JP2001523375A - 冷陰極電界放出極フラットスクリーンディスプレイ - Google Patents

冷陰極電界放出極フラットスクリーンディスプレイ

Info

Publication number
JP2001523375A
JP2001523375A JP51683597A JP51683597A JP2001523375A JP 2001523375 A JP2001523375 A JP 2001523375A JP 51683597 A JP51683597 A JP 51683597A JP 51683597 A JP51683597 A JP 51683597A JP 2001523375 A JP2001523375 A JP 2001523375A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display device
electrode
field emission
spacer structure
visual display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP51683597A
Other languages
English (en)
Inventor
ゲ、シチャオ
ヤム、ラップ、マン
リアング、チャールズ、エス.
ファン、シ
Original Assignee
ピックステック インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ピックステック インコーポレイテッド filed Critical ピックステック インコーポレイテッド
Publication of JP2001523375A publication Critical patent/JP2001523375A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/14Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
    • H01J9/148Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of electron emission flat panels, e.g. gate electrodes, focusing electrodes or anode electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/028Mounting or supporting arrangements for flat panel cathode ray tubes, e.g. spacers particularly relating to electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/467Control electrodes for flat display tubes, e.g. of the type covered by group H01J31/123
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes
    • H01J31/125Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/126Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using line sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123Flat display tubes
    • H01J31/125Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/18Assembling together the component parts of electrode systems
    • H01J9/185Assembling together the component parts of electrode systems of flat panel display devices, e.g. by using spacers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30Cold cathodes
    • H01J2201/304Field emission cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86Vessels
    • H01J2329/8625Spacing members
    • H01J2329/863Spacing members characterised by the form or structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

(57)【要約】 行に配置された電界放出極の帯は、観察方向に見たときに格子電極と重複してピクセルドットを規定する。走査電圧を電界放出極の行に印加して走査を実行し、そしてデータ電圧を格子電極に印加してディスプレイの輝度を制御する。格子電極に印加された電圧はまた、電界放出極からの電子を焦点合わせする。金属メッシュ上に格子電極を組み立てて集積構造を成形する金属メッシュにより、ディスプレイの製造が非常に単純になる。

Description

【発明の詳細な説明】発明の名称 冷陰極電界放出極フラットスクリーンディスプレイ発明の背景 本発明は、一般的にフラットパネルディスプレイ構造に関し、さらに詳しく言 えば、冷陰極電界放出極を搭載したフラットパネルディスプレイに関する。 フラットパネルディスプレイは、薄型軽量の利点からその応用の数は増加して いる。これらは、アクティブおよびパッシブ液晶ディスプレイ(AMLCD,L CD),ACおよびDCプラズマディスプレイ(PDP),電界ルミネセンス( EL)ディスプレイ,電界放出ディスプレイ(FED)およびフラットマトリッ クス陰極線管(CRT)ディスプレイを含む。しかしながら、AMLCDの製造 費は高いものである。さらに、歩留りが悪いため、大画面のAMLCDを製造す るのは困難となる。したがって、AMLCDがノートブックコンピュータや高情 報のグラフィックスディスプレイ市場を支配していても、大画面の最高ビデオ速 度をもつフラットパネルディスプレイでの可能性は制限を受けるものと思われる 。 フラットマトリックスCRTおよびプラズマ放電パネル(PDP)ディスプレ イ等の放出タイプのフラットパネルディスプレイは、電力消費が大きいため不利 である。ディスプレイの長さに延びた陰極フィラメントを搭載したフラットCR Tディスプレイも提案されてきた。例えば、米国特許第5,170,100号を 参照されたい。そのような熱電子放出ディスプレイの動作が信頼性のあるもので あることは証明されており、低コストで大量に製造できるが、それでもこれらの 装置は、広い領域のフラットパネルディスプレイシステムで使用される際、欠点 があることが分かっている。したがって、熱電子陰極フィラメントは両端にばね を付けて設けなければならず、適度な張力を設定して振動を減少させる必要があ る。接触によるフィラメント支持体への熱損失は冷い終端効果を引き起こし、フ ィラメントの両端での電子放出が悪くなる。フィラメントは高温で動作させなけ ればならず、それは逆に蛍光体の効率や寿命に影響を及ぼすことになる。フィラ メントアレイの搭載は、費用有効かつ高処理能力での製造を考慮すると困難なも のである。 電界放出極は、フラットパネルディスプレイおよび真空マイクロエレクトロニ クスの応用分野で使用されてきた。冷陰極および電界放出ベースのフラットパネ ルディスプレイは、他のタイプのフラットパネルディ スプレイよりも利点がいくつかある。これらは、AMLCDと比較すると、例え ば、低電力消費,高輝度,改良された視野角度および製造の複雑性削減とコスト 削減を含む。しかしながら、従来の方法でこの技術を使用する広範囲領域のパネ ルの完全性には、高密度の同一の鋭いマイクロチップを組み立てる必要があるた め問題がある。このため、FEDパネルは、AMLCDの組立で生じたものと同 じ高コストおよび低歩留りを被ることになる。このことは、以下でさらに詳しく 説明する。 各電界放出極は、ベース電極およびゲート電極を通常含む。ディスプレイは、 X−Yのアドレッシングスキームで、走査電圧をベース電極もしくはゲート電極 の行に印加し、そしてデータ変調電圧を残りの電極の列に印加し、そうすること で1以上のマイクロチップのグループに対応する各ピクセルでディスプレイ輝度 を制御する。それ故に、各ピクセルでの輝度は、電界放出極の対応するグループ またはグループ群の放出特性によるものとなる。個々の電界放出極が、製造過程 での変化から生じる異なる電流−電圧特性をもつので、そのような電界放出極は 異なる電子放出特性をもち、それにより輝度に違いが生じてくる。そのような要 因から生じた輝度のばらつきは、小画面ディスプレイではまだ我慢できるもので はあるが、そのような従来の FEDパネルを大画面のフラットパネルまで拡大すると困難になる。 さらに、各マイクロチップは、マイクロチップの軸を中心とした広角度の円錐 内に電子を放出するので、電界放出極のゲートとディスプレイの陽極との間に短 い隔離距離が維持されなければならない。もしゲートと画面の間に長い隔離距離 が維持されるならば、マイクロチップから放出された電子は横方向に広がり、深 刻な漏話や低解像度のディスプレイを引き起こすことになる。そのような問題を 避けるために、短い隔離距離を、一方は陽極そして他方はマイクロチップのゲー トとの間に維持する。つまり、陽極と電界放出極との間の電圧は小さくなければ ならず、そうでなければ、陽極の高電圧が電界放出極のゲートに打ち勝つ電力を 与えてしまい、単純にディスプレイのすべてのピクセルを漠然とオン状態にする ので、画像のディスプレイが全くなくってしまう。このため、装置は低電圧で動 作されなければならないので、高性能の蛍光体を使用しても、そのような低電圧 では効果的に動作しない。 さらに、アドレッシングが各個々のマイクロチップアレイのゲートおよびベー ス電極を制御することでなされるので、ディスプレイの各行と列はX−Yアドレ ッシングで制御されなければならない。640行×480列のディスプレイの場 合、640行に対して64 0電気接続、そして列に対して480接続が存在するので、行と列の集積回路駆 動装置をテレビに設けるのは、扱いにくくまたコストがかかる。 従来のFEDパネルの上記欠点を考慮して、米国特許第5,347,201号 にあるシステムのような代替となるものが提案されてきた。米国特許第5,34 7,201号のシステムには、電界放出極アレイが使用されており、電子蛍光デ ィスプレイの陰極フィラメントと取り替えられている。その提案されたシステム において、冷陰極電界放出極は陰極フィラメントの代わりに電子源として用いら れ、そして3つの格子電極のセットが、ディスプレイ輝度の走査およびデータ変 調を制御するように用いられる。しかしながら、そのような考えでは、3つの電 極のセットを正確に載せる必要があり、非常に面倒な作業となる。 上述した構造はどれも完全に満足のいくものではない。それ故に、改良を施し たフラットパネルディスプレイを提供することが望ましく、それは、上述した欠 点を回避もしくは削減するものである。発明の要約 本発明の第1の特徴は、陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置に関するもの であり、前記装置は、前記装置を視覚方向に見るとき、画像を表示するための複 数のピクセルドットをもつ。装置はそこに室を規定するハウジングを含み、前記 ハウジングは面板と背板をもち、また、前記装置は、前記面板上かその近くにあ る陽極と、電極に応じて光を発光し、陽極上からそれに隣接しているルミネセン ス手段を含む。