JP2001510823A - N−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミド類の製造方法および新規な中間体生成物 - Google Patents

N−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミド類の製造方法および新規な中間体生成物

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JP2001510823A JP2000504099A JP2000504099A JP2001510823A JP 2001510823 A JP2001510823 A JP 2001510823A JP 2000504099 A JP2000504099 A JP 2000504099A JP 2000504099 A JP2000504099 A JP 2000504099A JP 2001510823 A JP2001510823 A JP 2001510823A
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Abstract

(57)【要約】 本発明はN−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミド類の製造方法に関する。第一段階で、2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニトリルとスルホン酸ハロゲナイドを酸受容体および希釈剤の存在下0℃から150℃の範囲の温度で反応させる。第二段階で、N−(2−シアノ−4,5−ジフルオロ−フェニル)スルホンアミドおよび/またはN−(2−シアノ−4,5−ジフルオロ−フェニル)スルホンイミドを純粋な状態または混合状態のいずれかでアンモニアと希釈剤の存在下100℃から200℃の範囲の温度で反応させる。本発明はまた本方法の新規な中間体生成物にも関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、除草剤を製造する時の中間体として知られるN−(5−アミノ−2
−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミド類を製造する新規な方法
、この方法で中間体として用いる新規なN−(2−シアノ−4,5−ジフルオロ
−フェニル)−スルホンアミド類およびN−(2−シアノ−4,5−ジフルオロ
−フェニル)−スルホンイミド類、そしてそれらの製造方法に関する。
【0002】 特定のN−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−アルカン
スルホンアミド類、例えばN−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェ
ニル)−メタンスルホンアミドなどは相当するハロゲン置換ベンゼン誘導体、例
えば1−アミノ−4−シアノ−2,5−ジフルオロ−ベンゼンなどをアルカンス
ルホンアミド類、例えばメタンスルホンアミドなどと一緒に酸結合剤、例えば炭
酸カリウムなどの存在下および希釈剤、例えばN−メチル−ピロリドンなどの存
在下で加熱すると得られることは公知である(ヨーロッパ特許出願公開第648
772号参照)。しかしながら、そのような方法で所望の生成物を満足される収
率で得るのは不可能である。従って、N−(5−アミノ−2−シアノ−4−フル
オロ−フェニル)−スルホンアミド類の更に好ましい製造方法が求められている
【0003】 今回、一般式(I)
【0004】
【化6】
【0005】 [式中、 Rは、各場合とも場合により置換されていてもよいアルキル、アルケニル、アル
キニル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、アリール、アリールアルキ
ル、ヘテロシクリルまたはヘテロシクリルアルキルを表す] で表されるN−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホ
ンアミド類が、第一段階で式(II)
【0006】
【化7】
【0007】 で表される2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニトリルと一般式(III
) X−SO2−R (III) [式中、 Rは、この上で定義した通りであり、そして Xは、ハロゲンを表す] で表されるハロゲン化スルホニルを酸受容体の存在下および希釈剤の存在下0℃
から150℃の範囲の温度で反応させ、そして第二段階でその結果として生じた
一般式(IV)で表されるN−(2−シアノ−4,5−ジフルオロ−フェニル)
スルホンアミド中間体および/または一般式(V)で表されるN−(2−シアノ
−4,5−ジフルオロ−フェニル)−スルホンイミド中間体
【0008】
【化8】
【0009】 [ここで、 Rは、この上で定義した通りである] (純粋な物質としてか或は混合物として)とアンモニアを希釈剤の存在下100
℃から200℃の範囲の温度で反応させると、高い収率および非常に良好な品質
で得られることを見い出した。
【0010】 驚くべきことに、本発明に従う方法を用いると、上記一般式(I)で表される
N−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミド類
を比較的簡単な様式で高い収率および非常に良好な品質で得ることができそして
中間体が混合物であっても高純度の最終生成物を生じさせることができる。上記
式(IV)および(V)で表される中間体を本質的に定量的な収率で混合物とし
て得ることができる。
【0011】 本発明に従う方法の主な利点は、比較的高価な2,4,5−トリフルオロ−ベ
ンゾニトリルを用いなくてもよいことと、厄介なフッ素置換基とスルホニルアミ
ノ基の交換を行う必要がないことにある。
【0012】 出発材料として用いるべき式(II)で表される化合物である2−アミノ−4
,5−ジフルオロ−ベンゾニトリルは今までのところ文献に開示されておらず、
またこれも新規な物質として本発明の主題事項の一部を構成する。
【0013】 この式(II)で表される新規な化合物は、式(VI)
【0014】
【化9】
【0015】 で表される4,5−ジフルオロ−2−ニトロ−ベンゾニトリルと、芳香族ニトロ
化合物を相当するアミノ化合物に変化させる場合に通常用いられる還元剤、例え
ば(a)水素を、触媒、例えば白金またはパラジウム[この最後に述べた2つの
化合物では、適宜、「それの触媒作用を弱め(poisoned)」、それを担
体、例えば活性炭または硫酸バリウムなどに支持させてもよい]などの存在下お
よび希釈剤、例えばテトラヒドロフランまたはジオキサンなどの存在下でか、或
は(b)金属または金属塩、例えば錫、塩化錫(II)、鉄(粉末)などを、酸
、例えば塩酸または酢酸などの存在下および適宜追加的に希釈剤、例えばメタノ
ールまたはエタノールなどの存在下で、0℃から150℃の範囲、好適には10
℃から100℃の範囲の温度で反応させると得られる(製造実施例参照)。
【0016】 上記式(IV)および(V)で表される中間体は今までのところ文献から公知
でなく、またそれらも新規な物質として本発明の主題事項の一部を構成する。
【0017】 前駆体として必要な式(VI)で表される4,5−ジフルオロ−2−ニトロ−
ベンゾニトリルは既に公知である(Chem.Abstracts 123:1
11678に示されている日本特許07070041を参照)。この示されてい
る特許文献に従い、4,5−ジフルオロ−2−ニトロ−ベンゾニトリルは2−ブ
ロモ−4,5−ジフルオロ−ニトロベンゼンとシアン化銅(I)をN,N−ジメ
チル−ホルムアミド中で反応させると生じ得る。
【0018】 しかしながら、上記式(VI)で表される化合物は、また、3,4−ジフルオ
ロ−ベンゾニトリルと硝酸を適宜硫酸の存在下−10℃から+30℃の範囲の温
度で反応させることでも得られる(製造実施例参照)。
【0019】 このニトロ化は驚くべきことに非常に均一な様式[部位選択的(regios
electively)に]で進行しそして起こるシアノ基の加水分解(これは
ニトロ化条件下で起こると予測される)の度合は非常に僅かのみである。
【0020】 一般式(I)で表されるN−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェ
ニル)−スルホンアミド類を製造する本発明に従う方法で出発材料として更に用
いるべきハロゲン化スルホニルの一般的定義を式(III)で与える。
【0021】 式(I)、(III)、(IV)および(V)における好適な意味は下記の通
りである: Rは、各場合とも場合によりハロゲンで置換されていてもよくて各場合とも炭素
原子を6個以下の数で有するアルキル、アルケニルもしくはアルキニルを表すか
、各場合とも場合によりハロゲンでか或はC1−C4−アルキルで置換されていて
もよくて各場合ともシクロアルキル基中に炭素原子を3から6個有しかつ適宜ア
ルキル部分中に炭素原子を1から4個有するシクロアルキルもしくはシクロアル
キルアルキルを表すか、各場合とも場合によりニトロでか、シアノでか、ハロゲ
ンでか、C1−C4−アルキルでか、C1−C4−ハロゲノアルキルでか、C1−C4 −アルコキシでか、C1−C4−ハロゲノアルコキシでか或はC1−C4−アルコキ
シ−カルボニルで置換されていてもよくてアリール基中に炭素原子を6または1
0個有しかつ適宜アルキル部分中に炭素原子を1から4個有するアリールもしく
はアリールアルキルを表すか、或は各場合とも場合によりシアノでか、ハロゲン
でか、C1−C4−アルキルでか、C1−C4−ハロゲノアルキルでか、C1−C4
アルコキシでか或はC1−C4−ハロゲノアルコキシで置換されていてもよくて各
