JP2003230814A - ガス処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 吸着・脱離した臭気成形や有害成分を２段構
えで分解することで被処理ガスの処理性能を高める。 【解決手段】 被処理ガス中の被処理成分を吸着ロータ
(3)で吸着し、吸着ロータ(3)から脱離した被処理成分を
プラズマ反応器(16)で低温プラズマにより分解し、プラ
ズマ反応器(16)を通過した被処理成分を触媒分解器(21)
で触媒作用によりさらに分解する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、被処理ガス中の
被処理成分（臭気成分及び有害成分）を吸着・脱離し、
この脱離した被処理成分を低温プラズマにより分解する
ガス処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】特開平８−２２９３４５号公報には、ハ
ニカム形状の吸着ロータを回転させ、該吸着ロータの一
部の領域（吸着部）に被処理ガスを通過させて被処理成
分（臭気成分及び有害成分）を吸着させるとともに、別
の領域（脱離部）に加熱ガスを流通させて上記被処理成
分を吸着ロータから脱離させ、この脱離した被処理成分
をプラズマ反応器で分解するようにしたガス処理装置が
開示されている。このプラズマ分解によれば、触媒を加
熱して脱離成分を分解する場合に比べてランニングコス
トが低くなるというメリットを有する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、被処理成分
（臭気成分及び有害成分）がプラズマ反応器で完全に分
解されればよいが、分解不十分な被処理成分がある場合
もあるため、プラズマ分解だけでは被処理ガスの処理性
能を高めるには限界があり、何らかの対策が望まれる。

【０００４】この発明はかかる点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、吸着・脱離した被処
理成分（臭気成分及び有害成分）を２段構えで分解する
ことで被処理ガスの処理性能を高めることである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明は、被処理成分（臭気成分及び有害成分）
をプラズマによる分解後にさらに触媒により分解するこ
とを特徴とする。

【０００６】具体的には、この発明は、被処理ガス中の
被処理成分を吸着する吸着手段(3)と、該吸着手段(3)か
ら脱離した被処理成分を低温プラズマにより分解するプ
ラズマ分解手段(16)とを備えたガス処理装置を対象と
し、次のような解決手段を講じた。

【０００７】すなわち、請求項１に記載の発明は、上記
プラズマ分解手段(16)の下流側には、該プラズマ分解手
段(16)を通過した被処理成分を触媒作用でさらに分解す
る触媒分解手段(21)が設けられていることを特徴とす
る。

【０００８】上記の構成により、請求項１に記載の発明
では、被処理ガス中の被処理成分が吸着手段(3)に吸着
される。この吸着された被処理成分は吸着手段(3)から
脱離し、それによって吸着手段(3)が再生され、再度被
処理ガスの処理に用いられる。この吸着手段(3)から脱
離した被処理成分はプラズマ分解手段(16)によって分解
される。この被処理成分の分解は、放電を起こして低温
プラズマを生成し、そのときに発生する種々の活性種
（例えば、ヒドロキシラジカル、励起酸素分子、励起窒
素分子、励起水分子など）の作用で行われる。さらに、
上記プラズマ分解で分解不十分な被処理成分が触媒分解
手段(21)の触媒作用で分解される。この２段構えの分解
により、被処理ガスが高精度に処理される。

【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、触媒分解手段(21)の上流側には、該触
媒分解手段(21)の触媒を加熱する触媒加熱手段(22)が設
けられていることを特徴とする。

【００１０】上記の構成により、請求項２に記載の発明
では、触媒分解手段(21)の触媒が触媒加熱手段(22)で加
熱されることで活性化し、触媒作用が十分に発揮され
る。

【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
に記載の発明において、触媒分解手段(21)の下流側に
は、該触媒分解手段(21)で発生した熱を回収する熱回収
手段(13)が設けられていることを特徴とする。

【００１２】上記の構成により、請求項３に記載の発明
では、熱回収手段(13)により回収された触媒分解手段(2
1)で発生した熱を吸着手段(3)の脱離用の熱に利用する
ことで無駄なく活用される。