前記装置はさらに、面板と背板の間にある室に電界放出陰極エレ メントの複数の行を含み、また、電子通路用に孔を規定する第1のスペーサ構造 と、陽極と陰極の間にある長い格子電極の第1のセットを含み、前記電極は、視 覚方向に見たとき、ルミネセンス手段と前記行の位置が重複し、ここで重複した 位置はピクセルドットを規定する。前記装置はさらに、陽極,陰極,格子電極の セット,そして電界放出陰極エレメントの行に電圧を印加して、陰極エレメント に電子を放出させ、そして望ましいピクセルドットで陽極上かそれに隣接した位 置にあるルミネセンス手段までそのような電子を向かわせて、望ましい輝度の画 像を表示する。 本発明の別の特徴は、スペーサ構造をもつディスプレイ装置を製造するための 方法に関し、前記方法は、予め定めたパターンの孔をもつ金属メッシュを形成す るために金属層を処理するステップと、前記金属メッシュに絶縁コーティングを 施すステップと、前記絶縁層に格子電極パターンを形成するステップと、そして 前記ディスプレイ装置を形成するために陽極と少なく とも1つの陰極の間に前記スペーサ構造を挿入するステップとを含む。 本発明のさらなる別の特徴は、陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置により 画像を表示するための方法に関する。前記装置は、陽極と,電極に応じて光を発 光し陽極上かそれに隣接しているルミネセンス手段と,面板および背板の間にあ る複数の行もしくは電界放出エレメントと,そして陽極と陰極の間にある長い格 子電極の第1のセットを含み、前記電極は、視覚方向に見たとき、ルミネセンス 手段と前記行の位置が重複しており、ここで重複した位置はピクセルドットを規 定する。前記方法は、陰極エレメントの行に電子を連続して放出させ、ここにお いて、各行により一度に電子を放出し、陽極,陰極および格子電極のセットに電 圧を印加することで、陰極エレメントにより放出された電子を望ましいピクセル ドットで陽極上もしくはそれに隣接したルミネセンス手段まで向かわせて、望ま しい輝度の画像を表示する。 本発明のさらなる特徴は、ルミネセンス手段および画像を表示するために選択 された位置でルミネセンス手段の方へ電子を放出するための複数の電子源を含む ディスプレイ装置に関する。各電子源は、ベース電極,前記ベース電極とは電気 的に絶縁されているゲート電極,複数のマイクロチップ構造,そしてレジスタの 第 1のセットを含み、前記第1のセットにある各レジスタは対応するマイクロチッ プ構造に電気的に接続されている。各電子源はさらに、ベース電極とマイクロチ ップ構造の間に接続された実質的に一定の電流源を含み、総量が実質的に一定の 電流を前記複数のマイクロチップ構造に供給する。 本発明のさらなる特徴は、ルミネセンス手段および画像を表示するために選択 された位置でルミネセンス手段の方へ電子を放出するための複数の電子源を含む ディスプレイ装置に関し、各電子源は、ベース電極と前記ベース電極とは電気的 に絶縁されたゲート電極と複数のマイクロチップ構造と、そしてレジスタの第1 のセットを含み、前記第1のセットにある各レジスタは対応する1つの構造に電 気的に接続されている。各電子源はさらに、電流制限回路をレジスタに接続する ことで、レジスタと回路はベース電極をマイクロチップ構造に接続して、ベース 電極により前記複数のマイクロチップ構造へ送られた電流の総量を制限する電流 制御回路と、そして電流をベース電極に供給して、マイクロチップにルミネセン ス手段の方へ電子を放出させる電流供給手段を含む。図面の簡単な説明 図1は、本発明の実施例を説明するもので、上側も しくは底側からの冷陰極のフラットパネルディスプレイ装置の一部の側面断面図 である。 図2は、図1の発明を説明するもので、図1の線2−2で切り取った装置の左 側もしくは右側からの図1の装置の一部の断面図である。 図3は、上側もしくは底側から見たときの電界分布や冷陰極電界放出極と陽極 との間の電子通路を示すもので、図1および図2の装置の一部の断面図である。 図4は、本発明を説明するもので、図1〜3のディスプレイ装置の一部の斜視 図である。 図5は、本発明の別の実施例を説明するもので、格子電極の2つのセットを搭 載した冷陰極フラットパネルディスプレイ装置の一部の概略的断面図である。 図6Aは、本発明の好適な実施例を説明するもので、本発明のディスプレイに ある単一ピクセルもしくはピクセルドットに対応する冷陰極電界放出極アレイの 断面図である。 図6Bは、図6Aの構造を示した回路図である。 図6Cは、本発明を説明するもので、図6Aに代替する実施例の回路図である 。 図7Aは、本発明を説明するもので比較するために、従来の冷陰極電界放出極 で一定の時間流れる電流と、本発明のものにより流れる電流とを示したグラフで ある。 図7Bは、電界放出極のI〜Vの特徴を示したグラフである。 図8Aは、本発明を説明するもので、スペーサ,格子電極および冷陰極電界放 出極アレイの一部の断面図である。 図8Bは、本発明を説明するもので、図8Aの冷陰極電界放出極アレイの平面 図であり、図8Aと並べて示されている。 図9Aは、本発明を説明するもので、スペーサ,格子電極および区分された薄 膜の金属電極アレイを含む冷陰極電界放出極アレイの一部の断面図である。 図9Bは、本発明を説明するもので、アレイの他の部分により覆われていない 図9Aの区分された薄膜の金属電極アレイの平面図である。 図10Aおよび図10Bは、本発明を説明するもので、金属メッシュ−グリッ ドワイヤのスペーサ構造を搭載したディスプレイ装置の一部の断面図であり、こ こでは、構造での各グリッドワイヤは、金属メッシュにある孔の端部近くか、も しくは孔の中心に揃えた部分に置かれ、ここで2つの図の2つの金属メッシュは 孔において異なる形状の端部をもつものである。 図10Cおよび図10Dは、本発明を説明するもので、金属メッシューグリッ ドワイヤのスペーサ構造を搭載したディスプレイ装置の一部の断面図であり、前 記構造は、各孔に対応する構造で2つもしくは3つのグリッドワイヤをもち、メ ッシュの孔の端部および//もしくはその中心に揃えた位置に置かれる。 図11は、本発明を説明するもので、図10A〜10Dで使用される金属メッ シュ−グリッドワイヤのスペーサ構造の実施例を示した斜視図である。 図12は、ディスプレイ装置の動作を説明するもので、図10A〜10Dおよ び図11のディスプレイ装置の一部の概略的断面図である。 図13Aは、本発明の好適な実施例を説明するもので、図11の金属メッシュ −グリッドワイヤ構造の代わりに、図10A〜10Dで使用される金属メッシュ −グリッドワイヤのスペーサ構造の別の実施例を示した平面図である。 図13Bは、本発明の好適な実施例を説明するもので、図13Aの線13B− 13Bに沿った図13Aの構造の断面図である。 図14Aは、本発明を説明するもので、図10A〜10D、11および図12 の実施例において、個々のワイヤの代わりに使用されるグリッドワイヤ構造の平 面図である。 図14B〜14Eは、図14Aのワイヤ構造の一部の分解図である。 簡潔に記載するために、異なる図で同一な部分は同 じ参照番号で表示している。発明の実施の形態 図1および図2は、本発明を説明するもので、それぞれ上側もしくは底側と横 側から見たもので、冷陰極電界放出極アレイと格子電極と統合させた1つのスペ ーサをもつ3つのスペーサを搭載したディスプレイ装置の断面図である。したが って、図1および図2に示されているように、装置20は、透明な面板22と背 板24をもち、それらの間に室を規定する。面板の内面にある導電材料の層は、 陽極26として働き、その上部には、蛍光体28のような蛍光材料の層がある。 背板24の内面には、電子を放出するための図1および図2に示されたアレイ3 0のような冷陰極電界放出極のアレイがある。格子電極32,32’,3''は、 アレイ30にある電界放出極から蛍光体28に通過する電子量を制御し、それに よってオン/オフの切換に加えさらに蛍光体28からの光の輝度も制御する。そ うして表示される画像は視覚方向36に沿って観察者34により観察される。図 1に示されているように、3つの格子電極32,32’,32''のパターンは、 ディスプレイの左側から右側へと繰り返される。 図1および図2に示されているように、アレイ30のようなアレイは、左から 右に続いておりディスプレ イの行を形成するのに対して、格子電極32,32’,32''は上から底へと続 いており、好ましくはアレイ30に垂直であり、ディスプレイの列を形成する。 したがって、5つの格子電極32,32’,32''の断面が図1に示されている のに対して、図2は、図1の線2−2に沿って切り取られて示されている装置2 0の一部の断面図である。このように、格子電極32と行30は蛍光体層28の ピクセルドットGを重複するので、観察者34か方向36に沿って見たとき、電 子により衝撃を受けたとき緑色を発光する。同様に、格子電極32’は、層28 のピクセルドットRで行30と重複するので、方向36に沿って見たとき、電子 により衝突されると赤色を発光する。格子電極32''は、層28のピクセルドッ トBで行30と重複するので、観察者34が観察方向36に沿って見て、電子に より衝撃を受けたとき青色を発光する。好適な実施例において、走査の制御は、 行30および図1および図2には示されていない同様の行、そして格子電極32 ,32’,32''および他の同様な格子電極に適切な電圧を印加することで行わ れ、それによりディスプレイの輝度を制御する。 上述したディスプレイの構造は、従来の冷陰極電界放出ディスプレイと比較す ると、X−Yアドレッシングの方法や制御回路を非常に単純化したものである。 従来の冷陰極電界放出ディスプレイでは、X−Yアドレッシングや輝度制御を達 成するには、電圧をベースおよびゲート電極の両方に印加する必要がある。それ とは対象的に、図1および図2にある電界放出極の行30は、電界放出極にある マイクロチップをオンもしくはオフに切り換えて、それらに電子を放出させるか もしくは電子の放出を止めさせるかのいずれかを行うだけで制御される。つまり 、ディスプレイの電界放出極の行30もしくは他の行に電圧を印加して輝度制御 を行う必要はない。 装置20はまた、電気蛍光ディスプレイよりも利点があり、ここでは陰極フィ ラメントは冷陰極電界放出極で置き換えられるので、陰極フィラメントを使って 生じる固有の問題は全て避けられる。 装置20はさらに、従来の電界放出極ディスプレイよりも利点があり、ここで は行30の電界放出極は、従来の電界放出極ディスプレイと比較すると陽極26 と蛍光体層28からさらにかなり離れて間隔を保っている。電子が広範囲の円錐 角で電界放出極により放出され、再度方向付けをしなければ横方向に広がっても 、電子経路は格子電圧32,32’,32''の電圧により形成され制御されるの で、電子は焦点合わせされ、アドレスされる望ましいピクセルドットまたはドッ ト群の方へと向けられる。このため、面板と背板の間隔 は0.5mmより大きくなるようにされ、その間隔は少なくとも1.5mmであ るものが好ましい。そのような間隔で、行30にある冷陰極と陽極26の間に約 数キロボルトの電圧のような高電圧を印加し、蛍光体層28は、ディスプレイの 性能を非常に高める高性能,高電圧タイプのものである。上述した電子経路形成 および焦点結果が図3に示されている。 図3に示されているように、マイクロチップにより放出された電子が通常広範 囲の円錐角内に広がっても、電圧が格子電極62,64,66および68に印加 されているため、電界分布によりそのような電子が形成されるので、このような ことは起こらない。その結果、広範囲の円錐角内にマイクロチップからもともと 放出された電子は焦点が合わされ、図3に示されているピクセルドット72の方 向へ向けられる。格子電極に印加された電圧により生じた格子電圧ライン74は が3に示されている。 スペーサ40は、面板と背板の間に設けられており、ここでスペース板40は 孔42を含み、電子の通路を形成する。スペーサ40はまた、前記電界放出極か らの電子の経路を望ましいピクセルドットに揃えるように働く。したがって、図 1に示されているように、スペーサ構造40の分離壁44は、大きな孔42を3 つの小さな孔46,47,48に分割し、ここで孔46 の表面の少なくとも1つの部分(図1,2にある陽極側の部分)は格子電極32 ’で被覆されており、孔47の表面の少なくとも1つの部分は格子電極32によ り被覆され、そして孔48の表面の少なくとも1つの部分は格子電極32''によ り被覆される。観察者34が観察方向36に見たとき、孔46はピクセルドット Rと重複し、孔47はピクセルドットGと重複し、そして孔48はピクセルドッ トBと重複する。したがって、孔46,47,48がそれらの間でピクセルドッ トR,G,Bにそれぞれ揃うことにより、適切な電圧を対応する格子電極32′ ,32,32''に印加することが容易になり、アレイ30からの電子を適切なピ クセルドットに焦点合わせでき、周辺の選択していないピクセルドットには焦点 合わせ(漏話となる)しなくなる。 図1および図2に示されているように、スペーサ37のセットは、スペーサ4 0と背板24の間に設けられ、そしてスペーサ39のセットは、スペーサ40と 面板22の間に設けることで、大気圧に対して面板および背板を支持する。スペ ーサ40は、絶縁層で被覆された金属コアを含む。格子電極は、絶縁層に金属層 を配置することで形成される。金属の一部は、スペーサにある孔の表面上や陽極 もしくは陰極エレメントに面しているスペーサの平面上に形成されるのが好まし い。 上記の特徴は、従来の多くの電界放出極ディスプレイで要求されていたような 、特定のピクセルドットをアドレスするための電界放出極をそのようなピクセル ドットに正確に揃える必要性を緩和するものである。言い換えれば、孔表面で格 子電極とともに適切なピクセルドットに揃えられる孔をもつ空間構造40とそこ に印加される電圧により、電界放出極と対応するピクセルドット間の不一致に対 して耐久性がある装置20がもたらされる。そのような構造により、装置20は 大量かつ低コストで製造が可能となる。 図4は、冷陰極電界放出極アレイ30(1)〜30(3)の3つの行と,4番 目の行30(4)の一部と,そして12個の格子電極32(1),32(2), ...,32(12)を示す装置20の斜視図である。装置20’の内部をより 明確に示すために、冷陰極電界放出極の一部,格子電極,スペーサ40,そして 面板22は取り除いており、スペーサ37も取り除いている。図1および図4に 示されているように、ピクセルドットR,G,Bの1グループが1ピクセルを形 成するので、ディスプレイ装置20’の一部は、XおよびY方向に沿って4×4 の構造にある16ピクセルを含むことになる。明らかに、各ピクセルは、2つの 緑ドット,1つの赤および1つの青ドットを含む4つの ドットのように、異なる数のピクセルドットを含む。また前記および他の種類の ものも本発明の範囲内である。1つの実施例において、スペーサ40は少なくと も約0.05mmの厚みをもつものである。 各冷陰極電界放出極の走査は、残りの電極の電圧を一定に保ちながら、適切な 電圧をベース電極かゲート電極のいずれかに印加することで実行される。 例えば、0〜1000ボルトの範囲の一定電圧を冷陰極電界放出極の全てのベー ス電極に印加する一方で、1〜200ボルトの範囲の電圧をその時に走査される 選択した行にある電界放出極のゲートに印加することで走査が達成される。32 ,32’,32''のような格子電極に印加された電圧は、−200〜200ボル トの範囲にある一方で、陽極は少なくとも1キロボルトの一定電圧であり、蛍光 体がアルミニウムで被覆されていない場合、1〜3キロボルトであるのが好まし く、また、蛍光体がアルミニウムで被覆されている場合、4〜6キロボルトもし くはそれより高いものが好ましい。 替わりに、ディスプレイ20,20’のアドレッシングは、適切な電圧を走査 用に32,32’,32'',62〜68のような格子電極に印加し、オンとオフ の切り換えやディスプレイ輝度の制御用に陰極電界放出極の行に印加することで 達成される。前記および他の 変更は本発明の範囲内である。冷陰極電界放出極に印加される電圧が、従来の冷 陰極電界放出極ディスブレイと対照的に、ピクセルの輝度を変調することなく電 界放出極のオンとオフの切り換えのみのものであれば、装置20,20’で使用 されている集積回路駆動装置は、従来の冷陰極電界放出極ディスプレイで必要と されていたものよりもかなり単純なものにすることが可能となる。 図5は、電極102の余分なセットが用いられている点を除けば、装置20と 実質的に同じものであるディスプレイ装置100の一部を示した断面図であり、 ここでは、電極102は、冷陰極電界放出極の行に実質的に平行なものである。 電極102に印加された電圧もまた走査用に使用される。冷陰極電界放出極と電 極102の両方の電圧を制御することで、冷陰極電界放出極の行を走査するため の回路は非常に単純なものとなる。特に、電界放出極アレイの単一帯は電子を放 出するのに使用され、50走査線のような多数の走査線を照明する。アレイの電 界放出極がオンになると、多数の走査線は、格子電極102を用いて走査される 。そのような単一帯の電界放出極アレイに重複する格子電極102の選択した1 つに適切な電圧を印加することで、そのような選択した格子電極に重複するピク セルドットのみがアドレスされる。図5に示されている ように、格子電極102のセットに適切な格子電圧を印加することにより、行3 0により放出された電子が、多数(例えば、4つ)のピクセルラインの1つに焦 点合わせされるようになることで、行30により放出された電子は、1つの行だ けでなく多数のピクセルの行を走査するために使用される。再度言うが、32の ような格子電極に印加された電圧は、ディスプレイの輝度を制御するために使用 される。 従来の冷陰極電界放出極ディスプレイで生じた問題の1つは、ディスプレイに 均一性がないことであり、これは、広範囲に渡って同じ電流−電圧(I−V)特 性をもつマイクロチップを製造することが困難であったためである。さらに、デ ィスプレイがある時間動作した後、放出極の欠陥が増え、ディスプレイを処分し なければならないところまでディスプレイの輝度が落ちてしまう。 本発明の別の特徴は、以下の認識に基づくものであり、それは、アレイにより 特定のピクセルドットもしくはピクセルに流される電流の総量が時間に対して一 定を保つように冷陰極電界放出極をデザインすることで、ディスプレイはそのよ うなドットもしくはピクセルで輝度が均一となるというものである。もしこの総 電流の値がディスプレイのピクセルもしくはピックセルドットの全てに実質的に 達成されれば、ディスプレ イの輝度は均一になる。そのような目標は図6Aの冷陰極電流電界放出極構造に より達成される。 従来の電界放出極構造にあるように、構造120は複数のマイクロチップを含 み、ここでは3つのマイクロチップ122のみが簡潔に示すために図示されてい る。実際、行において各構造は何千のマイクロチップを含んでいる。各マイロチ ップのベースは、図6Aに示されているように、第1の抵抗層126,区分され た薄膜金属層128および第2の抵抗層130を介してベース電極124に接続 されている。層126,130は金属層128と比較するとかなり高い抵抗をも つ。それ故に、各マイクロチップ122とベース電極124との間の接続は、抵 抗層126,130の一部とマイクロチップと重複する2つの抵抗層の間にある 金属層128の部分からなる。また、3つのマイクロチップ122に対する層の 電気回路が図6Bに略図的に示されており、ここではマイクロチップ122のベ ースと金属層128の間にある抵抗層126の一部の抵抗がR1であり、金属層 128とベース電極124の間にある抵抗層130の一部の抵抗がR2である。 したがって、電源132が電力をベース電極124に供給するとき、抵抗層1 30の抵抗R2は、電源132により対応するレジスタR1を介して3つのマイ クロチップ122に流される電流の量を制限する。こ のように、レジスタR2,R1は、電流サージを防ぎ、そのような電力サージに より生じるマイクロチップへのダメージを減らす。さらに、ピクセルの行をアド レスするために、特定の冷陰極電界放出極アレイにあるマイクロチッブ122の 全てに流される電流の総量を制限することで、そして各アレイに補助マイクロチ ップを含むことにより、アレイの寿命は従来の構造よりも数倍長くなる。レジス タR2があることでアレイのマイクロチップへ流される電流の総量が制限され、 そして補助放出極が追加されることから、行にある放出極の全てが電子を放出す るわけではないので、最初に、マイクロチップのいくつかは電子を放出しないか 、もしくは低い割合で放出するかのいずれかである。特定のマイクロチッブが電 子を放出するか否かは、そのI−V特性による。ディスプレイがある一定の動作 期間を終えた後、全容量で動作してきたマイクロチップは、電子を放出していな いかもしくは低い割合で電子を放出しているものと比較するとより短い寿命にな る。したがって、そのように完全に動作しているマイクロチップは最初に欠陥を もつようになる。しかしながら、これが起こるとき、この時まで電子を放出して いなかったり、低い割合で電子を放出するのみであったマイクロチップは、その ような状況で、スラックを取り除いたり、そして以前とは異なり電子を放出した り、も しくは以前よりも高い割合で電子を放出するかのいずれかを始めることを、出願 人は発見した。この方法で、電源132によりレジスタR2,R1を介してマイ クロチップ122に流され電子として放出される電流の総量は、本質的に一定の まま維持され、そのような臨時の補助マイクロチップが消耗するまで維持される 。したがって、図6Aの冷陰極電界放出極構造120を使用することにより、ピ クセルの行をアドレスするために補助マイクロチップを各アレイに付加してとも に使用することで、ディスプレイの寿命は従来の電界放出極ディスプレイよりも 数倍に増える。これは、図7Aに図示されている。 図7Aに示されており、従来の構造にあるように、層126のような単一抵抗 層をもつマイクロチップに電源により電流が流される場合、電流は時間に対して 図7Aに示されている点線に沿って下降する。R2のような第2のレジスタがま た補助マイクロチップとともに搭載されている場合、電流は従来の構造と比較し てかなり長い時間一定に維持される。そのように実質的に一定の電流は、図7A に示されている実線で図示されている。図7Bは、異なるタイプのIon−Vgate もしくは単に電界放出極のI−V特性を示したグラフである。R1のような単一 のレジスタのみが搭載されているならば、I−V特性は点線や「単一R」とラベ ル付けして示されている。ゆえに、そのような場合、印加される電圧に応じて、 オンになるマイクロチップもあれば、全くオンにならないものもある。ベース電 極と電極R1のセットの間に連続して接続されている追加のレジスタR2を搭載 することで、流される電流は広範囲の電圧に対して達成される値に制限される。 このように、追加のレジスタは電界放出極の性能を高める。単一の抵抗層130 を搭載する代わりに、図6Cに示されているように実質的に一定の電流源150 によりレジスタを置き換えることで同じ効果が実質的に達成される。例えば、一 定の電流源は、トランジスタ(例えば、MOSFET)のドレイン/ソース経路 であり、そのゲートは回路により制御されている(図6Cに図示されていない) 。そのような方法でトランジスタを使用する利点は、電源132によりベース電 極に流され、レジスタR1を介してマイクロチップに流されている電流の総量が 制御回路により調整されることで、ディスプレイの異なるピクセルにより均一の ある輝度を達成することである。前記および他の電流源もまた使用され本発明の 範囲内である。 図8Aは、本発明を説明するもので、スペーサの一部,格子電極62,64お よび図6Aのものと同様の冷陰極電界放出極構造を示した断面図である。図8A に示されているように、区分された薄膜の金属層12 8’は、孔32'''に対して揃っていない。そのような不一致は、図8Bにさら に詳しく示されており、図8Bは、図8Aの線8B−8Bに沿って取られた電界 放出極アレイの平面図である。 図8Bに示されているように、活性領域として印が付けられている部分のみが 、図8Aの孔32'''と重複しているピクセルドットをアドレスするために電子 を放出することが有効である。これは、活性領域での電界が、そのような領域の 外側のものよりも高いためであり、それは、図3にある陽極と電極62〜68の 電位で生じる等位線74から分かる。したがって、従来の電界放出極ディスプレ イとは対照的に、金属層128’が陽極のピクセルもしくはピクセルドットに対 して揃っていなくても、そのような不一致はディスプレイの質にはあまり影響を 及ぼさない。 このように、活性領域での電界放出極は、図8Bに印を付けられている活性領 域内にはない外側の領域にあるものと比較すると寿命が短くなる。これらの臨時 放出極は、活性領域にある電界放出極が寿命に達し、そして機能が悪くなるとき 、スラックを取り除く。これは、図9A9Bを参照してさらに詳しく示される。 図9Aは、図8Aにある1つの広範囲に区分された薄膜金属128’の代わり に、区分された薄膜金属層の多数のより狭い帯128''が使用されている点を除 けば、図8Aにあるものと同様なディスプレイ装置の一部を示した断面図である 。図9Bは、図9Aの線9B−9Bに沿って取られたそのような薄膜金属アレイ の図である。それ故に、上記に説明した理由で、最初、帯162,164,16 6の上部にある電界放出極は、電子を放出するのに活性である。しかし、そのよ うな3つの帯にある電界放出極の寿命が尽きて欠陥が出始めたら、帯168,1 70の上部にあるものが活性になりスラックを取り除く。図9A,9Bの構造の 利点は、図8A,8Bの構造と比較すると、区分された薄膜金属帯を孔32''' に揃える必要がない点である。 図10Aは、メッシュ−グリッドワイヤのスペーサ構造210が、スペーサ4 0や格子電極32,32’,32''等の代わりに搭載されている点を除けば、装 置20,20’の原理と同じであるディスプレイ装置200の一部を示した断面 図である。図10Aに示されているように、金属のメッシュ−グリッドワイヤの スペーサ構造210は、金属メッシュ212とそれに接続されている多数のグリ ッドワイヤ214を含む。グリッドワイヤ214は、図1〜3の格子電極のもの と同じ機能を本質的にもち、すなわち、孔216を通る電子量を制御する。また 、電圧を金属メッシュ216に印加して、望ましいピクセルドットもしくはピク セルに電子を焦点合わせする。装置200は、金属のメ ッシュ−グリッドワイヤのスペーサ構造210が製造コストを低くするのに特に 適しているのに対し、図1〜3のスペーサ40とその上にある格子電極は多数の 処理ステップを必要とするので利点である。 図10Bは、金属メッシュの縁の形状が孔216とグリッドワイヤ214の位 置で図10Aにあるものと比較すると僅かに異なる点を除けば、図I0Aの装置 200と実質的に同様のディスプレイ装置230の一部を示した断面図である。 図10Aにおいて、グリッドワイヤ214は、孔216の縁の近くにあり、かつ 孔の中心に揃えた位置から離れて置かれている。しかしながら、図10Bにおい て、グリッドワイヤ214は、孔216の中心に揃えた位置に置かれる。孔21 6にある金属メッシュの縁に近い側からグリッドワイヤ214を離すことは、グ リッドワイヤが孔216の中心に揃っている場合、図10Bよりも利点であり、 それは、図10Bのワイヤのそのような位置が孔を介して電子の通路をふさぐか らである。 図10C,10Dは、装置200と実質的に同じさらなる実施例であるが、こ こでは、2以上のグリッドワイヤが、図10A,10Bにある1つだけのものの 代わりに使用されている。したがって、図10Cにおいては、2つのグリッドワ イヤが使用されて両側に1つずつあり、孔216の縁の近くに両方が設けられて いる。図10Dにおいて、図10Cにあるようにそのような2つのグリッドワイ ヤに加えて、孔216の中心に位置しそこに揃えられた追加のグリッドワイヤが 使用されている。 図11は、図10Bの金属メッシュ210’の斜視図であり、グリッドワイヤ と金属メッシュがともに接続されている様子を図示している。図11に示されて いるように、2つの絶縁棒252は最初金属メッシュ212に取り付けられてい るか配置されている。その後、グリッドワイヤ214がそのような棒の上に設け られる。それから、第2の絶縁棒の対254がワイヤの上端に設けられ、ワイヤ を適所にしっかりと締める。棒254が棒252にしっかりと取り付けられる前 に、ワイヤ214は望ましい張力で設けられる。棒252,254の各セットは 、グリッドワイヤを締めつけるために使用され、4,8,もしくはそれ以上の隣 接したピクセルドットを制御する。金属メッシュ212とグリッドワイヤの厚み を合計すると、約0.05mmよりも大きいものである。 図12は、装置の動作を説明するもので、上端もしくは底端から見た装置20 0と200’と同様のディスプレイ装置300の一部を示した断面図である。各 行もしくはアレイにある陰極電界放出極エレメントは、図4に示された方法でク ラスタに配置され、ここでの 各クラスタは、観察方向に見たときピクセルドットR,G,もしくはBと重複す るものである。前にもあるように、ベース電極かもしくはアレイ30’にある3 つの冷陰極電界放出極の全てのゲートのいずれかに印加することにより、ディス プレイのピクセルラインを走査するためにアレイにある放出極のオンおよびオフ の切り換えを制御する。図12に示されているように、冷陰極電界放出極がオン にされるので、それにより電子が放出される。しかしながら、ピクセルドットG のディスプレイをオフにするためにグリッドワイヤ214(1)に適切な電圧を 印加し、そしてピクセルドットR,Bでディスプレイをオンにし、ドットR,B での色の輝度をそれぞれ変調するためにグリッドワイヤ214(2),214( 3)に適切な電圧を印加する。 図13Aは、本発明の好適な実施例を説明するもので、ディスプレイ装置に使 用された金属メッシュ−グリッドワイヤの構造350の一部を示した平面図であ る。図13Bは、図13Aの線13B−13Bに沿って取った構造350の断面 図である。図11を参照すると、ワイヤ214を金属メッシュ212に載せるた めには多数のステップが必要となる。図14Aにおいて400のようなワイヤ構 造を搭載するためのステップはそれよりも幾分か単純なものであっても、それで もそのようなステップは煩わしいものである。 その過程はさらに単純化され、金属メッシュの片側の平らな表面に絶縁材料3 52の層を単に形成し、そして上述した図12のグリッドワイヤのものと同じ機 能をもつ1以上の導電材料354の層を形成して、構造350を形成する。層3 52は、誘電材料の層を金属メッシュにスクリーン印刷することで形成され、そ のときメッシュをマスクとして用いて、サンドブラスト等によってメッシュでマ スクされていない誘電層の部分を取り除いて区別する。層354は、感光導電材 料の層を前記コーティングにラミネートするかもしくはスクリーン印刷したり、 そしてマスクとしてメッシュを使用して、平版印刷して感光導電層のマスクされ ていない部分を取り除くことで形成される。層352はまた、金属メッシュ21 2の絶縁層や、マスキングや写真平板印刷で除去されたそのような層の望んでい ない部分をラミネートしたりスクリーン印刷することで形成される。そのような 過程で使用されるマスクが金属メッシュのものとは異なるパターンをもつので、 そこから生じる絶縁層はまた、金属メッシュとは形状が異なるものである。 構造350は、その製造が特に簡単であるのが利点である。したがって、予め 定めたパターンの孔216のような孔は最初に、望ましいパターンをもつマスク により金属層をマスキングして、その後に、金属メッ シュ212を形成するために、光化学ミクロ機械加工,レーザーアブレーション ,型成形そして電気成形を含む技術をもちいて、層のマスクされていない部分を 取り除いて形成される。その後、絶縁コーティングが金属メッシュ上に施される 。それから、格子電極パターン354が絶縁層に形成される。そして金属メッシ ュ−グリッドワイヤ構造350が完成し、ディスプレイ装置を成形するために、 陽極と少なくとも1つの陰極の間に挿入される。そのような構造はまた、フィラ メント陰極を搭載し電界放出極を搭載していないもののような上述したもの以外 のディスプレイ装置でも使用される。前記および他の変更は本発明の範囲内であ る。図10Aから図13Bに示されている金属メッシュ−グリッドワイヤタイプ の構造は、図1および図2のスペーサ格子電極の組み合わせとは違って、孔の内 面を絶縁層や導電層で被覆する必要がないので、図1および図2のスペーサ格子 電極の組み合わせよりも利点がある。それ故に、スペーサは、かなり容易に製造 でき、任意に薄く作られるので、多くのタイプのディスプレイ装置でもそれらは 使用される。 図14Aは、図10A〜10D,11および図12の実施例の個々のワイヤの 代わりに使用されるグリッドワイヤ構造を示した平面図であり、これらの図の金 属メッシュ112にワイヤを作り搭載するためのより 有利な方法を説明するものである。図14Aに示されているように、ワイヤ構造 400は、半導体の実装技術で金属リードフレームと同様の方法で組み立てられ る。したがって、構造400は、スタンピングもしくはエッチングで除去された 望んでいない部分をもつ金属シートの形状である。構造400は、リム402と リード406を接続することにより、リムに接続された個々のワイヤ404を含 む。図10A〜10D,図11および図12の実施例にあるように、メッシュ2 12にある孔216に対して各ワイヤを個々に揃えるかわりに、構造400のワ イヤ404は、位置を揃える過程を早めるため、多数のピクセルドットに対する 多数の孔216に一度のセッティングで揃えられる。リム402にある孔410 は、ワイヤ404がピン(図示せず)を孔410に挿入して、その後にピンを引 き離すことで望ましい張力で位置させられるように設けられる。ワイヤが揃えら れて望ましい張力をもった後、それらは上述した方法で棒252と254の間に 締めつけられる。その後、接続リード406は、隣接するリードがともに電気的 に接続されないように働く。図14Aはスケールを付けて図示していないので、 隣接したリード404の間の間隔は、ワイヤ404の断面図よりも実際に広く、 もしくはかなり広いものが好ましいものであることを留意されたい。 各個々のワイヤ404は、固形の金属片の代わりにメッシュ構造をもつものが 好ましい。4つの異なる分解図が図14B〜14Eに示されており、それは、ワ イヤの4つの異なるタイプを説明するものであり、図14Aにある丸14B〜1 4E内のワイヤの部分を示した分解図である。図14Bに示されているように、 ワイヤ404(1)は、メッシュがはちの巣形の孔を底に含む場合、2つの固体 のリブもしくはリム420(1)が2つのリブもしくはリムを接続するメッシュ タイプの構造をもつ片側にそれぞれある構造を含む。図14Cのワイヤ404( 2)はまた、2つのリブもしくはリム420(2)と、球状もしくは円状の孔を そこにもつメッシュ構造をもつ。図14Dのワイヤ404(3)は、2つのリブ もしくはリム420(3)と、矩形もしくは立法体形状の孔をそこにもつメッシ ュ構造をもつ。図14Eのワイヤ404(4)はまた、薄いワイヤ422でとも に接続された2つのリブもしくはリム420(4)をもつ。 本発明は異なる実施例を参照して記載してきたが、種々の変化および変更が、 添付の請求の範囲やそれと同等のものによりのみ定義される、本発明の範囲から 逸脱することなくなされるものであることを理解されたい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),CN,JP,KR (72)発明者 リアング、チャールズ、エス. アメリカ合衆国、95135、カリフォルニア 州 サン ホセ、リトルワース ウェイ 4166 (72)発明者 ファン、シ アメリカ合衆国、95131−2401 カリフォ ルニア州、サン ホセ シホング ドライ ブ 1516

