JPH04137330A - 電子線発生装置及びそれを用いた画像形成装置と光信号供与装置 - Google Patents

電子線発生装置及びそれを用いた画像形成装置と光信号供与装置

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JPH04137330A
JPH04137330A JP2256813A JP25681390A JPH04137330A JP H04137330 A JPH04137330 A JP H04137330A JP 2256813 A JP2256813 A JP 2256813A JP 25681390 A JP25681390 A JP 25681390A JP H04137330 A JPH04137330 A JP H04137330A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電子放出素子の下方に変調電極を一体に形成
した電子線発生装置及びこれを用いた画像表示装置、光
信号供与装置に関する。
[従来の技術] 従来、電子線発生装置の電子放出素子としては、例えば
、PN接合に逆バイアス電圧を印加し電子なだれ降伏現
象を生ゼしぬ素子外へと電子を放出する型のもの、金属
−絶縁体層−金属層の構成を有し該2つの金属の間に電
圧を印加することによりトンネル効果で絶縁体層を通過
してきた電子を金属層から素子外へと放出するもの(M
IM)、高抵抗薄膜にその膜厚方向と直交する方向に電
圧印加し該薄膜表面から素子外へと電子を放出させる表
面伝導形(SCE)のもの、電界集中の生じ易い形状の
金属に対し電圧を印加して局所的に高密度の電界を発生
させ該金属から素子外へと電子を放出させる電界効果形
(FE)のもの等が提案されている。
ここで、上述SCE形の電子放圧素子について詳述する
と、これは、エム・アイ・エリンソン(M、1.El 
1nson)等によって発表された[ラジオ・エンジニ
アリング・エレクトロン・フィジイッス(Radio 
 Eng。
Electron、  Phys、)第10巻。
1290〜1296頁、1965年]冷陰極素子であり
、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電
流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する
もので、一般には表面伝導形電子放出素子と呼ばれてい
る。
この表面伝導形電子放出素子としては、前記エリンソン
等により開発されたSnO□ (Sb)薄膜を用いたも
のの他、Au薄膜によるもの[ジー・ディトマ一二 “
スイン・ソリド・フィルムス” (G、Dittmer
 : ”Th1nSolid  Fi1ms″)、9巻
、317頁。
(1972年)]、ITO薄膜によるもの[エム・ハー
トウェル・アンド・シー・ジー・フオンスタッド: “
アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・デイ−・コ
ンフ″ (M、Hartwe 11and  C,G、
Fonstad:  ”IEEETrans、  ED
  Conf、”)519頁。
(1975年)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久他
:“真空”、第26巻、第1号、22頁。
(1983年)]等が報告されている。
かかる表面伝導形電子放出素子は、 1)高い電子放出効率が得られる、 2)構造が簡単であるため、製造が容易である、3)同
一基板上に多数の素子を配列形成できる、4)応答速度
が速い、 等の利点があり、今後広く応用される可能性をもってい
る。
一方、面状に展開した複数の電子源と、この電子源から
の電子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットとを
、各々相対向させた薄形の画像表示装置が、特開昭58
−1956号公報、特開昭60=225342号公報等
で開示されている。
第5図は、電子源として熱電子源を用いた場合の画像表
示装置の概要を示すものである。本図中、51はガラス
基板、52は支持体、53は配線電極、54は電子放出
部、55は電子通過孔、56は変調電極、8はガラス板
、9は透明電極、10は画像形成部材で、例えば蛍光体
、レジスト材等電子が衝突することにより発光、変色、
帯電、変質等する部材から成る。7はフェースプレート
