JP2002040529A - 電子閃光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 過充電防止用サイリスターをオンさせるため
のツェナ−ダイオード電流を少なくして、上記のダイオ
ードとして小型なものを採用させる。 【解決手段】 主コンデンサーの充電電圧が所定の電圧
を超えた時にオンとなるツェナ−ダイオードの電流を増
幅し、トリガー回路を作動させるサイリスターの起動電
流として供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子閃光装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】最近のカメラでは電子閃光装置が組み込
まれているものが一般化してきた。この電子閃光装置の
発光は主コンデンサの充電電荷を放電管を介して放電さ
せることで行われるが、主コンデンサの充電電圧は２７
０Ｖ〜３３０Ｖ程度が一般的であり電池を使用した携帯
機器ではかなり高電圧であり特異な回路である。この
為、何らかのトラブルが発生し主コンデンサに過電圧が
印加される恐れがあり、従来から過充電防止回路が設け
られいる。

【０００３】図８に電子閃光装置の主コンデンサへの過
電圧防止に掛る従来例を示す。カメラ全体のシーケンス
は後述することとし、電子閃光装置の説明を簡単に行な
えば、１は電源であるところの電池、２は電池１の電池
電圧を昇圧するための公知である昇圧回路、３は高圧整
流ダイオード、４は抵抗、５は抵抗、６はスイッチ素
子、７も抵抗でスイッチ素子６の制御端子には抵抗４が
プルダウン抵抗として接続されており、抵抗５、７及び
スイッチ素子６の直列回路が後述する主コンデンサに並
列に接続されている。１０は抵抗、１１はコンデンサ、
１２はツェナーダイオードで後述する充電完了の電圧よ
り高いツェナー電圧を有するものである。１３は限流抵
抗、１６は抵抗、１７はサイリスタ、１８はトリガ用コ
ンデンサである。抵抗１５とコンデンサ１１がサイリス
タ１７のゲートとカソード間に並列に接続され、抵抗１
０はサイリスタ１７のゲート電流を制限するよう接続さ
れている。ツェナーダイオード１２と抵抗１３は直列に
接続されスサイリスタ１７のゲートとカソード間を介し
て後述する主コンデンサに並列に接続されている。トリ
ガコンデンサ１８は抵抗１６及び１９のトリガトランス
の一次巻線Ｐを介して２１の主コンデンサと同等の電圧
に充電される。トリガーコイル１９の二次巻線Ｓは２０
の放電管のトリガ電極に接続されている。放電管２０は
主コンデンサ２１に並列に接続されている。

【０００４】この様な構成に於いて、端子ａ，ｂをハイ
レベルとして発振を開始させ昇圧回路からの出力をダイ
オード３を介して主コンデンサ２１に充電を行なう、主
コンデンサが充電完了電圧の所定のレベルになるのを待
つのであるが、何らかのトラブルによりスイッチ素子６
を介した抵抗５、７の分圧レベルが検出が出来なかった
場合には主コンデンサ２１の電圧が充電完了電圧レベル
以上に充電される。尚、抵抗５，７の分圧レベルが所定
値（充電完了電圧）に達すると昇圧回路は不作動となる
ように構成されている。

【０００５】ツェナーダイオード１２は充電完了電圧よ
り高いツェナー電圧に設定されており、主コンデンサ２
１の充電電圧がこのツェナーダイオード１２のツェナー
電圧達するとツェナー電流が流れ始める。この電流は抵
抗１３、及び１５を介して流れ、さらに主コンデンサ２
１の電位が上昇して電流が増加しサイリスタ１７のゲー
ト抵抗１５の電圧印加レベルがサイリスタの作動する電
圧に達するとサイリスタ１７は導通する。このサイリス
タ１７の導通によりコンデンサ１８の充電電荷がトリガ
トランス１９の一次巻線Ｐを介して放電し、放電管２０
のトリガ電極にトリガトランス１９の高電圧パルスが印
加され放電管２０は励起し主コンデンサ２１の充電電荷
を一気に放電することで放電管２０は発光する。この発
光は充電タイマーのカウント期間中繰り返し行われ発光
タイマーのカウントアップで終了する。この様に主コン
デンサにはツェナーダイオード１２で決定された電圧以
上の過電圧の印加は行われないように構成し過充電が防
止される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ツェナ
ーダイオード１２、抵抗１３を介してサイリスタ１７を
導通させる為にはサイリスタのゲート電流が平均でも Ｉｚ＝０．７Ｖ／Ｒ１５＝７００μＡ （Ｒ１５は抵抗
１５の抵抗値で、耐圧用に通常１ＫΩのものが接続され
る。） 必要であり、また、コンデンサの充電電圧より高い例え
ば３４０Ｖの素子を使用した場合素子のワッテージ；Ｗ
はＷ＝７００μＡ＊３４０Ｖ＝０．２４Ｗとなり、安全
マージンを含めると０．８Ｗ〜１Ｗ程度の定格が必要と
なる。例えば、面実装部品形状では１Ｗクラスでは４．
３ｍｍ（長さ）＊２．４ ｍｍ（幅） ＊１．９ ｍｍ
（高さ）に対して０．２Ｗクラスでは１．７ｍｍ（長
さ）＊１．２５ｍｍ（幅） ＊０．９ ｍｍ（高さ）と
体積では１０倍、基板面積でも５倍大きく小型化に対し
て実装上問題となっていた。また高圧でワッテージの高
い部品はコスト的にも問題があった。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
おいては、電源電圧を昇圧する昇圧回路と、昇圧回路の
出力にて充電される主コンデンサと、該主コンデンサの
蓄積電荷を放電させ光エネルギーに変換する放電管と、
サイリスターを含み、該サイリスターのオンにより放電
管の発光の為の励起を行なうためのトリガ回路と、主コ
ンデンサの充電電圧を検知して、該電圧が所定のレベル
に達した時前記昇圧回路による主コンデンサへの充電動
作を規制する充電制御回路を備えた電子閃光装置におい
て、 主コンデンサの充電電圧が前記所定レベルより高
い所定レベルとなった時オンとなる定電圧素子と、該素
子に流れる電流によりオンとなる第１のスイッチング素
子と、該第１のスイッチング素子を介して流れる電流を
前記サイリスターのゲートに供給して前記サイリスター
をオンとする構成にし、定電圧素子に流れる電流を増幅
して、トリガー回路を作動させるサイリスターを起動さ
せ定電圧素子として小型なものを採用できるようにした
電子閃光装置を提供するものである。

