JP2002028430A

JP2002028430A - ガス処理装置

Info

Publication number: JP2002028430A
Application number: JP2000211366A
Authority: JP
Inventors: Kenkichi Kagawa; 謙吉香川; Teiichi Usami; 禎一宇佐見; Hiroyuki Takimoto; 浩之瀧本; Nobukatsu Takeuchi; 伸勝武内
Original assignee: Daikin Industries Ltd
Current assignee: Daikin Industries Ltd
Priority date: 2000-07-12
Filing date: 2000-07-12
Publication date: 2002-01-29

Abstract

(57)【要約】【課題】脱臭装置において、吸着ロータや触媒の処理
能力を維持してランニングコストの増加を抑えるように
する。【解決手段】脱臭装置１０は、被処理ガスを脱臭処理
可能な装置であって、吸着ロータ２０及び触媒処理部３
６と、第１及び第２加熱部３３，３５及び送風部３１
と、切換部１９とを備えている。吸着ロータ２０及び触
媒処理部３６はガスを高低２段階の温度で処理可能なも
のである。第１及び第２加熱部３３，３５及び送風部３
１は、吸着ロータ２０及び触媒処理部３６を第１温度と
第１温度より高温の第２温度とに加熱可能なものであ
る。切換部１９、第１温度による第１ガス処理と、第１
温度より高い第２温度による第２ガス処理とのいずれか
の処理に行うために、第１及び第２加熱部３３，３５及
び送風部３１による加熱温度を第１温度及び第２温度の
いずれかに切換可能なものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガス処理装置、特
に、ガスを処理可能なガス処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】空気清浄装置や脱臭装置などのガス処理
装置では、被処理ガスに含まれる成分を処理するために
吸着体や触媒等の処理体が使用されている。たとえば、
脱臭装置には、被処理ガスに含まれる臭気の成分を吸着
するための吸着体と、吸着体に吸着された臭気の成分を
脱着して吸着体を再生したときに生じる臭気の成分を分
解するための熱触媒が使用されている。また、空気清浄
装置では、被処理ガスに含まれるＮＯｘやＶＣＯなどの
有害成分を処理するために吸着体や触媒が使用されてい
る。

【０００３】これらのガス処理装置では、臭気成分や有
害成分とともに被処理ガスに含まれるタール成分や硫黄
化合物やハロゲンガスなどの被毒物質が処理体の表面に
堆積する被毒が生じ、ガス処理装置の処理能力が低下す
ることがある。

【０００４】従来、被毒物質が含まれると予想されるガ
スを処理する脱臭装置の触媒に対しては、被毒物質によ
る被毒を受けにくくするために、ガスの分解処理に必要
な温度より高い３５０℃以上の温度条件に触媒の加熱温
度を設定している。吸着体の場合、常時高温雰囲気に曝
すことは無理であるので、被毒物質により処理能力が低
下すると吸着体を交換している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記従来の構成では、
触媒の場合、被毒物質の除去のために加熱温度を高くし
ているので、ガス処理に対して大きなエネルギーが必要
になり、ガス処理装置のランニングコストが高くなる。
また、吸着体の場合、被毒物質により処理能力が低下す
ると吸着体を交換しているので、やはりランニングコス
トが高くなる。

【０００６】本発明の課題は、ガス処理装置において、
処理体の処理能力を維持してランニングコストの増加を
抑えることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係るガス処理
装置は、ガスを処理可能な装置であって、処理体と、加
熱手段と、切換手段とを備えている。処理体はガスを高
低２段階の温度で処理可能なものである。加熱手段は、
処理体を第１温度と第１温度より高温の第２温度とに加
熱可能なものである。切換手段は、第１温度による第１
ガス処理と、第１温度より高い第２温度による第２ガス
処理とのいずれかの処理に行うために、加熱手段による
加熱温度を第１温度及び第２温度のいずれかに切換可能
な手段である。

【０００８】このガス処理装置では、処理体の温度を切
換手段により加熱手段の加熱温度を切り換える。第１ガ
ス処理では第１温度で処理体を加熱して通常の第１ガス
処理を行う。そして、被毒物質の除去などの特別な処理
を行う場合、第２温度に切り換えて第２ガス処理を行
う。ここでは、加熱手段の加熱温度を切換手段により２
段階に切り換えてガス処理を行えるようにしたので、通
常の処理と特別の処理とを選択できる。このため、低温
の第１温度での第１ガス処理によりランニングコストの
増加を抑えることができるとともに、高温の第２温度で
の短時間の第２ガス処理により処理能力を維持できる。

