JP2002016314A - レーザーダイオード駆動回路 - Google Patents
レーザーダイオード駆動回路Info
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- JP2002016314A JP2002016314A JP2000194412A JP2000194412A JP2002016314A JP 2002016314 A JP2002016314 A JP 2002016314A JP 2000194412 A JP2000194412 A JP 2000194412A JP 2000194412 A JP2000194412 A JP 2000194412A JP 2002016314 A JP2002016314 A JP 2002016314A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電源で動作し、他回路への影響の少ない過
電流保護回路（電流リミッタ）を備えたレーザダイオー
ド駆動回路を提供することを目的とする。 【解決手段】 レーザーダイオード駆動回路において、
レーザダイオードに直列接続された抵抗と、前記レーザ
ダイオードと抵抗の直列回路と並列にドレインとソース
が接続された電界効果トランジスタと、前記レーザダイ
オードと抵抗の直列回路の電位を分圧する分圧手段と、
前記分圧手段の分圧電圧を前記電界効果トランジスタの
ゲートに印加する手段と、から構成され、前記電界効果
トランジスタに電流を分流することにより、電流制限を
かける。
電流保護回路（電流リミッタ）を備えたレーザダイオー
ド駆動回路を提供することを目的とする。 【解決手段】 レーザーダイオード駆動回路において、
レーザダイオードに直列接続された抵抗と、前記レーザ
ダイオードと抵抗の直列回路と並列にドレインとソース
が接続された電界効果トランジスタと、前記レーザダイ
オードと抵抗の直列回路の電位を分圧する分圧手段と、
前記分圧手段の分圧電圧を前記電界効果トランジスタの
ゲートに印加する手段と、から構成され、前記電界効果
トランジスタに電流を分流することにより、電流制限を
かける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーダイオー
ドを駆動する駆動回路の過電流保護回路に関するもので
ある。
ドを駆動する駆動回路の過電流保護回路に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のレーザーダイオード駆動
回路の一例を示す回路図である。
回路の一例を示す回路図である。
【０００３】同図において、レーザーダイオードＬＤに
流す電流を決定する設定電圧Ｖｓｅｔは、抵抗Ｒｆ１ａ
と抵抗Ｒｆ２ａの直列回路と、抵抗Ｒｆ１ｂと抵抗Ｒｓ
の一端に印加されている。
流す電流を決定する設定電圧Ｖｓｅｔは、抵抗Ｒｆ１ａ
と抵抗Ｒｆ２ａの直列回路と、抵抗Ｒｆ１ｂと抵抗Ｒｓ
の一端に印加されている。
【０００４】抵抗Ｒｆ１ａと抵抗Ｒｆ２ａの直列回路の
他の一端は、演算増幅器ＯＰ１の出力端子に接続され、
抵抗Ｒｆ１ａと抵抗Ｒｆ２ａの共通接続点は、演算増幅
器ＯＰ１の反転入力端子に接続されている。
他の一端は、演算増幅器ＯＰ１の出力端子に接続され、
抵抗Ｒｆ１ａと抵抗Ｒｆ２ａの共通接続点は、演算増幅
器ＯＰ１の反転入力端子に接続されている。
【０００５】抵抗Ｒｆ１ｂの他の一端は、演算増幅器Ｏ
Ｐ１の非反転入力端子に接続されると共に、抵抗Ｒｆ２
ｂを介して共通電位に接続されている。
Ｐ１の非反転入力端子に接続されると共に、抵抗Ｒｆ２
ｂを介して共通電位に接続されている。
【０００６】演算増幅器ＯＰ１には、駆動電圧ＶＤＤ及
びＶＥＥが印加されており、出力端子はトランジスタＴ
ｒ１のベースに接続されている。
びＶＥＥが印加されており、出力端子はトランジスタＴ
ｒ１のベースに接続されている。
【０００７】トランジスタＴｒ１のコレクタには、電源
電圧ＶＬＤが印加され、コレクタはレーザーダイオード
ＬＤのアノードに接続されている。
電圧ＶＬＤが印加され、コレクタはレーザーダイオード
ＬＤのアノードに接続されている。
【０００８】レーザーダイオードＬＤのカソードは、こ
れに直列接続された抵抗Ｒｓを介して共通電位に接続さ
れている。
れに直列接続された抵抗Ｒｓを介して共通電位に接続さ
れている。
【０００９】尚、上記の回路において、抵抗Ｒｆ１ａと
抵抗Ｒｆ１ｂは、共に同一の抵抗値Ｒｆ１を持つ抵抗で
ある。
抵抗Ｒｆ１ｂは、共に同一の抵抗値Ｒｆ１を持つ抵抗で
ある。
【００１０】同様に、上記の回路において、抵抗Ｒｆ２
ａと抵抗Ｒｆ２ｂは、共に同一の抵抗値Ｒｆ２を持つ抵
抗である。
ａと抵抗Ｒｆ２ｂは、共に同一の抵抗値Ｒｆ２を持つ抵
抗である。
【００１１】このような構成のレーザーダイオード駆動
回路では、抵抗Ｒｆ１ａと抵抗Ｒｆ１ｂ、抵抗Ｒｆ２ａ
と抵抗Ｒｆ２ｂ及び演算増幅器ＯＰ１が定電流源を構成
し、この出力電流がトランジスタＴｒ１によって増幅さ
れるため、 I=(Vset/Rs)*(Rf2/Rf1) （１） で決まる一定電流がレーザーダイオードＬＤに流れ、こ
れを駆動している。
回路では、抵抗Ｒｆ１ａと抵抗Ｒｆ１ｂ、抵抗Ｒｆ２ａ
と抵抗Ｒｆ２ｂ及び演算増幅器ＯＰ１が定電流源を構成
し、この出力電流がトランジスタＴｒ１によって増幅さ
れるため、 I=(Vset/Rs)*(Rf2/Rf1) （１） で決まる一定電流がレーザーダイオードＬＤに流れ、こ
れを駆動している。
【００１２】また、このような構成のレーザーダイオー
ド駆動回路では、レーザーダイオードＬＤを保護するた
めに電流リミットをかける必要があり、この方法として
は、以下のものがある。
ド駆動回路では、レーザーダイオードＬＤを保護するた
めに電流リミットをかける必要があり、この方法として
は、以下のものがある。
【００１３】１．電源電圧または、抵抗Ｒｓを調整する
方法。 電源電圧ＬＶＤまたはＶＤＤを必要な電圧の限界まで下
げてレーザーダイオードＬＤに流れる電流を制限する、
或は、電源電圧ＬＶＤまたはＶＤＤを一定の電圧とし、
抵抗Ｒｓを大きくしてレーザーダイオードＬＤに流れる
電流を制限する。
方法。 電源電圧ＬＶＤまたはＶＤＤを必要な電圧の限界まで下
げてレーザーダイオードＬＤに流れる電流を制限する、
或は、電源電圧ＬＶＤまたはＶＤＤを一定の電圧とし、
抵抗Ｒｓを大きくしてレーザーダイオードＬＤに流れる
電流を制限する。
【００１４】２．コンパレータを用いる方法。 抵抗Ｒｓの電圧を監視して、これが一定値以上の電圧に
なった時、リレー等のスイッチ回路を用いてレーザーダ
イオードＬＤに流れる電流経路を遮断する。このような
方式の過電流保護回路の一例を図７に示す。
なった時、リレー等のスイッチ回路を用いてレーザーダ
イオードＬＤに流れる電流経路を遮断する。このような
方式の過電流保護回路の一例を図７に示す。
【００１５】図７の過電流保護回路では、図６の回路に
おける電源電圧ＶＬＤとトランジスタＴｒ１のコレクタ
間にトランジスタＴｒ２を挿入し、このトランジスタＴ
ｒ２のベースに抵抗Ｒ３を介して電圧を印加すると共
に、ベースをスイッチ回路ＳＷ１を介して共通電位に接
続している。
おける電源電圧ＶＬＤとトランジスタＴｒ１のコレクタ
間にトランジスタＴｒ２を挿入し、このトランジスタＴ
ｒ２のベースに抵抗Ｒ３を介して電圧を印加すると共
に、ベースをスイッチ回路ＳＷ１を介して共通電位に接
続している。
【００１６】また、抵抗Ｒｓの一端には、一方端子に基
準値電圧Ｖｒｅｆが印加されたコンパレータＵ２の他方
端子が接続されており、コンパレータＵ２の出力端子が
スイッチ回路ＳＷ１の制御端子に接続されている。
準値電圧Ｖｒｅｆが印加されたコンパレータＵ２の他方
端子が接続されており、コンパレータＵ２の出力端子が
スイッチ回路ＳＷ１の制御端子に接続されている。
【００１７】このような構成の過電流保護回路では、レ
ーザーダイオードＬＤに流れる電流が過大となり、抵抗
Ｒｓに発生する電圧が基準値電圧Ｖｒｅｆ以上になる
と、コンパレータＵ２の比較出力により、スイッチ回路
ＳＷ１がオンとなり、トランジスタＴｒ２のベース電圧
を低下させる。
ーザーダイオードＬＤに流れる電流が過大となり、抵抗
Ｒｓに発生する電圧が基準値電圧Ｖｒｅｆ以上になる
と、コンパレータＵ２の比較出力により、スイッチ回路
ＳＷ１がオンとなり、トランジスタＴｒ２のベース電圧
を低下させる。
【００１８】これによって、レーザーダイオードＬＤの
電流経路が遮断されるため、レーザーダイオードＬＤに
過電流が流れることを防止することができる。
電流経路が遮断されるため、レーザーダイオードＬＤに
過電流が流れることを防止することができる。
【００１９】３．ベース電流を制限する方法。 図８に示すように、トランジスタＴｒ１とレーザーダイ
オードＬＤ間に抵抗ＲＬを挿入し、このに抵抗ＲＬに発
生する電圧をトランジスタＴｒ１のベース−エミッタ間
に接続されたトランジスタＴｒ３のベースに印加するこ
とによって、レーザーダイオードＬＤに流れる過電流を
抵抗ＲＬによって検出し、トランジスタＴｒ１のベース
電流をレーザーダイオードＬＤ側にバイパスしてレーザ
ーダイオードＬＤに流れる過電流を低減する。
オードＬＤ間に抵抗ＲＬを挿入し、このに抵抗ＲＬに発
生する電圧をトランジスタＴｒ１のベース−エミッタ間
に接続されたトランジスタＴｒ３のベースに印加するこ
とによって、レーザーダイオードＬＤに流れる過電流を
抵抗ＲＬによって検出し、トランジスタＴｒ１のベース
電流をレーザーダイオードＬＤ側にバイパスしてレーザ
ーダイオードＬＤに流れる過電流を低減する。
【００２０】また、この時、抵抗Ｒｂを大きい値とする
ことによって、トランジスタＴｒ２からレーザーダイオ
ードＬＤに流れる電流を比較的小さくすることができ
る。
ことによって、トランジスタＴｒ２からレーザーダイオ
ードＬＤに流れる電流を比較的小さくすることができ
る。
【００２１】従来のレーザーダイオード駆動回路では、
このような方法によって、レーザーダイオードＬＤに流
れる過電流を遮断、または低減してレーザーダイオード
ＬＤを保護していた。
このような方法によって、レーザーダイオードＬＤに流
れる過電流を遮断、または低減してレーザーダイオード
ＬＤを保護していた。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザーダイオード駆動回路に用いられた電流リミット
の方法では、それぞれ以下に説明する問題点があった。
レーザーダイオード駆動回路に用いられた電流リミット
の方法では、それぞれ以下に説明する問題点があった。
【００２３】１．電源電圧または、抵抗Ｒｓを調整する
方法では、電源電圧ＶＬＤまたはＶＤＤがレーザーダイ
オード駆動回路専用の電源である場合は問題ないが、こ
の電源が他の回路と共用の電源であった場合、他の回路
への影響を考慮する必要があるため、電流リミットのた
めに電圧を低下させることは困難である。従って、１．
の方法では、レーザーダイオード駆動回路専用の電源を
用意しなければならないという問題点があった。
方法では、電源電圧ＶＬＤまたはＶＤＤがレーザーダイ
オード駆動回路専用の電源である場合は問題ないが、こ
の電源が他の回路と共用の電源であった場合、他の回路
への影響を考慮する必要があるため、電流リミットのた
めに電圧を低下させることは困難である。従って、１．
の方法では、レーザーダイオード駆動回路専用の電源を
用意しなければならないという問題点があった。
【００２４】２．コンパレータを用いる方法では、アク
ティブ素子であるコンパレータを用いる必要があるた
め、電源のオンオフ時等、過渡的な状態では、保護回路
自体が動作しない可能性があるという問題点があった。
ティブ素子であるコンパレータを用いる必要があるた
め、電源のオンオフ時等、過渡的な状態では、保護回路
自体が動作しない可能性があるという問題点があった。
【００２５】３．ベース電流を制限する方法では、レー
ザーダイオードＬＤの設定電流値が変わると抵抗RLの抵
抗値も変える必要があるので（例えば、VBEon=0.6V Ild
=30mAのときはRL<20Ω、Ild=60mAのときはRL<10Ωとな
る。）設定電流フィードバック用抵抗として用いている
抵抗Rsで抵抗RLを兼用することが難しいという問題点が
あった。
ザーダイオードＬＤの設定電流値が変わると抵抗RLの抵
抗値も変える必要があるので（例えば、VBEon=0.6V Ild
=30mAのときはRL<20Ω、Ild=60mAのときはRL<10Ωとな
る。）設定電流フィードバック用抵抗として用いている
抵抗Rsで抵抗RLを兼用することが難しいという問題点が
あった。
【００２６】また、レーザーダイオードＬＤの設定電流
値に過電流が設定されて保護がかかるときは、電流が抵
抗Rsを通らないので、演算増幅器ＯＰ１が飽和した状態
となるという問題点もある。
値に過電流が設定されて保護がかかるときは、電流が抵
抗Rsを通らないので、演算増幅器ＯＰ１が飽和した状態
となるという問題点もある。
【００２７】本発明は、上記課題を解決するもので、無
電源で動作し、他回路への影響の少ない過電流保護回路
（電流リミッタ）を備えたレーザダイオード駆動回路を
提供することを目的とする。
電源で動作し、他回路への影響の少ない過電流保護回路
（電流リミッタ）を備えたレーザダイオード駆動回路を
提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために請求項１に記載の発明では、レーザーダイオー
ド駆動回路において、レーザダイオードに直列接続され
た抵抗と、前記レーザダイオードと抵抗の直列回路と並
列にドレインとソースが接続された電界効果トランジス
タと、前記レーザダイオードと抵抗の直列回路の電位を
分圧する分圧手段と、前記分圧手段の分圧電圧を前記電
界効果トランジスタのゲートに印加する手段と、から構
成され、前記電界効果トランジスタに電流を分流するこ
とにより、電流制限をかけることを特徴とするものであ
る。
るために請求項１に記載の発明では、レーザーダイオー
ド駆動回路において、レーザダイオードに直列接続され
た抵抗と、前記レーザダイオードと抵抗の直列回路と並
列にドレインとソースが接続された電界効果トランジス
タと、前記レーザダイオードと抵抗の直列回路の電位を
分圧する分圧手段と、前記分圧手段の分圧電圧を前記電
界効果トランジスタのゲートに印加する手段と、から構
成され、前記電界効果トランジスタに電流を分流するこ
とにより、電流制限をかけることを特徴とするものであ
る。
【００２９】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載の発明において、前記分圧手段が直列接続された複数
の抵抗から構成されることを特長とするものである。
載の発明において、前記分圧手段が直列接続された複数
の抵抗から構成されることを特長とするものである。
【００３０】請求項３に記載の発明では、請求項１に記
載の発明において、前記分圧手段が直列接続された複数
の抵抗と定電圧ダイオードから構成されることを特長と
するものである。
載の発明において、前記分圧手段が直列接続された複数
の抵抗と定電圧ダイオードから構成されることを特長と
するものである。
【００３１】請求項４に記載の発明では、請求項１に記
載の発明において、前記分圧手段が直列接続された複数
の抵抗と、前記複数の抵抗に並列に接続された複数のコ
ンデンサから構成されることを特長とするものである。
載の発明において、前記分圧手段が直列接続された複数
の抵抗と、前記複数の抵抗に並列に接続された複数のコ
ンデンサから構成されることを特長とするものである。
【００３２】請求項５に記載の発明では、請求項１に記
載の発明において、前記電界効果トランジスタはＭＯＳ
ＦＥＴを用いたことを特長とするものである。
載の発明において、前記電界効果トランジスタはＭＯＳ
ＦＥＴを用いたことを特長とするものである。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を詳しく
説明する。図１は本発明に係るレーザダイオード駆動回
路の一実施例を示す回路図である。尚、同図において、
従来例と同一の構成要素は同一の符号を付し、説明を省
略する。
説明する。図１は本発明に係るレーザダイオード駆動回
路の一実施例を示す回路図である。尚、同図において、
従来例と同一の構成要素は同一の符号を付し、説明を省
略する。
【００３４】同図において、演算増幅器ＯＰ１と抵抗Ｒ
ｆ１ａ、Ｒｆ２ａ、Ｒｆ１ｂ，Ｒｆ２ｂは抵抗Ｒｓを電
流検出抵抗とする定電流源を構成している。
ｆ１ａ、Ｒｆ２ａ、Ｒｆ１ｂ，Ｒｆ２ｂは抵抗Ｒｓを電
流検出抵抗とする定電流源を構成している。
【００３５】トランジスタTr1は、定電流源を構成する
演算増幅器OP1の出力電流を増幅し、レーザダイオード
ＬＤを駆動する。
演算増幅器OP1の出力電流を増幅し、レーザダイオード
ＬＤを駆動する。
【００３６】ここで、抵抗Ｒｆ１ａ、Ｒｆ２ａ、Ｒｆ１
ｂ，Ｒｆ２ｂはレーザーダイオードＬＤのインピーダン
スに比べて十分大きい値となっているため、レーザーダ
イオードＬＤに流れる電流値は従来例と同様にI=(Vset/
Rs)*(Rf2/Rf1)となる。
ｂ，Ｒｆ２ｂはレーザーダイオードＬＤのインピーダン
スに比べて十分大きい値となっているため、レーザーダ
イオードＬＤに流れる電流値は従来例と同様にI=(Vset/
Rs)*(Rf2/Rf1)となる。
【００３７】また、同図において、抵抗Rbとダイオード
D1はトランジスタTr1のベース電圧をクランプするクラ
ンプ回路を構成し、抵抗Rmは電流リミッタのための電流
検用の抵抗であると共にインピーダンスマッチングの役
割を兼ねて用いられている。
D1はトランジスタTr1のベース電圧をクランプするクラ
ンプ回路を構成し、抵抗Rmは電流リミッタのための電流
検用の抵抗であると共にインピーダンスマッチングの役
割を兼ねて用いられている。
【００３８】また、直列接続された電流検用の抵抗Ｒ
ｓ、ＲｍとレーザーダイオードＬＤには、これと並列に
ドレインとソースが接続されたＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタＦＥＴ１（以下、単にＦＥＴ１と言う。）と、直
列接続された抵抗Ｒｓ、ＲｍとレーザーダイオードＬＤ
の直列回路の電位を分圧する分圧抵抗Ｒ１、Ｒ２が接続
されており、この分圧電圧がＦＥＴ１のゲートに印加さ
れている。
ｓ、ＲｍとレーザーダイオードＬＤには、これと並列に
ドレインとソースが接続されたＭＯＳ型電界効果トラン
ジスタＦＥＴ１（以下、単にＦＥＴ１と言う。）と、直
列接続された抵抗Ｒｓ、ＲｍとレーザーダイオードＬＤ
の直列回路の電位を分圧する分圧抵抗Ｒ１、Ｒ２が接続
されており、この分圧電圧がＦＥＴ１のゲートに印加さ
れている。
【００３９】ここで、ＦＥＴ１と抵抗R1,R2は電流リミ
ッタ１０を構成している。この電流リミッタ１０の等価
回路を図２に示す。
ッタ１０を構成している。この電流リミッタ１０の等価
回路を図２に示す。
【００４０】同図において、定電流源１１の出力電流が
レーザーダイオードＬＤに流れると、これに直列に挿入
された抵抗Ｒｍにより駆動端での電圧Ｖが上昇する。こ
の電圧Ｖを分圧抵抗Ｒ１１、Ｒ１２を用いて分圧し、FE
T１のゲートに加えることによりドレインーソース間の
抵抗Ｒを低下させ、電流ＩをFET１側に分流させて、レ
ーザーダイオードLD側に流れる電流ＩＬＤを制限する。
レーザーダイオードＬＤに流れると、これに直列に挿入
された抵抗Ｒｍにより駆動端での電圧Ｖが上昇する。こ
の電圧Ｖを分圧抵抗Ｒ１１、Ｒ１２を用いて分圧し、FE
T１のゲートに加えることによりドレインーソース間の
抵抗Ｒを低下させ、電流ＩをFET１側に分流させて、レ
ーザーダイオードLD側に流れる電流ＩＬＤを制限する。
【００４１】ここで、同図の等価回路において、 Ｉ：定電流源の出力電流 Ｖ：定電流源の出力端電圧 ＶＦ：レーザーダイオードＬＤの電圧降下 Ｋ；分圧比（Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）） Ｒ：ドレイン−ソース間抵抗 ＩＤ：ドレイン電流 ILD：レーザーダイオードＬＤに流れる電流 Ｒｍ：抵抗（レーザーダイオードＬＤの抵抗分を含む） Ｒoff:カットオフ電圧でのドレイン−ソース間抵抗 Ｇ：ゲート−ソース間電圧によるRの変化率 Vth:カットオフ電圧VGSoff とすると V=RmILD+VF （２） R=Roff-(V/K-Vth)G （３） ID=V/R （４） I=ILD+ID （５） の式が成立する。
【００４２】ここで、上記（２）〜（４）式を（５）に
代入すると、下記（６）式に示すIldについての２次方
程式を得る。 ａ・ＩＬＤ2＋ｂ・ＩＬＤ＋ｃ＝０ （６） 但し、（６）式の各係数ａ，ｂ，ｃは、 a=Rm*G/k b=-(Rm*G*I/k+Roff-Vf*G/k+Vth*G+Rm) c=Roff*I-I*Vf*G/k+Vth*G*I-Vf である。
代入すると、下記（６）式に示すIldについての２次方
程式を得る。 ａ・ＩＬＤ2＋ｂ・ＩＬＤ＋ｃ＝０ （６） 但し、（６）式の各係数ａ，ｂ，ｃは、 a=Rm*G/k b=-(Rm*G*I/k+Roff-Vf*G/k+Vth*G+Rm) c=Roff*I-I*Vf*G/k+Vth*G*I-Vf である。
【００４３】ここで上記（６）式に、カットオフ電圧Vt
h=1.5V、このときのドレイン−ソース間抵抗Roff=10k
Ω、ゲート-ソース間電圧によるドレイン−ソース間抵
抗Rの変化率Ｇ［Ω/V］=20kΩ/V、電流検出用抵抗の抵
抗値Rm=50Ω、レーザーダイオードLDの電圧降下Vf=1.8V
を代入し、通常のレーザーダイオードLD電流 ILD(Norma
l)=50mAを流したときにFET側への分流が1mA以下になる
ように、分圧比kを調整したときの、Ｉ-Ｉldのグラフを
図３に示す。
h=1.5V、このときのドレイン−ソース間抵抗Roff=10k
Ω、ゲート-ソース間電圧によるドレイン−ソース間抵
抗Rの変化率Ｇ［Ω/V］=20kΩ/V、電流検出用抵抗の抵
抗値Rm=50Ω、レーザーダイオードLDの電圧降下Vf=1.8V
を代入し、通常のレーザーダイオードLD電流 ILD(Norma
l)=50mAを流したときにFET側への分流が1mA以下になる
ように、分圧比kを調整したときの、Ｉ-Ｉldのグラフを
図３に示す。
【００４４】同図より明らかなように、本発明のレーザ
ーダイオード駆動回路では、定常状態のレーザーダイオ
ードLD電流 ILD(Normal)から、約１３ｍＡで電流リミッ
トをかけることができる。
ーダイオード駆動回路では、定常状態のレーザーダイオ
ードLD電流 ILD(Normal)から、約１３ｍＡで電流リミッ
トをかけることができる。
【００４５】このようにして本発明のレーザーダイオー
ド駆動回路では、無電源で動作すると共に、電源オンオ
フ時等の過渡状態においても有効に動作する過電流保護
回路（電流リミッタ）を備えたレーザダイオード駆動回
路を提供することが可能である。
ド駆動回路では、無電源で動作すると共に、電源オンオ
フ時等の過渡状態においても有効に動作する過電流保護
回路（電流リミッタ）を備えたレーザダイオード駆動回
路を提供することが可能である。
【００４６】また、以下に本発明の変形実施例を示す。
【００４７】図４は、上述した分圧比ｋを１に近づける
ために、抵抗Ｒ１に直列にツェナーダイオードＺＤを入
れたものである。
ために、抵抗Ｒ１に直列にツェナーダイオードＺＤを入
れたものである。
【００４８】図５は、抵抗Ｒ１、Ｒ２とFET1のゲート容
量Ｃや浮遊容量による応答の遅れ応答性を上げるため、
コンデンサＣ１、Ｃ２をそれぞれ抵抗Ｒ１、Ｒ２に入れ
たものである。この時、上記各静電容量値と上記各抵抗
値の比は、 Ｃ１：Ｃ２＋Ｃ＝Ｒ２：Ｒ１ （７） である。
量Ｃや浮遊容量による応答の遅れ応答性を上げるため、
コンデンサＣ１、Ｃ２をそれぞれ抵抗Ｒ１、Ｒ２に入れ
たものである。この時、上記各静電容量値と上記各抵抗
値の比は、 Ｃ１：Ｃ２＋Ｃ＝Ｒ２：Ｒ１ （７） である。
【００４９】なお、以上の説明は、本発明の説明および
例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎな
い。したがって本発明は、上記実施例に限定されること
なく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、
変形をも含むものである。
例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎな
い。したがって本発明は、上記実施例に限定されること
なく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、
変形をも含むものである。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば次の
ような効果がある。請求項１〜５に記載の発明では、無
電源で動作すると共に電源オンオフ時など過渡動作時で
も有効に動作する過電流リミット回路を備えたレーザー
ダイオード駆動回路を実現することができる。
ような効果がある。請求項１〜５に記載の発明では、無
電源で動作すると共に電源オンオフ時など過渡動作時で
も有効に動作する過電流リミット回路を備えたレーザー
ダイオード駆動回路を実現することができる。
【００５１】また、本発明に用いた過電流リミット回路
は、電界効果トランジスタや抵抗、コンデンサ等の安価
な部品のみで構成できると共に単純な回路構成で実現で
きるため、低コストで信頼性の高い過電流リミット回路
を備えたレーザーダイオード駆動回路を実現することが
できる。
は、電界効果トランジスタや抵抗、コンデンサ等の安価
な部品のみで構成できると共に単純な回路構成で実現で
きるため、低コストで信頼性の高い過電流リミット回路
を備えたレーザーダイオード駆動回路を実現することが
できる。
【００５２】更に、本発明に用いた過電流リミット回路
は、無電圧で動作すると共にリミット電流値の調整方法
が分圧抵抗の分圧比のみであるため、他回路への影響を
考慮することなくリミット電流値の調整を行なうことが
可能である。
は、無電圧で動作すると共にリミット電流値の調整方法
が分圧抵抗の分圧比のみであるため、他回路への影響を
考慮することなくリミット電流値の調整を行なうことが
可能である。
【図１】本発明に係るレーザーダイオード駆動回路の一
実施例を示す回路図である。
実施例を示す回路図である。
【図２】本発明の過電流リミット回路の等価回路図であ
る。
る。
【図３】本発明の過電流リミット回路の効果を説明する
グラフである。
グラフである。
【図４】本発明に係るレーザーダイオード駆動回路の変
形実施例を示す回路図である。
形実施例を示す回路図である。
【図５】本発明に係るレーザーダイオード駆動回路の変
形実施例を示す回路図である。
形実施例を示す回路図である。
【図６】従来のレーザーダイオード駆動回路の一例を示
す回路図である。
す回路図である。
【図７】従来の過電流リミット回路の一例を示す回路図
である。
である。
【図８】従来の過電流リミット回路の一例を示す回路図
である。
である。
Ｒｆ１ａ、Ｒｆ２ａ、Ｒｆ１ｂ，Ｒｆ２ｂ、Ｒｂ，Ｒ
ｍ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ＲＬ、Ｒｓ 抵抗 ＬＤ レーザダイオード ＯＰ１ 演算増幅器 Ｕ２ コンパレータ Ｔｒ１．Ｔｒ２，Ｔｒ３ トランジスタ ＦＥＴ１ 電界効果トランジスタ ＺＤ ツェナーダイオード Ｃ１、Ｃ２ コンデンサ １１ 定電流源
ｍ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ＲＬ、Ｒｓ 抵抗 ＬＤ レーザダイオード ＯＰ１ 演算増幅器 Ｕ２ コンパレータ Ｔｒ１．Ｔｒ２，Ｔｒ３ トランジスタ ＦＥＴ１ 電界効果トランジスタ ＺＤ ツェナーダイオード Ｃ１、Ｃ２ コンデンサ １１ 定電流源
Claims (5)
- 【請求項１】レーザーダイオード駆動回路において、 レーザダイオードに直列接続された抵抗と、 前記レーザダイオードと抵抗の直列回路と並列にドレイ
ンとソースが接続された電界効果トランジスタと、 前記レーザダイオードと抵抗の直列回路の電位を分圧す
る分圧手段と、 前記分圧手段の分圧電圧を前記電界効果トランジスタの
ゲートに印加する手段と、 から構成され、前記電界効果トランジスタに電流を分流
することにより、電流制限をかけることを特徴としたレ
ーザダイオード駆動回路。 - 【請求項２】前記分圧手段が直列接続された複数の抵抗
から構成されることを特長とする請求項１に記載のレー
ザダイオード駆動回路。 - 【請求項３】前記分圧手段が直列接続された複数の抵抗
と定電圧ダイオードから構成されることを特長とする請
求項１に記載のレーザダイオード駆動回路。 - 【請求項４】前記分圧手段が直列接続された複数の抵抗
と、前記複数の抵抗に並列に接続された複数のコンデン
サから構成されることを特長とする請求項１に記載のレ
ーザダイオード駆動回路。 - 【請求項５】前記電界効果トランジスタはＭＯＳＦＥＴ
を用いたことを特長とする請求項１に記載のレーザダイ
オード駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194412A JP2002016314A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | レーザーダイオード駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000194412A JP2002016314A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | レーザーダイオード駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016314A true JP2002016314A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18693247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000194412A Pending JP2002016314A (ja) | 2000-06-28 | 2000-06-28 | レーザーダイオード駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002016314A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073841A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | 駆動回路 |
| CN108847572A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-20 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种半导体激光器的供电装置及恒流源 |
-
2000
- 2000-06-28 JP JP2000194412A patent/JP2002016314A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073841A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | 駆動回路 |
| CN108847572A (zh) * | 2018-05-28 | 2018-11-20 | 深圳瑞波光电子有限公司 | 一种半导体激光器的供电装置及恒流源 |
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