JP2001326433A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents
多層配線基板及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術と比較して、高周波特性や耐ノイズ
性が更に優れる多層配線基板及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 信号パターン１を有する中間配線層と、
その中間配線層の上側に絶縁層２を介して形成され、前
記信号パターン１の上方に位置する上側遮蔽部１３を有
する上側遮蔽層と、前記中間配線層の下側に絶縁層３を
介して形成され、前記信号パターン１の下方に位置する
下側遮蔽部１４を有する下側遮蔽層とを備える多層配線
基板であって、前記信号パターン１の両側の下方にて前
記下側遮蔽部から立設する下側金属壁１６と、その下側
金属壁１６の上方に立設する上側金属壁１５とを設け
て、前記上側遮蔽部１３と前記下側遮蔽部１４とを導電
接続することで筒状遮蔽部１０を形成してある。
性が更に優れる多層配線基板及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 信号パターン１を有する中間配線層と、
その中間配線層の上側に絶縁層２を介して形成され、前
記信号パターン１の上方に位置する上側遮蔽部１３を有
する上側遮蔽層と、前記中間配線層の下側に絶縁層３を
介して形成され、前記信号パターン１の下方に位置する
下側遮蔽部１４を有する下側遮蔽層とを備える多層配線
基板であって、前記信号パターン１の両側の下方にて前
記下側遮蔽部から立設する下側金属壁１６と、その下側
金属壁１６の上方に立設する上側金属壁１５とを設け
て、前記上側遮蔽部１３と前記下側遮蔽部１４とを導電
接続することで筒状遮蔽部１０を形成してある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号パターンとそ
の周囲に形成される筒状遮蔽部を備えるシールド構造を
有する多層配線基板及びその製造方法に関し、特に、高
周波特性に優れ、耐ノイズ性の良好な多層配線基板及び
その製造方法に関する。
の周囲に形成される筒状遮蔽部を備えるシールド構造を
有する多層配線基板及びその製造方法に関し、特に、高
周波特性に優れ、耐ノイズ性の良好な多層配線基板及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器等の小形化や軽量化に伴
い、配線基板に対しても高密度化の要求が高まり、これ
に対応すべく配線層の多層構造化が行われている。多層
配線基板の製造は、絶縁層と配線パターンの形成を順次
繰り返すビルドアップ方式により、主に行われている。
い、配線基板に対しても高密度化の要求が高まり、これ
に対応すべく配線層の多層構造化が行われている。多層
配線基板の製造は、絶縁層と配線パターンの形成を順次
繰り返すビルドアップ方式により、主に行われている。
【０００３】一方、デジタル信号の処理の高速化や携帯
通信機器の普及により、多層配線基板においても、高周
波特性や耐ノイズ性の改善の要求が高まっており、多層
配線基板における各種のシールド構造（遮蔽構造）が提
案されている。
通信機器の普及により、多層配線基板においても、高周
波特性や耐ノイズ性の改善の要求が高まっており、多層
配線基板における各種のシールド構造（遮蔽構造）が提
案されている。
【０００４】例えば、特開平１１−６８３１３号公報に
は、信号線の回路パターンを断面コの字型の遮蔽層で上
方から囲った疑似同軸構造を有する多層配線基板や、更
に信号線の回路パターンの下方に絶縁層を介して面状パ
ターンを形成したものが開示されている。また、信号線
の回路パターンを絶縁層を介して上下の面状パターンで
挟み込んだシールド構造も知られている。
は、信号線の回路パターンを断面コの字型の遮蔽層で上
方から囲った疑似同軸構造を有する多層配線基板や、更
に信号線の回路パターンの下方に絶縁層を介して面状パ
ターンを形成したものが開示されている。また、信号線
の回路パターンを絶縁層を介して上下の面状パターンで
挟み込んだシールド構造も知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の技術で
は、いずれも信号線の回路パターンの全周を覆う筒状の
遮蔽層が形成されていないため、配線基板の更なる高密
度化や機器類の高速化において、高周波特性や耐ノイズ
性が十分とは言えなかった。つまり、配線基板が高密度
化すると、信号パターン間の電磁結合が密となるため、
静電誘導、電磁誘導などによるノイズやクロストークの
影響を受け易くなり、また信号パターン周辺の部品や他
のパターンの影響で、高周波域での特性インピーダンス
が不均一になり易い。
は、いずれも信号線の回路パターンの全周を覆う筒状の
遮蔽層が形成されていないため、配線基板の更なる高密
度化や機器類の高速化において、高周波特性や耐ノイズ
性が十分とは言えなかった。つまり、配線基板が高密度
化すると、信号パターン間の電磁結合が密となるため、
静電誘導、電磁誘導などによるノイズやクロストークの
影響を受け易くなり、また信号パターン周辺の部品や他
のパターンの影響で、高周波域での特性インピーダンス
が不均一になり易い。
【０００６】そこで、本発明の目的は、従来技術と比較
して、高周波特性や耐ノイズ性が更に優れる多層配線基
板及びその製造方法を提供することにある。
して、高周波特性や耐ノイズ性が更に優れる多層配線基
板及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の如き
本発明により達成できる。即ち、本発明の多層配線基板
は、信号パターンを有する中間配線層と、その中間配線
層の上側に絶縁層を介して形成され、前記信号パターン
の上方に位置する上側遮蔽部を有する上側遮蔽層と、前
記中間配線層の下側に絶縁層を介して形成され、前記信
号パターンの下方に位置する下側遮蔽部を有する下側遮
蔽層とを備える多層配線基板であって、前記信号パター
ンの両側の下方にて前記下側遮蔽部から立設する下側金
属壁と、その下側金属壁の上方に立設する上側金属壁と
を設けて、前記上側遮蔽部と前記下側遮蔽部とを導電接
続することで筒状遮蔽部を形成してあることを特徴とす
る。
本発明により達成できる。即ち、本発明の多層配線基板
は、信号パターンを有する中間配線層と、その中間配線
層の上側に絶縁層を介して形成され、前記信号パターン
の上方に位置する上側遮蔽部を有する上側遮蔽層と、前
記中間配線層の下側に絶縁層を介して形成され、前記信
号パターンの下方に位置する下側遮蔽部を有する下側遮
蔽層とを備える多層配線基板であって、前記信号パター
ンの両側の下方にて前記下側遮蔽部から立設する下側金
属壁と、その下側金属壁の上方に立設する上側金属壁と
を設けて、前記上側遮蔽部と前記下側遮蔽部とを導電接
続することで筒状遮蔽部を形成してあることを特徴とす
る。
【０００８】また、本発明の別の多層配線基板は、信号
パターンとその両側に形成された遮蔽パターンとを有す
る中間配線層と、その中間配線層の上側に絶縁層を介し
て形成され、前記信号パターンの上方に位置する上側遮
蔽部を有する上側遮蔽層と、前記中間配線層の下側に絶
縁層を介して形成され、前記信号パターンの下方に位置
する下側遮蔽部を有する下側遮蔽層とを備える多層配線
基板であって、両側の前記遮蔽パターン上に立設する上
側金属壁と前記遮蔽パターン下に立設する下側金属壁と
を設けて、前記上側遮蔽部と前記下側遮蔽部とを導電接
続することで筒状遮蔽部を形成してあることを特徴とす
る。
パターンとその両側に形成された遮蔽パターンとを有す
る中間配線層と、その中間配線層の上側に絶縁層を介し
て形成され、前記信号パターンの上方に位置する上側遮
蔽部を有する上側遮蔽層と、前記中間配線層の下側に絶
縁層を介して形成され、前記信号パターンの下方に位置
する下側遮蔽部を有する下側遮蔽層とを備える多層配線
基板であって、両側の前記遮蔽パターン上に立設する上
側金属壁と前記遮蔽パターン下に立設する下側金属壁と
を設けて、前記上側遮蔽部と前記下側遮蔽部とを導電接
続することで筒状遮蔽部を形成してあることを特徴とす
