JP2001351935A - Ｉｃチップの接合方法及びこれを用いた水晶発振器 - Google Patents
Ｉｃチップの接合方法及びこれを用いた水晶発振器Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Wire Bonding (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＩＣの内部回路に与える損傷を防止したＩＣチ
ップの接合方法及びこれを用いた生産性の高い水晶発振
器を提供する。 【構成】シリコン基板のＡｌ膜からなる端子電極上にバ
ンプを接続し、前記バンプを超音波熱圧着によって基板
の導電端子部に接続してなるＩＣチップの接合方法にお
いて、前記Ａｌ膜より厚みの大きい金属層を前記Ａｌ膜
上に設けた構成とする。そして、このＩＣチップの接合
方法を用いて、容器本体の凹部にＩＣチップを接続し
て、水晶片を収容した水晶発振器を構成する。
ップの接合方法及びこれを用いた生産性の高い水晶発振
器を提供する。 【構成】シリコン基板のＡｌ膜からなる端子電極上にバ
ンプを接続し、前記バンプを超音波熱圧着によって基板
の導電端子部に接続してなるＩＣチップの接合方法にお
いて、前記Ａｌ膜より厚みの大きい金属層を前記Ａｌ膜
上に設けた構成とする。そして、このＩＣチップの接合
方法を用いて、容器本体の凹部にＩＣチップを接続し
て、水晶片を収容した水晶発振器を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプを用いた超
音波熱圧着によるＩＣチップの接合方法及びこれを用い
た水晶発振器を産業上の技術分野とし、特にＩＣチップ
としてのシリコン基板に生ずるクラックを防止したＩＣ
チップの接合方法に関する。
音波熱圧着によるＩＣチップの接合方法及びこれを用い
た水晶発振器を産業上の技術分野とし、特にＩＣチップ
としてのシリコン基板に生ずるクラックを防止したＩＣ
チップの接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】（発明の背景）種々の電子回路を集積化
したＩＣチップは多くの電子機器に使用され、その小型
化の原動力となっている。近年では、ワイヤボンディン
グに比較して小型化をさらに促進することから、水晶発
振器においても端子電極の形成された一主面を基板に直
接に接合する所謂フェースダウンボンディングが採用さ
れている。このようなものの一つにバンプを用いた超音
波熱圧着による接合方法がある。
したＩＣチップは多くの電子機器に使用され、その小型
化の原動力となっている。近年では、ワイヤボンディン
グに比較して小型化をさらに促進することから、水晶発
振器においても端子電極の形成された一主面を基板に直
接に接合する所謂フェースダウンボンディングが採用さ
れている。このようなものの一つにバンプを用いた超音
波熱圧着による接合方法がある。
【０００３】（従来技術の一例）第３図は一従来例を説
明する水晶発振器の断面図である。水晶発振器は、積層
セラミックからなり凹部と段部を有する容器本体１にＩ
Ｃチップ２と水晶片３を収容し、カバー４を接合して密
閉する。容器本体１の凹部底面１aには、第４図に示し
たように回路パターンとしての導電路５が形成される。
また、段部には図示しない水晶端子が形成される。
明する水晶発振器の断面図である。水晶発振器は、積層
セラミックからなり凹部と段部を有する容器本体１にＩ
Ｃチップ２と水晶片３を収容し、カバー４を接合して密
閉する。容器本体１の凹部底面１aには、第４図に示し
たように回路パターンとしての導電路５が形成される。
また、段部には図示しない水晶端子が形成される。
【０００４】回路パターン（導電路５）は、下地電極と
しての一層目を印刷及び焼成によるタングステン（Ｗ）
として、その表面に電解メッキによる金が形成される。
通常では、導電路５の先端側となる黒点で示す接続端子
部（導電端子部とする）６を露出し、これ以外は図示し
ないアルミナ等の絶縁材で覆われる（第４図）。導電端
子部６は長方形状として長さ方向に平行に形成される。
しての一層目を印刷及び焼成によるタングステン（Ｗ）
として、その表面に電解メッキによる金が形成される。
通常では、導電路５の先端側となる黒点で示す接続端子
部（導電端子部とする）６を露出し、これ以外は図示し
ないアルミナ等の絶縁材で覆われる（第４図）。導電端
子部６は長方形状として長さ方向に平行に形成される。
【０００５】ＩＣチップ２はシリコン基板２aからなり
（第５図）、図示しない発振回路を構成する増幅器や抵
抗、コンデンサ等を集積化してなる。シリコン基板２a
の表面には、Ｐ型とＮ型領域を絶縁する酸化膜（ＳiＯ
2）２bを境界枠上に周回して形成する。そして、酸化膜
上及び酸化膜２ｂの枠内にＡl（アルミ）膜２c（厚み約
1.2μｍ）を設けて、Ｐ型又はＮ型領域と電気的に接続
する端子電極７を形成する。端子電極７としてのＡｌ膜
は蒸着あるいはスパッタにより形成される。これによ
り、端子電極７は外周に段部を有する凹状となる。これ
らは、ＩＣチップ２の一主面における対向する一組の両
辺側に設けられる。
（第５図）、図示しない発振回路を構成する増幅器や抵
抗、コンデンサ等を集積化してなる。シリコン基板２a
の表面には、Ｐ型とＮ型領域を絶縁する酸化膜（ＳiＯ
2）２bを境界枠上に周回して形成する。そして、酸化膜
上及び酸化膜２ｂの枠内にＡl（アルミ）膜２c（厚み約
1.2μｍ）を設けて、Ｐ型又はＮ型領域と電気的に接続
する端子電極７を形成する。端子電極７としてのＡｌ膜
は蒸着あるいはスパッタにより形成される。これによ
り、端子電極７は外周に段部を有する凹状となる。これ
らは、ＩＣチップ２の一主面における対向する一組の両
辺側に設けられる。
【０００６】そして、端子電極７（アルミ膜２c）の凹
部底面に例えば金粒とした球状の所謂バンプ９が二重に
して形成される。そして、ＩＣチップ２の一主面を容器
本体１の凹部底面に対向させ、バンプ９と導電端子部６
とを位置決めして当接する。
部底面に例えば金粒とした球状の所謂バンプ９が二重に
して形成される。そして、ＩＣチップ２の一主面を容器
本体１の凹部底面に対向させ、バンプ９と導電端子部６
とを位置決めして当接する。
【０００７】次に、超音波熱圧着機によって、ＩＣチッ
プ２を熱圧着（押圧）しながら超音波によって導電端子
部６の長さ方向にバンプ９を振動させ、楕円状に押し潰
して導電端子部６と接続する。すなわち、金属（ここで
は金）の固相拡散によって接合される。なお、バンプ９
は押圧力が均等に分散するように例えば３：２以上とし
て配置され、各辺においてほぼ同間隔で配置される。
プ２を熱圧着（押圧）しながら超音波によって導電端子
部６の長さ方向にバンプ９を振動させ、楕円状に押し潰
して導電端子部６と接続する。すなわち、金属（ここで
は金）の固相拡散によって接合される。なお、バンプ９
は押圧力が均等に分散するように例えば３：２以上とし
て配置され、各辺においてほぼ同間隔で配置される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の水晶発振器では、超音波熱圧着時の振動を伴う押圧
力によって、端子電極７にヒビや欠け等のクラックを生
じる。そして、端子電極７の直下及び近傍にあるＩＣチ
ップ２の内部回路に損傷を与えたり、導通（接合）不良
を引き起こす。これらのことから、高価なＩＣチップ２
を無駄にして歩留まりも悪く、生産性を低下させる問題
があった。
成の水晶発振器では、超音波熱圧着時の振動を伴う押圧
力によって、端子電極７にヒビや欠け等のクラックを生
じる。そして、端子電極７の直下及び近傍にあるＩＣチ
ップ２の内部回路に損傷を与えたり、導通（接合）不良
を引き起こす。これらのことから、高価なＩＣチップ２
を無駄にして歩留まりも悪く、生産性を低下させる問題
があった。
【０００９】（発明の目的）本発明は、ＩＣの内部回路
に与える損傷を防止したＩＣチップの接合方法及びこれ
を用いた生産性の高い水晶発振器を提供することを目的
とする。
に与える損傷を防止したＩＣチップの接合方法及びこれ
を用いた生産性の高い水晶発振器を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、端子電極とし
てのＡｌ膜上に金属層を形成したことを基本的な解決手
段とする。
てのＡｌ膜上に金属層を形成したことを基本的な解決手
段とする。
【００１１】
【作用】本発明では、Ａｌ膜上に形成した金属層が緩衝
体として機能し、超音波熱圧着時の衝撃を吸収する。以
下、本発明の一実施例を説明する。
体として機能し、超音波熱圧着時の衝撃を吸収する。以
下、本発明の一実施例を説明する。
【００１２】
【実施例】第１図は本発明の一実施例を説明する水晶発
振器特にＩＣチップの断面図である。なお、前従来例図
と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省
略する。水晶発振器は、前述したように容器本体１の回
路パターンが形成された凹部底面にＩＣチップ２を、水
晶端子を有する段部に水晶片３を保持し、カバー４を接
合して密閉する。そして、この実施例では、ＩＣチップ
２のＡｌ膜（1.2μｍ）からなる端子電極上にＡu層（約
１０μｍ）を電解あるいは無電解メッキによって形成す
る。そして、バンプを設け、超音波熱圧着によって基板
の導電端子部に接続する。
振器特にＩＣチップの断面図である。なお、前従来例図
と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省
略する。水晶発振器は、前述したように容器本体１の回
路パターンが形成された凹部底面にＩＣチップ２を、水
晶端子を有する段部に水晶片３を保持し、カバー４を接
合して密閉する。そして、この実施例では、ＩＣチップ
２のＡｌ膜（1.2μｍ）からなる端子電極上にＡu層（約
１０μｍ）を電解あるいは無電解メッキによって形成す
る。そして、バンプを設け、超音波熱圧着によって基板
の導電端子部に接続する。
【００１３】このような構成であれば、メッキによって
Ａｕ層を形成するので、蒸着やスパッタよりも膜厚を大
きく形成できる。そして、超音波熱圧着時の押圧力（衝
撃）をＡu層が吸収してクラックの発生及び内部回路の
損傷を防止する。これらのことから、水晶発振器の歩留
まりを良好にして生産性を向上できる。
Ａｕ層を形成するので、蒸着やスパッタよりも膜厚を大
きく形成できる。そして、超音波熱圧着時の押圧力（衝
撃）をＡu層が吸収してクラックの発生及び内部回路の
損傷を防止する。これらのことから、水晶発振器の歩留
まりを良好にして生産性を向上できる。
【００１４】
【他の事項】上記実施例ではＡｌ膜上にＡｕ層を設けた
が、要は厚みを大きくすることによって衝撃を吸収する
のでＡu層に換えて例えばＡｇ、Ａｌからなる金属層と
してもよい。但し、Ａu層の方が柔軟性に富んで衝撃を
吸収しやすいので、実際にはＡu層が好ましいと考えら
れる。また、端子電極７の凹部底面に形成するバンプ９
は二重としたが、単一であってもよい。また、Ａｌ膜に
直接Ａu層を形成したが、ＡｌがＡｕに拡散して接合強
度を低下させるので、両者間に拡散を防止する金属層を
介在させてもよい。
が、要は厚みを大きくすることによって衝撃を吸収する
のでＡu層に換えて例えばＡｇ、Ａｌからなる金属層と
してもよい。但し、Ａu層の方が柔軟性に富んで衝撃を
吸収しやすいので、実際にはＡu層が好ましいと考えら
れる。また、端子電極７の凹部底面に形成するバンプ９
は二重としたが、単一であってもよい。また、Ａｌ膜に
直接Ａu層を形成したが、ＡｌがＡｕに拡散して接合強
度を低下させるので、両者間に拡散を防止する金属層を
介在させてもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、端子電極としてのＡｌ膜上に
Ａu層を形成したので、ＩＣの内部回路に与える損傷を
防止したＩＣチップの接合方法及びこれを用いた生産性
の高い水晶発振器を提供できる。
Ａu層を形成したので、ＩＣの内部回路に与える損傷を
防止したＩＣチップの接合方法及びこれを用いた生産性
の高い水晶発振器を提供できる。
【図１】本発明の一実施例を説明する水晶発振器に採用
されるＩＣチップの一部断面図である。
されるＩＣチップの一部断面図である。
【図２】本発明の一実施例を説明するバンプを潰した状
態のＩＣチップの一部断面図である。
態のＩＣチップの一部断面図である。
【図３】従来例及び本発明を説明する水晶発振器の断面
図である。
図である。
【図４】従来例を説明する容器本体の凹部底面に形成さ
れた回路パターンの図である。
れた回路パターンの図である。
【図５】従来例を説明するバンプを設けたＩＣチップの
一部断面図である。
一部断面図である。
【図６】従来例を説明するバンプを潰した状態のＩＣチ
ップの一部断面図である。
ップの一部断面図である。
１ 容器本体、２ ＩＣチップ、２ａ シリコン基板、
２ｂ 酸化膜、２ｃアルミ膜、３ 水晶片、４ カバ
ー、５ 導電路、６ 導電端子部、７ 端子電極、９
バンプ．
２ｂ 酸化膜、２ｃアルミ膜、３ 水晶片、４ カバ
ー、５ 導電路、６ 導電端子部、７ 端子電極、９
バンプ．
Claims (3)
- 【請求項１】シリコン基板のＡｌ膜からなる端子電極上
にバンプを接続し、前記バンプを超音波熱圧着によって
基板の導電端子部に接続してなるＩＣチップの接合方法
において、前記Ａｌ膜より厚みの大きい金属層を前記Ａ
ｌ膜上に設けたことを特徴とするＩＣチップの接合方
法。 - 【請求項２】前記金属層はメッキによるＡｕ層である請
求項１のＩＣチップの接合方法。 - 【請求項３】請求項１又は２におけるＩＣチップの接合
方法を用いて、容器本体の凹部にＩＣチップを接続し
て、水晶片を収容したことを特徴とする水晶発振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167736A JP2001351935A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Ｉｃチップの接合方法及びこれを用いた水晶発振器 |
| US09/651,023 US6445254B1 (en) | 2000-04-06 | 2000-08-30 | Crystal oscillator and method of bonding IC chip useful for fabricating crystal oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000167736A JP2001351935A (ja) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Ｉｃチップの接合方法及びこれを用いた水晶発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001351935A true JP2001351935A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=18670855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000167736A Pending JP2001351935A (ja) | 2000-04-06 | 2000-06-05 | Ｉｃチップの接合方法及びこれを用いた水晶発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001351935A (ja) |
-
2000
- 2000-06-05 JP JP2000167736A patent/JP2001351935A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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