JP2003509808A - 変調電界を生成する装置とその電界放射フラット画面への適用 - Google Patents
変調電界を生成する装置とその電界放射フラット画面への適用Info
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Abstract
Description
放射フラット画面に適用する。
ある。こういった装置は陽極に対向配置された陰極を有する。陰極は電子を放射
する平面構造であり、陽極は発光フィルムで覆われた別の平面構造である。これ
らの構造は真空空間によって隔離されている。
領域放射物質の供給源(物質から電子を抽出するために必要な電界となる閾値領
域)となりうる。画面装置に使用される電子放射物質の供給源は、通常2極管型
構造または3極管型構造の2形態で示される。
ト画面を示している。陰極1は平行配列された金属性軌道体4を支持する絶縁物
質板3から構成され、電子放射物質層5で覆われている。陽極2は陰極軌道体4
と垂直に平行配列された導電性軌道体7を支持するガラスなどの絶縁性透明板6
である。軌道体7は酸化スズ及び酸化インジウム(ITO)のような透明導体物
質層のエッチングによって形成される。軌道体7は蛍光体皮膜8で覆われる。
うに向き合っている。軌道体ネットワークの交差が画素又はピクセルを形成する
。陰極の一軌道体4と陽極の一軌道体7との間に適切な電位差を加えることによ
って、前述したピクセルに対応する軌道体4の地帯に電子の放出が発生し、対向
した蛍光体8の地帯が励起される。完全な画像は画面の各走査線を逐次供給、及
び掃引することによって画面上で得られる。
は陽極軌道体と対向する陰極軌道体との間に最低でも数V/μmの電界を必要と
する。前記軌道体間の空間が1mmであれば、数kVの電位差を印加する必要が
あり、通常は5,000〜10,000Vである。これにより2つの重要な課題
が生じる。第1に、電圧に対する抵抗の問題である。つまり、陽極と陰極間、特
に上述した隣接する2軌道体間で絶縁破壊の危険性がある。第2の問題は、画面
を掃引するときに数kVの電圧を切り替える必要性が生じることである。当該問
題は、両極間に均一電界を維持しながら、陽極と陰極間の距離を狭め、それによ
り両極間の電位差を低減する方法によって解決できる。この解決法の欠点はこの
電位の低下が蛍光体の発光出力の低下及び画面の輝度の低下を引き起す点である
。
はこのような構造を実施する電界放射フラット画面の横断断面図を示している。
陰極11は平行配列された金属性軌道体14を支持するガラス板13から形成さ
れ、炭素などの電子放射物質層15で覆われている。
10は抽出ゲートとして機能する金属層19で覆われている。陽極12は発光性
物質18の皮膜に覆われた透明導電性皮膜17で形成することができる。
差を加え、電子放射物質上の電界をこの物質の閾値領域より大きく(通常は数V
/μmに)することによって可能になる。抽出ゲートと軌道体とを隔てる距離は
陽極と陰極とを隔てる距離よりも十分に小さいので、印加する電位差も同様に小
さくする。
の大部分はゲートによって補足されることになる。よって、3極管型構造ではほ
とんどの放射電子が蛍光体層に到達しないという欠点を有する。
り替えの課題を回避することができる。しかし、これらの改善点は発光団又は発
光体層に到達する放射電子密度の損失につながってしまう。さらに、このタイプ
の構造は電子放射物質のみを溝の底部に堆積することを実現する必要があり、そ
れは相当な困難を要する。
を望む電極の付近に変調電界を加えることである。場合によっては、変調電界は
当該電極の近傍において電界値を増減させる効果がある。
装置であって、 前記2つの電極間に電位差を印加し、この電位差が単独で印加される場合
に第1電極近傍に所定の電界値の発生を可能にする手段と、 同一面上か、もしくは第1電極近傍に変調電極を形成する手段と第2電極
との間に第1電極が挿入されるように、第1電極近傍に変調電極を形成する前記
手段と、 変調電極を形成する手段と第1電極との間の電位差により第1電極の前記
近傍において別の所定の電界値を発生させるために、変調電極を形成する手段と
第1電極との間に電位差を印加する制御手段とを具備する前記装置に関する。
手段は、第1電極の前記近傍の電界値が第1及び第2電極間に単独で生じる電位
差の値よりも大きくなるように電位差を印加する。
手段は第1電極の前記近傍の電界値が第1及び第2電極間に単独で生じる電位差
の値よりも小さくなるように電位差を印加する。
きる。
極を形成する手段は単一電極で形成することができる。
、 この電位差が単独で印加された場合に第1電極近傍において所定の電界値
を発生させるための、第1及び第2電極間に電位差を印加することと、 第1及び第2電極間への電位差の印加によって生じた電界に、別の所定の
電界値を発生させるために、同一面上、もしくは変調電極を形成する手段と第2
電極との間に第1電極が挿入されるように、第1電極付近に変調電極を形成する
前記手段と第1電極との間の電位差を印加することを含む過程に関する。
近傍の電界は前記別の所定値より大きくなるよう、第1及び第2電極間に電位差
を印加する。
近傍の電界は前記別の所定値より小さくなるよう、第1及び第2電極間に電位差
を印加する。
射型画面に関係し、該陽極板は、画面の陽極板内部面に蛍光手段を支持した少な
くとも1つの電極を具備し、該陰極板は、画面の陰極板内部面に少なくとも部分
的に陽電極に面した、電子を放射する少なくとも1つの電極を具備し、陰電極の
近傍において電界が閾値を超えると、この陰電極は電子の発信源となる。該画面
は前記陽電極と前記陰電極との間に電位差を印加する手段も具備しており、 該画面は、同一面上、もしくは陰電極の近傍に変調電極を形成する手段と陽電
極との間に陰電極が挿入されるように、陰電極の近傍に変調電極を形成する前記
手段をさらに具備することと、変調電極を形成する手段と陰電極との間に電位差
を印加する制御手段も具備することと、電位差を印加する前記手段は、それによ
り印加された電位差により陰電極の前記近傍に所定の電界値を生じさせるもので
あり、前記所定値は、所望により前記閾値より小さくすることも大きくすること
もできることを特徴とする。
手段は、陰電極と変調電極を形成する手段との間に印加される電位差が無い場合
に、電界の前記所定値が前記閾値より小さくなるよう印加を行う。
手段は、変調電極を形成する手段と陰電極との間に印加される電位差が無い場合
に、電界の前記所定値が前記閾値より大きくなるよう印加を行う。
。
形成する手段は単一電極で形成されることができる。
い。
子放射物質層は抵抗皮膜によって導体部と隔てることができる。電子放射物質層
は抵抗皮膜を覆っている部分だけを必要とする。電子放射物質は抵抗皮膜上に堆
積される触媒物質により、抵抗皮膜上に堆積される物質となりうる。そして電子
放射物質はその上に優先的に定置する。
板は誘電体層で覆われた変調電極を形成する手段を構成する導電性の横列(condu
ctive lines)を支持する板を具備する。該誘電体層は導電性の縦列(conductive
columns)を支持し、該横列と該縦列はアドレス指定手段と規定画素に接続するマ
トリクス配列を形成する。該導電性縦列は電子放射物質を有する。各画素は1つ
の横列と複数の縦列の導電体の交差点に対応することができる。
体縦列によって支持された電子放射物質は窓部に対応する導電体縦列の領域にの
み存在する。
陰電極を具備した電界放射画面を使用するための過程に関係し、該陰電極は、陰
電極の近傍において電界が閾値を越えるときに、電子を放射する電子放射物質を
含んでおり、 電子放射物質の一部から電子放射を起こすために、該過程は、 陽電極と陰電極との間の電位差を印加することにより、陰電極の近傍にお
いて、この電位差が単独に印加される場合に、前記閾値より低い値の電界を生じ
させることと、 同一面上、もしくは陰電極の近傍に変調電極を形成する手段と陽電極との
間に陰電極が挿入されるように、陰電極付近に変調電極を形成する手段と陰電極
との間に電位差を印加することにより、陰電極の前記近傍において、陰電極と陽
電極との間の電位差の印加によって発生した電界に関して、前記閾値より大きな
電界値を生じさせることを含むことを特徴とする過程。
電極を具備した電界放射画面を使用するための過程に関係し、該陰電極は、陰電
極の近傍において電界が閾値を超えるときに、電子を放射する電子放射物質を含
んでおり、 電子放射物質からの電子放射を回避するために、該過程は、 陽電極と陰電極との間に電位差を印加することにより、陰電極の近傍にお
いて、この電位差が単独に印加される場合に、前記閾値より大きい値の電界を生
じさせることと 同一面上、もしくは陰電極が陽電極と、変調電極を形成する手段との間に
挿入されるように、陰電極近傍に変調電極を形成する手段と陰電極との間に電位