【０００９】請求項２に係るガス処理装置は、請求項１
に記載の装置において、処理体は、処理体の処理能力を
低下させる被毒物質と複数成分とを有するガスの複数成
分の少なくともひとつを処理可能であるとともに被毒物
質を温度に応じて除去可能であり、切換手段は、ガスの
処理対象の成分を処理体で処理可能な第１温度による第
１ガス処理と、処理体に付着した被毒物質を除去可能な
第２温度による第２ガス処理とのいずれかの処理に行う
ために、加熱手段による処理体の加熱温度を第１温度及
び第２温度のいずれかに切り換える。この場合には、通
常は、処理体を第１温度に加熱して低温の第１ガス処理
によってガスに含まれる成分の処理を行う。そして、処
理体の能力の低下や処理時間等に応じて処理体を高温の
第２温度に短時間加熱して第２ガス処理により被毒物質
を処理体から除去することができる。ここでいう被毒物
質の除去とは、被毒物質を化学的に除去する分解や物理
的に除去する脱離を含んでいる。ここでは、通常は低温
の第１ガス処理により成分を処理してランニングコスト
の増加を抑えることができるととも、短時間の第２ガス
処理により被毒物質を除去して処理体の処理能力を維持
できる。

【００１０】請求項３に係るガス処理装置は、請求項１
又は２に記載の装置において、加熱手段は、ガスを加熱
可能な加熱体と、加熱体を通して処理体に向けてガスを
送風可能な送風手段とを有し、切換手段は、送風手段の
送風量を異ならせることによりガスを介して処理体の加
熱温度を切り換える。この場合には、加熱体の温度設定
を一定に維持した状態で送風量を上げると、ガスの温度
が下がり第１温度に処理体を加熱でき、送風量を下げる
と、温度が上がり第２温度に処理体を加熱できる。この
ため、第２ガス処理時の送風量（処理能力）は低減する
が、第２ガス処理時にエネルギーの消費をさらに抑える
ことができ、ランニングコストを低減させることができ
る。

【００１１】請求項４に係るガス処理装置は、請求項２
又は３に記載の装置において、処理体は、被毒物質が含
まれるガスから被毒物質と成分とを吸着可能な吸着体で
ある。この場合には、処理体として吸着体を用いても交
換頻度を減らすことができ、処理能力を維持してランニ
ングコストを低減させることができる。

【００１２】請求項５に係るガス処理装置は、請求項４
に記載の装置において、複数成分の少なくともひとつ
は、ガスに含まれる臭気の成分であり、吸着体は臭気の
成分を吸着する回転吸着体である。この場合には、吸着
体を回転させることができるので、吸着処理と吸着され
た成分を除去する第１ガス処理又は被毒物質を除去する
第２ガス処理とを並行して行うことができる。

【００１３】請求項６に係るガス処理装置は、請求項２
又は３に記載の装置において、処理体は、被毒物質を含
むガスから被毒物質が付着しかつ成分を分解処理する触
媒である。この場合には、処理体として触媒を用いても
短時間の第２ガス処理で被毒物質を除去することがで
き、従来のように常に第２ガス処理を行う場合に比べて
処理能力を維持してランニングコストを低減させること
ができる。

【００１４】請求項７に係るガス処理装置は、請求項１
から６のいずれかに記載の装置において、処理体の処理
能力に基づき、第１温度と第２温度とに切換手段を切り
換え制御する制御手段をさらに備える。この場合には、
切換手段をたとえば手動操作により切り換える構成に比
べて動作を自動化でき、装置の省力化を図ることができ
る。しかも、処理能力に基づいてたとえば短時間第２ガ
ス処理を行えるので、処理能力の低下を確実に防止でき
る。

【００１５】請求項８に係るガス処理装置は、請求項６
に記載の装置において、制御手段は、処理体の処理能力
が所定以下になると、第２ガス処理を行うべく切換手段
を制御して第２温度にする。この場合には、処理能力に
応じて加熱温度が切り換わるので処理能力の低下を確実
に防止できる。

【００１６】請求項９に係るガス処理装置は、請求項８
に記載の装置において、処理体のガス流通流方向の下流
側に設けられた、成分の濃度検出可能な濃度検出手段を
さらに備え、制御手段は、濃度が所定値以上になると第
２温度にする。この場合には、濃度により処理能力を検
出しているので、処理能力の低下をさらに確実に防止で
きる。

【００１７】請求項１０に係るガス処理装置は、請求項
１から６のいずれかに記載の装置において、処理体の処
理時間に基づき、第１温度と第２温度とに切換手段を切
り換え制御する制御手段をさらに備える。この場合に
は、切換手段をたとえば手動操作により切り換える構成
に比べて動作を自動化でき、装置の省力化を図ることが
できる。しかも、処理時間によって切換手段を制御して
いるので、検出手段が不要になり、制御系の構成が簡素
になり、制御に要するコストを削減できる。

