JP2002500213A - N−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)−スルホンアミド、n−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)カルボン酸アミド及びn−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)カルバメートの製造法 - Google Patents
N−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)−スルホンアミド、n−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)カルボン酸アミド及びn−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)カルバメートの製造法Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C231/00—Preparation of carboxylic acid amides
- C07C231/02—Preparation of carboxylic acid amides from carboxylic acids or from esters, anhydrides, or halides thereof by reaction with ammonia or amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07C269/00—Preparation of derivatives of carbamic acid, i.e. compounds containing any of the groups, the nitrogen atom not being part of nitro or nitroso groups
- C07C269/04—Preparation of derivatives of carbamic acid, i.e. compounds containing any of the groups, the nitrogen atom not being part of nitro or nitroso groups from amines with formation of carbamate groups
-
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- C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
- C07C303/36—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of amides of sulfonic acids
- C07C303/38—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of amides of sulfonic acids by reaction of ammonia or amines with sulfonic acids, or with esters, anhydrides, or halides thereof
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Abstract
(57)【要約】
本発明は、AがSO2、CO又はCO2を示し、Rが場合により置換されていることができるアルキル又はアリールを示す一般式(I)のN−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)−スルホンアミド、N−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)カルボン酸アミド及びN−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)カルバメートの製造法に関し、その方法によれば、式(II)の1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゾールがA及びRが上記の意味を有する式(III)の塩化スルホニル、カルボン酸クロリド又はクロロギ酸エステルと、酸受容体を用いて、希釈剤の存在下に、−20℃〜+100℃の範囲の温度において反応させられる。
【化1】
Description
【0001】 本発明は、除草的に活性な化合物の製造のための中間体として用いることがで
きるN−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミド、N−(3
−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−カルボキシアミド及びN−(3−アミノ
−4−フルオロ−フェニル)−カルバメートの製造のための新規な方法に関する
。
きるN−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミド、N−(3
−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−カルボキシアミド及びN−(3−アミノ
−4−フルオロ−フェニル)−カルバメートの製造のための新規な方法に関する
。
【0002】 対応するN−(3−ニトロ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミドを、
還元剤又は水素化剤、例えば酢酸のような酸の存在下における鉄又は例えば酸化
白金のような触媒の存在下における水素と反応させると、N−(3−アミノ−4
−フルオロ−フェニル)−スルホンアミドが得られることは知られている(EP
−A−496595を参照されたい)。しかしながら、1−フルオロ−2,4−
ジニトロ−ベンゼンの選択的還元及び続く塩化スルホニルとの反応による必要な
出発材料の製造は技術的問題を含んでいる。特に、1−フルオロ−2,4−ジニ
トロ−ベンゼンを選択的に1−フルオロ−4−アミノ−2−ニトロ−ベンゼンに
水素化する試みは、常に、可能な一水素化生成物及び二水素化生成物の混合物を
与える。この理由のため、1−フルオロ−4−アミノ−2−ニトロ−ベンゼン(
EP−A−127079;Recueil Trav.Chim.Pays−B
as 65(1946),329を参照されたい)(及びまた1−フルオロ−2
,4−ジアミノ−ベンゼンも(Bull.Soc.Chim.Fr.132(1
995),306−313を参照されたい))は、一般に、金属もしくは金属化
合物、例えば硫酸鉄(II)の存在下もしくは酢酸の存在下における鉄又は塩酸
の存在下における塩化錫(II)を用いる還元により製造される。しかしながら
、工業におけるそのような還元剤の使用は、それに伴う廃棄の問題の故に、可能
なら避けるべきである。
還元剤又は水素化剤、例えば酢酸のような酸の存在下における鉄又は例えば酸化
白金のような触媒の存在下における水素と反応させると、N−(3−アミノ−4
−フルオロ−フェニル)−スルホンアミドが得られることは知られている(EP
−A−496595を参照されたい)。しかしながら、1−フルオロ−2,4−
ジニトロ−ベンゼンの選択的還元及び続く塩化スルホニルとの反応による必要な
出発材料の製造は技術的問題を含んでいる。特に、1−フルオロ−2,4−ジニ
トロ−ベンゼンを選択的に1−フルオロ−4−アミノ−2−ニトロ−ベンゼンに