差を印加することにより、陰電極の前記近傍において、陰電極と陽電極との間の
電位差の印加によって発生する電界に関して、前記閾値より小さな電界値を生じ
させることを含むことを特徴とする過程。
装置は本実施例においては陰極板として指定された板21を具備する。該陰極版
21は同陰電極の2箇所の部分28と29で囲まれた電極25を支持する支持板
23を具備する。当該装置は本実施例においては陽極板として指定された板22
も具備する。該陽極板22は電極27を支持する支持板26を具備する。陽極板
と陰極板とは互いに平行に対向して配置されており、対応する電極は互いに向き
合っている。陽極板と陰極板は距離間隔dで隔てられている。
位が印加される場合を示している。一様な電界値V/dが装置内で確立されてい
る。等電位線が破線で図3Aに示されている。電極25に最も近い等電位線は陰
極25の電位と陽極27の電位との中間電位+V1と等しい。
9に電位V1が印加される場合を示している。そのとき、等電位線の変形及び歪
が生じて陰電極25の上部で等電位線を狭小化しそれによって、この地点におけ
る電界が強まる。電極27と2箇所の部分28及び29との電位差を固定しても
同様の効果が得られる。そして電極25は電極27と比較して2箇所部分28と
29の電位よりもさらに低い電位となる。
を発生させることにより電極25に存在する電界値を減少させたい場合、2箇所
部分28と29を電位−V1に導くことができる。
で指定することができる。
面部分図である。この画面は互いに平行に対向配置された陰極板31と陽極板3
2を具備する。前記陰極板31と陽極板32は各内部面上に電極を有する。図示
されていないスペーサは陰極板と陽極板との間に一定の空間を提供し、画面内部
には真空状態が形成される。
の上には順に、変調電極を形成する金属製の細長片38と39のネットワークが
並べて配され、その上に絶縁皮膜34(例;シリカ)が、それから陰電極35の
ネットワークは下部ネットワーク層の間隔で配されている。図4において単一の
陰電極が示されている。前記単一電極は低閾値領域を有する物質から構成される
か、もしくは炭素又はナノ構造などの低流出機能(low output work)を有する物
質層で覆われる。図4において陰電極35はこのような物質層30を有する。電
極35と対応する細長片38と39は変調電極を形成するために互いに電気的に
接合される。
36は前面をITOなどの透明な導電性物質の皮膜37及び発光性物質の皮膜2
0の順で覆われている。
37と陰電極35との間において、電位差は放射電極から放射された電界が電子
放射物質30から放たれた電子の抽出閾値領域(the extract threshold field)
より低くなるように印加される。よって、この単一電界効果の下では電子の放射
は起こらない。
等電位の変形及び歪が発生し、放射電極の電界を強めることになる。変調電極の
電位は放射電極上の電界が電子放射物質の閾値領域より大きくなるように選定す
ることができる。そのとき電子を放射する。前記電子は放射電極と垂直に放出さ
れる。それから前記電子は陽極領域によって加速され、陽電極37を覆っている
発光性皮膜20に衝突する。この方法により、放射電極に印加されたどんな電位
値Vについても、変調電極に印加された電位値Vsは放射電極上で物質が放射す
る閾値領域と等位の電界を有することを可能にする。VsはVよりも大きい。 Vs=V+ΔVs Vsよりも大きい変調電極のどんな電位値に対しても電子を放射する。
片38と39は20μmの幅を有し、10μm離すことができる。絶縁層34は
1μmの厚みを有するシリカ皮膜とすることができる。陰電極35は5μmの幅
を有し、金属性の細長片38と39を隔てた空間の中央部に配することができる
。通常は5〜6V/μmの閾値領域を有する電子放射物質30に対して、陰極と
比較して+3000Vの電位が陽極に印加すると、放射電極上に閾値領域よりも
低い3V/μmの電界が生じる。陰電極35を0Vで維持しながら変調電極38
、39を+30Vとすると、放射電極面上の電界は閾値領域よりも大きい7V/
μmに変化する。したがって、変化電圧は通常は何ら問題を引起すことのない数
十ボルトの低い電圧のままである。
陽電極37と陰電極35との間に電位差を印加し、その結果、放射電極上に電界
が生ずる。この電界が放射性物質30からの電子の抽出閾値領域より大きい場合
