WO2017030061A1

WO2017030061A1 - 多層基板、電子機器および多層基板の製造方法

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Publication number: WO2017030061A1
Application number: PCT/JP2016/073534
Authority: WO
Inventors: 森田勇; 用水邦明
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2015-08-18
Filing date: 2016-08-10
Publication date: 2017-02-23
Also published as: US20180153037A1; JP6547833B2; CN207766638U; JPWO2017030061A1; US10448510B2

Abstract

多層基板（１０１）は、それぞれ熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層（１１，１２，１３，１４，１５）が積層された基材と、絶縁基材層（１１，１２，１３，１４，１５）に形成される導体（４１，４２，４３，４４，４５，６１，６２，６３，７１）（導体パターン）、グランド電極（４６）およびグランド導体（４７）（導体パターン）と、導体（６１）に接続される金属部材（２１）とを備える。金属部材（２１）は基材の内部に収納され、絶縁基材層（１１，１２，１３，１４，１５）の積層方向（Ｚ軸方向）成分と絶縁基材層（１１，１２，１３，１４，１５）の主面に平行な平面方向成分とを有し、且つ、少なくとも一部が前記平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸する一連の部材であり、基材に形成される回路の少なくとも一部を構成する。

Description

多層基板、電子機器および多層基板の製造方法

　本発明は、多層基板に関し、特に例えば複数の絶縁基材層が積層された基材と、基材の内部に収納される金属部材とを有する多層基板およびそれを備える電子機器に関する。また、その多層基板の製造方法に関する。

　従来、複数の絶縁体層が積層された多層基板において、絶縁体層の主面に形成される導体パターンと、絶縁体層の主面に対し垂直方向に延伸する層間接続導体とを接続することにより、多層基板内に三次元構造の導体（回路）が形成される。

　例えば、特許文献１には、複数の配線基板が積層された積層体に内蔵される三次元構造のアンテナが開示されている。上記アンテナは、それぞれの配線基板の主面に形成される逆Ｆアンテナの導体パターンの給電端を、スルーホールやビア導体等の層間接続導体によって接続した三次元構造の導体である。

特開２００７－１２４３２８号公報

　しかし、特許文献１に示される構成の三次元構造の導体では、次のような課題が生じる。

（ａ）それぞれの配線基板に形成される導体パターン同士をスルーホールやビア導体等の層間接続導体で接続するため、配線基板に貫通孔を形成し、導電性部材を充填する等の工程が必要となり、製造工程が複雑化する。

（ｂ）配線基板の積みずれ（積層位置精度）を考慮する必要があり、導体パターンに無駄な部分が残るため、電気的特性にも影響を及ぼす。

（ｃ）配線基板の積層数が多くなると、層間接続導体も多くなるため、三次元構造の導体全体の導体損は大きくなる。また、層間接続導体による接続箇所が増えることにより、導体間の電気的接続の信頼性は低くなる。

　本発明の目的は、簡素な構成により、所望の形状を有し、且つ、導体損を抑制できる三次元構造の導体（回路）を、内部に収納した多層基板およびそれを備える電子機器を提供することにある。また、その多層基板の製造方法を提供することにある。

（１）本発明の多層基板は、
　複数の熱可塑性樹脂からなる絶縁基材層が積層された基材と、
　前記絶縁基材層に形成される導体パターンと、
　少なくとも一部が前記基材の内部に収納され、前記導体パターンに接続される金属部材と、
　を備え、
　前記金属部材は、折れ曲がった部分を介して前記絶縁基材層の積層方向成分と前記絶縁基材層の主面に平行な平面方向成分とを有し、且つ、少なくとも一部が前記平面方向に延伸する一連の部材であり、前記基材に形成される回路の少なくとも一部を構成することを特徴とする。

　一般的に導電性ペーストを固化してなるビア導体等の層間接続導体の導電率は金属部材に比べて低く、抵抗は高くなる。一方、この構成では、そのような層間接続導体を用いることなく、基材の内部に三次元構造の導体（回路）を形成できる。そのため、多数の層間接続導体を用いて三次元構造の導体（回路）を基材の内部に形成した場合と比べて、回路全体の導体損失を低減できる。

　また、この構成では、三次元構造の導体（回路）を基材の内部に形成するために、導体パターンや層間接続導体を絶縁基材層に形成する必要がない。そのため、製造工程を簡略化できる。また、この構成では、予め三次元構造に成形した金属部材を用いるため、導体パターンと導電性ペーストを固化してなる層間接続導体とで三次元構造の導体（回路）を形成する場合と比べて、電気的な接続信頼性は高い。

（２）上記（１）において、前記基材の内部に収納される前記金属部材の少なくとも一部は、積層した複数の前記絶縁基材層の内部に構成される、前記金属部材の形状に沿うように前記積層方向と前記絶縁基材層の前記主面に平行な平面方向とに延伸するキャビティ内に収納されることが好ましい。この構成により、所望の三次元構造を有する金属部材を基材の内部に備える多層基板を容易に実現できる。

（３）上記（１）または（２）において、前記絶縁基材層の積層方向における前記金属部材の厚みは、前記絶縁基材層の積層方向における前記導体パターンの厚みよりも大きいことが好ましい。この構成により、金属部材のＤＣＲ（直流抵抗）が小さくなり、導体損失が低減できる。また、絶縁基材層の積層方向における金属部材の厚みを大きくすることにより、金属部材の強度を高めることができ、加熱加圧時や外力等による金属部材の変形をさらに抑制できる。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記絶縁基材層に形成され、前記絶縁基材層の積層方向に延伸し、且つ、前記導体パターンに接続される層間接続導体、をさらに備え、前記層間接続導体と前記導体パターンとは、固相拡散接合により接続されることが好ましい。この構成では、層間接続導体と導体パターンとが面同士で接合している。そのため、層間接続導体と導体パターンとの間の接続の電気的・機械的な接続信頼性は高い。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記金属部材は、前記導体パターンと同じ材料で構成されることが好ましい。この構成では、例えば導電性接合材がＳｎを含み、金属部材および導体パターンがＣｕを含んでいる場合に、ＳｎとＣｕとで同じ固相拡散層を形成しやすい。したがって、金属部材および導体パターンの材料を合わせることが望ましい。

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記金属部材の一部は、前記絶縁基材層の積層方向に対して０°を超え、かつ、９０°未満に延伸することが好ましい。絶縁基材層の積層方向に延伸する部分と絶縁基材層の主面に平行な平面方向に延伸する部分とを組み合わせて三次元構造の導体を形成する場合に比べ、絶縁基材層の積層方向に対して鋭角に延伸する部分を有する方が、導体全体の長さを短くできる。したがって、この構成により、金属部材全体の導体長を短くでき、さらに導体損失を低減できる。

（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記金属部材は、アンテナの放射素子の少なくとも一部とすることができる。

（８）上記（１）から（７）のいずれかにおいて、前記導体パターンは信号導体を有し、前記金属部材は、前記信号導体の少なくとも三方向を囲むように配置され、前記金属部材と、前記信号導体と、を含む伝送線路が構成されることが好ましい。この構成では、基材の厚み方向および長手方向に延伸する面状の金属部材が、信号導体の幅方向にも配列されるため、層間接続導体が信号導体の幅方向に配列された構造に比べて、伝送線路から外部への不要輻射は抑制される。

（９）上記（１）から（８）のいずれかにおいて、前記基材は、前記金属部材に沿って形成される空孔を有していてもよい。金属部材と信号導体とを含んで伝送線路が構成される場合に、この構成により、信号導体に高周波信号を伝送したときの誘電体損失は抑制される。

（１０）本発明の電子機器は、
　筐体と、
　前記筐体の内部に収納される多層基板と、
　を備え、
　前記多層基板は、
　　複数の熱可塑性樹脂からなる絶縁基材層が積層された基材と、
　　前記絶縁基材層に形成される導体パターンと、
　　少なくとも一部が前記基材の内部に収納され、前記導体パターンに接続される金属部材と、
　　を有し、
　　前記金属部材は、折れ曲がった部分を介して前記絶縁基材層の積層方向成分と前記絶縁基材層の主面に平行な平面方向成分とを有し、且つ、少なくとも一部が前記平面方向に延伸する一連の部材であり、前記基材に形成される回路の少なくとも一部を構成することを特徴とする。

　この構成により、所望の形状を有し、且つ、導体損を抑制できる三次元構造の導体（回路）を、内部に収納した多層基板を備える電子機器を実現できる。

（１１）上記（１０）において、前記筐体の内部に収納される実装基板を備え、前記多層基板は、前記実装基板に実装されていてもよい。

（１２）本発明の多層基板の製造方法は、
　複数の熱可塑性樹脂からなる絶縁基材層が積層された基材と、
　前記絶縁基材層に形成される導体パターンと、
　前記基材の内部に収納され、前記導体パターンに接続される金属部材と、
　を備える多層基板の製造方法であって、
　前記導体パターンを複数の前記絶縁基材層に形成する第１工程と、
　前記金属部材を、前記絶縁基材層の積層方向成分と前記絶縁基材層の主面に平行な平面方向成分とを有し、且つ、少なくとも一部が前記平面方向に延伸する一連の部材に成形する第２工程と、
　積層した前記複数の絶縁基材層の積層の内部に、前記金属部材の形状に沿ったキャビティを構成する開口を、前記複数の絶縁基材層のうち、所定の複数の絶縁基材層に形成する第３工程と、
　前記第１工程、第２工程および前記第３工程の後に、前記複数の絶縁基材層を積層し、前記キャビティ内に前記金属部材を収納する第４工程と、
　前記第４工程の後に、積層した前記複数の絶縁基材層を加熱加圧することにより、前記基材を形成し、且つ、前記金属部材および前記導体パターンの一部が接続される第５工程と、
　を有することを特徴とする。

　この製造方法により、簡素な構成により、所望の形状を有し、且つ、導体損を抑制できる三次元構造の導体（回路）を、内部に収納した多層基板を容易に製造できる。

（１３）上記（１２）において、
　前記絶縁基材層に、前記絶縁基材層の積層方向に延伸する導電性ペーストからなる層間接続導体を形成する第６工程をさらに有し、
　前記第４工程は、
　前記第６工程の後に、前記金属部材と前記導体パターンの一部との間に導電性接合材を介在させる工程を含み、
　前記層間接続導体および前記導電性接合材は、前記第５工程における加熱加圧時の温度よりも融点が低い材料であり、
　前記第５工程により、前記金属部材および前記導体パターンの一部が前記導電性接合材を介して接続され、且つ、互いに異なる前記絶縁基材層に形成された前記導体パターンおよび前記層間接続導体が接続されることが好ましい。

　この製造方法では、第５工程における加熱加圧時に、導電性接合材を介した金属部材および導体パターンの一部の間の接続と、互いに異なる絶縁基材層に形成された導体パターンおよび層間接続導体の間の接続とを同時に行うことができる。したがって、製造工程を簡略化できる。

（１４）上記（１２）または（１３）において、
　前記第２工程は、
　前記金属部材を塑性変形する工程を含むことが好ましい。

　この製造方法により、所望の三次元構造を有する金属部材２１の成形が容易となる。

　本発明によれば、簡素な構成により、所望の形状を有し、且つ、導体損を抑制できる三次元構造の導体（回路）を、内部に収納した多層基板およびそれを備える電子機器を実現できる。

図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の外観斜視図である。図２は多層基板１０１の分解斜視図である。図３は多層基板１０１の平面図である。図４は多層基板１０１の断面図である。図５（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２の断面図であり、図５（Ｂ）は多層基板１０２の基材１０内部に収納される金属部材２２の外観斜視図である。図６（Ａ）は、厚み方向（Ｚ軸方向）に対して鋭角に延伸する金属部材２３を、内部に収納する基材１０Ａの断面図であり、図６（Ｂ）は比較例として、導体６１，６２，６３および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４を、内部に収納する基材１０Ｂの断面図である。図７（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の主要部分を示す断面図であり、図７（Ｂ）は多層基板１０３の主要部分を示す分解断面図である。図８は、多層基板１０３が備える金属部材２３の斜視図である。図９は、第３の実施形態に係る電子機器２０１の主要部を示す断面図である。図１０（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板１０４Ａの主要部における外観斜視図であり、図１０（Ｂ）は多層基板１０４Ａの主要部における断面図である。図１１は多層基板１０４Ａの主要部における分解斜視図である。図１２（Ａ）は第４の実施形態に係る別の多層基板１０４Ｂの主要部分における外観斜視図であり、図１２（Ｂ）は多層基板１０４Ｂの主要部分における断面図である。図１３は、多層基板１０４Ｂの製造工程を順に示す断面図である。図１４は、第５の実施形態に係る多層基板１０５の外観斜視図である。図１５は、多層基板１０５の分解斜視図である。図１６は、図１４におけるＡ－Ａ断面図である。図１７（Ａ）は第６の実施形態に係る電子機器２０２の主要部分を示す斜視図であり、図１７（Ｂ）は電子機器２０２の主要部分を示す分解斜視図である。図１８（Ａ）は第７の実施形態に係る多層基板１０７の外観斜視図であり、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）とは別の視点から視た多層基板１０７の外観斜視図である。図１９は多層基板１０７の分解斜視図である。図２０（Ａ）は図１８（Ａ）におけるＢ－Ｂ断面図であり、図２０（Ｂ）は図１８（Ａ）におけるＣ－Ｃ断面図である。図２１は図１８（Ａ）におけるＤ－Ｄ断面図である。図２２（Ａ）は基材１０Ｇの外観斜視図であり、図２２（Ｂ）は基材１０Ｇの分解斜視図である。図２３（Ａ）は基材１０Ｈの外観斜視図であり、図２３（Ｂ）は基材１０Ｈの分解斜視図である。図２４は基材１０Ｇの製造工程を順に示す斜視図である。図２５は基材１０Ｈの製造工程を順に示す斜視図である。