【００１８】請求項１２に係るガス処理装置は、請求項
１０に記載の装置において、制御手段は、処理時間が所
定時間以上になると、第２ガス処理を行うべく前記切換
手段を制御して前記第２温度にする。この場合には、処
理時間を処理能力の低下を確実に防止し得る時間に設定
することにより、処理能力の低下を簡素な制御で防止で
きる。

【００１９】

【発明の実施の形態】〔全体構成〕図１において、本発
明の一実施形態による熱交換装置を採用した脱臭装置１
０は、主に塗装工場や清掃工場などの比較的異臭を放ち
やすい工場内の臭気を取り除くための装置である。

【００２０】脱臭装置１０は、臭気の成分を含む被処理
ガスを吸着処理により無臭化するとともに、吸着された
成分を加熱された再生用ガスを使用して脱着処理しさら
に脱着された成分を分解処理する装置である。脱臭装置
１０は、上下に分かれた２つの収納空間１１ａ，１１ｂ
を内部に有するケーシング１１と、ケーシング１１の下
収納空間１１ｂに主に配置された吸着処理部１２と、吸
着処理部１２に近接して配置された再生処理部（脱着処
理手段の一例）１３と、ケーシング１１の上収納空間１
１ａに配置された分解処理部１４、脱臭装置１０を制御
する制御部１５とを備えている。

【００２１】ケーシング１１は、矩形枠状の部材であ
り、内部に前述した上下の収納空間１１ａ，１１ｂが形
成されるとともに、図２及び図３に示すように、下収納
空間１１ｂの下部には、上方に向けて立設された支柱１
７ａを有するベースフレーム１７が設けられている。支
柱１７ａは、ベースフレーム１７の中央部奥側に配置さ
れており、支柱１７ａの上端に前方に突出する片持ち軸
１８が装着されている。

【００２２】〔吸着処理部の構成〕吸着処理部１２は、
被処理ガスの臭気の成分を吸着処理するものである。吸
着処理部１２は、片持ち軸１８に回転自在かつ着脱自在
に装着された吸着ロータ２０と、吸着ロータ２０を回転
駆動する回転駆動部２１と、吸着ロータ２０の軸方向に
被処理ガスのガス流を発生されるための送風装置２２と
を備えている。吸着ロータ２０は、内部に回転軸芯に平
行な多数のハニカム孔２０ａが形成された円形部材であ
る。ハニカム孔２０ａの内壁面は疎水性ゼオライトや活
性炭などの吸着成分を主成分としており、被処理ガスの
臭気の成分を吸着及び脱着可能である。

【００２３】吸着ロータ２０の外周面には、回転駆動部
２１を構成する歯付きベルト２７が歯面を外側に向けて
巻き付け固定されている。吸着ロータ２０の前面には、
図２及び図３に示すように、シール板２９が着脱自在に
装着されている。シール板２９のハニカム孔２０ａ形成
部分に対向する部分には円形の開口２９ａが形成されて
いる。このシール板２９により、送風装置２２が作動す
るとハニカム孔２０ａに被処理ガスのガス流が効率よく
流れる。

【００２４】回転駆動部２１は、駆動用のモータ２５
と、モータ２５の回転軸に装着された歯付きプーリ２６
と、歯付きベルト２７と、歯付きベルト２７に噛み合う
歯付きベルト２８とを有している。モータ２５は、ベー
スフレーム１７に取り付けられたモータブラケット２５
ａに固定されている。歯付きベルト２８は、歯付きベル
ト２７と歯付きプーリ２６に巻回されてモータ２５の回
転を吸着ロータ２０に伝達する。歯付きベルト２８は、
テンション装置３０により張力が付与されている。テン
ション装置３０は、先端にテンションローラ３０ａを有
するアーム部材であり、ベースフレーム１７に揺動自在
かつ張力付与方向（図３時計回りの方向）に付勢された
状態で装着されている。

【００２５】送風装置２２は、ケーシング１１の上収納
空間１１ａに配置された送風ファン２２ａを有してい
る。送風ファン２２ａは、モータ２２ｂにより駆動され
ており、吸着ロータ２０の図１手前側から奥側に吸着ロ
ータ２０の軸方向に被処理ガスの流れを生じさせ、それ
を吸い込んでケーシング１１の上部に設けられた排気口
２２ｃから脱臭装置１０外に排気する。このとき、被処
理ガスの臭気の成分が吸着ロータ２０のハニカム孔２０
ａの内壁面に吸着される。したがって、ハニカム孔２０
ａ内での吸着量は、図１手前側が図１奥側より多くな
る。