【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１から３
のいずれか１項に記載の発明において、吸着手段(3)
は、被処理ガスが上下方向に流通するようにかつ回転駆
動手段(5)により回転可能に配置されていて、吸着手段
(3)の回転状態においてその一部の領域で被処理成分の
吸着を行うとともに他の領域で被処理成分の脱離を行う
ことにより被処理ガスを連続的に処理するように構成さ
れ、上記吸着手段(3)の下方には、該吸着手段(3)から被
処理成分を脱離させる脱離用加熱手段(11)が設けられ、
該加熱手段(11)で加熱された空気が上記吸着手段(3)の
下部から上部へ流通することにより吸着手段(3)を加熱
し、吸着手段(3)から被処理成分を脱離させるように構
成されていることを特徴とする。

【００１４】上記の構成により、請求項４に記載の発明
では、被処理ガス中の被処理成分は吸着手段(3)の一部
の領域で吸着され、その後、脱離される。上記吸着した
部分は吸着手段(3)が回転して再生側に移動することで
再生ガスによって再生され、また、再生部分は吸着手段
(3)の回転に伴って吸着側に再度移動することで被処理
ガス中の被処理成分を吸着する。このように、吸着手段
(3)が回転しながら吸着、脱離及び再生が行われるの
で、被処理ガスが連続的に処理される。また、脱離用加
熱手段(11)が吸着手段(3)の下方に設けられているた
め、上昇気流が発生して被処理成分の脱離が効果的に行
われる。

【００１５】請求項５に記載の発明は、請求項１から４
のいずれか１項に記載の発明において、プラズマ分解手
段(16)が吸着手段(3)の上方に設けられていることを特
徴とする。

【００１６】上記の構成により、請求項５に記載の発明
では、被処理成分の吸着・脱離と分解とが連続して行わ
れ、被処理ガスの処理スピードが高まる。

【００１７】請求項６に記載の発明は、請求項１から５
のいずれか１項に記載の発明において、触媒分解手段(2
1)、触媒加熱手段(22)及び熱回収手段(13)が１つの密閉
容器(12)内に配置されていることを特徴とする。

【００１８】上記の構成により、請求項６に記載の発明
では、触媒分解手段(21)、触媒加熱手段(22)及び熱回収
手段(13)から発生する熱が密閉容器(12)内に閉じ込めら
れ、外部に熱影響を及ぼさない。

【００１９】請求項７に記載の発明は、請求項１から６
のいずれか１項に記載の発明において、吸着手段(3)の
下流側には、該吸着手段(3)を通過した被処理ガス中の
被処理成分濃度を測定する測定手段(23)が設けられ、該
測定手段(23)は、測定値が設定値を下回るまでは、脱離
用加熱手段(11)、吸着手段(3)の回転駆動手段(5)及びプ
ラズマ分解手段(16)を停止させずに作動させるように構
成されていることを特徴とする。

【００２０】上記の構成により、請求項７に記載の発明
では、吸着手段(3)による被処理成分の吸着が不十分で
被処理成分濃度が設定値を上回っている場合には、脱離
用加熱手段(11)、吸着手段(3)の回転駆動手段(5)及びプ
ラズマ分解手段(16)が作動して処理能力が高まり、被処
理成分濃度が設定値を下回る。被処理成分が十分に吸着
されていて被処理成分濃度が設定値を下回っている場合
には、脱離用加熱手段(11)、吸着手段(3)の回転駆動手
段(5)及びプラズマ分解手段(16)を作動させないので経
済的である。

【００２１】請求項８に記載の発明は、請求項１から７
のいずれか１項に記載の発明において、触媒分解手段(2
1)の下流側には、該触媒分解手段(21)を通過した被処理
ガス中の被処理成分濃度を測定する測定手段(24)が設け
られ、該測定手段(24)は、測定値が設定値を下回るまで
は、触媒加熱手段(22)を停止させずに作動させるように
構成されていることを特徴とする。

【００２２】上記の構成により、請求項８に記載の発明
では、被処理成分の分解が不十分で被処理成分濃度が設
定を上回っている場合には、触媒加熱手段(22)が作動し
て処理能力が高まり、被処理成分濃度が設定値を下回
る。被処理成分が十分に分解されていて被処理成分濃度
が設定値を下回っている場合には、触媒加熱手段(22)を
作動させないので経済的である。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面に基づいて説明する。