場合ともヘテロシクリル基中に炭素原子を3から5個および窒素原子を1または
2個および/または酸素または硫黄原子を1個有しかつ適宜アルキル部分中に炭
素原子を1から4個有するヘテロシクリルもしくはヘテロシクリルアルキルを表
し、そして Xは、フッ素、塩素または臭素を表す。
【0022】 上記式における特に好適な意味は下記の通りである: Rは、各場合とも場合によりフッ素でか或は塩素で置換されていてもよいメチル
、エチル、n−もしくはi−プロピル、n−、i−、s−もしくはt−ブチル、
エテニル、プロペニル、ブテニル、エチニル、プロピニルもしくはブチニルを表
すか、各場合とも場合によりフッ素でか、塩素でか、メチルでか或はエチルで置
換されていてもよいシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘ
キシル、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチル、シクロペンチルメチルも
しくはシクロヘキシルメチルを表すか、各場合とも場合によりニトロでか、シア
ノでか、フッ素でか、塩素でか、臭素でか、メチルでか、エチルでか、n−もし
くはi−プロピルでか、n−、i−、s−もしくはt−ブチルでか、トリフルオ
ロメチルでか、メトキシでか、エトキシでか、n−もしくはi−プロポキシでか
、n−、i−、s−もしくはt−ブトキシでか、ジフルオロメトキシでか、トリ
フルオロメトキシでか、メトキシカルボニルでか、エトキシカルボニルでか或は
n−もしくはi−プロポキシカルボニルで置換されていてもよいフェニルもしく
はベンジルを表すか、或は各場合とも場合によりシアノでか、フッ素でか、塩素
でか、臭素でか、メチルでか、エチルでか、n−もしくはi−プロピルでか、n
−、i−、s−もしくはt−ブチルでか、トリフルオロメチルでか、メトキシで
か、エトキシでか、n−もしくはi−プロポキシでか、n−、i−、s−もしく
はt−ブトキシでか、ジフルオロメトキシでか或はトリフルオロメトキシで置換
されていてもよいフリル、チエニル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、ピラゾ
リル、ピリジニルおよびピリミジニルから成る群のヘテロシクリルを表し、そし
て Xは、塩素を表す。
【0023】 上記式(III)で表される出発材料は合成化学で公知である。
【0024】 上記一般式(I)で表されるN−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−
フェニル)−スルホンアミド類を製造する本発明に従う方法の第一段階を酸受容
体を用いて実施する。適切な酸受容体は一般に通常の無機もしくは有機塩基また
は酸受容体である。それらには好適にはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
の酢酸塩、アミド類、炭酸塩、重炭酸塩、水素化物、水酸化物またはアルコキサ
イド類、例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウムまたは酢酸カルシウム、リチウム
アミド、ナトリウムアミド、カリウムアミドまたはカルシウムアミド、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウムまたは炭酸カルシウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウ
ムまたは重炭酸カルシウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウ
ムまたは水素化カルシウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ムまたは水酸化カルシウム、ナトリウムのメトキサイド、エトキサイド、n−も
しくはi−プロポキサイド、n−、i−、s−もしくはt−ブトキサイド、また
はカリウムのメトキサイド、エトキサイド、n−もしくはi−プロポキサイド、
n−、i−、s−もしくはt−ブトキサイドなど、更にまた、塩基性有機窒素化
合物、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリ
ブチルアミン、エチル−ジイソプロピルアミン、N,N−ジメチル−シクロヘキ
シルアミン、ジシクロヘキシルアミン、エチル−ジシクロヘキシルアミン、N,
N−ジメチル−アニリン、N,N−ジメチル−ベンジルアミン、ピリジン、2−
メチル−、3−メチル−、4−メチル−、2,4−ジメチル−、2,6−ジメチ
ル−、3,4−ジメチル−および3,5−ジメチル−ピリジン、5−エチル−2
−メチル−ピリジン、4−ジメチルアミノ−ピリジン、N−メチル−ピペリジン
、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]−オクタン(DABCO)、1,5−
ジアザビシクロ[4.3.0]−ノネ−5−エン(DBN)または1,8−ジア
ザビシクロ[5.4.0]−ウンデセ−7−エン(DBU)などが含まれる。
【0025】 好適な酸受容体は塩基性の有機窒素化合物である。
【0026】 本発明に従う方法の第一段階を実施する時に用いるに適切な希釈剤は特に不活
性な有機溶媒である。それらには特に場合によりハロゲン置換されていてもよい
脂肪族、脂環式もしくは芳香族炭化水素、例えばベンジン、ベンゼン、トルエン
、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、石油エーテル、ヘキサン、シ
クロヘキサン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素など、エーテル類、
例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、またはエチレングリコールのジメチルエーテルもしくはエチレングリコ
ールのジエチルエーテルなど、ケトン類、例えばアセトン、ブタノンまたはメチ
ルイソブチルケトンなど、ニトリル類、例えばアセトニトリル、プロピオニトリ
ルまたはブチロニトリルなど、アミド類、例えばN,N−ジメチルホルムアミド
、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−ホルムアニリド、N−メチル−
ピロリドンまたはヘキサメチル燐酸トリアミドなど、エステル類、例えば酢酸メ
チルまたは酢酸エチルなど、スルホキサイド類、例えばジメチルスルホキサイド
などが含まれる。
【0027】 好適な希釈剤は非プロトン性の極性有機溶媒、特にアセトンまたはアセトニト
リルであるか、或はさもなければ、塩基性の有機窒素化合物、例えばピリジンま
たは5−エチル−2−メチル−ピリジンなどである。
【0028】 本発明に従う方法の第一段階を実施する時の反応温度は比較的幅広い範囲内で
多様であり得る。一般的には、この第一段階を0℃から150℃の範囲、好適に
は10℃から120℃の範囲の温度で実施する。
【0029】 本発明に従う方法の第一段階を一般的には大気圧下で実施する。しかしながら
、また、本発明に従う方法を加圧または減圧下、即ち一般に0.1バールから1
0バールの圧力下で実施することも可能である。
【0030】 本発明に従う方法の第一段階を実施する時、式(II)で表される2−アミノ
−4,5−ジフルオロベンゾニトリル1モル当たり、一般式(III)で表され
るハロゲン化スルホニルを一般に1モルから10モル、好適には2モルから5モ
ルの範囲で用いかつ酸受容体を1モルから10モル、好適には2モルから5モル
の範囲で用いる。
【0031】 本発明に従う方法の第一段階の好適な態様では、最初に、式(II)で表され
る2−アミノ−4,5−ジフルオロベンゾニトリルを酸受容体および希釈剤と一
緒に仕込んだ後、この混合物を撹拌および適宜冷却しながらこれに一般式(II
I)で表されるハロゲン化スルホニルを計量してゆっくりと加える。次に、この
完成した反応混合物を適宜高温で反応が終了するまで撹拌する。
【0032】 式(IV)および(V)で表される中間体の混合物の処理は通常様式で実施可
能である。この混合物を例えば水または希酸水溶液と一緒に撹拌し、有機相を分
離し、水相を適宜有機溶媒(これは本質的に水に混和する溶媒、例えば酢酸エチ
ルなどである)で再抽出し、そしてその有機相を一緒にして乾燥させた後、濾過
する。この中間体混合物を単離する場合には、上記濾液から溶媒を減圧下で注意
深く留出させる。
【0033】 その結果として得た式(IV)および(V)で表される中間体混合物は有利に
さらなる精製を全く行うことなく本発明に従う方法の第二段階に従う反応で用い
ることができる。
【0034】 本発明に従う方法の第二段階を好適には希釈剤を用いて実施する。適切な希釈
剤は特に不活性な有機溶媒である。それらには特に場合によりハロゲン置換され
ていてもよい脂肪族、脂環式もしくは芳香族炭化水素、例えばベンジン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、石油エーテル、
ヘキサン、シクロヘキサン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素など、
エーテル類、例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、t−ブチルメ
チルエーテル、t−ペンチルメチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン
、またはエチレングリコールのジメチルエーテルもしくはエチレングリコールの
ジエチルエーテルなど、ケトン類、例えばアセトン、ブタノンまたはメチルイソ
ブチルケトンなど、ニトリル類、例えばアセトニトリル、プロピオニトリルまた
はブチロニトリルなど、アミド類、例えばN,N−ジメチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−ホルムアニリド、N−メチル−ピロリ
ドンまたはヘキサメチル燐酸トリアミドなど、エステル類、例えば酢酸メチルま
たは酢酸エチルなど、スルホキサイド類、例えばジメチルスルホキサイドなどが
含まれる。
【0035】 非プロトン性の極性有機溶媒、特にジイソプロピルエーテル、t−ブチルメチ
ルエーテル、t−ペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
エチレングリコールのジメチルエーテルまたはエチレングリコールのジエチルエ
ーテルを希釈剤として用いるのが好適である。
【0036】 本発明に従う方法の第二段階を実施する時の反応温度は比較的幅広い範囲内で
多様であり得る。一般的には、この第二段階を50℃から200℃の範囲、好適
には100℃から180℃の範囲の温度で実施する。
【0037】 本発明に従う方法の第二段階を一般的には加圧下の密封された反応槽(特にオ
ートクレーブ内)で実施し、この圧力は設定温度および使用する溶媒に依存する
【0038】 本発明に従う方法の第二段階を実施する時、アンモニアを式(IV)および(
V)で表される中間体の総量1モル当たり一般に1モルから100モル、好適に
は5から50モルの範囲で用いる。
【0039】 本発明に従う方法の第二段階の好適な態様では、式(IV)および/または(
V)で表される反応成分を室温(約20℃)でアンモニアおよび希釈剤と一緒に
混合して密封反応槽内で反応が終了するまで加熱する。
【0040】 上記式(I)で表される生成物の処理および単離は通常方法で実施可能である
。例えば、反応混合物を冷却した後に濾過を行い、そしてその濾液から溶媒を減
圧下で注意深く留出させる。このような様式で生成物を一般に良好な品質の残渣
として得ることができる。
【0041】 本発明に従う方法で調製可能な式(I)で表される化合物は除草活性を示す化
合物を製造する時の中間体として使用可能である(ヨーロッパ特許出願公開第6
48749号、ヨーロッパ特許出願公開第648772号、WO−A−95/2
9158を参照)。
【0042】 また、式(IV)および(V)で表される中間体も除草剤を製造する時の前駆
体として使用可能である(ヨーロッパ特許出願公開第609734号を参照)。
【0043】
【実施例】製造実施例実施例1
【0044】
【化10】
【0045】段階1
【0046】
【化11】
【0047】 2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニトリルが3.7g(24ミリモル
)で1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−ウンデセ−7−エン(DBU)が
5.0g(33ミリモル)でピリジンが50mlの混合物を撹拌しながらこれに
メタンスルホニルクロライドを15g(130ミリモル)滴下した後、この反応
混合物を50℃に約1時間加熱する。次に、この混合物の濃縮を水流ポンプ真空
下で行い、その残渣を100mlの20%濃度塩酸および10mlの酢酸エチル
と一緒に撹拌した後、結晶性生成物を吸引による濾過で単離する。
【0048】 それによって、融点が144℃の4,5−ジフルオロ−2−(ビス−メタンス
ルホニル−アミノ)−ベンゾニトリルを3.3g(理論値の44%)得る。段階2
【0049】
【化12】
【0050】 100mlのオートクレーブ内で2mlのアンモニアを凝縮させた後、4,5
−ジフルオロ−2−(ビス−メタンスルホニル−アミノ)−ベンゾニトリルを2
.0g(6.4ミリモル)およびテトラヒドロフランを40ml加える。次に、
このオートクレーブを密封して反応混合物を150℃に15時間加熱する。この
混合物を冷却した後、濾過し、そしてその濾液の濃縮を水流ポンプ真空下で行う
。2Nの塩酸そして水を用いた洗浄を行うことで融点が235℃のN−(5−ア
ミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−メタンスルホンアミドを0.5
0g(理論値の34%)得る。実施例2
【0051】
【化13】
【0052】段階1
【0053】
【化14】
【0054】 2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニトリルが1.54g(10ミリモ
ル)でトリエチルアミンが4.0g(40ミリモル)でアセトニトリルが50m
lの混合物を撹拌しながらこれにメタンスルホニルクロライドを4.6g(40
ミリモル)滴下した後、この完成した反応混合物を還流下に約1時間加熱する。
この混合物を冷却した後、100mlの氷水と一緒にして30分間撹拌し、相分
離を起こさせた後、その水相を50mlの酢酸エチルで再び抽出する。その有機
相を一緒にして飽和重炭酸アンモニウム水溶液に続いて水で洗浄し、硫酸ナトリ
ウムで乾燥させた後、濾過する。その濾液から溶媒を水流ポンプ真空下で注意深
く留出させる。
【0055】 それによって、GC/MSに従い4,5−ジフルオロ−2−(ビス−メチル−
スルホニルアミノ)−ベンゾニトリルが43%で4,5−ジフルオロ−2−メチ
ルスルホニルアミノ−ベンゾニトリルが57%の混合物を残渣として2.9g得
、これは全体として定量的収量に相当する。段階2
【0056】
【化15】
【0057】 100mlのオートクレーブ内で4.5mlのアンモニアを凝縮させた後、段
階2に従って得た生成物混合物(2.9g)およびテトラヒドロフランを50m
l加える。次に、このオートクレーブを密封して反応混合物を150℃に15時
間加熱する。この混合物を冷却した後、濾過し、そしてその濾液の濃縮を水流ポ
ンプ真空下で行う。2Nの塩酸そして水を用いた洗浄を行うことで融点が235
℃のN−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−メタンスルホ
ンアミドを1.0g(理論値の44%)得る。実施例3
【0058】
【化16】
【0059】段階1
【0060】
【化17】
【0061】 2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニトリルが1.54g(10ミリモ
ル)でトリエチルアミンが4.0g(40ミリモル)でアセトニトリルが50m
lの混合物を撹拌しながらこれにエタンスルホニルクロライドを5.1g(40
ミリモル)滴下した後、この完成した反応混合物を還流下に約2時間加熱する。
この混合物を冷却した後、100mlの氷水と一緒にして30分間撹拌し、相分
離を起こさせた後、その水相を50mlの酢酸エチルで再び抽出する。その有機
相を一緒にして硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過する。その濾液から溶媒を
水流ポンプ真空下で注意深く留出させる。
【0062】 それによって、GC/MSに従い4,5−ジフルオロ−2−(ビス−エチル−
スルホニルアミノ)−ベンゾニトリルが67%で4,5−ジフルオロ−2−エチ
ルスルホニルアミノ−ベンゾニトリルが33%の混合物を残渣として3.0g得
、これは全体として定量的収量に相当する。段階2
【0063】
【化18】
【0064】 100mlのオートクレーブ内で4mlのアンモニアを凝縮させた後、段階1
で得た生成物混合物を3.0gおよびテトラヒドロフランを50ml加える。こ
のオートクレーブを密封して反応混合物を150℃に15時間加熱し、冷却した
後、濾過する。その濾液の濃縮を水流ポンプ真空下で行い、2Nの塩酸そして水
を用いて洗浄した後、乾燥させる。
【0065】 それによって、融点が170℃の4−アミノ−5−フルオロ−2−エチルスル
ホニルアミノ−ベンゾニトリルを1.1g(純度が95.5%の生成物を理論値
の45%)得る。式(II)で表される出発材料 実施例(II−1)
【0066】
【化19】
【0067】 3.68g(20ミリモル)の4,5−ジフルオロ−2−ニトロ−ベンゾニト
リルを40mlのジオキサンに溶解させた後、炭素に支持されている白金(5%
)を300mg加える。次に、この懸濁液を水素下20℃から25℃で水素が1
.45リットル取り込まれるまで撹拌する。次に、この混合物をシリカゲルに通
して濾過した後、その濾液の濃縮を水流ポンプ真空下で行う。次に、その残渣を
カラムクロマトグラフィー(シリカゲル、ヘキサン/酢酸エチル)で処理する。
【0068】 それによって、融点が114℃の2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニ
トリルを2.19g(理論値の72%)得、そして別の画分から2−アミノ−4
,5−ジフルオロ−ベンズアミドを0.52g(理論値の15%)得る。実施例(II−2)
【0069】
【化20】
【0070】 11.0g(59ミリモル)の4,5−ジフルオロ−2−ニトロ−ベンゾニト
リルを175mlの酢酸(「氷酢酸」)に溶解させた後、20g(358ミリモ
ル)の鉄(粉末)を少しづつ加える。この添加中、水浴を用いた冷却で反応温度
を40℃から50℃に保持する。次に、この完成した反応混合物を50℃で更に
3時間撹拌する。この混合物を室温に冷却した後、200mlの氷水の中に注ぎ
込む。この混合物に各場合とも50mlの酢酸エチルを用いた抽出を2回受けさ
せ、その有機抽出溶液を一緒にし、飽和重炭酸ナトリウム溶液そして次に水で洗
浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濾過する。その濾液の濃縮を水流ポンプ
真空下で行った後、その残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、ヘキサ
ン/酢酸エチル)で処理する。
【0071】 それによって、融点が114℃の2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニ
トリルを7.7g(理論値の85%)得る。式(VI)で表される出発材料 実施例(VI−1)
【0072】
【化21】
【0073】 硫酸(97%濃度)が40mlで硝酸(98%濃度)が30mlの混合物を0
℃に冷却する。次に、13.9g(0.10モル)の3,4−ジフルオロ−ベン
ゾニトリルを反応温度が5℃未満にとどまるように少しづつ加える。この完成し
た反応混合物を5℃から10℃で5時間撹拌し、20℃に温めた後、更に2時間
撹拌する。次に、この混合物を400gの氷の上に注ぎ込み、結晶性生成物を吸
引による濾過で単離した後、20mlの塩化メチレンで取り上げる。その水相に
各場合とも30mlの塩化メチレンを用いた再抽出を2回受けさせる。この有機
相を一緒にして、飽和重炭酸ナトリウム溶液そして水で洗浄し、硫酸ナトリウム
で乾燥させた後、濾過する。その濾液から溶媒を水流ポンプ真空下で注意深く留
出させる。
【0074】 それによって、融点が75℃の4,5−ジフルオロ−2−ニトロ−ベンゾニト
リルを10.2g(理論値の55%)得る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07C 311/48 C07C 311/48 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM ,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM) ,AL,AM,AT,AU,AZ,BA,BB,BG, BR,BY,CA,CH,CN,CU,CZ,DE,D K,EE,ES,FI,GB,GE,GH,GM,HR ,HU,ID,IL,IS,JP,KE,KG,KP, KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU,L V,MD,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ ,PL,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI, SK,SL,TJ,TM,TR,TT,UA,UG,U S,UZ,VN,YU,ZW (72)発明者 エルドマン,デイビツド ドイツ連邦共和国デー−51061ケルン・ハ ーネンベーク3 (72)発明者 ランチユ,ラインハルト ドイツ連邦共和国デー−42115ブツペルタ ール・アムブツシユホイスヘン51 Fターム(参考) 4H006 AA01 AA02 AB04 AB84 AC52 AC61 BA02 BA28 BA32 BA51 BA92 BB12 BB15 BB16 BB20 BB21 BB22 BB25 BC10 BC31 BE01 BE14 BE21

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 [式中、 Rは、各場合とも場合により置換されていてもよいアルキル、アルケニル、アル
    キニル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、アリール、アリールアルキ
    ル、ヘテロシクリルまたはヘテロシクリルアルキルを表す] で表されるN−(5−アミノ−2−シアノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホ
    ンアミド類を製造する方法であって、下記の段階: A)式(II) 【化2】 で表される2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニトリルと一般式(III
    ) X−SO2−R (III) [式中、 Rは、この上で定義した通りであり、そして Xは、ハロゲンを表す] で表されるハロゲン化スルホニルを酸受容体の存在下および希釈剤の存在下0℃
    から150℃の範囲の温度で反応させ、そして B)段階A)で得た式(IV)で表されるN−(2−シアノ−4,5−ジフルオ
    ロ−フェニル)スルホンアミド類および/または一般式(V)で表されるN−(
    2−シアノ−4,5−ジフルオロ−フェニル)スルホンイミド類 【化3】 [ここで、 Rは、この上で定義した通りである] を純粋な物質としてか或は混合物としてアンモニアと希釈剤の存在下100℃か
    ら200℃の範囲の温度で反応させる、 ことを特徴とする方法。
  2. 【請求項2】 Rが、各場合とも場合によりハロゲンで置換されていてもよ
    くて各場合とも炭素原子を6個以下の数で有するアルキル、アルケニルもしくは
    アルキニルを表すか、各場合とも場合によりハロゲンでか或はC1−C4−アルキ
    ルで置換されていてもよくて各場合ともシクロアルキル基中に炭素原子を3から
    6個有しかつ適宜アルキル部分中に炭素原子を1から4個有するシクロアルキル
    もしくはシクロアルキルアルキルを表すか、各場合とも場合によりニトロでか、
    シアノでか、ハロゲンでか、C1−C4−アルキルでか、C1−C4−ハロゲノアル
    キルでか、C1−C4−アルコキシでか、C1−C4−ハロゲノアルコキシでか或は
    1−C4−アルコキシ−カルボニルで置換されていてもよくてアリール基中に炭
    素原子を6または10個有しかつ適宜アルキル部分中に炭素原子を1から4個有
    するアリールもしくはアリールアルキルを表すか、或は各場合とも場合によりシ
    アノでか、ハロゲンでか、C1−C4−アルキルでか、C1−C4−ハロゲノアルキ
    ルでか、C1−C4−アルコキシでか或はC1−C4−ハロゲノアルコキシで置換さ
    れていてもよくて各場合ともヘテロシクリル基中に炭素原子を3から5個および
    窒素原子を1または2個および/または酸素または硫黄原子を1個有しかつ適宜
    アルキル部分中に炭素原子を1から4個有するヘテロシクリルもしくはヘテロシ
    クリルアルキルを表し、そして Xが、フッ素、塩素または臭素を表す、 ことを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 Rが、各場合とも場合によりフッ素でか或は塩素で置換され
    ていてもよいメチル、エチル、n−もしくはi−プロピル、n−、i−、s−も
    しくはt−ブチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、エチニル、プロピニルも
    しくはブチニルを表すか、各場合とも場合によりフッ素でか、塩素でか、メチル
    でか或はエチルで置換されていてもよいシクロプロピル、シクロブチル、シクロ
    ペンチル、シクロヘキシル、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチル、シク
    ロペンチルメチルもしくはシクロヘキシルメチルを表すか、各場合とも場合によ
    りニトロでか、シアノでか、フッ素でか、塩素でか、臭素でか、メチルでか、エ
    チルでか、n−もしくはi−プロピルでか、n−、i−、s−もしくはt−ブチ
    ルでか、トリフルオロメチルでか、メトキシでか、エトキシでか、n−もしくは
    i−プロポキシでか、n−、i−、s−もしくはt−ブトキシでか、ジフルオロ
    メトキシでか、トリフルオロメトキシでか、メトキシカルボニルでか、エトキシ
    カルボニルでか或はn−もしくはi−プロポキシカルボニルで置換されていても
    よいフェニルもしくはベンジルを表すか、或は各場合とも場合によりシアノでか
    、フッ素でか、塩素でか、臭素でか、メチルでか、エチルでか、n−もしくはi
    −プロピルでか、n−、i−、s−もしくはt−ブチルでか、トリフルオロメチ
    ルでか、メトキシでか、エトキシでか、n−もしくはi−プロポキシでか、n−
    、i−、s−もしくはt−ブトキシでか、ジフルオロメトキシでか或はトリフル
    オロメトキシで置換されていてもよいフリル、チエニル、オキサゾリル、イソオ
    キサゾリル、ピラゾリル、ピリジニルおよびピリミジニルから成る群のヘテロシ
    クリルを表し、そして Xが、塩素を表す、 ことを特徴とする請求項2記載の方法。
  4. 【請求項4】 使用する酸受容体が塩基性の有機窒素化合物であることを特
    徴とする請求項1から3いずれか記載の方法。
  5. 【請求項5】 段階A)で使用する希釈剤がアセトンおよび/またはアセト
    ニトリルでありそして段階B)で使用する希釈剤がピリジンおよび/または5−
    エチル−2−メチル−ピリジンであることを特徴とする請求項1から4いずれか
    記載の方法。
  6. 【請求項6】 2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニトリル。
  7. 【請求項7】 2−アミノ−4,5−ジフルオロ−ベンゾニトリルを製造す
    る方法であって、4,5−ジフルオロ−2−ニトロ−ベンゾニトリルを、芳香族
    ニトロ化合物を相当するアミノ化合物に変化させる場合に通常用いられる反応原
    料と一緒に0℃から150℃の範囲の温度で反応させることを特徴とする方法。
  8. 【請求項8】 一般式(IV) 【化4】 [式中、 Rは、請求項1から3のいずれかで定義した通りである] で表されるN−(2−シアノ−4,5−ジフルオロ−フェニル)−スルホンアミ
    ド類。
  9. 【請求項9】 一般式(V) 【化5】 [式中、 Rは、請求項1から3のいずれかで定義した通りである] で表されるN−(2−シアノ−4,5−ジフルオロ−フェニル)−スルホンイミ
    ド類。
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