【００２６】〔再生処理部の構成〕再生処理部１３は、
吸着ロータ２０に吸着された臭気の成分をハニカム孔２
０ａの内壁から脱着して吸着ロータ２０を再生するため
のものである。再生処理部１３は、ケーシング１１に固
定され吸着ロータ２０に近接して配置された１対の再生
部２３ａ，２３ｂと、ケーシング１１に固定され１対の
再生部２３ａ，２３ｂに隣接して配置された１対の冷却
部２４ａ，２４ｂとを有している。また、再生処理部１
３は、再生部２３ａ，２３ｂに高温の再生用ガスを流す
ための再生用ガス通流部１６を有している。

【００２７】再生部２３ａ，２３ｂは、図１に矢符Ｒで
示す吸着ロータ２０の回転方向上流側に配置されてい
る。再生部２３ａ，２３ｂは、吸着ロータ２０を挟んで
吸着ロータ２０の両面に近接して対向して配置されてい
る。再生部２３ａ，２３ｂは、再生部２３ｂ側（奥側）
から高温に加熱された再生用ガスを流すことにより吸着
ロータ２０のハニカム孔２０ａを加熱し、そこに吸着さ
れた臭気の成分を脱着するためのものである。前側の再
生部２３ａ及び冷却部２４ａは、ケーシング１１に着脱
自在に固定されている。後側の再生部２３ｂ及び冷却部
２４ｂは、支柱１７ａの上部に固定されている。

【００２８】冷却部２４ａ，２４ｂは、再生部２３ａ，
２３ｂの回転方向下流側にそれぞれ隣接して配置されて
いる。隣り合う再生部２３ａと冷却部２４ａ及び再生部
２３ｂと冷却部２４ｂは一体形成されている。冷却部２
４ａ，２４ｂは、再生部２３ａ，２３ｂで脱着のために
高温の再生用ガスにより加熱された吸着ロータ２０を加
熱前の再生用ガスを用いて冷却して吸着機能を復元させ
るためのものである。再生用ガスは、冷却部２４ａから
冷却部２４ｂ（奥側）に向けて流れる。この再生及び冷
却により吸着ロータ２０の吸着性能が再生される。

【００２９】再生用ガス通流部１６は、ケーシング１１
の上収納空間１１ａに配置されており、外気を取り込み
送り出すための送風部３１と、送風部３１から送り出さ
れた外気を予備加熱する排気筒３２と、排気筒３２で予
備加熱された外気を加熱して高温の再生用ガスにする第
１加熱部３３とを有している。

【００３０】送風部３１は、シロッコファンからなる送
風ファンであり、冷却部２４ｂと排気筒３２との間に配
置されている。送風部３１は、冷却部２４ｂ及び排気筒
３２と配管で接続されており、冷却部２４ａから吸着ロ
ータ２０及び冷却部２４ｂを通った再生用ガスとなる外
気を排気筒３２に送り込む。

【００３１】排気筒３２は、加熱前の再生用ガスと、排
気される高温の再生用ガスとを熱交換して、排気される
再生用ガスの排気熱を回収して温度を下げるとともに、
加熱前の再生用ガスの温度を上げて第１加熱部３３での
加熱効率を高め加熱に要するエネルギーを節約するため
に設けられている。排気筒３２は、同芯に配置された３
本の薄肉ステンレスパイプ部材により構成された三重構
造のものである。

【００３２】第１加熱部３３は、排気筒３２により僅か
に暖められた外気を再生部２３ａ，２３ｂでの臭気の成
分の脱着に必要な温度（たとえば、１５０℃〜２００℃
（第１温度））まで加熱して再生用ガスにするためのも
のである。すなわち、第１加熱部３３は吸着ロータ２０
を成分の脱着に必要な温度まで間接的に加熱するために
設けられている。第１加熱部３３は、たとえばＵ字状に
折り曲げられた管内に螺旋状に巻かれたヒータ線を配置
した複数本のシーズヒータを有している。この第１加熱
部３３では、切換部１９（後述）を制御部１５で制御し
て送風部３１での送風量を絞ることによって、再生用ガ
スを２５０℃〜３００℃程度（第２温度）に加熱するこ
とも可能である。このような通常より高温の再生用ガス
を流すことにより、被処理ガス中に含まれるタール成分
などの被毒物質が吸着ロータ２０のハニカム孔２０ａの
内壁面に堆積しても、それを除去できる。第１加熱部３
３の入口は、配管により排気筒３２に接続されている。
第１加熱部３３の出口は、配管により再生部２３ｂに接
続されており、加熱された再生用ガスは、再生部２３
ｂ，２３ａに送られる。再生部２３ｂから再生部２３ａ
への高温の再生用ガスによって吸着ロータ２０のハニカ
ム孔２０ａに吸着された臭気の成分が脱着して再生用ガ
スとともに分解処理部１４に送られる。