　以降、図を参照していくつかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。

　《第１の実施形態》
　図１は第１の実施形態に係る多層基板１０１の外観斜視図である。図２は多層基板１０１の分解斜視図である。図３は多層基板１０１の平面図である。図４は多層基板１０１の断面図である。本実施形態に係る多層基板１０１は複数の樹脂基材層からなる基材の内部に、アンテナの放射素子として機能する金属部材が収納された構造の多層基板である。

　図１および図２に示すように、多層基板１０１は、第１主面ＶＳ１と第１主面ＶＳ１に対向する第２主面ＶＳ２を有する基材１０、金属部材２１、実装部品３１，３２およびコネクタ５１を備える。この基材１０の内部には金属部材２１が収納（埋設）される。実装部品３１，３２およびコネクタ５１は、基材１０の第１主面ＶＳ１に実装される。

　基材１０は、長手方向が横方向（図１におけるＸ軸方向）に一致し、短手方向が縦方向（Ｙ軸方向）に一致した略長尺状の絶縁体平板である。基材１０は、それぞれ熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を厚み方向（図１におけるＺ軸方向）に積層し、加熱加圧して構成される。これら横方向（Ｘ軸方向）および縦方向（Ｙ軸方向）が本発明の「絶縁基材層の主面に平行な平面方向」に相当し、厚み方向（Ｚ軸方向）が本発明の「絶縁基材層の積層方向」に相当する。

　絶縁基材層１１は最上層であり、平面形状が正方形の平板である。絶縁基材層１２は絶縁基材層１１と同形状の平板である。絶縁基材層１２には開口ＡＰ１が形成されている。開口ＡＰ１は平面形状がコの字（ｃ字）形であり、絶縁基材層１２の上面から下面にまで達する貫通孔である。

　絶縁基材層１３は平面形状が矩形の平板である。絶縁基材層１３の上面には、電極４１，４２，４３，４４，４５および３つのグランド電極４６が形成される。電極４１，４２，４３，４４は矩形の導体パターンであり、絶縁基材層１３の中央に、且つ、絶縁基材層１３の長手方向（Ｘ軸方向）に沿って順に配置される。電極４５およびグランド電極４６は矩形の導体パターンであり、絶縁基材層１３の長手方向（Ｘ軸方向）の一端（図２における絶縁基材層１３の右側端）付近に配置される。

　また、絶縁基材層１３には層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６が形成される。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６は絶縁基材層１３の厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する導体である。層間接続導体Ｖ１は電極４１に接続され、層間接続導体Ｖ２は電極４２に接続される。層間接続導体Ｖ３は電極４３に接続され、層間接続導体Ｖ４は電極４４に接続される。層間接続導体Ｖ５は電極４５に接続され、層間接続導体Ｖ６は３つのグランド電極４６にそれぞれ接続される。層間接続導体は例えば絶縁基材層にビアホールを形成し、導電性ペーストを充填してなるビア導体等である。層間接続導体は、例えばＳｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｏの少なくとも１種もしくはこれらの合金を含む。

　また、絶縁基材層１３には開口ＡＰ２が形成されている。開口ＡＰ２は平面形状が直線（Ｉ字）状であり、絶縁基材層１３の上面から下面にまで達する貫通孔である。開口ＡＰ２は絶縁基材層１３の長手方向（Ｘ軸方向）の中央から他端（図２における絶縁基材層１３の左側端）寄りの位置に配置される。

　絶縁基材層１４は平面形状が矩形の平板である。絶縁基材層１４の上面には、導体６１，６２，６３および３つのグランド導体４７が形成される。導体６１，６２，６３は直線（Ｉ字）状の導体パターンであり、絶縁基材層１４の縦方向（Ｙ軸方向）中央に長手方向（Ｘ軸方向）に沿って順に配置される。導体６１の一端（図２における導体６１の右側端）は層間接続導体Ｖ１を介して電極４１に接続される。導体６２の他端（図２における導体６２の左側端）は層間接続導体Ｖ２を介して電極４２に接続され、導体６２の一端（図２における導体６２の右側端）は層間接続導体Ｖ３を介して電極４３に接続される。導体６３の他端（図２における導体６３の左側端）は層間接続導体Ｖ４を介して電極４４に接続され、導体６３の一端（図２における導体６３の右側端）は層間接続導体Ｖ５を介して電極４５に接続される。

　グランド導体４７は矩形の導体パターンであり、絶縁基材層１４の長手方向（Ｘ軸方向）の一端付近に配置される。３つのグランド導体４７は、それぞれ層間接続導体Ｖ６を介してグランド電極４６に接続される。また、絶縁基材層１４には層間接続導体Ｖ７が形成される。層間接続導体Ｖ７は、絶縁基材層１４の厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する導体である。層間接続導体Ｖ７は３つのグランド導体４７にそれぞれ接続される。

　絶縁基材層１５は最下層であり、平面形状が矩形の平板である。絶縁基材層１５の上面にはグランド導体７１が形成される。グランド導体７１は矩形の導体パターンである。グランド導体７１は、層間接続導体Ｖ７、グランド導体４７および層間接続導体Ｖ６を介してグランド電極４６に接続される。

　なお、層間接続導体は、導体パターン（電極４１，４２，４３，４４，４５、グランド電極４６、導体６１，６２，６３およびグランド導体４７，７１）と同じ材料を含んで構成されることが望ましい。

　基材１０は複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を積層し、加熱加圧して構成される。このとき、開口ＡＰ１，ＡＰ２が形成された絶縁基材層１２，１３と、開口が形成されていない絶縁基材層１１，１４との積層によって、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５の内部にキャビティが構成される。このキャビティは、金属部材２１の形状に沿うように厚み方向（Ｚ軸方向）および絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５の主面に平行な平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸している。金属部材２１は、このキャビティ内に収納（埋設）される。絶縁基材層１１，１２，１３，１４、１５はそれぞれ熱可塑性樹脂からなり、加熱加圧時に樹脂がこのキャビティ内に回り込むため、加熱加圧後は基材１０の内部には隙間が殆ど残らない。

　金属部材２１は、基材１０に形成される回路の少なくとも一部を構成し、折れ曲がった部分を介して厚み方向（Ｚ軸方向）成分と平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）成分とを有する三次元構造体である。具体的に説明すると、金属部材２１は、平面方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に延伸するコの字（ｃ字）状の部分と、厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する部分と、平面方向（Ｙ軸方向）に延伸する部分とが一体となった一連のワイヤー状部材である。なお、本発明において平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸する部分は必須とする。

　金属部材２１の一端は、導電性接合材１を介して導体６１の他端（図２における導体６１の左側端）に接続される。導電性接合材１は例えばＳｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｏの少なくとも１種もしくはこれらの合金を含む。

　金属部材２１は例えば円柱状の銅製ワイヤーであり、断面円形の銅製ワイヤーを所定長単位で切断し、塑性変形（鍛造）により成形することで得られる。なお、金属部材２１は、鋳造することにより三次元構造に成形してもよい。また、金属部材２１の断面形状は、後に詳述するように、必ずしも円形である必要は無い。金属部材２１は必ずしも銅製に限定されるものではなく、例えばＣｕ－Ｚｎ，Ａｌ等でもよい。

　なお、図４に示すように、Ｚ軸方向のおける金属部材２１の厚みは、Ｚ軸方向における導体パターン（電極４１，４２，４３，４４，４５、グランド電極４６、導体６１，６２，６３、グランド導体４７，７１）の厚みよりも大きい。

　本実施形態の金属部材２１は、例えばＵＨＦ帯アンテナの放射素子として機能する。そのため、多層基板１０１には、図３および図４に示すように、基材１０の内部に金属部材２１が収納（埋設）されたアンテナ部ＡＮが構成される。

　基材１０の第１主面ＶＳ１には、電極４１，４２，４３，４４，４５およびグランド電極４６が露出する。図４に示すように、実装部品３１，３２およびコネクタ５１は、基材１０の第１主面ＶＳ１に実装される。実装部品３１は、電極４１と電極４２との間に電気的に接続（接合）され、実装部品３２は電極４３と電極４４との間に電気的に接続（接合）される。また、コネクタ５１は電極４５および３つのグランド電極４６にそれぞれ電気的に接続（接合）される。この接続（接合）は例えばはんだや導電性接合材等を用いることにより行うことができる。

　実装部品３１，３２は例えばアンテナ部ＡＮとして機能する金属部材２１のインピーダンス整合用のリアクタンス素子であり、コネクタ５１は例えば他の回路基板に実装されたレセプタクルと接続するための接続部である。なお、後に詳述するように、実装部品３１，３２およびコネクタ５１は必須ではない。

　このように、本実施形態に係る多層基板１０１の基材１０には、直列に接続されたアンテナ部ＡＮ（金属部材２１）およびインピーダンス整合用のリアクタンス素子（実装部品３１，３２）による回路が形成される。

　本実施形態に係る多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）多層基板１０１では、予め三次元構造に成形した金属部材２１を基材１０に埋設した構造である。層間接続導体は例えば絶縁基材層に形成したビアホールに導電性ペーストを充填し、加熱加圧によって硬化（金属化）させることによって設けられる。この加熱加圧時に導電性ペーストに含まれる溶剤は揮発するため、導体粒子の充填率が低い。そのため、一般的に導電性ペーストを固化してなるビア導体等の層間接続導体の体積抵抗率は単体金属に比べて高い。一方、本実施形態に係る多層基板１０１は、導電性ペーストからなる層間接続導体を用いることなく、基材１０の内部に三次元構造の導体（回路）を形成できる。そのため、多数の層間接続導体を用いて三次元構造の導体（回路）を基材１０の内部に形成した場合と比べて、回路全体の導体損失を低減できる。

（ｂ）金属部材２１は導体パターンに比べて剛性が高いため、加熱加圧時に金属部材２１の変形が抑制される。また、金属部材２１を基材１０の内部に収納（埋設）することにより、基材１０の金属部材２１を埋設した部分（図３におけるアンテナ部ＡＮ）は、外力等による変形が抑制される。

（ｃ）本実施形態の多層基板１０１は、予め三次元構造に成形した金属部材２１を、基材１０の内部に収納（埋設）する構造である。そのため、所望の三次元構造を有する金属部材２１の成形が容易となる。また、本実施形態では、加熱加圧前の積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５の内部に、金属部材２１の形状に沿ったキャビティが構成され、このキャビティ内に金属部材２１が収納される。そのため、所望の三次元構造を有する金属部材２１を基材１０の内部に備える多層基板１０１を容易に実現できる。

（ｄ）また、この構成では、三次元構造の導体（回路）を基材１０の内部に形成するために、導体パターンや層間接続導体を絶縁基材層に形成する必要がない。そのため、製造工程を簡略化できる。また、この構成では、予め三次元構造に成形した金属部材２１を用いるため、導体パターンと層間接続導体とで三次元構造の導体（回路）を形成する場合と比べて、電気的な接続信頼性は高い。

（ｅ）多層基板１０１では、Ｚ軸方向のおける金属部材２１の厚みが、Ｚ軸方向における導体パターン（電極４１，４２，４３，４４，４５、グランド電極４６、導体６１，６２，６３、グランド導体４７，７１）の厚みよりも大きい。この構成により、金属部材２１のＤＣＲ（直流抵抗）が小さくなり、導体損失が低減できる。また、Ｚ軸方向における金属部材２１の厚みを大きくすることにより、金属部材２１の強度を高めることができ、加熱加圧時や外力等による金属部材２１の変形をさらに抑制できる。

（ｆ）本実施形態に係る多層基板１０１では、金属部材２１が、導体パターン（電極４１，４２，４３，４４，４５、グランド電極４６、導体６１，６２，６３、グランド導体４７，７１）と同じ材料で構成されている。この構成により、例えば導電性接合材がＳｎを含み、金属部材および導体パターンがＣｕを含んでいる場合に、ＳｎとＣｕとで同じ固相拡散層を形成しやすい。したがって、金属部材および導体パターンの材料を合わせることが望ましい。

（ｈ）多層基板１０１では、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７と導体パターン（電極４１，４２，４３，４４，４５、グランド電極４６、導体６１，６２，６３、グランド導体４７，７１）とが、固相拡散接合により接続される。熱圧着時の熱によって、例えば、層間接続導体のペーストに含まれるＳｎと、例えば、導体パターンに含まれるＣｕとの間でＣｕ_６Ｓｎ_５などの固相拡散層が界面に形成される。この構成では、層間接続導体と導体パターンとが面同士で接合しているため、層間接続導体と導体パターンとの間の接続の電気的・機械的な接続信頼性は高い。なお、層間接続導体および導体パターンの材料は固相拡散接合により接続する組合せであればよい。なお、層間接続導体と導体パターンとは、固相拡散接合により接続される構成に限定されるものではない。

　上記多層基板１０１の製造方法は次のとおりである。

（１）まず集合基板状態の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を用意する。絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５には例えば液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂基材が用いられる。

（２）次に、集合基板状態の絶縁基材層１３，１４，１５の片側主面に金属箔（例えば銅箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、導体パターン（電極４１，４２，４３，４４，４５、グランド電極４６、導体６１，６２，６３およびグランド導体４７，７１）を形成する。導体パターン（電極４１，４２，４３，４４，４５、グランド電極４６、導体６１，６２，６３およびグランド導体４７，７１）を絶縁基材層１３，１４，１５に形成するこの工程が、本発明における「第１工程」の例である。

（３）次に、集合基板状態の絶縁基材層１３，１４に層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７を形成する。絶縁基材層１３，１４に厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７を形成するこの工程が、本発明の「第６工程」の例である。

　層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７は、レーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｏ等のうち１以上にもしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱加圧（本発明の「第５工程」）で硬化させることによって設けられる。そのため、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７は、後の加熱加圧時の温度よりも融点が低い材料とする。

（４）金属部材２１を、厚み方向（Ｚ軸方向）成分と平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）成分とを有し、且つ、少なくとも一部が平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸する一連の形状となるように成形する。金属部材２１は例えば銅製ワイヤーであるが、Ｃｕ－Ｚｎ、Ａｌ等であってもよい。金属部材２１を三次元構造に成形するこの工程が、本発明における「第２工程」の例である。

　なお、金属部材２１は、例えば断面円形の銅製ワイヤーを所定長単位で切断し、塑性変形（鍛造）により成形することで三次元構造を得ることができるが、この方法に限定されるものではない。金属部材２１は、鋳造することにより三次元構造に成形してもよい。

（５）次に、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５の内部にキャビティを構成する開口ＡＰ１，ＡＰ２を、絶縁基材層１２，１３に形成する。なお、開口ＡＰ１，ＡＰ２が形成される絶縁基材層１２，１３が、本発明における「所定の絶縁基材層」に相当する。開口ＡＰ１，ＡＰ２を、絶縁基材層１２，１３に形成するこの工程が、本発明における「第３工程」の例である。

（６）上記（１）～（５）の後に、絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を積層し、キャビティ（開口ＡＰ１，ＡＰ２）内に、成形した金属部材２１を収納する。絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を積層し、キャビティ（開口ＡＰ１，ＡＰ２）内に成形した金属部材２１を収納するこの工程が、本発明における「第４工程」の例である。

　このとき、金属部材２１と絶縁基材層１４に形成された導体６１（導体パターン）の一部との間に導電性接合材１を介在させることが好ましい。導電性接合材１は、金属部材２１の一端に形成してもよく、絶縁基材層１４に形成された導体６１（導体パターン）の一部に形成してもよい。導電性接合材１を後の加熱加圧工程（本発明の「第５工程」）で融解させることにより、金属部材２１および導体６１の一部が導電性接合材１を介して接続される。そのため、導電性接合材１は、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７と同様に、後の加熱加圧時の温度よりも融点が低い材料とする。導電性接合材１は例えばＳｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｏの少なくとも１種もしくはこれらの合金を含む。

（７）上記（６）の後に、積層した絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を加熱加圧することにより、基材１０を形成する。積層した絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を加熱加圧することにより、基材１０を形成し、且つ、金属部材２１と絶縁基材層１４に形成された導体６１（導体パターン）の一部とが接続されるこの工程が、本発明における「第５工程」の例である。

　このとき、基材１０の内部に収納される金属部材２１の一端は、絶縁基材層１４に形成された導体６１の他端に、導電性接合材１を介して接続される。また、互いに異なる絶縁基材層１３，１４，１５に形成された導体パターンおよび層間接続導体（導体６１と層間接続導体Ｖ１、導体６２と層間接続導体Ｖ２，Ｖ３、導体６３と層間接続導体Ｖ４，Ｖ５、グランド導体４７とＶ６、グランド導体７１と層間接続導体Ｖ７）が接続される。そのため、導電性接合材１は層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７を構成する金属材料と同じであることが望ましい。

（８）上記（７）の後に、基材１０の第１主面ＶＳ１に実装部品３１，３２およびコネクタ５１を実装する。具体的には、電極４１と電極４２との間に実装部品３１を電気的に接続（接合）し、電極４３と電極４４との間に実装部品３２を電気的に接続（接合）する。また、電極４５および３つのグランド電極４６にコネクタ５１をそれぞれ電気的に接続（接合）する。この接続（接合）は例えばはんだや導電性接合材等を用いることにより行うことができる。

　上記製造方法によれば、簡素な構成により、所望の形状を有し、且つ、導体損を抑制できる三次元構造の導体（回路）を、内部に収納した多層基板を容易に製造できる。

　また、上記製造方法では、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７および導電性接合材１が、上記（７）における加熱加圧時の温度よりも融点が低い材料である。そのため、上記（７）における加熱加圧時に、導電性接合材１を介した金属部材２１および導体６１の一部の間の接続と、互いに異なる絶縁基材層に形成された導体パターン（電極４１，４２，４３，４４，４５、グランド電極４６、導体６１，６２，６３、グランド導体４７，７１）および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７の間の接続とを同時に行うことができる。したがって、製造工程を簡略化できる。

　また、上記（４）において、金属部材２１は、塑性変形により成形することで三次元構造を得る。この製造方法により、所望の三次元構造を有する金属部材２１の成形が容易となる。

　なお、上記製造方法では、第１工程、第６工程、第２工程、第３工程、第４工程、第５工程の順で電子機器を製造する例を示したが、この構成に限定されるものではない。第１工程、第２工程、第３工程、第６工程の後に第４工程、第５工程の順で行われるのであれば、第１工程、第２工程、第３工程、第６工程の順序は適宜変更可能である。

　《第２の実施形態》
　図５（Ａ）は第２の実施形態に係る多層基板１０２の断面図であり、図５（Ｂ）は多層基板１０２の基材１０内部に収納される金属部材２２の外観斜視図である。

　第２の実施形態に係る多層基板１０２は、基材１０の内部に収納される金属部材２２の形状が第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。その他の構成は、多層基板１０１と同じである。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

　金属部材２２は、折れ曲がった部分を介して平面方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に延伸するコの字（ｃ字）状の部分と、厚み方向（Ｚ軸方向）および横方向（Ｘ軸方向）に延伸する部分と、平面方向（Ｙ軸方向）に延伸する部分とが一体となった一連の部材である。図５（Ａ）に示すように、金属部材２２は、厚み方向（Ｚ軸方向）に対して鋭角（０°を超え、且つ、９０°未満）に延伸する部分を有する。言い換えると、金属部材２２は、厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する部分を有しておらず、平面方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に対して、斜め方向に延伸する部分を有する。

　次に、金属部材が、厚み方向（Ｚ軸方向）に対して鋭角（０°を超え、且つ、９０°未満）に延伸する部分を有することの利点について、図を参照して説明する。図６（Ａ）は、厚み方向（Ｚ軸方向）に対して鋭角に延伸する金属部材２２Ａを、内部に収納する基材１０Ａの断面図であり、図６（Ｂ）は比較例として、導体６１，６２，６３および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４を、内部に収納する基材１０Ｂの断面図である。

　図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示す基材１０Ａ，１０Ｂは、それぞれ熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａを厚み方向（Ｚ軸方向）に積層し、加熱加圧して構成される。基材１０Ａ，１０Ｂの上面には電極Ｐ１が形成され、基材１０Ａ，１０Ｂの下面には電極Ｐ２が形成される。電極Ｐ１は、基材１０Ａ，１０Ｂの一方側面（図６（Ａ）および図６（Ｂ）における基材１０Ａ，１０Ｂの左側面）付近に位置し、電極Ｐ２は、基材１０Ａ，１０Ｂの他方側面（図６（Ａ）および図６（Ｂ）における基材１０Ａ，１０Ｂの右側面）付近に位置する。基材１０Ａ，１０Ｂは、内部に収納（埋設）される導体が異なり、その他の構成は実質的に同じである。

　基材１０Ａの内部には金属部材２２Ａが収納（埋設）されている。図６（Ａ）に示すように、金属部材２２Ａは、折れ曲がった部分を介して厚み方向（Ｚ軸方向）に対して鋭角（０°を超え、且つ、９０°未満）に延伸する直線状の部材である。金属部材２２Ａの一端は電極Ｐ１に接続され、金属部材２２Ａの他端は電極Ｐ２に接続される。すなわち、電極Ｐ１と電極Ｐ２との間は、金属部材２２Ａを介して接続される。

　一方、基材１０Ｂの内部には、導体６１，６２，６３および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４が収納（埋設）されている。電極Ｐ１と電極Ｐ２との間は、導体６１，６２，６３および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４を介して接続される。

　図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すように、厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する部分と平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸する部分とを組み合わせて三次元構造の導体を形成する場合に比べ、厚み方向（Ｚ軸方向）に対して鋭角（０°を超え、且つ、９０°未満）に延伸する部分を有する方が、導体全体の長さを短くできる。したがって、この構成により、金属部材全体の導体長を短くでき、さらに導体損失を低減できる。

　《第３の実施形態》
　第３の実施形態では、金属部材の一部が基材から露出した多層基板について示す。

　図７（Ａ）は第３の実施形態に係る多層基板１０３の主要部分を示す断面図であり、図７（Ｂ）は多層基板１０３の主要部分を示す分解断面図である。図８は、多層基板１０３が備える金属部材２３の斜視図である。

　第３の実施形態に係る多層基板１０３は、金属部材の一部が基材から露出している点で第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。また、多層基板１０３は、導体６４，６５を備える点で多層基板１０１と異なる。その他の構成は、多層基板１０１と実質的に同じである。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

　図７（Ａ）に示すように、多層基板１０３は、基材１０Ｃおよび金属部材２３等を備える。基材１０Ｃの第１主面ＶＳ１には導体６５が形成され、基材１０Ｃの内部には導体６４、層間接続導体Ｖ１５およびグランド導体７１が形成されている。

　金属部材２３は、Ｌ字形に折り曲げられた平板であり、折れ曲がった部分を介して平面方向（Ｘ軸方向）に延伸する部分と厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する部分とが一体となった一連の三次元構造体である。図７（Ａ）に示すように、金属部材２３の一部は基材１０Ｃの内部に収納されており、金属部材２３のその他の部分は基材１０Ｃの外部に露出している。金属部材２３の一端は、層間接続導体Ｖ１５を介してグランド導体７１に接続される。金属部材２３の他端近傍には、貫通孔Ｈ１が形成されている。

　図７（Ｂ）に示すように、基材１０Ｃは、複数の絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｃを厚み方向（Ｚ軸方向）に積層し、加熱加圧して構成される。絶縁基材層１１ｃは最上層であり、絶縁基材層１５ｃは最下層である。

　絶縁基材層１１ｃの上面には導体６５が形成される。また、絶縁基材層１１ｃには開口ＡＰ３が形成されている。開口ＡＰ３は絶縁基材層１１ｃの上面から下面にまで達する貫通孔である。

