JPWO2016052348A1 - コバルトスパッタリングターゲット - Google Patents
コバルトスパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016052348A1 JPWO2016052348A1 JP2016503871A JP2016503871A JPWO2016052348A1 JP WO2016052348 A1 JPWO2016052348 A1 JP WO2016052348A1 JP 2016503871 A JP2016503871 A JP 2016503871A JP 2016503871 A JP2016503871 A JP 2016503871A JP WO2016052348 A1 JPWO2016052348 A1 JP WO2016052348A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- cobalt
- sputtering
- sputtering target
- ptf
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
1)純度が99.99%〜99.999%であり、Si含有量が1wtppm以下であることを特徴とするCoスパッタリングターゲット。
2)ターゲットの厚みが4mm〜15mmであり、ターゲットの厚みをT(mm)、PTF値(%)をPとしたとき、ターゲットの厚みとPTF値とが、(P−80)/T≧−2.5の関係式を満たすことを特徴とする上記1)記載のCoスパッタリングターゲット。
次に、測定治具に磁石とホールプローブを取り付けて固定し、ホールプローブにガウスメーターを接続する。測定物(ターゲット)と同厚みのプラスチック製参照板をテーブルに設置し、ホールプローブを取り付けた支持台を疑似ターゲットの面上で移動し、永久磁石の磁束密度が最大となる位置を探索し、この位置で測定された磁場をReferennce fieldとする。
純度99.99%以上のコバルトを溶解、鋳造してインゴットとした後、これを1000℃以上1200℃以下(好ましくは1100℃以上1200℃以下)の範囲の温度域で、かつ、炉内の温度分布を±10℃以内に一定に保持した炉内で加熱した後、熱間鍛造する。その後、これを1000℃以上1200℃以下(好ましくは1100℃以上1200℃以下)の範囲の温度域で、かつ、炉内の温度分布を±10℃以内に一定に保持した炉内で加熱した後、50%以上の圧下率で熱間圧延する。さらに、これを250℃以上450℃以下(好ましくは350℃以上450℃以下)の温度域で、かつ、炉内の温度分布を±10℃以内に一定に保持した炉内で加熱した後、30%以上の圧下率で温間圧延し、その後、これを200℃以上400℃以下の温度域で、かつ、炉内の温度分布を±10℃以内に一定に保持した炉内で、10時間以上20時間以下で加熱保持する。そして、これを切削、研磨等の機械加工を施して、スパッタリングターゲット形状に加工する。以上により、所望の配向からなるCoスパッタリングターゲットが得られる。
電子ビーム溶解により得られた、純度99.998%(Si含有量:0.9wtppm)コバルトインゴットを1000℃で熱間鍛造した後、これを1000℃、圧下率65%で熱間圧延した。次に、これを250℃、圧下率45%で温間圧延した後、さらに、250℃、10時間で加熱保持した。このようにして得られた厚さ4mmのコバルト板材を機械加工して、コバルトスパッタリングターゲットを作製した。
電子ビーム溶解により得られた、純度99.998%(Si含有量:0.4wtppm)コバルトインゴットを1100℃で熱間鍛造した後、これを1100℃、圧下率60%で熱間圧延した。次に、これを350℃、圧下率40%で温間圧延した後、さらに、300℃、15時間で加熱保持した。このようにして得られた厚さ9mmのコバルト板材を機械加工して、コバルトスパッタリングターゲットを作製した。
電子ビーム溶解により得られた、純度99.998%(Si含有量:0.08wtppm)コバルトインゴットを1200℃で熱間鍛造した後、これを1200℃、圧下率50%で熱間圧延した。次に、これを450℃、圧下率30%で温間圧延した後、さらに、400℃、20時間で加熱保持した。このようにして得られた厚さ12.7mmのコバルト板材を機械加工して、コバルトスパッタリングターゲットを作製した。
電子ビーム溶解により得られた、純度99.998%(Si含有量:0.1wtppm)コバルトインゴットを1250℃で熱間鍛造した後、これを1100℃、圧下率80%で熱間圧延した。次に、これを500℃、2時間で熱処理した。このようにして得られた厚さ4mmのコバルト板材を機械加工して、コバルトスパッタリングターゲットを作製した。
電子ビーム溶解により得られた、純度99.998%(Si含有量:3.2wtppm)コバルトインゴットを1100℃で熱間鍛造した後、これを1000℃、圧下率60%で熱間圧延した。次に、これを500℃、圧下率40%で温間圧延した後、さらに、400℃、15時間で加熱保持した。このようにして得られた厚さ4mmのコバルト板材を機械加工して、コバルトスパッタリングターゲットを作製した。
電子ビーム溶解により得られた、純度99.998%(Si含有量:1.2wtppm)コバルトインゴットを1250℃で熱間鍛造した後、これを1250℃、圧下率60%で熱間圧延した。次に、これを500℃、圧下率40%で温間圧延した後、さらに、300℃、15時間で加熱保持した。このようにして得られた厚さ9mmのコバルト板材を機械加工して、コバルトスパッタリングターゲットを作製した。
Claims (2)
- 純度が99.99%〜99.999%であり、Si含有量が1wtppm以下であることを特徴とするCoスパッタリングターゲット。
- ターゲットの厚みが4mm〜15mmであり、ターゲットの厚みをT(mm)、PTF値(%)をPとしたとき、ターゲットの厚みとPTF値が(P−80)/T≧−2.5の関係式を満たすことを特徴とする請求項1記載のCoスパッタリングターゲット。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014199088 | 2014-09-29 | ||
JP2014199088 | 2014-09-29 | ||
PCT/JP2015/077150 WO2016052348A1 (ja) | 2014-09-29 | 2015-09-25 | コバルトスパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6037420B2 JP6037420B2 (ja) | 2016-12-07 |
JPWO2016052348A1 true JPWO2016052348A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=55630385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016503871A Active JP6037420B2 (ja) | 2014-09-29 | 2015-09-25 | コバルトスパッタリングターゲット |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11830711B2 (ja) |
JP (1) | JP6037420B2 (ja) |
KR (3) | KR20170042674A (ja) |
TW (1) | TWI680197B (ja) |
WO (1) | WO2016052348A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09272970A (ja) * | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Japan Energy Corp | 高純度コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2001200356A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-07-24 | Praxair St Technol Inc | 低透磁率コバルトスパッターターゲットの製造方法 |
JP2001514325A (ja) * | 1997-08-26 | 2001-09-11 | ザ アルタ グループ インコーポレイテッド | 高純度コバルトスパッターターゲット及びその製造方法 |
JP2003073817A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその配置方法 |
JP2003306751A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Daido Steel Co Ltd | Co系スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2005528525A (ja) * | 2002-05-31 | 2005-09-22 | プラックセアー エス.ティ.テクノロジー、 インコーポレイテッド | 高純度強磁性スパッタターゲット |