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置であり、前記装置を観察方向に見 たとき画像を表示するための複数のピクセルドットをもつ前記装置は: 室をハウジング内に規定するハウジングであり、前記ハウジングは面板と背板 をもつものであるハウジングと; 前記面板上かもしくはその近くにある陽極と; 電子に応じて光を発光し、陽極上かもしくはそれに隣接するルミネセンス手段 と; 面板と背板の間の室にある電界放出陰極エレメントの複数の行と; 電子の通路用にスペーサ構造に孔を規定する第1のスペーサ構造と; 陽極と陰極の間にある長い格子電極の第1のセットであり、前記電極は、観察 方向に見たときルミネセンス手段と前記行の位置が重複し、ここにおいて、重複 した位置はピクセルドットを規定する格子電極の第1のセットと;および 陽極,陰極,格子電極のセットおよび電界放出陰極エレメントの行に電圧を印 加するための手段であり、それにより陰極エレメントに電子を放出させ、そして 陽極上かもしくはそれに隣接する望ましいピクセルド ットにあるルミネセンス手段までそのような電子を向かわせて、望ましい輝度の 画像を表示する電圧を印加する手段とを含む陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ 装置。 2.前記装置において、格子電極のセットは、第1のスペーサ構造の孔表面に 導電材料の層を含む請求項1記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 3.前記装置において、スペーサ構造と格子電極の厚みを合計すると、厚みが 約0.05mmより大きくなる請求項1記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレ イ装置。 4.前記装置において、第1のスペーサ構造の孔表面は導電性である請求項1 記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 5.前記装置において、第1のスペーサ構造は導電性である請求項4記載の陰 極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 6.前記装置において、第1のスペーサ構造上に第1の絶縁層をさらに含むも のであり、ここにおいて、 格子電極のセットは第1の絶縁層上に導電材料のワイヤもしくはワイヤ構造を含 む請求項5記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 7.前記装置において、ワイヤ上に第2の絶縁層をさらに含むものであり、前 記第1および第2の絶縁層は、前記ワイヤを締めつける絶縁棒を形成するので、 ワイヤが予め定めた張力をもつものである請求項6記載の陰極ルミネセンス視覚 ディスプレイ装置。 8.前記装置において、格子電極のセットは前記第1の絶縁層に導電層を含む 請求項5記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 9.前記装置において、第1のスペーサ構造は電気的に絶縁であり、前記装置 は、第1のスペーサ構造上に絶縁層をさらに含み、ここにおいて、格子電極のセ ットは、絶縁層上に導電材料の層を含む請求項1記載の陰極ルミネセンス視覚デ ィスプレイ装置。 10.前記装置において、格子電極のセットは第1のスペーサ構造の孔表面に 導電材料の層を含む請求項9記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 11.前記装置において、前記絶縁層と前記導電材料の層は、陽極もしくは陰 極エレメントと面する第1のスペーサ構造の表面の少なくとも1部分上にある請 求項10記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 12.前記装置において、前記印加手段により電圧を印加することで、電界放 出陰極エレメントの1つの行と格子電極のセットは走査電極として作用し、そし て電界放出陰極エレメントの他の行と格子電極のセットはデータ電極として作用 する請求項1記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 13.前記装置において、前記印加手段により電界放出陰極エレメントの行に 前記行を走査するために電圧を印加することで、各行が走査されて電子を放出す るとき、前記行のピクセルドットに対応する格子電極に印加された電圧は、オン もしくはオフの切り換えを制御して前記ピクセルドットの輝度を変調する請求項 12記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 14.前記装置において、前記第1のスペーサ構造の孔の少なくともいくつか は、それぞれ、対応するピクセルドットと重複する請求項1記載の陰極ルミネセ ンス視覚ディスプレイ装置。 15.前記装置において、前記ルミネセンス手段は異なる色の光を発光する領 域を含み、前記ピクセルドットの少なくともいくつかは、それぞれ、観察方向に 見たときに前記領域の1つと重複し、ここにおいて、観察方向に見たときに、前 記第1のスペーサ構造は、前記第1のスペーサ構造の孔の前記少なくともいくつ かをそれぞれ、対応するピクセルドットとそれぞれ重複するものより小さな孔に 分割する請求項1記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 16.前記装置において、ピクセルドットは電界放出陰極エレメントの対応す る行をもつ請求項15記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 17.前記装置において、前記格子電極は少なくとも1つの格子電極を含み、 前記格子電極は第1のスペーサ構造と電界放出陰極エレメントとの間にある第1 のスペーサ構造に各対応するより小さい孔に近接しており、そして前記印加手段 は、各対応するより小さい孔を通る電流を制御するのに前記少なくとも1つの格 子電極のそれぞれに電圧を印加して、オンもしくはオフの切り換えを制御し、そ のような小さい孔に対応す るピクセルドットの輝度を変調し、ここで前記ピクセルドットはまた、前記小さ い孔に対応する格子電極の対応するピクセルドットを規定するものである請求項 16記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 18.前記装置において、ピクセルドットの少なくともいくつかのそれぞれの ために、対応する格子電極は、前記ピクセルドットに対応するより小さい孔と、 前記ピクセルドットに対応する電界放出陰極エレメントの行の間にある請求項1 7記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 19.前記装置において、ピクセルドットの少なくともいくつかのそれぞれの ために、対応する格子電極は、前記ピクセルドットに対応するより小さい孔の中 心と、前記ピクセルドットに対応する電界放出陰極エレメントの行との間に実質 的に位置付けられている請求項18記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装 置。 20.前記装置において、ピクセルドットの少なくともいくつかのそれぞれの ために、対応する格子電極は、前記ピクセルドットに対応するより小さい孔の中 心の片側に位置づけられている請求項18記載の陰極 ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 21.前記装置において、前記格子電極は少なくとも2つの格子電極を含み、 前記格子電極は第1のスペーサ構造と電界放出陰極エレメントとの間にある第1 のスペーサ構造にそれぞれの対応するより小さい孔に近接している請求項18記 載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 22.前記装置において、第1のスペーサ構造は導電性のものであり、前記装 置は、第1のスペーサ構造上に第1の絶縁層を含み、ここにおいて、格子電極の セットは、第1の絶縁層上に導電材料のワイヤを含む請求項17記載の陰極ルミ ネセンス視覚ディスプレイ装置。 23.前記装置において、ワイヤ上に第2の絶縁層をさらに含み、前記第1お よび第2の絶縁層は前記ワイヤを締めつける絶縁棒を形成するので、ワイヤは予 め定めた張力をもつ請求項22記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 24.前記装置において、前記印加手段により電界放出陰極エレメントの行に 前記行を走査するために電 圧を印加することで、各行が走査されて電子を放出するとき、前記行のピクセル ドットに対応する格子ワイヤ電極に印加された電圧は、オンもしくはオフの切り 換えを制御して前記ピクセルドットの輝度を変調する請求項22記載の陰極ルミ ネセンス視覚ディスプレイ装置。 25.前記装置において、前記印加手段はまた、電圧を前記スペーサ構造に印 加して孔を通る電子を焦点合わせする請求項24記載の陰極ルミネセンス視覚デ ィスプレイ装置。 26.前記装置において、約+200〜−200ボルトの範囲にある電圧を格 子ワイヤ電極やスペーサ構造に印加する請求項25記載の陰極ルミネセンス視覚 ディスプレイ装置。 27.前記装置において、前記電界放出エレメントは、少なくとも1つのゲー ト電極と少なくとも1つのベース電極を含み、ここで前記ベース電極はマイクロ チップを含むものである請求項1記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置 。 28.前記装置において、大気圧に耐えるため、第 1のスペーサと面板の間に第2のスペーサと、そして第1のスペーサと背板の間 に第3のスペーサをさらに含む請求項1記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレ イ装置。 29.前記装置において、前記第2もしくは第3のスペーサは、複数のリブセ グメントを含み、ここで各リブセグメントは、予め定めた数のピクセルドットと 共存する請求項28記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 30.前記装置において、第1のスペーサ構造の孔表面は導電性であり、前記 印加手段はまた、電圧を前記スペーサ構造の孔表面に印加して孔を通る電子を焦 点合わせする請求項1記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 31.前記装置において、前記第1のスペーサ構造の孔の少なくともいくつか はそれぞれ、ピクセルドットと重複し、前記印加手段はまた、電圧を前記スペー サ構造の孔表面に印加して、予め定めたピクセルドットに孔を通る電子を焦点合 わせすることで前記ドットで走査したり輝度を変調する請求項30記載の陰極ル ミネセンス視覚ディスプレイ装置。 32.前記装置において、前記電界放出陰極エレメントのそれぞれは: ベース電極と; 前記ベース電極から電気的に絶縁されたゲート電極と; 複数のマイクロチップ構造と; レジスタの第1のセットであり、ここで前記第1のセットにある各レジスタは 対応する構造に電気的に接続されたものであるレジスタの第1のセットと; 電流制限回路がレジスタに接続されることで、レジスタと回路がベース電極を マイクロチップ構造に接続して、ベース電極により前記複数のマイクロチップ構 造に流される電流の総量を制限する電流制限回路と;および 電流をベース電極に供給して、マイクロチップにルミネセンス手段の方へ電子 を放出させる電流供給手段とを含む請求項1記載の陰極ルミネセンス視覚ディス プレイ装置。 33.前記装置において、前記電流制限回路は、レジスタの第1のセットをベ ース電極に接続する第2のレジスタである請求項32記載の陰極ルミネセンス視 覚ディスプレイ装置。 