　絶縁基材層１２ｃの下面には導体６４が形成される。また、絶縁基材層１２ｃには開口ＡＰ４が形成されている。開口ＡＰ４は絶縁基材層１２ｃの上面から下面にまで達する貫通孔である。金属部材２３の他端は、絶縁基材層１２ｃに形成される開口ＡＰ４に挿通され、金属部材２３の一端が絶縁基材層１２ｃの下面に貼付されている。

　絶縁基材層１３ｃには開口ＡＰ５が形成されている。開口ＡＰ５は絶縁基材層１３ｃの上面から下面にまで達する貫通孔である。

　絶縁基材層１４ｃの下面にはグランド導体７１が形成される。また、絶縁基材層１４ｃには層間接続導体Ｖ１５が形成される。

　基材１０Ｃは複数の絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｃを積層し、加熱加圧して構成される。このとき、開口ＡＰ３，ＡＰ４，ＡＰ５が形成された絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃと、開口が形成されていない絶縁基材層１５ｃとの積層によって、積層した複数の絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｃの内部にキャビティが構成される。このキャビティは、金属部材２３の一部の形状に沿うように厚み方向（Ｚ軸方向）および平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸している。金属部材２３の一部はこのキャビティ内に収納（埋設）される。上述したように、絶縁基材層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃ，１５ｃはそれぞれ熱可塑性樹脂からなり、加熱加圧時に樹脂がこのキャビティ内に回りこむ。

　本実施形態で示したように、金属部材は一部が基材の内部に収納され、その他の部分が基材から露出する構成であってもよい。本実施形態のように、金属部材の一部が基材の内部に収納されている場合には、金属部材のうち基材の内部に収納されている部分が、厚み方向（Ｚ軸方向）成分と平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）成分とを有し、少なくとも一部が平面方向に延伸する一連の部材であればよい。

　図９は、第３の実施形態に係る電子機器２０１の主要部を示す断面図である。

　本実施形態に係る電子機器２０１は、金属筐体８１、金属筐体８１に収納される多層基板１０３、結合部材２等を備える。金属部材２３の他端近傍に形成される貫通孔Ｈ１には結合部材２が挿通される。多層基板１０３が備える金属部材２３の他端は、結合部材２を介して金属筐体８１に固定されている。結合部材２は例えば金属製のネジである。

　本実施形態に係る多層基板１０３では、金属部材２３の一部が基材１０Ｃの内部に収納されているため、基材の表面に形成される導体に、はんだ等の導電性接合材を介して金属部材を接合した場合に比べて、金属部材は基材に強固に固定される。そのため、金属筐体８１に多層基板１０３を固定する際に金属部材２３に生じる応力によって、多層基板１０３からの金属部材２３の脱離を防止でき、機械的強度と電気的信頼性が高まる。

　なお、本実施形態では、多層基板を金属製のネジである結合部材２を介して金属筐体８１に固定した例を示したが、この構成に限定されるものではない。結合部材２はクリップ等であってもよく、基材から露出する金属部材を挟み込むこと等によって、多層基板を金属筐体に固定してもよい。また、多層基板は、電子機器２０１の金属筐体８１に収納される実装基板等に接続されていてもよい。

　《第４の実施形態》
　第４の実施形態では、上述の実施形態に係る金属部材とは形状が異なる例を示す。

　図１０（Ａ）は第４の実施形態に係る多層基板１０４Ａの主要部における外観斜視図であり、図１０（Ｂ）は多層基板１０４Ａの主要部における断面図である。図１１は多層基板１０４Ａの主要部における分解斜視図である。

　第４の実施形態に係る多層基板１０４Ａは、金属部材の形状が第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる。また、多層基板１０４Ａは、導体６６を備える点で多層基板１０１と異なる。その他の構成は、多層基板１０１と実質的に同じである。以下、第１の実施形態に係る多層基板１０１と異なる部分について説明する。

　図１０（Ｂ）に示すように、多層基板１０４Ａは、基材１０Ｄおよび金属部材２４等を備える。基材１０Ｄの内部には導体６６、複数の層間接続導体Ｖ１６およびグランド導体７１等が形成されている。

　金属部材２４は、厚み方向（Ｚ軸方向）から視てＵ字状であり、折れ曲がった部分を介して平面方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に延伸する部分と厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する部分とが一体となった三次元構造体である。金属部材２４は開口部ＣＰ１を有する。図１０（Ｂ）に示すように、金属部材２４は基材１０Ｄの内部に収納されている。金属部材２４の一端は、複数の層間接続導体Ｖ１６を介してグランド導体７１に接続される。

　図１１に示すように、基材１０Ｄは、複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄを厚み方向（Ｚ軸方向）に積層し、加熱加圧して構成される。絶縁基材層１１ｄは最上層であり、絶縁基材層１５ｄは最下層である。

　絶縁基材層１２ｄには開口ＡＰ６が形成されている。開口ＡＰ６は、平面形状がＵ字形であり、絶縁基材層１２ｄの上面から下面にまで達する貫通孔である。

　絶縁基材層１３ｄの上面には平面形状がＬ字形の導体６６が形成される。また、絶縁基材層１３ｄには開口ＡＰ７が形成されている。開口ＡＰ７は、平面形状がＵ字形であり、絶縁基材層１３の上面から下面にまで達する貫通孔である。

　絶縁基材層１４ｄには５つの層間接続導体Ｖ１６が形成される。５つの層間接続導体Ｖ１６は、絶縁基材層１４ｄを平面視して（Ｚ軸方向から視て）、Ｕ字状に配置されている。

　絶縁基材層１５ｄの上面にはグランド導体７１が形成される。

　基材１０Ｄは複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄを積層し、加熱加圧して構成される。このとき、開口ＡＰ６，ＡＰ７が形成された絶縁基材層１２ｄ，１３ｄと、開口が形成されていない絶縁基材層１１ｄ，１４ｄとの積層によって、積層した複数の絶縁基材層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄ，１４ｄ，１５ｄの内部に、キャビティが構成される。このキャビティは、金属部材２４の形状に沿うように厚み方向（Ｚ軸方向）および平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸する。金属部材２４はこのキャビティ内に収納（埋設）される。

　次に、本実施形態に係る別の多層基板について、図を参照して説明する。図１２（Ａ）は第４の実施形態に係る別の多層基板１０４Ｂの主要部分における外観斜視図であり、図１２（Ｂ）は多層基板１０４Ｂの主要部分における断面図である。なお、図１２（Ａ）では、構造を解りやすくするため、金属部材２４をドットパターンで示している。

　図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）に示すように、多層基板１０４Ｂは、基材１０Ｅおよび金属部材２４等を備える。多層基板１０４Ｂは、基材１０Ｅの表面（第１主面ＶＳ１）から内部に向かって形成される空孔ＳＰ１を有する点で、多層基板１０４Ａの基材１０Ｄと異なる。その他の構成については、多層基板１０４Ａと同じである。

　空孔ＳＰ１は、第１主面ＶＳ１から基材１０Ｅの内部に向かって厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸し、基材１０Ｅの内部に形成されるグランド導体７１まで達する孔である。そのため、グランド導体７１は、基材１０Ｅから露出している。また、空孔ＳＰ１は、Ｚ軸方向から視て、金属部材２４の開口部ＣＰ１（図１１において、三方向（－Ｘ方向、＋Ｙ方向および－Ｙ方向）が金属部材２４で囲まれる部分）と一致する位置に配置されている。そのため、空孔ＳＰ１は金属部材２４の開口部ＣＰ１に沿って形成され、金属部材２４の開口部ＣＰ１の内側部分は基材１０Ｅから露出する。

　本実施形態に係る多層基板１０４Ｂは、例えば次の工程で製造される。図１３は、多層基板１０４Ｂの製造工程を順に示す断面図である。

　まず、図１３中の（１）に示すように、多層基板１０４Ａを準備する。

　次に、第１主面ＶＳ１側から基材１０Ｄの内側に向かって厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸してグランド導体７１まで達する空孔ＳＰ１を形成し、多層基板１０４Ｂ（基材１０Ｅ）を得る。

　具体的には、空孔ＳＰ１は、基材１０Ｄの内部に収納された金属部材２４の開口部ＣＰ１の位置に対し、厚み（Ｚ軸方向）に向かって照射されるレーザー光ＬＲによって形成される。レーザー光ＬＲは、基材１０Ｄの内部に形成されるグランド導体７１で遮られる。このような製造方法を用いることで、第１主面ＶＳ１からグランド導体７１にまで達する空孔ＳＰ１を容易に形成できる。また、この製造方法によれば、金属部材２４に沿った空孔ＳＰ１を形成する際に不要な方向（例えば金属部材２４に対する－Ｘ方向）に孔が広がらないようにできる。

　なお、本実施形態に係る多層基板１０４Ｂでは、第１主面ＶＳ１からグランド導体７１にまで達する空孔ＳＰ１が形成される構成について示したが、これに限定されるものではない。空孔ＳＰ１は、基材の表面からグランド導体まで達していなくてもよい。また、空孔ＳＰ１が基材の第２主面ＶＳ２や側面に形成されていてもよい。

　また、多層基板１０４Ｂでは、空孔ＳＰ１が、Ｚ軸方向から視て、金属部材２４の開口部ＣＰ１と一致する位置に配置される構成例について示したが、これに限定されるものではない。金属部材２４の開口部ＣＰ１以外の位置に、空孔ＳＰ１が配置されていてもよい。

　また、本実施形態では、金属部材２４が、厚み方向（Ｚ軸方向）から視てＵ字状の三次元構造体である例について示したが、この構成に限定されるものではない。後に詳述するように（「その他の実施形態」を参照。）、金属部材の形状（三次元構造）は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば厚み方向（Ｚ軸方向）から視て略Ｕ字形、略Ｌ字形、略Ｉ字形、略Ｔ字形、略Ｙ字形等に折り曲げられた平板であってもよい。

　《第５の実施形態》
　第５の実施形態では、上述の実施形態に係る金属部材とは形状が異なる例を示す。

　図１４は、第５の実施形態に係る多層基板１０５の外観斜視図である。図１５は、多層基板１０５の分解斜視図である。図１６は、図１４におけるＡ－Ａ断面図である。

　多層基板１０５は、第１主面ＶＳ１と第１主面ＶＳ１に対向する第２主面ＶＳ２を有する基材１０Ｆ、金属部材２５、およびコネクタ５１，５２等を備える。この基材１０Ｆの内部には金属部材２５が収納（埋設）される。コネクタ５１，５２は、基材１０Ｆの第２主面ＶＳ２に実装される。図１４に示すように、多層基板１０５は、線路部ＳＬおよび接続部ＣＮ１，ＣＮ２を有する。

　基材１０Ｆは、長手方向が横方向（図１４におけるＸ軸方向）に一致し、短手方向が縦方向（Ｙ軸方向）に一致した略長尺状の絶縁体平板である。基材１０Ｆは、それぞれ熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層１１ｆ，１２ｆ，１３ｆ，１４ｆを厚み方向（図１５におけるＺ軸方向）に積層し、加熱加圧して構成される。複数の絶縁基材層１１ｆ，１２ｆ，１３ｆ，１４ｆは、平面形状が矩形の平板である。

　絶縁基材層１１ｆは最上層である。絶縁基材層１１ｆの上面には、グランド導体７１ｆが形成される。グランド導体７１ｆは、絶縁基材層１１ｆの略全面に形成される平面形状が矩形の導体パターンである。

　絶縁基材層１２ｆの上面には、信号導体６１ｆおよび導体６２ｆ，６３ｆが形成される。信号導体６１ｆは、絶縁基材層１２ｆの横方向（Ｘ軸方向）に延伸する直線（Ｉ字）状の導体パターンであり、絶縁基材層１２ｆの縦方向（Ｙ軸方向）中央に配置される。導体６２ｆは、Ｃ字形の導体パターンであり、絶縁基材層１２ｆの長手方向（Ｘ軸方向）の一端（図１５における絶縁基材層１２ｆの右側端）付近に配置される。導体６２ｆは、絶縁基材層１１ｆに形成される３つの層間接続導体Ｖ１ｆを介して、グランド導体７１ｆに接続される。導体６３ｆは、Ｃ字形の導体パターンであり、絶縁基材層１２ｆの長手方向（Ｘ軸方向）の他端（絶縁基材層１２ｆの左側端）付近に配置される。導体６３ｆは、絶縁基材層１１ｆに形成される３つの層間接続導体Ｖ２ｆを介して、グランド導体７１ｆに接続される。

