리를 배치할 필요가 있어, 밀봉 수지의 도포 작업에 기인하는 여분의 공정수 및 재료를 필요로 하기 때문에, 수지 재료를 경화시키고, 경화한 수지 재료 상에 밀봉 유리를 탑재한다는 방법은 반드시 타당하다고는 하기 어렵다.
본 발명은, 이상의 점에 비추어 창안된 것이며, 소형화를 실현하는 동시에, 밀봉 유리의 수평도의 향상을 실현할 수 있는 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 및 이러한 고체 촬상 장치를 이용한 카메라 모듈을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 고체 촬상 장치는, 고체 촬상 소자가 탑재된 반도체 패키지 베이스와, 상기 고체 촬상 소자에 설치된 제1 단자와 상기 반도체 패키지 베이스에 설치된 제2 단자를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어와, 적어도 상기 본딩 와이어가 접속된 상기 제2 단자를 밀봉하는 밀봉체와, 상기 고체 촬상 소자의 상방에 배치된 광투과성 재료로 이루어지는 광투과성 부재를 구비하는 고체 촬상 장치이며, 상기 광투과성 부재는, 상기 반도체 패키지 베이스에 형성된 일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재에 의해 지지되어 있다.
여기서, 광투과성 부재가, 반도체 패키지 베이스에 형성된 일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재로 지지된 것에 의해, 경화 전의 밀봉체만으로 광투과성 부재를 지지할 필요가 없어지고, 밀봉체를 경화하기 전에 밀봉체 상에 광투과성 부재를 배치했다고 해도 광투과성 부재의 수평도를 확보할 수 있다.
또한,「반도체 패키지 베이스에 형성된 일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재 」라 함은, 반도체 패키지 베이스와 일체로 구성된 것이라도 좋고, 반도체 패키지 베이스와는 별도의 부재로서 형성된 지지 부재를 반도체 패키지 베이스에 설치하여 구성된 것이라도 좋다.
또한,「일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재」로 한 것은 일직선 상에는 배열되지 않고, 또한 다른 3군데 이상의 점을 특정함으로써 평면을 특정할 수 있기 때문에,「일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재」로 함으로써 광투과성 부재가 이루는 평면을 특정할 수 있기 때문이다.
또한, 밀봉체에 의해 제2 단자뿐만 아니라 제1 단자도 밀봉하는 것에 의해, 단자와 본딩 와이어의 접속부에 있어서의 수분의 침입을 저감하여 부식을 억제할 수 있어, 품질 향상이 실현된다. 또한, 제1 단자, 제2 단자 및 본딩 와이어의 전체가 밀봉체에 의해 밀봉되는 것에 의해, 본딩 와이어 그 자체의 부식도 억제할 수 있어, 보다 한층의 품질 향상을 기대할 수 있다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 고체 촬상 장치의 제조 방법은, 고체 촬상 소자가 탑재된 반도체 패키지 베이스와, 상기 고체 촬상 소자에 설치된 제1 단자와 상기 반도체 패키지 베이스에 설치된 제2 단자를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어와, 적어도 상기 본딩 와이어가 접속된 상기 제2 단자를 밀봉하는 밀봉체와, 상기 고체 촬상 소자의 상방에 배치된 광투과성 재료로 이루어지는 광투과성 부재를 구비하고, 상기 광투과성 부재가, 상기 반도체 패키지 베이스에 형성된 일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재에 의해 지지된 고 체 촬상 장치의 제조 방법이며, 상기 고체 촬상 소자를 상기 반도체 패키지 베이스에 탑재하고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자를 본딩 와이어에 의해 전기적으로 접속하는 공정과, 상기 본딩 와이어가 접속된 상기 제2 단자를 밀봉체에 의해 밀봉한 후에, 상기 지지 부재 및 상기 밀봉체 상에 상기 광투과성 부재를 배치하는 공정과, 상기 밀봉체를 경화시켜 상기 광투과성 부재를 고정하는 공정을 구비한다.