【００２４】図１及び図２はこの発明の実施の形態に係
るガス処理装置を示す。同図中、(1)は箱形の移動式密
閉ケーシングであり、該ケーシング(1)下端の四隅には
キャスタ(2)が取り付けられている。上記ケーシング(1)
内には、吸着手段としての吸着ロータ(3)が下側蓋部材
(4a)と上側蓋部材(4b)とで上下方向から挟まれて鉛直軸
心回りに回転可能に配置されている。上記吸着ロータ
(3)は、被処理ガスの流通方向である上下方向に沿って
貫通する多数の小孔（図示せず）を有するハニカム形状
の円板状基材で構成され、基材の表面に吸着剤を担持し
て被処理ガスが小孔を通過する際に被処理成分（臭気成
分及び有害成分）を吸着剤に吸着することで、被処理成
分を被処理ガスから除去するようになっている。吸着剤
には、例えば活性炭やゼオライトなどが用いられるが、
多孔質セラミックス、活性炭繊維、モルデナイト、フェ
リエライト、シリカライトなどを用いてもよい。

【００２５】上記下側蓋部材(4a)及び上側蓋部材(4b)の
内部は、Ｖ字形の仕切壁（図示せず）で仕切られて扇形
の小領域に対応する吸着ロータ部分を脱離部にし、他の
大領域に対応する吸着ロータ部分を吸着部にしている。

【００２６】上記吸着ロータ(3)の側方には、回転駆動
手段としてのロータ回転モータ(5)が据え付けられ、該
ロータ回転モータ(5)の下方に延びる出力軸(5a)には、
プーリ(6)が固着され、このプーリ(6)と上記吸着ロータ
(3)にはエンドレスベルト(7)が巻き掛けられ、上記ロー
タ回転モータ(5)の回転トルクをプーリ(6)及びエンドレ
スベルト(7)を介して吸着ロータ(3)に伝え、該吸着ロー
タ(3)を回転させるようになっている。そして、この吸
着ロータ(3)を回転させた状態で、上記吸着部で被処理
成分の吸着を行うとともに、上記脱離部で被処理成分の
脱離を行うとほぼ同時に吸着ロータ(3)を再生すること
により、被処理ガスを連続的に処理するようになってい
る。

【００２７】上記下側蓋部材(4a)上面の一端（図１，２
で左端）側には主流ファン(8)が設置され、該主流ファ
ン(8)はケーシング(1)外に開口する吸込ダクト(9)に接
続され、被処理ガスを吸込ダクト(9)から下側蓋部材(4
a)内の吸着ロータ(3)の吸着部下方に導入するようにな
っている。一方、上記下側蓋部材(4a)上面の他端（図
１，２で右端）側には再生ファン(10)が設置され、該再
生ファン(10)はケーシング(1)内の空気を下側蓋部材(4
a)内の吸着ロータ(3)の脱離部下方に導入するようにな
っている。また、上記吸着ロータ(3)の下方には、該吸
着ロータ(3)から被処理成分を脱離させる脱離用加熱手
段としての脱離ヒータ(11)が設けられている。

【００２８】上記吸着ロータ(3)の上方には、１つの密
閉容器(12)が設置され、該密閉容器(12)内には熱回収手
段としての熱交換器(13)が配置されている。該熱交換器
(13)の上端はダクト(14)で上側蓋部材(4b)の脱離部側に
接続されているとともに、下端はダクト(15)で下側蓋部
材(4a)の脱離部側に接続されている。そして、図１に破
線矢印で示すように、ケーシング(1)内の空気を再生フ
ァン(10)により下側蓋部材(4a)内の脱離部側に導入し、
該脱離部の残留熱を取り除いて吸着ロータ(3)を冷却
し、これにより暖められた空気をダクト(14)を経て熱交
換器(13)に導入し、ここで、後述するプラズマ反応器(1
6)からのガスと熱交換して温度上昇した空気をダクト(1
5)を経て下側蓋部材(4a)の脱離部側に導入するようにな
っている。