る。
【０００９】一方、本発明の多層配線基板の製造方法
は、下側遮蔽層の上側に絶縁層を介して信号パターンを
有する中間配線層を形成した後、その中間配線層の上側
に絶縁層を介して上側遮蔽層を形成する工程を有する多
層配線基板の製造方法であって、（ａ）前記信号パター
ンが形成される部分の下方に下側遮蔽部を有する下側遮
蔽層を形成する工程と、（ｂ）前記信号パターンが形成
される部分の両側の下方にて前記下側遮蔽部から立設す
る下側金属壁と、その下側金属壁が露出しつつ前記下側
遮蔽層を覆う絶縁層とを形成する工程と、（ｃ）両側の
前記下側金属壁の露出部の上面に接する遮蔽パターンと
その遮蔽パターンの間に設けられる前記信号パターンと
を有する中間配線層を形成する工程と、（ｄ）両側の前
記遮蔽パターンの上方に立設する上側金属壁と、その上
側金属壁が露出しつつ前記中間配線層を覆う絶縁層とを
形成する工程と、（ｅ）両側の前記上側金属壁の露出部
の間を少なくとも導電接続する上側遮蔽部を有する上側
遮蔽層を形成する工程とを有する、筒状遮蔽部を備える
多層配線基板の製造方法である。
は、下側遮蔽層の上側に絶縁層を介して信号パターンを
有する中間配線層を形成した後、その中間配線層の上側
に絶縁層を介して上側遮蔽層を形成する工程を有する多
層配線基板の製造方法であって、（ａ）前記信号パター
ンが形成される部分の下方に下側遮蔽部を有する下側遮
蔽層を形成する工程と、（ｂ）前記信号パターンが形成
される部分の両側の下方にて前記下側遮蔽部から立設す
る下側金属壁と、その下側金属壁が露出しつつ前記下側
遮蔽層を覆う絶縁層とを形成する工程と、（ｃ）両側の
前記下側金属壁の露出部の上面に接する遮蔽パターンと
その遮蔽パターンの間に設けられる前記信号パターンと
を有する中間配線層を形成する工程と、（ｄ）両側の前
記遮蔽パターンの上方に立設する上側金属壁と、その上
側金属壁が露出しつつ前記中間配線層を覆う絶縁層とを
形成する工程と、（ｅ）両側の前記上側金属壁の露出部
の間を少なくとも導電接続する上側遮蔽部を有する上側
遮蔽層を形成する工程とを有する、筒状遮蔽部を備える
多層配線基板の製造方法である。
【００１０】また、本発明の別の製造方法は、下側遮蔽
層の上側に絶縁層を介して信号パターンを有する中間配
線層を形成した後、その中間配線層の上側に絶縁層を介
して上側遮蔽層を形成する工程を有する多層配線基板の
製造方法であって、（ａ）前記信号パターンが形成され
る部分の下方に下側遮蔽部を有する下側遮蔽層を形成す
る工程と、（ｂ）前記信号パターンが形成される部分の
両側の下方にて前記下側遮蔽部から立設する下側金属壁
と、その下側金属壁が露出しつつ前記下側遮蔽層を覆う
絶縁層とを形成する工程と、（ｃ’）両側の前記下側金
属壁の露出部の間に設けられる前記信号パターンを有す
る中間配線層を形成する工程と、（ｄ’）両側の前記下
側金属壁の露出部の上方に立設する上側金属壁と、その
上側金属壁が露出しつつ前記中間配線層を覆う絶縁層と
を形成する工程と、（ｅ）両側の前記上側金属壁の露出
部の間を少なくとも導電接続する上側遮蔽部を有する上
側遮蔽層を形成する工程とを有する、筒状遮蔽部を備え
る多層配線基板の製造方法である。
層の上側に絶縁層を介して信号パターンを有する中間配
線層を形成した後、その中間配線層の上側に絶縁層を介
して上側遮蔽層を形成する工程を有する多層配線基板の
製造方法であって、（ａ）前記信号パターンが形成され
る部分の下方に下側遮蔽部を有する下側遮蔽層を形成す
る工程と、（ｂ）前記信号パターンが形成される部分の
両側の下方にて前記下側遮蔽部から立設する下側金属壁
と、その下側金属壁が露出しつつ前記下側遮蔽層を覆う
絶縁層とを形成する工程と、（ｃ’）両側の前記下側金
属壁の露出部の間に設けられる前記信号パターンを有す
る中間配線層を形成する工程と、（ｄ’）両側の前記下
側金属壁の露出部の上方に立設する上側金属壁と、その
上側金属壁が露出しつつ前記中間配線層を覆う絶縁層と
を形成する工程と、（ｅ）両側の前記上側金属壁の露出
部の間を少なくとも導電接続する上側遮蔽部を有する上
側遮蔽層を形成する工程とを有する、筒状遮蔽部を備え
る多層配線基板の製造方法である。
【００１１】上記において、前記下側金属壁及び前記上
側金属壁の形成は、それら金属壁を構成する金属のエッ
チング時に耐性を示す別の金属を、前記下側遮蔽層又は
前記中間配線層の非パターン部を含めた全面に被覆して
保護金属層を形成する工程と、その保護金属層の全面に
前記金属壁を構成する金属のメッキ層を電解メッキによ
り形成する工程と、そのメッキ層の前記金属壁を形成す
る表面部分に、マスク層を形成する工程と、前記メッキ
層のエッチングを行う工程と、少なくとも前記保護金属
層の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも前記
非パターン部を被覆する保護金属層を除去する工程によ
り行われることが好ましい。
側金属壁の形成は、それら金属壁を構成する金属のエッ
チング時に耐性を示す別の金属を、前記下側遮蔽層又は
前記中間配線層の非パターン部を含めた全面に被覆して
保護金属層を形成する工程と、その保護金属層の全面に
前記金属壁を構成する金属のメッキ層を電解メッキによ
り形成する工程と、そのメッキ層の前記金属壁を形成す
る表面部分に、マスク層を形成する工程と、前記メッキ
層のエッチングを行う工程と、少なくとも前記保護金属
層の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも前記
非パターン部を被覆する保護金属層を除去する工程によ
り行われることが好ましい。
【００１２】なお、本発明の多層配線基板は、半導体検
査に使用されるプローブカード用の配線基板として好適
に用いられる。
査に使用されるプローブカード用の配線基板として好適
に用いられる。
【００１３】［作用効果］本発明の多層配線基板による
と、信号パターンの両側の下方にて下側遮蔽部から立設
する下側金属壁と、その上方に立設する上側金属壁とを
設けて、上側遮蔽部と下側遮蔽部とを導電接続すること
で、ビルドアップ方式に準じた方法により、信号パター
ンの周囲に筒状遮蔽部を形成することができる。このた
め従来技術と比較して、高周波特性や耐ノイズ性が更に
優れる多層配線基板を提供することができる。
と、信号パターンの両側の下方にて下側遮蔽部から立設
する下側金属壁と、その上方に立設する上側金属壁とを
設けて、上側遮蔽部と下側遮蔽部とを導電接続すること
で、ビルドアップ方式に準じた方法により、信号パター
ンの周囲に筒状遮蔽部を形成することができる。このた
め従来技術と比較して、高周波特性や耐ノイズ性が更に
優れる多層配線基板を提供することができる。
【００１４】また、本発明の別の多層配線基板による
と、信号パターンの両側に形成された遮蔽パターン上に
立設する上側金属壁と遮蔽パターン下に立設する下側金
属壁とを設けて、上側遮蔽部と下側遮蔽部とを導電接続
することで、ビルドアップ方式に準じた方法により、信
号パターンの周囲に筒状遮蔽部を形成することができ
る。このため従来技術と比較して、高周波特性や耐ノイ
ズ性が更に優れる多層配線基板を提供することができ
る。なお、遮蔽パターンを下側金属壁と上側金属壁との
間に介在させてあるため、両層のより確実な導電接続が
可能となる。
と、信号パターンの両側に形成された遮蔽パターン上に
立設する上側金属壁と遮蔽パターン下に立設する下側金
属壁とを設けて、上側遮蔽部と下側遮蔽部とを導電接続
することで、ビルドアップ方式に準じた方法により、信
号パターンの周囲に筒状遮蔽部を形成することができ
る。このため従来技術と比較して、高周波特性や耐ノイ
ズ性が更に優れる多層配線基板を提供することができ
る。なお、遮蔽パターンを下側金属壁と上側金属壁との
間に介在させてあるため、両層のより確実な導電接続が
可能となる。
【００１５】一方、本発明の製造方法によると、ビルド
アップ方式に準じた方法により、下側遮蔽部、下側金属
壁、遮蔽パターン、上側金属壁、上側遮蔽部を順次形成
して、信号パターンの周囲に筒状遮蔽部を形成できるた
め、従来技術と比較して、高周波特性や耐ノイズ性が更
に優れる多層配線基板の製造方法を提供することができ
る。
