JP2002043757A - 多層基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス含有絶縁層への電極の固着強度が大き
く、はんだ付け性が良好な多層基板及びその製造方法を
提供する。 【解決手段】 結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下
の結晶化ガラスを含むグリーンシートの表面に電極形成
用の電極ペーストを付与する工程と、電極ペーストを付
与したグリーンシートを積層、圧着して、積層圧着体を
形成する工程と、積層圧着体を焼成する工程を経て多層
基板を製造する。また、グリーンシートとして、結晶化
前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスとセラ
ミックスを含有し、かつ、結晶化ガラスの割合が４５〜
８０体積％の範囲にあるグリーンシートを用いる。
く、はんだ付け性が良好な多層基板及びその製造方法を
提供する。 【解決手段】 結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下
の結晶化ガラスを含むグリーンシートの表面に電極形成
用の電極ペーストを付与する工程と、電極ペーストを付
与したグリーンシートを積層、圧着して、積層圧着体を
形成する工程と、積層圧着体を焼成する工程を経て多層
基板を製造する。また、グリーンシートとして、結晶化
前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスとセラ
ミックスを含有し、かつ、結晶化ガラスの割合が４５〜
８０体積％の範囲にあるグリーンシートを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、多層基板及びそ
の製造方法に関し、詳しくは、低温焼成が可能なガラス
セラミック材料を用いてなる多層基板及びその製造方法
に関する。
の製造方法に関し、詳しくは、低温焼成が可能なガラス
セラミック材料を用いてなる多層基板及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の高機能化や小型化にともな
い、より多くの半導体ＩＣやその他の表面実装部品を回
路基板上に実装することが必要になっている。そして、
かかる要請に応えて、電極形成用の電極ペーストを塗布
したセラミックグリーンシートを積層し、焼成すること
により製造された種々のセラミック多層基板が開発さ
れ、広く実用されるに至っている。
い、より多くの半導体ＩＣやその他の表面実装部品を回
路基板上に実装することが必要になっている。そして、
かかる要請に応えて、電極形成用の電極ペーストを塗布
したセラミックグリーンシートを積層し、焼成すること
により製造された種々のセラミック多層基板が開発さ
れ、広く実用されるに至っている。
【０００３】また、近年、低温焼成が可能なガラス又は
ガラス含有材料（例えば、ガラス・セラミック系材料）
を用いてなる多層基板（低温焼成多層基板）が開発さ
れ、広く用いられるようになっている。そして、これら
の低温焼成が可能な多層基板においては、主たる成分と
して、機械的強度が不十分となりやすいガラス系材料を
用いていることから、機械的強度を向上させるために、
ガラス成分として、結晶化ガラスを用いたり、セラミッ
ク系材料を高い割合で配合したりすることが行われてい
る。
ガラス含有材料（例えば、ガラス・セラミック系材料）
を用いてなる多層基板（低温焼成多層基板）が開発さ
れ、広く用いられるようになっている。そして、これら
の低温焼成が可能な多層基板においては、主たる成分と
して、機械的強度が不十分となりやすいガラス系材料を
用いていることから、機械的強度を向上させるために、
ガラス成分として、結晶化ガラスを用いたり、セラミッ
ク系材料を高い割合で配合したりすることが行われてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、多層基板を
製造するにあたって、電極形成用の電極ペーストとして
は、例えばＡｇペーストなどが広く用いられている。
製造するにあたって、電極形成用の電極ペーストとして
は、例えばＡｇペーストなどが広く用いられている。
【０００５】しかしながら、高強度の基板を得るため
に、結晶化ガラスを用い、あるいは結晶化ガラスにセラ
ミック系材料を高い割合で含有させた基板に、Ａｇ粉も
しくはＡｇ粉とケミカルボンド材と称される酸化物で構
成されているＡｇペーストを付与して同時焼成した場
合、結晶化によるガラス粘度の上昇により、Ａｇ導体と
の濡れが促進されず、電極の基板への固着強度が不十分
になりやすいという問題点がある。
に、結晶化ガラスを用い、あるいは結晶化ガラスにセラ
ミック系材料を高い割合で含有させた基板に、Ａｇ粉も
しくはＡｇ粉とケミカルボンド材と称される酸化物で構
成されているＡｇペーストを付与して同時焼成した場
合、結晶化によるガラス粘度の上昇により、Ａｇ導体と
の濡れが促進されず、電極の基板への固着強度が不十分
になりやすいという問題点がある。
【０００６】また、十分な電極固着強度を得るために、
Ａｇペースト中にガラス成分を添加して、基板との濡れ
性を向上させることにより、電極の固着強度を向上させ
る方法も考えられるが、この方法の場合、ガラス成分が
電極表面に浮き上がって、電極のはんだ付け性を低下さ
せるという問題点がある。
Ａｇペースト中にガラス成分を添加して、基板との濡れ
性を向上させることにより、電極の固着強度を向上させ
る方法も考えられるが、この方法の場合、ガラス成分が
電極表面に浮き上がって、電極のはんだ付け性を低下さ
せるという問題点がある。
【０００７】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、ガラス含有絶縁層への電極の固着強度が大きく、
はんだ付け性が良好な多層基板及びその製造方法を提供
することを目的としている。
あり、ガラス含有絶縁層への電極の固着強度が大きく、
はんだ付け性が良好な多層基板及びその製造方法を提供
することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の多層基板は、表面に電極が
形成されたガラス含有絶縁層が積層された構造を有する
多層基板において、(ａ)前記ガラス含有絶縁層が結晶化
ガラスを含有するものであり、(ｂ)前記結晶化ガラスの
結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下であることを特
徴としている。
に、本願発明（請求項１）の多層基板は、表面に電極が
形成されたガラス含有絶縁層が積層された構造を有する
多層基板において、(ａ)前記ガラス含有絶縁層が結晶化
ガラスを含有するものであり、(ｂ)前記結晶化ガラスの
結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下であることを特
徴としている。
【０００９】本願発明（請求項１）の多層基板は、ガラ
ス含有絶縁層に、結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以
下の結晶化ガラスを含有させるようにしているので、焼
成時に、ガラス含有絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結
晶化に伴うガラス粘度の上昇による、電極（電極ペース
ト）とガラス含有絶縁層との濡れ性の劣化を抑制するこ
とが可能になる。したがって、電極の、ガラス含有絶縁
層への固着強度を向上させることが可能になるととも
に、電極に多量のガラス成分を含有させておくことが不
要になるため、はんだ付け性が低下することを防止でき
るようになる。なお、本願発明においては、ガラス含有
絶縁層が実質的に結晶化ガラスのみからなる場合、ある
いは結晶化ガラスとセラミックスを含有する材料からな
る場合などに広く適用することが可能である。ただし、
実用的な電気的、機械的特性を確保しようとした場合に
は、ガラス含有絶縁層を構成する材料として、結晶化ガ
ラスとセラミックスを含有する材料を用いることが望ま
しい。
ス含有絶縁層に、結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以
下の結晶化ガラスを含有させるようにしているので、焼
成時に、ガラス含有絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結
晶化に伴うガラス粘度の上昇による、電極（電極ペース
ト）とガラス含有絶縁層との濡れ性の劣化を抑制するこ
とが可能になる。したがって、電極の、ガラス含有絶縁
層への固着強度を向上させることが可能になるととも
に、電極に多量のガラス成分を含有させておくことが不
要になるため、はんだ付け性が低下することを防止でき
るようになる。なお、本願発明においては、ガラス含有
絶縁層が実質的に結晶化ガラスのみからなる場合、ある
いは結晶化ガラスとセラミックスを含有する材料からな
る場合などに広く適用することが可能である。ただし、