【００２９】上記熱交換器(13)の背面側には、プラズマ
分解手段としてのプラズマ反応器(16)が並設されてい
る。該プラズマ反応器(16)の一側面（図１右側面）はダ
クト(17)で上側蓋部材(4b)の脱離部側に接続され、上記
吸着ロータ(3)から脱離した被処理成分を低温プラズマ
により分解するようになっている。また、上記プラズマ
反応器(16)の一側面（図１左側面）はダクト(18)で上記
密閉容器(12)の一側面（図１左側面）に接続され、熱交
換器(13)の他側面（図１右側面）はダクト(19)で吐出ダ
クト(20)に接続され、図１に白抜き矢印で示すように、
上記熱交換器(13)でガスを熱交換されて冷却されたプラ
ズマ反応器(16)を経たガスをダクト(19)を経て吐出ダク
ト(20)からケーシング(1)外に吐出するようになってい
る。

【００３０】上記プラズマ反応器(16)の下流側である密
閉容器(12)内には、触媒分解手段としての触媒分解器(2
1)が設置され、上記プラズマ反応器(16)を通過した被処
理成分を触媒分解器(21)の触媒作用でさらに分解するよ
うになっている。また、上記触媒分解器(21)の上流側に
は触媒加熱手段としての触媒活性ヒータ(22)が設置さ
れ、この触媒活性ヒータ(22)により上記触媒分解器(21)
の触媒を加熱して活性化させるようになっている。

【００３１】上記吐出ダクト(20)の吸着ロータ(3)下流
側には、該吸着ロータ(3)の吸着部を通過した被処理ガ
ス中の被処理成分濃度を測定する測定手段としての第１
ガスセンサ(23)が取り付けられ、該第１ガスセンサ(23)
は、測定値が設定値を下回るまでは、脱離ヒータ(11)、
吸着ロータ(3)のロータ回転モータ(5)及びプラズマ反応
器(16)を作動させるように構成されている。つまり、図
４の制御フローチャートに示すように、上記第１ガスセ
ンサ(23)は吸着ロータ(3)の吸着部下流側の被処理成分
濃度を常時測定監視しており（ステップＳ１−Ａ）、ス
テップＳ２−Ａで、第１ガスセンサ(23)の出力値が予め
設定されている設定値を下回っているＹＥＳの場合に
は、被処理成分が吸着ロータ(3)に十分に吸着されて余
裕を持って運転しているものとみなし、脱離ヒータ(1
1)、ロータ回転モータ(5)及びプラズマ反応器(16)を停
止させて送風運転のみとする。一方、第１ガスセンサ(2
3)の出力値が設定値を上回っているＮＯの場合には、被
処理成分の吸着ロータ(3)への吸着が不十分であるとみ
なしてロータ回転モータ(5)を駆動させ（ステップＳ３
−Ａ）、これに伴い、脱離ヒータ(11)のスイッチをＯＮ
にするとともにプラズマ反応器(16)で放電を開始させる
（ステップＳ４−Ａ、Ｓ５−Ａ）。この間も上記第１ガ
スセンサ(23)は吸着ロータ(3)の吸着部下流側の被処理
成分濃度を常時測定監視しており（ステップＳ６−
Ａ）、ステップＳ７−Ａで、第１ガスセンサ(23)の出力
値が予め設定されている設定値を下回っているＹＥＳの
場合には、吸着ロータ(3)の吸着能が回復して被処理成
分が吸着ロータ(3)に十分に吸着されて余裕を持って運
転しているものとみなし、ロータ回転モータ(5)を停止
させ（ステップＳ８−Ａ）、これに伴い、脱離ヒータ(1
1)のスイッチをＯＦＦにするとともにプラズマ反応器(1
6)での放電を停止させる（ステップＳ９−Ａ、Ｓ１０−
Ａ）。一方、第１ガスセンサ(23)の出力値が設定値を上
回っているＮＯの場合には、吸着ロータ(3)の吸着能が
未だ回復しておらず、被処理成分の吸着ロータ(3)への
吸着が不十分であるとみなして、吸着ロータ(3)の吸着
能が回復するまで引き続きロータ回転モータ(5)、脱離
ヒータ(11)及びプラズマ反応器(16)を作動させておく。