、この独立した電界効果の下で電子を放射する。変調電極38、39を陰電極3
5の電位より低い電位とする場合、等位電界の変化及び歪が発生し、放射電極上
の電界が弱まる原因となる。変調電極の電位は放射電極上の電界が電子放射物質
の閾値領域より低くなるように選定することができ、これにより電子放射を容易
に中断する。この方法により、放射電極に印加されたどんな電位値Vについても
、変調電極に印加された電位値Vsは放射電極上に物質が放射する閾値領域と等
位の電界を生じさせることができる。このときVsはVより小さい。 Vs=V−ΔVs Vsよりも大きいいずれの変調電極の電位値に対しても電子の放射は起こる。V
sよりも小さな値に対しては放射は排除される。
は可能性のある実施形態のいくつかを示している。明瞭にするため、単一陰電極
のみがこれらの添付図に示されている。
形成される変調電極の塊を支持している(ガラスなどの)絶縁物質板43を具備
する陰極板41を示している。該板43はシリカなどの絶縁皮膜44も具備する
。絶縁皮膜44の上に変調電極48、49に対応する陰電極45が配置される。
各陰電極は対応する導電性の細長片48と49を左右対称に隔離した間隔の上に
配置される。前記陰電極45の上に抵抗皮膜46と電子放射物質層47が順に配
置される。抵抗皮膜46の機能は構成要素45、46及び47を堆積して形成さ
れる放射電極面上の放射を均一にすることである。この方法で、破壊を起こしう
る非常に強い不規則的放射は防止される。この配列層は陰電極と変調電極の堆積
量を縮小することを容易にし、それによって両極間に存在し、画面の表面が重要
になると大きくなる、寄生容量を最低にまで減少させる。特定の装置は寄生容量
に対する予防策を必要としない。変調電極の形状は図5に示された形状から単一
の細長片のみで構成されている図6の形状に変形することができる。明らかにそ
の全ての中間形状が可能である。
電子放射物質層57を具備した陰極板を図示している。他方では、放射電極が変
調電極の中央に配置されて、変調電極50は導電性の細長い1片から形成される
。
を示す。陰極板61は支持板63、変調電極を形成する導電性の細長い2片68
と69、陰電極65で形成された放射電極を支持する絶縁皮膜64、抵抗皮膜6
6及び電子放射物質層67から構成される。この実施形態においては、放射電極
は導電性細長片68と69を隔離した隙間と同一幅を有する。
調電極を形成する導電性の細長い2片78と79、陰電極75によって形成され
た放射電極を支持する絶縁皮膜74、抵抗皮膜76及び電子放射物質層77から
構成される。この実施形態において、電子放射物質層77は抵抗皮膜76の中央
部のみを覆っている。この配置は、陰電極75のエッジ効果の影響を受けやすい
電子を除去することによって、さらに縮合した電子束の獲得を可能にしている。
この配置は上述の他の実施形態と組み合わせることができる。
支持板93、変調電極を形成する導電性の細長い2片98と99、陰電極95を
構成する放射電極を支持する絶縁皮膜94及び抵抗皮膜96から構成される。こ
の実施形態において、放射電極はニッケル、鉄、コバルト又はそれらの金属合金
などの触媒物質のスタッド92を具備する。前記スタッドは抵抗皮膜96上に配
置される。スタッド92には、好ましくは放射位置を作成するために触媒物質上
に配される炭素などの電子放射物質97を有する。
斜視図である。陰極板81はYi、Yj及びYkなどの横列を形成する導電性の
細長片のネットワークを支持するガラス製などの板83を具備する。前記細長片
において、例えば長方形状の開口部又は窓80が造形されている。この横列のネ
ットワークは平行配置された導電性の細長片85が上に、細長片Yとは垂直に敷
設されている誘電体層84で覆われている。この実施例において、導電性の細長
片85は縦列Xi,Xj,Xkを構成するために3つに分類される。導電性の細
長片85の一つ一つは抵抗体層86と電子放射物質層87で覆われる。図10の
例において、該電子放射物質87は有効範囲、つまり横列内に作られた窓80の
上部に配された縦列の範囲上にのみ敷設される。この方法で、互いに垂直な横列
と縦列の2つのネットワークが得られる。画素は横列と縦列の交差点で構成され
る。
電界を形成する場合の、陰極板を具備する画面の画素をアドレス指定するために
印加される電圧の図解例である。本例は所要の電圧値を最小値にまで減ずること
