JP2001514325A - 高純度コバルトスパッターターゲット及びその製造方法 - Google Patents

高純度コバルトスパッターターゲット及びその製造方法

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JP2001514325A JP2000507853A JP2000507853A JP2001514325A JP 2001514325 A JP2001514325 A JP 2001514325A JP 2000507853 A JP2000507853 A JP 2000507853A JP 2000507853 A JP2000507853 A JP 2000507853A JP 2001514325 A JP2001514325 A JP 2001514325A
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Abstract

(57)【要約】 面心立方（fcc）相及び六方詰込（hcp）相を含む高純度コバルトスパッターターゲットを開示しており、ここでX−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 11)の値は、fccコバルトを溶融温度から室温まで冷却することによって得られる高純度コバルト材料における同一の比の値より小さい。高純度コバルトを、約500ppmより多くない酸素、約200ppmより多くないNi含量、それぞれ約50ppmより多くないFe、Al及びCr含量、約0.5ppmより多くないNa及びK含量を含むものと定義する。開示されたスパッターターゲットを、材料を冷間処理（422℃より低い）することによって製造する。材料を、冷間処理工程の間で300〜422℃の温度範囲で数時間焼き戻すと、材料に加えられる冷間処理の量が顕著に増加する。このような方法により、高純度コバルトを変形して(0002)hcp平面をターゲットの垂直方向から10〜35℃傾斜させる。前述の相の比率及び結晶学的な性質により、スパッタリング効率及び材料の利用性が顕著に改善する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本明細書に記載する発明は、スパッターターゲットに使用する高純度コバルト
の製造方法及びマイクロエレクトロニクスへの応用に関する。高純度コバルトを
、酸素含量が500ppmより多くなく、Ni含量が200ppmより多くなく、Fe、Al及びCr
含量がそれぞれ50ppmより多くなく、Na及びKが0.5ppmより多くないと定義する。
コバルトターゲットは、ターゲット平面において低い透磁率を示し、ターゲット
表面に対して垂直なより高い透磁率、すなわち大きな表面漏れ磁束を示す。本発
明は、粒状構造を有する高純度コバルトの製造方法であり、この構造は強力な好
ましいhcp相における結晶学上の配向性を有し、fcc相をわずかに有するか検出で
きない程度に有する。この強力なhcpの結晶学的な特性（傾斜(0002)平面）は、 スパッタリング効率及び先に述べた応用で使用するターゲットの材料としての利
用にとって重要な意味を持つ。
【０００２】 （発明の背景） 高純度コバルトターゲットをスパッタリングの応用で使用して、マイクロエレ
クトロニクス装置、例えばマイクロプロセッサー、DRAM等に薄いフィルムを形成
する。直流マグネトロンスパッタリングの効率は、ターゲットから放出された電
子を捕捉し、電子を反発する負に荷電したターゲットに電子を押し戻す磁界の能
力に大きく依存している。これらの電子はスパッタリング室でターゲットに向か
ってプラズマガス（典型的にはアルゴン）中をらせん状に進む。このらせん状の
動きによりアルゴン原子との衝突の回数が増加し、結果としてより多くのアルゴ
ン原子がターゲットをたたき、最終的には堆積速度がより速くなる。スパッタリ
ング速度は、ターゲットの表面と平行な磁界成分の強度を増すことによって（あ
る漸近限界まで）増加する。この速度は次いで、磁界がターゲット材料を透過す
る能力に大きく依存している。強磁性体であるコバルトはその磁気的特性が非常
に異方性であり、磁界透過に抵抗することがある。従って、磁気物質、例えば常
法で処理したコバルトをターゲットとして使用する場合、磁束がターゲットの内
部を通過して、低い磁束しかプラズマ放電空間に出ない傾向がある。この問題が
あるために非常に薄いコバルトターゲットを使用する必要があり、結果として使
用寿命が相対的に短くなる。さらに、スパッタリング中にターゲットの断面が局
部的に減少する（侵食トレンチ）と、侵食トレンチ上の磁束が直ちに増加する。
このことにより、この領域のスパッタリングガスがよりイオン化する可能性が生
じ、局部的にスパッタリング速度が上昇することとなり、次いで侵食トレンチが
非常に広くなり、結果としてわずかの材料しか利用できないこととなる。この結
果は、磁界の強さと磁石からの距離の間に指数関数的な関係があることから、薄
いターゲットの使用によっていっそうひどくなる。薄いターゲット上の少量の侵
食によって、厚いターゲット上の同量の侵食によって生じるより大きな局所化し
た磁束強度の増加が生じるが、これは、厚いターゲットの表面がマグネトロンの
磁石から遠いところにあるためである。
【０００３】 これらの問題を解決するために、ターゲットに対して垂直な漏れ磁束が増加す
るように、高純度のコバルトターゲット平面における透磁率の値が低いことが必
要となる。このことがターゲットの厚さを増加させ、これによってターゲットの
寿命が延長され、スパッタリングの効率及び性能が改善される。 コバルトは二つの結晶形、すなわち面心立方形（fcc）及び六方詰込形（hcp）
を有する。hcp相は低温結晶構造であって422℃まで存在し；これより高い温度で
はfcc相に転移する。今まで使用されてきた従来型の高純度コバルトスパッタリ ングターゲットは、これらの二つの相の混合物を含んでいる。この従来型のター
ゲットは、高純度コバルト材料をそれが溶融するまで加熱し、次いで金型に注入
する方法によって製造されている。この温度で、材料はfccの単一相にある。注 型したインゴットを次いで直ちに放冷するか又は熱間処理した後で放冷して、fc
cの単一相の一部をhcp相を含むマルテンサイト組織に転移する。このような方法
で製造した従来型の高純度コバルトがマグネトロンスパッタリングに使用されて
きた。
【０００４】 （発明の詳細な説明） 高純度コバルトの場合、hcp相に対するfcc相の比は、透磁率の大きさに大きく
影響する。fcc相はhcp相より磁気特性の異方性が少ない。従って、ほとんどfcc 相より成るターゲットのPTFは非常に低く、結晶学的な方向に強い選好性がない ので、磁束流はターゲットの形状によって決まる。この形状は磁束をターゲット
の表面に拘束し、磁束の漏れを阻止する傾向にある。ターゲット中のhcp相の量 が増加し、hcp結晶中の容易に磁化する方向<0001>がターゲットの表面と垂直に なる場合には、ターゲットの表面における透磁率が減少し、ターゲットの厚さを
通って漏れ磁界が発生するのが容易である。従来の方法で製造したコバルトスパ
ッターターゲット中のfcc相を減少することが可能で、そのhcp相を増加してhcp 相に対するfcc相の比率を減少させることが可能であれば、ターゲットの平面に おける透磁率を減少させることができ、その結果ターゲットの表面における漏れ
磁界が増加することになる。このことは常用されるコバルトより厚い高純度コバ
ルトターゲットを使用することができることを意味し、その結果使用できる寿命
を長くし材料の利用を改良できる。
【０００５】 光学的な容量を測定することによってコバルトのhcp相に対するfcc相の比を得
ることは実際上困難である。X−線回折ピークの強さの比を考慮することが工業 において一般的になってきたが、これは二相の容量の比に対応するものである。
比に使用されるピークはfcc相の(200)及びhcp相の(10 11)ピークである。これら
のピークを選択するのは、強力なfcc(111)ピーク及びhcp(0002)回折ピークで重 複するからである。 発明者らは高純度コバルトスパッターターゲットの製造方法を開発し、この方
法はhcp相のX−線回折ピークの強度に対するfcc相のX−線回折ピークの強度の比
率に特徴があり、この比率は常用の方法で処理した高純度コバルトスパッタータ
ーゲットよりかなり小さい。本発明の方法は、fcc単一相を有する常用の高純度 コバルト材料をそれが溶融するまで加熱する工程、次いでそれを金型に注入する
工程及びそれを高温から放冷する工程を含む。この工程はどのような利用可能な
溶融手段によっても実施することができる。しかしながら、真空キャスチング法
、例えば真空誘導溶融炉（vacuum induction melting furnace）、又はe−線炉 （e-beam furnace）を使用することが好ましい。得られたキャストインゴットを
次いで室温まで冷却する。そうする代わりに、インゴットを熱間処理する。次い
でインゴットを室温まで冷却して、fcc単一相を、hcp相を含むマルテンサイト組
織に転移する。次いで、本発明の第二段階において、大部分のfcc相といくらか のhcp相を含む得られた生成物のコバルト材料を冷間処理するが、これによって 、hcp転移温度（422℃）より低い温度において、厚さの減少が5％より少なくな い結果を得ることが好ましい。冷間処理の結果、圧縮ひずみがコバルト材料に付
与され、存在するfcc相の一部がhcp相を含むマルテンサイト組織に転移する。
【０００６】 すべての常用の冷間圧延法、例えば回転、引き出し、スエージング（swaging ）、鍛造又は通常のプレス処理を本発明で使用することができる。厚さの減少が
10％又はそれより大きくなるまで高純度コバルトを冷間処理することが好ましい
。減少を大きくするために、中間で300〜422℃の温度範囲において数時間焼き戻
しを行うと、コバルトに行われる冷間処理を実質的に多く（40〜60％）すること
ができることを、本発明者らは見いだした。このような中間的な焼き戻しをしな
いと、冷延性の限界が20〜25％となることを、本発明者らは見いだした。先に述
べた方法で製造した高純度コバルトのX−線回折ピーク強度の比、すなわちIfcc(
200)／Ihcp(10 11)は、常法で処理した高純度コバルトと比較して非常に小さい 。約10％又はそれより大きい冷間変形を受けた高純度コバルトには、材料中に検
出可能なfcc相は存在せず、この場合、強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10
11)は約ゼロとなることを本発明者は見いだした。 コバルトの二つの結晶相は磁気特性において異方性であり、好ましい磁化の方
向を有している(1)、図１。先に述べた変形メカニズムによってhcpプリズム軸<0
001>がターゲットの垂直から0〜45°の間で傾斜している場合、ターゲットは高 いPTF及び良好なスパッタリング特性を有することとなる。 図２は、<0001>hcp
プリズム軸<0001>が0〜10°傾斜した(0002)極点図を示す図式であり、図３は、h
cpプリズム軸が20〜40°傾斜した(0002)極点図の図式である。
【０００７】 試料１を常法によりコバルト粉末をそれが溶融するまで加熱処理した。溶融コ
バルトを金型に注入して室温まで放冷した。他の常法では、固形化したインゴッ
トをまだ熱いうちにプレス又はローリングで熱間処理してインゴットをスラブ又
はシートにし、次いで室温まで放冷する。この実施例では、インゴットを最初に
室温まで放冷し、次いで750〜900℃の温度範囲で熱間処理して試料を形成した。
500℃を越えて材料を熱間処理すると、冶金学的に同一物を生成する。本発明に 従うと、試料2、3、4、5及び6は、最初に常法で処理するが、次いで付加的な冷 間処理を行った。試料2、3、4、5及び6を>750℃の温度で熱間処理し、次いで300
〜422℃の温度範囲で冷間処理を行った。各試料の冷間処理の量は表2に示すよう
に異なる。試料7は熱間処理を受けなかった。この材料は、溶融状態から室温ま で冷却し、49％冷間処理を行った。試料4、5、6及び7において、冷間処理の割合
は20％を越え、300〜422℃の範囲内で中間的な焼き戻しを行ってコバルトの応力
除去及び再結晶を行い、追加的な冷間処理を行って材料が変形性の限界を超えた
り破砕したりしないで処理が進められるようにする。この中間的な焼き戻し工程
は本発明の必須の部分であり、実質的な量の冷間処理が金属に対して行われ、ま
た、そうすることによって最終材料中のfccコバルトの量が顕著に減少する。表 １は本発明を説明する７種の高純度コバルト試料の組成物を示している。
【０００８】
【表１】 表１ 高純度コバルト試料の組成 組成（ppm） 各試料の強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(10 11)をCuKα照射で測定した 。試験の結果を表２に示す。このデータは、強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihc
p(10 11)について、本発明に従って処理した試料（試料2〜7）の低い値に比べて
常法で処理した試料（試料1）は0.52という値を有していることを示している。 試料4、5、6及び7において、比が約ゼロとなるように製造したために、fcc相は 検出されなかった。各試料の透磁率及び保磁力を、標準B−Hループ計測値から誘
導した。これらの値を、試料表面と平行（x−方向）及び試料表面に垂直（z−方
向）の二つの方向において測定した。これらの測定値のz／x比を、磁気的異方性
の強度及び方向を表すのに使用する。このz／xの値は透磁率の比と定義される。
【０００９】 磁束は効率的に抵抗の少ない経路を通るが、多くの場合透磁率が最も高い方向
である。ターゲットでは、透磁率の高い方向がターゲットに垂直の方向に近づく
ことが重要であり、結果として透磁率の比が１より大きくなる。値が1よりかな り大きくなること、特に10より大きくなることが望ましいのは、消磁効果がター
ゲットの幾何学的な縦横比から生じるからである。この平面形状は、プラズマ放
電空間への漏れ磁束の量を制限し、磁束をターゲットの表面内に保持するのに大
きな役割を果たす。放電空間へ漏れる磁界の強度をPTFで測定できる。常法によ るコバルトスパッタリングターゲット（a）及び本発明によるコバルトスパッタ リングターゲット（b）についてのPTF測定結果を図4に示す。 表2に示した結果から、常法による試料の平面における透磁率が本発明による 試料の透磁率より数倍大きいことが確認された。透磁率の比（z−方向／x−方向
）は、本発明の冷間処理によって顕著に増加する。
【００１０】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、hcp及びfccコバルトにおける磁化方向を示す図である。
【図２】 図２は、<0001>hcpプリズム軸の0〜10°の傾斜を示す(0002)極点図の図式であ
る。
【図３】 図３は、<0001>hcpプリズム軸の20〜40°の傾斜を示す(0002)極点図の図式で ある。
【図４】 図4A及び4Bは、常法で処理したコバルト（図4A）及び本発明によって処理した
コバルト（図4B）について測定した通過磁束を示したものであり、両者の試料と
も同じ磁石の強さ及び配置で測定したものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８３ Ｃ２２Ｆ 1/00 ６８３ ６９４ ６９４Ａ ６９４Ｂ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ， ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，Ｌ Ｖ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ， ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｓ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 クーパー マシュー エス アメリカ合衆国 ペンシルヴァニア州 16051 ポーターズヴィル イースト ポ ーターズヴィル ロード 103 (72)発明者 ターナー スティーヴン ピー アメリカ合衆国 ペンシルヴァニア州 15108 ムーン タウンシップ ターンウ ッド レーン 4026 (72)発明者 リウ インシー アメリカ合衆国 ペンシルヴァニア州 16046 マース ヘイゼンウッド ドライ ヴ 1324 (72)発明者 マッカシー マイケル アメリカ合衆国 ペンシルヴァニア州 16046 マース ハンティントン ドライ ヴ 667 (72)発明者 スキャグリン ロドニー エル アメリカ合衆国 ペンシルヴァニア州 16033 エヴァンス シティー プロスペ クト ロード 582

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 約500ppmより多くない酸素、約200ppmより多くないNi含量、
    それぞれ約50ppmより多くないFe、Al及びCr含量、約0.5ppmより多くないNa含量 、約0.5ppmより多くないK含量を含み、かつ約10より大きい透磁率の比を有する 、高純度コバルトのスパッタリングターゲット。
  2. 【請求項２】 約50ppmより多くない酸素、約200ppmより多くないNi含量、 それぞれ約20ppmより多くないFe及びAl含量、約1ppmより多くないCr含量、約0.5
    ppmより多くないNa含量、約0.05ppmより多くないK含量を含み、かつ約10より大 きい透磁率の比を有する、高純度コバルトのスパッタリングターゲット。
  3. 【請求項３】 コバルトのX−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)
    ／Ihcp(10 11)が0.5より小さい、請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲ
    ット。
  4. 【請求項４】 コバルトのX−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)
    ／Ihcp(10 11)が0である、請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
  5. 【請求項５】 以下の工程を含む、請求項１又は２に記載のスパッタリング
    ターゲット組成物を製造する方法； a)高純度コバルトのインゴットを製造する工程； b)該高純度コバルトを熱間成形処理する工程； c)熱間成形処理したコバルトを、hcp転移温度より低い温度で約5％より小さ
    くない厚さの減少を伴う冷間成形処理する工程。
  6. 【請求項６】 高純度コバルトの製造工程（a）を真空キャスチング法又はe
    −線溶融法によって行う、請求項５に記載のスパッタリングターゲットの製造方
    法。
  7. 【請求項７】 熱間成形処理を約750〜900℃の温度範囲で行い、かつ冷間成
    形処理を約300〜422℃の温度範囲で行う、請求項５に記載のスパッタリングター
    ゲットの製造方法。
  8. 【請求項８】 以下の工程を含む、請求項１又は２に記載のスパッタリング
    ターゲット組成物を製造する方法； a)高純度コバルトのインゴットを製造する工程； b)該コバルトインゴットを、hcp転移温度より低い温度で約5％より小さくな
    い厚さの減少を伴う冷間成形処理する工程。
  9. 【請求項９】 ターゲットを、hcp転移温度より低い温度で冷間処理工程の 間において直ちに焼き戻す、請求項５又は８に記載のスパッタリングターゲット
    を製造する方法。
  10. 【請求項１０】 X−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(1
    0 11)が約0.5より小さく、かつほとんどの六方晶系プリズム軸<0001>がターゲッ
    トの垂直方向から約0〜20°の間で傾斜している、請求項１又は２に記載のスパ ッタリングターゲット。
  11. 【請求項１１】 X−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(1
    0 11)が約0.5より小さく、かつほとんどの六方晶系プリズム軸<0001>がターゲッ
    トの垂直方向から約20〜45°の間で傾斜している、請求項１又は２に記載のスパ
    ッタリングターゲット。
  12. 【請求項１２】 X−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(1
    0 11)が0であり、かつほとんどの六方晶系プリズム軸<0001>がターゲットの垂直
    方向から約0〜20°の間で傾斜している、請求項１又は２に記載のスパッタリン グターゲット。
  13. 【請求項１３】 X−線回折ピークの強度の比、すなわちIfcc(200)／Ihcp(1
    0 11)が0であり、かつほとんどの六方晶系プリズム軸<0001>がターゲットの垂直
    方向から約20〜45°の間で傾斜している、請求項１又は２に記載のスパッタリン
    グターゲット。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005528525A (ja) * 2002-05-31 2005-09-22 プラックセアー エス．ティ．テクノロジー、 インコーポレイテッド 高純度強磁性スパッタターゲット
WO2014157187A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 Jx日鉱日石金属株式会社 コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2016052348A1 (ja) * 2014-09-29 2016-04-07 Ｊｘ金属株式会社 コバルトスパッタリングターゲット
WO2020021772A1 (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 株式会社アルバック スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521108B1 (en) * 1998-12-29 2003-02-18 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonded sputter target assembly and method of making same
IE20000425A1 (en) * 1999-08-19 2001-03-07 Praxair Technology Inc Low permeability non-planar ferromagnetic sputter targets
US6190516B1 (en) * 1999-10-06 2001-02-20 Praxair S.T. Technology, Inc. High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions
US6176944B1 (en) * 1999-11-01 2001-01-23 Praxair S.T. Technology, Inc. Method of making low magnetic permeability cobalt sputter targets
US6454911B1 (en) 2000-06-01 2002-09-24 Honeywell International Inc. Method and apparatus for determining the pass through flux of magnetic materials
KR20030023640A (ko) * 2000-06-30 2003-03-19 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 금속처리방법, 그 방법에 사용되는 장치 및 그로부터제조된 금속
KR20030019645A (ko) * 2000-08-03 2003-03-06 토소우 에스엠디, 인크 코발트 스퍼터링 타깃을 생성하기 위해 코발트 중의 산소및 산화물 함량을 감소시키는 방법
JP4691241B2 (ja) * 2000-09-29 2011-06-01 ソニー株式会社 高純度コバルトの製造方法および塩化コバルトの精製方法
US7041204B1 (en) * 2000-10-27 2006-05-09 Honeywell International Inc. Physical vapor deposition components and methods of formation
US6827759B2 (en) * 2001-08-03 2004-12-07 Tosoh Smd, Inc. Method for reducing the oxygen and oxide content in cobalt to produce cobalt sputtering targets
US20040129559A1 (en) * 2002-04-12 2004-07-08 Misner Josh W. Diffusion bonded assemblies and fabrication methods
US20030228238A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-11 Wenjun Zhang High-PTF sputtering targets and method of manufacturing
US20060078457A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Heraeus, Inc. Low oxygen content alloy compositions
US7235339B2 (en) * 2004-10-28 2007-06-26 Xerox Corporation Method of blending toners using a high intensity blending tool with shaped risers for decreased toner agglomeration
US20090028744A1 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Heraeus, Inc. Ultra-high purity NiPt alloys and sputtering targets comprising same
US10286703B2 (en) * 2015-09-30 2019-05-14 Casio Computer Co., Ltd. Method of forming a structure, structure forming apparatus, computer readable storage medium and processing medium for forming a structure

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3091022A (en) 1959-03-25 1963-05-28 Union Carbide Corp Cold-formable predominantly cobalt alloys
JPS6314864A (ja) * 1986-07-08 1988-01-22 Ulvac Corp Ｃｏ基合金スパツタタ−ゲツトおよびその製造法
JPH0787233B2 (ja) 1986-08-30 1995-09-20 京セラ株式会社 金の導電層を有する電子部品
DE3819906C1 (ja) * 1988-06-11 1989-08-03 Degussa Ag, 6000 Frankfurt, De
EP0535314A1 (en) * 1991-08-30 1993-04-07 Mitsubishi Materials Corporation Platinum-cobalt alloy sputtering target and method for manufacturing same
EP0565406A1 (en) * 1992-04-06 1993-10-13 Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. Method of making a metallic ring-shaped body
JP3065193B2 (ja) 1992-12-24 2000-07-12 株式会社ジャパンエナジー 高純度コバルトスパッタリングターゲット
JP3066886B2 (ja) 1992-12-24 2000-07-17 株式会社ジャパンエナジー 高純度コバルトスパッタリングターゲット
JPH073486A (ja) 1993-06-15 1995-01-06 Japan Energy Corp 高純度コバルト及びその製造方法
JPH08127890A (ja) 1994-09-08 1996-05-21 Japan Energy Corp 高純度コバルトの製造方法
JP3065242B2 (ja) 1996-02-23 2000-07-17 株式会社ジャパンエナジー 高純度コバルトの製造方法及び高純度コバルトスパッタリングターゲット
DE19609439A1 (de) * 1995-03-14 1996-09-19 Japan Energy Corp Verfahren zum Erzeugen von hochreinem Kobalt und Sputtering-Targets aus hochreinem Kobalt
JPH08253888A (ja) 1995-03-14 1996-10-01 Japan Energy Corp 高純度コバルトの製造方法
CN1074689C (zh) 1996-04-04 2001-11-14 E·O·帕通电子焊接研究院电子束工艺国际中心 基体上制备有跨厚度化学组成和结构梯度并陶瓷外层方法
JPH09272970A (ja) 1996-04-05 1997-10-21 Japan Energy Corp 高純度コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法
US6176944B1 (en) * 1999-11-01 2001-01-23 Praxair S.T. Technology, Inc. Method of making low magnetic permeability cobalt sputter targets

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005528525A (ja) * 2002-05-31 2005-09-22 プラックセアー エス．ティ．テクノロジー、 インコーポレイテッド 高純度強磁性スパッタターゲット
WO2014157187A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 Jx日鉱日石金属株式会社 コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法
KR20150130552A (ko) 2013-03-27 2015-11-23 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 코발트 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
JPWO2014157187A1 (ja) * 2013-03-27 2017-02-16 Ｊｘ金属株式会社 コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2016052348A1 (ja) * 2014-09-29 2016-04-07 Ｊｘ金属株式会社 コバルトスパッタリングターゲット
JP6037420B2 (ja) * 2014-09-29 2016-12-07 Ｊｘ金属株式会社 コバルトスパッタリングターゲット
JPWO2016052348A1 (ja) * 2014-09-29 2017-04-27 Ｊｘ金属株式会社 コバルトスパッタリングターゲット
KR20180101627A (ko) 2014-09-29 2018-09-12 제이엑스금속주식회사 코발트 스퍼터링 타깃
KR20190065462A (ko) 2014-09-29 2019-06-11 제이엑스금속주식회사 코발트 스퍼터링 타깃
WO2020021772A1 (ja) * 2018-07-27 2020-01-30 株式会社アルバック スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
US11421315B2 (en) 2018-07-27 2022-08-23 Ulvac, Inc. Sputtering target and method of producing sputtering target

Also Published As

Publication number Publication date
KR100552500B1 (ko) 2006-02-14
ATE260997T1 (de) 2004-03-15
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