【００３２】また、上記ダクト(19)の触媒分解器(21)下
流側には、該触媒分解器(21)を通過した被処理ガス中の
被処理成分濃度を測定する測定手段としての第２ガスセ
ンサ(24)が取り付けられ、該第２ガスセンサ(24)は、測
定値が設定値を下回るまでは、触媒活性ヒータ(22)を作
動させるように構成されている。つまり、図５の制御フ
ローチャートに示すように、上記第２ガスセンサ(24)は
触媒分解器(21)から出た下流側の被処理成分濃度を常時
測定監視しており（ステップＳ１−Ｂ）、ステップＳ２
−Ｂで、第２ガスセンサ(24)の出力値が予め設定されて
いる設定値を下回っているＹＥＳの場合には、被処理成
分が触媒分解器(21)で十分に分解されて余裕を持って運
転しているものとみなし、触媒活性ヒータ(22)を停止さ
せる。一方、第２ガスセンサ(24)の出力値が設定値を上
回っているＮＯの場合には、触媒分解器(21)の分解が不
十分であるとみなして触媒分解器(21)の温度制御を開始
して触媒活性ヒータ(22)のスイッチをＯＮにする（ステ
ップＳ３−Ｂ、Ｓ４−Ｂ）。この間も上記第２ガスセン
サ(24)は触媒分解器(21)から出た下流側の被処理成分濃
度を常時測定監視しており（ステップＳ５−Ｂ）、ステ
ップＳ６−Ｂで、第２ガスセンサ(24)の出力値が予め設
定されている設定値を下回っているＹＥＳの場合には、
触媒分解器(21)の分解能が回復して被処理成分が触媒分
解器(21)で十分に分解されて余裕を持って運転している
ものとみなし、触媒分解器(21)の温度制御を停止して触
媒活性ヒータ(22)のスイッチをＯＦＦにする（ステップ
Ｓ７−Ｂ、Ｓ８−Ｂ）。一方、第２ガスセンサ(24)の出
力値が設定値を上回っているＮＯの場合には、触媒分解
器(21)の吸着能が未だ回復しておらず、被処理成分の分
解が不十分であるとみなして、触媒分解器(21)の吸着能
が回復するまで引き続き触媒活性ヒータ(22)で触媒分解
器(21)の触媒を加熱して活性化させる。

【００３３】上記プラズマ反応器(16)は図３のような構
成になっている。つまり、このプラズマ反応器(16)で
は、碍子などの絶縁材からなる４枚の絶縁壁(25)で囲ま
れた空間内に６つの放電電極(26)が２つずつ組をなして
互いに対向するように接近して配置されている。これら
放電電極(26)は、メッシュ材やパンチングメタル等から
なる基板(26a)に多数の針電極(26b)がベース部材(26c)
によって固定され、一方の放電電極(26)の針電極(26b)
を他方の放電電極(26)の基板(26a)から突出させてい
る。また、上記プラズマ反応器(16)内には、上記放電電
極組を挟むように４つの対向電極(27)が配置され、中程
の２つの対向電極(27)の両面には処理部材(28)がそれぞ
れボルト(29)で固定されており、両端の２つの対向電極
(27)の内側の片面には処理部材(28)がボルト(29)で固定
されている。この対向電極(27)も上記放電電極(26)と同
様にメッシュ材やパンチングメタル等からなる基板で構
成されている。なお、図３中、(30)は放電電極(26)上端
に設けられた高圧端子、(31)は対向電極(27)下端に設け
られた接地端子である。

【００３４】上記処理部材(28)は、空気の流れ方向に沿
って貫通する多数の小孔（図示せず）を有するハニカム
形状の基材で構成され、その表面に触媒物質を担持して
いる。具体的には、この処理部材(28)は、触媒物質とし
て、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｃｏ，Ｏｓ，Ｒ
ｕ，Ｆｅ，Ｒｅ，Ｔｃ，Ｍｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｗ，
Ｍｏ，Ｃｒのうちの少なくとも１種を含んでいる。これ
ら触媒物質は、被処理ガスを処理する際の化学反応を促
進するものである。また、上記処理部材(28)は、基材の
表面に触媒物質とともに吸着剤も担持している。この吸
着剤は被処理ガス中に含まれる被処理成分（臭気物質や
有害物質）を吸着するためのものであり、例えば活性炭
やゼオライトなどが用いられるが、多孔質セラミック
ス、活性炭繊維、モルデナイト、フェリエライト、シリ
カライトなどを用いてもよく、これらのうちの少なくと
も１種を用いるとよい。また、上記触媒分解器(21)も上
記処理部材(28)と同様に構成されているものである。