実用的な電気的、機械的特性を確保しようとした場合に
は、ガラス含有絶縁層を構成する材料として、結晶化ガ
ラスとセラミックスを含有する材料を用いることが望ま
しい。
【００１０】また、請求項２の多層基板は、(ａ)前記ガ
ラス含有絶縁層が、結晶化ガラスとセラミックスを含有
し、(ｂ)前記ガラス含有絶縁層中の結晶化ガラスの割合
が４５〜８０体積％の範囲にあり、かつ、結晶化ガラス
の結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下であるととも
に、(ｃ)前記ガラス含有絶縁層が、表面に形成された電
極と同時に焼成されていることを特徴としている。
ラス含有絶縁層が、結晶化ガラスとセラミックスを含有
し、(ｂ)前記ガラス含有絶縁層中の結晶化ガラスの割合
が４５〜８０体積％の範囲にあり、かつ、結晶化ガラス
の結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下であるととも
に、(ｃ)前記ガラス含有絶縁層が、表面に形成された電
極と同時に焼成されていることを特徴としている。
【００１１】ガラス含有絶縁層が、結晶化前の粘度が１
０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスとセラミックスを含
有しているとともに、結晶化ガラスの割合が４５〜８０
体積％の範囲にあり、かつ、ガラス含有絶縁層と電極が
同時に焼成された構成とすることにより、結晶化ガラス
の、結晶化によるガラス粘度の上昇を抑制し、電極の、
ガラス含有絶縁層への固着強度を向上させることが可能
になるとともに、電極に多量のガラス成分を含有させる
必要がなくなるため、電極のはんだ付け性を良好に保つ
ことが可能になる。
０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスとセラミックスを含
有しているとともに、結晶化ガラスの割合が４５〜８０
体積％の範囲にあり、かつ、ガラス含有絶縁層と電極が
同時に焼成された構成とすることにより、結晶化ガラス
の、結晶化によるガラス粘度の上昇を抑制し、電極の、
ガラス含有絶縁層への固着強度を向上させることが可能
になるとともに、電極に多量のガラス成分を含有させる
必要がなくなるため、電極のはんだ付け性を良好に保つ
ことが可能になる。
【００１２】また、請求項３の多層基板は、前記結晶化
ガラスの結晶化前の粘度が１０5.0Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐ
ａ・ｓの範囲にあることを特徴としている。
ガラスの結晶化前の粘度が１０5.0Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐ
ａ・ｓの範囲にあることを特徴としている。
【００１３】結晶化ガラスとして、結晶化前の粘度が１
０5.0Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にあるものを用
いることにより、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス
粘度の上昇をより確実に抑制することが可能になる。
０5.0Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にあるものを用
いることにより、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス
粘度の上昇をより確実に抑制することが可能になる。
【００１４】また、請求項４の多層基板は、前記ガラス
含有絶縁層中の結晶化ガラスの結晶化開始温度が８００
℃〜９００℃の範囲にあることを特徴としている。
含有絶縁層中の結晶化ガラスの結晶化開始温度が８００
℃〜９００℃の範囲にあることを特徴としている。
【００１５】ガラス含有絶縁層中に含有される結晶化ガ
ラスとして、結晶化開始温度が８００℃〜９００℃のも
のを用いることにより、比較的低い焼成温度で焼成を行
う場合にも、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス粘度
の上昇を確実に抑制して、電極のはんだ付け性の低下を
招いたりすることなく、ガラス含有絶縁層への電極固着
強度を向上させることが可能になる。
ラスとして、結晶化開始温度が８００℃〜９００℃のも
のを用いることにより、比較的低い焼成温度で焼成を行
う場合にも、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス粘度
の上昇を確実に抑制して、電極のはんだ付け性の低下を
招いたりすることなく、ガラス含有絶縁層への電極固着
強度を向上させることが可能になる。
【００１６】また、請求項５の多層基板は、引張り試験
における、前記電極の前記ガラス含有絶縁層への初期固
着強度が、平均で５Ｎ／mm２以上であることを特徴とし
ている。
における、前記電極の前記ガラス含有絶縁層への初期固
着強度が、平均で５Ｎ／mm２以上であることを特徴とし
ている。
【００１７】本願発明によれば、電極のガラス含有絶縁
層への初期固着強度を向上させて、引張り試験におけ
る、電極のガラス含有絶縁層への初期固着強度を、平均
で５Ｎ／mm２以上とすることが可能になる。
層への初期固着強度を向上させて、引張り試験におけ
る、電極のガラス含有絶縁層への初期固着強度を、平均
で５Ｎ／mm２以上とすることが可能になる。
【００１８】また、請求項６の多層基板は、前記電極
が、Ａｇを主たる導電成分とする電極であることを特徴
としている。
が、Ａｇを主たる導電成分とする電極であることを特徴
としている。
【００１９】本願発明においては、電極材料として種々
の材料を用いることが可能であるが、電極材料としてＡ
ｇを主たる導電成分とするものを用いるようにした場
合、固着強度に優れた低抵抗の電極を形成することが可
能になり、本願発明をさらに実効あらしめることが可能
になる。
の材料を用いることが可能であるが、電極材料としてＡ
ｇを主たる導電成分とするものを用いるようにした場
合、固着強度に優れた低抵抗の電極を形成することが可
能になり、本願発明をさらに実効あらしめることが可能
になる。
【００２０】また、請求項７の多層基板の製造方法は、
表面に電極が形成されたガラス含有絶縁層が積層された
構造を有する多層基板の製造方法であって、結晶化前の
粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスを含むグリ
ーンシートの表面に電極形成用の電極ペーストを付与す
る工程と、前記電極ペーストを付与したグリーンシート
を積層、圧着して、積層圧着体を形成する工程と、前記
積層圧着体を焼成する工程とを具備することを特徴とし
ている。
表面に電極が形成されたガラス含有絶縁層が積層された
構造を有する多層基板の製造方法であって、結晶化前の
粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスを含むグリ
ーンシートの表面に電極形成用の電極ペーストを付与す
る工程と、前記電極ペーストを付与したグリーンシート
を積層、圧着して、積層圧着体を形成する工程と、前記
積層圧着体を焼成する工程とを具備することを特徴とし
ている。
【００２１】本願発明の多層基板の製造方法は、結晶化
前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスを含む
グリーンシートの表面に電極形成用の電極ペーストを付
与する工程と、電極ペーストを付与したグリーンシート
を積層、圧着して、積層圧着体を形成する工程と、積層
圧着体を焼成する工程を経て多層基板を製造するように
しているので、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、
かつ、十分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基
板を確実に製造することが可能になる。
前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスを含む
グリーンシートの表面に電極形成用の電極ペーストを付
与する工程と、電極ペーストを付与したグリーンシート
を積層、圧着して、積層圧着体を形成する工程と、積層
圧着体を焼成する工程を経て多層基板を製造するように
しているので、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、
かつ、十分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基
板を確実に製造することが可能になる。
【００２２】また、請求項８の多層基板の製造方法は、
前記結晶化ガラスを含むグリーンシートとして、(ａ)結
晶化ガラスとセラミックスを含有し、(ｂ)結晶化ガラス
の割合が４５〜８０体積％の範囲にあり、かつ、(ｃ)結
晶化ガラスの結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下で
あるグリーンシートを用いることを特徴としている。
前記結晶化ガラスを含むグリーンシートとして、(ａ)結
晶化ガラスとセラミックスを含有し、(ｂ)結晶化ガラス
の割合が４５〜８０体積％の範囲にあり、かつ、(ｃ)結
晶化ガラスの結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下で
あるグリーンシートを用いることを特徴としている。
【００２３】グリーンシートとして、結晶化前の粘度が
１０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスとセラミックスを
含有し、結晶化ガラスの割合が４５〜８０体積％の範囲
にあるグリーンシートを用いることにより、結晶化ガラ
スの、結晶化によるガラス粘度の上昇を抑制し、電極と
ガラス含有絶縁層との濡れ性を向上させることが可能に
なり、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十
分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実
に製造することが可能になる。
１０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスとセラミックスを
含有し、結晶化ガラスの割合が４５〜８０体積％の範囲
にあるグリーンシートを用いることにより、結晶化ガラ
スの、結晶化によるガラス粘度の上昇を抑制し、電極と
ガラス含有絶縁層との濡れ性を向上させることが可能に
なり、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十
分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実
に製造することが可能になる。
【００２４】また、請求項９の多層基板の製造方法は、
前記結晶化ガラスとして、結晶化前の粘度が１０5.0Ｐ
ａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にある結晶化ガラスを
用いることを特徴としている。
前記結晶化ガラスとして、結晶化前の粘度が１０5.0Ｐ
ａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にある結晶化ガラスを
用いることを特徴としている。
【００２５】結晶化ガラスとして、結晶化前の粘度が１
０5.0Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にあるものを用
いることにより、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス
粘度の上昇をより確実に抑制することが可能になり、ガ
ラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十分なはん
だ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実に製造す
ることが可能になる。
０5.0Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にあるものを用
いることにより、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス
粘度の上昇をより確実に抑制することが可能になり、ガ
ラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十分なはん
だ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実に製造す
ることが可能になる。
【００２６】また、請求項１０の多層基板の製造方法
は、前記グリーンシートとして、結晶化ガラスとセラミ
ックスを含有し、かつ、前記結晶化ガラスの結晶化開始
温度が８００〜９００℃の範囲にあるグリーンシートを
用いることを特徴としている。
は、前記グリーンシートとして、結晶化ガラスとセラミ
ックスを含有し、かつ、前記結晶化ガラスの結晶化開始
温度が８００〜９００℃の範囲にあるグリーンシートを
用いることを特徴としている。
【００２７】グリーンシートとして、結晶化ガラス、又
は結晶化ガラスとセラミックスを含有し、かつ、結晶化
ガラスの結晶化開始温度が８００〜９００℃の範囲にあ
るグリーンシートを用いることにより、結晶化ガラス
の、結晶化によるガラス粘度の上昇を確実に抑制して、
電極とガラス含有絶縁層との濡れ性を向上させることが
可能になり、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、か
つ、十分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基板
を確実に製造することが可能になる。
は結晶化ガラスとセラミックスを含有し、かつ、結晶化
ガラスの結晶化開始温度が８００〜９００℃の範囲にあ
るグリーンシートを用いることにより、結晶化ガラス
の、結晶化によるガラス粘度の上昇を確実に抑制して、
電極とガラス含有絶縁層との濡れ性を向上させることが
可能になり、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、か
つ、十分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基板
を確実に製造することが可能になる。
【００２８】また、請求項１１の多層基板の製造方法
は、前記電極形成用の電極ペーストとして、Ａｇを主た
る導電成分とする電極ペーストを用いることを特徴とし
ている。
は、前記電極形成用の電極ペーストとして、Ａｇを主た
る導電成分とする電極ペーストを用いることを特徴とし
ている。
【００２９】本願発明においては、電極材料として種々
の材料を用いることが可能であるが、電極材料としてＡ
ｇを主たる導電成分とするものを用いるようにした場
合、固着強度に優れた低抵抗の電極を形成することが可
能になり、本願発明をさらに実効あらしめることが可能
になる。
の材料を用いることが可能であるが、電極材料としてＡ
ｇを主たる導電成分とするものを用いるようにした場
合、固着強度に優れた低抵抗の電極を形成することが可
能になり、本願発明をさらに実効あらしめることが可能
になる。
【００３０】また、請求項１２の多層基板の製造方法
は、前記Ａｇを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、ガラスが含まれていない電極ペーストを用いること
を特徴としている。
は、前記Ａｇを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、ガラスが含まれていない電極ペーストを用いること
を特徴としている。
【００３１】Ａｇを主たる導電成分とする電極ペースト
として、ガラスが含まれていない電極ペーストを用いる
ことにより、低抵抗で、固着強度及びはんだ付け性に優
れた電極を形成することが可能になり、本願発明をより
実効あらしめることができる。
として、ガラスが含まれていない電極ペーストを用いる
ことにより、低抵抗で、固着強度及びはんだ付け性に優
れた電極を形成することが可能になり、本願発明をより
実効あらしめることができる。
【００３２】また、請求項１３の多層基板の製造方法
は、前記Ａｇを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎの少な
くとも１種を含有する電極ペーストを用いることを特徴
としている。
は、前記Ａｇを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎの少な
くとも１種を含有する電極ペーストを用いることを特徴
としている。
【００３３】Ａｇを主たる導電成分とする電極ペースト
として、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎの
少なくとも１種を含有する電極ペーストを用いることに
より、さらなる電極固着強度の向上が期待できる。
として、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎの
少なくとも１種を含有する電極ペーストを用いることに
より、さらなる電極固着強度の向上が期待できる。
【００３４】また、請求項１４の多層基板の製造方法
は、前記積層圧着体を焼成するにあたって、前記積層圧
着体の両面又は片面に、前記積層圧着体の焼成温度では
焼結しない無機系材料からなる拘束層を積層し、その状
態で焼成を行った後、前記拘束層を除去する方法（無収
縮工法）を適用することを特徴としている。
は、前記積層圧着体を焼成するにあたって、前記積層圧
着体の両面又は片面に、前記積層圧着体の焼成温度では
焼結しない無機系材料からなる拘束層を積層し、その状
態で焼成を行った後、前記拘束層を除去する方法（無収
縮工法）を適用することを特徴としている。
【００３５】積層圧着体を焼成するにあたって、上述の
無収縮工法を適用することにより、平面方向の収縮がな
く、しかも、電極固着強度が大きく、かつ、はんだ付け
性に優れた多層基板を製造することが可能になり、この
ようにして製造される多層基板を用いることにより、実
装部品が所望の位置に確実に実装されたハイブリッドＩ
Ｃなどの電子部品を効率よく製造することが可能にな
る。
無収縮工法を適用することにより、平面方向の収縮がな
く、しかも、電極固着強度が大きく、かつ、はんだ付け
性に優れた多層基板を製造することが可能になり、この
ようにして製造される多層基板を用いることにより、実
装部品が所望の位置に確実に実装されたハイブリッドＩ
Ｃなどの電子部品を効率よく製造することが可能にな
る。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施形態を示し
て、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。な
お、この実施形態では、図１に示すような多層基板を例
にとって説明する。
て、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。な
お、この実施形態では、図１に示すような多層基板を例
にとって説明する。
【００３７】図１の多層基板２は、その上側主面に、厚
膜抵抗体６、チップ型コンデンサ７、及び半導体デバイ
ス８などが実装された構造を有する多層モジュール１に
向けられるものである。この多層基板２は、図１に示す
ように、ガラス含有絶縁層（絶縁体層）９と電極（内部
電極層）４が積屠された多層構造を有しており、各層の
内部電極層４は、ガラス含有絶縁層（絶縁体層）９に設
けられたビアホール３によって電気的に接続されてい
る。
膜抵抗体６、チップ型コンデンサ７、及び半導体デバイ
ス８などが実装された構造を有する多層モジュール１に
向けられるものである。この多層基板２は、図１に示す
ように、ガラス含有絶縁層（絶縁体層）９と電極（内部
電極層）４が積屠された多層構造を有しており、各層の
内部電極層４は、ガラス含有絶縁層（絶縁体層）９に設
けられたビアホール３によって電気的に接続されてい
る。
【００３８】また、内部電極層４は、例えば、インダク
タ、コンデンサなどの受動素子を構成する電極、あるい
は、受動素子、グランド、内部の厚膜抵抗体６などを電
気的に接続する配線の役割を果たしている。
タ、コンデンサなどの受動素子を構成する電極、あるい
は、受動素子、グランド、内部の厚膜抵抗体６などを電
気的に接続する配線の役割を果たしている。
【００３９】また、多層基板２の上下両主面には、電極
（表面導体層）５が形成されている。電極（表面導体
層）５は、多層基板２の上側の主面では、チップ型コン
デンサ７、半導体デバイス８などの実装部品と多層基板
２とを接続するためのランドとして、あるいは厚膜抵抗
体６を他の素子に接続するための配線として機能する。
また、多層基板２の下側の主面では、多層基板２（多層
モジュール１）をマザーボードなどに接続するための入
出力端子としての機能を果たしている。
（表面導体層）５が形成されている。電極（表面導体
層）５は、多層基板２の上側の主面では、チップ型コン
デンサ７、半導体デバイス８などの実装部品と多層基板
２とを接続するためのランドとして、あるいは厚膜抵抗
体６を他の素子に接続するための配線として機能する。
また、多層基板２の下側の主面では、多層基板２（多層
モジュール１）をマザーボードなどに接続するための入
出力端子としての機能を果たしている。
【００４０】以下、図１に示す多層基板の製造方法につ
いて説明する。 ［多層基板用のグリーンシートの作製］まず、多層基板
の製造に用いたグリーンシートの作製方法について以下
に説明する。
いて説明する。 ［多層基板用のグリーンシートの作製］まず、多層基板
の製造に用いたグリーンシートの作製方法について以下
に説明する。
【００４１】表１の番号１〜４に示すような、組成、
結晶化前の粘度、及び結晶化開始温度を有する結晶化ガ
ラス粉末を用意する。なお、表１の番号１〜３の結晶化
ガラス粉末（ＳｉＯ２−ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３
系ガラス粉末）については、成分構成を同じとする一
方、成分割合（組成）を調整して、結晶化前の粘度と結
晶化開始温度を異ならせた。なお、表１において、＊印
を付した番号３の結晶化ガラス粉末は、結晶化前の粘度
が１０６．２Ｐａ・ｓと、本願発明の範囲（１０６．０
Ｐａ・ｓ）を超えたものである。
結晶化前の粘度、及び結晶化開始温度を有する結晶化ガ
ラス粉末を用意する。なお、表１の番号１〜３の結晶化
ガラス粉末（ＳｉＯ２−ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３
系ガラス粉末）については、成分構成を同じとする一
方、成分割合（組成）を調整して、結晶化前の粘度と結
晶化開始温度を異ならせた。なお、表１において、＊印
を付した番号３の結晶化ガラス粉末は、結晶化前の粘度
が１０６．２Ｐａ・ｓと、本願発明の範囲（１０６．０
Ｐａ・ｓ）を超えたものである。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１の各ガラス粉末の、結晶化前のガラス
粘度と、結晶化開始温度は、平行板加圧式粘度計により
粉末ガラスの粘度測定方法を用いて測定したものであ
り、「結晶化前の粘度」は、結晶化前の最も低い粘度値
を示しており、「結晶化開始温度」は、結晶化前の最も
低い粘度値を示すときの温度を示している。なお、測定
は、第４０回ガラス及びフォトニクス材料討論会（日本
セラミックス協会）で報告されている「平行板法による
粉末ガラスの粘度測定」に準じて行った。
粘度と、結晶化開始温度は、平行板加圧式粘度計により
粉末ガラスの粘度測定方法を用いて測定したものであ
り、「結晶化前の粘度」は、結晶化前の最も低い粘度値
を示しており、「結晶化開始温度」は、結晶化前の最も
低い粘度値を示すときの温度を示している。なお、測定
は、第４０回ガラス及びフォトニクス材料討論会（日本
セラミックス協会）で報告されている「平行板法による
粉末ガラスの粘度測定」に準じて行った。
【００４４】それから、表１の番号１〜４の各結晶化
ガラスの粉末と、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末を、表２
に示すような含有率となるような割合で混合する。
ガラスの粉末と、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末を、表２
に示すような含有率となるような割合で混合する。
【００４５】次に、配合された原料粉末（ガラス・セ
ラミック系原料粉末）に、有機バインダー及びトルエン
（溶媒）を添加、混合し、ボールミルにより十分に混練
して均一に分散させた後、減圧下で脱泡処理することに
より原料スラリーを調製する。なお、バインダー、溶
媒、可塑剤などの有機ビヒクルの構成成分や組成につい
ては、特に制約はなく、種々のものを用いることが可能
である。
ラミック系原料粉末）に、有機バインダー及びトルエン
（溶媒）を添加、混合し、ボールミルにより十分に混練
して均一に分散させた後、減圧下で脱泡処理することに
より原料スラリーを調製する。なお、バインダー、溶
媒、可塑剤などの有機ビヒクルの構成成分や組成につい
ては、特に制約はなく、種々のものを用いることが可能
である。
【００４６】それから、原料スラリーを、例えばドク
ターブレードを用いたキャスティング法により、フィル
ム上にシート成形して、例えば、０．１mm厚のグリーン
シートを作製する。
ターブレードを用いたキャスティング法により、フィル
ム上にシート成形して、例えば、０．１mm厚のグリーン
シートを作製する。
【００４７】次に、このグリーンシートを乾燥させた
後、フィルムから剥離し、これを所定の寸法に打ち抜い
て、多層基板製造用のグリーンシートを得る。
後、フィルムから剥離し、これを所定の寸法に打ち抜い
て、多層基板製造用のグリーンシートを得る。
【００４８】［拘束層用のグリーンシートの作製］次
に、無収縮工法に用いるための、拘束層用のグリーンシ
ートの製造方法について説明する。なお、拘束層用のグ
リーンシートとは、上述の多層基板用のグリーンシート
の焼成工程では焼結しない無機系材料を主成分とするグ
リーンシートであり、多層基板を構成するグリーンシー
トの積層圧着体の両面又は片面に積層され、その状態で
焼成を行った後、除去されることになる層として機能す
るものである。
に、無収縮工法に用いるための、拘束層用のグリーンシ
ートの製造方法について説明する。なお、拘束層用のグ
リーンシートとは、上述の多層基板用のグリーンシート
の焼成工程では焼結しない無機系材料を主成分とするグ
リーンシートであり、多層基板を構成するグリーンシー
トの積層圧着体の両面又は片面に積層され、その状態で
焼成を行った後、除去されることになる層として機能す
るものである。
【００４９】まず、Ａｌ２Ｏ３粉末を用意し、有機バ
インダー及びトルエン（溶媒）を添加混合して、ボール
ミルにより十分に混練し、均一に分散させて減圧下で脱
泡処理することにより原料スラリーを調製する。なお、
バインダー、溶媒、可塑剤などの有機ビヒクルの構成成
分や組成については、特に制約はなく、種々のものを用
いることが可能である。
インダー及びトルエン（溶媒）を添加混合して、ボール
ミルにより十分に混練し、均一に分散させて減圧下で脱
泡処理することにより原料スラリーを調製する。なお、
バインダー、溶媒、可塑剤などの有機ビヒクルの構成成
分や組成については、特に制約はなく、種々のものを用
いることが可能である。
【００５０】それから、原料スラリーを、例えばドク
ターブレードを用いたキャスティング法により、フィル
ム上にシート成形して、例えば、０．１mm厚のグリーン
シートを作製する。
ターブレードを用いたキャスティング法により、フィル
ム上にシート成形して、例えば、０．１mm厚のグリーン
シートを作製する。
【００５１】次に、このグリーンシートを乾燥させた
後、フィルムから剥離し、これを所定の寸法に打ち抜い
て、拘束層用のグリーンシートを得る。
後、フィルムから剥離し、これを所定の寸法に打ち抜い
て、拘束層用のグリーンシートを得る。
【００５２】［多層基板の作製］次に、多層基板の製造
方法について説明する。 まず、ガラス含有絶縁層（絶縁体層）用のグリーンシ
ートにビアホール用の孔を形成し、孔に導体ペーストや
導体粉を充填してビアホールを形成する。
方法について説明する。 まず、ガラス含有絶縁層（絶縁体層）用のグリーンシ
ートにビアホール用の孔を形成し、孔に導体ペーストや
導体粉を充填してビアホールを形成する。
【００５３】その後、各グリーンシート上に、インダ
クタ、キャパシタなどの受動素子を形成するための電極
（ランド）や所定の配線パターンなどを形成するための
電極ペースト（この実施形態ではＡｇを導電成分とする
電極ペースト）をスクリーン印刷などの方法によって所
定のパターンとなるように印刷、形成するとともに、必
要に応じて、厚膜抗体を形成するための抵抗体材料ペー
ストをスクリーン印刷などの方法によって印刷、形成す
る。なお、この実施形態では、電極ペーストとしてＡｇ
を導電成分とする電極ペーストを用いているが、電極ペ
ーストの種類に特別の制約はなく、Ａｇ／Ｐｔ粉末やＡ
ｇ／Ｐｄ粉末などを導電成分とする電極ペーストなど、
種々の電極ペーストを用いることが可能である。
クタ、キャパシタなどの受動素子を形成するための電極
（ランド）や所定の配線パターンなどを形成するための
電極ペースト（この実施形態ではＡｇを導電成分とする
電極ペースト）をスクリーン印刷などの方法によって所
定のパターンとなるように印刷、形成するとともに、必
要に応じて、厚膜抗体を形成するための抵抗体材料ペー
ストをスクリーン印刷などの方法によって印刷、形成す
る。なお、この実施形態では、電極ペーストとしてＡｇ
を導電成分とする電極ペーストを用いているが、電極ペ
ーストの種類に特別の制約はなく、Ａｇ／Ｐｔ粉末やＡ
ｇ／Ｐｄ粉末などを導電成分とする電極ペーストなど、
種々の電極ペーストを用いることが可能である。
【００５４】そして、得られたグリーンシートをそれ
ぞれ所定枚数積層するとともに、その積層体の上下両面
側に、上述のようにして作製した拘束層用のグリーンシ
ートを所定枚数積層した後、圧着し、積層圧着体を形成
する。
ぞれ所定枚数積層するとともに、その積層体の上下両面
側に、上述のようにして作製した拘束層用のグリーンシ
ートを所定枚数積層した後、圧着し、積層圧着体を形成
する。
【００５５】次に、上記積層圧着体を、必要に応じ
て、適当な大きさに切断したり、あるいは分割溝を形成
したりした後、例えば、８００〜１１００℃程度の温度
条件で焼成する。その後、拘束層を除去することによ
り、図２に示すような多層基板２が得られる。なお、図
２において、図１と同一符号を付した部分は、図１と同
一の部分を示している。
て、適当な大きさに切断したり、あるいは分割溝を形成
したりした後、例えば、８００〜１１００℃程度の温度
条件で焼成する。その後、拘束層を除去することによ
り、図２に示すような多層基板２が得られる。なお、図
２において、図１と同一符号を付した部分は、図１と同
一の部分を示している。
【００５６】それから、多層基板２にチップコンデン
サ７や半導体デバイス８などの実装部品を搭載すること
によって、図１に示すような多層モジュール１が得られ
る。
サ７や半導体デバイス８などの実装部品を搭載すること
によって、図１に示すような多層モジュール１が得られ
る。
【００５７】［特性評価用の試料の作製］図３に示すよ
うに、基板用のグリーンシート１２に、はんだ付け性及
び電極固着強度を測定するための、２mm□の電極（ラン
ド）１１を形成し、このグリーンシート１２を表層に配
置し、下層に電極（ランド）の形成されていない基板用
のグリーンシートを複数枚積層し、圧着成形した後、成
形体を４００℃までは１．５℃／ｍｉｎの速度で昇温
し、４００℃〜９１０℃までは２０℃／ｍｉｎで昇温す
るとともに、９１０℃で１５ｍｉｎ保持して焼成を行っ
た後、拘束層を除去することにより、特性評価用の試料
を得た。
うに、基板用のグリーンシート１２に、はんだ付け性及
び電極固着強度を測定するための、２mm□の電極（ラン
ド）１１を形成し、このグリーンシート１２を表層に配
置し、下層に電極（ランド）の形成されていない基板用
のグリーンシートを複数枚積層し、圧着成形した後、成
形体を４００℃までは１．５℃／ｍｉｎの速度で昇温
し、４００℃〜９１０℃までは２０℃／ｍｉｎで昇温す
るとともに、９１０℃で１５ｍｉｎ保持して焼成を行っ
た後、拘束層を除去することにより、特性評価用の試料
を得た。
【００５８】それから、得られた評価用の試料につい
て、はんだ付け性及び電極固着強度を調べた。その結果
を表２に示す。
て、はんだ付け性及び電極固着強度を調べた。その結果
を表２に示す。
【００５９】
【表２】
【００６０】表２において、試料番号に＊印を付したも
のは本願発明の範囲外のものである。はんだ付け性は、
２mm□のランドを溶融はんだ（Ｓｎ−Ｐｂはんだ）にデ
ィッピングすることにより評価した。電極固着強度は、
はんだ付け性を評価した２mm□ランドにＬ字型のリード
線をＳｎ−Ｐｂはんだを用いてはんだ付けした後、引張
り試験を行い、破壊するときの値を電極固着強度とし
た。なお、上記電極固着強度の測定は、島津製オートグ
ラフを用いて行った。
のは本願発明の範囲外のものである。はんだ付け性は、
２mm□のランドを溶融はんだ（Ｓｎ−Ｐｂはんだ）にデ
ィッピングすることにより評価した。電極固着強度は、
はんだ付け性を評価した２mm□ランドにＬ字型のリード
線をＳｎ−Ｐｂはんだを用いてはんだ付けした後、引張
り試験を行い、破壊するときの値を電極固着強度とし
た。なお、上記電極固着強度の測定は、島津製オートグ
ラフを用いて行った。
【００６１】また、表２におけるはんだ付け性及び電極
固着強度の判断基準は以下の通りである。 （はんだ付け性）はんだ付け性については、ランドのは
んだ濡れ面積がランド面積の９５％以上の場合を良好
（○）、９５％未満の場合を不良（×）として評価し
た。 （電極固着強度）また、電極固着強度については、ラン
ドにＬ字型のリード線をＳｎ−Ｐｂはんだを用いてはん
だ付けした後の引張り試験の破壊時の値が２０Ｎ／２mm
□（５Ｎ／mm２）以上の場合を良好（○）、２０Ｎ／２
mm□（５Ｎ／mm２）未満の場合を不良（×）として評価
した。
固着強度の判断基準は以下の通りである。 （はんだ付け性）はんだ付け性については、ランドのは
んだ濡れ面積がランド面積の９５％以上の場合を良好
（○）、９５％未満の場合を不良（×）として評価し
た。 （電極固着強度）また、電極固着強度については、ラン
ドにＬ字型のリード線をＳｎ−Ｐｂはんだを用いてはん
だ付けした後の引張り試験の破壊時の値が２０Ｎ／２mm
□（５Ｎ／mm２）以上の場合を良好（○）、２０Ｎ／２
mm□（５Ｎ／mm２）未満の場合を不良（×）として評価
した。
【００６２】表２より、本願発明の実施形態にかかる試
料については、はんだ付け性及び電極固着強度のいずれ
についても良好な結果が得られることがわかる。すなわ
ち、本願発明によれば、結晶化ガラスの、結晶化による
ガラス粘度の上昇を抑制して、電極の、ガラス含有絶縁
層への固着強度を向上させることが可能になるととも
に、電極に多量のガラス成分を含有させる必要がなくな
るため、電極のはんだ付け性を良好に保つことが可能に
なる。
料については、はんだ付け性及び電極固着強度のいずれ
についても良好な結果が得られることがわかる。すなわ
ち、本願発明によれば、結晶化ガラスの、結晶化による
ガラス粘度の上昇を抑制して、電極の、ガラス含有絶縁
層への固着強度を向上させることが可能になるととも
に、電極に多量のガラス成分を含有させる必要がなくな
るため、電極のはんだ付け性を良好に保つことが可能に
なる。
【００６３】一方、結晶化ガラスの結晶化前の粘度が１
０6.0Ｐａ・ｓを超える、表１の番号３の結晶化ガラス
粉末（ＳｉＯ２−ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系のガ
ラスであって，結晶化前の粘度１０６．２Ｐａ・ｓ、結
晶化開始温度８９０℃のガラス）を用いた場合（表２の
試料番号３，７，１０）には、良好な固着強度を有する
電極が得られないことがわかる。
０6.0Ｐａ・ｓを超える、表１の番号３の結晶化ガラス
粉末（ＳｉＯ２−ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系のガ
ラスであって，結晶化前の粘度１０６．２Ｐａ・ｓ、結
晶化開始温度８９０℃のガラス）を用いた場合（表２の
試料番号３，７，１０）には、良好な固着強度を有する
電極が得られないことがわかる。
【００６４】なお、表２には示していないが、ガラス含
有絶縁層の、焼成前のガラス成分含有量が８０体積％を
超えるとはんだ付け性が低下する傾向があり、また、ガ
ラス含有絶縁層の、焼成前のガラス成分含有量が４５体
積％を下回ると、電極固着強度が低下する傾向がある。
さらに、結晶化ガラスの結晶化前の粘度が１０５．０Ｐ
ａ・ｓ以下のガラスを用いた場合には、はんだ付け性が
低下する傾向がある。
有絶縁層の、焼成前のガラス成分含有量が８０体積％を
超えるとはんだ付け性が低下する傾向があり、また、ガ
ラス含有絶縁層の、焼成前のガラス成分含有量が４５体
積％を下回ると、電極固着強度が低下する傾向がある。
さらに、結晶化ガラスの結晶化前の粘度が１０５．０Ｐ
ａ・ｓ以下のガラスを用いた場合には、はんだ付け性が
低下する傾向がある。
【００６５】以上の結果から、本願発明において、結晶
化ガラスの割合を、４５〜８０体積％の範囲とし、結晶
化ガラスの結晶化前の粘度を、１０5.0Ｐａ・ｓ〜１０
6.0Ｐａ・ｓの範囲とすることが望ましい。
化ガラスの割合を、４５〜８０体積％の範囲とし、結晶
化ガラスの結晶化前の粘度を、１０5.0Ｐａ・ｓ〜１０
6.0Ｐａ・ｓの範囲とすることが望ましい。
【００６６】なお、本願発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、ガラス含有絶縁層を構成する材料の
種類や組成、ガラス含有絶縁層中の結晶化ガラスの割
合、電極を構成する導電成分の種類、具体的な焼成条件
などに関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応
用、変形を加えることが可能である。
れるものではなく、ガラス含有絶縁層を構成する材料の
種類や組成、ガラス含有絶縁層中の結晶化ガラスの割
合、電極を構成する導電成分の種類、具体的な焼成条件
などに関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応
用、変形を加えることが可能である。
【００６７】
【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
多層基板は、ガラス含有絶縁層に、結晶化前の粘度が１
０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスを含有させるように
しているので、焼成時に、ガラス含有絶縁層に含まれる
結晶化ガラスが結晶化することによるガラス粘度の上昇
を抑制し、電極の、ガラス含有絶縁層への固着強度を向
上させることが可能になるとともに、電極に多量のガラ
ス成分を含有させる必要がなくなるため、電極のはんだ
付け性を良好に保つことが可能になる。
多層基板は、ガラス含有絶縁層に、結晶化前の粘度が１
０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスを含有させるように
しているので、焼成時に、ガラス含有絶縁層に含まれる
結晶化ガラスが結晶化することによるガラス粘度の上昇
を抑制し、電極の、ガラス含有絶縁層への固着強度を向
上させることが可能になるとともに、電極に多量のガラ
ス成分を含有させる必要がなくなるため、電極のはんだ
付け性を良好に保つことが可能になる。
【００６８】また、請求項２の多層基板のように、ガラ
ス含有絶縁層が、結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以
下の結晶化ガラスとセラミックスを含有しているととも
に、結晶化ガラスの割合が４５〜８０体積％の範囲にあ
り、かつ、ガラス含有絶縁層と電極が同時に焼成された
構成とすることにより、結晶化ガラスの、結晶化による
ガラス粘度の上昇を抑制し、電極の、ガラス含有絶縁層
への固着強度を向上させることが可能になるとともに、
電極に多量のガラス成分を含有させる必要がなくなるた
め、電極のはんだ付け性の低下の防止することができる
ようになる。
ス含有絶縁層が、結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以
下の結晶化ガラスとセラミックスを含有しているととも
に、結晶化ガラスの割合が４５〜８０体積％の範囲にあ
り、かつ、ガラス含有絶縁層と電極が同時に焼成された
構成とすることにより、結晶化ガラスの、結晶化による
ガラス粘度の上昇を抑制し、電極の、ガラス含有絶縁層
への固着強度を向上させることが可能になるとともに、
電極に多量のガラス成分を含有させる必要がなくなるた
め、電極のはんだ付け性の低下の防止することができる
ようになる。
【００６９】また、請求項３の多層基板のように、結晶
化ガラスとして、結晶化前の粘度が１０5.0Ｐａ・ｓ〜
１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にあるものを用いるようにした
場合、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス粘度の上昇
をより確実に抑制することが可能になり、電極の、ガラ
ス含有絶縁層への固着強度を向上させることが可能にな
るとともに、電極のはんだ付け性を良好に保つことが可
能になる。
化ガラスとして、結晶化前の粘度が１０5.0Ｐａ・ｓ〜
１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にあるものを用いるようにした
場合、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス粘度の上昇
をより確実に抑制することが可能になり、電極の、ガラ
ス含有絶縁層への固着強度を向上させることが可能にな
るとともに、電極のはんだ付け性を良好に保つことが可
能になる。
【００７０】また、請求項４の多層基板のように、ガラ
ス含有絶縁層を、結晶化ガラス、又は結晶化ガラスとセ
ラミックスから構成するとともに、結晶化ガラスとし
て、結晶化開始温度が８００℃〜９００℃のものを用い
るようにした場合、結晶化ガラスの、結晶化によるガラ
ス粘度の上昇を確実に抑制して、電極の、ガラス含有絶
縁層への固着強度を向上させることが可能になるととも
に、電極のはんだ付け性を良好に保つことが可能にな
る。
ス含有絶縁層を、結晶化ガラス、又は結晶化ガラスとセ
ラミックスから構成するとともに、結晶化ガラスとし
て、結晶化開始温度が８００℃〜９００℃のものを用い
るようにした場合、結晶化ガラスの、結晶化によるガラ
ス粘度の上昇を確実に抑制して、電極の、ガラス含有絶
縁層への固着強度を向上させることが可能になるととも
に、電極のはんだ付け性を良好に保つことが可能にな
る。
【００７１】また、本願発明によれば、電極のガラス含
有絶縁層への初期固着強度を向上させることが可能にな
るので、請求項５のように、引張り試験における、電極
のガラス含有絶縁層への初期固着強度を、平均で５Ｎ／
mm２以上とすることが可能になる。
有絶縁層への初期固着強度を向上させることが可能にな
るので、請求項５のように、引張り試験における、電極
のガラス含有絶縁層への初期固着強度を、平均で５Ｎ／
mm２以上とすることが可能になる。
【００７２】また、本願発明においては、電極材料とし
て種々の材料を用いることが可能であるが、請求項６の
ように、電極材料としてＡｇを主たる導電成分とするも
のを用いるようにした場合、固着強度に優れた低抵抗の
電極を形成することが可能になり、本願発明をさらに実
効あらしめることが可能になる。
て種々の材料を用いることが可能であるが、請求項６の
ように、電極材料としてＡｇを主たる導電成分とするも
のを用いるようにした場合、固着強度に優れた低抵抗の
電極を形成することが可能になり、本願発明をさらに実
効あらしめることが可能になる。
【００７３】また、本願発明（請求項７）の多層基板の
製造方法は、結晶化前の粘度が１０ 6.0Ｐａ・ｓ以下の
結晶化ガラスを含むグリーンシートの表面に電極形成用
の電極ペーストを付与する工程と、電極ペーストを付与
したグリーンシートを積層、圧着して、積層圧着体を形
成する工程と、積層圧着体を焼成する工程を経て多層基
板を製造するようにしているので、ガラス含有絶縁層へ
の固着強度に優れ、かつ、十分なはんだ付け性を有する
電極を備えた多層基板を確実に製造することができるよ
うになる。
製造方法は、結晶化前の粘度が１０ 6.0Ｐａ・ｓ以下の
結晶化ガラスを含むグリーンシートの表面に電極形成用
の電極ペーストを付与する工程と、電極ペーストを付与
したグリーンシートを積層、圧着して、積層圧着体を形
成する工程と、積層圧着体を焼成する工程を経て多層基
板を製造するようにしているので、ガラス含有絶縁層へ
の固着強度に優れ、かつ、十分なはんだ付け性を有する
電極を備えた多層基板を確実に製造することができるよ
うになる。
【００７４】また、請求項８の多層基板の製造方法のよ
うに、グリーンシートとして、結晶化前の粘度が１０
6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスとセラミックスを含有
し、結晶化ガラスの割合が４５〜８０体積％の範囲にあ
るグリーンシートを用いるようにした場合、結晶化ガラ
スの、結晶化によるガラス粘度の上昇を抑制し、電極と
ガラス含有絶縁層との濡れ性を向上させることが可能に
なり、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十
分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実
に製造することが可能になる。
うに、グリーンシートとして、結晶化前の粘度が１０
6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスとセラミックスを含有
し、結晶化ガラスの割合が４５〜８０体積％の範囲にあ
るグリーンシートを用いるようにした場合、結晶化ガラ
スの、結晶化によるガラス粘度の上昇を抑制し、電極と
ガラス含有絶縁層との濡れ性を向上させることが可能に
なり、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十
分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実
に製造することが可能になる。
【００７５】また、請求項９の多層基板の製造方法のよ
うに、結晶化ガラスとして、結晶化前の粘度が１０5.0
Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にあるものを用いる
ようにした場合、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス
粘度の上昇をより確実に抑制することが可能になり、ガ
ラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十分なはん
だ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実に製造す
ることができるようになる。
うに、結晶化ガラスとして、結晶化前の粘度が１０5.0
Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にあるものを用いる
ようにした場合、結晶化ガラスの、結晶化によるガラス
粘度の上昇をより確実に抑制することが可能になり、ガ
ラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十分なはん
だ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実に製造す
ることができるようになる。
【００７６】また、請求項１０の多層基板の製造方法の
ように、グリーンシートとして、結晶化ガラス、又は結
晶化ガラスとセラミックスを含有し、かつ、結晶化ガラ
スの結晶化開始温度が８００〜９００℃の範囲にあるグ
リーンシートを用いることにより、結晶化ガラスの、結
晶化によるガラス粘度の上昇を確実に抑制して、電極と
ガラス含有絶縁層との濡れ性を向上させることが可能に
なり、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十
分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実
に製造することができるようになる。
ように、グリーンシートとして、結晶化ガラス、又は結
晶化ガラスとセラミックスを含有し、かつ、結晶化ガラ
スの結晶化開始温度が８００〜９００℃の範囲にあるグ
リーンシートを用いることにより、結晶化ガラスの、結
晶化によるガラス粘度の上昇を確実に抑制して、電極と
ガラス含有絶縁層との濡れ性を向上させることが可能に
なり、ガラス含有絶縁層への固着強度に優れ、かつ、十
分なはんだ付け性を有する電極を備えた多層基板を確実
に製造することができるようになる。
【００７７】また、本願発明においては、電極材料とし
て種々の材料を用いることが可能であるが、請求項１１
の多層基板の製造方法のように、電極材料としてＡｇを
主たる導電成分とするものを用いるようにした場合、固
着強度に優れた低抵抗の電極を形成することが可能にな
り、本願発明をさらに実効あらしめることが可能にな
る。
て種々の材料を用いることが可能であるが、請求項１１
の多層基板の製造方法のように、電極材料としてＡｇを
主たる導電成分とするものを用いるようにした場合、固
着強度に優れた低抵抗の電極を形成することが可能にな
り、本願発明をさらに実効あらしめることが可能にな
る。
【００７８】また、請求項１２の多層基板の製造方法の
ように、Ａｇを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、ガラスが含まれていない電極ペーストを用いること
により、低抵抗で、固着強度及びはんだ付け性に優れた
電極を形成することができるようになり、本願発明をよ
り実効あらしめることができる。
ように、Ａｇを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、ガラスが含まれていない電極ペーストを用いること
により、低抵抗で、固着強度及びはんだ付け性に優れた
電極を形成することができるようになり、本願発明をよ
り実効あらしめることができる。
【００７９】また、請求項１３の多層基板の製造方法の
ように、Ａｇを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎの少な
くとも１種を含有する電極ペーストを用いることによ
り、さらなる電極固着強度の向上が期待できる。
ように、Ａｇを主たる導電成分とする電極ペーストとし
て、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎの少な
くとも１種を含有する電極ペーストを用いることによ
り、さらなる電極固着強度の向上が期待できる。
【００８０】また、請求項１４の多層基板の製造方法の
ように、積層圧着体を焼成するにあたって、無収縮工法
を適用することにより、平面方向の収縮ががなく、しか
も、電極固着強度が大きく、かつ、はんだ付け性に優れ
た多層基板を製造することが可能になり、このようにし
て製造される多層基板を用いることにより、実装部品が
所望の位置に確実に実装されたハイブリッドＩＣなどの
電子部品を効率よく製造することが可能になる。
ように、積層圧着体を焼成するにあたって、無収縮工法
を適用することにより、平面方向の収縮ががなく、しか
も、電極固着強度が大きく、かつ、はんだ付け性に優れ
た多層基板を製造することが可能になり、このようにし
て製造される多層基板を用いることにより、実装部品が
所望の位置に確実に実装されたハイブリッドＩＣなどの
電子部品を効率よく製造することが可能になる。
【図１】本願発明の一実施形態にかかる多層基板を用い
た多層モジュールの要部を示す断面図である。
た多層モジュールの要部を示す断面図である。
【図２】本願発明の一実施形態にかかる多層基板の要部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】電極固着強度評価用の電極ランドパターンを示
す平面図である。
す平面図である。
１ 多層モジュール ２ 多層基板 ３ ビアホール ４ 電極（内部電極層） ５ 電極（表面導体層） ６ 厚膜抵抗体 ７ チップ型コンデンサ ８ 半導体デバイス ９ ガラス含有絶縁層（絶縁体層） １１ 電極（ランド） １２ 基板用のセラミックグリーンシート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB01 BB24 BB31 CC12 DD05 DD51 EE04 GG01 5E346 CC18 CC31 CC32 DD13 EE29 HH07 HH11
Claims (14)
- 【請求項１】表面に電極が形成されたガラス含有絶縁層
が積層された構造を有する多層基板において、 (ａ)前記ガラス含有絶縁層が結晶化ガラスを含有するも
のであり、 (ｂ)前記結晶化ガラスの結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ
・ｓ以下であることを特徴とする多層基板。 - 【請求項２】(ａ)前記ガラス含有絶縁層が、結晶化ガラ
スとセラミックスを含有し、 (ｂ)前記ガラス含有絶縁層中の結晶化ガラスの割合が４
５〜８０体積％の範囲にあり、かつ、結晶化ガラスの結
晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下であるとともに、 (ｃ)前記ガラス含有絶縁層が、表面に形成された電極と
同時に焼成されていることを特徴とする請求項１記載の
多層基板。 - 【請求項３】前記結晶化ガラスの結晶化前の粘度が１０
5.0Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にあることを特徴
とする請求項１又は２記載の多層基板。 - 【請求項４】前記ガラス含有絶縁層中の結晶化ガラスの
結晶化開始温度が８００℃〜９００℃の範囲にあること
を特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層基
板。 - 【請求項５】引張り試験における、前記電極の前記ガラ
ス含有絶縁層への初期固着強度が、平均で５Ｎ／mm２以
上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記
載の多層基板。 - 【請求項６】前記電極が、Ａｇを主たる導電成分とする
電極であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに
記載の多層基板。 - 【請求項７】表面に電極が形成されたガラス含有絶縁層
が積層された構造を有する多層基板の製造方法であっ
て、 結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラス
を含むグリーンシートの表面に電極形成用の電極ペース
トを付与する工程と、 前記電極ペーストを付与したグリーンシートを積層、圧
着して、積層圧着体を形成する工程と、 前記積層圧着体を焼成する工程とを具備することを特徴
とする多層基板の製造方法。 - 【請求項８】前記結晶化ガラスを含むグリーンシートと
して、 (ａ)結晶化ガラスとセラミックスを含有し、 (ｂ)結晶化ガラスの割合が４５〜８０体積％の範囲にあ
り、かつ、 (ｃ)結晶化ガラスの結晶化前の粘度が１０6.0Ｐａ・ｓ
以下であるグリーンシートを用いることを特徴とする請
求項７記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項９】前記結晶化ガラスとして、結晶化前の粘度
が１０5.0Ｐａ・ｓ〜１０6.0Ｐａ・ｓの範囲にある結晶
化ガラスを用いることを特徴とする請求項７又は８記載
の多層基板の製造方法。 - 【請求項１０】前記グリーンシートとして、結晶化ガラ
スとセラミックスを含有し、かつ、前記結晶化ガラスの
結晶化開始温度が８００〜９００℃の範囲にあるグリー
ンシートを用いることを特徴とする請求項７〜９のいず
れかに記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項１１】前記電極形成用の電極ペーストとして、
Ａｇを主たる導電成分とする電極ペーストを用いること
を特徴とする請求項７〜１０のいずれかに記載の多層基
板の製造方法。 - 【請求項１２】前記Ａｇを主たる導電成分とする電極ペ
ーストとして、ガラスが含まれていない電極ペーストを
用いることを特徴とする請求項１１記載の多層基板の製
造方法。 - 【請求項１３】前記Ａｇを主たる導電成分とする電極ペ
ーストとして、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、
Ｚｎの少なくとも１種を含有する電極ペーストを用いる
ことを特徴とする請求項１１又は１２記載の多層基板の
製造方法。 - 【請求項１４】前記積層圧着体を焼成するにあたって、
前記積層圧着体の両面又は片面に、前記積層圧着体の焼
成温度では焼結しない無機系材料からなる拘束層を積層
し、その状態で焼成を行った後、前記拘束層を除去する
方法（無収縮工法）を適用することを特徴とする請求項
７〜１３のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220185A JP3785903B2 (ja) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | 多層基板及びその製造方法 |
| EP01116441A EP1178714A2 (en) | 2000-07-21 | 2001-07-06 | Multilayer board and method for making the same |
| US09/903,039 US20020034614A1 (en) | 2000-07-21 | 2001-07-11 | Multilayer board and method for making the same |
| CN01124864A CN1335745A (zh) | 2000-07-21 | 2001-07-17 | 多层板及其制造方法 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203631A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
| US6942833B2 (en) | 2002-02-26 | 2005-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic multilayer substrate manufacturing method and unfired composite multilayer body |
| JP2008085040A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 多層基板およびその製造方法 |
| JP2009234912A (ja) * | 2009-07-16 | 2009-10-15 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6776861B2 (en) * | 2002-06-04 | 2004-08-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Tape composition and process for internally constrained sintering of low temperature co-fired ceramic |
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Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH01128592A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Nec Corp | セラミック多層配線基板の絶縁層の製造方法 |
| JP2906282B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1999-06-14 | 富士通株式会社 | ガラスセラミック・グリーンシートと多層基板、及び、その製造方法 |
| JPH0918148A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Kyocera Corp | 低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法 |
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-
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- 2001-07-06 EP EP01116441A patent/EP1178714A2/en not_active Withdrawn
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6942833B2 (en) | 2002-02-26 | 2005-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic multilayer substrate manufacturing method and unfired composite multilayer body |
| JP2005203631A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
| JP2008085040A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 多層基板およびその製造方法 |
| JP2009234912A (ja) * | 2009-07-16 | 2009-10-15 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
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