、12は蛍光体の輝点である。電子放出部54は薄膜技
術により形成され、ガラス基板51とは接触することが
ない中空構造を成すものである。配線電極53は電子放
出部材と同一の材料を用いて形成しても、別材料を用い
ても良く、一般に融点が高く電気抵抗の小さいものが用
いられる。支持体52は絶縁体材料もしくは導電体材料
で形成されている。
この装置は、配線電極53に電圧を印加せしめ中空構造
をなす電子放出部より電子を放出させ、これら電子流を
情報信号に応じて変調する変調電極56に電圧を印加す
ることにより電子を取り出し、取り出した電子を加速さ
せ画像形成部材9に衝突させるものである。また、配線
電極53と変調電極56でXYマトリックスを形成せし
め、蛍光体上に画像表示を行うものである。
また、第6図に示すものは、前述表面伝導形電子放出素
子を電子源として用いた、画像表示装置の構成図である
本図中、60は絶縁性基板、61は配線電極、62は素
子電極、63は電子放出部である。この画像表示装置は
、配線電極61間に素子を並べた線電子源群と変調電極
66群でXYマトリックス駆動を行うことにより画像表
示するものである。
これらの画像表示装置は、通常lXl0−’〜lXl0
−5torrの真空状態で駆動させる為に、系全体を真
空封止することによりデイスプレィ装置を製作しなけれ
ばならない。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上述した画像表示装置(デイスプレィ)
には、次のような問題点があった。
■、フェースプレート10に設けた画像形成部材9と変
調電極56.66と電子放出部54゜63の位置合わせ
が難しい為、大画面で高精細なデイスプレィが作製しが
たい。
■、変調電極56.66と電子放出部54.63の絶対
的な位置が場所によって異なると表示画像にむらが生じ
る。よって、極めて正確に位置合わせをして製造する必
要がある。
■、■、■を鑑みて大画面で高精細なデイスプレィを製
造するには、多大な設備投資が必要であり、デイスプレ
ィの価格も非常に高価になる。
■、上記■、■、■を解消すべ(手段、例えば変調電極
の構成位置を異ならしめても、電子放出素子の特性等に
は何ら影響を与えないような構成とする必要がある。
すなわち、本発明の目的とするところは、上述のような
問題点を解消した電子線発生装置及びこれを用いた画像
表示装置、さらには光信号供与装置を提供することにあ
る。
[課題を解決するための手段] 本発明の特徴とするところは、 第1に、基板上に、電子流を情報信号に応じて変調する
変調電極及びその上方に電子放出素子を絶縁層を介して
一体に形成し、かつ、該変調電極が該電子放出素子の少
なくとも電子放出部直下には存在しない電子線発生装置
としている点にある。
すなわち、変調電極を薄膜製造技術により電子放出素子
と一体に形成することで相互のアライメント精度の向上
を図り、かつ、電子放出素子の電子放出部直下には変調
電極を設けないことでその存在による素子のダメージ等
を解消するものである。
第2に、前記第1に記載の電子放出素子として、表面伝
導形電子放出素子(SCE)を構成要素とした電子線発
生装置を特徴とする。
第3に、電子放出素子を複数配列させた線状電子源をス
トライプ状に配置し、変調電極を該線状電子源に直交す
るように設けてXYマトリックスを構成した前記第1又
は2いずれかに記載の電子線発生装置を特徴とする。
かかる構成によれば、線状電子源群と変調電極群とでX
Yマトリックス駆動を行うことにより、電子線を走査さ
せることができる。
第4に、電子放出素子と変調電極に、独立の電圧印加手
段を設けた前記第1〜第3いずれかに記載の電子線発生
装置を特徴とする。
すなわち、電子放出素子を駆動する印加電圧と変調電極
を駆動する印加電圧とを独立したものとすることにより
、情報信号に応じて変調電極に電圧を印加し、素子駆動
に関係な(電子線を変調させることかできる。
第5に、前記第1〜第4いずれかに記載の電子線発生装
置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して画像を
形成する画像形成部材を設けた画像表示装置を特徴とす
る。
ここで、画像形成部材としては、例えば蛍光体、レジス
ト材等電子が衝突することにより発光、帯電、変質等す
る部材であれば良い。
第6に、前記第1〜第4いずれかに記載の電子線発生装