【００３５】上述の如き構成において、両電極(26,27)
に放電電圧を印加すると、放電電極(26)と対向電極(27)
との間でストリーマ放電が発生する。このストリーマ放
電により高活性のイオンやラジカルなどの活性種が発生
して低温プラズマが生成される。具体的には、放電によ
って高速電子、イオン、オゾン、ヒドロキシラジカルな
どのラジカルや、その他励起分子（励起酸素分子、励起
窒素分子、励起水分子など）などの活性種が生成され、
これらの活性種によって被処理成分が分解される。

【００３６】ストリーマ放電は、針電極(26b)の先端か
ら対向電極(27)まで微小アークが連続することにより、
発光を伴ったプラズマ柱として形成され、微小アーク
は、針電極(26b)と対向電極(27)との間において等電位
面の間隔が狭いところで連なって進展する。本実施形態
では、詳細は示していないが、針電極(26b)の先端を３
０°以上９０°以下、好ましくは６０°の削り角で削っ
たものとし、最先端は半径が約０．５mmの球面形状とし
て僅かな丸みを有するものとしている。そして、針電極
(26b)の先端角度を上記の角度に特定しているため、微
小アークが広範囲に広がりながら進展しやすくなり、ス
トリーマ放電が広範囲で生じるようにしている。つま
り、この場合のストリーマ放電は、針電極(26b)から対
向電極(27)に向かってフレア状に広がった領域で発生す
る。そして、直流高電圧を用いたストリーマ放電におい
て、各針電極(26b)についての放電領域が広くなるよう
にして、針電極(26b)の本数を比較的少なくしてもプラ
ズマ発生領域を広げられるようにしている。

【００３７】次に、このガス処理装置の運転動作につい
て説明する。

【００３８】装置の運転時には、ロータ回転モータ
(5)、主流ファン(8)及び再生ファン(10)が駆動してい
て、吸着ロータ(3)が回転している。まず、図１に黒塗
り矢印で示すように、被処理ガスは吸込ダクト(9)から
下側蓋部材(4a)の吸着部側に導入され、吸着ロータ(3)
を通過する過程で被処理成分が吸着剤に吸着されて、清
浄なガスになって吐出ダクト(20)からケーシング(1)外
へ吐出される。

【００３９】吸着ロータ(3)は鉛直軸心回りに回転して
いるため、被処理ガス中の被処理成分を吸着した部分
は、やがて脱離部側へ移動する。一方、再生ファン(10)
の駆動によりケーシング(1)内の空気が下側蓋部材(4a)
の脱離部側に導入され、吸着ロータ(3)の脱離部を通過
する過程で脱離時の残留熱を奪い、吸着ロータ(3)は熱
を奪われることで冷却されて再生される。吸着ロータ
(3)の脱離部を通過した空気は、図１に破線矢印で示す
ように、吸着ロータ(3)の熱で加熱されることで発生し
た上昇気流によりダクト(14)を経て熱交換器(13)に導入
され、ここで、プラズマ反応器(16)で発生した熱と合流
し、熱交換されてさらに温度上昇する。この空気はダク
ト(15)を経て再び下側蓋部材(4a)の脱離部側に導入され
て脱離ヒータ(11)で加熱され、吸着ロータ(3)から被処
理ガス中の被処理成分を脱離し、脱離して濃縮されたガ
スは、図１に白抜き矢印で示すように、ダクト(17)を経
てプラズマ反応器(16)に導入される。ここで、ガス中の
被処理成分がストリーマ放電により生成した低温プラズ
マの作用により分解される。さらに、上記ガスはダクト
(18)を経て密閉容器(12)内に導入される。密閉容器(12)
内に導入されたガスは触媒分解器(21)を通過して熱交換
器(13)に入る。触媒分解器(21)の触媒は触媒活性ヒータ
(22)で加熱されて活性化されているので、スムーズにか
つ完全に分解される。上記熱交換器(13)に入ったガスは
熱を奪われて冷却され、ダクト(19)から吐出ダクト(20)
を経てケーシング(1)外へ吐出される。

【００４０】このように、本実施形態では、プラズマ反
応器(16)の下流側に触媒分解器(21)を設けているので、
プラズマ反応器(16)で分解が不十分な被処理成分を触媒
分解器(21)の触媒作用で完全に分解することができる。