또한, 본 발명에 관한 고체 촬상 장치의 제조 방법은, 고체 촬상 소자가 탑재된 반도체 패키지 베이스와, 상기 고체 촬상 소자에 설치된 제1 단자와 상기 반도체 패키지 베이스에 설치된 제2 단자를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어와, 적어도 상기 본딩 와이어가 접속된 상기 제2 단자를 밀봉하는 밀봉체와, 상기 고체 촬상 소자의 상방에 배치된 광투과성 재료로 이루어지는 광투과성 부재를 구비하고, 상기 광투과성 부재가, 상기 반도체 패키지 베이스에 형성된 일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재에 의해 지지된 고체 촬상 장치의 제조 방법이며, 상기 고체 촬상 소자를 상기 반도체 패키지 베이스에 탑재하고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자를 본딩 와이어에 의해 전기적으로 접속하는 공정과, 상기 지지 부재 상에 밀봉재를 개재하여 상기 광투과성 부재를 배치하여 상기 광투과성 부재를 고정한 후에, 상기 본딩 와이어가 접속된 상기 제2 단자를 밀봉체에 의해 밀봉하는 공정과, 상기 밀봉체를 경화시키는 공정을 구비한다.
여기서, 반도체 패키지 베이스에 일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재가 형성된 것에 의해, 경화 전의 밀봉체만으로 광투과성 재료를 지지할 필요가 없어지고, 밀봉체를 경화하기 전에 밀봉체 상에 광투과성 부재를 배치 했다고 해도 광투과성 부재의 수평도를 확보할 수 있다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 카메라 모듈은, 고체 촬상 소자가 탑재된 반도체 패키지 베이스와, 상기 고체 촬상 소자에 설치된 제1 단자와 상기 반도체 패키지 베이스에 설치된 제2 단자를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어와, 적어도 상기 본딩 와이어가 접속된 상기 제2 단자를 밀봉하는 밀봉체와, 상기 고체 촬상 소자의 상방에 배치된 광투과성 재료로 이루어지는 광투과성 부재를 갖는 고체 촬상 장치와, 상기 고체 촬상 장치의 상방에 배치된 렌즈와, 상기 렌즈를 지지하는 경통부를 구비하는 카메라 모듈이며, 상기 광투과성 부재는, 상기 반도체 패키지 베이스에 형성된 일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재에 의해 지지되어 있다.
여기서, 광투과성 부재가, 반도체 패키지 베이스에 형성된 일직선 상에 위치하지 않는 3군데 이상의 다른 지지 부재로 지지된 것에 의해, 경화 전의 밀봉체로 광투과성 부재를 지지할 필요가 없어져 광투과성 부재의 수평도를 확보할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명하여, 본 발명의 이해를 돕는다.
도1의 (a)는 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 일례인 CCD 고체 촬상 장치를 설명하기 위한 모식적인 평면도이고, 도1의 (b)는 도1의 (a) 중 부호 X-X에 있어서의 모식적인 단면도이다.
도1에 도시하는 CCD 고체 촬상 장치(1)는, 세라믹 베이스(2)에 다이 페이스 트(3)에 의해 CCD 고체 촬상 소자(4)가 탑재되어 있고, CCD 고체 촬상 소자에 형성된 제1 단자(5)와 세라믹 베이스에 형성되어 있는 제2 단자(6)가 금 세선(7)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 세라믹 베이스의 네 코너에는, 후술하는 밀봉 유리를 지지하는 지지 부재(8)가 형성되어 있다. 또한, 세라믹 베이스는 반도체 패키지 베이스의 일례이고, CCD 고체 촬상 소자는 고체 촬상 소자의 일례이고, 금 세선은 본딩 와이어의 일례이다.
또한, 제2 단자 및 이 제2 단자에 접속된 금 세선은, 열경화성을 갖는 에폭시 수지(9)로 밀봉되어 있고, 지지 부재 및 에폭시 수지 상에 밀봉 유리(10)가 탑재(배치되어 고정)되어 있다. 여기서, 에폭시 수지가 제2 단자 및 금 세선을 밀봉하기 위해, 제2 단자나 금 세선의 부식의 원인으로 되는 화학 물질(예를 들어 요오드나 초산 등)을 포함하지 않는 수지를 선정할 필요가 있다. 또한, 에폭시 수지는 밀봉체의 일례이고, 밀봉 유리는 광투과성 부재의 일례이다.
또한, 도1에 도시하는 고체 촬상 장치는 중공 구조이기 때문에, 에폭시 수지를 열경화시킬 때에 고체 촬상 장치의 내외의 기압차에 의해, 밀봉 유리가 위치 어긋남이 생길 우려가 있다. 그래서, 세라믹 베이스에는 통기 구멍(11)이 마련되고, 고체 촬상 장치의 내외의 기압차를 해소하는 구조를 채용하고 있다. 또한, CCD 고체 촬상 소자를 세라믹 베이스에 탑재할 때에 도포하는 다이 페이스트에 의해, 통기 구멍까지의 통풍구를 폐색하지 않도록, 세라믹 베이스의 표면에 알루미나 코트(12)를 실시하여 통풍구를 확보하는 구성으로 되어 있다.
여기서, 본 실시예에서는, 제2 단자 및 제2 단자에 접속된 금 세선이 에폭시 수지로 밀봉된 경우, 즉 제2 단자 및 금 세선의 일부가 에폭시 수지로 밀봉된 경우를 예로 들어 설명을 행하고 있지만, 도2에서 도시하는 바와 같이, 제1 단자, 제2 단자 및 금 세선의 전부가 에폭시 수지로 밀봉되어도 좋다.
이하, 상기한 바와 같이 구성된 CCD 고체 촬상 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 즉, 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
[제조 방법 (1)][도3의 (a)참조]
본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 제조 방법의 일례에서는, 우선 웨이퍼 상에 형성된 CCD 고체 촬상 소자에 다이싱 처리(웨이퍼 다이싱)를 행하여 단일 상태의 CCD 고체 촬상 소자로 한 후에[도3의 (a) 중 부호 a 참조], 단일 상태의 CCD 고체 촬상 소자(4)를, 복수의 세라믹 베이스가 형성된 세라믹 기판(20)(세라믹 베이스의 집합체. 도4 참조]의 각 세라믹 베이스(2)의 소정 영역에 다이 본드한다[도3의 (a) 중 부호 b 참조].
다음에, CCD 고체 촬상 소자에 형성된 제1 단자(5)와 세라믹 베이스에 형성된 제2 단자(6)를 금 세선(7)으로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 처리를 행한 후에[도3의 (a) 중 부호 c 참조], 제2 단자 및 제2 단자와 접속된 금 세선을 피복하도록 열경화성의 에폭시 수지(9)를 도포한다[도3의 (a) 중 부호 d 참조].
계속해서, 지지 부재 상에 밀봉 유리(10)를 배치하고[도3의 (a) 중 부호 e 참조], 가열 처리를 행하여 에폭시 수지(제2 단자 및 제2 단자와 접속된 금 세선을 피복하도록 도포된 에폭시 수지)를 경화하여 밀봉 유리를 고정한다[도3의 (a) 중 부호 f 참조].
다음에, 밀봉 유리의 단부 영역에 열경화성의 에폭시 수지를 도포하고[도3의 (a) 중 부호 g 참조], 가열 처리를 행하여 에폭시 수지(밀봉 유리의 단부 영역에 도포된 에폭시 수지)를 경화한다[도3의 (a) 중 부호 h 참조].
또한, 밀봉 유리의 단부 영역에 열경화성의 에폭시 수지를 도포하고 열경화 하는 것은, 고체 촬상 장치의 기밀성의 향상을 도모하기 위해서이고, 밀봉 유리의 단부 영역에 에폭시 수지를 도포하지 않아도 충분한 기밀성을 얻을 수 있는 것이면, 밀봉 유리의 단부 영역에는 에폭시 수지를 도포할 필요는 없다.
그 후, 도4 중 부호 X로 나타내는 다이싱 라인을 다이싱하는 것에 의해 세라믹 기판을 개편화(個片化)하여 고체 촬상 장치를 얻을 수 있다[도3의 (a) 중 부호 i 참조]. 또한, 이와 같이 하여 얻어진 고체 촬상 장치는 화질 검사를 거쳐서 출하되게 된다[도3의 (a) 중 부호 j 참조].
[제조 방법 (2)][도3의 (b) 참조]
본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 제조 방법의 다른 일례에서는, 상기한 제조 방법 (1)과 마찬가지로, 우선 웨이퍼 상에 형성된 CCD 고체 촬상 소자에 다이싱 처리(웨이퍼 다이싱)를 행하여 단일 상태의 CCD 고체 촬상 소자로 한 후에[도3의 (b) 중 부호 a 참조], 단일 상태의 CCD 고체 촬상 소자를, 복수의 세라믹 베이스가 형성된 세라믹 기판(세라믹 베이스의 집합체)의 각 세라믹 베이스의 소정 영역에 다이 본드한다[도3의 (b) 중 부호 b 참조].
다음에, CCD 고체 촬상 소자에 형성된 제1 단자와 세라믹 베이스에 형성된 제2 단자를 금 세선으로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 처리를 행한다[도3의 (b) 중 부호 c 참조].
계속해서, 지지 부재 표면에 밀봉 수지(도1에는 도시하지 않음)를 도포하고[도3의 (b) 중 부호 d 참조], 이 밀봉 수지를 개재하여 밀봉 유리를 배치하여 고정한다[도3의 (b) 중 부호 e 참조]. 또한, 상기한 제조 방법 (1)에서는 지지 부재 표면에 밀봉 수지를 도포하지 않고 밀봉 유리를 지지 부재 상에 배치하고 있었기 때문에, 수지 재료를 경화하기까지 밀봉 유리가 고정되는 일은 없지만, 여기서는, 지지 부재 표면에 밀봉 수지를 도포한 상태에서 밀봉 유리를 지지 부재 상에 배치하므로, 밀봉 유리는 지지 부재 상에 고정되게 된다.
또한, 제2 단자 및 제2 단자와 접속된 금 세선을 피복하도록 열경화성의 에폭시 수지를 도포하는 동시에, 밀봉 유리의 단부 영역에 열경화성의 에폭시 수지를 도포한 후에[도3의 (b) 중 부호 f 참조], 가열 처리를 행하여 에폭시 수지(제2 단자 및 제2 단자와 접속된 금 세선을 피복하도록 도포된 에폭시 수지 및 밀봉 유리의 단부 영역에 도포된 에폭시 수지)를 경화한다[도3의 (b) 중 부호 g 참조].
또한, 상기한 제조 방법 (1)과 마찬가지로, 밀봉 유리의 단부 영역에 열경화성의 에폭시 수지를 도포하고 열경화하는 것은, 고체 촬상 장치의 기밀성의 향상을 도모하기 위해서이고, 밀봉 유리의 단부 영역에 에폭시 수지를 도포하지 않아도 충분한 기밀성을 얻을 수 있는 것이면, 밀봉 유리의 단부 영역에는 에폭시 수지를 도포할 필요는 없다.
그 후, 다이싱 처리에 의해 세라믹 기판을 개편화하여 고체 촬상 장치를 얻을 수 있다[도3의 (b) 중 부호 h 참조]. 또한, 이와 같이 하여 얻어진 고체 촬상 장치는 화질 검사를 거쳐서 출하되게 된다[도3의 (b) 중 부호 i 참조].
본 발명을 적용한 고체 촬상 장치에서는, 세라믹 베이스에 설치된 지지 부재에 의해 밀봉 유리가 지지되어 있기 때문에, 에폭시 수지 상에 탑재된 밀봉 유리의 수평도를 확보하는 것이 가능해진다.
즉, 미경화 상태의 에폭시 수지 상에 밀봉 유리를 배치했다고 해도, 지지 부재가 밀봉 유리를 지지하기 때문에 밀봉 유리의 수평도를 확보하는 것이 가능해진다.
구체적으로는, 고체 촬상 장치의 제조 방법 (1)에 있어서, 제2 단자 및 제2 단자와 접속된 금 세선을 피복하도록 열경화성의 에폭시 수지를 도포하고[도3의 (a) 중 부호 d 참조], 에폭시 수지 위에 밀봉 유리를 배치하고[도3의 (a) 중 부호 e 참조], 에폭시 수지를 열경화하는 것에 의해[도3의 (a) 중 부호 f 참조] 밀봉 유리를 고정하고 있는 것이지만, 지지 부재가 설치되어 있지 않은 경우에는, 에폭시 수지 상에 배치된 밀봉 유리를 미경화의 에폭시 수지로 지지해야만 하고, 미경화 상태의 에폭시 수지 상에 밀봉 유리를 배치하는 것에 기인하여 밀봉 유리의 수평도의 저하가 우려된다. 이에 반해, 세라믹 베이스에 지지 부재가 설치된 본 실시예의 경우에는, 에폭시 수지 상에 배치된 밀봉 유리는 지지 부재로 지지되게 되고, 에폭시 수지가 미경화였다고 해도 밀봉 유리의 수평도는 지지 부재에 의해 확보되게 되는 것이다.
또한, 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치에서는, 밀봉 유리의 네 코너를 지지하고 있기 때문에, 밀봉 유리의 4변을 지지하는 고체 촬상 장치와 비교하면 밀봉 유리의 수평도를 확보할 수 있다.
이하, 이 점에 대해 도5를 참조하여 설명을 행한다.
즉, 종래의 고체 촬상 장치와 마찬가지로, 밀봉 유리의 4변을 지지하는 구성의 경우에는, 밀봉 유리의 지지면에 변형 등에 기인한 의도하지 않는 돌기물(13)이 생긴 경우에, 이 돌기물이 원인으로 되어, 밀봉 유리의 한쪽의 변[도5의 (a) 중 부호 C측의 변]을 세라믹 베이스로 지지하고자 하면, 밀봉 유리의 다른 쪽의 변[도5의 (a) 중 부호 D측의 변]은 돌기물의 높이 이상의 위치 어긋남이 생기게 된다. 구체적으로는, 돌기물의 높이(도5 중 부호 T로 나타내는 높이) 이상의 높이의 위치 어긋남(도5 중 부호 S로 나타내는 높이의 위치 어긋남)이 생긴다.
이에 반해, 밀봉 유리의 네 코너를 지지하는 본 실시예의 고체 촬상 장치의 경우에는, 지지 부재 표면에 변형 등에 기인한 의도하지 않는 돌기물이 생겼다고 해도, 이 돌기물이 원인인 밀봉 유리의 위치 어긋남은 돌기물의 높이(도5 중 부호 T로 나타내는 높이)로 억제할 수 있기 때문에[도5의 (b) 참조], 밀봉 유리의 네 코너를 지지하는 것에 의해, 상기한 바와 같이 4변을 지지하는 고체 촬상 장치와 비교하면 밀봉 유리의 수평도를 확보할 수 있는 것이다.
또한, 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치는, 세라믹 베이스에 통기 구멍이 형성되어 있기 때문에, 에폭시 수지를 열경화시킬 때의 밀폐 공간의 온도 기압차에 의한 밀봉 유리의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치는, 상기한 바와 같이, 밀봉 유리의 수평도를 확보할 수 있는 동시에 밀봉 유리의 위치 어긋남을 억제할 수 있기 때문 에, 고체 촬상 장치의 표면 형상이 초래하는 광학적 영향에 대해서도 개선을 기대할 수 있다.
또한, 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 제조 방법의 일례[제조 방법 (1)]는, 밀봉 유리를 지지 부재에 고정하기 위한 밀봉 수지를 사용하지 않고, 밀봉을 목적으로 한 에폭시 수지의 접착력을 이용하여 에폭시 수지 상에 밀봉 유리를 고정하고 있고, 밀봉 유리의 고정 및 에폭시 수지에 의한 밀봉을 단일의 수지 재료로 행하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명을 적용한 고체 촬상 장치의 제조 방법의 다른 일례[제조 방법 (2)]는, 밀봉 수지를 이용하여 밀봉 유리를 지지 부재에 고정한 후에, 세라믹 베이스와 밀봉 유리의 간극에 에폭시 수지를 충전하여 밀봉하고 있고, 밀봉 유리를 고정한 후에 에폭시 수지를 충전(도포)하고 있기 때문에 높은 정밀도로 밀봉 유리를 탑재하는 것이 가능하다.
상기한 본 발명의 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 및 카메라 모듈에서는, 소형화를 실현하는 동시에 광투과성 부재의 수평도의 향상을 도모할 수 있다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 고체 촬상 소자가 탑재된 반도체 패키지 베이스와, 상기 고체 촬상 소자에 설치된 제1 단자와 상기 반도체 패키지 베이스에 설치된 제2 단자를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어와, 적어도 상기 본딩 와이어가 접속된 상기 제2 단자를 밀봉하는 밀봉체와, 상기 고체 촬상 소자의 상방에 배치된 광투과성 재료로 이루어지는 광투과성 부재를 구비하고, 상기 광투과성 부재는 상기 반도체 패키지 베이스에 형성된 3군데 이상의 지지 부재에 의해 지지되고, 상기 3군데 이상의 지지 부재는 일직선 상에 위치하지 않는, 고체 촬상 장치의 제조 방법이며,
    상기 고체 촬상 소자를 상기 반도체 패키지 베이스에 탑재하고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자를 본딩 와이어에 의해 전기적으로 접속하는 공정과,
    상기 지지 부재 상에 밀봉재를 개재하여 상기 광투과성 부재를 배치하여 상기 광투과성 부재를 고정한 후에, 상기 본딩 와이어가 접속된 상기 제2 단자를 밀봉체에 의해 밀봉하는 공정과,
    상기 밀봉체를 경화시키는 공정을 구비하는 고체 촬상 장치의 제조 방법.
  7. 삭제
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007012895A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
WO2012165647A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2013211695A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Konica Minolta Inc 撮像装置
WO2015041602A1 (en) * 2013-09-23 2015-03-26 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact camera module arrangements that facilitate dam-and-fill and similar encapsulation techniques
US10750060B2 (en) * 2016-03-31 2020-08-18 Sony Corporation Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus
WO2020039733A1 (ja) 2018-08-21 2020-02-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、電子機器、および半導体装置の製造方法
US11037970B2 (en) * 2018-11-01 2021-06-15 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package structure and related methods
JP6839248B1 (ja) * 2019-09-30 2021-03-03 浜松ホトニクス株式会社 光検出器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133562A (ja) * 2001-10-19 2003-05-09 Kyocera Corp 光半導体装置
JP2003332542A (ja) * 2002-05-09 2003-11-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005294495A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970003915B1 (ko) * 1987-06-24 1997-03-22 미다 가쓰시게 반도체 기억장치 및 그것을 사용한 반도체 메모리 모듈
US5721450A (en) * 1995-06-12 1998-02-24 Motorola, Inc. Moisture relief for chip carriers
JP3880278B2 (ja) * 2000-03-10 2007-02-14 オリンパス株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US6759743B2 (en) * 2000-09-11 2004-07-06 Xytrans, Inc. Thick film millimeter wave transceiver module
TW471143B (en) * 2001-01-04 2002-01-01 Wen-Wen Chiou Integrated circuit chip package
TW473951B (en) * 2001-01-17 2002-01-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Non-leaded quad flat image sensor package
JP2004146609A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Kyocera Corp 光半導体装置
US6982470B2 (en) * 2002-11-27 2006-01-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment
JP2005183923A (ja) * 2003-11-28 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US20050236644A1 (en) * 2004-04-27 2005-10-27 Greg Getten Sensor packages and methods of making the same
JP2006278726A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Sharp Corp 半導体装置モジュール及び半導体装置モジュールの製造方法
JP4827593B2 (ja) 2005-07-19 2011-11-30 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20070120213A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Hiew Siew S Wire under dam package and method for packaging image-sensor
US20080099866A1 (en) * 2006-10-25 2008-05-01 Impac Technology Co., Ltd. Image sensing module and method for packaging the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133562A (ja) * 2001-10-19 2003-05-09 Kyocera Corp 光半導体装置
JP2003332542A (ja) * 2002-05-09 2003-11-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2005294495A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法

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