置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して発生す
る発光体を設け、該電子の衝突による発光を信号として
用い得る構成を特徴とした光信号供与装置にある。
以上が本発明の構成であり、その具体的内容については
実施例にて詳述する。
[作 用] 本発明の基本概念である、電子放出素子の下方に変調電
極を一体形成し、かつ、電子放出素子の少なくとも電子
放出部直下には前記変調電極を設けない構成は、以下の
ような作用を奏する。
先ず、後述する実施例に示すような薄膜製造技術を用い
、変調電極が電子放出素子と絶縁層を介して一体に形成
されることで、従来のようなアライメントのバラツキが
な(、その結果、電子流を情報信号に応じ精度良く変調
することが可能となる。
次に、電子放出部直下に変調電極を設けないことで、そ
れが存在する場合に生じる、かかる部位から絶縁層及び
素子の電子放出部にわたる領域での荷電粒子のマイグレ
ーション等が発生しなくなり、結果として素子のダメー
ジが減少し、寿命の向上へと導かれることになる。
さらに付記すれば、単に電子放出素子の下方に変調電極
を設けただけでは、上記荷電粒子のマイグレーション等
を防止する為に絶縁層を厚くしなければならず、一方絶
縁層を厚くすると変調電極による電子流の変調がしにく
(なるので、印加電圧を高(して変調電極を駆動しなけ
ればならなくなるが、前記のように少なくとも電子放出
部直下に変調電極を設けないことでこれら全ての問題が
解消されることになる。
すなわち、絶縁層の薄膜化及び変調電極の低電圧駆動が
可能となる。例えば、電子放出部直下に変調電極が存在
すると存在しない場合とで比較すると、絶縁層の厚さが
0.5〜10μmのものが0.1〜5μmに薄膜化され
、印加電圧においては−40〜−30Vのものを−25
〜−4OVに低減することができる。
さらに、以上のような作用効果を有する電子線発生装置
を用いた画像表示装置及び光信号供与装置にあっては、
高精細で表示むらのない画像表示及び光信号を得ること
ができることになる。
[実施例] 以下、実施例を用いて本発明を具体的に詳述する。
実」1阪1 本実施例では、電子線発生装置の一例を第1図及び第2
図に基づいて説明する。尚、第2図は第1図中のA−A
断面を示す。
第1図は、本装置の斜視構成図であり、1は絶縁性基板
、2は本発明の特徴とする変調電極、3は表面伝導形電
子放出素子(SCE)を構成する素子電極、4はその電
子放出部、さらに5は、電子放出素子(3及び4)と基
板1及び変調電極2との間に積層された絶縁層である。
ここで、基板材としては、絶縁性を有するものであれば
よ(、ガラス、アルミナセラミックス等が好ましい。ま
た、変調電極材としては、金。
ニッケル、タングステン等の導電性材料であればよいが
、基板材との熱膨張率がなるべ(近いものが好ましい。
さらに、絶縁層を成す材料としては、二酸化ケイ素、ガ
ラス、その他のセラミックス材料が好適である。
次に、本装置の製造工程について説明する。
■、先ず、絶縁性基板1である石英ガラス(コーニング
社製)を中性洗剤によるこすり洗い、有機溶剤による超
音波洗浄等にて十分洗浄した後、ホトリソグラフィー技
術によりレジストパターンを形成した。
01次に、抵抗加熱法により、下引き材(密着性向上の
為)であるTiを約50人と変調電極材であるNiを約
950人レジストパターン止金面に蒸着した後、リフト
オフ法により幅(a)約2mm、かつ、40μmx20
0μm (bxc)の穴2′を有した変調電極パターン
2を形成した。
00次に、スパッタ法により、図示するように変調電極
2及び基板1の一部上面に、絶縁層5としてSiO3膜
を約1.5μmマスクデポジションした。
09次に、前述■の変調電極パターン形成法と全(同様
の方法にて、上記変調電極2の穴2′の上方にギャップ
の存在する、SCEの素子電極パターン3を形成した。
この時の素子電極幅は、15μm、電極ギャップは2μ
mであった。
01次に、後述する電子放出材料をバターニングするた
めのCrを、抵抗加熱法により約1000人全入金着し
た。
01次に、ホトリソグラフィー技術を用いて、電子放出
部4近傍(25μm×150μm)のCrのみを除去す
るためのレジストパターンを形成した。
06次に、エツチングにより所望のCrを除去した。エ
ッチャントには、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸
水溶液を用いた。
01次に、放出材料である有機パラジウム(奥野製薬社
製CCP−4230)を分散塗布し、その後大気中〜3
00”Cにて12分間焼成し全面に形成した。
00次に、前述■のエッチャントを用い放出材料パター
ニング用Crをエッチアウトした。
上記手法により作製した電子線発生装置を用い、かかる
装置の上方5mmの位置に蛍光板を配置し、系全体を約
2X10”’Torrの環境下において、外部より蛍光
板にIKVの電圧を印加し、素子電極3間に14Vの電
圧パルスを印加した。その結果、蛍光板に放出された電
子ビームに対応するスポット光が観察された。
更に、変調電極2に一4OV〜+30Vの電圧を印加し
たところ、変調電圧に対応して電子ビーム量が連続的に
変化した。また、この時の変調電圧トシテは、−4Ov
以下でOFF制御、+30v以上でON制御が可能であ
った。また、上記変調電極の穴2′が電子放出領域より
も太き(でも、変調機能に大きな障害はなかった。
一方、上記変調電極2の穴2′を設けない構成とした以
外は、全て同一の条件にて作製した電子線発生装置を用
いて同様のスポット光の観察を行ったところ、初期にお
いては前述装置同様の結果が得られたが時間経過ととも
に輝度にばらつきが生じ電子放出部の劣化が生じた。穴
2′が存在する装置にあっては約500Hrの駆動を行
っても何んら変化を生じなかったが、穴2′がない装置
にあっては約300Hrの駆動でスポット光に顕著な変
化が生じた。
K立土ユ 本実施例では、実施例1の概念に基づいた電子線発生装
置を複数配列すると共に、その上方に画像表示部を形成
した画像表示装置について説明する。
第3図は本実施例を示す図である。本図中、1は絶縁性
基板、2は実施例1で示したように穴2′を有した変調
電極である。また、6は配線電極、3はSCE形電子源
の素子電極、4は電子放出部であり、これらにより一つ
の線状電子源が構成される。また、7はガラス板8.透
明電極9゜蛍光体10.メタルバック11が順次積層さ
れたフェースプレート、12はスポット光の位置である
かかる装置の作製にあたっては、先ず、SCE形の電子
放出素子を配線電極6間にライン状に複数配列(2mm
ピッチ)した線状電子源を、さらに2mmピッチで配列
し、かつ、複数の変調電極2を該ライン状電子放出素子
の各列に対応させて直交配列し、さらに、上記配線電極
6としてCuを厚さ2μm積層した以外は、実施例1と
全く同様の方法にて絶縁性基板1である青板ガラス(市
川特殊ガラス社製)上に電子線発生装置を形成した。
次に、画像形成部材である蛍光体10を有するフェース
プレート7を基板1から5mm離して設け、(外囲器は
不図示)、画像表示装置を作製した。尚、本装置は20
行X20列のマルチ素子構成とした。
以上のような構成から成る画像表示装置において、蛍光
体面に1.5KVのバイアス電圧を印加すると共に、一
対の配線電極6に14Vの電圧パルスを印加して、ライ
ン状に並べた複数の電子放出素子から電子を放出させた
。さらに、これと同時に、情報信号として変調電極2群
に電圧を印加することにより、電子ビームをON10 
F F制御した。
また、この隣りの配線電極6に電圧パルスを印加し、前
述の一ライン表示を行った。これを順次行い一画面の画
像を表示させた。つまり配線電極6を走査電極として、
走査電極6と変調電極2でXYマトリックスを形成し、
画像表示が可能であった。
以上説明したように、本実施例では電子放出素子と変調
電極が一体に形成されているので、アライメントが容易
で、薄形かつ高輝度の画像表示装置を提供するものであ
る。また、電子放出部直下に変調電極を設けないことで
素子寿命の向上を図るものである。さらに、製造技術と
して、薄膜製造技術を用いて作製している為、大画面で
高精細なデイスプレィを安価に得ることができ、さらに
、電子放出部と変調電極の間隔を極めて精度良(作製す
ることができるので輝度むらのない極めて−様な画像表
示装置を得ることができた。
見立玉1 本実施例では、前述実施例2で示した電子線発生装置を
用いた光信号供与装置について説明する。
かかる装置の作製にあたっては、実施例2で得られた電
子線発生装置において、その基板から5mm上方の位置
に、電子の衝突により発光する蛍光体10を有するフェ
ースプレートを設けて光信号供与装置を作製した。
かかる装置において、蛍光体面に1.5KVのバイアス
電圧を印加すると共に、一対の配線電極に14Vの電圧
パルスを印加して、ライン状に並べた複数の電子放出素
子から電子を放出させた。
さらに、これと同時に、情報信号として変調電極に+3
0V〜−4OVの電圧を印加することにより、電子ビー
ムをON10 F F制御した。
上記手法を用いれば、例えば第4図に示すように構成さ
れた装置において、光信号供与装置41に外部情報とし
て電気信号を与えると、上記電気信号が光信号となり画
素信号として光受容体であるドラム43上の感光紙45
に到達する。さらに、ドラム43.44の回転により移
動させることで、感光紙上に所望の画像を形成すること
が可能となる。
[発明の効果コ 以上説明したように、変調電極と電子放出素子とを基板
に一体形成し、かつ、少なくとも電子放出部直下には変
調電極を設けない構成とすることで、以下のような効果
がある。
(1)、電子源と変調電極の位置合わせが容易になり、
ミスアライメント等による製品の歩留りが改善される。
(2)、変調電極の電子放出部に与える影響が低減され
素子寿命の向上が図れる。
(3)、電子放出素子と変調電極の間に介在させる絶縁
層の薄膜化が図れる。
(4)、上記(3)により、変調電極の低電圧駆動が図
れる。
(5)0画像表示装置及び光信号供与装置にあっては、
高精細で表示むらあるいは発光むらのない画像表示、光
信号を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の電子線発生装置の一例を示す斜視構
成図である。 第2図は、第1図中A−A部の断面図である。 第3図は、本発明の画像表示装置の一例を示す斜視構成
図である。 第4図は、本発明の光信号供与装置の適用例を示す図で
ある。 第5図及び第6図は、従来の画像表示装置を示す斜視構
成図である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に電子流を情報信号に応じて変調する変調
    電極及びその上方に電子放出素子を絶縁層を介して一体
    に形成し、かつ、該変調電極が該電子放出素子の少なく
    とも電子放出部直下には存在しないことを特徴とする電
    子線発生装置。
  2. (2)前記電子放出素子として、表面伝導形電子放出素
    子を構成要素とすることを特徴とする請求項1記載の電
    子線発生装置。
  3. (3)前記電子放出素子を複数配列させた線状電子源を
    ストライプ状に配置し、前記変調電極を該線状電子源に
    直交するように設けてXYマトリックスを構成したこと
    を特徴とする請求項1又は2記載の電子線発生装置。
  4. (4)前記電子放出素子と変調電極に、電圧を印加する
    電圧印加手段が、別個独立であることを特徴とする請求
    項1〜3いずれかに記載の電子線発生装置。
  5. (5)請求項1〜4いずれかに記載の電子線発生装置の
    電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して画像を形成
    する画像形成部材を設けたことを特徴とする画像表示装
    置。
  6. (6)請求項1〜4いずれかに記載の電子線発生装置の
    電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して発生する発
    光体を設け、該電子の衝突による発光を信号として用い
    得る構成としたことを特徴とする光信号供与装置。
JP25681390A 1990-09-28 1990-09-28 電子線発生装置及びそれを用いた画像形成装置と光信号供与装置 Expired - Fee Related JP2981764B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003509808A (ja) * 1999-09-09 2003-03-11 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 変調電界を生成する装置とその電界放射フラット画面への適用

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JP2003509808A (ja) * 1999-09-09 2003-03-11 コミツサリア タ レネルジー アトミーク 変調電界を生成する装置とその電界放射フラット画面への適用

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