水素化する試みは、常に、可能な一水素化生成物及び二水素化生成物の混合物を
与える。この理由のため、1−フルオロ−4−アミノ−2−ニトロ−ベンゼン(
EP−A−127079;Recueil Trav.Chim.Pays−B
as 65(1946),329を参照されたい)(及びまた1−フルオロ−2
,4−ジアミノ−ベンゼンも(Bull.Soc.Chim.Fr.132(1
995),306−313を参照されたい))は、一般に、金属もしくは金属化
合物、例えば硫酸鉄(II)の存在下もしくは酢酸の存在下における鉄又は塩酸
の存在下における塩化錫(II)を用いる還元により製造される。しかしながら
、工業におけるそのような還元剤の使用は、それに伴う廃棄の問題の故に、可能
なら避けるべきである。
【0003】 さらに、1−クロロ−2,4−ジアミノ−ベンゼンを塩化スルホニル及び塩化
カルボニルと反応させると、それぞれN−(3−アミノ−4−クロロ−フェニル
)−スルホンアミド及びN−(3−アミノ−4−クロロ−フェニル)−カルボキ
シアミドが得られることは既知である(WO−A−9727171を参照された
い)。しかしながら、これらの反応における収率及び生成物の質は常に完全に満
足できるというわけではない。アレン上の置換基としての塩素及びフッ素はさら
なる反応に関して非常に異なる配向効果(directing effect)
を有することが多いので、1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼンと塩化ス
ルホニル又は塩化カルボニルとの類似の反応をさらに当然のことであると予想す
ることはできなかった。
カルボニルと反応させると、それぞれN−(3−アミノ−4−クロロ−フェニル
)−スルホンアミド及びN−(3−アミノ−4−クロロ−フェニル)−カルボキ
シアミドが得られることは既知である(WO−A−9727171を参照された
い)。しかしながら、これらの反応における収率及び生成物の質は常に完全に満
足できるというわけではない。アレン上の置換基としての塩素及びフッ素はさら
なる反応に関して非常に異なる配向効果(directing effect)
を有することが多いので、1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼンと塩化ス
ルホニル又は塩化カルボニルとの類似の反応をさらに当然のことであると予想す
ることはできなかった。
【0004】 今回、式(II)
【0005】
【化4】
【0006】 の1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼン −もしくはその酸付加物− を一般式(III)
【0007】
【化5】
【0008】 [式中、 AはSO2、CO又はCO2を示し、 Rはそれぞれ場合により置換されていることができるアルキル又はアリールを示
す] の塩化スルホニル、塩化カルボニル又はクロロギ酸エステルと、酸受容体の存在
下及び希釈剤の存在下に、−20℃〜+100℃の温度で反応させると一般式(
I)
す] の塩化スルホニル、塩化カルボニル又はクロロギ酸エステルと、酸受容体の存在
下及び希釈剤の存在下に、−20℃〜+100℃の温度で反応させると一般式(
I)
【0009】
【化6】
【0010】 [式中、 A及びRは上記で定義した通りである] のN−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミド、N−(3−
アミノ−4−フルオロ−フェニル)−カルボキシアミド及びN−(3−アミノ−
4−フルオロ−フェニル)カルバメートが非常に高収率及び高純度で得られるこ
とが見いだされた。
アミノ−4−フルオロ−フェニル)−カルボキシアミド及びN−(3−アミノ−
4−フルオロ−フェニル)カルバメートが非常に高収率及び高純度で得られるこ
とが見いだされた。
【0011】 おそらく多重スルホニル化又はアシル化の生成物により比較的大きな程度まで
汚染されてもいる−可能な「単純な」スルホニル化生成物又はアシル化生成物の
大体等モルの混合物の生成が予想されて然るべきであったが、驚くべきことに、
本発明に従う方法により、一般式(I)のN−(3−アミノ−4−フルオロ−フ
ェニル)−スルホンアミド、N−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−カ
ルボキシアミド及びN−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)カルバメート
を非常に高収率及び高純度で得ることが可能である。
汚染されてもいる−可能な「単純な」スルホニル化生成物又はアシル化生成物の
大体等モルの混合物の生成が予想されて然るべきであったが、驚くべきことに、
本発明に従う方法により、一般式(I)のN−(3−アミノ−4−フルオロ−フ
ェニル)−スルホンアミド、N−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−カ
ルボキシアミド及びN−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)カルバメート
を非常に高収率及び高純度で得ることが可能である。
【0012】 出発材料−1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼン−を1−フルオロ−2
,4−ジニトロ−ベンゼンから接触水素化により1段階で非常に容易に得ること
ができ、先行技術と対照的に(EP−A−496595を参照されたい)、さら
なる還元段階がもはや必要でないことは、本発明に従う方法の利点である。
,4−ジニトロ−ベンゼンから接触水素化により1段階で非常に容易に得ること
ができ、先行技術と対照的に(EP−A−496595を参照されたい)、さら
なる還元段階がもはや必要でないことは、本発明に従う方法の利点である。
【0013】 本発明に従う方法のさらなる利点は、反応を種々の溶媒の混合物中で行う必要
がなく(WO−A−9727171を参照されたい)、1種の溶媒で十分である
ことである。
がなく(WO−A−9727171を参照されたい)、1種の溶媒で十分である
ことである。
【0014】 さらに、一般式(I)の反応生成物を多くの場合に単離することなく、すなわ
ち本発明に従う反応の反応混合物中で、さらなる転換、例えばアシル化又はスル
ホニル化(塩化カルボニル、クロロギ酸エステル、塩化スルホニルなどを用いる
)に直接用いることができ、それが純粋な生成物を高収率で与えるということは
特に有利である。
ち本発明に従う反応の反応混合物中で、さらなる転換、例えばアシル化又はスル
ホニル化(塩化カルボニル、クロロギ酸エステル、塩化スルホニルなどを用いる
)に直接用いることができ、それが純粋な生成物を高収率で与えるということは
特に有利である。
【0015】 従って本発明に従う方法は、先行技術に対する有用な進歩である。
【0016】 出発材料として例えば1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼン及びメタン
スルホニルクロリドを用いると、本発明に従う方法における反応の経路は以下の
反応式により示すことができる:
スルホニルクロリドを用いると、本発明に従う方法における反応の経路は以下の
反応式により示すことができる:
【0017】
【化7】
【0018】 本発明に従う方法において出発材料として用いられるべき式(II)の化合物
1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼンは既知である(Bull.Soc.
Chim.Fr.132(1995),306−313を参照されたい)。
1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼンは既知である(Bull.Soc.
Chim.Fr.132(1995),306−313を参照されたい)。
【0019】 式(II)の化合物は有利には1−フルオロ−2,4−ジニトロ−ベンゼンの
接触水素化により製造することができる。
接触水素化により製造することができる。
【0020】 式(II)の化合物の酸付加物として用いるのに適しているのは、特に強酸、
例えば塩酸又は硫酸との塩である。一−及び二−塩酸塩を好ましいとして挙げる
ことができる。
例えば塩酸又は硫酸との塩である。一−及び二−塩酸塩を好ましいとして挙げる
ことができる。
【0021】 式(III)は本発明に従い出発材料としてさらに用いられるべき塩化スルホ
ニル、塩化カルボニル及びクロロギ酸エステルの一般的定義を与えている。式(
III)において、 Aは好ましくはSO2、CO又はCO2を示し、 Rは好ましくは場合によりシアノ−、ハロゲン−又はC1−C4−アルコキシ−置
換されていることができる炭素数が1〜6のアルキルを示すか、あるいは好まし
くは場合によりシアノ−、ニトロ−、ハロゲン−、C1−C4−アルキル−、C1 −C4−ハロゲノアルキル−、C1−C4−アルコキシ−、C1−C4−ハロゲノア ルコキシ−、C1−C4−アルキルチオ−、C1−C4−ハロゲノアルキルチオ−、
C1−C4−アルキルスルフィニル−、C1−C4−ハロゲノアルキルスルフィニル
−、C1−C4−アルキルスルホニル−、C1−C4−ハロゲノアルキルスルホニル
−、C1−C4−アルコキシ−カルボニル−又はジ−(C1−C4−アルキル)−ア
ミノ−置換されていることができる炭素数が6〜10のアリールを示す。
ニル、塩化カルボニル及びクロロギ酸エステルの一般的定義を与えている。式(
III)において、 Aは好ましくはSO2、CO又はCO2を示し、 Rは好ましくは場合によりシアノ−、ハロゲン−又はC1−C4−アルコキシ−置
換されていることができる炭素数が1〜6のアルキルを示すか、あるいは好まし
くは場合によりシアノ−、ニトロ−、ハロゲン−、C1−C4−アルキル−、C1 −C4−ハロゲノアルキル−、C1−C4−アルコキシ−、C1−C4−ハロゲノア ルコキシ−、C1−C4−アルキルチオ−、C1−C4−ハロゲノアルキルチオ−、
C1−C4−アルキルスルフィニル−、C1−C4−ハロゲノアルキルスルフィニル
−、C1−C4−アルキルスルホニル−、C1−C4−ハロゲノアルキルスルホニル
−、C1−C4−アルコキシ−カルボニル−又はジ−(C1−C4−アルキル)−ア
ミノ−置換されていることができる炭素数が6〜10のアリールを示す。
【0022】 式(III)において、 Aは特にSO2又はCOを示し、 Rは特にそれぞれ場合によりシアノ−、フッ素−、塩素−、メトキシ−又はエト
キシ−置換されていることができるメチル、エチル、n−もしくはi−プロピル
、n−、i−、s−もしくはt−ブチルを示すか、あるいは特に場合によりシア
ノ−、ニトロ−、フッ素−、塩素−、臭素−、メチル−、エチル−、n−もしく
はi−プロピル−、n−、i−、s−もしくはt−ブチル−、トリフルオロメチ
ル−、メトキシ−、エトキシ−、n−もしくはi−プロポキシ−、ジフルオロメ
トキシ−、トリフルオロメトキシ−、メチルチオ−、エチルチオ−、n−もしく
はi−プロピルチオ−、トリフルオロメチルチオ−、メチルスルフィニル−、エ
チルスルフィニル−、n−もしくはi−プロピルスルフィニル−、トリフルオロ
メチルスルフィニル−、メチルスルホニル−、エチルスルホニル−、n−もしく
はi−プロピルスルホニル−、トリフルオロメチルスルホニル−、メトキシカル
ボニル−、エトキシカルボニル−、n−もしくはi−プロポキシ−カルボニル−
、ジメチルアミノ−又はジエチルアミノ−置換されていることができるフェニル
を示す。
キシ−置換されていることができるメチル、エチル、n−もしくはi−プロピル
、n−、i−、s−もしくはt−ブチルを示すか、あるいは特に場合によりシア
ノ−、ニトロ−、フッ素−、塩素−、臭素−、メチル−、エチル−、n−もしく
はi−プロピル−、n−、i−、s−もしくはt−ブチル−、トリフルオロメチ
ル−、メトキシ−、エトキシ−、n−もしくはi−プロポキシ−、ジフルオロメ
トキシ−、トリフルオロメトキシ−、メチルチオ−、エチルチオ−、n−もしく
はi−プロピルチオ−、トリフルオロメチルチオ−、メチルスルフィニル−、エ
チルスルフィニル−、n−もしくはi−プロピルスルフィニル−、トリフルオロ
メチルスルフィニル−、メチルスルホニル−、エチルスルホニル−、n−もしく
はi−プロピルスルホニル−、トリフルオロメチルスルホニル−、メトキシカル
ボニル−、エトキシカルボニル−、n−もしくはi−プロポキシ−カルボニル−
、ジメチルアミノ−又はジエチルアミノ−置換されていることができるフェニル
を示す。
【0023】 一般式(III)の出発材料は合成のための既知の有機化学品である。
【0024】 本発明に従う方法は酸受容体を用いて行われる。適した酸受容体は一般に通常
の無機もしくは有機塩基又は酸受容体である。これらには好ましくはアルカリ金
属もしくはアルカリ土類金属酢酸塩、アミド、炭酸塩、重炭酸塩、水素化物、水
酸化物又はアルコキシド、例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム又は酢酸カルシ
ウム、リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド又はカルシウムアミ
ド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム又は炭酸カルシウム、重炭酸ナトリウム、重
炭酸カリウム又は重炭酸カルシウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素
化カリウム又は水素化カルシウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム又は水酸化カルシウム、ナトリウムメトキシド、エトキシド、n−もし
くはi−プロポキシド、n−、i−、s−もしくはt−ブトキシド又はカリウム
メトキシド、エトキシド、n−もしくはi−プロポキシド、n−、i−、s−も
しくはt−ブトキシド;さらに又、塩基性有機窒素化合物、例えばトリメチルア
ミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、エチル−ジ
イソプロピルアミン、N,N−ジメチル−シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキ
シルアミン、エチル−ジシクロヘキシルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N
,N−ジメチル−ベンジルアミン、ピリジン、2−メチル−、3−メチル−、4
−メチル−、2,4−ジメチル−、2,6−ジメチル−、3,4−ジメチル−及
び3,5−ジメチル−ピリジン、5−エチル−2−メチル−ピリジン、4−ジメ
チルアミノ−ピリジン、N−メチル−ピペリジン、1,4−ジアザビシクロ[2
,2,2]−オクタン(DABCO)、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]
−ノネ−5−エン(DBN)又は1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−ウン
デセ−7−エン(DBU)が含まれる。
の無機もしくは有機塩基又は酸受容体である。これらには好ましくはアルカリ金
属もしくはアルカリ土類金属酢酸塩、アミド、炭酸塩、重炭酸塩、水素化物、水
酸化物又はアルコキシド、例えば酢酸ナトリウム、酢酸カリウム又は酢酸カルシ
ウム、リチウムアミド、ナトリウムアミド、カリウムアミド又はカルシウムアミ
ド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム又は炭酸カルシウム、重炭酸ナトリウム、重
炭酸カリウム又は重炭酸カルシウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素
化カリウム又は水素化カルシウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム又は水酸化カルシウム、ナトリウムメトキシド、エトキシド、n−もし
くはi−プロポキシド、n−、i−、s−もしくはt−ブトキシド又はカリウム
メトキシド、エトキシド、n−もしくはi−プロポキシド、n−、i−、s−も
しくはt−ブトキシド;さらに又、塩基性有機窒素化合物、例えばトリメチルア
ミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、エチル−ジ
イソプロピルアミン、N,N−ジメチル−シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキ
シルアミン、エチル−ジシクロヘキシルアミン、N,N−ジメチルアニリン、N
,N−ジメチル−ベンジルアミン、ピリジン、2−メチル−、3−メチル−、4
−メチル−、2,4−ジメチル−、2,6−ジメチル−、3,4−ジメチル−及
び3,5−ジメチル−ピリジン、5−エチル−2−メチル−ピリジン、4−ジメ
チルアミノ−ピリジン、N−メチル−ピペリジン、1,4−ジアザビシクロ[2
,2,2]−オクタン(DABCO)、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]
−ノネ−5−エン(DBN)又は1,8−ジアザビシクロ[5,4,0]−ウン
デセ−7−エン(DBU)が含まれる。
【0025】 本発明に従う方法において、特別に好ましい酸受容体は塩基性有機窒素化合物
、特にピリジンである。
、特にピリジンである。
【0026】 本発明に従う方法は希釈剤を用いて行われる。本発明に従う方法を行うために
適した希釈剤は−適宜、水に加えて−特に不活性有機溶媒である。これらには特
に脂肪族、脂環式又は芳香族の場合によりハロゲン化されていることができる炭
化水素、例えばベンジン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジ
クロロベンゼン、石油エーテル、ヘキサン、シクロヘキサン、ジクロロメタン、
クロロホルム、四塩化炭素;エーテル、例えばジエチルエーテル、ジイソプロピ
ルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン又はエチレングリコールジメチル
エーテルもしくはエチレングリコールジエチルエーテル;ケトン、例えばアセト
ン、ブタノン又はメチルイソブチルケトン;ニトリル、例えばアセトニトリル、
プロピオニトリル又はブチロニトリル;アミド、例えばN,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−ホルムアニリド、N−メ
チル−ピロリドン又はヘキサメチルリン酸トリアミド;エステル、例えば酢酸メ
チル又は酢酸エチル;スルホキシド、例えばジメチルスルホキシド、アルコール
、例えばメタノール、エタノール、n−もしくはi−プロパノール、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル
、適宜又、上記の溶媒と水の(単−もしくは多相)混合物が含まれる。
適した希釈剤は−適宜、水に加えて−特に不活性有機溶媒である。これらには特
に脂肪族、脂環式又は芳香族の場合によりハロゲン化されていることができる炭
化水素、例えばベンジン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジ
クロロベンゼン、石油エーテル、ヘキサン、シクロヘキサン、ジクロロメタン、
クロロホルム、四塩化炭素;エーテル、例えばジエチルエーテル、ジイソプロピ
ルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン又はエチレングリコールジメチル
エーテルもしくはエチレングリコールジエチルエーテル;ケトン、例えばアセト
ン、ブタノン又はメチルイソブチルケトン;ニトリル、例えばアセトニトリル、
プロピオニトリル又はブチロニトリル;アミド、例えばN,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−ホルムアニリド、N−メ
チル−ピロリドン又はヘキサメチルリン酸トリアミド;エステル、例えば酢酸メ
チル又は酢酸エチル;スルホキシド、例えばジメチルスルホキシド、アルコール
、例えばメタノール、エタノール、n−もしくはi−プロパノール、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル
、適宜又、上記の溶媒と水の(単−もしくは多相)混合物が含まれる。
【0027】 本発明に従う方法において、特別に好ましい希釈剤は非プロトン性極性有機溶
媒、例えば特にアセトン、ブタノン又はメチルイソブチルケトン;アセトニトリ
ル、プロピオニトリル又はブチロニトリルである。
媒、例えば特にアセトン、ブタノン又はメチルイソブチルケトン;アセトニトリ
ル、プロピオニトリル又はブチロニトリルである。
【0028】 本発明に従う方法を行う場合、反応温度は比較的広い範囲内で変えることがで
きる。一般に該方法は−20℃〜+100℃、好ましくは−5℃〜+60℃、特
に+10℃〜+30℃の温度で行われる。
きる。一般に該方法は−20℃〜+100℃、好ましくは−5℃〜+60℃、特
に+10℃〜+30℃の温度で行われる。
【0029】 本発明に従う方法は一般に大気圧下で行われる。しかしながら、本発明に従う
方法を加圧もしくは減圧下において行うこともできる−一般に0.1バール〜1
00バール。
方法を加圧もしくは減圧下において行うこともできる−一般に0.1バール〜1
00バール。
【0030】 本発明に従う方法を行うために、一般に式(II)の1−フルオロ−2,4−
ジアミノ−ベンゼンのモル当たりに0.9〜1.5モル、好ましくは1.0〜1
.1モルの式(III)の塩化スルホニル又は塩化カルボニル及び適宜1.0〜
2.0モル当量、好ましくは1.1〜1.5モル当量の酸受容体が用いられる。
ジアミノ−ベンゼンのモル当たりに0.9〜1.5モル、好ましくは1.0〜1
.1モルの式(III)の塩化スルホニル又は塩化カルボニル及び適宜1.0〜
2.0モル当量、好ましくは1.1〜1.5モル当量の酸受容体が用いられる。
【0031】 本発明に従う方法の好ましい実施態様の場合、式(II)の1−フルオロ−2
,4−ジアミノ−ベンゼンを室温(約20℃)において希釈剤及び酸受容体と混
合し、次いで塩化スルホニル、塩化カルボニルもしくはクロロギ酸エステルを撹
拌しながら計量添加する(meter)。別の場合、酸受容体及び塩化スルホニ
ル、カルボン酸クロリドもしくはクロロギ酸エステルを同時に(「同期的に」、
「平行して」)計量添加することもできる。次いで示した温度範囲内で反応が終
了するまで反応混合物を撹拌し、次いで通常の方法により処理することができる
(製造実施例を参照されたい)。
,4−ジアミノ−ベンゼンを室温(約20℃)において希釈剤及び酸受容体と混
合し、次いで塩化スルホニル、塩化カルボニルもしくはクロロギ酸エステルを撹
拌しながら計量添加する(meter)。別の場合、酸受容体及び塩化スルホニ
ル、カルボン酸クロリドもしくはクロロギ酸エステルを同時に(「同期的に」、
「平行して」)計量添加することもできる。次いで示した温度範囲内で反応が終
了するまで反応混合物を撹拌し、次いで通常の方法により処理することができる
(製造実施例を参照されたい)。
【0032】 しかしながら、反応混合物中に存在する一般式(I)の生成物を中間の単離な
しでさらに塩化スルホニル、塩化カルボニル又はクロロギ酸エステルと反応させ
、一般式(IV)
しでさらに塩化スルホニル、塩化カルボニル又はクロロギ酸エステルと反応させ
、一般式(IV)
【0033】
【化8】
【0034】 [式中、 A及びRは上記で定義した通りであり、 A’及びR’はそれぞれA及びRに関して上記で示した意味を有するが、AとA
’及びRとR’の意味はそれぞれの個々の場合に同一である必要はない] の化合物を得ることもできる(製造実施例を参照されたい)。
’及びRとR’の意味はそれぞれの個々の場合に同一である必要はない] の化合物を得ることもできる(製造実施例を参照されたい)。
【0035】 本発明に従う方法により製造され得る一般式(I)の化合物は、除草的に活性
な化合物の製造のための中間体として用いることができる(EP−A−4965
95を参照されたい)。
な化合物の製造のための中間体として用いることができる(EP−A−4965
95を参照されたい)。
【0036】
【実施例】製造実施例: 実施例1
【0037】
【化9】
【0038】 内部温度計、滴下ロート及び磁気撹拌機が取り付けられた250mlの二口フ
ラスコ中で最初に6.30g(0.05モル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを80mlのアセトニトリル及び4.8g(0.06モル)のピリ
ジン中に入れ、10℃〜15℃において6.43g(0.05モル)のエタンス
ルホニルクロリドと混合する。反応混合物を室温(約20℃)において1時間撹
拌し、100mlの酢酸エチル及び50mlの水と混合する。有機相を分離し、
水溶液を各回50mlの酢酸エチルを用いて3回抽出し、有機相を合わせ、10
0mlの水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾過する。水流ポンプ真空下
において濾液から溶媒を注意深く蒸留する。
ラスコ中で最初に6.30g(0.05モル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを80mlのアセトニトリル及び4.8g(0.06モル)のピリ
ジン中に入れ、10℃〜15℃において6.43g(0.05モル)のエタンス
ルホニルクロリドと混合する。反応混合物を室温(約20℃)において1時間撹
拌し、100mlの酢酸エチル及び50mlの水と混合する。有機相を分離し、
水溶液を各回50mlの酢酸エチルを用いて3回抽出し、有機相を合わせ、10
0mlの水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾過する。水流ポンプ真空下
において濾液から溶媒を注意深く蒸留する。
【0039】 これは10.7gの粗生成物を与え、それはGC/MSに従うと92.8%の
N−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−エタンスルホンアミドを含有す
る(すなわち理論値の91%)。実施例2
N−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−エタンスルホンアミドを含有す
る(すなわち理論値の91%)。実施例2
【0040】
【化10】
【0041】 内部温度計、滴下ロート及び磁気撹拌機が取り付けられた100mlの二口フ
ラスコ中で最初に3.15g(25ミリモル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを50mlのアセトニトリル及び2.4g(30ミリモル)のピリ
ジン中に入れ、10℃〜15℃において2.7g(25ミリモル)のクロロギ酸
エチルと混合する。反応混合物を室温(約20℃)において1時間撹拌し、次い
で50mlのメチレンクロリド、50mlの水及び10mlの2N塩酸と混合す
る。有機相を分離し、水溶液を中和し、各回20mlのメチレンクロリドを用い
て3回抽出する。合わせた有機相を100mlの水で洗浄し、硫酸ナトリウム上
で乾燥し、濾過する。水流ポンプ真空下において濾液から溶媒を注意深く蒸留す
る。
ラスコ中で最初に3.15g(25ミリモル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを50mlのアセトニトリル及び2.4g(30ミリモル)のピリ
ジン中に入れ、10℃〜15℃において2.7g(25ミリモル)のクロロギ酸
エチルと混合する。反応混合物を室温(約20℃)において1時間撹拌し、次い
で50mlのメチレンクロリド、50mlの水及び10mlの2N塩酸と混合す
る。有機相を分離し、水溶液を中和し、各回20mlのメチレンクロリドを用い
て3回抽出する。合わせた有機相を100mlの水で洗浄し、硫酸ナトリウム上
で乾燥し、濾過する。水流ポンプ真空下において濾液から溶媒を注意深く蒸留す
る。
【0042】 これは5.4gの粗生成物を与え、それはHPLCに従うと91.8%のO−
エチル N−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−カルバメートを含有す
る(理論値の100%)。実施例3
エチル N−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−カルバメートを含有す
る(理論値の100%)。実施例3
【0043】
【化11】
【0044】 内部温度計、滴下ロート及び磁気撹拌機が取り付けられた100mlの二口フ
ラスコ中で最初に3.15g(25ミリモル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを50mlのアセトニトリル及び2.4g(30ミリモル)のピリ
ジン中に入れ、10℃〜15℃において4.26g(25ミリモル)の4−メト
キシ−ベンゾイルクロリドと混合する。反応混合物を室温(約20℃)において
1時間撹拌し、次いで50mlの酢酸エチル及び50mlの水と混合する。有機
相を分離し、水相を各回20mlの酢酸エチルを用いて3回再抽出し、合わせた
有機相を100mlの水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾過する。水流
ポンプ真空下において濾液から溶媒を注意深く蒸留する。
ラスコ中で最初に3.15g(25ミリモル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを50mlのアセトニトリル及び2.4g(30ミリモル)のピリ
ジン中に入れ、10℃〜15℃において4.26g(25ミリモル)の4−メト
キシ−ベンゾイルクロリドと混合する。反応混合物を室温(約20℃)において
1時間撹拌し、次いで50mlの酢酸エチル及び50mlの水と混合する。有機
相を分離し、水相を各回20mlの酢酸エチルを用いて3回再抽出し、合わせた
有機相を100mlの水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾過する。水流
ポンプ真空下において濾液から溶媒を注意深く蒸留する。
【0045】 これは6.1gの灰色の結晶性の粗生成物を与え、それはHPLCに従うと8
9.2%のN−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−4−メトキシ−ベン
ズアミドを含有する(理論値の84%)。実施例4
9.2%のN−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−4−メトキシ−ベン
ズアミドを含有する(理論値の84%)。実施例4
【0046】
【化12】
【0047】 内部温度計、滴下ロート及び磁気撹拌機が取り付けられた100mlの二口フ
ラスコ中で最初に3.15g(25ミリモル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを80mlのアセトニトリル及び2.4g(30ミリモル)のピリ
ジン中に入れ、5℃において3.01g(25ミリモル)の塩化ピバロイルと混
合する。反応混合物を室温(約20℃)において1時間撹拌し、50mlの酢酸
エチル及び50mlの水と混合する。有機相を分離し、水相を各回20mlの酢
酸エチルを用いて3回再抽出し、合わせた有機相を100mlの水で洗浄し、硫
酸ナトリウム上で乾燥し、濾過する。水流ポンプ真空下において濾液から溶媒を
注意深く蒸留する。
ラスコ中で最初に3.15g(25ミリモル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを80mlのアセトニトリル及び2.4g(30ミリモル)のピリ
ジン中に入れ、5℃において3.01g(25ミリモル)の塩化ピバロイルと混
合する。反応混合物を室温(約20℃)において1時間撹拌し、50mlの酢酸
エチル及び50mlの水と混合する。有機相を分離し、水相を各回20mlの酢
酸エチルを用いて3回再抽出し、合わせた有機相を100mlの水で洗浄し、硫
酸ナトリウム上で乾燥し、濾過する。水流ポンプ真空下において濾液から溶媒を
注意深く蒸留する。
【0048】 これは5.2gの褐色の固体を与え、それはHPLCに従うと82.7%のN
−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−ピバルアミドを含有する(理論値
の82%)。実施例5
−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−ピバルアミドを含有する(理論値
の82%)。実施例5
【0049】
【化13】
【0050】 内部温度計、滴下ロート及び磁気撹拌機が取り付けられた250mlの二口フ
ラスコ中で最初に6.30g(50ミリモル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを80mlのアセトニトリル及び11.8g(150ミリモル)の
ピリジン中に入れ、10℃〜15℃において6.43g(50ミリモル)のエタ
ンスルホニルクロリドと混合する。反応混合物を室温(約20℃)において1時
間撹拌し、次いで5.97g(55ミリモル)のクロロギ酸エチルと混合する。
室温で1時間撹拌を続け、反応混合物を100mlの酢酸エチル及び50mlの
水と混合し、相を分離する。水相を各回50mlの酢酸エチルを用いて3回抽出
し、合わせた有機相を100mlの水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾
過する。水流ポンプ真空下で濾液から溶媒を注意深く蒸留する。
ラスコ中で最初に6.30g(50ミリモル)の1−フルオロ−2,4−ジアミ
ノ−ベンゼンを80mlのアセトニトリル及び11.8g(150ミリモル)の
ピリジン中に入れ、10℃〜15℃において6.43g(50ミリモル)のエタ
ンスルホニルクロリドと混合する。反応混合物を室温(約20℃)において1時
間撹拌し、次いで5.97g(55ミリモル)のクロロギ酸エチルと混合する。
室温で1時間撹拌を続け、反応混合物を100mlの酢酸エチル及び50mlの
水と混合し、相を分離する。水相を各回50mlの酢酸エチルを用いて3回抽出
し、合わせた有機相を100mlの水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、濾
過する。水流ポンプ真空下で濾液から溶媒を注意深く蒸留する。
【0051】 これは15.6gの結晶性の粗生成物を与え、それはHPLCに従うと89.
1%のN−(3−エトキシカルボニルアミノ−4−フルオロ−フェニル)−エタ
ンスルホンアミドを含有する(理論値の96%)。
1%のN−(3−エトキシカルボニルアミノ−4−フルオロ−フェニル)−エタ
ンスルホンアミドを含有する(理論値の96%)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07C 303/38 C07C 303/38 311/08 311/08 (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM ,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM) ,AL,AM,AT,AU,AZ,BA,BB,BG, BR,BY,CA,CH,CN,CU,CZ,DE,D K,EE,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM ,HR,HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE, KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,L T,LU,LV,MD,MG,MK,MN,MW,MX ,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE, SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT,U A,UG,US,UZ,VN,YU,ZW Fターム(参考) 4H006 AA02 AC53 AC56 AC61 BA92 BC10 BC31 BD60 BJ50 BM30 BM71 BP30 BU46 BV72 BV74 RA36 RB04 (54)【発明の名称】 N−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)−スルホンアミド、N−(3−アミノ−4−フルオ ロフェニル)カルボン酸アミド及びN−(3−アミノ−4−フルオロフェニル)カルバメートの 製造法
Claims (7)
- 【請求項1】 式(II) 【化1】 の1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼン −もしくはその酸付加物− を一般式(III) 【化2】 [式中、 AはSO2、CO又はCO2を示し、 Rはそれぞれ場合により置換されていることができるアルキル又はアリールを示
す] の塩化スルホニル、塩化カルボニル又はクロロギ酸エステルと、酸受容体の存在
下及び希釈剤の存在下に、−20℃〜+100℃の温度で反応させることを特徴
とする一般式(I) 【化3】 [式中、 A及びRは上記で定義した通りである] のN−(3−アミノ−4−フルオロ−フェニル)−スルホンアミド、N−(3−
アミノ−4−フルオロ−フェニル)−カルボキシアミド又はN−(3−アミノ−
4−フルオロ−フェニル)カルバメートの製造法。 - 【請求項2】 AがSO2、CO又はCO2を示し、 Rが場合によりシアノ−、ハロゲン−又はC1−C4−アルコキシ−置換されてい
ることができる炭素数が1〜6のアルキルを示すか、あるいは場合によりシアノ
−、ニトロ−、ハロゲン−、C1−C4−アルキル−、C1−C4−ハロゲノアルキ
ル−、C1−C4−アルコキシ−、C1−C4−ハロゲノアルコキシ−、C1−C4−
アルキルチオ−、C1−C4−ハロゲノアルキルチオ−、C1−C4−アルキルスル
フィニル−、C1−C4−ハロゲノアルキルスルフィニル−、C1−C4−アルキル
スルホニル−、C1−C4−ハロゲノアルキルスルホニル−、C1−C4−アルコキ
シ−カルボニル−又はジ−(C1−C4−アルキル)−アミノ−置換されているこ
とができる炭素数が6〜10のアリールを示す ことを特徴とする請求項1に従う方法。 - 【請求項3】 AがSO2又はCOを示し、 Rがそれぞれ場合によりシアノ−、フッ素−、塩素−、メトキシ−又はエトキシ
−置換されていることができるメチル、エチル、n−もしくはi−プロピル、n
−、i−、s−もしくはt−ブチルを示すか、あるいは場合によりシアノ−、ニ
トロ−、フッ素−、塩素−、臭素−、メチル−、エチル−、n−もしくはi−プ
ロピル−、n−、i−、s−もしくはt−ブチル−、トリフルオロメチル−、メ
トキシ−、エトキシ−、n−もしくはi−プロポキシ−、ジフルオロメトキシ−
、トリフルオロメトキシ−、メチルチオ−、エチルチオ−、n−もしくはi−プ
ロピルチオ−、トリフルオロメチルチオ−、メチルスルフィニル−、エチルスル
フィニル−、n−もしくはi−プロピルスルフィニル−、トリフルオロメチルス
ルフィニル−、メチルスルホニル−、エチルスルホニル−、n−もしくはi−プ
ロピルスルホニル−、トリフルオロメチルスルホニル−、メトキシカルボニル−
、エトキシカルボニル−、n−もしくはi−プロポキシ−カルボニル−、ジメチ
ルアミノ−又はジエチルアミノ−置換されていることができるフェニルを示す ことを特徴とする請求項1に従う方法。 - 【請求項4】 1種のみの希釈剤を用いることを特徴とする請求項1〜3の
いずれかに従う方法。 - 【請求項5】 用いられる酸受容体がピリジンであることを特徴とする請求
項1〜4のいずれかに従う方法。 - 【請求項6】 式(II)の1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼンの
モル当たりに0.9〜1.5モルの式(III)の塩化スルホニル又はカルボキ
シアミド及び及び1.0〜2.0モル当量の酸受容体を用いることを特徴とする
請求項1〜5のいずれかに従う方法。 - 【請求項7】 式(II)の1−フルオロ−2,4−ジアミノ−ベンゼンを
室温で希釈剤及び酸受容体と混合し、次いで塩化スルホニル、塩化カルボニル又
はクロロギ酸エステルを撹拌しながら計量添加することを特徴とする請求項1〜
6のいずれかに従う方法。
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