【００４１】また、触媒分解器(21)の上流側に触媒活性
ヒータ(22)を設けているので、触媒分解器(21)の触媒を
活性化させて触媒作用を十分に発揮させることができ
る。

【００４２】さらに、触媒分解器(21)の下流側に熱交換
器(13)を設けているので、触媒分解器(21)で発生した熱
を吸着ロータ(3)の脱離用の熱として無駄なく活用する
ことができる。

【００４３】さらにまた、吸着ロータ(3)を鉛直軸心回
りに回転させながら吸着、脱離及び再生を連続して行
い、しかも、吸着ロータ(3)の下方に設けた脱離ヒータ
(11)により上昇気流を発生されてガスを流通させている
ので、効率良くガス処理を行うことができる。

【００４４】加えて、プラズマ反応器(16)を吸着ロータ
(3)の上方に設けているので、被処理成分の吸着・脱離
と分解とを連続して行って被処理ガスの処理スピードを
高めることができる。

【００４５】また、触媒分解器(21)、触媒活性ヒータ(2
2)及び熱交換器(13)を１つの密閉容器(12)内に配置して
いることから、これらの熱影響を外部に及ぼさないよう
にすることができる。

【００４６】さらに、吸着ロータ(3)の下流側に第１ガ
スセンサ(23)を、触媒分解器(21)の下流側に第２ガスセ
ンサ(24)をそれぞれ設け、通過するガス中の被処理成分
濃度を測定して濃度が設定値を超えるか否かで脱離ヒー
タ(11)、ロータ回転モータ(5)及びプラズマ反応器(16)
の作動をコントロールするようにしていることから、被
処理成分の吸着能や触媒分解器(21)の分解能が不十分な
場合にだけこれらを作動させればよく、経済的なガス処
理装置を提供することができる。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る発
明によれば、プラズマ分解手段(16)とその下流側の触媒
分解手段(21)とにより、被処理成分を２段階に亘って分
解して被処理ガスを高精度に処理することができる。

【００４８】請求項２に記載の発明によれば、触媒分解
手段(21)を触媒加熱手段(22)で加熱することにより、触
媒作用を十分に発揮させることができる。

【００４９】請求項３に記載の発明によれば、触媒分解
手段(21)で発生した熱を熱回収手段(13)で回収して吸着
手段(3)からの脱離用の熱に有効利用することができ
る。

【００５０】請求項４に記載の発明によれば、吸着手段
(3)を被処理ガスが上下方向に流通するようにして回転
させながら吸着・脱離を連続して行い、かつ吸着手段
(3)の下方に脱離用加熱手段(11)を設けて上昇気流を発
生させることにより、ガス処理を効率良く行うことがで
きる。

【００５１】請求項５に記載の発明によれば、プラズマ
分解手段(16)を吸着手段(3)の上方に設けることによ
り、被処理成分の吸着・脱離と分解とを連続して行わせ
て被処理ガスの処理スピードを高めることができる。

【００５２】請求項６に記載の発明によれば、触媒分解
手段(21)、触媒加熱手段(22)及び熱回収手段(13)を密閉
容器(12)内に配置することにより、各々から発生する熱
を閉じこめて外部に熱影響を及ばさないようにすること
ができる。

【００５３】請求項７に記載の発明によれば、吸着手段
(3)の下流側に設けた測定手段(23)の測定値が設定値を
下回るまでは、触媒加熱手段(11)、吸着手段(3)の回転
駆動手段(6)及びプラズマ分解手段(16)を作動させ、設
定値を下回ると上記各手段を作動させないようにしたの
で、経済的な装置とすることができる。

【００５４】請求項８に記載の発明によれば、触媒分解
手段(21)の下流側に設けた測定手段(24)の測定値が設定
値を下回るまでは、触媒加熱手段(22)を作動させ、設定
値を下回ると上記手段を作動させないようにしたので、
経済的な装置とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態に係るガス処理装置の正
面図である。

【図２】この発明の実施の形態に係るガス処理装置の左
側面図である。

【図３】プラズマ反応器の内部構成図である。

【図４】回転ロータの吸着能を制御する制御フローチャ
ートである。

【図５】触媒分解器の分解能を制御する制御フローチャ
ートである。

【符号の説明】

(3) 吸着ロータ（吸着手段） (5) ロータ回転モータ（回転駆動手段） (11) 脱離ヒータ（脱離用加熱手段） (12) 密閉容器 (13) 熱交換器（熱回収手段） (16) プラズマ反応器（プラズマ分解手段） (21) 触媒分解器（触媒分解手段） (22) 触媒活性ヒータ（触媒加熱手段） (23) 第１ガスセンサ（測定手段） (24) 第２ガスセンサ（測定手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０１Ｊ 19/08 Ｈ０５Ｈ 1/24 Ｈ０５Ｈ 1/24 Ｂ０１Ｄ 53/36 Ｈ (72)発明者 田中 利夫 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社堺製作所金岡工場内 Ｆターム(参考） 4C080 AA05 AA07 BB02 CC01 HH01 JJ01 KK08 LL01 MM07 QQ12 4D012 CA09 CA10 CC04 CC05 CD01 CE01 CE02 CF05 CF10 CG01 CH05 CH10 CK01 4D048 AA21 AA22 AB03 CC52 CC54 CD01 CD08 CD10 DA01 DA02 DA06 DA08 DA20 EA03 4G075 AA03 AA37 BA05 BB04 CA02 CA15 CA47 CA54 DA02 EC21 ED08 EE21 EE33

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理ガス中の被処理成分を吸着する吸
   着手段(3)と、 該吸着手段(3)から脱離した被処理成分を低温プラズマ
   により分解するプラズマ分解手段(16)とを備えたガス処
   理装置であって、 上記プラズマ分解手段(16)の下流側には、該プラズマ分
   解手段(16)を通過した被処理成分を触媒作用でさらに分
   解する触媒分解手段(21)が設けられていることを特徴と
   するガス処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のガス処理装置におい
   て、 触媒分解手段(21)の上流側には、該触媒分解手段(21)の
   触媒を加熱する触媒加熱手段(22)が設けられていること
   を特徴とするガス処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のガス処理装置に
   おいて、 触媒分解手段(21)の下流側には、該触媒分解手段(21)で
   発生した熱を回収する熱回収手段(13)が設けられている
   ことを特徴とするガス処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１から３のいずれか１項に記載の
   ガス処理装置において、 吸着手段(3)は、被処理ガスが上下方向に流通するよう
   にかつ回転駆動手段(5)により回転可能に配置されてい
   て、吸着手段(3)の回転状態においてその一部の領域で
   被処理成分の吸着を行うとともに他の領域で被処理成分
   の脱離を行うことにより被処理ガスを連続的に処理する
   ように構成され、 上記吸着手段(3)の下方には、該吸着手段(3)から被処理
   成分を脱離させる脱離用加熱手段(11)が設けられ、該加
   熱手段(11)で加熱された空気が上記吸着手段(3)の下部
   から上部へ流通することにより吸着手段(3)を加熱し、
   吸着手段(3)から被処理成分を脱離させるように構成さ
   れていることを特徴とするガス処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１から４のいずれか１項に記載の
   ガス処理装置において、 プラズマ分解手段(16)が吸着手段(3)の上方に設けられ
   ていることを特徴とするガス処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１から５のいずれか１項に記載の
   ガス処理装置において、 触媒分解手段(21)、触媒加熱手段(22)及び熱回収手段(1
   3)が１つの密閉容器(12)内に配置されていることを特徴
   とするガス処理装置。
7. 【請求項７】 請求項１から６のいずれか１項に記載の
   ガス処理装置において、 吸着手段(3)の下流側には、該吸着手段(3)を通過した被
   処理ガス中の被処理成分濃度を測定する測定手段(23)が
   設けられ、該測定手段(23)は、測定値が設定値を下回る
   までは、脱離用加熱手段(11)、吸着手段(3)の回転駆動
   手段(5)及びプラズマ分解手段(16)を停止させずに作動
   させるように構成されていることを特徴とするガス処理
   装置。
8. 【請求項８】 請求項１から７のいずれか１項に記載の
   ガス処理装置において、 触媒分解手段(21)の下流側には、該触媒分解手段(21)を
   通過した被処理ガス中の被処理成分濃度を測定する測定
   手段(24)が設けられ、該測定手段(24)は、測定値が設定
   値を下回るまでは、触媒加熱手段(22)を停止させずに作
   動させるように構成されていることを特徴とするガス処
   理装置。