【００３３】〔分解処理部の構成〕分解処理部１４は、
再生処理部１３で脱着された臭気の成分を触媒により分
解するものである。分解処理部１４は、再生部２３ｂ，
２３ａを通った再生用ガスに含まれる臭気の成分をさら
に加熱し、加熱された再生用ガスを触媒処理して臭気の
成分を分解する。

【００３４】分解処理部１４は、図４に示すように、１
対のシーズヒータ３５ａ，３５ｂからなる第２加熱部３
５と、各シーズヒータ３５ａ，３５ｂの通流方向下流側
に配置された１対の熱触媒３６ａ，３６ｂからなる触媒
処理部３６とを有している。シーズヒータ３５ａ，３５
ｂは内部に螺旋状に巻かれたヒータ線を有している。第
２加熱部３５は、触媒処理部３６での触媒処理に必要な
温度（たとえば２５０℃〜３００℃（第１温度））に熱
触媒３６ａ，３６ｂを輻射熱により加熱するためのもの
である。これにより、再生用ガスも前記温度まで加熱さ
れる。この第２加熱部３５でも、切換部１９（後述）を
制御部１５で制御して送風部３１での送風量を絞ること
によって再生用ガスや熱触媒３６ａ，３６ｂを３５０℃
〜４００℃程度（第２温度）に加熱することも可能であ
る。このように通常より高温の再生用ガスを流すことに
より、被処理ガス中に含まれるタール成分などの被毒物
質が熱触媒３６ａ，３６ｂに堆積しても、それを除去で
きる。触媒処理部３６の上流側の熱触媒３６ａは、下流
側の熱触媒３６ｂでの処理を円滑に進めるための前処理
用の触媒であり、たとえば、クロム、マンガン、鉄、コ
バルト、ニッケル、銅、バナジウム、及びこれらの酸化
物からなる群から選択される少なくとも一種を含む触媒
である。熱触媒３６ｂは、貴金属系触媒であり、たとえ
ば、金、銀、白金、ルテニウム、イリジウム、パラジウ
ム、レニウム、イリジウムからなる群から選択される少
なくとも一種を含む触媒である。

【００３５】このような２種の熱触媒３６ａ，３６ｂを
使用することにより、窒素系化合物やアルデヒド類など
の臭気の成分を含む再生用ガスを効率よく無臭化でき
る。〔制御系の構成〕制御部１５は、図２に示すように、ケ
ーシング１１のたとえば左側面に設けられた制御ボック
ス１５ａに収納されている。制御部１５は、たとえば、
ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，Ｉ／Ｏインターフェースを含
むマイクロコンピュ−タを備えている。制御部１５に
は、図５に示すように、送風部３１の送風量を第１送風
量とそれより少ない第２送風量とに切り換える切換部１
９と、送風装置２２と、第１及び第２加熱部３３，３５
と、モータ２５とが接続されている。また、制御部１５
には、操作開始・終了を指示するための操作スイッチ６
０と、脱臭装置１０の定常運転の運転時間を設定するた
めの第１タイマ６１と、被毒物質の除去運転の運転時間
を設定するための第２タイマ６２と、他の入出力部とが
接続されている。

【００３６】〔脱臭装置の動作〕次に、制御部１５によ
る制御動作について図６を参照して説明する。脱臭装置
１０に電源が投入されると、制御部１５は動作を開始す
る。図６のステップＳ１では、初期設定を行う。この初
期設定では、運転状態を定常運転に設定する。定常運転
では、吸着処理と再生処理（第１ガス処理の一例）とを
同時に行う。ステップＳ２では、操作スイッチ６０がオ
ンされるのを待つ。操作スイッチ６０がオンされるとス
テップＳ３に移行する。ステップＳ３では、第１タイマ
６１をスタートさせる。第１タイマ６１の設定時間はた
とえば２３時間である。ステップＳ４では、定常運転を
開始する。定常運転の吸着処理では、モータ２５により
吸着ロータ２０をたとえば、１時間に１回転の割合で回
転させながら、送風装置２２により被処理ガスを吸着ロ
ータ２０のハニカム孔２０ａに取り込み、臭気の成分を
吸着する。臭気の成分が吸着され無臭化された被処理ガ
スは、送風ファン２２ａにより排気口２２ｃから排出さ
れる。

【００３７】また、定常運転の再生処理では、送風部３
１を、たとえば１ｍ³／分の風量で運転するとともに、
第１加熱部３３及び第２加熱部３５により再生用ガスを
加熱する。送風部３１を運転すると、冷却部２４ａから
吸着ロータ２０のハニカム孔２０ａを通って冷却部２４
ｂに外気が通流され、吸着ロータ２０が冷却される。そ
して、送風部３１を通って排気筒３２に送られる。排気
筒３２では、前述したように、触媒処理が終了して高温
になった再生用ガスと熱交換が行われ、たとえば、４０
℃の外気が１１０℃程度に加熱される。

【００３８】排気筒３２で僅かに加熱された外気は、第
１加熱部３３に送られて、たとえば１５０℃〜２００℃
程度に加熱され再生用ガスになる。得られた再生用ガス
は再生部２３ｂに送られ、再生部２３ｂからハニカム孔
２０ａを通って再生部２３ａに向けて流れる。これによ
り、ハニカム孔２０ａに吸着された成分が内壁から気化
して脱着され、再生用ガスとともに分解処理部１４に送
られる。分解処理部１４に送られた臭気の成分を含む再
生用ガスは、第２加熱部３５によりさらに、たとえば２
５０℃〜３００度程度に加熱され、触媒処理部３６によ
り分解処理され無臭化される。

【００３９】この結果、吸着ロータ２０に吸着された成
分が分解されて無臭化され、無臭化された再生用ガスは
排気筒３２で排気熱を回収されて、たとえば温度を２８
０℃から２４０℃に下げた状態で外部に排出される。ま
た、再生部２３ｂ，２３ａで加熱され臭気の成分が除去
された吸着ロータ２０が冷却部２４ａ，２４ｂで冷却さ
れ、吸着ロータ２０の吸着性能が元の状態に戻り、吸着
ロータ２０が再生される。

【００４０】ステップＳ５では、第１タイマ６１がタイ
ムアップするのを待つ。すなわちたとえば２３時間経過
するのを待つ。このため、通常は、定常運転は２３時間
行われる。定常運転が２３時間行われ、第１タイマ６１
がタイムアップするとステップＳ６に移行する。ステッ
プＳ６では、第１タイマ６１をリセットする。ステップ
Ｓ７では、第２タイマ６２をスタートさせる。この第２
タイマ６２は、前述したように除去運転の運転時間を設
定するためのものである。第２タイマ６２の設定時間は
たとえば１時間であり、吸着ロータ２０が１回転する時
間である。ステップＳ８では、切換部１９を制御して運
転状態を定常運転から除去運転に切り換える。切換部１
９は、送風部３１に供給する電力を制限して送風部３１
の送風量を減少させる。

【００４１】この除去運転では、送風部３１を、たとえ
ば０．６ｍ³／分の風量で運転するとともに、第１加熱
部３３及び第２加熱部３５により再生用ガスを加熱す
る。送風部３１を運転すると、再生処理と同様に、冷却
部２４ａから吸着ロータ２０のハニカム孔２０ａを通っ
て冷却部２４ｂに外気が通流され、吸着ロータ２０が冷
却される。そして、送風部３１を通って排気筒３２に送
られる。排気筒３２では、前述したように、触媒処理が
終了して高温になった再生用ガスと熱交換が行われ、た
とえば、４０℃の外気が１１０℃程度に加熱される。

【００４２】排気筒３２で僅かに加熱された外気は、第
１加熱部３３に送られて、風量の減少に伴い、たとえば
２５０℃〜３００℃程度に加熱され除去用ガスになる。
得られた除去用ガスは再生部２３ｂに送られ、再生部２
３ｂからハニカム孔２０ａを通って再生部２３ａに向け
て流れる。これにより、ハニカム孔２０ａに吸着された
被毒物質が内壁から除去され、除去用ガスとともに分解
処理部１４に送られる。分解処理部１４に送られた被毒
物質を含む除去用ガスは、風量の減少に伴い第２加熱部
３５により、たとえば３５０℃〜４００度程度に加熱さ
れ、触媒処理部３６に付着した被毒物質が除去される。

【００４３】この結果、吸着ロータ２０や熱触媒３６
ａ，３６ｂに付着した被毒物質が除去され吸着ロータ２
０や熱触媒３６ａ，３６ｂが再生される。ステップＳ９
では、第２タイマ６２がタイムアップするのを待つ。第
２タイマ６２がタイムアップするとステップＳ１０に移
行する。ステップＳ１０では第２タイマ６２をリセット
する。ステップＳ１１では、除去運転を停止する。ステ
ップＳ１２では操作スイッチ６０がオフされたか否かを
判断する。操作スイッチ６０がオフされていないときに
は、ステップＳ３に戻る。またオフされている場合には
ステップＳ２に戻る。

【００４４】このような構成の脱臭装置１０では、吸着
ロータ２０や熱触媒３６ａ，３６ｂに被毒物質が付着し
ても除去運転により被毒物質を、吸着ロータ２０や熱触
媒３６ａ，３６ｂから除去できる。この除去運転の際に
は、送風部３１の風量を切り換えることにより吸着ロー
タ２０や熱触媒３６ａ，３６ｂを除去用ガスを介して高
い温度に短時間だけ加熱しているので、エネルギーの消
費を抑えることができ、処理能力を維持してランニング
コストを抑えることができる。

【００４５】〔他の実施形態〕（ａ）前記実施形態では、制御部１５により切換部１
９を切り換えているが、切換部１９を風量を切換可能な
スイッチで構成し、操作者が臭気や時間を考慮して手操
作でスイッチを切り換えるように構成してもよい。

【００４６】（ｂ）前記実施形態では、処理時間によ
り定常運転と除去運転とを切り換えているが、処理能力
をたとえば臭気の濃度で検出し、処理能力が低下したと
きに除去運転を行うように構成してもよい。

【００４７】図７において、制御部１５には、第１タイ
マ６１と第２タイマ６２に代えて、臭気の成分の濃度を
検出する濃度センサ７１と、除去運転の運転時間を設定
するタイマ７２とが接続されている。濃度センサ７１
は、たとえば吸着ロータ２０の通流方向下流側の再生部
２３ａ内に設けられており、再生部２３ａでの臭気の成
分の濃度を検出する。これにより、吸着ロータ２０の処
理能力が検出される。なお、濃度センサ７１を触媒処理
部３６の熱触媒３６ｂの通流方向下流側に配置してもよ
い。また、濃度センサ７１を吸着ロータ２０の通流方向
下流側である冷却部２４ｂ内や送風装置２２の出側等に
配置してもよい。

【００４８】このような構成の脱臭装置１０では、図８
に示すような制御動作を行う。図８のステップＳ２１で
は、初期設定を行う。この初期設定では、運転状態を定
常運転に設定する。ステップＳ２２では、操作スイッチ
６０がオンされるのを待つ。操作スイッチ６０がオンさ
れるとステップＳ２４に移行する。ステップＳ２４で
は、定常運転を開始する。定常運転の吸着処理及び再生
処理は前記実施形態と同様なため説明を省略する。

【００４９】ステップＳ２５では、濃度センサ７１の濃
度を取り込みそれが所定濃度を超えたか否かを判断す
る。これにより吸着ロータ２０の処理能力が所定以下に
下がったか否かを判断できる。濃度が所定濃度を超える
とステップＳ２６に移行する。ステップＳ２６では、タ
イマ７２をスタートさせる。このタイマ６２の設定時間
はたとえば１時間であり、吸着ロータ２０が１回転する
時間である。ステップＳ２８〜ステップＳ３２までの制
御及び除去運転での動作も前記実施形態と同様なため説
明を省略する。

【００５０】ここでは、濃度によって処理能力を検出し
ているので、処理能力の低下を確実に防止できる。（ｃ）前記実施形態では、濃度により処理能力を検出
しているが、処理能力の検出手段は濃度の検出に限定さ
れない。

【００５１】（ｄ）前記実施形態では、ガス処理装置
として脱臭装置を例に説明したが、ガス処理装置は脱臭
装置に限定されず、空気清浄装置やその他の装置にも適
用できる。

【００５２】（ｅ）前記実施形態では、被毒物質が含
まれるガスを処理対象にしたが、被毒物質を含まないガ
スを処理するガス処理装置も本発明に含まれる。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、加熱手段の加熱温度を
切換手段により２段階に切り換えてガス処理を行えるよ
うにしたので、通常の処理と特別の処理とを選択でき
る。このため、低温の第１温度での第１ガス処理により
ランニングコストの増加を抑えることができるととも
に、高温の第２温度での短時間の第２ガス処理により処
理能力を維持できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態を採用した脱臭装置の透視
斜視図。