【０００８】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の装置において、前記定電圧素子のオンにより電流が流
れる第１と第２のインピーダンス素子を設けると共に、
前記第１のインピーダンス素子に前記第１のスイッチン
グ素子の制御端子を接続し第１のインピーダンス素子に
流れる電流により第１のスイッチング素子をオンとし、
更に、前記サイリスターのゲートに前記第２のインピー
ダンス素子及び前記第１のスイッチング素子の主電極を
接続したものである。

【０００９】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の装置において、前記定電圧素子と前記第１のインピー
ダンス素子と第２のインピーダンス素子とを直列に接続
し、前記第１のスイッチング素子の制御端子と前記主電
極との間に前記第１のインピーダンス素子を接続し、更
に前記サイリスターのゲート・カソード間に前記第２の
インピーダンス素子を接続したものである。

【００１０】請求項４に記載の発明は、請求項２または
３に記載の装置において、第１のスイッチ素子をトラン
ジスタで構成し、前記第１及び第２のインピーダンス素
子はそれぞれ第１と第２の抵抗で構成し、第１の抵抗を
前記トランジスタの入力抵抗に、第２の抵抗を前記サイ
リスターの入力抵抗となし、Ｒ１／Ｒ２＞１ Ｒ１（第
１の抵抗の抵抗値）Ｒ２（第２の抵抗の抵抗値）の関係
に設定したものである。

【００１１】請求項５に記載の発明は、請求項２または
３の発明において、前記第１のスイッチ素子を絶縁ゲー
トタイプのＦＥＴトランジスタで構成し、前記第１及び
第２のインピーダンス素子をそれぞれ第１と第２の抵抗
で構成し、第１の抵抗を前記ＦＥＴトランジスタの入力
抵抗として、第２の抵抗を前記サイリスターの入力抵抗
として採用し、Ｒ１／Ｒ２＞２ Ｒ１（第１の抵抗の抵
抗値）Ｒ２（第２の抵抗の抵抗値）の関係に設定したも
のである。

【００１２】請求項６に記載の発明は、請求項２または
３の発明において、第１のスイッチ素子をサイリスター
で構成し、前記第１及び第２のインピーダンス素子をそ
れぞれ第１と第２の抵抗で構成し、第１の抵抗を前記第
１のスイッチング素子の入力抵抗として、第２の抵抗を
前記トリガー回路のサイリスターの入力抵抗として採用
し、Ｒ１／Ｒ２＞１ Ｒ１（第１の抵抗の抵抗値）Ｒ２
（第２の抵抗の抵抗値）の関係に設定したものである。

【００１３】請求項７に記載の発明は、電源電圧を昇圧
する昇圧回路と、昇圧回路の出力にて充電される主コン
デンサと、該主コンデンサの蓄積電荷を放電させ光エネ
ルギーに変換する放電管と、サイリスターを含み、該サ
イリスターのオンにより放電管の発光の為の励起を行な
うためのトリガ回路とを有する電子閃光装置において、
主コンデンサの充電電圧が所定レベルとなることにより
オンとなる定電圧素子と、該素子に流れる電流値が所定
の値となった時前記昇圧回路による主コンデンサへの充
電動作を規制する充電制御回路と、前記定電圧素子に流
れる電流が前記所定の値よりも大きな所定の値となるこ
とによりオンとなる第１のスイッチング素子と、該第１
のスイッチング素子を介して流れる電流を前記サイリス
ターのゲートに供給して前記サイリスターをオンとする
構成にし、定電圧素子に流れる電流を増幅し、トリガー
回路を作動させるサイリスターを起動させ定電圧素子と
して小型なものを採用できるようにした電子閃光装置を
提供するものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図１に本発
明の実施例である閃光装置の回路を示し、図２には図１
の閃光装置を内蔵するストロボ内蔵カメラにおけるカメ
ラ制御回路のブロック図を示す。