　また、絶縁基材層１２ｆには開口ＡＰ１ｆ，ＡＰ２ｆが形成されている。開口ＡＰ１ｆは、絶縁基材層１２ｆの第１辺（図１５における絶縁基材層１２ｆの下辺）寄りに配置され、絶縁基材層１２ｆの長手方向（Ｘ軸方向）に延伸する平面形状が直線（Ｉ字）状の貫通孔である。開口ＡＰ２ｆは、絶縁基材層１２ｆの第２辺（絶縁基材層１２ｆの上辺）寄りに配置され、絶縁基材層１２ｆの長手方向（Ｘ軸方向）に延伸する平面形状が直線（Ｉ字）状の貫通孔である。

　絶縁基材層１３ｆの上面には、導体６４ｆ，６５ｆ、３つの導体６６ｆおよび３つの導体６７ｆが形成される。導体６４ｆ，６５ｆ、３つの導体６６ｆおよび３つの導体６７ｆは、平面形状が矩形の導体パターンである。導体６４ｆおよび３つの導体６６ｆは、絶縁基材層１３ｆの一端（図１５における絶縁基材層１３ｆの右側端）付近に配置される。導体６５ｆおよび３つの導体６７ｆは、絶縁基材層１３ｆの他端（絶縁基材層１３ｆの左側端）付近に配置される。

　導体６４ｆは、絶縁基材層１２ｆに形成される層間接続導体Ｖ５ｆを介して、信号導体６１ｆの一端に接続される。導体６５ｆは、絶縁基材層１２ｆに形成される層間接続導体Ｖ６ｆを介して、信号導体６１ｆの他端に接続される。３つの導体６６ｆは、絶縁基材層１２ｆに形成される層間接続導体Ｖ７ｆを介して、それぞれ導体６２ｆに接続される。３つの導体６７ｆは、絶縁基材層１２ｆに形成される層間接続導体Ｖ８ｆを介して、それぞれ導体６３ｆに接続される。

　また、絶縁基材層１３ｆには開口ＡＰ３ｆが形成される。開口ＡＰ３ｆは、絶縁基材層１３ｆの中央に配置され、長手方向が横方向（Ｘ軸方向）に一致する平面形状が矩形の貫通孔である。

　絶縁基材層１４ｆは最下層である。絶縁基材層１４ｆの下面には、信号電極４１ｆ，４２ｆ、３つのグランド電極４３ｆ、３つのグランド電極４４ｆおよび５つのグランド電極４５ｆが形成される。信号電極４１ｆ，４２ｆ、３つのグランド電極４３ｆ、３つのグランド電極４４ｆおよび５つのグランド電極４５ｆは、平面形状が矩形の導体パターンである。信号電極４１ｆおよび３つのグランド電極４３ｆは、絶縁基材層１４ｆの一端（図１５における絶縁基材層１４ｆの右側端）付近に配置される。信号電極４２ｆおよび３つのグランド電極４４ｆは、絶縁基材層１４ｆの他端（絶縁基材層１４ｆの左側端）付近に配置される。５つのグランド電極４５ｆは、絶縁基材層１４ｆの縦方向（Ｙ軸方向）中央に配置され、横方向（Ｘ軸方向）に配列される。

　信号電極４１ｆは、絶縁基材層１３ｆ，１４ｆに形成される層間接続導体Ｖ９ｆ，Ｖ１３ｆを介して、導体６４ｆに接続される。信号電極４２ｆは、絶縁基材層１３ｆ，１４ｆに形成される層間接続導体Ｖ１０ｆ，Ｖ１４ｆを介して、導体６５ｆに接続される。３つのグランド電極４３ｆは、絶縁基材層１３ｆ，１４ｆに形成される層間接続導体Ｖ１１ｆ，Ｖ１５ｆを介して、３つの導体６６ｆにそれぞれ接続される。３つのグランド電極４４ｆは、絶縁基材層１３ｆ，１４ｆに形成される層間接続導体Ｖ１２ｆ，Ｖ１６ｆを介して、３つの導体６７ｆにそれぞれ接続される。

　上述したように、基材１０Ｆは複数の絶縁基材層１１ｆ，１２ｆ，１３ｆ，１４ｆを積層し、加熱加圧して構成される。このとき、開口ＡＰ１ｆ，ＡＰ２ｆ，ＡＰ３ｆが形成された絶縁基材層１２ｆ，１３ｆと、開口が形成されていない絶縁基材層１１ｆ，１４ｆとの積層によって、積層した複数の絶縁基材層１１ｆ，１２ｆ，１３ｆ，１４ｆの内部にキャビティが構成される。このキャビティは、金属部材２５の形状に沿うように厚み方向（Ｚ軸方向）および平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸している。金属部材２５は、このキャビティ内に収納（埋設）される。

　金属部材２５は、折れ曲がった部分を介して厚み方向（Ｚ軸方向）成分と平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）成分とを有する三次元構造体である。具体的に説明すると、金属部材２５は、横方向（Ｘ軸方向）に延伸する断面形状がＣ字形の部材であり、厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する部分と、平面方向（Ｙ軸方向）に延伸する部分とが一体となった一連の部材である。

　金属部材２５は例えば銅製の平板を塑性変形（鍛造）により成形することで得られる。なお、金属部材２５は、鋳造することにより三次元構造に成形してもよい。なお、金属部材２５の厚みは、導体パターン（絶縁基材層に形成される電極および導体）の厚みよりも大きく、基材１０Ｆよりも剛性の高い（硬質な）部材である。

　図１５および図１６に示すように、金属部材２５は、絶縁基材層１１ｆに形成される層間接続導体Ｖ３ｆ，Ｖ４ｆを介して、グランド導体７１ｆに接続される。また、金属部材２５は、絶縁基材層１４ｆに形成される層間接続導体Ｖ１７ｆを介して、５つのグランド電極４５ｆにそれぞれ接続される。図１６に示すように、金属部材２５は信号導体６１ｆの三方向（＋Ｙ方向、－Ｙ方向および－Ｘ方向）を囲むように配置されている。

　基材１０Ｆの第２主面ＶＳ２には、信号電極４１ｆ，４２ｆおよびグランド電極４３ｆ，４４ｆ，４５ｆが露出する。コネクタ５１は信号電極４１ｆおよび３つのグランド電極４３ｆにそれぞれ電気的に接続（接合）され、コネクタ５２は信号電極４２ｆおよび３つのグランド電極４４ｆにそれぞれ電気的に接続（接合）される。

　このように、信号導体６１ｆと、信号導体６１ｆの三方向を囲むように配置される金属部材２５と、グランド導体７１ｆと、層間接続導体Ｖ３ｆ，Ｖ４ｆと、を含んで伝送線路が構成される。具体的には、多層基板１０５の基材１０Ｆでは、信号導体６１ｆがグランド（金属部材２５およびグランド導体７１ｆ）で四方向（＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｘ方向および－Ｘ方向）が囲まれた構造の伝送線路が構成されている。図１６に示すように、本実施形態では、基材１０Ｆの厚み方向（Ｚ軸方向）および長手方向（Ｘ軸方向）に延伸する面状の金属部材２５が、信号導体６１ｆの幅方向（Ｙ軸方向）の両側にも配列されている。そのため、層間接続導体が信号導体の幅方向（Ｙ軸方向）の両側に配列された構造に比べて、伝送線路から外部への不要輻射は抑制される。

　また、本実施形態では、図１４に示すように、基材１０Ｆよりも剛性の高い（硬質な）金属部材２５が、基材１０Ｆの長手方向（Ｘ軸方向）に中央付近に埋設されているため、金属部材２５が埋設されている部分の機械的強度を高めることができる。すなわち、本実施形態では、金属部材２５がグランドとしての機能を有する変形防止部材となる。

　また、本実施形態では、金属部材２５が埋設されていない接続部ＣＮ１，ＣＮ２（基材１０Ｆの長手方向（Ｘ軸方向）の一端および他端）近傍に可撓性を有するため、コネクタ５１，５２の実装基板等への接続（接合）が容易となる。

　なお、本実施形態では、金属部材２５が埋設されていない接続部ＣＮ１，ＣＮ２（基材１０Ｆの長手方向（Ｘ軸方向）の一端および他端）近傍に可撓性を有した多層基板１０５の例を示したが、この構成に限定されるものではない。基材１０Ｆよりも剛性の高い金属部材の配置により、可撓性を有する部分を適宜変更することが可能である。また、基材の長手方向（Ｘ軸方向）全体に亘って剛性の高い金属部材が埋設されていてもよい。

　なお、上述したように、金属部材２５は導体パターン（信号電極、信号導体、導体、グランド導体、グランド電極）と同じ材料で構成されることが望ましい。この構成により、金属部材２５および導体パターンと層間接続導体とが、熱圧着時の熱によって同時に接合されるため、製造工程を簡略化できる。

　《第６の実施形態》
　第６の実施形態では、実装基板に多層基板が実装された電子機器の例について示す。

　図１７（Ａ）は第６の実施形態に係る電子機器２０２の主要部分を示す斜視図であり、図１７（Ｂ）は電子機器２０２の主要部分を示す分解斜視図である。

　本実施形態に係る電子機器２０２は、実装基板３０１、多層基板１０６および実装部品３３，３４，３５，３６，３７等を備える。多層基板１０６および実装基板３０１は図示しない筐体の内部に収納されている。多層基板１０６は、コネクタを備えていない点で第５の実施形態に係る多層基板１０５と異なり、その他の構成については多層基板１０５と同じである。

　本実施形態に係る多層基板１０６は、はんだ等の導電性接合材を介して実装基板３０１に実装され、実装基板３０１に構成される回路に接続される。また、実装基板３０１には実装部品３３，３４，３５，３６，３７等も実装されている。実装基板３０１は例えばプリント配線板である。実装部品３３，３４，３５，３６，３７は、例えばセラミック素材からなるチップ型インダクタやチップ型キャパシタのチップ部品等である。

　図１７（Ｂ）に示すように、多層基板１０６の信号電極４１ｆ，４２ｆは、実装基板３０１に形成される電極Ｐ４１，Ｐ４２にそれぞれ接続される。多層基板１０６の３つのグランド電極４３ｆは、実装基板３０１に形成される３つのグランド電極Ｐ４３にそれぞれ接続される。多層基板１０６の３つのグランド電極４４ｆは、実装基板３０１に形成される３つのグランド電極Ｐ４４にそれぞれ接続される。多層基板１０６の５つのグランド電極４５ｆは、実装基板３０１に形成される５つのグランド電極Ｐ４５にそれぞれ接続される。

　このように、多層基板は実装基板に実装されていてもよい。なお、本実施形態のように、基材１０Ｆよりも剛性の高い金属部材を、基材１０Ｆに埋設することにより、多層基板の反りや不要な変形を抑制できる。したがって、本実施形態に係る多層基板１０６のように長尺状であっても実装基板等への面実装が容易となり、他の部品と同様に実装機で実装が可能となるため、実装工程が簡素化できる。

　《第７の実施形態》
　第７の実施形態では、第５の実施形態とは異なる構造の伝送線路が構成された多層基板の例を示す。

　図１８（Ａ）は第７の実施形態に係る多層基板１０７の外観斜視図であり、図１８（Ｂ）は図１８（Ａ）とは別の視点から視た多層基板１０７の外観斜視図である。図１９は多層基板１０７の分解斜視図である。図２０（Ａ）は図１８（Ａ）におけるＢ－Ｂ断面図であり、図２０（Ｂ）は図１８（Ａ）におけるＣ－Ｃ断面図である。図２１は図１８（Ａ）におけるＤ－Ｄ断面図である。図１９では、構造を解りやすくするため、金属部材２７Ａ，２７Ｂをドットパターンで示している。

　多層基板１０７は、第１主面ＶＳ１と第１主面ＶＳ１に対向する第２主面ＶＳ２を有する基材１０Ｊ、信号導体６１Ｊおよび金属部材２７Ａ，２７Ｂを備える。基材１０Ｊの内部には、信号導体６１Ｊおよび金属部材２７Ａ，２７Ｂ等が収納（埋設）される。

　基材１０Ｊは、長手方向が横方向（図１８におけるＸ軸方向）に一致し、短手方向が縦方向（Ｙ軸方向）に一致した略長尺状の絶縁体である。基材１０Ｊの第１主面ＶＳ１には、略全面にグランド導体７１ｈが形成されている。基材１０Ｊの第２主面ＶＳ２には、信号電極４１ｇ，４２ｇ、３つのグランド電極４３ｇおよび３つのグランド電極４４ｇが形成されている。信号電極４１ｇおよび３つのグランド電極４３ｇは、基材１０Ｊの一端（図１８（Ｂ）における基材１０Ｊの第２主面ＶＳ２の右側端）付近に配置される。信号電極４２ｇおよび３つのグランド電極４４ｇは、基材１０Ｊの他端（基材１０Ｊの第２主面ＶＳ２の左側端）付近に配置される。

　基材１０Ｊは、図１９に示すように、基材１０Ｇの第１面Ｓ１ｇと基材１０Ｈの第１面Ｓ１ｈとを重ね合わせるように、基材１０Ｇと基材１０Ｈとを積層して構成される。信号導体６１Ｊは、横方向（Ｘ軸方向）に延伸する直線（Ｉ字）状の平板である。信号導体６１Ｊの一端は、基材１０Ｇの第１面Ｓ１ｇに露出する層間接続導体Ｖ１ｇに接続される。信号導体６１Ｊの他端は、基材１０Ｇの第１面Ｓ１ｇに露出する層間接続導体Ｖ２ｇに接続される。信号導体６１Ｊは、例えばはんだや導電性接着剤等により層間接続導体Ｖ１ｇ，Ｖ２ｇに接合される。

　また、図１９に示すように、基材１０Ｇの第１面Ｓ１ｇに露出する３つの層間接続導体Ｖ３ｇは、基材１０Ｈの第１面Ｓ１ｈに露出する３つの層間接続導体Ｖ１ｈにそれぞれ接続される。基材１０Ｇの第１面Ｓ１ｇに露出する３つの層間接続導体Ｖ４ｇは、基材１０Ｈの第１面Ｓ１ｈに露出する３つの層間接続導体Ｖ２ｈにそれぞれ接続される。

　図２０（Ａ）に示すように、信号導体６１Ｊの一端は、信号導体６１ｇ，６５ｇおよび層間接続導体Ｖ１ｇ，Ｖ５ｇ，Ｖ９ｇを介して、信号電極４１ｇに接続される。また、図２１に示すように、信号導体６１Ｊの他端は、信号導体６２ｇ，６６ｇおよび層間接続導体Ｖ２ｇ，Ｖ６ｇ，Ｖ１０ｇを介して、信号電極４２ｇに接続される。また、３つのグランド電極４３ｇおよび３つのグランド電極４４ｇは、複数のグランド導体および複数の層間接続導体を介して、それぞれグランド導体７１ｈに導通する。

　また、基材１０Ｇと基材１０Ｈとを積層することにより、基材１０Ｇの第１面Ｓ１ｇに露出する金属部材２７Ａが、基材１０Ｈの第１面Ｓ１ｈに露出する金属部材２７Ｂに接続される。グランド電極４５ｇは、図２０（Ｂ）に示すように、金属部材２７Ａ，２７Ｂおよび層間接続導体Ｖ１３ｇ，Ｖ７ｈを介して、グランド導体７１ｈに導通する。

　図２０（Ｂ）に示すように、本実施形態では、信号導体６１Ｊと、信号導体６１Ｊの四方向（＋Ｙ方向、－Ｙ方向、＋Ｚ方向および－Ｚ方向）を囲むように配置される金属部材２７Ａ，２７Ｂと、を含んだ伝送線路が構成される。具体的には、多層基板１０７には、信号導体６１Ｊがグランド（金属部材２７Ａ，２７Ｂ）で囲まれた伝送線路が構成される。また、信号導体６１Ｊとグランド（金属部材２７Ａ，２７Ｂ）との間には、図２０（Ｂ）に示すように、絶縁基材層の無い空孔ＳＰ１Ｊ，ＳＰ２Ｊが形成されている。

　次に、基材１０Ｇの構造について図を参照して説明する。図２２（Ａ）は基材１０Ｇの外観斜視図であり、図２２（Ｂ）は基材１０Ｇの分解斜視図である。

　基材１０Ｇは、長手方向が横方向（Ｘ軸方向）に一致し、短手方向が縦方向（Ｙ軸方向）に一致した略長尺状の絶縁体の平板である。基材１０Ｇの内部には金属部材２７Ａが収納される。

　図２２（Ｂ）に示すように、金属部材２７Ａは、横方向（Ｘ軸方向）に延伸する断面形状がＣ字形の部材であり、厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する部分と、平面方向（Ｙ軸方向）に延伸する部分とが一体となった一連の部材である。金属部材２７Ａは例えば銅製の平板を塑性変形（鍛造）により成形することで得られる。

　基材１０Ｇは、第１面Ｓ１ｇから内部に向かって形成される２つの空孔ＳＰ１Ｇ，ＳＰ２Ｇを有する。空孔ＳＰ１Ｇ，ＳＰ２Ｇは、第１面Ｓ１ｇから基材１０Ｇの内部に向かって厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸し、基材１０Ｇの内部に収納される金属部材２７Ａまで達する孔である。空孔ＳＰ１Ｇ，ＳＰ２Ｇは、横方向（Ｘ軸方向）に延伸する平面形状が直線（Ｉ字）形であり、縦方向（Ｙ軸方向）に並んで配列されている。図２１（Ａ）等に示すように、空孔ＳＰ１Ｇ，ＳＰ２Ｇは、金属部材２７Ａに沿って形成されている。

　基材１０Ｇは、それぞれ熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇを厚み方向（Ｚ軸方向）に積層し、加熱加圧して構成される。複数の絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇは、平面形状が矩形の平板である。

　絶縁基材層１１ｇは最上層である。絶縁基材層１１ｇの下面には、信号導体６１ｇ，６２ｇおよびグランド導体６３ｇ，６４ｇが形成される。信号導体６１ｇ，６２ｇは平面形状が矩形の導体パターンであり、グランド導体６３ｇ，６４ｇはＣ字形の導体パターンである。信号導体６１ｇおよびグランド導体６３ｇは、絶縁基材層１１ｇの長手方向（Ｘ軸方向）の一端（図２２（Ｂ）における絶縁基材層１１ｇの右側端）付近に配置される。信号導体６２ｇおよびグランド導体６４ｇは、絶縁基材層１１ｇの長手方向（Ｘ軸方向）の他端（絶縁基材層１１ｇの左側端）付近に配置される。

　絶縁基材層１１ｇには、層間接続導体Ｖ１ｇ，Ｖ２ｇ、３つの層間接続導体Ｖ３ｇおよび３つの層間接続導体Ｖ４ｇが形成される。層間接続導体Ｖ１ｇは信号導体６１ｇに接続され、層間接続導体Ｖ２ｇは信号導体６２ｇに接続される。３つの層間接続導体Ｖ３ｇはグランド導体６３ｇに接続され、３つの層間接続導体Ｖ４ｇはグランド導体６４ｇに接続される。

　また、絶縁基材層１１ｇには開口ＡＰ１ｇ，ＡＰ２ｇが形成されている。開口ＡＰ１ｇは、絶縁基材層１１ｇの第１辺（図２２（Ｂ）における絶縁基材層１１ｇの上辺）寄りに配置され、絶縁基材層１１ｇの長手方向（Ｘ軸方向）に延伸する平面形状が直線（Ｉ字）状の貫通孔である。開口ＡＰ２ｇは、絶縁基材層１１ｇの第２辺（絶縁基材層１１ｇの下辺）寄りに配置され、絶縁基材層１１ｇの長手方向（Ｘ軸方向）に延伸する平面形状が直線（Ｉ字）状の貫通孔である。

　絶縁基材層１２ｇの下面には、信号導体６５ｇ，６６ｇおよびグランド導体６７ｇ，６８ｇが形成される。信号導体６５ｇ，６６ｇは平面形状が矩形の導体パターンであり、グランド導体６７ｇ，６８ｇは平面形状がＣ字形の導体パターンである。信号導体６５ｇおよびグランド導体６７ｇは、絶縁基材層１２ｇの長手方向（Ｘ軸方向）の一端（図２２（Ｂ）における絶縁基材層１２ｇの右側端）付近に配置される。信号導体６６ｇおよびグランド導体６８ｇは、絶縁基材層１２ｇの長手方向（Ｘ軸方向）の他端（絶縁基材層１２ｇの左側端）付近に配置される。

　信号導体６５ｇは、絶縁基材層１２ｇに形成される層間接続導体Ｖ５ｇを介して、信号導体６１ｇに接続される。信号導体６６ｇは、絶縁基材層１２ｇに形成される層間接続導体Ｖ６ｇを介して、信号導体６２ｇに接続される。グランド導体６７ｇは、絶縁基材層１２ｇに形成される３つの層間接続導体Ｖ７ｇを介して、グランド導体６３ｇに接続される。グランド導体６８ｇは、絶縁基材層１２ｇに形成される３つの層間接続導体Ｖ８ｇを介して、グランド導体６４ｇに接続される。

　また、絶縁基材層１２ｇには開口ＡＰ３ｇが形成される。開口ＡＰ３ｇは、絶縁基材層１２ｇの中央に配置され、長手方向が横方向（Ｘ軸方向）に一致する平面形状が矩形の貫通孔である。

　絶縁基材層１３ｇは最下層である。絶縁基材層１３ｇの下面には、信号電極４１ｇ，４２ｇ、３つのグランド電極４３ｇ、３つのグランド電極４４ｇおよび５つのグランド電極４５ｇが形成される。信号電極４１ｇ，４２ｇ、グランド電極４３ｇ，４４ｇ，４５ｇは、平面形状が矩形の導体パターンである。信号電極４１ｇおよび３つのグランド電極４３ｇは、絶縁基材層１３ｇの長手方向（Ｘ軸方向）の一端（図２２（Ｂ）における絶縁基材層１３ｇの右側端）付近に配置される。信号電極４２ｇおよび３つのグランド電極４４ｇは、絶縁基材層１３ｇの長手方向（Ｘ軸方向）の他端（絶縁基材層１３ｇの左側端）付近に配置される。５つのグランド電極４５ｇは、絶縁基材層１３ｇの縦方向（Ｙ軸方向）中央に配置され、横方向（Ｘ軸方向）に配列される。

　信号電極４１ｇは、絶縁基材層１３ｇに形成される層間接続導体Ｖ９ｇを介して、信号導体６５ｇに接続される。信号電極４２ｇは、絶縁基材層１３ｇに形成される層間接続導体Ｖ１０ｇを介して、信号導体６６ｇに接続される。３つのグランド電極４３ｇは、絶縁基材層１３ｇに形成される３つの層間接続導体Ｖ１１ｇを介して、グランド導体６７ｇにそれぞれ接続される。３つのグランド電極４４ｇは、絶縁基材層１３ｇに形成される３つの層間接続導体Ｖ１２ｇを介して、グランド導体６８ｇにそれぞれ接続される。５つのグランド電極４５ｇは、絶縁基材層１３ｇに形成される層間接続導体Ｖ１３ｇを介して、それぞれ金属部材２７Ａに接続される。

　上述したように、基材１０Ｇは複数の絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇを積層し、加熱加圧して構成される。このとき、開口ＡＰ１（後に詳述する開口ＡＰ１ｇ），ＡＰ２（後に詳述する開口ＡＰ２ｇ），ＡＰ３ｇが形成された絶縁基材層１１ｇ，１２ｇと、開口が形成されていない絶縁基材層１３ｇとの積層によって、積層した複数の絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇの内部にキャビティが構成される。このキャビティは、金属部材２７Ａの形状に沿うように厚み方向（Ｚ軸方向）および絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇの主面に平行な平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸している。金属部材２７Ａは、このキャビティ内に収納（埋設）される。

　次に、基材１０Ｈの構造について説明する。図２３（Ａ）は基材１０Ｈの外観斜視図であり、図２３（Ｂ）は基材１０Ｈの分解斜視図である。

　基材１０Ｈは、図２３（Ａ）に示すように、長手方向が横方向（Ｘ軸方向）に一致し、短手方向が縦方向（Ｙ軸方向）に一致した略長尺状の絶縁体の平板である。基材１０Ｈの内部には金属部材２７Ｂが収納される。

　図２３（Ｂ）に示すように、金属部材２７Ｂは、横方向（Ｘ軸方向）に延伸する断面形状がＣ字形の部材であり、厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する部分と、平面方向（Ｙ軸方向）に延伸する部分とが一体となった一連の部材である。金属部材２７Ｂは例えば銅製の平板を塑性変形（鍛造）により成形することで得られる。

　基材１０Ｈは、第１面Ｓ１ｈから内部に向かって形成される２つの空孔ＳＰ１Ｈ，ＳＰ２Ｈを有する。空孔ＳＰ１Ｈ，ＳＰ２Ｈは、第１面Ｓ１ｈから基材１０Ｈの内部に向かって厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸し、基材１０Ｈの内部に収納される金属部材２７Ｂまで達する孔である。空孔ＳＰ１Ｈ，ＳＰ２Ｈは、横方向（Ｘ軸方向）に延伸する平面形状が直線（Ｉ字）形であり、縦方向（Ｙ軸方向）に並んで配列されている。図２３（Ａ）に示すように、空孔ＳＰ１Ｈ，ＳＰ２Ｈは、金属部材２７Ｂに沿って形成されている。

　基材１０Ｈは、それぞれ熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈを厚み方向（Ｚ軸方向）に積層し、加熱加圧して構成される。複数の絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈは、平面形状が矩形の平板である。

　絶縁基材層１１ｈは最上層である。絶縁基材層１３ｈの上面には、グランド導体７１ｈが形成される。グランド導体７１ｈは、絶縁基材層１１ｈの略全面に形成される平面形状が矩形の導体パターンである。グランド導体７１ｈは、絶縁基材層１１ｈに形成される１０つの層間接続導体Ｖ７ｈを介して、金属部材２７Ｂに接続される。

　絶縁基材層１２ｈの上面には、グランド導体６３ｈ，６４ｈが形成される。グランド導体６３ｈ，６４ｈはＣ字形の導体パターンである。グランド導体６３ｈは、絶縁基材層１２ｈの長手方向（Ｘ軸方向）の一端（図２３（Ｂ）における絶縁基材層１２ｈの右側端）付近に配置される。グランド導体６４ｈは、絶縁基材層１２ｈの長手方向（Ｘ軸方向）の他端（絶縁基材層１２ｈの左側端）付近に配置される。

　グランド導体６３ｈは、絶縁基材層１１ｈに形成される３つの層間接続導体Ｖ５ｈを介して、グランド導体７１ｈに接続される。グランド導体６４ｈは、絶縁基材層１１ｈに形成される３つの層間接続導体Ｖ６ｈを介して、グランド導体７１ｈに接続される。

　また、絶縁基材層１２ｈには開口ＡＰ６ｈが形成される。開口ＡＰ６ｈは、絶縁基材層１２ｈの中央に配置され、長手方向が横方向（Ｘ軸方向）に一致する平面形状が矩形の貫通孔である。

　絶縁基材層１３ｈは最下層である。絶縁基材層１３ｈの上面には、グランド導体６１ｈ，６２ｈが形成される。グランド導体６１ｈ，６２ｈはＣ字形の導体パターンである。グランド導体６１ｈは、絶縁基材層１３ｈの長手方向（Ｘ軸方向）の一端（図２３（Ｂ）における絶縁基材層１３ｈの右側端）付近に配置される。グランド導体６２ｈは、絶縁基材層１３ｈの長手方向（Ｘ軸方向）の他端（絶縁基材層１３ｈの左側端）付近に配置される。

　絶縁基材層１３ｈには、３つの層間接続導体Ｖ１ｈおよび３つの層間接続導体Ｖ２ｈが形成される。３つの層間接続導体Ｖ１ｈはグランド導体６１ｈに接続され、３つの層間接続導体Ｖ２ｈはグランド導体６２ｈに接続される。また、グランド導体６１ｈは、絶縁基材層１２ｈに形成される層間接続導体Ｖ３ｈを介して、グランド導体６３ｈに接続される。グランド導体６２ｈは、絶縁基材層１２ｈに形成される層間接続導体Ｖ４ｈを介してグランド導体６４ｈに接続される。

　また、絶縁基材層１３ｈには開口ＡＰ４，ＡＰ５が形成されている。開口ＡＰ４は、絶縁基材層１３ｈの第１辺（図２３（Ｂ）における絶縁基材層１３ｈの下辺）寄りに配置され、絶縁基材層１３ｈの長手方向（Ｘ軸方向）に延伸する平面形状が直線（Ｉ字）状の貫通孔である。開口ＡＰ５は、絶縁基材層１３ｈの第２辺（絶縁基材層１１ｈの上辺）寄りに配置され、絶縁基材層１３ｈの長手方向（Ｘ軸方向）に延伸する平面形状が直線（Ｉ字）状の貫通孔である。

　上述したように、基材１０Ｈは複数の絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈを積層し、加熱加圧して構成される。このとき、開口が形成されていない絶縁基材層１１ｈと、開口ＡＰ４（後に詳述する開口ＡＰ４ｈ），ＡＰ５（後に詳述する開口ＡＰ５ｈ），ＡＰ６ｈが形成された絶縁基材層１２ｈ，１３ｈとの積層によって、積層した複数の絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈの内部にキャビティが構成される。このキャビティは、金属部材２７Ｂの形状に沿うように厚み方向（Ｚ軸方向）および絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈの主面に平行な平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸している。金属部材２７Ｂは、このキャビティ内に収納（埋設）される。

　基材１０Ｇと基材１０Ｈとを積層することにより、基材１０Ｊ（多層基板１０７）が構成される。本実施形態では、基材１０Ｇ，１０Ｈはともに熱可塑性樹脂であるため、基材１０Ｇと基材１０Ｈとを積層して加熱圧着することにより接合できる。なお、図２０（Ｂ）に示すように、基材１０Ｊの内部には、空孔ＳＰ１Ｊおよび空孔ＳＰ２Ｊが形成される。空孔ＳＰ１Ｊは、基材１０Ｇに形成される空孔ＳＰ１Ｇと、基材１０Ｈに形成される空孔ＳＰ１Ｈとで構成される孔である。空孔ＳＰ２Ｊは、基材１０Ｇに形成される空孔ＳＰ２Ｇと、基材１０Ｈに形成される空孔ＳＰ２Ｈとで構成される孔である。図２０（Ｂ）に示すように、空孔ＳＰ１Ｊ，ＳＰ２Ｊは、金属部材２７Ａ，２７Ｂに沿って形成されている。

　本実施形態では、信号導体６１Ｊがグランド（金属部材２７Ａ，２７Ｂ）で囲まれた伝送線路が構成され、信号導体６１Ｊとグランド（金属部材２７Ａ，２７Ｂ）との間に絶縁基材層の無い空孔ＳＰ１Ｊ，ＳＰ２Ｊが形成されている。絶縁基材層が無い空孔ＳＰ１Ｊ，ＳＰ２Ｊは、絶縁基材層に比べて相対的に誘電率が低い部分である。したがって、この構成により、信号導体６１Ｊとグランド（金属部材２７Ａ，２７Ｂ）との間に発生する容量を低減できる。また、この構成により、信号導体６１Ｊに高周波信号を伝送したときの誘電体損失は抑制される。

　本実施形態に係る基材１０Ｇは、例えば次の工程で製造される。

　図２４は基材１０Ｇの製造工程を順に示す斜視図である。なお、図２４では、説明の都合上、個片での製造工程で説明するが、実際の基材の製造工程は集合基板状態で行われる。なお、図２４では、構造を解りやすくするため、領域ＬＴ１，ＬＴ２をドットパターンで示している。

　まず、図２４中の（１）に示すように、絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇの片側主面に金属箔（例えば銅箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングする。これにより、絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇにそれぞれ導体パターン（信号導体６１ｇ，６２ｇ，６５ｇ，６６ｇ、信号電極４１ｇ，４２ｇ、グランド導体６３ｇ，６４ｇ，６７ｇ，６８ｇおよびグランド電極４３ｇ，４４ｇ，４５ｇ）を形成する。絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇには例えば液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂基材が用いられる。

　また、絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇに層間接続導体Ｖ１ｇ，Ｖ２ｇ，Ｖ３ｇ，Ｖ４ｇ，Ｖ５ｇ，Ｖ６ｇ，Ｖ７ｇ，Ｖ８ｇ，Ｖ９ｇ，Ｖ１０ｇ，Ｖ１１ｇ，Ｖ１２ｇ，Ｖ１３ｇを形成する。層間接続導体Ｖ１ｇ，Ｖ２ｇ，Ｖ３ｇ，Ｖ４ｇ，Ｖ５ｇ，Ｖ６ｇ，Ｖ７ｇ，Ｖ８ｇ，Ｖ９ｇ，Ｖ１０ｇ，Ｖ１１ｇ，Ｖ１２ｇ，Ｖ１３ｇは、レーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｏ等のうち１以上にもしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱加圧工程で硬化させることによって設けられる。そのため、層間接続導体Ｖ１ｇ，Ｖ２ｇ，Ｖ３ｇ，Ｖ４ｇ，Ｖ５ｇ，Ｖ６ｇ，Ｖ７ｇ，Ｖ８ｇ，Ｖ９ｇ，Ｖ１０ｇ，Ｖ１１ｇ，Ｖ１２ｇ，Ｖ１３ｇは、後の加熱加圧時の温度よりも融点が低い材料とする。

　また、積層した複数の絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇの内部にキャビティを構成する開口ＡＰ１ｇ，ＡＰ２ｇ，ＡＰ３ｇを、絶縁基材層１１ｇ，１２ｇに形成する。

　次に、金属部材２７Ａを、厚み方向（Ｚ軸方向）成分と平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）成分とを有し、且つ、少なくとも一部が平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸する一連の形状となるように成形する。金属部材２７Ａは例えば銅製の平板を塑性変形（鍛造）により成形することで三次元構造を得ることができる。

　その後、絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇを積層し、キャビティ（開口ＡＰ１ｇ，ＡＰ２ｇ，ＡＰ３ｇ）内に、成形した金属部材２７Ａを収納し、積層した絶縁基材層１１ｇ，１２ｇ，１３ｇを加熱加圧することにより、基材１０Ｋを形成する。

　次に、図２４中の（２）に示すように、第１面Ｓ１ｇ側から基材１０Ｋの内側に向かって厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する空孔ＳＰ１Ｇ，ＳＰ２Ｇを形成し、図２４中の（３）に示す基材１０Ｇを得る。

　具体的には、空孔ＳＰ１Ｇは、基材１０Ｋの第１面Ｓ１ｇの領域ＬＴ１に対し、厚み（Ｚ軸方向）に向かって照射されるレーザー光ＬＲによって形成される。また、開口部ＣＰ２Ｇは、基材１０Ｋの第１面Ｓ１ｇの領域ＬＴ２に対し、厚み方向（Ｚ軸方向）に向かって照射されるレーザー光ＬＲによって形成される。レーザー光ＬＲは、基材の内部に収納される金属部材２７Ａで遮られる。したがって、このような製造方法を用いることで、金属部材２７Ａに沿った（第１面Ｓ１ｇから金属部材２７Ａにまで達する）空孔ＳＰ１Ｇ，ＳＰ２Ｇを容易に形成できる。

　また、本実施形態に係る基材１０Ｈは、例えば次の工程で製造される。

　図２５は基材１０Ｈの製造工程を順に示す斜視図である。なお、図２５では、説明の都合上、個片での製造工程で説明するが、実際の基材の製造工程は集合基板状態で行われる。なお、図２５では、構造を解りやすくするため、領域ＬＴ１，ＬＴ２をドットパターンで示している。

　まず、図２５中の（１）に示すように、絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈの片側主面に金属箔（例えば銅箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングする。これにより、絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈにそれぞれ導体パターン（グランド導体６１ｈ，６２ｈ，６３ｈ，６４ｈ，７１ｈ）を形成する。絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈには例えば液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂基材が用いられる。

　また、絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈに層間接続導体Ｖ１ｈ，Ｖ２ｈ，Ｖ３ｈ，Ｖ４ｈ，Ｖ５ｈ，Ｖ６ｈ，Ｖ７ｈを形成する。層間接続導体Ｖ１ｈ，Ｖ２ｈ，Ｖ３ｈ，Ｖ４ｈ，Ｖ５ｈ，Ｖ６ｈ，Ｖ７ｈは、レーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｏ等のうち１以上にもしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱加圧工程で硬化させることによって設けられる。そのため、層間接続導体Ｖ１ｈ，Ｖ２ｈ，Ｖ３ｈ，Ｖ４ｈ，Ｖ５ｈ，Ｖ６ｈ，Ｖ７ｈは、後の加熱加圧時の温度よりも融点が低い材料とする。

　また、積層した複数の絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈの内部にキャビティを構成する開口ＡＰ４ｈ，ＡＰ５ｈ，ＡＰ６ｈを、絶縁基材層１２ｈ，１３ｈに形成する。

　次に、金属部材２７Ｂを、厚み方向（Ｚ軸方向）成分と平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）成分とを有し、且つ、少なくとも一部が平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に延伸する一連の形状となるように成形する。金属部材２７Ｂは例えば銅製の平板を塑性変形（鍛造）により成形することで三次元構造を得ることができる。

　その後、絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈを積層し、キャビティ（開口ＡＰ４ｈ，ＡＰ５ｈ，ＡＰ６ｈ）内に、成形した金属部材２７Ｂを収納し、積層した絶縁基材層１１ｈ，１２ｈ，１３ｈを加熱加圧することにより、基材１０Ｌを形成する。

　次に、図２５中の（２）に示すように、第１面Ｓ１ｈ側から基材１０Ｌの内側に向かって厚み方向（Ｚ軸方向）に延伸する空孔ＳＰ１Ｈ，ＳＰ２Ｈを形成し、図２５中の（３）に示す基材１０Ｈを得る。

　具体的には、空孔ＳＰ１Ｈ、基材１０Ｌの第１面Ｓ１ｈの領域ＬＴ３に対し、厚み（Ｚ軸方向）に向かって照射されるレーザー光ＬＲによって形成される。また、開口部ＣＰ２Ｈは、基材１０Ｌの第１面Ｓ１ｈの領域ＬＴ４に対し、厚み方向（Ｚ軸方向）に向かって照射されるレーザー光ＬＲによって形成される。レーザー光ＬＲは、基材の内部に収納される金属部材２７Ｂで遮られる。したがって、このような製造方法を用いることで、金属部材２７Ｂに沿った（第１面Ｓ１ｈから金属部材２７Ｂにまで達する）空孔ＳＰ１Ｈ，ＳＰ２Ｈを容易に形成できる。

　《その他の実施形態》
　なお、上述の実施形態では、基材１０の長手方向が横方向（Ｘ軸方向）に一致し、短手方向が縦方向（Ｙ軸方向）に一致した略長尺状の絶縁体平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。基材１０の形状・構造等は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。基材１０の平面形状は、例えば正方形、円形、楕円形、Ｌ字形、Ｙ字形等、適宜変更可能である。

　上述した第１から第６の実施形態では、絶縁基材層の積層数が４または５である基材を備える多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。基材（多層基板）の積層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

　なお、多層基板が有する回路の構成は、上述の実施形態に示した構成のみに限定されるものではない。多層基板が有する回路構成は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。したがって、複数の絶縁基材層に形成される導体パターンおよび層間接続導体の形状、数量、大きさ等は多層基板が有する回路構成によって適宜変更可能である。また、実装部品３１，３２の種類、個数等も、多層基板が有する回路構成によって適宜変更可能である。なお、上述の実施形態では、実装部品３１，３２は、基材１０の第１主面ＶＳ１に実装される例を示したが、これに限定されるものではない。実装部品３１，３２は、基材１０の第２主面ＶＳ２に実装されていてもよい。また、実装部品３１，３２は基材１０の内部に収納（埋設）されていてもよい。なお、本発明の多層基板において、実装部品３１，３２は必須ではない。

　また、コネクタ５１の種類、個数等についても、多層基板が有する回路構成によって適宜変更可能である。なお、上述の実施形態では、コネクタ５１が基材１０の第１主面ＶＳ１に実装される例を示したが、これに限定されるものではない。コネクタ５１は、基材１０の第２主面ＶＳ２に実装されていてもよい。なお、本発明の多層基板において、コネクタ５１は必須ではない。すなわち、多層基板は、はんだ等の導電性接合材を介して他の回路基板と接続する構成であってもよい。

　金属部材の形状（三次元構造）は、上述の実施形態で示した金属部材２１，２２，２４の構造に限定されるものではない。厚み方向（Ｚ軸方向）成分と平面方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）成分とを有し、且つ、基材に形成される回路の少なくとも一部を構成するのであれば、金属部材の形状（三次元構造）は適宜変更可能である。また、金属部材の断面形状は必ずしも円形である必要はない。金属部材の断面形状は、例えば矩形、正方形、多角形、楕円形、Ｌ字形、Ｔ字形、コの字形（ｃ字形）等、適宜変更可能である。

　上述（第１または第２）の実施形態では、金属部材２１，２２が例えばＵＨＦ帯アンテナの放射素子である例を示したが、この構成に限定されるものではない。金属部材が、伝送線路の一部、コイルアンテナ、インダクタ等を構成していてもよい。

　上述（第１または第２）の実施形態では、金属部材２１，２２の一端が導電性接合材１を介して導体パターン（導体６１の他端）に接続される例を示したが、これに限定されるものではない。導電性接合材１は必須ではなく、金属部材の一端と導体パターン（導体６１の他端）とを当接することにより接続してもよい。

ＡＮ…アンテナ部
ＳＬ…線路部
ＣＮ１，ＣＮ２…接続部
ＣＰ１，…開口部
ＳＰ１，ＳＰ１Ｇ，ＳＰ１Ｈ，ＳＰ１Ｊ，ＳＰ２Ｇ，ＳＰ２Ｈ，ＳＰ２Ｊ…空孔
ＡＰ１，ＡＰ１ｆ，ＡＰ１ｇ，ＡＰ２，ＡＰ２ｆ，ＡＰ２ｇ，ＡＰ３，ＡＰ３ｆ，ＡＰ３ｇ，ＡＰ４，ＡＰ４ｈ，ＡＰ５，ＡＰ５ｈ，ＡＰ６，ＡＰ６ｈ，ＡＰ７…開口
Ｈ１…貫通孔
Ｐ１，Ｐ２…電極
Ｖ１，Ｖ１ｆ，Ｖ１ｇ，Ｖ１ｈ，Ｖ２，Ｖ２ｆ，Ｖ２ｇ，Ｖ２ｈ，Ｖ３，Ｖ３ｆ，Ｖ３ｇ，Ｖ３ｈ，Ｖ４，Ｖ４ｆ，Ｖ４ｇ，Ｖ４ｈ，Ｖ５，Ｖ５ｆ，Ｖ５ｇ，Ｖ５ｈ，Ｖ６，Ｖ６ｆ，Ｖ６ｇ，Ｖ６ｈ，Ｖ７，Ｖ７ｆ，Ｖ７ｇ，Ｖ７ｈ，Ｖ８ｆ，Ｖ８ｇ，Ｖ９ｆ，Ｖ９ｇ，Ｖ１０ｆ，Ｖ１０ｇ，Ｖ１１，Ｖ１１ｆ，Ｖ１１ｇ，Ｖ１２，Ｖ１２ｆ，Ｖ１２ｇ，Ｖ１３，Ｖ１３ｆ，Ｖ１４，Ｖ１４ｆ，Ｖ１５，Ｖ１５ｆ，Ｖ１６，Ｖ１６ｆ，Ｖ１７ｆ…層間接続導体
ＶＳ１…第１主面
ＶＳ２…第２主面
Ｓ１ｇ，Ｓ１ｈ…第１面
１…導電性接合材
２…結合部材
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ，１０Ｊ…基材
１１，１１ａ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈ，１２，１２ａ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈ，１３，１３ａ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｆ，１３ｇ，１３ｈ，１４，１４ａ，１４ｃ，１４ｆ，１５，１５ｃ，１５ｄ…絶縁基材層
２１，２２，２２Ａ，２３，２４，２５，２７Ａ，２７Ｂ…金属部材
３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７…実装部品
４１，４２，４３，４４，４５，Ｐ４１，Ｐ４２，Ｐ４３…電極
６１ｆ，６１ｇ，６１Ｊ，６２ｇ，６５ｇ，６６ｇ…信号導体
４１ｆ，４１ｇ，４２ｆ，４２ｇ…信号電極
４３ｆ，４３ｇ，４４ｆ，４４ｇ，４５ｆ，４５ｇ，４６，Ｐ４３，Ｐ４４，Ｐ４５…グランド電極
４７，７１，６１ｈ，６２ｈ，６３ｇ，６３ｈ，６４ｇ，６４ｈ，６７ｇ，６８ｇ，７１ｆ，７１ｈ…グランド導体
８１…金属筐体
５１，５２…コネクタ
６１，６１ｆ，６２，６２ｆ，６３，６３ｆ，６４，６４ｆ，６５，６５ｆ，６６，６６ｆ，６７ｆ…導体
１０１，１０２，１０３，１０４Ａ，１０４Ｂ，１０５，１０６，１０７…多層基板
２０１，２０２…電子機器
３０１…実装基板

Claims

　それぞれ熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層が積層された基材と、
　前記絶縁基材層に形成される導体パターンと、
　少なくとも一部が前記基材の内部に収納され、前記導体パターンに接続される金属部材と、
　を備え、
　前記金属部材は、折れ曲がった部分を介して前記絶縁基材層の積層方向成分と前記絶縁基材層の主面に平行な平面方向成分とを有し、且つ、少なくとも一部が前記平面方向に延伸する一連の部材であり、前記基材に形成される回路の少なくとも一部を構成することを特徴とする、多層基板。
　前記基材の内部に収納される前記金属部材の少なくとも一部は、積層した複数の前記絶縁基材層の内部に構成される、前記金属部材の形状に沿うように前記積層方向と前記絶縁基材層の前記主面に平行な平面方向とに延伸するキャビティ内に収納される、請求項１に記載の多層基板。
　前記絶縁基材層の積層方向における前記金属部材の厚みは、前記絶縁基材層の積層方向における前記導体パターンの厚みよりも大きい、請求項１または２に記載の多層基板。
　前記絶縁基材層に形成され、前記絶縁基材層の積層方向に延伸し、且つ、前記導体パターンに接続される層間接続導体、をさらに備え、
　前記層間接続導体と前記導体パターンとは、固相拡散接合により接続される、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
　前記金属部材は、前記導体パターンと同じ材料で構成される、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板。
　前記金属部材の一部は、前記絶縁基材層の積層方向に対して０°を超え、かつ、９０°未満に延伸する、請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。
　前記金属部材は、アンテナの放射素子の少なくとも一部である、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
　前記導体パターンは信号導体を有し、
　前記金属部材は、前記信号導体の少なくとも三方向を囲むように配置され、
　前記金属部材と、前記信号導体と、を含む伝送線路が構成される、請求項１から７のいずれかに記載の多層基板。
　前記基材は、前記金属部材に沿って形成される空孔を有する、請求項１から８のいずれかに記載の多層基板。
　筐体と、
　前記筐体の内部に収納される多層基板と、
　を備え、
　前記多層基板は、
　　それぞれ熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層が積層された基材と、
　　前記絶縁基材層に形成される導体パターンと、
　　少なくとも一部が前記基材の内部に収納され、前記導体パターンに接続される金属部材と、
　　を有し、
　　前記金属部材は、折れ曲がった部分を介して前記絶縁基材層の積層方向成分と前記絶縁基材層の主面に平行な平面方向成分とを有し、且つ、少なくとも一部が前記平面方向に延伸する一連の部材であり、前記基材に形成される回路の少なくとも一部を構成する、
　電子機器。
　前記筐体の内部に収納される実装基板を備え、
　前記多層基板は、前記実装基板に実装される、請求項１０に記載の電子機器。
　それぞれ熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層が積層された基材と、
　前記絶縁基材層に形成される導体パターンと、
　前記基材の内部に収納され、前記導体パターンに接続される金属部材と、
　を備える多層基板の製造方法であって、
　前記導体パターンを複数の前記絶縁基材層に形成する第１工程と、
　前記金属部材を、前記絶縁基材層の積層方向成分と前記絶縁基材層の主面に平行な平面方向成分とを有し、且つ、少なくとも一部が前記平面方向に延伸する一連の部材に成形する第２工程と、
　積層した前記複数の絶縁基材層の内部に、前記金属部材の形状に沿ったキャビティを構成する開口を、前記複数の絶縁基材層のうち、所定の複数の絶縁基材層に形成する第３工程と、
　前記第１工程、第２工程および前記第３工程の後に、前記複数の絶縁基材層を積層し、前記キャビティ内に前記金属部材を収納する第４工程と、
　前記第４工程の後に、積層した前記複数の絶縁基材層を加熱加圧することにより、前記基材を形成し、且つ、前記金属部材および前記導体パターンの一部が接続される第５工程と、
　を有する多層基板の製造方法。
　前記絶縁基材層に、前記絶縁基材層の積層方向に延伸する導電性ペーストからなる層間接続導体を形成する第６工程をさらに有し、
　前記第４工程は、
　前記第６工程の後に、前記金属部材と前記導体パターンの一部との間に導電性接合材を介在させる工程を含み、
　前記層間接続導体および前記導電性接合材は、前記第５工程における加熱加圧時の温度よりも融点が低い材料であり、
　前記第５工程により、前記金属部材および前記導体パターンの一部が前記導電性接合材を介して接続され、且つ、互いに異なる前記絶縁基材層に形成された前記導体パターンおよび前記層間接続導体が接続される、
　請求項１２に記載の多層基板の製造方法。
　前記第２工程は、
　前記金属部材を塑性変形する工程を含む、
　請求項１２または１３に記載の多層基板の製造方法。