【図２】その側面一部断面図。

【図３】その展開透視斜視図。

【図４】触媒処理部の断面模式図。

【図５】制御系の構成を示すブロック図。

【図６】制御部の制御動作を示すフローチャート。

【図７】他の実施形態の図５に相当する図。

【図８】他の実施形態の図６に相当する図

【符号の説明】

１０脱臭装置１５制御部１６切換部２０吸着ロータ３１送風ファン３３第１加熱部３５第２加熱部３６触媒処理部３６ａ，３６ｂ熱触媒

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者瀧本浩之大阪府堺市金岡町1304番地ダイキン工業株式会社堺製作所金岡工場内 (72)発明者武内伸勝大阪府堺市金岡町1304番地ダイキン工業株式会社堺製作所金岡工場内Ｆターム(参考） 4C080 AA05 BB02 CC01 HH05 JJ03 KK02 LL01 MM04 MM05 QQ11 QQ17 4D012 CA09 CA10 CC02 CD01 CE01 CE02 CF01 CF04 CF05 CG01 CH05 CK03 4D048 AA19 AA22 AB03 BA23Y BA25Y BA28Y BA29Y BA30Y BA31Y BA32Y BA33Y BA34Y BA35Y BA36Y BA37Y BA38Y CA01 CC52 CD01 CD08 DA01 DA02 DA08 DA13 DA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガスを処理可能なガス処理装置であって、前記ガスを高低２段階の温度で処理可能な処理体（２
０），（３６）と、前記処理体（２０）を第１温度と前
記第１温度より高温の第２温度とに加熱可能な加熱手段
（３１），（３３），（３５）と、前記第１温度による第１ガス処理と、前記第２温度によ
る第２ガス処理とのいずれかの処理に行うために、前記
加熱手段（３１），（３３），（３５）による加熱温度
を前記第１温度及び第２温度のいずれかに切換可能な切
換手段（１９）と、を備えたガス処理装置。
【請求項２】前記処理体（２０），（３６）は、前記処
理体（２０），（３６）の処理能力を低下させる被毒物
質と複数成分とを有するガスの前記複数成分の少なくと
もひとつを処理可能であるとともに前記被毒物質を温度
に応じて除去可能であり、前記切換手段（１９）は、前記ガスの前記処理対象の成
分を前記処理体（２０），（３６）で処理可能な前記第
１温度による前記第１ガス処理と、前記処理体（２
０），（３６）に付着した前記被毒物質を除去可能な前
記第２温度による第２ガス処理とのいずれかの処理に行
うために、前記加熱手段（３１），（３３），（３５）
による前記処理体（２０），（３６）の加熱温度を前記
第１温度及び第２温度のいずれかに切り換える、請求項
１に記載のガス処理装置。
【請求項３】前記加熱手段（３１），（３３），（３
５）は、前記ガスを加熱可能な加熱体（３３），（３
５）と、前記加熱体を通して前記処理体に向けて加熱さ
れた前記ガスを送風可能な送風手段（３１）とを有し、前記切換手段（１９）は、前記送風手段（３１）の送風
量を異ならせることにより前記ガスを介して前記処理体
（２０），（３６）の加熱温度を切り換える、請求項１
または２に記載のガス処理装置。
【請求項４】前記処理体（２０）は、前記被毒物質が含
まれる前記ガスから前記被毒物質と前記成分とを吸着可
能な吸着体（２０）である、請求項２又は３に記載のガ
ス処理装置。
【請求項５】前記複数成分の少なくともひとつは、前記
ガスに含まれる臭気の成分であり、前記吸着体（２０）は前記臭気の成分を吸着する回転吸
着体（２０）である、請求項４に記載のガス処理装置。
【請求項６】前記処理体（３６）は、前記被毒物質を含
む前記ガスから前記被毒物質が付着しかつ前記成分を分
解処理する触媒（３６ａ），（３６ｂ）である、請求項
２又は３に記載のガス処理装置。
【請求項７】前記処理体（２０），（３６）の処理能力
に基づき、前記第１温度と前記第２温度とに前記切換手
段（１９）を切り換え制御する制御手段（１５）をさら
に備える、請求項１から６のいずれかに記載のガス処理
装置。
【請求項８】前記制御手段（１５）は、前記処理体の処
理能力が所定以下になると、前記第２ガス処理を行うべ
く前記切換手段（１９）を制御して加熱温度を第２温度
にする、請求項６に記載のガス処理装置。
【請求項９】前記処理体（２０），（３６）の前記ガス
流通流方向の下流側に設けられた、前記成分の濃度を検
出可能な濃度検出手段（７１）をさらに備え、前記制御手段（１６）は、前記濃度が所定値以上になる
と前記第２温度にする、請求項８に記載のガス処理装
置。
【請求項１０】前記処理体（２０），（３６）の処理時
間に基づき、前記第１温度と前記第２温度とに前記切換
手段（１９）を切り換え制御する制御手段（１５）をさ
らに備える、請求項１から６のいずれかに記載のガス処
理装置。
【請求項１１】前記制御手段（１５）は、前記処理時間
が所定時間以上になると、前記第２ガス処理を行うべく
前記切換手段（１９）を制御して前記第２温度にする、
請求項１０に記載のガス処理装置。