アップ方式に準じた方法により、下側遮蔽部、下側金属
壁、遮蔽パターン、上側金属壁、上側遮蔽部を順次形成
して、信号パターンの周囲に筒状遮蔽部を形成できるた
め、従来技術と比較して、高周波特性や耐ノイズ性が更
に優れる多層配線基板の製造方法を提供することができ
る。
【００１６】また、本発明の別の製造方法によると、ビ
ルドアップ方式に準じた方法により、下側遮蔽部、下側
金属壁、上側金属壁、上側遮蔽部を順次形成して、信号
パターンの周囲に筒状遮蔽部を形成できるため、従来技
術と比較して、高周波特性や耐ノイズ性が更に優れる多
層配線基板の製造方法を提供することができる。
ルドアップ方式に準じた方法により、下側遮蔽部、下側
金属壁、上側金属壁、上側遮蔽部を順次形成して、信号
パターンの周囲に筒状遮蔽部を形成できるため、従来技
術と比較して、高周波特性や耐ノイズ性が更に優れる多
層配線基板の製造方法を提供することができる。
【００１７】前記下側金属壁及び前記上側金属壁の形成
が、それら金属壁を構成する金属のエッチング時に耐性
を示す別の金属を、前記下側遮蔽層又は前記中間配線層
の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金属層を形
成する工程と、その保護金属層の全面に前記金属壁を構
成する金属のメッキ層を電解メッキにより形成する工程
と、そのメッキ層の前記金属壁を形成する表面部分に、
マスク層を形成する工程と、前記メッキ層のエッチング
を行う工程と、少なくとも前記保護金属層の浸食が可能
なエッチングを行って、少なくとも前記非パターン部を
被覆する保護金属層を除去する工程により行われる場
合、保護金属層を設けてあるため、メッキ層のエッチン
グ時に下側遮蔽層や中間配線層が浸食されることなく、
マスク層を形成した位置に所望の金属壁を形成すること
ができる。また、保護金属層が全面に形成されているた
め、メッキ層を電解メッキにより形成することができ、
しかも孔内でなく、全面にメッキ層を形成するため、電
流密度を高めて短時間に所望厚さを有するメッキ層を形
成することができる。そして、上記の工程は、エッチン
グやメッキを組み合わせたものであり、レーザ照射等の
特殊な工程を特に必要としない。
が、それら金属壁を構成する金属のエッチング時に耐性
を示す別の金属を、前記下側遮蔽層又は前記中間配線層
の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金属層を形
成する工程と、その保護金属層の全面に前記金属壁を構
成する金属のメッキ層を電解メッキにより形成する工程
と、そのメッキ層の前記金属壁を形成する表面部分に、
マスク層を形成する工程と、前記メッキ層のエッチング
を行う工程と、少なくとも前記保護金属層の浸食が可能
なエッチングを行って、少なくとも前記非パターン部を
被覆する保護金属層を除去する工程により行われる場
合、保護金属層を設けてあるため、メッキ層のエッチン
グ時に下側遮蔽層や中間配線層が浸食されることなく、
マスク層を形成した位置に所望の金属壁を形成すること
ができる。また、保護金属層が全面に形成されているた
め、メッキ層を電解メッキにより形成することができ、
しかも孔内でなく、全面にメッキ層を形成するため、電
流密度を高めて短時間に所望厚さを有するメッキ層を形
成することができる。そして、上記の工程は、エッチン
グやメッキを組み合わせたものであり、レーザ照射等の
特殊な工程を特に必要としない。
【００１８】本発明の多層配線基板が、半導体検査に使
用されるプローブカード用の配線基板として用いられる
場合、特に当該用途では、半導体検査に使用される信号
の高速化に伴い、高い周波数の信号を信号線に通す必要
があり、配線間のクロストークの防止等が緊急の課題と
なっていたところ、本発明の如き信号パターンの周囲に
筒状遮蔽部を形成した多層配線基板によると、上記課題
に好適に対応できるようになり、上記用途として本発明
は極めて有用となる。
用されるプローブカード用の配線基板として用いられる
場合、特に当該用途では、半導体検査に使用される信号
の高速化に伴い、高い周波数の信号を信号線に通す必要
があり、配線間のクロストークの防止等が緊急の課題と
なっていたところ、本発明の如き信号パターンの周囲に
筒状遮蔽部を形成した多層配線基板によると、上記課題
に好適に対応できるようになり、上記用途として本発明
は極めて有用となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について、図面を参照しながら、多層配線基板、多層配
線基板の製造方法の順で説明する。
について、図面を参照しながら、多層配線基板、多層配
線基板の製造方法の順で説明する。
【００２０】〔多層配線基板〕本発明の多層配線基板
は、図１に示すように、信号パターン１を有する中間配
線層と、その中間配線層の上側に絶縁層２を介して形成
され、信号パターン１の上方に位置する上側遮蔽部１３
を有する上側遮蔽層と、中間配線層の下側に絶縁層３を
介して形成され、信号パターン１の下方に位置する下側
遮蔽部１４を有する下側遮蔽層とを備える。なお、下側
遮蔽層は、通常、絶縁層４（又は基材）の表面に形成さ
れている。
は、図１に示すように、信号パターン１を有する中間配
線層と、その中間配線層の上側に絶縁層２を介して形成
され、信号パターン１の上方に位置する上側遮蔽部１３
を有する上側遮蔽層と、中間配線層の下側に絶縁層３を
介して形成され、信号パターン１の下方に位置する下側
遮蔽部１４を有する下側遮蔽層とを備える。なお、下側
遮蔽層は、通常、絶縁層４（又は基材）の表面に形成さ
れている。
【００２１】また、信号パターン１の両側の下方にて下
側遮蔽部１４から立設する下側金属壁１６と、その下側
金属壁１６の上方に立設する上側金属壁１５とを設け
て、上側遮蔽部１３と下側遮蔽部１４とを導電接続する
ことで筒状遮蔽部１０を形成してある。
側遮蔽部１４から立設する下側金属壁１６と、その下側
金属壁１６の上方に立設する上側金属壁１５とを設け
て、上側遮蔽部１３と下側遮蔽部１４とを導電接続する
ことで筒状遮蔽部１０を形成してある。
【００２２】本発明の別の多層配線基板は、上記の多層
配線基板において、下側金属壁１６と上側金属壁１５と
の間に、遮蔽パターン１１，１２を介在させたものであ
るが、本発明では遮蔽パターン１１，１２の何れか一方
のみを介在させてもよい。このような多層配線基板は、
図２に示すように、信号パターン１とその両側に形成さ
れた遮蔽パターン１１，１２とを有する中間配線層と、
その中間配線層の上側に絶縁層２を介して形成され、信
号パターン１の上方に位置する上側遮蔽部１３を有する
上側遮蔽層と、中間配線層の下側に絶縁層３を介して形
成され、信号パターン１の下方に位置する下側遮蔽部１
４を有する下側遮蔽層とを備える。
配線基板において、下側金属壁１６と上側金属壁１５と
の間に、遮蔽パターン１１，１２を介在させたものであ
るが、本発明では遮蔽パターン１１，１２の何れか一方
のみを介在させてもよい。このような多層配線基板は、
図２に示すように、信号パターン１とその両側に形成さ
れた遮蔽パターン１１，１２とを有する中間配線層と、
その中間配線層の上側に絶縁層２を介して形成され、信
号パターン１の上方に位置する上側遮蔽部１３を有する
上側遮蔽層と、中間配線層の下側に絶縁層３を介して形
成され、信号パターン１の下方に位置する下側遮蔽部１
４を有する下側遮蔽層とを備える。
【００２３】また、両側の前記遮蔽パターン１１，１２
上には上側金属壁１５を立設してあり、遮蔽パターン１
１，１２下には下側金属壁１６を立設してある。これら
を設けることにより、上側遮蔽部１３と下側遮蔽部１４
とを導電接続することで筒状遮蔽部１０を形成してあ
る。なお、遮蔽パターン１１，１２は下側金属壁１６や
上側金属壁１５の底部の幅に近い幅が好ましいが、幅を
より広く形成してもよい。その場合、両側の遮蔽パター
ン１１，１２の最も信号パターン１に近い部分に下側金
属壁１６や上側金属壁１５が形成される。従って、本発
明における遮蔽パターン１１，１２、上側遮蔽部１３、
下側遮蔽部１４、上側金属壁１５、及び下側金属壁１６
は、それらによって筒状遮蔽部１０を形成し得る導電体
であれば、何れの材料、構造、形状等でもよい。なお、
上側遮蔽層及び下側遮蔽層は、上側遮蔽部１３又は下側
遮蔽部１４を含む層であり、それらとは別の配線パター
ン等を同時に含んでいてもよい。
上には上側金属壁１５を立設してあり、遮蔽パターン１
１，１２下には下側金属壁１６を立設してある。これら
を設けることにより、上側遮蔽部１３と下側遮蔽部１４
とを導電接続することで筒状遮蔽部１０を形成してあ
る。なお、遮蔽パターン１１，１２は下側金属壁１６や
上側金属壁１５の底部の幅に近い幅が好ましいが、幅を
より広く形成してもよい。その場合、両側の遮蔽パター
ン１１，１２の最も信号パターン１に近い部分に下側金
属壁１６や上側金属壁１５が形成される。従って、本発
明における遮蔽パターン１１，１２、上側遮蔽部１３、
下側遮蔽部１４、上側金属壁１５、及び下側金属壁１６
は、それらによって筒状遮蔽部１０を形成し得る導電体
であれば、何れの材料、構造、形状等でもよい。なお、
上側遮蔽層及び下側遮蔽層は、上側遮蔽部１３又は下側
遮蔽部１４を含む層であり、それらとは別の配線パター
ン等を同時に含んでいてもよい。
【００２４】上記において、信号パターン１や筒状遮蔽
部１０は、直線状又は非直線状に形成されるが、高周波
域での特性インピーダンスを均一にする上で、信号パタ
ーン１と筒状遮蔽部１０とで構成されるシールド構造の
断面形状が均一であるほど好ましい。また、筒状遮蔽部
１０は信号パターン１の全体又は一部に対して形成され
る。
部１０は、直線状又は非直線状に形成されるが、高周波
域での特性インピーダンスを均一にする上で、信号パタ
ーン１と筒状遮蔽部１０とで構成されるシールド構造の
断面形状が均一であるほど好ましい。また、筒状遮蔽部
１０は信号パターン１の全体又は一部に対して形成され
る。
【００２５】上記のような信号パターン１と筒状遮蔽部
１０とで構成されるシールド構造は、多層配線基板にお
いて単数又は複数設けられる。シールド構造が複数設け
られる場合、各シールド構造は、同一面内又は異なる面
内に設けられ、各々のシールド構造が、独立して又は一
部連結して形成される。
１０とで構成されるシールド構造は、多層配線基板にお
いて単数又は複数設けられる。シールド構造が複数設け
られる場合、各シールド構造は、同一面内又は異なる面
内に設けられ、各々のシールド構造が、独立して又は一
部連結して形成される。
【００２６】図３に示す例は、複数のシールド構造が同
一面内に設けられた例であるが、筒状遮蔽部１０を構成
する上側遮蔽部１３と下側遮蔽部１４とが、隣接するシ
ールド構造間で共通の金属パネルで形成されている。ま
た、下側金属壁１６と上側金属壁１５とを、隣接するシ
ールド構造間で共用してもよい。
一面内に設けられた例であるが、筒状遮蔽部１０を構成
する上側遮蔽部１３と下側遮蔽部１４とが、隣接するシ
ールド構造間で共通の金属パネルで形成されている。ま
た、下側金属壁１６と上側金属壁１５とを、隣接するシ
ールド構造間で共用してもよい。
【００２７】また、上記の多層配線基板は、図４に示す
ように、シールド構造以外の部分に配線パターン５を有
していてもよく、上側遮蔽層、中間配線層、下側遮蔽層
などに形成することができる。基板の両面にビルドアッ
プした両面多層配線基板としてもよく、その場合、中央
の基板側を下側と仮定して、本発明は説明される。
ように、シールド構造以外の部分に配線パターン５を有
していてもよく、上側遮蔽層、中間配線層、下側遮蔽層
などに形成することができる。基板の両面にビルドアッ
プした両面多層配線基板としてもよく、その場合、中央
の基板側を下側と仮定して、本発明は説明される。
【００２８】なお、信号パターン１や筒状遮蔽部１０
は、金属、導電性塗膜などの導電体で形成されるが、具
体的な材料としては、以下の製造方法で説明されるもの
が好ましい。なお、以下の如き製造方法に応じて、下側
金属壁１６や上側金属壁１５は１種又は２種以上の金属
等が積層された構造となる。
は、金属、導電性塗膜などの導電体で形成されるが、具
体的な材料としては、以下の製造方法で説明されるもの
が好ましい。なお、以下の如き製造方法に応じて、下側
金属壁１６や上側金属壁１５は１種又は２種以上の金属
等が積層された構造となる。
【００２９】本発明の多層配線基板は、以下で述べる本
発明の製造方法により好適に製造することができるが、
予めパターン形成した複数の層を、加熱加圧等により接
合する方法でも製造することができる。
発明の製造方法により好適に製造することができるが、
予めパターン形成した複数の層を、加熱加圧等により接
合する方法でも製造することができる。
【００３０】〔多層配線基板の製造方法〕本発明の多層
配線基板の製造方法は、下側遮蔽層の上側に絶縁層を介
して信号パターンを有する中間配線層を形成した後、そ
の中間配線層の上側に絶縁層を介して上側遮蔽層を形成
する工程を有するものである。そして、図５〜図８に示
すように、（ａ）信号パターンが形成される部分の下方
に下側遮蔽部１４を有する下側遮蔽層を形成する工程
（図５（１）参照）と、（ｂ）信号パターンが形成され
る部分の両側の下方にて下側遮蔽部１４から立設する下
側金属壁１６と、その下側金属壁１６が露出しつつ下側
遮蔽層を覆う絶縁層３とを形成する工程（図６（８）参
照）と、（ｃ）両側の下側金属壁の露出部１６ｅの上面
に接する遮蔽パターン１１，１２とその間に設けられる
信号パターン１とを有する中間配線層を形成する工程
（図７（９）参照）と、（ｄ）両側の遮蔽パターン１
１，１２の上方に立設する上側金属壁１５と、その上側
金属壁１５が露出しつつ前記中間配線層を覆う絶縁層２
とを形成する工程（図８（１２）参照）と、（ｅ）両側
の上側金属壁の露出部１５ｅの間を少なくとも導電接続
する上側遮蔽部１３を有する上側遮蔽層を形成する工程
（図８（１３）参照）とを有する。これによって、筒状
遮蔽部１０を備える多層配線基板を製造するものであ
る。
配線基板の製造方法は、下側遮蔽層の上側に絶縁層を介
して信号パターンを有する中間配線層を形成した後、そ
の中間配線層の上側に絶縁層を介して上側遮蔽層を形成
する工程を有するものである。そして、図５〜図８に示
すように、（ａ）信号パターンが形成される部分の下方
に下側遮蔽部１４を有する下側遮蔽層を形成する工程
（図５（１）参照）と、（ｂ）信号パターンが形成され
る部分の両側の下方にて下側遮蔽部１４から立設する下
側金属壁１６と、その下側金属壁１６が露出しつつ下側
遮蔽層を覆う絶縁層３とを形成する工程（図６（８）参
照）と、（ｃ）両側の下側金属壁の露出部１６ｅの上面
に接する遮蔽パターン１１，１２とその間に設けられる
信号パターン１とを有する中間配線層を形成する工程
（図７（９）参照）と、（ｄ）両側の遮蔽パターン１
１，１２の上方に立設する上側金属壁１５と、その上側
金属壁１５が露出しつつ前記中間配線層を覆う絶縁層２
とを形成する工程（図８（１２）参照）と、（ｅ）両側
の上側金属壁の露出部１５ｅの間を少なくとも導電接続
する上側遮蔽部１３を有する上側遮蔽層を形成する工程
（図８（１３）参照）とを有する。これによって、筒状
遮蔽部１０を備える多層配線基板を製造するものであ
る。
【００３１】また、本発明の別の製造方法は、上記の
（ｃ）工程に代えて、（ｃ’）両側の下側金属壁の露出
部１６ｅの間に設けられる信号パターン１を有する中間
配線層を形成する工程と、上記の（ｄ）工程に代えて、
（ｄ’）両側の下側金属壁の露出部１６ｅの上方に立設
する上側金属壁１５と、その上側金属壁１５が露出しつ
つ前記中間配線層を覆う絶縁層２とを形成する工程を有
するものである。
（ｃ）工程に代えて、（ｃ’）両側の下側金属壁の露出
部１６ｅの間に設けられる信号パターン１を有する中間
配線層を形成する工程と、上記の（ｄ）工程に代えて、
（ｄ’）両側の下側金属壁の露出部１６ｅの上方に立設
する上側金属壁１５と、その上側金属壁１５が露出しつ
つ前記中間配線層を覆う絶縁層２とを形成する工程を有
するものである。
【００３２】これら何れの製造方法においても以下で述
べるような方法により、下側金属壁１６と上側金属壁１
５とを形成するのが好ましい。
べるような方法により、下側金属壁１６と上側金属壁１
５とを形成するのが好ましい。
【００３３】先ず、図５（１）に示すように、基材４上
に下側遮蔽部１４をパターン形成する。その際、パター
ン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エッチングレ
ジストを使用する方法や、パターンメッキ用レジストを
使用する方法等で作製することができる。基材４として
は、ガラス繊維とポリイミド樹脂等の各種反応硬化性樹
脂とからなる基材を用いることができ、また、下側遮蔽
部１４を構成する金属としては、通常、銅、ニッケル、
錫等が使用できる。
に下側遮蔽部１４をパターン形成する。その際、パター
ン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エッチングレ
ジストを使用する方法や、パターンメッキ用レジストを
使用する方法等で作製することができる。基材４として
は、ガラス繊維とポリイミド樹脂等の各種反応硬化性樹
脂とからなる基材を用いることができ、また、下側遮蔽
部１４を構成する金属としては、通常、銅、ニッケル、
錫等が使用できる。
【００３４】次に、図５（２）に示すように、下側遮蔽
部１４を含む下側遮蔽層の非パターン部を含めた全面に
無電解メッキを行って下地導電層１６ａを形成する。無
電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液
が使用されるが、これらの金属は、下側遮蔽部１４を構
成する金属と同一でも異なっていてもよい。無電解メッ
キのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種
のものが市販されている。なお、無電解メッキに先立っ
て、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。
部１４を含む下側遮蔽層の非パターン部を含めた全面に
無電解メッキを行って下地導電層１６ａを形成する。無
電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液
が使用されるが、これらの金属は、下側遮蔽部１４を構
成する金属と同一でも異なっていてもよい。無電解メッ
キのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種
のものが市販されている。なお、無電解メッキに先立っ
て、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。
【００３５】次に、図５（３）に示すように、下側遮蔽
層の非パターン部を含めた全面を保護金属層１６ｂで被
覆すべく、下地導電層１６ａの全面に電解メッキを行っ
て保護金属層１６ｂを形成する。その際、保護金属層１
６ｂを構成する金属としては、下側金属壁１６を構成す
る金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用され
る。具体的には、下側金属壁１６を構成する金属が銅で
ある場合、保護金属層１６ｂを構成する別の金属として
は、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケ
ル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金
合金等が使用される。但し、本発明は、これらの金属の
組合せに限らず、電解メッキ可能な金属と、そのエッチ
ング時に耐性を示す別の金属との組合せが何れも使用可
能である。なお、電解メッキは、周知の方法で行うこと
ができる。
層の非パターン部を含めた全面を保護金属層１６ｂで被
覆すべく、下地導電層１６ａの全面に電解メッキを行っ
て保護金属層１６ｂを形成する。その際、保護金属層１
６ｂを構成する金属としては、下側金属壁１６を構成す
る金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用され
る。具体的には、下側金属壁１６を構成する金属が銅で
ある場合、保護金属層１６ｂを構成する別の金属として
は、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケ
ル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金
合金等が使用される。但し、本発明は、これらの金属の
組合せに限らず、電解メッキ可能な金属と、そのエッチ
ング時に耐性を示す別の金属との組合せが何れも使用可
能である。なお、電解メッキは、周知の方法で行うこと
ができる。
【００３６】即ち、本発明における金属壁を構成する金
属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下側遮蔽層
又は前記中間配線層の非パターン部を含めた全面に被覆
して保護金属層を形成する工程は、上述のように下地導
電層１６ａ等が介在する状態で、保護金属層１６ｂによ
る被覆を行ってもよく、また、介在させずに直接、保護
金属層１６ｂによる被覆を行ってもよい。基材４の全面
に無電解メッキを行って下地導電層１６ａを形成した後
にパターン形成した下側遮蔽層に対し、その全面に電解
メッキを行って保護金属層１６ｂを形成してもよい。ま
た、下地導電層をスパッタリング等により形成すること
も可能である。
属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下側遮蔽層
又は前記中間配線層の非パターン部を含めた全面に被覆
して保護金属層を形成する工程は、上述のように下地導
電層１６ａ等が介在する状態で、保護金属層１６ｂによ
る被覆を行ってもよく、また、介在させずに直接、保護
金属層１６ｂによる被覆を行ってもよい。基材４の全面
に無電解メッキを行って下地導電層１６ａを形成した後
にパターン形成した下側遮蔽層に対し、その全面に電解
メッキを行って保護金属層１６ｂを形成してもよい。ま
た、下地導電層をスパッタリング等により形成すること
も可能である。
【００３７】次に、図５（４）に示すように、保護金属
層１６ｂの全面に金属壁を構成する金属のメッキ層１６
ｃを電解メッキにより形成する。当該金属としては、通
常、銅、ニッケル等が使用されるが、下側遮蔽部１４を
構成する金属とは同一でも異なっていてもよい。メッキ
層１６ｃの厚みとしては、例えば２０〜２００μｍが例
示される。このように電解メッキにより全面にメッキ層
１６ｃを形成するため、メッキ層１６ｃの高さが略等し
くなり、略均一な高さの金属壁を迅速に形成することが
できる。
層１６ｂの全面に金属壁を構成する金属のメッキ層１６
ｃを電解メッキにより形成する。当該金属としては、通
常、銅、ニッケル等が使用されるが、下側遮蔽部１４を
構成する金属とは同一でも異なっていてもよい。メッキ
層１６ｃの厚みとしては、例えば２０〜２００μｍが例
示される。このように電解メッキにより全面にメッキ層
１６ｃを形成するため、メッキ層１６ｃの高さが略等し
くなり、略均一な高さの金属壁を迅速に形成することが
できる。
【００３８】次に、図６（５）に示すように、メッキ層
１６ｃの前記金属壁を形成する表面部分にマスク層２０
を形成する。マスク層２０は、例えばスクリーン印刷や
フォトリソグラフィーにより形成することができる。マ
スク層２０の幅は、金属壁の幅に応じて決定され、例え
ば１００〜３００μｍ、或いはそれ以上のものが例示さ
れる。
１６ｃの前記金属壁を形成する表面部分にマスク層２０
を形成する。マスク層２０は、例えばスクリーン印刷や
フォトリソグラフィーにより形成することができる。マ
スク層２０の幅は、金属壁の幅に応じて決定され、例え
ば１００〜３００μｍ、或いはそれ以上のものが例示さ
れる。
【００３９】次に、図６（６）に示すように、メッキ層
１６ｃのエッチングを行う。その際、エッチングによる
浸食量が多過ぎると、形成される金属壁が細線化（アン
ダーカットの増大）して、後の工程に支障をきたす場合
が生じ、逆に、浸食量が少な過ぎると、非パターン部に
メッキ層１６ｃが残存して、短絡の原因となる場合が生
じる。従って、上記のエッチングによる浸食の程度は、
図６（６）に示す程度か、或いはこれより多少増減する
範囲内が好ましい。
１６ｃのエッチングを行う。その際、エッチングによる
浸食量が多過ぎると、形成される金属壁が細線化（アン
ダーカットの増大）して、後の工程に支障をきたす場合
が生じ、逆に、浸食量が少な過ぎると、非パターン部に
メッキ層１６ｃが残存して、短絡の原因となる場合が生
じる。従って、上記のエッチングによる浸食の程度は、
図６（６）に示す程度か、或いはこれより多少増減する
範囲内が好ましい。
【００４０】エッチングの方法としては、メッキ層１６
ｃ及び保護金属層１６ｂを構成する各金属の種類に応じ
た、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げら
れる。例えば、メッキ層１６ｃが銅であり、保護金属層
１６ｂが前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、
市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過
酸化水素／硫酸等が使用される。
ｃ及び保護金属層１６ｂを構成する各金属の種類に応じ
た、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げら
れる。例えば、メッキ層１６ｃが銅であり、保護金属層
１６ｂが前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、
市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過
酸化水素／硫酸等が使用される。
【００４１】次に、図６（７）に示すように、マスク層
２０の除去を行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、
マスク層２０の種類に応じて適宜選択すればよい。例え
ば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクで
ある場合、アルカリ等の薬品にて除去される。
２０の除去を行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、
マスク層２０の種類に応じて適宜選択すればよい。例え
ば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクで
ある場合、アルカリ等の薬品にて除去される。
【００４２】マスク層２０を除去する前又は後に、少な
くとも保護金属層１６ｂの浸食が可能なエッチングを行
って、少なくとも非パターン部を被覆する保護金属層１
６ｂを除去する。保護金属層１６ｂの除去には、その浸
食が可能なエッチングを通常行う。エッチングの方法と
しては、前記とは異なるエッチング液を用いたエッチン
グ方法が挙げられるが、塩化物エッチング液を用いると
金属系レジスト及び銅の両者が浸食されるため、その他
のエッチング液を用いるのが好ましい。具体的には、前
述の金属の組合せの場合、はんだ剥離用として市販され
ている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチ
ング液等を用いるのが好ましい。
くとも保護金属層１６ｂの浸食が可能なエッチングを行
って、少なくとも非パターン部を被覆する保護金属層１
６ｂを除去する。保護金属層１６ｂの除去には、その浸
食が可能なエッチングを通常行う。エッチングの方法と
しては、前記とは異なるエッチング液を用いたエッチン
グ方法が挙げられるが、塩化物エッチング液を用いると
金属系レジスト及び銅の両者が浸食されるため、その他
のエッチング液を用いるのが好ましい。具体的には、前
述の金属の組合せの場合、はんだ剥離用として市販され
ている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチ
ング液等を用いるのが好ましい。
【００４３】次に、非パターン部に残存する下地導電層
１６ａをソフトエッチングで除去するが、ソフトエッチ
ングを行うのは、金属壁等を過度に浸食するのを防止す
るためである。ソフトエッチングの方法としては、エッ
チング液を低濃度で使用したり、また緩やかなエッチン
グの処理条件で使用したりする方法等が挙げられる。
１６ａをソフトエッチングで除去するが、ソフトエッチ
ングを行うのは、金属壁等を過度に浸食するのを防止す
るためである。ソフトエッチングの方法としては、エッ
チング液を低濃度で使用したり、また緩やかなエッチン
グの処理条件で使用したりする方法等が挙げられる。
【００４４】次に、図６（８）に示すように、絶縁層３
を形成するための絶縁材の塗布を行った後、硬化した絶
縁材を研削・研磨等することにより、信号パターンが形
成される部分の両側の下方にて下側遮蔽部１４から立設
する下側金属壁１６と、その下側金属壁１６が露出しつ
つ下側遮蔽層を覆う絶縁層３とを形成する（ｂ工程）。
絶縁材としては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリ
イミド樹脂等の反応硬化性樹脂を用いることができ、こ
れを各種方法で、下側金属壁１６の高さよりやや厚くな
るように塗布した後、加熱又は光照射等により硬化させ
ればよい。塗布方法としては、ホットプレス及び各種コ
ーターが用いられる。また、研削の方法としては、ダイ
ヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置し
た硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げら
れ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された
配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面
を平坦化することができる。また、研磨の方法として
は、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法
が挙げられる。
を形成するための絶縁材の塗布を行った後、硬化した絶
縁材を研削・研磨等することにより、信号パターンが形
成される部分の両側の下方にて下側遮蔽部１４から立設
する下側金属壁１６と、その下側金属壁１６が露出しつ
つ下側遮蔽層を覆う絶縁層３とを形成する（ｂ工程）。
絶縁材としては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリ
イミド樹脂等の反応硬化性樹脂を用いることができ、こ
れを各種方法で、下側金属壁１６の高さよりやや厚くな
るように塗布した後、加熱又は光照射等により硬化させ
ればよい。塗布方法としては、ホットプレス及び各種コ
ーターが用いられる。また、研削の方法としては、ダイ
ヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置し
た硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げら
れ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された
配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面
を平坦化することができる。また、研磨の方法として
は、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法
が挙げられる。
【００４５】次に、図７（９）に示すように、両側の下
側金属壁１６の露出部１６ｅの上面に接する遮蔽パター
ン１１，１２とその間に設けられる信号パターン１とを
有する中間配線層を形成する（ｃ工程）。この中間配線
層の形成は、下側遮蔽層と同様に、例えば、フォトリソ
グラフィ技術を用いて所定のマスクを形成し、エッチン
グ処理することによって、所定のパターンを持った中間
配線層を形成することができる。
側金属壁１６の露出部１６ｅの上面に接する遮蔽パター
ン１１，１２とその間に設けられる信号パターン１とを
有する中間配線層を形成する（ｃ工程）。この中間配線
層の形成は、下側遮蔽層と同様に、例えば、フォトリソ
グラフィ技術を用いて所定のマスクを形成し、エッチン
グ処理することによって、所定のパターンを持った中間
配線層を形成することができる。
【００４６】また、図７（１０）〜図８（１２）に示す
ように、前記と同様にして、両側の遮蔽パターン１１，