34.前記装置において、第1のセットの前記レジスタは、マイクロチップ構 造に接続された抵抗材料の1以上の第1の層を含み、前記第2のレジスタは、第 1の層とベース電極の間にある抵抗材料の第2の層を含み、電子源は、抵抗材料 の第1および第2の層にある導電層をさらに含む請求項33記載の陰極ルミネセ ンス視覚ディスプレイ装置。 35.前記装置において、面板と背板は、0.5mmより離れたものである請 求項1記載の陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置。 36.スペーサ構造をもつディスプレイ装置を組立製造する方法であり、前記 方法は: 金属層を処理して、そこに予め定めたパターンの孔をもつ金属メッシュを形成 する処理ステップと; 絶縁コーティングを金属メッシュに施すステップと; 格子電極パターンを絶縁層に形成するステップと; 陽極と少なくとも1つの陰極の間に前記スペーサ構造を挿入して前記ディスプ レイ装置を成形する挿入ステップとを含むディスプレイ装置を組立製造する方法 。 37.前記方法において、前記成形ステップは、ワイヤもしくは少なくとも1 つのワイヤ構造を絶縁コー ティングに位置づけるステップを含む請求項36記載のディスプレイ装置を組立 製造する方法。 38.前記方法において、前記成形ステップは、前記少なくとも1つのワイヤ 構造を作るために、光化学ミクロ機械加工,レーザーアブレーション,型成形, もしくは電気成形処理を含む請求項37記載のディスプレイ装置を組立製造する 方法。 39.前記方法において、前記印加ステップは、メッシュの平らな表面にコー ティングを施すステップであり、ここにおいて、成形ステップは前記絶縁コーテ ィングに導電材料の層を形成してパターンを形成する請求項36記載のディスプ レイ装置を組立製造する方法。 41.前記方法において、前記成形ステップは: 感光導電材料の層を前記コーティングにラミネートするかもしくはスクリーン 印刷するステップと;および マスクを使用し、平板印刷して感光導電層のマスクされていない部分を除去す るステッブとを含む請求項39記載のディスプレイ装置を組立製造する方法。 42.前記方法において、前記処理ステップは: 前記金属層をマスクするステップと;および 光化学ミクロ機械加工,レーザーアブレーション,型成形,もしくは電気成形 処理をすることにより、金属層のマスクされていない部分を除去して、前記金属 メッシュを形成するステップとを含む請求項36記載のディスプレイ装置を組立 製造する方法。 43.ディスプレイ装置であり、前記装置は: ルミネセンス手段と;および 画像を表示するために選択した位置にあるルミネセンス手段の方向に電子を放 出するための複数の電子源を含み、ここで各電子源は: ベース電極と; 前記ベース電極から電気的に絶縁されているゲート電極と; 複数のマイクロチップ構造と; レジスタの第1のセットであり、第1のセットにある各レジスタは対応する構 造に電気的に接続されているレジスタの第1のセットと; 電流制限回路がレジスタに接続されることで、レジスタおよび回路はベース電 極をマイクロチップ構造に接続して、ベース電極により前記複数のマイクロチッ プ構造に流される電流の総量を制限する電流制限回路 と;および 電流をベース電極に供給して、マイクロチップにルミネセンス手段の方へ電子 を放出させる電流供給手段とを含む電子源を含むディスプレイ装置。 44.前記電子源において、前記電流制限回路は、ベース電極に連続してレジ スタの第1のセットを接続する第2のレジスタである請求項43記載の電子源。 45.前記電子源において、前記第1のセットのレジスタは、マイクロチップ 構造に接続された抵抗材料の1以上の第1の層を含み、前記第2のレジスタは、 第1の層とベース電極の間に第2の抵抗材料の層を含み、前記電子源は、抵抗材 料の第1および第2の層の間に導電層をさらに含む請求項44記載の電子源。 46.ディスプレイ装置であり、前記装置は: ルミネセンス手段と;および 画像を表示するために選択した位置にあるルミネセンス手段の方向に電子を放 出するための複数の電子源を含み、ここで各電子源は: ベース電極と; 前記ベース電極から電気的に絶縁されているゲート電極と; 複数のマイクロチップ構造と; レジスタの第1のセットであり、第1のセットにある各レジスタは対応する構 造に電気的に接続されているレジスタの第1のセットと;および 実質的に一定の電流源がベース電極とマイクロチップ構造の間に接続されるこ とで、実質的に一定の電流の総量を前記複数のマイクロチップ構造に供給する電 流源とを含む電子源を含むディスプレイ装置。 47.陰極ルミネセンス視覚ディスプレイ装置により画像を表示するための方 法であり、前記装置は: 陽極と; 電子に応答して光を発光し、陽極上もしくはそれに隣接するルミネセンス手段 と; 面板と背板の間にある電界放出陰極エレメントの複数の行と; 陽極と陰極の間にある長い格子電極の第1のセットであり、前記電極は、観察 方向に見たときにルミネセンス手段と前記行の位置が重複し、ここにおいて、前 記重複位置はピクセルドットを規定する格子電極の第1のセットとを含む装置で あり;前記方法は: 陰極エレメントの行に電子を連続して放出させるステップであり、ここにおい て、各行は一度に電子を放出するステップと;および 陽極,陰極および格子電極のセットに電圧を印加するステップであり、陰極エ レメントにより放出される電子に、陽極上かもしくはそれに隣接する望ましいピ クセルでルミネセンス手段に向かわせることで、望ましい輝度の画像を表示する 電圧印加ステップとを含む画像を表示するための方法。 48.前記方法において、前記装置は、電子の通路用にスペーサ構造に孔を規 定するスペーサ構造を含み、ここにおいて、前記スペーサ構造の孔の少なくとも いくつかはそれぞれ、観察方向に見たとき対応するピクセルドットと重複し、前 記ルミネセンス手段は異なる色の光を放出する領域を含み、前記ピクセルドット のそれぞれは、観察方向に見たとき少なくとも2つの異なる色の前記領域を重複 するピクセルドットを含み、ここにおいて、前記スペーサ構造は前記スペーサ構 造の孔の前記少なくともいくつかをそれぞれより小さな孔に分割する壁を含み、 前記孔のそれぞれは、対応するピクセルドットに重複し、各ピクセルドットのピ クセルドットは電界放出陰極エレメントの対応する行をもち、ここにおいて、前 記格子電極は少なくとも1つの格子電極を含み、前記電極はスペーサ構造と電界 放出陰極エレメントの間のスペーサ構造にある各対応するより小さい孔に近接し ており、 前記少なくとも1つの格子電極の各々に電圧を印加し、各々対応するより小さ い孔を通過する電子の量を制御するための電圧印加ステップであり、その電子の 量はそのようなより小さい孔に関連して、スイッチングオンとオフを制御するこ とおよびピクセルドットの輝度を変調し、そのようなピクセルドットがそのよう なより小さい孔に関連する格子電極の対応するピクセルドットを規定するもので ある電圧印加ステップを含む請求項47記載の画像を表示するための方法。 49.前記方法において、前記印加ステップは行を走査するために電界放出陰 極エレメントに電圧を印加するので、各行が電子を放出して走査されるとき、前 記行のピクセルドットに対応する格子電極に印加された電圧は、切り換えを制御 し前記ピクセルドットの輝度を変調する請求項48記載の画像を表示するための 方法。 50.前記方法において、各前記電界放出陰極エレメントは: ベース電極;および 前記ベース電極から電気的に絶縁されたゲート電極であり、ここにおいて、前 記印加ステップは前記エレメントのベースもしくはゲート電極に電圧を印加して 、 要素の行に電子を連続して放出させるゲート電極を含む請求項47記載の画像を 表示させるための方法。
JP51683597A 1995-10-26 1996-10-25 冷陰極電界放出極フラットスクリーンディスプレイ Pending JP2001523375A (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US587695P 1995-10-26 1995-10-26
US60/005,876 1995-10-26
US08/736,894 US6377002B1 (en) 1994-09-15 1996-10-25 Cold cathode field emitter flat screen display
PCT/US1996/017190 WO1997015912A1 (en) 1995-10-26 1996-10-25 Cold cathode field emitter flat screen display
US08/736,894 1996-10-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001523375A true JP2001523375A (ja) 2001-11-20

Family

ID=26674872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51683597A Pending JP2001523375A (ja) 1995-10-26 1996-10-25 冷陰極電界放出極フラットスクリーンディスプレイ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6377002B1 (ja)
EP (1) EP0858648A4 (ja)
JP (1) JP2001523375A (ja)
CN (1) CN1202974A (ja)
WO (1) WO1997015912A1 (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6049165A (en) * 1996-07-17 2000-04-11 Candescent Technologies Corporation Structure and fabrication of flat panel display with specially arranged spacer
US5859502A (en) * 1996-07-17 1999-01-12 Candescent Technologies Corporation Spacer locator design for three-dimensional focusing structures in a flat panel display
JP3199682B2 (ja) * 1997-03-21 2001-08-20 キヤノン株式会社 電子放出装置及びそれを用いた画像形成装置
FR2764109A1 (fr) * 1997-05-30 1998-12-04 Commissariat Energie Atomique Espaceurs pour ecran plat de visualisation
FR2764729A1 (fr) * 1997-06-13 1998-12-18 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'espaceurs pour ecran plat de visualisation
US6208072B1 (en) 1997-08-28 2001-03-27 Matsushita Electronics Corporation Image display apparatus with focusing and deflecting electrodes
JP3457162B2 (ja) * 1997-09-19 2003-10-14 松下電器産業株式会社 画像表示装置
US6236381B1 (en) 1997-12-01 2001-05-22 Matsushita Electronics Corporation Image display apparatus
US6630782B1 (en) 1997-12-01 2003-10-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus having electrodes comprised of a frame and wires
US6278235B1 (en) 1997-12-22 2001-08-21 Matsushita Electronics Corporation Flat-type display apparatus with front case to which grid frame with extended electrodes fixed thereto is attached
JPH11191383A (ja) 1997-12-26 1999-07-13 Matsushita Electron Corp 平板状画像表示装置
JPH11312480A (ja) 1998-04-28 1999-11-09 Matsushita Electron Corp 平板状画像表示装置
US6373176B1 (en) * 1998-08-21 2002-04-16 Pixtech, Inc. Display device with improved grid structure
JP3878365B2 (ja) * 1999-09-09 2007-02-07 株式会社日立製作所 画像表示装置および画像表示装置の製造方法
US6989631B2 (en) * 2001-06-08 2006-01-24 Sony Corporation Carbon cathode of a field emission display with in-laid isolation barrier and support
US6798131B2 (en) 2000-11-20 2004-09-28 Si Diamond Technology, Inc. Display having a grid electrode with individually controllable grid portions
JP2002298766A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Noritake Co Ltd 蛍光表示管およびその製造方法
US7002290B2 (en) * 2001-06-08 2006-02-21 Sony Corporation Carbon cathode of a field emission display with integrated isolation barrier and support on substrate
US6682382B2 (en) * 2001-06-08 2004-01-27 Sony Corporation Method for making wires with a specific cross section for a field emission display
US6663454B2 (en) * 2001-06-08 2003-12-16 Sony Corporation Method for aligning field emission display components
US6515429B2 (en) * 2001-06-08 2003-02-04 Sony Corporation Method of variable resolution on a flat panel display
US6756730B2 (en) * 2001-06-08 2004-06-29 Sony Corporation Field emission display utilizing a cathode frame-type gate and anode with alignment method
US6559602B2 (en) * 2001-06-08 2003-05-06 Sony Corporation Method for controlling the electric field at a fed cathode sub-pixel
US6624590B2 (en) * 2001-06-08 2003-09-23 Sony Corporation Method for driving a field emission display
US6873118B2 (en) * 2002-04-16 2005-03-29 Sony Corporation Field emission cathode structure using perforated gate
US6747416B2 (en) * 2002-04-16 2004-06-08 Sony Corporation Field emission display with deflecting MEMS electrodes
US6791278B2 (en) * 2002-04-16 2004-09-14 Sony Corporation Field emission display using line cathode structure
US7012582B2 (en) * 2002-11-27 2006-03-14 Sony Corporation Spacer-less field emission display
JP2004228084A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Samsung Sdi Co Ltd 電界放出素子
US20040145299A1 (en) * 2003-01-24 2004-07-29 Sony Corporation Line patterned gate structure for a field emission display
US7071629B2 (en) * 2003-03-31 2006-07-04 Sony Corporation Image display device incorporating driver circuits on active substrate and other methods to reduce interconnects
US20040189552A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Sony Corporation Image display device incorporating driver circuits on active substrate to reduce interconnects
CN100349250C (zh) * 2003-11-28 2007-11-14 三星Sdi株式会社 电子发射装置
GB0400982D0 (en) * 2004-01-16 2004-02-18 Fujifilm Electronic Imaging Method of forming a pattern on a substrate
KR101009985B1 (ko) * 2004-02-25 2011-01-21 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 표시장치
CN100395863C (zh) * 2004-04-30 2008-06-18 东元奈米应材股份有限公司 四极场发射显示器
US7868850B2 (en) * 2004-10-06 2011-01-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Field emitter array with split gates and method for operating the same
TWI302217B (en) * 2005-06-17 2008-10-21 Au Optronics Corp Bottom lighting module
KR101138423B1 (ko) * 2009-03-30 2012-04-26 한국전자통신연구원 전계방출장치 및 그의 구동 방법
US9715995B1 (en) * 2010-07-30 2017-07-25 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for electron beam lithography using array cathode

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3935500A (en) 1974-12-09 1976-01-27 Texas Instruments Incorporated Flat CRT system
US3935499A (en) 1975-01-03 1976-01-27 Texas Instruments Incorporated Monolythic staggered mesh deflection systems for use in flat matrix CRT's
JPS52108435A (en) 1976-03-09 1977-09-10 Showa Electric Wire & Cable Co Ltd Method of manufacturing electrical insulating paint based on aromatic polyimide soluble in phenolic solvents
DE2615721C2 (de) 1976-04-09 1982-10-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Anzeigevorrichtung mit einem Gasentladungsraum als Quelle für Elektronen und einem Nachbeschleunigungsraum zur Nachbeschleunigung dieser Elektronen
US4183125A (en) 1976-10-06 1980-01-15 Zenith Radio Corporation Method of making an insulator-support for luminescent display panels and the like
US4158210A (en) 1977-09-13 1979-06-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Picture image display device
US4377769A (en) 1978-09-27 1983-03-22 Smiths Industries Public Limited Company Cathodoluminescent display device including conductive or semiconductive coating on the phosphor
DE2931077A1 (de) * 1979-07-31 1981-02-05 Siemens Ag Steuerplatte fuer eine gasentladungsanzeigevorrichtung
GB2110465A (en) 1981-11-09 1983-06-15 Philips Electronic Associated Flat panel display tube
GB2143077A (en) 1983-07-08 1985-01-30 Philips Electronic Associated Colour display tube
JPS6025142A (ja) 1983-07-21 1985-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置の電極製造方法
US4737683A (en) 1985-04-10 1988-04-12 Hangzhon University High luminance color picture element tubes