JP2007297679A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Ulvac Material Kk | スパッタリング用コバルトターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6123783A (en) * | 1997-02-06 | 2000-09-26 | Heraeus, Inc. | Magnetic data-storage targets and methods for preparation |
EP1305455A2 (en) | 2000-06-30 | 2003-05-02 | Honeywell International, Inc. | Method and apparatus for processing metals, and the metals so produced |
-
2015
- 2015-09-25 US US15/514,634 patent/US11830711B2/en active Active
- 2015-09-25 KR KR1020177006719A patent/KR20170042674A/ko active Search and Examination
- 2015-09-25 JP JP2016503871A patent/JP6037420B2/ja active Active
- 2015-09-25 WO PCT/JP2015/077150 patent/WO2016052348A1/ja active Application Filing
- 2015-09-25 KR KR1020187025452A patent/KR20180101627A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-09-25 KR KR1020197015627A patent/KR20190065462A/ko not_active IP Right Cessation
- 2015-09-30 TW TW104132067A patent/TWI680197B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09272970A (ja) * | 1996-04-05 | 1997-10-21 | Japan Energy Corp | 高純度コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP2001514325A (ja) * | 1997-08-26 | 2001-09-11 | ザ アルタ グループ インコーポレイテッド | 高純度コバルトスパッターターゲット及びその製造方法 |
JP2001200356A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-07-24 | Praxair St Technol Inc | 低透磁率コバルトスパッターターゲットの製造方法 |
JP2003073817A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-12 | Mitsubishi Materials Corp | スパッタリングターゲット及びその配置方法 |
JP2003306751A (ja) * | 2002-04-16 | 2003-10-31 | Daido Steel Co Ltd | Co系スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2005528525A (ja) * | 2002-05-31 | 2005-09-22 | プラックセアー エス.ティ.テクノロジー、 インコーポレイテッド | 高純度強磁性スパッタターゲット |
JP2007297679A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Ulvac Material Kk | スパッタリング用コバルトターゲット及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI680197B (zh) | 2019-12-21 |
KR20180101627A (ko) | 2018-09-12 |
JP6037420B2 (ja) | 2016-12-07 |
TW201615874A (zh) | 2016-05-01 |
US20170236696A1 (en) | 2017-08-17 |
WO2016052348A1 (ja) | 2016-04-07 |
KR20190065462A (ko) | 2019-06-11 |
US11830711B2 (en) | 2023-11-28 |
KR20170042674A (ko) | 2017-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI698534B (zh) | 含有高Al之制振性肥粒鐵系不銹鋼材及製造方法 | |
KR100499173B1 (ko) | 낮은 투자율을 갖는 코발트 스퍼터 타깃을 제조하는 방법 | |
JP2007530789A (ja) | テクスチャ化結晶粒粉末冶金タンタルスパッタリングターゲット | |
JP2022516380A (ja) | 希土類拡散磁石の製造方法と希土類拡散磁石 | |
KR102112912B1 (ko) | 스퍼터링 타깃/배킹 플레이트 조립체 | |
SG192794A1 (en) | Co-Cr-Pt-B ALLOY SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME | |
JP2007297679A (ja) | スパッタリング用コバルトターゲット及びその製造方法 | |
US6652668B1 (en) | High-purity ferromagnetic sputter targets and method of manufacture | |
JP6084683B2 (ja) | コバルトスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP5648335B2 (ja) | 部分的に結晶方位が制御されたFe系金属板 | |
KR20140091701A (ko) | 고순도 구리 크롬 합금 스퍼터링 타겟 | |
JP6043413B1 (ja) | アルミニウムスパッタリングターゲット | |
US6780295B2 (en) | Method for making Ni-Si magnetron sputtering targets and targets made thereby | |
JP6037420B2 (ja) | コバルトスパッタリングターゲット | |
CN100523238C (zh) | 具有再结晶立方织构的镍基半制成品和它的制造方法与应用 | |
JP6340621B2 (ja) | Niスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP5724727B2 (ja) | 高い{200}面集積度を有するFe系金属板の製造方法 | |
KR20200029634A (ko) | Al 합금 스퍼터링 타겟 | |
JP2021075749A (ja) | スパッタリングターゲット | |
Li et al. | Formation of thin films via cold-rolled/annealed nickel sputtering targets | |
JP6221406B2 (ja) | Fe系金属板及びその製造方法 | |
JP6250450B2 (ja) | スパッタリングターゲット/バッキングプレート組立体 | |
JP2021075748A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2016129080A (ja) | Ni−Cu系磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体 | |
KR20150026843A (ko) | 구리 합금 스퍼터링 타깃 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161011 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161026 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6037420 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |