JP2002057467A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JP2002057467A JP2002057467A JP2000245067A JP2000245067A JP2002057467A JP 2002057467 A JP2002057467 A JP 2002057467A JP 2000245067 A JP2000245067 A JP 2000245067A JP 2000245067 A JP2000245067 A JP 2000245067A JP 2002057467 A JP2002057467 A JP 2002057467A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導体配線のパターンの幅を太く形成でき伝送
効率を向上させてインピーダンスコントロールを容易に
行える低コストの多層配線基板を提供する。 【解決手段】 多層の誘電層１２を有した基板１０に導
体配線１６とグランド配線１４とを複数配線し、誘電層
１２の１層目（Ｌ１）の表面に導体配線１６を形成して
下方に誘電層１２を２層介してグランド配線１４を形成
したマイクロストリップラインＡを備え、この基板１０
のグランド配線１４を形成した２層目（Ｌ２）に更なる
導体配線１６を形成して上下に誘電層１２を２層介在さ
せた１層目（Ｌ１）表面及び４層目（Ｌ４）底面にグラ
ンド配線１４を各々形成して導体配線１６を挟むように
形成したストリップラインＢとを同時に設け、導体配線
１６とグランド配線１４との間に誘電層１２を２層介在
させた広い層間を設けることで特性インピーダンスを一
定にしてパターン幅を可変できるように設ける。
効率を向上させてインピーダンスコントロールを容易に
行える低コストの多層配線基板を提供する。 【解決手段】 多層の誘電層１２を有した基板１０に導
体配線１６とグランド配線１４とを複数配線し、誘電層
１２の１層目（Ｌ１）の表面に導体配線１６を形成して
下方に誘電層１２を２層介してグランド配線１４を形成
したマイクロストリップラインＡを備え、この基板１０
のグランド配線１４を形成した２層目（Ｌ２）に更なる
導体配線１６を形成して上下に誘電層１２を２層介在さ
せた１層目（Ｌ１）表面及び４層目（Ｌ４）底面にグラ
ンド配線１４を各々形成して導体配線１６を挟むように
形成したストリップラインＢとを同時に設け、導体配線
１６とグランド配線１４との間に誘電層１２を２層介在
させた広い層間を設けることで特性インピーダンスを一
定にしてパターン幅を可変できるように設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に係
り、より詳細には多層の誘電層を有した基板に複数の導
体配線とグランド配線とを形成してマイクロ波帯やミリ
波帯等の高周波伝送線路に好適なマイクロストリップラ
イン及びストリップラインを形成した多層配線基板に関
する。
り、より詳細には多層の誘電層を有した基板に複数の導
体配線とグランド配線とを形成してマイクロ波帯やミリ
波帯等の高周波伝送線路に好適なマイクロストリップラ
イン及びストリップラインを形成した多層配線基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報社会の進展に伴い、無線回線
などの高周波伝送線路を形成する多層配線基板がよく用
いられており、通信帯域が広く、チャンネル数が多くと
れるマイクロ波帯やミリ波帯の利用に向けて研究開発が
盛んに行われている。この高周波伝送線路用に採用した
従来の多層配線基板には、誘電層を介して導体配線の片
側にグランド配線を設けたマイクロストリップライン構
造や、導体配線の両面にグランド配線を配置した（狭義
の）ストリップライン構造がとられ、特性インピーダン
スの制御を行えるように形成していた。
などの高周波伝送線路を形成する多層配線基板がよく用
いられており、通信帯域が広く、チャンネル数が多くと
れるマイクロ波帯やミリ波帯の利用に向けて研究開発が
盛んに行われている。この高周波伝送線路用に採用した
従来の多層配線基板には、誘電層を介して導体配線の片
側にグランド配線を設けたマイクロストリップライン構
造や、導体配線の両面にグランド配線を配置した（狭義
の）ストリップライン構造がとられ、特性インピーダン
スの制御を行えるように形成していた。
【０００３】図３は、このような高周波伝送線路用に採
用した従来の多層配線基板の内部構造の一例を示す図で
ある。また、図４は、図３に示したマイクロストリップ
ラインＡ及びストリップラインＢの構造を示した図であ
り、図４（ａ）はマイクロストリップラインＡの構造
を、図４（ｂ）はストリップラインＢの構造を各々示し
ている。また、図５は、図３に示したマイクロストリッ
プラインＡの誘電層３２の厚みｈ及び導体配線３６の幅
ｗと特性インピーダンスとの関係を示すグラフである。
用した従来の多層配線基板の内部構造の一例を示す図で
ある。また、図４は、図３に示したマイクロストリップ
ラインＡ及びストリップラインＢの構造を示した図であ
り、図４（ａ）はマイクロストリップラインＡの構造
を、図４（ｂ）はストリップラインＢの構造を各々示し
ている。また、図５は、図３に示したマイクロストリッ
プラインＡの誘電層３２の厚みｈ及び導体配線３６の幅
ｗと特性インピーダンスとの関係を示すグラフである。
【０００４】図３に示すように、高周波伝送線路用に採
用した従来の多層配線基板は、誘電層３２による複数の
層（図３では６層：Ｌ１〜Ｌ６）を積層させてなる基板
３０を備え、この基板３０の表面及び積層面に銅などの
導体材料を交互に配線した導体配線３６及びグランド配
線３４によるマイクロストリップラインＡとストリップ
ラインＢとを各々形成している。
用した従来の多層配線基板は、誘電層３２による複数の
層（図３では６層：Ｌ１〜Ｌ６）を積層させてなる基板
３０を備え、この基板３０の表面及び積層面に銅などの
導体材料を交互に配線した導体配線３６及びグランド配
線３４によるマイクロストリップラインＡとストリップ
ラインＢとを各々形成している。
【０００５】ここで、基板３０は、誘電層３２を積層し
た各層の厚みＨa を全て均一に形成しているとともに、
この各層の材質を同一の材質により形成している。ま
た、マイクロストリップラインＡは、図４（ａ）に示す
ように、誘電層３２を介して導体配線３６の片側に平行
するグランド配線３４を設けた構造を備えている。ま
た、ストリップラインＢは、図４（ｂ）に示すように、
グランド配線３４を導体配線３２の両面に平行して配置
した（狭義の）構造がとられる。そして、このマイクロ
ストリップラインＡ及びストリップラインＢは、図３に
示したように、複数の誘電層３２（Ｌ１〜Ｌ６）を積層
した基板３０に形成する場合、１層目（Ｌ１）の表面に
導体配線３６を形成して誘電層３２を１層介した１層目
（Ｌ１）の裏面にグランド配線３４を形成することでマ
イクロストリップラインＡを設け、この１層目（Ｌ１）
の裏面のグランド配線３４と３層目（Ｌ３）の裏面のグ
ランド配線３４との中心である２層目（Ｌ２）の裏面に
更なる導体配線３６を形成することでストリップライン
Ｂを設けている。
た各層の厚みＨa を全て均一に形成しているとともに、
この各層の材質を同一の材質により形成している。ま
た、マイクロストリップラインＡは、図４（ａ）に示す
ように、誘電層３２を介して導体配線３６の片側に平行
するグランド配線３４を設けた構造を備えている。ま
た、ストリップラインＢは、図４（ｂ）に示すように、
グランド配線３４を導体配線３２の両面に平行して配置
した（狭義の）構造がとられる。そして、このマイクロ
ストリップラインＡ及びストリップラインＢは、図３に
示したように、複数の誘電層３２（Ｌ１〜Ｌ６）を積層
した基板３０に形成する場合、１層目（Ｌ１）の表面に
導体配線３６を形成して誘電層３２を１層介した１層目
（Ｌ１）の裏面にグランド配線３４を形成することでマ
イクロストリップラインＡを設け、この１層目（Ｌ１）
の裏面のグランド配線３４と３層目（Ｌ３）の裏面のグ
ランド配線３４との中心である２層目（Ｌ２）の裏面に
更なる導体配線３６を形成することでストリップライン
Ｂを設けている。
【０００６】このマイクロストリップラインＡ及びスト
リップラインＢは、総称して広義のストリップラインと
一般に呼び、このようなストリップラインの配線構造で
は、誘電層３２の種類や厚みを変えたりすることにより
導体配線３６の特性インピーダンスを制御することがで
きる。即ち、特性インピーダンスは、図３及び図５に示
すように、基板３０を形成する誘電層３２の誘電率（図
５に示したε＝２．５、ε＝４．８、ε＝１０．０）に
伴い、導体配線３６とグランド配線３４との間に介在す
る誘電層３２の厚みｈを変えることで、導体配線３６の
パターンの幅ｗが左右することがわかる。従って、図３
に示した基板３０は、導体配線３６とグランド配線３４
との間に介在する誘電層３２の厚みｈ1、ｈ2と、導体配
線３６のパターンの幅ｗ1、ｗ2とを調整することで特性
インピーダンスの値を制御することが可能になる。
リップラインＢは、総称して広義のストリップラインと
一般に呼び、このようなストリップラインの配線構造で
は、誘電層３２の種類や厚みを変えたりすることにより
導体配線３６の特性インピーダンスを制御することがで
きる。即ち、特性インピーダンスは、図３及び図５に示
すように、基板３０を形成する誘電層３２の誘電率（図
５に示したε＝２．５、ε＝４．８、ε＝１０．０）に
伴い、導体配線３６とグランド配線３４との間に介在す
る誘電層３２の厚みｈを変えることで、導体配線３６の
パターンの幅ｗが左右することがわかる。従って、図３
に示した基板３０は、導体配線３６とグランド配線３４
との間に介在する誘電層３２の厚みｈ1、ｈ2と、導体配
線３６のパターンの幅ｗ1、ｗ2とを調整することで特性
インピーダンスの値を制御することが可能になる。
【０００７】このように、高周波伝送線路用に採用した
従来の多層配線基板は、図３に示したように、基板３０
に積層した誘電層３２を介して複数の導体配線３６とグ
ランド配線３４とによりマイクロストリップラインＡ及
びストリップラインＢを設け、導体配線３６とグランド
配線３４との間に介在する誘電層３２の厚みｈ1、ｈ
2と、導体配線３６のパターンの幅ｗ1、ｗ2とを調整す
ることで特性インピーダンスの値を制御していた。
従来の多層配線基板は、図３に示したように、基板３０
に積層した誘電層３２を介して複数の導体配線３６とグ
ランド配線３４とによりマイクロストリップラインＡ及
びストリップラインＢを設け、導体配線３６とグランド
配線３４との間に介在する誘電層３２の厚みｈ1、ｈ
2と、導体配線３６のパターンの幅ｗ1、ｗ2とを調整す
ることで特性インピーダンスの値を制御していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
多層配線基板では、電子機器の小型化が進む現在、基板
全体の厚さが薄くなっており、図３に示した基板３０に
積層する誘電層３２（コア材）の厚みＨaが薄くなるこ
とで、導体配線３６とグランド配線３４との間に介在す
る誘電層３２の厚みｈ1、ｈ2も薄くなり、図５に示した
グラフの関係によって導体配線３６のパターンの幅
ｗ1、ｗ2も同時に微細（ファイン）な幅になってしま
う。これにより基板３０は、製造コストが高くなるとと
もに、この幅ｗ1、ｗ2に対する少しの誤差でも特性イン
ピーダンスの値が変わりインピーダンスコントロールが
難しくなるという不具合があった。
多層配線基板では、電子機器の小型化が進む現在、基板
全体の厚さが薄くなっており、図３に示した基板３０に
積層する誘電層３２（コア材）の厚みＨaが薄くなるこ
とで、導体配線３６とグランド配線３４との間に介在す
る誘電層３２の厚みｈ1、ｈ2も薄くなり、図５に示した
グラフの関係によって導体配線３６のパターンの幅
ｗ1、ｗ2も同時に微細（ファイン）な幅になってしま
う。これにより基板３０は、製造コストが高くなるとと
もに、この幅ｗ1、ｗ2に対する少しの誤差でも特性イン
ピーダンスの値が変わりインピーダンスコントロールが
難しくなるという不具合があった。
【０００９】また、従来の多層配線基板では、前述した
ように導体配線３６のパターンの幅が細くなりインピー
ダンスコントロールが難しくなるため、特性インピーダ
ンスの値にバラツキが生じて導体配線３６による伝送ロ
スが大きくなり、伝送効率を低下させてしまうという不
具合があった。さらに、従来の多層配線基板では、図３
に示したように、基板３０にグランド配線３４を形成す
る際に誘電層３２の各層（Ｌ１〜Ｌ２）に長く延在させ
て形成するため、基板３０の重量が重くなり、この基板
３０を用いた電子機器の重量も増加してしまうという不
具合があった。本発明はこのような課題を解決し、導体
配線のパターンの幅を太く形成でき伝送効率を向上させ
てインピーダンスコントロールを容易に行える低コスト
の多層配線基板を提供することを目的とする。
ように導体配線３６のパターンの幅が細くなりインピー
ダンスコントロールが難しくなるため、特性インピーダ
ンスの値にバラツキが生じて導体配線３６による伝送ロ
スが大きくなり、伝送効率を低下させてしまうという不
具合があった。さらに、従来の多層配線基板では、図３
に示したように、基板３０にグランド配線３４を形成す
る際に誘電層３２の各層（Ｌ１〜Ｌ２）に長く延在させ
て形成するため、基板３０の重量が重くなり、この基板
３０を用いた電子機器の重量も増加してしまうという不
具合があった。本発明はこのような課題を解決し、導体
配線のパターンの幅を太く形成でき伝送効率を向上させ
てインピーダンスコントロールを容易に行える低コスト
の多層配線基板を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、多層の誘電層を有した基板に導体配線と
グランド配線とを複数配線した多層配線基板であって、
基板に導体配線と平行するグランド配線を上下両方また
は下方に形成して、導体配線とグランド配線との間に少
なくとも２層以上の誘電層を介在させて層間を広く形成
することで、特性インピーダンスを一定にしてパターン
幅を可変できるマイクロストリップラインまたはストリ
ップラインのいずれか一方または両方を形成する。
決するために、多層の誘電層を有した基板に導体配線と
グランド配線とを複数配線した多層配線基板であって、
基板に導体配線と平行するグランド配線を上下両方また
は下方に形成して、導体配線とグランド配線との間に少
なくとも２層以上の誘電層を介在させて層間を広く形成
することで、特性インピーダンスを一定にしてパターン
幅を可変できるマイクロストリップラインまたはストリ
ップラインのいずれか一方または両方を形成する。
【００１１】ここで、基板には、誘電層の１層目表面に
導体配線を形成して、下方に誘電層を２層介してグラン
ド配線を形成したマイクロストリップラインと、この基
板のグランド配線を形成した２層目に更なる導体配線を
形成して、上下に誘電層を２層介在させた１層目表面及
び４層目底面にグランド配線を各々形成して、導体配線
を挟むように形成したストリップラインとを同時に設け
ることが好ましい。また、導体配線は、高周波チョーク
コイル、キャパシタ、抵抗などの電子部品を実装した高
周波伝送線路であることが好ましい。また、基板は、誘
電層が積層する各層が均一の厚みまたは不均一の厚みの
いずれかにより形成され、この各層を同一の材質または
異なる材質のいずれかにより形成することが好ましい。
導体配線を形成して、下方に誘電層を２層介してグラン
ド配線を形成したマイクロストリップラインと、この基
板のグランド配線を形成した２層目に更なる導体配線を
形成して、上下に誘電層を２層介在させた１層目表面及
び４層目底面にグランド配線を各々形成して、導体配線
を挟むように形成したストリップラインとを同時に設け
ることが好ましい。また、導体配線は、高周波チョーク
コイル、キャパシタ、抵抗などの電子部品を実装した高
周波伝送線路であることが好ましい。また、基板は、誘
電層が積層する各層が均一の厚みまたは不均一の厚みの
いずれかにより形成され、この各層を同一の材質または
異なる材質のいずれかにより形成することが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による多層配線基板の実施の形態を詳細に説明する。図
１は、本発明による多層配線基板の実施の形態の内部構
造を示す図である。図１に示すように、本発明による多
層配線基板の実施の形態は、図３に示した従来技術と同
様に高周波伝送線路用に採用したものであり、誘電層１
２による複数の層（図１では６層：Ｌ１〜Ｌ６）を積層
させてなる基板１０を備え、この基板１０の表面及び積
層面に銅などの導体材料を交互に配線した導体配線１６
及びグランド配線１４によるマイクロストリップライン
ＡとストリップラインＢとを各々形成している。
による多層配線基板の実施の形態を詳細に説明する。図
１は、本発明による多層配線基板の実施の形態の内部構
造を示す図である。図１に示すように、本発明による多
層配線基板の実施の形態は、図３に示した従来技術と同
様に高周波伝送線路用に採用したものであり、誘電層１
２による複数の層（図１では６層：Ｌ１〜Ｌ６）を積層
させてなる基板１０を備え、この基板１０の表面及び積
層面に銅などの導体材料を交互に配線した導体配線１６
及びグランド配線１４によるマイクロストリップライン
ＡとストリップラインＢとを各々形成している。
【００１３】ここで、マイクロストリップラインＡ及び
ストリップラインＢは、図３に示した従来技術とは異な
り、お互いに基板１０の両側に配列するように形成して
いる。マイクロストリップラインＡは、複数の誘電層１
２を積層した基板１０の１層目（Ｌ１）の表面に導体配
線１６を形成して、下方に誘電層１２を２層介した２層
目（Ｌ２）の底面にグランド配線１４を形成した構造を
備えている。また、ストリップラインＢは、２層目（Ｌ
２）の底面に形成したグランド配線１４と配列するよう
に更なる導体配線１６を形成し、この導体配線１６の上
下に誘電層１２を２層介在させた１層目（Ｌ１）の表面
及び４層目（Ｌ４）の底面に平行するようにグランド配
線１４を各々形成して導体配線１６を挟む（狭義の）構
造を備えている。ここで、基板１０は、誘電層１２を積
層した各層（Ｌ１〜Ｌ６）における厚みＨaを全て均一
に形成しているとともに、この各層の材質を同一の材質
により形成している。
ストリップラインＢは、図３に示した従来技術とは異な
り、お互いに基板１０の両側に配列するように形成して
いる。マイクロストリップラインＡは、複数の誘電層１
２を積層した基板１０の１層目（Ｌ１）の表面に導体配
線１６を形成して、下方に誘電層１２を２層介した２層
目（Ｌ２）の底面にグランド配線１４を形成した構造を
備えている。また、ストリップラインＢは、２層目（Ｌ
２）の底面に形成したグランド配線１４と配列するよう
に更なる導体配線１６を形成し、この導体配線１６の上
下に誘電層１２を２層介在させた１層目（Ｌ１）の表面
及び４層目（Ｌ４）の底面に平行するようにグランド配
線１４を各々形成して導体配線１６を挟む（狭義の）構
造を備えている。ここで、基板１０は、誘電層１２を積
層した各層（Ｌ１〜Ｌ６）における厚みＨaを全て均一
に形成しているとともに、この各層の材質を同一の材質
により形成している。
【００１４】従って、導体配線１６とグランド配線１４
との間に介在する誘電層１２は、図３に示した従来技術
の誘電層の厚みｈ1、ｈ2に対して、ほぼ２倍の厚み２ｈ
1、２ｈ2（図１参照）に形成することができる。また、
導体配線１６は、誘電層の厚みをほぼ２倍に形成するこ
とで図５に示したグラフの関係により、図３に示した従
来技術での導体配線のパターンの幅ｗ1、ｗ2に対して、
ほぼ２倍の厚み２ｗ 1、２ｗ2（図１参照）に形成するこ
とができる。そして、基板１０は、導体配線１６に高周
波チョークコイル（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）、抵抗
（Ｒ）などの電子部品（図示せず）を実装することで高
周波伝送線路に好適な多層配線基板として用いることが
できる。
との間に介在する誘電層１２は、図３に示した従来技術
の誘電層の厚みｈ1、ｈ2に対して、ほぼ２倍の厚み２ｈ
1、２ｈ2（図１参照）に形成することができる。また、
導体配線１６は、誘電層の厚みをほぼ２倍に形成するこ
とで図５に示したグラフの関係により、図３に示した従
来技術での導体配線のパターンの幅ｗ1、ｗ2に対して、
ほぼ２倍の厚み２ｗ 1、２ｗ2（図１参照）に形成するこ
とができる。そして、基板１０は、導体配線１６に高周
波チョークコイル（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）、抵抗
（Ｒ）などの電子部品（図示せず）を実装することで高
周波伝送線路に好適な多層配線基板として用いることが
できる。
【００１５】このように、本発明による多層配線基板の
実施の形態によれば、図１に示したように、導体配線１
６のパターンの幅２ｗ1、２ｗ2を従来技術に比べて２倍
の太さに形成できるため、基板１０の製造コストが低減
でき、この幅２ｗ1、２ｗ2により少しの誤差でも特性イ
ンピーダンスの値が変わることがなく、インピーダンス
コントロールを容易に行うことができる。また、本実施
の形態によれば、前述した導体配線１６のパターンの幅
２ｗ1、２ｗ2が太く形成されてインピーダンスコントロ
ールを容易に行えるため、特性インピーダンスの値にバ
ラツキがなく導体配線１６による伝送ロスを低減でき、
伝送効率を向上することが可能になる。
実施の形態によれば、図１に示したように、導体配線１
６のパターンの幅２ｗ1、２ｗ2を従来技術に比べて２倍
の太さに形成できるため、基板１０の製造コストが低減
でき、この幅２ｗ1、２ｗ2により少しの誤差でも特性イ
ンピーダンスの値が変わることがなく、インピーダンス
コントロールを容易に行うことができる。また、本実施
の形態によれば、前述した導体配線１６のパターンの幅
２ｗ1、２ｗ2が太く形成されてインピーダンスコントロ
ールを容易に行えるため、特性インピーダンスの値にバ
ラツキがなく導体配線１６による伝送ロスを低減でき、
伝送効率を向上することが可能になる。
【００１６】さらに、本実施の形態によれば、図１に示
したように、基板１０に形成するグランド配線１４の配
線箇所を、図３に示した従来技術のグランド配線に比べ
て少なくできるため、基板１０の重量を軽くでき、この
基板１０を用いた電子機器の重量も軽量化することがで
きる。ここで、基板１０に誘電層１２を積層した各層
（Ｌ１〜Ｌ６）の厚みＨaを全て均一に形成した実施の
形態を説明したが、これに限定されるものではなく、例
えば、誘電層を不均一に形成した基板にも適用可能であ
る。図２は、このような不均一な誘電層を備える本発明
による多層配線基板の他の実施の形態を示す図である。
したように、基板１０に形成するグランド配線１４の配
線箇所を、図３に示した従来技術のグランド配線に比べ
て少なくできるため、基板１０の重量を軽くでき、この
基板１０を用いた電子機器の重量も軽量化することがで
きる。ここで、基板１０に誘電層１２を積層した各層
（Ｌ１〜Ｌ６）の厚みＨaを全て均一に形成した実施の
形態を説明したが、これに限定されるものではなく、例
えば、誘電層を不均一に形成した基板にも適用可能であ
る。図２は、このような不均一な誘電層を備える本発明
による多層配線基板の他の実施の形態を示す図である。
【００１７】図２に示すように、不均一な誘電層を備え
る本発明による多層配線基板の他の実施の形態は、図１
に示した多層配線基板と同様に高周波伝送線路用に採用
したものであり、誘電層２２による複数の層（図２では
６層：Ｌ１〜Ｌ６）を積層させてなる基板２０を備え、
この基板２０の表面及び積層面に銅などの導体材料を交
互に配線した導体配線２６及びグランド配線２４による
マイクロストリップラインＡとストリップラインＢとを
各々形成している。
る本発明による多層配線基板の他の実施の形態は、図１
に示した多層配線基板と同様に高周波伝送線路用に採用
したものであり、誘電層２２による複数の層（図２では
６層：Ｌ１〜Ｌ６）を積層させてなる基板２０を備え、
この基板２０の表面及び積層面に銅などの導体材料を交
互に配線した導体配線２６及びグランド配線２４による
マイクロストリップラインＡとストリップラインＢとを
各々形成している。
【００１８】ここで、基板２０は、図１に示した多層配
線基板とは異なり、不均一な厚み（Ｈa、Ｈb）による誘
電層２２を多層に積層して形成している。即ち、この基
板２０は、２層目（Ｌ２）〜４層目（Ｌ４）までの誘電
層２２を図１に示した誘電層と同様の厚みＨaに形成す
るとともに、１層目（Ｌ１）、５層目（Ｌ５）、及び６
層目（Ｌ６）の誘電層２２を薄い厚みＨbに形成するこ
とで全体の厚みが薄型化するように形成している。ま
た、基板２０は、この各層（Ｌ１〜Ｌ６）の材質を同一
の材質により形成している。
線基板とは異なり、不均一な厚み（Ｈa、Ｈb）による誘
電層２２を多層に積層して形成している。即ち、この基
板２０は、２層目（Ｌ２）〜４層目（Ｌ４）までの誘電
層２２を図１に示した誘電層と同様の厚みＨaに形成す
るとともに、１層目（Ｌ１）、５層目（Ｌ５）、及び６
層目（Ｌ６）の誘電層２２を薄い厚みＨbに形成するこ
とで全体の厚みが薄型化するように形成している。ま
た、基板２０は、この各層（Ｌ１〜Ｌ６）の材質を同一
の材質により形成している。
【００１９】また、マイクロストリップラインＡ及びス
トリップラインＢは、お互いに基板２０の両側に配列す
るように形成している。マイクロストリップラインＡ
は、複数の誘電層２２を積層した基板２０の１層目（Ｌ
１）の表面に導体配線２６を形成して下方に誘電層２２
を２層介した２層目（Ｌ２）の底面にグランド配線２４
を形成した構造を備えている。また、ストリップライン
Ｂは、２層目（Ｌ２）の底面に形成したグランド配線２
４と配列するように更なる導体配線２６を形成し、この
導体配線２６の上下に誘電層２２を２層介在させた１層
目（Ｌ１）の表面及び４層目（Ｌ４）の底面に平行する
ようにグランド配線２４を各々形成して導体配線２６を
挟む（狭義の）構造を備えている。
トリップラインＢは、お互いに基板２０の両側に配列す
るように形成している。マイクロストリップラインＡ
は、複数の誘電層２２を積層した基板２０の１層目（Ｌ
１）の表面に導体配線２６を形成して下方に誘電層２２
を２層介した２層目（Ｌ２）の底面にグランド配線２４
を形成した構造を備えている。また、ストリップライン
Ｂは、２層目（Ｌ２）の底面に形成したグランド配線２
４と配列するように更なる導体配線２６を形成し、この
導体配線２６の上下に誘電層２２を２層介在させた１層
目（Ｌ１）の表面及び４層目（Ｌ４）の底面に平行する
ようにグランド配線２４を各々形成して導体配線２６を
挟む（狭義の）構造を備えている。
【００２０】従って、導体配線２６とグランド配線２４
との間に介在する誘電層２２は、図３に示した従来技術
の誘電層の厚みｈ1、ｈ2に対して、α倍した所定の厚み
αｈ 1、αｈ2（図２参照）に形成することができる。こ
のαは、例えば、誘電層２２の厚みＨbが厚みＨaの半分
であるＨa／２の場合、その値が約１．５になる。ま
た、基板２０には、導体配線２６とグランド配線２４と
の間に介在する誘電層２２を前述した幅αｈ1、αｈ2に
形成できるため、図５に示したグラフの関係により、導
体配線２６を従来技術の幅ｗ1、ｗ2（図３参照）に対し
てほぼα倍の幅αｗ1、αｗ2に形成することができる。
そして、基板２０は、導体配線２６に高周波チョークコ
イル（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）、抵抗（Ｒ）などの電子
部品（図示せず）を実装することで高周波伝送線路に好
適な多層配線基板として用いることができる。
との間に介在する誘電層２２は、図３に示した従来技術
の誘電層の厚みｈ1、ｈ2に対して、α倍した所定の厚み
αｈ 1、αｈ2（図２参照）に形成することができる。こ
のαは、例えば、誘電層２２の厚みＨbが厚みＨaの半分
であるＨa／２の場合、その値が約１．５になる。ま
た、基板２０には、導体配線２６とグランド配線２４と
の間に介在する誘電層２２を前述した幅αｈ1、αｈ2に
形成できるため、図５に示したグラフの関係により、導
体配線２６を従来技術の幅ｗ1、ｗ2（図３参照）に対し
てほぼα倍の幅αｗ1、αｗ2に形成することができる。
そして、基板２０は、導体配線２６に高周波チョークコ
イル（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）、抵抗（Ｒ）などの電子
部品（図示せず）を実装することで高周波伝送線路に好
適な多層配線基板として用いることができる。
【００２１】このように、不均一な誘電層を備える本発
明による多層配線基板の他の実施の形態は、図３に示し
た従来技術に比べて導体配線２６のパターンの幅α
ｗ1、αｗ2をα倍の太さに形成できるため、図１に示し
た多層配線基板と同様の効果を得ることができるととも
に、基板２０に薄い厚み（Ｈb）の誘電層２２を混在さ
せて不均一に積層することで図１に示した多層配線基板
に比べて基板全体の厚みをより薄型化することが可能に
なる。
明による多層配線基板の他の実施の形態は、図３に示し
た従来技術に比べて導体配線２６のパターンの幅α
ｗ1、αｗ2をα倍の太さに形成できるため、図１に示し
た多層配線基板と同様の効果を得ることができるととも
に、基板２０に薄い厚み（Ｈb）の誘電層２２を混在さ
せて不均一に積層することで図１に示した多層配線基板
に比べて基板全体の厚みをより薄型化することが可能に
なる。
【００２２】以上、本発明による多層配線基板の実施の
形態を詳細に説明したが、本発明は前述した実施の形態
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で変更可能である。例えば、基板に積層する多層の誘電
層を全て同一の材質により形成した実施の形態を説明し
たが、これに限定されるものではなく、誘電率が異なる
材質の誘電層を組み合わせた場合にも適用可能である。
また、導体配線とグランド配線との間に誘電層を２層介
在させた実施の形態を説明したが、これに限定されるも
のではなく、例えば、誘電層の厚みに応じて２層以上介
在させてもよい。
形態を詳細に説明したが、本発明は前述した実施の形態
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で変更可能である。例えば、基板に積層する多層の誘電
層を全て同一の材質により形成した実施の形態を説明し
たが、これに限定されるものではなく、誘電率が異なる
材質の誘電層を組み合わせた場合にも適用可能である。
また、導体配線とグランド配線との間に誘電層を２層介
在させた実施の形態を説明したが、これに限定されるも
のではなく、例えば、誘電層の厚みに応じて２層以上介
在させてもよい。
【００２３】
【発明の効果】このように本発明による多層配線基板に
よれば、導体配線のパターンの幅を太く形成することが
可能になるため、基板の製造コストを低減でき、太い幅
により少しの誤差でも特性インピーダンスの値が変わる
ことがなく、インピーダンスコントロールを容易に行う
ことができる。また、本実施の形態によれば、導体配線
のパターンの幅を太く形成できインピーダンスコントロ
ールを容易に行えるため、特性インピーダンスの値にバ
ラツキがなく導体配線での伝送ロスを低減できるととも
に、伝送効率を向上することが可能になる。さらに、本
実施の形態によれば、基板に形成するグランド配線の配
線箇所を削減することができるため、基板の重量を軽く
でき、この基板を用いた電子機器の重量も軽量化するこ
とができる。
よれば、導体配線のパターンの幅を太く形成することが
可能になるため、基板の製造コストを低減でき、太い幅
により少しの誤差でも特性インピーダンスの値が変わる
ことがなく、インピーダンスコントロールを容易に行う
ことができる。また、本実施の形態によれば、導体配線
のパターンの幅を太く形成できインピーダンスコントロ
ールを容易に行えるため、特性インピーダンスの値にバ
ラツキがなく導体配線での伝送ロスを低減できるととも
に、伝送効率を向上することが可能になる。さらに、本
実施の形態によれば、基板に形成するグランド配線の配
線箇所を削減することができるため、基板の重量を軽く
でき、この基板を用いた電子機器の重量も軽量化するこ
とができる。
【図１】本発明による多層配線基板の実施の形態の内部
構造を示す図。
構造を示す図。
【図２】本発明による多層配線基板の他の実施の形態を
示す図。
示す図。
【図３】従来の多層配線基板の内部構造の一例を示す
図。
図。
【図４】図３に示したマイクロストリップライン及びス
トリップラインの構造を示した図。
トリップラインの構造を示した図。
【図５】図３に示したマイクロストリップラインの誘電
層の厚み及び導体配線の幅と特性インピーダンスとの関
係を示すグラフ。
層の厚み及び導体配線の幅と特性インピーダンスとの関
係を示すグラフ。
１０ 基板 １２ 誘電層 １４ グランド配線 １６ 導体配線
Claims (4)
- 【請求項１】 多層の誘電層を有した基板に導体配線と
グランド配線とを複数配線した多層配線基板において、 前記基板に、前記導体配線と平行する前記グランド配線
を上下両方または下方に形成して、前記導体配線とグラ
ンド配線との間に少なくとも２層以上の前記誘電層を介
在させて層間を広く形成することで、特性インピーダン
スを一定にしてパターン幅を可変できるマイクロストリ
ップラインまたはストリップラインのいずれか一方また
は両方を形成したことを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項２】 請求項１に記載の多層配線基板におい
て、 前記基板には、前記誘電層の１層目表面に前記導体配線
を形成して、下方に前記誘電層を２層介して前記グラン
ド配線を形成したマイクロストリップラインと、この基
板のグランド配線を形成した２層目に更なる前記導体配
線を形成して、上下に前記誘電層を２層介在させた１層
目表面及び４層目底面に前記グランド配線を各々形成し
て、前記導体配線を挟むように形成したストリップライ
ンとを同時に設けたことを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項３】 請求項１に記載の層配線基板において、 前記導体配線は、高周波チョークコイル（Ｌ）、キャパ
シタ（Ｃ）、抵抗（Ｒ）などの電子部品を実装した高周
波伝送線路であることを特徴とする多層配線基板。 - 【請求項４】 請求項１に記載の多層配線基板におい
て、 前記基板は、前記誘電層が積層する各層が均一の厚みま
たは不均一の厚みのいずれかにより形成され、この各層
を同一の材質または異なる材質のいずれかにより形成し
ていることを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000245067A JP2002057467A (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000245067A JP2002057467A (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002057467A true JP2002057467A (ja) | 2002-02-22 |
Family
ID=18735655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000245067A Pending JP2002057467A (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002057467A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073622A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nec Electronics Corp | 半導体装置用パッケージ基板およびその製造方法と半導体装置 |
| JP2007317881A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nec Saitama Ltd | 多層プリント基板 |
| KR100922576B1 (ko) | 2007-12-06 | 2009-10-21 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한초고주파 전송 장치 |
| US8072774B2 (en) | 2007-03-27 | 2011-12-06 | Nec Corporation | Substrate including wiring for transmitting signal, apparatus and system including the substrate |
-
2000
- 2000-08-11 JP JP2000245067A patent/JP2002057467A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073622A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nec Electronics Corp | 半導体装置用パッケージ基板およびその製造方法と半導体装置 |
| JP4559163B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-10-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置用パッケージ基板およびその製造方法と半導体装置 |
| JP2007317881A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Nec Saitama Ltd | 多層プリント基板 |
| US8072774B2 (en) | 2007-03-27 | 2011-12-06 | Nec Corporation | Substrate including wiring for transmitting signal, apparatus and system including the substrate |
| KR100922576B1 (ko) | 2007-12-06 | 2009-10-21 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역에서의 전송 특성을 향상시키기 위한초고주파 전송 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060320 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060328 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060524 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061219 |