ができる。画素Xj,Yjをアドレス指定するために、図示されていない陽極は
最大で電位VAまで導かれ、縦列Xjは電位V0まで、そして横列Yjは電位V 1 (V1はV0とVAの中間値である)まで導かれる。その他の縦列Xは電位V 1 まで導かれ、その他の横列YはV0まで導かれる。放射電極上で電界が強まる
ことによって、この電界が閾値領域より大きくなるように電位V1は選定される
。
い電界を形成する場合の、陰極板を具備する表示画面の画素をアドレス指定する
ために印加される電圧図である。画素Xj,Yjをアドレス指定するために、示
されていない陽極は最大でVAまで導かれ、縦列Xjは電位V0まで導かれる。
陽極と陰極の隔離距離をdとすると、この電位差から発生する電界(VA−V0 )/dは当該物質の放射閾値領域より大きい。画素Xj,Yjが放射するために
、横列Yjの電位V1は電圧Vsより大きくなければならない。縦列Xj上で画
素Xj,Yi及びXj,Ykはオフ状態であるために、横列YiとYkの電位差
V2はVsより低くなければならない。横列Yj上で、2画素Xi,Yj及びX k ,Yjはオフでなければならない。このため、縦列Xi,Xkの電位差V3は
V1+ΔVsより大きくなければならない。ΔVsはV0−Vsと等しい。画素
Xi,YiとXi,YkとXk,YiとXk,Ykは縦列電圧V3と横列電圧V 2 を有する。実際にはV2<Vs,V3>V1+ΔVs,V1>Vs及びV3>
Vsである。縦列Xi〜Xkと横列Yi〜Ykの電圧の差はΔVsより高く、横
列電圧は縦列電圧より低く、対応する画素は放射しない。
る値の中から、問題解決しやすい値を選択することができる。よって、画素Xj ,Yjをアドレス指定するために、V1=V0及びΔV>ΔVsならば、電圧V 0 は縦列Xjと横列Yjに印加されなければならない。他の縦列は電圧V0+Δ
Vまで導かれ、他の横列は電圧V0−ΔVまで導かれる。
範囲をそれに限定するものではないが、以下添付図を用いて実施形態を上述した
。
視図である。
面図である。
る。
を示している。
を示している。
を示している。
を示している。
を示している。
である。
される電圧のダイアグラムである。
される電圧のダイアグラムである。
される電圧のダイアグラムである。
Claims (25)
- 【請求項1】 第1電極(25)と第2電極(27)との間に電界を生成す
る装置であって、 前記2つの電極(25,27)間に電位差を印加し、この電位差が単独で
印加される場合に、第1電極(25)の近傍に所定の電界値を生じさせる手段と
、 同一面上、もしくは第1電極(25)付近に配される変調電極(28,2
9)を形成する手段と第2電極との間に第1電極が挿入されるように、変調電極
を形成する手段と、 前記第1電極(25)近傍に別の所定の電界値を生じさせるために、変調
電極(28,29)を形成する手段と第1電極(25)との間に電位差を印加す
るための制御手段とを具備した装置。 - 【請求項2】 第1電極(25)と第2電極(27)との間に電位差を印加
する手段と前記制御手段は、前記第1電極(25)近傍の電界値が第1電極(2
5)と第2電極(27)との間に生じる電位差の値より大きくなるような電位差
を印加することを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項3】 第1電極(25)と第2電極(27)との間に電位差を印加
する手段と前記制御手段は、前記第1電極(25)近傍の電界値が第1電極(2
5)と第2電極(27)との間に生じる電位差の値より低くなるような電位差を
印加することを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 【請求項4】 第1電極(25),第2電極(27)及び変調電極(28,
29)を形成する手段は平行に配列されていることを特徴とする請求項1ないし
3のいずれか1つに記載の装置。 - 【請求項5】 変調電極を形成する手段は第1電極(25)を取囲んだ2電
極(28,29)を具備することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つ
に記載の装置。 - 【請求項6】 第1電極が、変調電極を形成する手段と第2電極との間に挿
入されるとき、変調電極を形成する手段は単一電極から形成されることを特徴と
する請求項1に記載の装置。 - 【請求項7】 第1電極(25)と第2電極(27)との間に電界を生成す