JPS6210848A (ja) 1985-07-08 1987-01-19 Ise Electronics Corp 光源用表示管
US4719388A (en) 1985-08-13 1988-01-12 Source Technology Corporation Flat electron control device utilizing a uniform space-charge cloud of free electrons as a virtual cathode
JPH0673289B2 (ja) 1985-08-30 1994-09-14 ソニー株式会社 螢光表示管
JPS62150640A (ja) 1985-12-24 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp フラツトマトリクスcrt
JPS62150635A (ja) 1985-12-24 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp マトリクス型crt
JPS62150637A (ja) 1985-12-24 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp フラツトマトリクスcrtの真空容器
JPS62150634A (ja) 1985-12-24 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp フラツトマトリクスcrt
JPS62150639A (ja) 1985-12-24 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp フラツトマトリクスcrtのグリツド電極
JPS62150638A (ja) 1985-12-24 1987-07-04 Mitsubishi Electric Corp フラツトマトリクスcrtの真空容器
JPS62172639A (ja) 1986-01-24 1987-07-29 Mitsubishi Electric Corp フラツトマトリクスcrt
JPS62172644A (ja) 1986-01-24 1987-07-29 Mitsubishi Electric Corp マトリクスcrt
JPS62172638A (ja) 1986-01-24 1987-07-29 Mitsubishi Electric Corp フラツトマトリクスcrtの真空容器
JPH0626103B2 (ja) 1986-01-24 1994-04-06 三菱電機株式会社 マトリクスcrt
JPS62188139A (ja) 1986-02-13 1987-08-17 Mitsubishi Electric Corp フラツトマトリクスcrt
US4857799A (en) * 1986-07-30 1989-08-15 Sri International Matrix-addressed flat panel display
EP0261896B1 (en) 1986-09-20 1993-05-12 THORN EMI plc Display device
US4707638A (en) 1987-01-27 1987-11-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Luminance adjusting system for a flat matrix type cathode-ray tube
DE3852276T2 (de) 1987-11-16 1996-01-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Bildwiedergabevorrichtung.
US4973888A (en) 1988-03-28 1990-11-27 Futaba Denshi Kogyo K.K. Image display device
CA2003292A1 (en) 1988-11-18 1990-05-18 Shunichi Kishimoto Flat display
FR2647580B1 (fr) * 1989-05-24 1991-09-13 Clerc Jean Dispositif d'affichage electroluminescent utilisant des electrons guides et son procede de commande
CN1026943C (zh) 1990-03-06 1994-12-07 杭州大学 平板彩色显示器
FR2663462B1 (fr) 1990-06-13 1992-09-11 Commissariat Energie Atomique Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes.
US5103144A (en) * 1990-10-01 1992-04-07 Raytheon Company Brightness control for flat panel display
US5075595A (en) * 1991-01-24 1991-12-24 Motorola, Inc. Field emission device with vertically integrated active control
NL9100122A (nl) 1991-01-25 1992-08-17 Philips Nv Weergeefinrichting.
US5229691A (en) 1991-02-25 1993-07-20 Panocorp Display Systems Electronic fluorescent display
US5347201A (en) * 1991-02-25 1994-09-13 Panocorp Display Systems Display device
JP3060655B2 (ja) 1991-10-28 2000-07-10 三菱電機株式会社 平面型表示装置
US5191217A (en) 1991-11-25 1993-03-02 Motorola, Inc. Method and apparatus for field emission device electrostatic electron beam focussing
US5205770A (en) 1992-03-12 1993-04-27 Micron Technology, Inc. Method to form high aspect ratio supports (spacers) for field emission display using micro-saw technology
US5424605A (en) 1992-04-10 1995-06-13 Silicon Video Corporation Self supporting flat video display
US5283500A (en) * 1992-05-28 1994-02-01 At&T Bell Laboratories Flat panel field emission display apparatus
US5300862A (en) * 1992-06-11 1994-04-05 Motorola, Inc. Row activating method for fed cathodoluminescent display assembly
US5347292A (en) 1992-10-28 1994-09-13 Panocorp Display Systems Super high resolution cold cathode fluorescent display
US5528103A (en) 1994-01-31 1996-06-18 Silicon Video Corporation Field emitter with focusing ridges situated to sides of gate

Also Published As

Publication number Publication date
WO1997015912A1 (en) 1997-05-01
EP0858648A1 (en) 1998-08-19
CN1202974A (zh) 1998-12-23
EP0858648A4 (en) 1999-05-06
US6377002B1 (en) 2002-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001523375A (ja) 冷陰極電界放出極フラットスクリーンディスプレイ
WO1997015912A9 (en) Cold cathode field emitter flat screen display
US5859508A (en) Electronic fluorescent display system with simplified multiple electrode structure and its processing
US20060261725A1 (en) Electron emission device, electron emission display, and manufacturing method of the electron emission device
JPH02257551A (ja) 画像形成装置
JP2728739B2 (ja) マイクロドット三原色蛍光スクリーンとその製造方法及びそのアドレス方法
US20080290782A1 (en) Field emission display having an improved emitter structure
US6225739B1 (en) Focusing electrode for field emission displays and method
US20020171347A1 (en) Display device and method of manufacturing the same
JPH08227652A (ja) 電子放出装置およびその製造方法
US6445125B1 (en) Flat panel display having field emission cathode and manufacturing method thereof
US20040160161A1 (en) Field emission display having gate plate
JPH0316202Y2 (ja)
JPH10508975A (ja) 多電極構造を有する電子蛍光ディスプレイ装置およびその製造方法
JP2002334673A (ja) 表示装置
JP2000067773A (ja) 改良されたマイクロ電子レンズ構造を有するフラットパネルディスプレイ
TW200415665A (en) Flat panel display and method of manufacturing the same
US20050029922A1 (en) Field emission element
JP2003509808A (ja) 変調電界を生成する装置とその電界放射フラット画面への適用
JPH11111156A (ja) 電界放出素子
KR100796975B1 (ko) 전자빔 궤적 제어가 가능한 전계 방출 장치 및 그 제조방법
US7579766B2 (en) Electron emission device with improved electron emission structure for increasing emission efficiency and lowering driving voltage
KR100565200B1 (ko) 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조방법
JP3513098B2 (ja) 電子線励起蛍光体表示装置
KR940009191B1 (ko) 평면형 냉음극선관