【００１５】まず、図１で電子閃光装置及びカメラ制御
部との構成を説明する。１は電源であるところの電池、
２は電池１の電池電圧を昇圧するための公知である昇圧
回路、３は高圧整流ダイオード、４は抵抗、５は抵抗、
６はスイッチ素子であるＦＥＴ、７も抵抗でスイッチ素
子６の制御端子には抵抗４がプルダウン抵抗として接続
されており、抵抗５、７及びスイッチ素子６の直列回路
が後述する主コンデンサに並列に接続されている。８は
抵抗、９はスイッチ素子を構成するトランジスタで、抵
抗８はスイッチ素子９が導通した場合に電池１からのＶ
ｂａｔｔ電圧（電池電圧）を限流する様に接続されてい
る。１０は抵抗、１１はコンデンサ、１２はツェナーダ
イオードで後述する充電完了の電圧より高いツェナー電
圧を有するものである。１３は限流抵抗、１４はスイッ
チ素子９の制御電極のプルダウン抵抗である。１６は抵
抗、１７はサイリスタ、１８はトリガ用コンデンサであ
る。抵抗１５とコンデンサ１１がサイリスタ１７のゲー
トとカソード間に並列に接続され、抵抗１０はサイリス
タ１７のゲート電流を制限するよう接続されている。ツ
ェナーダイオード１２と抵抗１３は直列に接続されスイ
ッチ素子９、抵抗１４及びサイリスタ１７のゲートとカ
ソード間を介して後述する主コンデンサに並列に接続さ
れている。トリガコンデンサ１８は抵抗１６及び１９の
トリガトランスの一次巻線Ｐを介して２１の主コンデン
サと同等の電圧に充電される。トリガーコイル１９の二
次巻線Ｓは２０の放電管のトリガ電極に接続されてい
る。放電管２０は主コンデンサ２１に並列に接続されて
いる。

【００１６】以上が図１に示す電子閃光装置の構成でこ
の電子閃光装置を制御する為のカメラ制御ブロックを図
２に示す。

【００１７】図２では、図１で示した電子閃光装置を１
４０の電子閃光装置としてブロックで示した。このカメ
ラ制御回路のブロック構成を説明すれば、１２０は電池
１に接続される定電圧回路ブロックで、１２５のマイク
ロコンピュ−タ（以下マイコンと呼ぶ）からなる制御ブ
ロックからＶＣＣＥＮ端子を介して制御され各回路ブロ
ックに電源であるＶＣＣを供給する。

【００１８】１２１はスイッチ回路ブロックで電池また
はＶｃｃ電源により作動して各スイッチの状態や変化な
どを制御ブロック１２５へ伝達する。１２２は温度検出
回路ブロック、１２３はフィルム感度及び駒数などの情
報を得るフィルム感度検出ブロック、１２４は電池が消
耗されたか否かを確認するためのバッテリーチェック回
路、１２６はシャッターを駆動するシャッター駆動回路
である。１２７は測距回路ブロック、１２８は測光回路
ブロックであり各ブロックは制御ブロック１２５に各端
子を介して必要な情報を伝える。

【００１９】１３０はレンズを駆動するためのレンズ駆
動回路、１３１はフィルムを給送するためのフィルム駆
動回路で、カメラ制御ブロック１２５の制御により各動
作を行う。１２９は表示ブロックであり、例えばＬＣＤ
等に必要な情報を表示するものである。

【００２０】次に、上記の構成のストロボ内蔵カメラの
動作を図３のフローチャートを用いて説明する。

【００２１】尚ここでは、カメラ制御回路側の電源はす
でに投入された状態であり、この状態では図２のカメラ
制御ブロック１２５のマイコンは低消費モードとなって
いて動作が停止しているものとして説明を行う。

【００２２】不図示のカメラのバリア等の部材と連動す
るスイッチ検知回路ブロック１２１内の電源スイッチが
投入されると、マイコンのカメラ制御ブロック１２５は
低消費モードから動作モードとなり作動を開始する。制
御ブロック１２５は低電圧回路ブロック１２０にＶＣＣ
ＥＮ端子を介して信号を与え低電圧ブロック１２０は各
回路ブロックに電源Ｖｃｃを供給する。

【００２３】ここで図３のフローチャートに従えば、カ
メラ制御ブロック１２５のマイコンに必要な初期設定を
行う（Ｓ１）。次にスイッチ検知回路１２１に電源Ｖｃ
ｃを供給してスイッチを検出する（Ｓ２）。

【００２４】ここで、不図示の撮影準備を行う為のレリ
ーズボタン（ＳＷ１）の半押し状態である第一ストロー
ク操作によりＳＷ１のｏｎを検出すると（Ｓ３）、所定
のカウンタを初期状態にセットし（Ｓ４）、更にバッテ
リーチェックを行って（Ｓ５）、カメラの撮影に必要な
電源状態にあるか無いかを判断し（Ｓ６）、充分で無い
場合はＳ２に戻り、電源が充分と判断されると端子ＡＦ
ＥＮに信号を与え測距回路ブロック１２７を作動させて
被写体までの距離を測距する（Ｓ７）。なお、測距情報
はＡＦＤ端子よりカメラ制御ブロック１２５に与えられ
る。

【００２５】続いてＡＥＥＮ端子に信号を送ることで測
光回路ブロック１２８を作動させて被写体の輝度を測定
し、この情報を端子ＡＥＤを介してカメラ制御ブロック
１２５に与える（Ｓ８）。そして、この輝度データから
被写体輝度が所定輝度より明るいか暗いかを判定し、輝
度が低い場合にはフラッシュモードに進む（Ｓ９）。

【００２６】ここでフラッシュモードの動作についての
説明は図４のフローチャートを用いて行う。

【００２７】ここでは、先ず、充電時間が長くなった場
合に充電を打ち切るためのタイマーである充電タイマー
例えば１０〜１５秒程度の時間であるタイマーをセット
し（Ｓ１０１）、次に、充電を開始する為、図２に示す
カメラ制御ブロック１２５から接続端子ａ及びｂにハイ
レベルの信号を与える（Ｓ１０２）。このことにより、
図１に於いて昇圧回路の制御端子ａがハイレベルとなる
と昇圧回路は発振を開始する。また制御端子ｂはスイッ
チ素子６の制御電極に接続されている事から制御端子ｂ
がハイレベルとなることでスイッチ素子６は導通し、主
コンデンサ２１の充電電圧はスイッチ素子６を介して抵
抗５及び７にて分圧された電圧として図２のカメラ制御
ブロック１２５へ接続端子ｃを介して与えられる。

【００２８】こうして充電が行われる間、図４のシーケ
ンスで主コンデンサ２１の充電電圧が所定の電圧に充電
されるまで、抵抗５及び７にて分圧される電圧を確認
（Ｓ１０３）する。この分圧電圧が所定レベルに達しな
い場合には、充電タイマーが所定時間をカウントしたか
どうかを確認（Ｓ１０４）し充電タイマーが所定時間以
内であればＳ１０３に戻る、このＳ１０３とＳ１０４の
ループにて充電タイマーのカウントアップ以前に充電が
完了すると、充電が完了した事を示すフラグをたてて
（Ｓ１０５）、Ｓ１０６に進む。Ｓ１０６では充電を停
止する為に、接続端子ａ，ｂをハイレベルからロウレベ
ルとする。また、Ｓ１０４で充電が完了以前に充電タイ
マーがカウントアップすると、充電が完了しないＮＧフ
ラグをたてて（Ｓ１０８）、次に進み接続端子ａ，ｂを
ハイレベルからロウレベルとして昇圧回路を停止させて
充電を停止すると共にスイッチ素子６を非導通状態とし
て主コンデンサ２１の電圧検出も停止する（Ｓ１０
６）。

【００２９】スイッチ素子６の非導通により主コンデン
サ２１に充電されたエネルギーが分圧抵抗５、７により
放電されることも防止される。次に、充電タイマーをリ
セット（Ｓ１０７）して充電タイマーを停止させフラッ
シュモードを終了し図３ののシーケンスにもどる。

【００３０】フラッシュモードＳ１０を抜けると、フラ
ッシュモード図４でのＳ１０５、Ｓ１０８での充電完了
フラグ及びＮＧフラグを確認し、充電が完了していない
ＮＧの場合はＳ２に戻り、ＯＫで有ればＳ１２へ進む
（Ｓ１１）。次に不図示のスイッチが撮影準備のための
第一ストローク状態から撮影開始のためのスイッチの第
二ストローク（全押し操作）が入るのを待つ（Ｓ１
２）。第二ストロークの入力により、Ｓ７での測距デー
タに基づき図２のレンズ駆動回路ブロック１３０を制御
して焦点調整を行う（Ｓ１３）。さらに、Ｓ８で得られ
た被写体の輝度と図２のフィルム感度検知回路１２３か
らのＦＩＭＤデータ等から演算されたシャター開口を図
２のシャッター駆動回路ブロック１２６を介して制御す
る、ここで、輝度が低く電子閃光装置が必要な場合には
Ｓ７での測距データとフィルム感度のＦＩＭＤデータに
よりシャッター制御を行い適正な絞り値で電子閃光装置
を発光させる。

【００３１】電子閃光装置の発光は図１、図２の端子ｄ
にハイレベル信号を与えて行う。端子ｄにハイレベル信
号が与えられると、図１の抵抗１０を介してサイリスタ
１７にゲート電流が与えられサイリスタ１７は導通す
る。ここで抵抗１５はサイリスタの耐電圧補償用抵抗、
コンデンサ１１は不用意なノイズにより誤点弧を防止す
るためのものである。サイリスタ１７の導通により予め
抵抗１６、トリガトランス１９の一次巻線Ｐを介して主
コンデンサ２１により充電されていたトリガーコンデン
サ１８の電荷はトリガトランス１９の一次巻線Ｐを介し
て放電するため、二次巻線Ｓに高圧のパルス電圧が発生
しこの高圧パルスが放電管２０のトリガー電極に与えら
れ、放電管２０が励起される。この励起により放電管２
０は一気にインピーダンスが低下し、主コンデンサ２１
の充電エネルギーが放電されることで電荷が光エネルギ
ーに変換され被写体を照明する。更にその後、電子閃光
装置を使用した場合フラッシュフラグＦＡＬを１にセッ
トする（Ｓ１４）。

【００３２】シャッターが閉成されると、図２のレンズ
駆動回路ブロック１３０のＬＮＺＤＲＶ端子を制御して
焦点位置にあったレンズを初期位置に戻す（Ｓ１５）。
そして、撮影の終了したフィルムを図２のフィルム駆動
回路ブロック１３１のＦＩＬＭＤＲＶ端子を制御して１
駒分巻き上げる（Ｓ１６）。

【００３３】次に、電子閃光装置を使用した事を示すフ
ラッシュフラグＦＡＬに“１”が立っているかを確認す
る（Ｓ１７）。フラッシュＦＡＬに“１”が立っていれ
ば、フラッシュモードに進みして前記図３のシーケンス
でＳ１０と同様に主コンデンサの充電を行なって（Ｓ１
８）一連のシーケンスを終了する。尚、閃光装置を使用
しない場合にはＳ１８を通過しＳ２に戻り一連のシーケ
ンスを終了する。

【００３４】この図３及び図４のシーケンスでは、安全
回路動作の説明されていないので安全回路動作の説明を
行なう。図３のフラッシュモードＳ１０は、図４のシー
ケンスで前述の様に行われるが、Ｓ１０１で端子ａ，ｂ
をハイレベルとして発振を開始させ、Ｓ１０２で充電タ
イマーを作動させ、Ｓ１０３、Ｓ１０４のループで主コ
ンデンサ２１が充電タイマー期間中に所定の充電完了レ
ベルになるのを待つのであるが、何らかのトラブルによ
りスイッチ素子６を介した抵抗５、７の分圧レベルがカ
メラ制御回路１２５に於いて検出が出来なかった場合に
は主コンデンサ２１の電圧が充電完了電圧レベル以上に
充電される。前述の通りツェナーダイオード１２は充電
完了電圧より高いツェナー電圧に設定されおり、主コン
デンサ２１の充電電圧がこのツェナーダイオード１２の
ツェナー電圧達するとツェナー電流が流れ始める。この
電流は抵抗１３、１４及び１５を介して流れ、抵抗１４
に発生する電圧がスイッチ素子９の作動電圧に達する
と、ベース電流が流れコレクタにはｈＦＥ倍された電流
が流れる。さらに主コンデンサ２１の電位が上昇してコ
レクタ電流が増加しサイリスタ１７のゲート抵抗１５に
サイリスタが作動する電圧に達するとサイリスタ１７は
導通する。このサイリスタ１７の導通によりコンデンサ
１８の充電電荷がトリガトランス１９の一次巻線Ｐを介
して放電し、放電管２０のトリガ電極にトリガトランス
１９の高電圧パルスが印加され放電管２０は励起し主コ
ンデンサ２１の充電電荷を一気に放電することで放電管
２０は発光する。この発光は充電タイマーのカウント期
間中繰り返し行われ発光タイマーのカウントアップで終
了する。

【００３５】この場合抵抗１５と１４との関係はサイリ
スタ１７のゲートとカソードの起動電圧ＶＧＫとスイッ
チ素子、すなわちここではトランジスタ９のベース電圧
ＶＢＥがほぼ同等とすれば（一般的にＶＧＫとＶＢＥは
ほぼ等しい）、トランジスタ９がサイリスタ１７よりは
やく導通する為の条件では Ｒ１４＞Ｒ１５ Ｒ１４；抵抗１４の抵抗値 Ｒ１５；抵抗１５の抵抗値 が必要な条件となる。

【００３６】実際のツェナーは高圧のもので小型なもの
は２００ｍＷ程度であり１００μＡ程度でツェナー高圧
が規定されているのが一般的である。従って、１００μ
Ａでサイリスタ１７が導通するよう設定すればよい。

【００３７】サイリスタのゲート抵抗であるＲ１５は１
ＫΩと耐圧保証の為規定されており、Ｒ１４は約１００
μＡでトランジスタ９が作動するとすれば、大まかに Ｒ１４＝ＶＢＥ／１００μＡ≒７．２ｋΩ 程度の設定で良い。トランジスタのｈFE＝１００程度と
するとベース電流Ｉｂは下記式より（１＋ｈEF）＊Ｉｂ
＋ＶBE／Ｒ１４＝ＶGK／Ｒ１５ ＶBE＝ＶGK＝０．７Ｖ
Ｉｂ≒６μＡで、ツェナ−ダイオードに流れる電流はＩ
ｚ＝６μＡ＋ＶBE／７．２ｋΩ＝１０３μＡ （ＶBE：
トランジスタのベースエミッタ電圧 ＶGK：サイリスタ
ーのゲートカソード電圧 Ｉｂ：トランジスタのベース
電流 Ｉｚ：ツェナーダイオードの電流）程度でサイリ
スタ１７が導通する事となる。

【００３８】ここで抵抗８に関してはｈＦＥ倍の電流を
限流しないよう設定すればよい。また、抵抗１３は無く
ても良い。ここでは万一ツェナーダイオード１２がショ
ート事故などを起こした場合の保護抵抗として挿入して
おり、他の部品へ不具合を生じさせることを防止するも
ので、その抵抗値は１ｋΩ〜３０ｋΩ程度で良い、この
場合Ｉｚ＊Ｒ１３の検知差が発生するが３Ｖ程度であり
問題はない。

【００３９】尚、ワッテージは、ＩＺ＊Ｖｚ＝１０３μ
Ａ＊３４０Ｖ＝３５ｍＷで２００ｍＷの最大定格に対し
て充分であり今後の更に小さな最大定格品が出現した場
合でも充分対応が可能である。

【００４０】又、ここではサイリスタ１７のゲートター
ンオン電流ＩGTは小さいとして無視した。

【００４１】（第２の実施の形態）図５は第２の実施の
形態を示す回路図である。この図５では、図１に示すス
イッチ素子９をゲート絶縁タイプのｎ−ｃｈ ＦＥＴト
ランジスタを使用したものである。尚、メインのシーケ
ンスなどは同様であるためシーケンスの動作説明は省略
する。

【００４２】この場合抵抗１５と１４との関係はサイリ
スタ１７のゲートとカソードの起動電圧ＶＧＫとスイッ
チ素子、すなわちここではｎ−ｃｈ ＦＥＴトランジス
タ９のゲート駆動電圧ＶGSにより決定する。ゲート駆動
電圧ＶGSは現在一般的にＶＧＳは１．５Ｖ〜２．５Ｖ程
度である。

【００４３】従って、 Ｒ１４／Ｒ１５＞ＶGS／ＶGK≒２〜３．６ Ｒ１４；抵抗１４の抵抗値 Ｒ１５；抵抗１５の抵抗値 ＶGKは０、７Ｖ が必要な条件となる。

【００４４】実際のツェナーは高圧のもので前述の通り
小型なものは２００ｍＷ程度であり１００μＡ程度でツ
ェナー高圧が規定されているのが一般的である。従っ
て、１００μＡでサイリスタ１７が導通するよう設定す
ればよい。

【００４５】サイリスタのゲート抵抗であるＲ１５は１
ＫΩと耐圧保証の為規定されており、Ｒ１４は約１００
μＡでトランジスタ９が作動するとすれば、大まかに Ｒ１４＝１．５Ｖ／１００μＡ 〜２．５Ｖ／１００μ
Ａ≒１５ ｋΩ〜２５ｋΩ 程度の設定で良い。ここで抵抗８に関してはゲート絶縁
タイプのＦＥＴトランジスタの導通時の必要電流を限流
しないよう設定すればよい。

【００４６】尚、ワッテージは、第１の実施の形態と同
様に３５ｍＷ程度で２００ｍＷの最大定格に対して充分
であり今後の更に小さな最大定格品が出現した場合でも
充分対応が可能である。

【００４７】（第３の実施の形態）図６に第３の実施の
形態である電子閃光装置を示す。

【００４８】ここで図１の電子閃光装置のスイッチ素子
であるトランジスタ９に対してサイリスタを使用したも
のである。同等の機能を有するものには同一記号を付し
た。追加された素子は２３のコンデンサ及び２４の抵抗
の２素子で、この直列回路がスイッチ素子であるサイリ
スタ９のアノードとサイリスタ１７のカソード間に接続
されている。

【００４９】この場合抵抗１５と１４との関係はサイリ
スタ１７のゲートとカソードの起動電圧ＶGKとスイッチ
素子、ここではサイリスタ９の起動電圧ＶGKにより決定
する。

【００５０】従って、 Ｒ１４／Ｒ１５＞ＶGK／ＶGK＝１ Ｒ１４；抵抗１４の抵抗値 Ｒ１５；抵抗１５の抵抗値 が必要な条件となる。

【００５１】実際のツェナーは高圧のもので前述の通り
小型なものは２００ｍＷ程度であり１００μＡ程度でツ
ェナー高圧が規定されているのが一般的である。従っ
て、１００μＡでサイリスタ９が導通するよう設定すれ
ばよい。従って、ＶGK＝０．７Ｖとすれば Ｒ１４＝０．７Ｖ／１００μＡ ≒７．２ ｋΩ 程度の設定で良い。尚、ゲートとカソード間抵抗値が高
いと耐圧が下がり、保持電流も小さくなるがＶｂａｔｔ
の低圧駆動であり素子を選定することは容易である。

【００５２】従って、この様な構成で主コンデンサ２１
の充電電圧が充電完了電圧を越えて充電が行われ、とツ
ェナーダイオード１２のツェナー電圧を超えるとツェナ
ー電流が流れるこの電流が１００μＡとなるとサイリス
タ９のゲート抵抗１４には約０．７Ｖの駆動電圧が発生
しサイリスタ９は導通し、予め電源より抵抗８、２４を
介して充電されていたコンデンサ２３の電荷がサイリス
タ９のアノードからカソードサイリスタ１７のゲートか
らカソード及び抵抗２４を介して流れサイリスタ１７が
導通し放電管２０は前述ように発光にいたる。ここで抵
抗８はサイリスタ９の電源よりの電流を保持電流以下に
限流するよう設定される。又、コンデンサ２３、抵抗２
４はサイリスタ１７の導通に必要なゲート電流印加時間
約１０〜１００μｓｅｃ程度を満足する時定数にて決定
される。

【００５３】尚、ワッテージは、前述の各実施の形態と
同様に３５ｍＷ程度で２００ｍＷの最大定格に対して充
分であり今後の更に小さな最大定格品が出現した場合で
も充分対応が可能であることは言うまでもない。

【００５４】（第４の実施の形態）図７に第４の実施の
形態を示す。

【００５５】この図７は図１の回路に対して電圧検出回
路を構成していた抵抗４、５、スイッチ素子６、抵抗７
及び制御端子ｂを削除し、トランジスタ９のベースに接
続端子ｃを設けている構成である。不図示ではあるが、
接続端子Ｃの電圧はカメラ制御回路１２５へ接続されＡ
／Ｄ変換器またはコンパレータを介して所定電圧に達し
たかを検出し、所定電圧に達した時点で充電完了電圧と
し、昇圧を停止させるよう構成されている。

【００５６】この構成に於いて、他の実施の形態と異な
る部分の説明を行なう。

【００５７】ツェナーダイオード１２は充電完了電圧を
検出するもので前述の形態と異なる。従って、ツェナー
電流が１００μＡで充完了電圧レベルを設定すれば、
Ａ／Ｄ変換器またはコンパレータの所定検出レベルを
０．５Ｖ程度とすると （Ｒ１４＋Ｒ１５）＝０．５ Ｖ／１００μＡ＝５ＫΩ Ｒ１５＝１ＫΩである事からＲ１４は抵抗のＥ２４系列
から３．９ＫΩ程度となる。

【００５８】従って、０．５Ｖ／（１ｋΩ＋３．９ｋ
Ω）＝１０２μＡで充電完了電圧となる、トランジスタ
のｈFE＝１００程度とすれば、ベース電流は下記式より （１＋ｈEF）＊Ｉｂ＋ＶBE／Ｒ１４＝ＶGK／Ｒ１５ Ｖ
BE＝ＶGK＝０．７ＶＩｂ≒５．６μＡで、Ｉｚ＝５．６
μＡ＋ＶBE／５．１ｋΩ＝１４３μＡ 程度でサイリスタ１７が導通する事となる。従って放電
管２０は発光し、この発光は充電動作が停止されないた
め充電タイマーのカウント期間中繰り返し行われ発光タ
イマーのカウントアップで発光は終了する。

【００５９】ここで抵抗８に関しては第一の実施例同様
ｈＦＥ倍の電流を限流しないよう設定すればよい。

【００６０】また、検出電圧は０．５Ｖとしたがスイッ
チ素子９が充電完了電圧で作動しないレベルであれば
０．５Ｖに限るものではない。

【００６１】尚、ワッテージは、Ｉｚ＊Ｖｚ＝１４３μ
Ａ＊３３０Ｖ＝４７ｍＷで２００ｍＷの最大定格に対し
て充分で他の実施例と同様に、更に小さな最大定格品が
出現した場合でも充分対応が可能である。

【００６２】又、ここでもサイリスタ１７のゲートター
ンオン電流ＩＧＴは小さいとして無視した。

【００６３】サイリスタ１７の導通により発光に至るま
では前述と同様なので省略する。

【００６４】

【発明の効果】以上説明した様に、各請求項に記載の本
発明は、主コンデンサへの過電圧の印加を防止するため
の安全回路において、スイッチ素子で定電圧素子の検出
電流を増幅するため、定格の大きな部品を使用すること
なく小型化が可能で、コスト的にも軽減が可能となっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子閃光装置を示す回路図である。

【図２】本発明のカメラの制御回路と電子閃光装置のブ
ロック図を示す。

【図３】本発明のカメラのフローチャートを示す。

【図４】本発明のフラッシュシーケンスのフローチャー
トを示す。

【図５】本発明の第二の実施形態の電子閃光装置の回路
図を示す。

【図６】本発明の第三の実施形態の電子閃光装置の回路
図を示す。

【図７】本発明の第四の実施形態の電子閃光装置の回路
図を示す。

【図８】従来の電子閃光装置の回路図を示す。

【符号の説明】

１ 電源電池 ２ 昇圧回路 ９ スイッチ素子 １７ サイリスタ １９ トリガトランス ２０ 放電管 ２１ 主コンデンサ １２５ カメラの制御ブロック

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電源電圧を昇圧する昇圧回路と、昇圧回
   路の出力にて充電される主コンデンサと、該主コンデン
   サの蓄積電荷を放電させ光エネルギーに変換する放電管
   と、サイリスターを含み、該サイリスターのオンにより
   放電管の発光の為の励起を行なうためのトリガ回路と、
   主コンデンサの充電電圧を検知して、該電圧が所定のレ
   ベルに達した時前記昇圧回路による主コンデンサへの充
   電動作を規制する充電制御回路を備えた電子閃光装置に
   おいて、 主コンデンサの充電電圧が前記所定レベルより高い所定
   レベルとなった時オンとなる定電圧素子と、該素子に流
   れる電流によりオンとなる第１のスイッチング素子と、
   該第１のスイッチング素子を介して流れる電流を前記サ
   イリスターのゲートに供給して前記サイリスターをオン
   とすることを特徴とする電子閃光装置。
2. 【請求項２】 前記定電圧素子のオンにより電流が流れ
   る第１と第２のインピーダンス素子を設けると共に、前
   記第１のインピーダンス素子に前記第１のスイッチング
   素子の制御端子を接続し第１のインピーダンス素子に流
   れる電流により第１のスイッチング素子をオンとし、更
   に、前記サイリスターのゲートに前記第２のインピーダ
   ンス素子及び前記第１のスイッチング素子の主電極を接
   続したことを特徴とする請求項１に記載の電子閃光装
   置。
3. 【請求項３】 前記定電圧素子と前記第１のインピーダ
   ンス素子と第２のインピーダンス素子とを直列に接続
   し、前記第１のスイッチング素子の制御端子と前記主電
   極との間に前記第１のインピーダンス素子を接続し、更
   に前記サイリスターのゲート・カソード間に前記第２の
   インピーダンス素子を接続したことを特徴とする請求項
   ２に記載の電子閃光装置。
4. 【請求項４】 第１のスイッチ素子はトランジスタであ
   り、前記第１及び第２のインピーダンス素子はそれぞれ
   第１と第２の抵抗であり、第１の抵抗は前記トランジス
   タの入力抵抗であり、第２の抵抗は前記サイリスターの
   入力抵抗であり、 Ｒ１／Ｒ２＞１ Ｒ１（第１の抵抗の抵抗値）Ｒ２（第
   ２の抵抗の抵抗値）の関係にあることを特徴とする請求
   項２または３に記載の電子閃光装置。
5. 【請求項５】 前記第１のスイッチ素子は絶縁ゲートタ
   イプのＦＥＴトランジスタであり、前記第１及び第２の
   インピーダンス素子はそれぞれ第１と第２の抵抗であ
   り、第１の抵抗は前記ＦＥＴトランジスタの入力抵抗で
   あり、第２の抵抗は前記サイリスターの入力抵抗であ
   り、 Ｒ１／Ｒ２＞２ Ｒ１（第１の抵抗の抵抗値）Ｒ２（第
   ２の抵抗の抵抗値）の関係にあることを特徴とする請求
   項２または３に記載の電子閃光装置。
6. 【請求項６】 第１のスイッチ素子はサイリスターであ
   り、前記第１及び第２のインピーダンス素子はそれぞれ
   第１と第２の抵抗であり、第１の抵抗は前記第１のスイ
   ッチング素子の入力抵抗であり、第２の抵抗は前記トリ
   ガー回路のサイリスターの入力抵抗であり、Ｒ１／Ｒ２
   ＞１ Ｒ１（第１の抵抗の抵抗値）Ｒ２（第２の抵抗の
   抵抗値）の関係にあることを特徴とする請求項２または
   ３に記載の電子閃光装置。
7. 【請求項７】 電源電圧を昇圧する昇圧回路と、昇圧回
   路の出力にて充電される主コンデンサと、該主コンデン
   サの蓄積電荷を放電させ光エネルギーに変換する放電管
   と、サイリスターを含み、該サイリスターのオンにより
   放電管の発光の為の励起を行なうためのトリガ回路とを
   有する電子閃光装置において、 主コンデンサの充電電圧が所定レベルとなることにより
   オンとなる定電圧素子と、該素子に流れる電流値が所定
   の値となった時前記昇圧回路による主コンデンサへの充
   電動作を規制する充電制御回路と、前記定電圧素子に流
   れる電流が前記所定の値よりも大きな所定の値となるこ
   とによりオンとなる第１のスイッチング素子と、該第１
   のスイッチング素子を介して流れる電流を前記サイリス
   ターのゲートに供給して前記サイリスターをオンとする
   ことを特徴とする電子閃光装置。