る過程であって、 第1電極(25)と第2電極(27)との間の電位差が単独で印加された
場合に、第1電極(25)近傍に所定の電界値を生じさせるために前記電位差を
印加することと、 第1電極(25)と第2電極(27)との間に電位差を印加して生じる電
界に別の所定の電界値を生じさせるために、同一面上、もしくは第1電極の付近
に変調電極を形成する手段と第2電極との間に第1電極が挿入されるように第1
電極(25)の付近に変調電極(28,29)を形成する前記手段と第1電極(
25)との間の電位差を印加することとを有する方法。 - 【請求項8】 第1電極(25)と第2電極(27)との間に電位差を印加
するとき、この電位差が単独で印加された場合に、前記第1電極(25)近傍の
電界は前記別の所定値より大きくなるように印加することを特徴とする請求項7
に記載の方法。 - 【請求項9】 第1電極(25)と第2電極(27)との間に電位差を印加
するとき、この電位差が単独で印加された場合に、前記第1電極(25)近傍の
電界は前記別の所定値より低くなるように印加することを特徴とする請求項7に
記載の過程。 - 【請求項10】 相互に対向した陽極板(32)と陰極板(31)を具備し
た電界放射型画面であって、該陽極板(32)は画面の内部面上に蛍光手段(2
0)を支持する少なくとも1つの電極(37)を具備し、該陰極板(31)は画
面の内部面上に、該陽電極(37)に少なくとも部分的に向かい合った、電子を
放射する少なくとも1つの電極(35)を具備し、この陰電極(35)はその近
傍において電界が閾値を超えるときに電子放射源となり、該画面は前記陽電極(
37)と前記陰電極(35)との間の電位差の印加手段も具備する電界放射画面
であって、 さらに、同一面上、もしくは陰電極の近傍に変調電極を形成する手段と該陽電
極(37)との間に該陰電極(35)が挿入されるように、画面は陰電極(35
)の近傍に変調電極(38,39)を形成する前記手段を具備し、該画面は、ま
た変調電極(38,39)を形成する前記手段と該陰電極(35)との間に電位
差を印加する制御手段も具備し、電位差を印加する該手段によって、前記陰電極
近傍において、前記電位差の寄与によって所定の電界値を生じさせることができ
、そのとき前記所定値は前記閾値より小さくすることも、もしくは前記閾値より
大きくすることも可能であることを特徴とする電界放射画面。 - 【請求項11】 前記陽電極(37)と前記陰電極(35)との間に電位差
を印加する手段によって、該陰電極(35)と変調電極(38,39)を形成す
る手段との間に印加された電位差が無いとき、電界の前記所定値は前記閾値より
小さくなることを特徴とする請求項10に記載の表示画面。 - 【請求項12】 前記陽電極(37)と前記陰電極(35)との間に電位差
を印加する手段によって、該陰電極(35)と変調電極(38,39)を形成す
る手段との間に印加された電位差が無いとき、電界の前記所定値は前記閾値より
大きくなることを特徴とする請求項10に記載の表示画面。 - 【請求項13】 変調電極を形成する手段は前記陰電極(35)を取囲んだ
2電極(38,39)から構成されることを特徴とする請求項10ないし12の
いずれか1つに記載の表示画面。 - 【請求項14】 前記陰電極が変調電極を形成する手段と前記陽電極との間
に配されるとき、変調電極(50)を形成する手段は単一電極から形成されてい
ることを特徴とする請求項10ないし12のいずれか1つに記載の表示画面。 - 【請求項15】 前記陰電極が変調電極を形成する手段と前記陽電極との間
に配されるとき、前記陰電極(35)と変調電極(38,39)を形成する手段
は絶縁物質層(34)によって隔離されていることを特徴とする請求項10ない
し12のいずれか1つに記載の表示画面。 - 【請求項16】 前記陰電極(35)は電子放射物質層(30)が堆積され
ている導電性要素から成ることを特徴とする請求項10ないし15のいずれか1
つに記載の表示画面。 - 【請求項17】 電子放射物質層(47)は抵抗皮膜(46)によって前記
導電性要素(45)と隔離されていることを特徴とする請求項16に記載の表示
画面。 - 【請求項18】 電子放射物質層(77)は抵抗皮膜(76)の一部のみを
覆うことを特徴とする請求項17に記載の表示画面。 - 【請求項19】 電子放射物質(97)は抵抗皮膜(96)上に堆積された