１２の上方に立設する上側金属壁１５と、その上側金属
壁１５が露出しつつ前記中間配線層を覆う絶縁層２とを
形成する（ｄ工程）。つまり、中間配線層の非パターン
部を含めた全面に無電解メッキを行って下地導電層１５
ａを形成し、その全面に電解メッキを行って保護金属層
１５ｂを形成する（図７（１０）参照）。次に、保護金
属層１５ｂの全面に金属壁を構成する金属のメッキ層を
電解メッキにより形成し、メッキ層の前記金属壁を形成
する表面部分にマスク層を形成した後、メッキ層のエッ
チングを行い、次いで、マスク層を除去し、その前後い
ずれかに、少なくとも保護金属層１５ｂの浸食が可能な
エッチングを行って、少なくとも非パターン部を被覆す
る保護金属層１５ｂを除去し、残存する下地導電層１５
ａをソフトエッチングで除去する（図７（１１）参
照）。次に、絶縁層２を形成するための絶縁材の塗布を
行った後、硬化した絶縁材を研削・研磨等する（図８
（１２）参照）。
ように、前記と同様にして、両側の遮蔽パターン１１，
１２の上方に立設する上側金属壁１５と、その上側金属
壁１５が露出しつつ前記中間配線層を覆う絶縁層２とを
形成する（ｄ工程）。つまり、中間配線層の非パターン
部を含めた全面に無電解メッキを行って下地導電層１５
ａを形成し、その全面に電解メッキを行って保護金属層
１５ｂを形成する（図７（１０）参照）。次に、保護金
属層１５ｂの全面に金属壁を構成する金属のメッキ層を
電解メッキにより形成し、メッキ層の前記金属壁を形成
する表面部分にマスク層を形成した後、メッキ層のエッ
チングを行い、次いで、マスク層を除去し、その前後い
ずれかに、少なくとも保護金属層１５ｂの浸食が可能な
エッチングを行って、少なくとも非パターン部を被覆す
る保護金属層１５ｂを除去し、残存する下地導電層１５
ａをソフトエッチングで除去する（図７（１１）参
照）。次に、絶縁層２を形成するための絶縁材の塗布を
行った後、硬化した絶縁材を研削・研磨等する（図８
（１２）参照）。
【００４７】次に、図８（１３）に示すように、両側の
上側金属壁１５の露出部１５ｅの間を少なくとも導電接
続する上側遮蔽部１３を有する上側遮蔽層を形成する
（ｅ工程）。この工程も下側遮蔽層と同様に、例えば、
フォトリソグラフィ技術を用いて所定のマスクを形成
し、エッチング処理することによって、所定のパターン
を持った下側遮蔽層を形成することができる。
上側金属壁１５の露出部１５ｅの間を少なくとも導電接
続する上側遮蔽部１３を有する上側遮蔽層を形成する
（ｅ工程）。この工程も下側遮蔽層と同様に、例えば、
フォトリソグラフィ技術を用いて所定のマスクを形成
し、エッチング処理することによって、所定のパターン
を持った下側遮蔽層を形成することができる。
【００４８】〔別の実施形態〕 （１）前記下側金属壁及び前記上側金属壁を形成するに
際し、その金属壁を構成する金属のエッチング時に耐性
を示す導電体を、前記下側遮蔽層のパターン部に被覆し
て導電体層を形成する工程、その導電体層を含む略全面
に、前記金属壁を構成する金属のメッキ層を形成する工
程、そのメッキ層の前記金属壁を形成する表面部分に、
マスク層を形成する工程、及び前記メッキ層のエッチン
グを行う工程を含む工程により本発明を実施してもよ
い。
際し、その金属壁を構成する金属のエッチング時に耐性
を示す導電体を、前記下側遮蔽層のパターン部に被覆し
て導電体層を形成する工程、その導電体層を含む略全面
に、前記金属壁を構成する金属のメッキ層を形成する工
程、そのメッキ層の前記金属壁を形成する表面部分に、
マスク層を形成する工程、及び前記メッキ層のエッチン
グを行う工程を含む工程により本発明を実施してもよ
い。
【００４９】（２）また、前記下側金属壁及び前記上側
金属壁を形成するに際し、下側遮蔽層の非パターン部を
含めた略全面に、下側遮蔽層とは異なる金属であって前
記金属壁を構成する金属のメッキ層を形成する工程、そ
のメッキ層の前記金属壁を形成する表面部分に、マスク
層を形成する工程、及び前記メッキ層を浸食し前記下側
遮蔽層を浸食しにくいエッチング剤により前記メッキ層
のエッチングを行う工程を含む工程により、本発明を実
施してもよい。
金属壁を形成するに際し、下側遮蔽層の非パターン部を
含めた略全面に、下側遮蔽層とは異なる金属であって前
記金属壁を構成する金属のメッキ層を形成する工程、そ
のメッキ層の前記金属壁を形成する表面部分に、マスク
層を形成する工程、及び前記メッキ層を浸食し前記下側
遮蔽層を浸食しにくいエッチング剤により前記メッキ層
のエッチングを行う工程を含む工程により、本発明を実
施してもよい。
【００５０】（３）また、前記下側金属壁及び前記上側
金属壁を形成するに際し、その形成部分が開口した絶縁
層に、金属をメッキしたり、導電性塗膜を塗布したりし
てもよい。絶縁層の開口部に金属をメッキする場合、無
電解メッキと電解メッキを行ってもよいが、下側遮蔽部
は通常、グランド又は電源線となるため、そこから導通
をとって、電解メッキを行うのが好ましい。
金属壁を形成するに際し、その形成部分が開口した絶縁
層に、金属をメッキしたり、導電性塗膜を塗布したりし
てもよい。絶縁層の開口部に金属をメッキする場合、無
電解メッキと電解メッキを行ってもよいが、下側遮蔽部
は通常、グランド又は電源線となるため、そこから導通
をとって、電解メッキを行うのが好ましい。
【００５１】〔プローブカード用配線基板としての実施
形態〕次に、本発明の多層配線基板を半導体検査に使用
されるプローブカード用の配線基板として使用する場合
の実施形態について述べる。
形態〕次に、本発明の多層配線基板を半導体検査に使用
されるプローブカード用の配線基板として使用する場合
の実施形態について述べる。
【００５２】プローブカードは、一般的に半導体デバイ
スのボンディングパッド等に接続するための５０〜２５
０μｍΦ程度のタングステン製等の針を樹脂で固定し、
その針元を多層配線基板に設けられたパッドに半田付け
等により接続し、基板内で信号線を配線して、基板の外
周に設けられたパッドでテスターに電気的接続をする構
造になっている。針には同軸針を使用したり、針の長さ
を出来るだけ短くする構造にする事により、高速信号の
テストに対応するのが好ましい。そして、配線基板を本
発明のように信号線を完全に遮蔽した構造とする事によ
り、高速テスト信号への対応が可能となる。このため本
発明の多層配線基板は、プローブカード用配線基板とし
て極めて有用である。
スのボンディングパッド等に接続するための５０〜２５
０μｍΦ程度のタングステン製等の針を樹脂で固定し、
その針元を多層配線基板に設けられたパッドに半田付け
等により接続し、基板内で信号線を配線して、基板の外
周に設けられたパッドでテスターに電気的接続をする構
造になっている。針には同軸針を使用したり、針の長さ
を出来るだけ短くする構造にする事により、高速信号の
テストに対応するのが好ましい。そして、配線基板を本
発明のように信号線を完全に遮蔽した構造とする事によ
り、高速テスト信号への対応が可能となる。このため本
発明の多層配線基板は、プローブカード用配線基板とし
て極めて有用である。
【図１】本発明の多層配線基板の一例を示す斜視図
【図２】本発明の多層配線基板の他の例を示す斜視図
【図３】本発明の多層配線基板の他の例を示す断面図
【図４】本発明の多層配線基板の他の例を示す断面図
【図５】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す
工程図（１）〜（４）
工程図（１）〜（４）
【図６】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す
工程図（５）〜（８）
工程図（５）〜（８）
【図７】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す
工程図（９）〜（１１）
工程図（９）〜（１１）
【図８】本発明の多層配線基板の製造方法の一例を示す
工程図（１２）〜（１３）
工程図（１２）〜（１３）
１ 信号パターン ２ 絶縁層 ３ 絶縁層 １０ 筒状遮蔽部 １１ 遮蔽パターン １２ 遮蔽パターン １３ 上側遮蔽部 １４ 下側遮蔽部 １５ 上側金属壁 １６ 下側金属壁 ２０ マスク層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大久保 昌男 兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号 日 本電子材料株式会社内 (72)発明者 大久保 和正 兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号 日 本電子材料株式会社内 Ｆターム(参考） 5E321 AA17 AA31 GG05 5E338 AA03 BB02 BB12 BB25 CC01 CC05 CD01 CD02 EE13 5E346 AA35 BB02 BB04 BB06 CC04 CC10 CC31 CC32 CC33 CC37 CC38 CC39 CC40 DD03 DD25 DD47 DD48 EE31 GG17 GG22 HH04 HH06
Claims (6)
- 【請求項１】 信号パターンを有する中間配線層と、そ
の中間配線層の上側に絶縁層を介して形成され、前記信
号パターンの上方に位置する上側遮蔽部を有する上側遮
蔽層と、前記中間配線層の下側に絶縁層を介して形成さ
れ、前記信号パターンの下方に位置する下側遮蔽部を有
する下側遮蔽層とを備える多層配線基板であって、前記
信号パターンの両側の下方にて前記下側遮蔽部から立設
する下側金属壁と、その下側金属壁の上方に立設する上
側金属壁とを設けて、前記上側遮蔽部と前記下側遮蔽部
とを導電接続することで筒状遮蔽部を形成してある多層
配線基板。 - 【請求項２】 信号パターンとその両側に形成された遮
蔽パターンとを有する中間配線層と、その中間配線層の
上側に絶縁層を介して形成され、前記信号パターンの上
方に位置する上側遮蔽部を有する上側遮蔽層と、前記中
間配線層の下側に絶縁層を介して形成され、前記信号パ
ターンの下方に位置する下側遮蔽部を有する下側遮蔽層
とを備える多層配線基板であって、両側の前記遮蔽パタ
ーン上に立設する上側金属壁と前記遮蔽パターン下に立
設する下側金属壁とを設けて、前記上側遮蔽部と前記下
側遮蔽部とを導電接続することで筒状遮蔽部を形成して
ある多層配線基板。 - 【請求項３】 下側遮蔽層の上側に絶縁層を介して信号
パターンを有する中間配線層を形成した後、その中間配
線層の上側に絶縁層を介して上側遮蔽層を形成する工程
を有する多層配線基板の製造方法であって、（ａ）前記
信号パターンが形成される部分の下方に下側遮蔽部を有
する下側遮蔽層を形成する工程と、（ｂ）前記信号パタ
ーンが形成される部分の両側の下方にて前記下側遮蔽部
から立設する下側金属壁と、その下側金属壁が露出しつ
つ前記下側遮蔽層を覆う絶縁層とを形成する工程と、
（ｃ）両側の前記下側金属壁の露出部の上面に接する遮
蔽パターンとその遮蔽パターンの間に設けられる前記信
号パターンとを有する中間配線層を形成する工程と、
（ｄ）両側の前記遮蔽パターンの上方に立設する上側金
属壁と、その上側金属壁が露出しつつ前記中間配線層を
覆う絶縁層とを形成する工程と、（ｅ）両側の前記上側
金属壁の露出部の間を少なくとも導電接続する上側遮蔽
部を有する上側遮蔽層を形成する工程とを有する、筒状
遮蔽部を備える多層配線基板の製造方法。 - 【請求項４】 下側遮蔽層の上側に絶縁層を介して信号
パターンを有する中間配線層を形成した後、その中間配
線層の上側に絶縁層を介して上側遮蔽層を形成する工程
を有する多層配線基板の製造方法であって、（ａ）前記
信号パターンが形成される部分の下方に下側遮蔽部を有
する下側遮蔽層を形成する工程と、（ｂ）前記信号パタ
ーンが形成される部分の両側の下方にて前記下側遮蔽部
から立設する下側金属壁と、その下側金属壁が露出しつ
つ前記下側遮蔽層を覆う絶縁層とを形成する工程と、
（ｃ’）両側の前記下側金属壁の露出部の間に設けられ
る前記信号パターンを有する中間配線層を形成する工程
と、（ｄ’）両側の前記下側金属壁の露出部の上方に立
設する上側金属壁と、その上側金属壁が露出しつつ前記
中間配線層を覆う絶縁層とを形成する工程と、（ｅ）両
側の前記上側金属壁の露出部の間を少なくとも導電接続
する上側遮蔽部を有する上側遮蔽層を形成する工程とを
有する、筒状遮蔽部を備える多層配線基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記下側金属壁及び前記上側金属壁の形
成は、それら金属壁を構成する金属のエッチング時に耐
性を示す別の金属を、前記下側遮蔽層又は前記中間配線
層の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金属層を
形成する工程と、その保護金属層の全面に前記金属壁を
構成する金属のメッキ層を電解メッキにより形成する工
程と、そのメッキ層の前記金属壁を形成する表面部分
に、マスク層を形成する工程と、前記メッキ層のエッチ
ングを行う工程と、少なくとも前記保護金属層の浸食が
可能なエッチングを行って、少なくとも前記非パターン
部を被覆する保護金属層を除去する工程により行われる
請求項３又は４記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 半導体検査に使用されるプローブカード
用の配線基板として用いられるものである請求項１又は
２に記載の多層配線基板。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146679A JP3384995B2 (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| US10/234,669 US20040040739A1 (en) | 2000-05-18 | 2002-09-03 | Multilayer wiring board and method of manufacturing the same |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146679A JP3384995B2 (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 多層配線基板及びその製造方法 |
| US10/234,669 US20040040739A1 (en) | 2000-05-18 | 2002-09-03 | Multilayer wiring board and method of manufacturing the same |
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|---|---|
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| JP3384995B2 JP3384995B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=32684103
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| CN103974564B (zh) * | 2013-01-24 | 2018-11-06 | 北大方正集团有限公司 | Pcb同轴电缆的制作方法及pcb同轴电缆 |
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| CN113380833B (zh) * | 2021-05-31 | 2024-02-20 | 合肥维信诺科技有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 |
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- 2000-05-18 JP JP2000146679A patent/JP3384995B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-03 US US10/234,669 patent/US20040040739A1/en not_active Abandoned
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