触媒物質(92)によって抵抗皮膜(96)上に堆積された物質であり、該放射
性物質(97)はその上に優先的に定置することを特徴とする請求項17に記載
の表示画面。 - 【請求項20】 画素を規定する横列と縦列の交差点のマトリクス形式から
成ることを特徴とする請求項10ないし19のいずれか1つに記載の表示画面。 - 【請求項21】 陽極板は蛍光手段を有する共有の電極から構成され、陰極
板(81)は誘電体層(84)で覆われた、変調電極を形成する手段を構成する
導電性横列(Yi,Yj,Yk)を備えた板(83)から構成され、該誘電体層
は縦列の導電体(85)を支持し、横列と縦列はアドレス指定手段と規定画素に
接続するマトリクス配列を形成し、該縦列導電体は電子放射物質(87)を有す
ることを特徴とする請求項10に記載の表示画面。 - 【請求項22】 各画素は横列(Yi,Yj,Yk)と複数の縦列導電体(
85)との交差点に一致することを特徴とする請求項21に記載の表示画面。 - 【請求項23】 横列導電体(Yi,Yj,Yk)は縦列導電体に向き合っ
た窓(80)を具備し、縦列導電体によって支持された電子放射物質(87)は
該窓(80)に対応する縦列導電体の領域上にのみ存在することを特徴とする請
求項21又は22に記載の表示画面。 - 【請求項24】 相互に対向した少なくとも1つの陽電極(37)と少なく
とも1つの陰電極(35)を具備し、該陰電極は該陰電極近傍の電界が閾値を超
えるときに電子を放射する電子放射物質(30)から構成される電界放射表示画
面を使用するための過程であって、 電子放射物質から電子を放射させるために、 陽電極(37)と陰電極(35)との間の電位差が単独で印加された場合
に、陰電極近傍に前記閾値より低い電界値を生じさせるような前記電位差を印加
することと、 前記陰電極近傍において、陽電極(37)と陰電極(35)との間の電位
差の印加によって生じた電界に前記閾値より大きい電界値を生じさせるような、
同一面上、もしくは陰電極の付近に変調電極(38,39)を形成する手段と陽
電極との間に陰電極が挿入されるように、陰電極の付近に変調電極(38,39
)を形成する前記手段と、陰電極(35)の間に、電位差を印加することを特徴
とする電界放射表示画面を使用するための方法。 - 【請求項25】 相互に対向した少なくとも1つの陽電極(37)と少なく
とも1つの陰電極(35)を具備し、該陰電極は陰電極(35)近傍の電界が閾
値を超えるときに電子を放射する電子放射物質(30)から構成される電界放射
表示画面を使用するための過程であって、 電子放射物質からの電子放射を回避するために、 陽電極(37)と陰電極(35)との間の電位差が単独で印加された場合
に、陰電極近傍に前記閾値より大きな電界値を生じさせるような前記電位差を印
加することと、 前記陰電極近傍において、陽電極(37)と陰電極(35)との間の電位
差の印加によって生じた電界に、前記閾値より小さい電界値を生じさせるような
、同一面上、もしくは陰電極近傍に変調電極を形成する手段と陽電極との間に陰
電極(35)が挿入されるように、陰電極近傍に変調電極(38,39)を形成
する前記手段と陰電極との間に、電位差を印加することを特徴とする電界放射表
示画面を使用するための方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9911292A FR2798507B1 (fr) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | Dispositif permettant de produire un champ electrique module au niveau d'une electrode et son application aux ecrans plats a emission de champ |
FR99/11292 | 1999-09-09 | ||
FR00/01832 | 2000-02-15 | ||
FR0001832A FR2798508B1 (fr) | 1999-09-09 | 2000-02-15 | Dispositif permettant de produire un champ electrique module au niveau d'une electrode et son application aux ecrans plats a emission de champ |
PCT/FR2000/002487 WO2001018838A1 (fr) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | Ecran plat a emission de champ avec electrode de modulation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003509808A true JP2003509808A (ja) | 2003-03-11 |
JP5159011B2 JP5159011B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=26212175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001522564A Expired - Fee Related JP5159011B2 (ja) | 1999-09-09 | 2000-09-08 | 変調電界を生成する装置とその電界放射フラット画面への適用 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6815902B1 (ja) |
EP (1) | EP1210721B1 (ja) |
JP (1) | JP5159011B2 (ja) |
DE (1) | DE60026044T2 (ja) |
FR (1) | FR2798508B1 (ja) |
WO (1) | WO2001018838A1 (ja) |
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FR2886284B1 (fr) | 2005-05-30 | 2007-06-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de nanostructures |
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- 2000-02-15 FR FR0001832A patent/FR2798508B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-08 JP JP2001522564A patent/JP5159011B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-08 EP EP00962588A patent/EP1210721B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-08 WO PCT/FR2000/002487 patent/WO2001018838A1/fr active IP Right Grant
- 2000-09-08 DE DE60026044T patent/DE60026044T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-08 US US10/049,777 patent/US6815902B1/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001018838A1 (fr) | 2001-03-15 |
EP1210721B1 (fr) | 2006-02-15 |
DE60026044T2 (de) | 2006-09-14 |
EP1210721A1 (fr) | 2002-06-05 |
FR2798508A1 (fr) | 2001-03-16 |
DE60026044D1 (de) | 2006-04-20 |
FR2798508B1 (fr) | 2001-10-05 |
JP5159011B2 (ja) | 2013-03-06 |
US6815902B1 (en) | 2004-11-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
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|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |