CN207766638U - 多层基板、电子设备 - Google Patents

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Abstract

多层基板(101)具备分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层(11、12、13、14、15)被层叠而成的基材、形成于至少1个绝缘基材层(11、12、13、14、15)的导体(41、42、43、44、45、61、62、63、71)(导体图案)、接地电极(46)及接地导体(47)(导体图案)、和连接于导体(61)的金属构件(21)。金属构件(21)被收纳于基材的内部，是具有多个绝缘基材层(11、12、13、14、15)的层叠方向(Z轴方向)成分及与绝缘基材层(11、12、13、14、15)的主面平行的平面方向成分、且至少一部分在所述平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸的连续的构件，构成形成于基材的电路的至少一部分。

Description

多层基板、电子设备
技术领域
本实用新型涉及多层基板，尤其涉及例如具有多个绝缘基材层被层叠而成的基材、和被收纳于基材的内部的金属构件的多层基板及具备该多层基板的电子设备。再有，涉及该多层基板的制造方法。
背景技术
以往，在多个绝缘基材层被层叠而成的多层基板中，通过利用相对于绝缘基材层的主面在垂直方向上延伸的层间连接导体对分别形成于多个绝缘基材层的主面的多个导体图案彼此进行连接，从而在多层基板内形成三维构造的导体(电路)。
例如，在专利文献1中公开了被内置于多个绝缘基材层被层叠而成的层叠体中的三维构造的天线。上述天线是通过通孔镀覆或过孔导体等层间连接导体将形成于各个绝缘基材层的主面的倒F天线的导体图案的供电端连接起来的三维构造的导体。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2007-124328号公报
发明内容
-实用新型所要解决的技术问题-
可是，在专利文献1所示的结构的三维构造的导体中，产生如下课题。
(a)由于用通孔镀覆或过孔导体等层间连接导体来连接形成于各个绝缘基材层的导体图案彼此，故需要在绝缘基材层形成了贯通孔后对该贯通孔进行镀覆加工或填充导电性构件等的工序，制造工序复杂化。
(b)需要考虑绝缘基材层的堆叠偏移(层叠位置精度)。若产生堆叠偏移，则在导体图案会有无用的部分产生，因此也会对电学特性造成影响。
(c)若绝缘基材层的层叠数增多，则层间连接导体也增多，因此三维构造的导体整体的导体损耗增大。再有，层间连接导体的连接部位增加，由此导体间的电连接的可靠性降低。
本实用新型的目的在于，提供通过简单的结构将具有所期望的形状、且具有可抑制导体损耗的三维构造的导体(电路)收纳到内部的多层基板及具备该多层基板的电子设备。再有，提供该多层基板的制造方法。
-用于解决技术问题的手段-
(1)本实用新型的多层基板，其特征在于，具备：
基材，层叠分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层而成；
导体图案，形成于多个所述绝缘基材层之中的至少1个绝缘基材层；和
金属构件，具有弯折的部分，至少一部分被收纳于所述基材的内部且与所述导体图案连接，
所述金属构件是隔着所述弯折的部分而具有多个所述绝缘基材层的层叠方向成分和与所述绝缘基材层的主面平行的平面方向成分、且至少一部分在所述平面方向上延伸的连续的构件，所述金属构件构成形成于所述基材的电路的至少一部分。
一般而言，将导电性膏固化而成的过孔导体等层间连接导体的导电率低于金属构件，电阻高。在本结构中，无需使用这种层间连接导体，就能在基材的内部形成三维构造的导体(电路)。因而，与使用多个层间连接导体在基材的内部形成了三维构造的导体(电路)的情况相比，可降低电路整体的导体损耗。
再有，在本结构中，由于在基材的内部形成三维构造的导体(电路)，故没有必要在绝缘基材层形成导体图案或层间连接导体。因而，可简化制造工序。还有，在本结构中，由于使用预先成型为三维构造的金属构件，故与利用导体图案或将导电性膏固化而成的层间连接导体来形成三维构造的导体(电路)的情况相比，电连接可靠性高。
(2)上述(1)中，所述弯折的部分也可以被收纳于所述基材的内部。
(3)上述(1)中，优选被收纳于所述基材的内部的所述金属构件的至少一部分收纳在腔室内，该腔室构成在层叠的多个所述绝缘基材层的内部，且在所述层叠方向及与所述绝缘基材层的所述主面平行的平面方向上延伸，以便沿着所述金属构件的形状。根据本结构，可容易地实现具有所期望的三维构造的金属构件被收纳在基材的内部的多层基板。
(4)上述(1)中，优选所述层叠方向上的所述金属构件的厚度大于所述层叠方向上的所述导体图案的厚度。根据本结构，金属构件的DCR (直流电阻)减小，可降低导体损耗。再有，通过将绝缘基材层的层叠方向上的金属构件的厚度增大，从而能够提高金属构件的强度，可进一步抑制加热加压时或外力等导致的金属构件的变形。
(5)上述(1)中，优选还具备层间连接导体，所述层间连接导体形成于所述绝缘基材层并在所述层叠方向上延伸、且与所述导体图案连接，所述层间连接导体与所述导体图案通过固相扩散接合来连接。在本结构中，层间连接导体与导体图案面彼此地进行接合。因而，层间连接导体与导体图案之间的连接的电学/机械性的连接可靠性高。
(6)上述(1)中，优选所述金属构件由与所述导体图案相同的材料构成。在本结构中，例如在导电性接合材料包含Sn、金属构件及导体图案包含Cu的情况下，利用Sn与Cu易于形成固相扩散层。因此，优选使金属构件及导体图案的材料一致。
(7)上述(1)中，优选所述金属构件的一部分相对于所述层叠方向，超过0°且小于90°地延伸。与将在层叠方向上延伸的部分和在与绝缘基材层的主面平行的平面方向上延伸的部分组合来形成三维构造的导体的情况相比，具有相对于层叠方向以锐角延伸的部分的结构，可缩短导体整体的长度。因此，根据本结构，可缩短金属构件整体的导体长，进一步可降低导体损耗。
(8)上述(1)中，所述金属构件能够设为天线的辐射元件的至少一部分。
(9)上述(1)中，优选所述导体图案具有信号导体，所述金属构件被配置为将所述信号导体的至少三个方向包围，由此构成包括所述金属构件和所述信号导体的传输线路。在本结构中，由于信号导体被金属构件包围，故从传输线路向外部的不需要的辐射得以抑制。
(10)上述(1)～(9)的任一项中，所述基材也可以具有沿着所述金属构件形成的空孔。根据本结构，在包含金属构件与信号导体而构成传输线路的情况下，能抑制将高频信号传输到信号导体时的电介质损耗。
(11)本实用新型的电子设备，其特征在于，具备：
壳体；和
被收纳于所述壳体的内部的多层基板，
所述多层基板具有：
基材，层叠分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层而成；
导体图案，形成于多个所述绝缘基材层之中的至少1个绝缘基材层；和
金属构件，具有弯折的部分，且至少一部分被收纳于所述基材的内部且与所述导体图案连接，
所述金属构件是隔着所述弯折的部分而具有多个所述绝缘基材层的层叠方向成分和与所述绝缘基材层的主面平行的平面方向成分、且至少一部分在所述平面方向上延伸的连续的构件，所述金属构件构成形成于所述基材的电路的至少一部分。
根据本结构，可实现具备将具有所期望的形状、且可抑制导体损耗的三维构造的导体(电路)收纳到内部的多层基板的电子设备。
(12)上述(11)中，所述弯折的部分也可以被收纳于所述基材的内部。
(13)上述(11)或(12)中，具备被收纳于所述壳体的内部的安装基板，所述多层基板也可以被安装于所述安装基板。
-实用新型效果-
根据本实用新型，通过简单的结构可实现将具有所期望的形状、且可抑制导体损耗的三维构造的导体(电路)收纳到内部的多层基板及具备其的电子设备。
附图说明
图1是第1实施方式涉及的多层基板101的外观立体图。
图2是多层基板101的分解立体图。
图3是多层基板101的俯视图。
图4是多层基板101的剖视图。
图5(A)是第2实施方式涉及的多层基板102的剖视图，图5(B) 是被收纳于多层基板102的基材10内部的金属构件22的外观立体图。
图6(A)是将相对于厚度方向(Z轴方向)以锐角延伸的金属构件 22A收纳于内部的基材10A的剖视图，图6(B)是作为比较例将导体61、 62、63及层间连接导体V11、V12、V13、V14收纳于内部的基材10B的剖视图。
图7(A)是表示第3实施方式涉及的多层基板103的主要部分的剖视图，图7(B)是表示多层基板103的主要部分的分解剖视图。
图8是多层基板103具备的金属构件23的立体图。
图9是表示第3实施方式涉及的电子设备201的主要部分的剖视图。
图10(A)是第4实施方式涉及的多层基板104A的主要部分中的外观立体图，图10(B)是多层基板104A的主要部分中的剖视图。
图11是多层基板104A的主要部分中的分解立体图。
图12(A)是第4实施方式涉及的其他多层基板104B的主要部分中的外观立体图，图12(B)是多层基板104B的主要部分中的剖视图。
图13是依序表示多层基板104B的制造工序的剖视图。
图14是第5实施方式涉及的多层基板105的外观立体图。
图15是多层基板105的分解立体图。
图16是图14中的A-A剖视图。
图17(A)是表示第6实施方式涉及的电子设备202的主要部分的立体图，图17(B)是表示电子设备202的主要部分的分解立体图。
图18(A)是第7实施方式涉及的多层基板107的外观立体图，图 18(B)是从不同于图18(A)的视点观察到的多层基板107的外观立体图。
图19是多层基板107的分解立体图。
图20(A)是图18(A)中的B-B剖视图，图20(B)是图18(A) 中的C-C剖视图。
图21是图18(A)中的D-D剖视图。
图22(A)是基材10G的外观立体图，图22(B)是基材10G的分解立体图。
图23(A)是基材10H的外观立体图，图23(B)是基材10H的分解立体图。
图24是依序表示基材10G的制造工序的立体图。
图25是依序表示基材10H的制造工序的立体图。
具体实施方式
以后，参照附图并列举几个具体示例，来表示用于实施本实用新型的多个方式。在各图中对同一部位赋予同一符号。各实施方式仅为例示，不同的实施方式中示出的结构的局部性的置换或组合是可能的。
《第1实施方式》
图1是第1实施方式涉及的多层基板101的外观立体图。图2是多层基板101的分解立体图。图3是多层基板101的俯视图。图4是多层基板 101的剖视图。本实施方式涉及的多层基板101是作为天线的辐射元件发挥功能的金属构件被收纳在由多个树脂基材层组成的基材的内部的构造的多层基板。
如图1及图2所示，多层基板101具备：具有第1主面VS1和与第 1主面VS1对置的第2主面VS2的基材10、金属构件21、安装部件31、 32及连接器51。金属构件21被收纳(埋设)于该基材10的内部。安装部件31、32及连接器51被安装于基材10的第1主面VS1。
基材10是长边方向与横向(图1中的X轴方向)一致、短边方向与纵向(Y轴方向)一致的大致长条状的绝缘体平板。基材10是将分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层11、12、13、14、15在厚度方向(图 1中的Z轴方向)上层叠，并对这些绝缘基材层进行加热加压(热压接) 而构成的。这些横向(X轴方向)及纵向(Y轴方向)相当于本实用新型的“与绝缘基材层的主面平行的平面方向”，厚度方向(Z轴方向)相当于本实用新型的“绝缘基材层的层叠方向”。
绝缘基材层11是最上层，是平面形状为正方形的平板。绝缘基材层 12是与绝缘基材层11相同形状的平板。在绝缘基材层12形成有开口AP1。开口AP1的平面形状为コ字(c字)形，是从绝缘基材层12的上表面至下表面的贯通孔。
绝缘基材层13是平面形状为矩形的平板。在绝缘基材层13的上表面形成电极41、42、43、44、45及3个接地电极46。电极41、42、43、44 是矩形的导体图案，位于绝缘基材层13的短边方向(Y轴方向)的中央、且沿着绝缘基材层13的长边方向(X轴方向)按顺序排列。电极45及多个接地电极46是矩形的导体图案，配置于绝缘基材层13的长边方向(X 轴方向)的一端(图2中的绝缘基材层13的右侧端)附近。
再有，在绝缘基材层13形成层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、 V6。层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、V6是在绝缘基材层13的厚度方向(Z轴方向)上延伸的导体。层间连接导体V1与电极41连接，层间连接导体V2与电极42连接。层间连接导体V3与电极43连接，层间连接导体V4与电极44连接。层间连接导体V5与电极45连接，层间连接导体V6分别连接于3个接地电极46。层间连接导体例如是在绝缘基材层形成通孔并填充导电性膏而成的过孔导体等。层间连接导体例如包括 Sn、Cu、Ag、Ni、Mo的至少1种或者这些的合金。
再有，在绝缘基材层13形成有开口AP2。开口AP2的平面形状为直线(I字)状，是从绝缘基材层13的上表面至下表面的贯通孔。开口AP2 配置于从绝缘基材层13的长边方向(X轴方向)的中央起靠近另一端(图 2中的绝缘基材层13的左侧端)的位置。
绝缘基材层14是平面形状为矩形的平板。在绝缘基材层14的上表面形成导体61、62、63及3个接地导体47。导体61、62、63是直线(I 字)状的导体图案，位于绝缘基材层14的短边方向(Y轴方向)中央沿着长边方向(X轴方向)按顺序排列。导体61的一端(图2中的导体61 的右侧端)经由层间连接导体V1而与电极41连接。导体62的另一端(图 2中的导体62的左侧端)经由层间连接导体V2而与电极42连接，导体 62的一端(图2中的导体62的右侧端)经由层间连接导体V3而与电极 43连接。导体63的另一端(图2中的导体63的左侧端)经由层间连接导体V4而与电极44连接，导体63的一端(图2中的导体63的右侧端) 经由层间连接导体V5而与电极45连接。
接地导体47是矩形的导体图案，配置于绝缘基材层14的长边方向(X 轴方向)的一端附近。3个接地导体47分别经由层间连接导体V6而与接地电极46连接。再有，在绝缘基材层14形成多个层间连接导体V7。多个层间连接导体V7是在绝缘基材层14的厚度方向(Z轴方向)上延伸的导体。层间连接导体V7分别连接于3个接地导体47。
绝缘基材层15是最下层，是平面形状为矩形的平板。在绝缘基材层 15的上表面形成接地导体71。接地导体71是矩形的导体图案。接地导体 71经由层间连接导体V7、接地导体47及层间连接导体V6而与多个接地电极46连接。
另外，层间连接导体优选构成为包含与导体图案(电极41、42、43、 44、45、接地电极46、导体61、62、63及接地导体47、71)相同的材料。
基材10是将多个绝缘基材层11、12、13、14、15层叠、并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。此时，通过已形成开口AP1、AP2的绝缘基材层12、13、和未形成开口的绝缘基材层11、14的层叠，在层叠的多个绝缘基材层11、12、13、14、15的内部构成腔室。该腔室在厚度方向(Z轴方向)及与绝缘基材层11、12、13、14、15的主面平行的平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸，以使得沿着金属构件21的形状。金属构件21被收纳(埋设)于腔室内。绝缘基材层11、12、13、14、15 分别由热塑性树脂组成，在加热加压时树脂绕回至该腔室内，因此在加热加压后在基材10的内部几乎未留下间隙。
金属构件21构成形成于基材10的电路的至少一部分，是隔着弯折的部分而具有厚度方向(Z轴方向)成分与平面方向(X轴方向或Y轴方向)成分的三维构造体。具体地进行说明，金属构件21是在平面方向(X 轴方向及Y轴方向)上延伸的コ字(c字)状的部分、在厚度方向(Z轴方向)上延伸的部分和在平面方向(Y轴方向)上延伸的部分成为一体的连续的导线状构件。其中，本实用新型中在平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸的部分设为必须的。
如图4所示，金属构件21的一端经由导电性接合材料1而与导体61 的另一端(图2中的导体61的左侧端)连接。导电性接合材料1例如包括Sn、Cu、Ag、Ni、Mo的至少1种或者这些的合金。
金属构件21例如是圆柱状的铜制导线，通过以给定长度为单位将剖面圆形的铜制导线切断并借助塑性变形(锻造)进行成型而得到。其中，金属构件21也可以通过进行铸造而成型为三维构造。再有，金属构件21 的剖面形状如后面所详述，没有必要一定是圆形的。金属构件21未被限定于一定是铜制，例如也可以是Cu-Zn、Al等。
另外，如图4所示，Z轴方向上的金属构件21的厚度大于Z轴方向上的导体图案(电极41、42、43、44、45、接地电极46、导体61、62、 63、接地导体47、71)的厚度。
本实施方式的金属构件21例如作为UHF频带天线的辐射元件发挥功能。因而，如图3及图4所示，在多层基板101构成金属构件21被收纳 (埋设)到基材10的内部的天线部AN。
电极41、42、43、44、45及接地电极46露出到基材10的第1主面 VS1。如图4所示，安装部件31、32及连接器51安装于基材10的第1 主面VS1。安装部件31被电连接(接合)电极41与电极42之间，安装部件32被电连接(接合)于电极43与电极44之间。再有，连接器51 分别电连接(接合)于电极45及3个接地电极46。该连接(接合)例如能够通过使用焊料或导电性接合材料等来进行。
安装部件31、32例如是作为天线部AN发挥功能的金属构件21的阻抗匹配用的电抗元件，连接器51例如是用于与被安装到其他电路基板的插座进行连接的连接部。另外，如后面所详述的，安装部件31、32及连接器51并不是必须的。
这样，在本实施方式涉及的多层基板101的基材10形成串联地连接的天线部AN(金属构件21)及阻抗匹配用的电抗元件(安装部件31、 32)所构成的电路。
根据本实施方式涉及的多层基板101，实现如下效果。
(a)多层基板101中，是将预先成型为三维构造的金属构件21埋设到基材10的构造。层间连接导体例如通过在形成于绝缘基材层的通孔中填充导电性膏并利用加热加压使其固化而设置的。在该加热加压时由于导电性膏所包含的溶剂挥发，故导体粒子的填充率低。因而，一般而言对导电性膏进行固化而成的过孔导体等层间连接导体的体积电阻率与单体金属相比，较高。另一方面，本实施方式涉及的多层基板101无需使用由导电性膏组成的层间连接导体就能在基材10的内部形成三维构造的导体 (电路)。因而，与使用多个层间连接导体在基材10的内部形成了三维构造的导体(电路)的情况相比，可降低电路整体的导体损耗。
(b)金属构件21与导体图案相比，其刚性较高，因此在加热加压时金属构件21的变形被抑制。再有，通过将金属构件21收纳(埋设)于基材10的内部，从而金属构件21之中埋设到基材10的部分(例如图3中的天线部AN)的因外力等引起的变形被抑制。
(c)本实施方式的多层基板101是将预先成型为三维构造的金属构件21收纳(埋设)于基材10的内部的构造。因而，具有所期望的三维构造的金属构件21的成型变得容易起来。再有，在本实施方式中，在加热加压前已层叠的多个绝缘基材层11、12、13、14、15的内部构成沿着金属构件21的形状的腔室，金属构件21被收纳于该腔室内。因而，可容易地实现具有所期望的三维构造的金属构件21被收纳在基材10的内部的多层基板101。
(d)再有，在本结构中，由于在基材10的内部形成三维构造的导体 (电路)，故没有必要在绝缘基材层形成导体图案或层间连接导体。因而，可简化制造工序。再有，在本结构中，由于使用预先成型为三维构造的金属构件21，故与利用导体图案与层间连接导体来形成三维构造的导体(电路)的情况相比，电连接可靠性较高。
(e)多层基板101中，Z轴方向上的金属构件21的厚度大于Z轴方向上的导体图案(电极41、42、43、44、45、接地电极46、导体61、62、 63、接地导体47、71)的厚度。根据本结构，金属构件21的DCR(直流电阻)减小，可降低导体损耗。再有，通过将Z轴方向上的金属构件21的厚度增大，从而能够提高金属构件21的强度，可进一步抑制加热加压时或外力等引起的金属构件21的变形。
(f)本实施方式涉及的多层基板101中，金属构件21由与导体图案 (电极41、42、43、44、45、接地电极46、导体61、62、63、接地导体 47、71)相同的材料构成。根据本结构，例如在导电性接合材料包含Sn、金属构件及导体图案包含Cu的情况下，易于利用Sn与Cu来形成固相扩散层。因此，优选使金属构件及导体图案的材料一致。
(g)多层基板101中，层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、V6、 V7与导体图案(电极41、42、43、44、45、接地电极46、导体61、62、 63、接地导体47、71)通过固相扩散接合而被连接。通过热压接时的热，例如层间连接导体的导电性膏所包含的Sn和例如导体图案所包含的Cu之间，Cu6Sn5等的固相扩散层形成于界面。在本结构中，层间连接导体与导体图案在面彼此之间接合，因此层间连接导体与导体图案之间的连接的电学/机械性的连接可靠性较高。其中，层间连接导体及导体图案的材料只要是通过固相扩散接合进行连接的组合即可。另外，层间连接导体与导体图案未被限定于通过固相扩散接合进行连接的结构。
上述多层基板101的制造方法如下所述。
(1)首先，准备集合基板状态的绝缘基材层11、12、13、14、15。绝缘基材层11、12、13、14、15能采用例如液晶聚合物等的热塑性树脂基材。
(2)接着，将金属箔(例如铜箔)层压在集合基板状态的绝缘基材层13、14、15的单侧主面，通过光刻对该金属箔进行图案化，由此形成导体图案(电极41、42、43、44、45、接地电极46、导体61、62、63 及接地导体47、71)。在绝缘基材层13、14、15形成导体图案(电极41、42、43、44、45、接地电极46、导体61、62、63及接地导体47、71)的本工序是本实用新型中的“第1工序”的例子。
(3)接着，在集合基板状态的绝缘基材层13、14形成层间连接导体 V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7。在绝缘基材层13、14形成在厚度方向(Z轴方向)上延伸的层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7 的本工序是本实用新型的“第6工序”的例子。
层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7通过利用激光等设置了贯通孔后填充包括Cu、Ag、Sn、Ni、Mo等之中的1种以上或者这些的合金的导电性膏，利用后面的加热加压(本实用新型的“第5工序”) 使其固化而被设置。因而，层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、V6、 V7设为熔点比后面的加热加压时的温度低的材料。
(4)将金属构件21成型为具有厚度方向(Z轴方向)成分和平面方向(X轴方向或Y轴方向)成分、且至少一部分在平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸的连续的形状。金属构件21例如是铜制导线，但也可以是Cu-Zn、Al等。将金属构件21成型为三维构造的本工序是本实用新型中的“第2工序”的例子。
另外，金属构件21例如能够通过将剖面圆形的铜制导线以给定长度为单位切断并借助塑性变形(锻造)成型来获得三维构造，但未被限定于该方法。金属构件21也可以通过进行铸造而成型为三维构造。
(5)接着，在绝缘基材层12、13形成在所层叠的多个绝缘基材层 11、12、13、14、15的内部构成腔室的开口AP1、AP2。其中，形成开口AP1、AP2的绝缘基材层12、13相当于本实用新型中的“给定的绝缘基材层”。在绝缘基材层12、13形成开口AP1、AP2的本工序是本实用新型中的“第3工序”的例子。
(6)上述(1)～(5)之后，将绝缘基材层11、12、13、14、15 层叠，并将已成型的金属构件21收纳于腔室(开口AP1、AP2)内。将绝缘基材层11、12、13、14、15层叠并将已成型的金属构件21收纳于腔室(开口AP1、AP2)内的本工序是本实用新型中的“第4工序”的例子。
此时，优选使导电性接合材料1介于金属构件21和形成在绝缘基材层14的导体61(导体图案)的一部分之间。导电性接合材料1既可以形成于金属构件21的一端，也可以形成于绝缘基材层14所形成的导体61 (导体图案)的一部分。通过在后面的加热加压工序(本实用新型的“第 5工序”)中使导电性接合材料1熔解，从而金属构件21及导体61的一部分经由导电性接合材料1而被连接。因而，导电性接合材料1和层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7同样，设为熔点比后面的加热加压时的温度低的材料。导电性接合材料1例如包括Sn、Cu、Ag、Ni、 Mo的至少1种或者这些的合金。
(7)上述(6)之后，通过对层叠的绝缘基材层11、12、13、14、 15进行加热加压，从而形成基材10。通过对层叠的绝缘基材层11、12、 13、14、15进行加热加压来形成基材10、且金属构件21与形成在绝缘基材层14的导体61(导体图案)的一部分被连接的本工序是本实用新型中的“第5工序”的例子。
此时，收纳于基材10的内部的金属构件21的一端经由导电性接合材料1而连接于形成在绝缘基材层14的导体61的另一端。再有，形成在相互不同的绝缘基材层13、14、15的多个导体图案及多个层间连接导体(导体61和层间连接导体V1、导体62和层间连接导体V2、V3、导体63和层间连接导体V4、V5、接地导体47和层间连接导体V6、接地导体71 和层间连接导体V7)被连接。因而，优选导电性接合材料1和构成层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、V6、V7的材料相同。
(8)上述(7)之后，将安装部件31、32及连接器51安装于基材 10的第1主面VS1。具体是，将安装部件31电连接(接合)于电极41 与电极42之间，将安装部件32电连接(接合)于电极43与电极44之间。再有，将连接器51分别电连接(接合)于电极45及3个接地电极46。该连接(接合)例如能够通过使用焊料或导电性接合材料等来进行。
根据上述制造方法，通过简单的结构能容易地制造将具有所期望的形状、且可抑制导体损耗的三维构造的导体(电路)收纳到内部的多层基板。
再有，上述制造方法中，层间连接导体V1、V2、V3、V4、V5、V6、 V7及导电性接合材料1是熔点比上述(7)中的加热加压时的温度低的材料。因而，在上述(7)中的加热加压时，能够同时进行经由导电性接合材料1的金属构件21及导体61的一部分之间的连接、和形成在相互不同的绝缘基材层的导体图案(电极41、42、43、44、45、接地电极46、导体61、62、63、接地导体47、71)及层间连接导体V1、V2、V3、V4、 V5、V6、V7之间的连接。因此，可简化制造工序。
再有，上述(4)中，金属构件21通过利用塑性变形进行成型来获得三维构造。根据该制造方法，具有所期望的三维构造的金属构件21的成型变得容易起来。
另外，上述制造方法中，虽然示出了以第1工序、第6工序、第2 工序、第3工序、第4工序、第5工序的顺序制造电子设备的例子，但未被限定于本结构。只要是在第1工序、第2工序、第3工序、第6工序之后能按照第4工序、第5工序的顺序进行，第1工序、第2工序、第3 工序、第6工序的顺序就能适宜地变更。
《第2实施方式》
图5(A)是第2实施方式涉及的多层基板102的剖视图，图5(B) 是被收纳于多层基板102的基材10内部的金属构件22的外观立体图。
对于第2实施方式涉及的多层基板102而言，被收纳于基材10内部的金属构件22的形状和第1实施方式涉及的多层基板101不同。其他结构和多层基板101是相同的。以下，针对与第1实施方式涉及的多层基板 101不同的部分进行说明。
金属构件22是在平面方向(X轴方向及Y轴方向)上延伸的コ字(c 字)状的部分、在厚度方向(Z轴方向)及横向(X轴方向)上延伸的部分和在平面方向(Y轴方向)上延伸的部分隔着弯折的部分而成为一体的连续的构件。如图5(A)所示，金属构件22具有相对于厚度方向(Z轴方向)以锐角(超过0°、且小于90°)延伸的部分。换言之，金属构件 22不具有在厚度方向(Z轴方向)上延伸的部分，而具有相对于平面方向(X轴方向及Y轴方向)斜方向延伸的部分。
接着，参照附图，对金属构件具有相对于厚度方向(Z轴方向)以锐角(超过0°、且小于90°)延伸的部分的优点进行说明。图6(A)是将相对于厚度方向(Z轴方向)以锐角延伸的金属构件22A收纳于内部的基材10A的剖视图，图6(B)是作为比较例将导体61、62、63及层间连接导体V11、V12、V13、V14收纳于内部的基材10B的剖视图。
图6(A)及图6(B)所示的基材10A、10B将分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层11a、12a、13a、14a在厚度方向(Z轴方向)上层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成。在基材10A、10B的上表面形成电极P1，在基材10A、10B的下表面形成电极P2。电极P1位于基材10A、10B的一个侧面(图6(A)及图6(B)中的基材10A、10B的左侧面)附近，电极P2位于基材10A、10B的另一侧面(图6(A)及图 6(B)中的基材10A、10B的右侧面)附近。基材10A、10B除了被收纳(埋设)于内部的导体不同以外，其他结构实质上是相同的。
金属构件22A被收纳(埋设)于基材10A的内部。如图6(A)所示，金属构件22A是经由弯折的部分而相对于厚度方向(Z轴方向)以锐角 (超过0°、且小于90°)延伸的直线状的构件。金属构件22A的一端与电极P1连接，金属构件22A的另一端与电极P2连接。即，电极P1 与电极P2之间经由金属构件22A而被连接。
另一方面，导体61、62、63及层间连接导体V11、V12、V13、V14 被收纳(埋设)在基材10B的内部。电极P1与电极P2之间经由导体61、 62、63及层间连接导体V11、V12、V13、V14而被连接。
如图6(A)及图6(B)所示，与将在厚度方向(Z轴方向)上延伸的部分和在平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸的部分组合来形成三维构造的导体的情况相比，具有相对于厚度方向(Z轴方向)以锐角(超过0°、且小于90°)延伸的部分的结构，可缩短导体整体的长度。因此，根据本结构，可缩短金属构件整体的导体长，可进一步降低导体损耗。
《第3实施方式》
第3实施方式中，针对金属构件的一部分从基材露出的多层基板加以表示。
图7(A)是表示第3实施方式涉及的多层基板103的主要部分的剖视图，图7(B)是表示多层基板103的主要部分的分解剖视图。图8是多层基板103所具备的金属构件23的立体图。
第3实施方式涉及的多层基板103在金属构件的一部分从基材露出这一点上和第1实施方式涉及的多层基板101不同。再有，多层基板103 在具备导体64、65这一点上和多层基板101不同。其他结构和多层基板 101实质上是相同的。以下，针对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。
如图7(A)所示，多层基板103具备基材10C及金属构件23等。在基材10C的第1主面VS1形成导体65，在基材10C的内部形成导体 64、层间连接导体V15及接地导体71。
金属构件23是被弯折成L字形的构件，是在平面方向(X轴方向) 上延伸的部分和在厚度方向(Z轴方向)上延伸的部分经由弯折的部分而成为一体的连续的三维构造体。如图7(A)所示，金属构件23的一部分被收纳于基材10C的内部，金属构件23的其他部分露出于基材10C的外部。金属构件23的一端经由层间连接导体V15而与接地导体71连接。在金属构件23的另一端近旁形成有贯通孔H1。
如图7(B)所示，基材10C是将多个绝缘基材层11c、12c、13c、14c、15c在厚度方向(Z轴方向)上层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。绝缘基材层11c为最上层、绝缘基材层15c为最下层。
在绝缘基材层11c的上表面形成导体65。再有，在绝缘基材层11c 形成开口AP3。开口AP3是从绝缘基材层11c的上表面至下表面的贯通孔。
在绝缘基材层12c的下表面形成导体64。再有，在绝缘基材层12c 形成开口AP4。开口AP4是从绝缘基材层12c的上表面至下表面的贯通孔。金属构件23的另一端穿通形成于绝缘基材层12c的开口AP4，金属构件23的一端被粘贴于绝缘基材层12c的下表面。
在绝缘基材层13c形成开口AP5。开口AP5是从绝缘基材层13c的上表面至下表面的贯通孔。
在绝缘基材层14c的下表面形成接地导体71。再有，在绝缘基材层 14c形成层间连接导体V15。
基材10C是将多个绝缘基材层11c、12c、13c、14c、15c层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。此时，通过形成有开口AP3、AP4、 AP5的绝缘基材层11c、12c、13c和未形成开口的绝缘基材层14c、15c 的层叠，在层叠的多个绝缘基材层11c、12c、13c、14c、15c的内部构成腔室。该腔室在厚度方向(Z轴方向)及平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸，以便沿着金属构件23的一部分的形状。金属构件23的一部分被收纳(埋设)于该腔室内。如上所述，绝缘基材层11c、12c、13c、 14c、15c分别由热塑性树脂组成，在加热加压时树脂绕回到该腔室内。
如本实施方式示出的，金属构件也可以是一部分被收纳于基材的内部、其他部分从基材露出的结构。如本实施方式那样金属构件的一部分被收纳于基材的内部的情况下，只要是金属构件之中被收纳于基材内部的部分具有厚度方向(Z轴方向)成分和平面方向(X轴方向或Y轴方向) 成分、且至少一部分在平面方向上延伸的连续的构件即可。
图9是表示第3实施方式涉及的电子设备201的主要部分的剖视图。
本实施方式涉及的电子设备201具备金属壳体81、被收纳于金属壳体81的多层基板103和结合构件2等。结合构件2穿通形成于金属构件 23的另一端近旁的贯通孔H1。使用结合构件2而将多层基板103所具备的金属构件23的另一端固定于金属壳体81。结合构件2例如是金属制的螺钉。
本实施方式涉及的多层基板103中，由于金属构件23的一部分被收纳于基材10C的内部，故与经由焊料等导电性接合材料将金属构件接合到形成于基材表面的导体的情况相比，金属构件被牢固地固定于基材。因而，利用将多层基板103固定于金属壳体81时施加于金属构件23的应力，可防止金属构件23从多层基板103脱离，机械强度与电学可靠性提高。
另外，在本实施方式中，虽然示出了使用金属制的螺钉即结合构件2 将多层基板固定到金属壳体81的例子，但未被限定于本结构。结合构件 2也可以是夹子等，也可以通过夹持从基材露出的金属构件等，从而将多层基板固定于金属壳体。再有，多层基板也可以与被收纳于电子设备201 的金属壳体81的安装基板等连接。
《第4实施方式》
第4实施方式中表示形状与上述实施方式涉及的金属构件不同的例子。
图10(A)是第4实施方式涉及的多层基板104A的主要部分中的外观立体图，图10(B)是多层基板104A的主要部分中的剖视图。图11 是多层基板104A的主要部分中的分解立体图。
对于第4实施方式涉及的多层基板104A而言，金属构件的形状和第 1实施方式涉及的多层基板101不同。再有，多层基板104A在具备导体 66这一点上和多层基板101不同。其他结构和多层基板101实质上是相同的。以下，对与第1实施方式涉及的多层基板101不同的部分进行说明。
如图10(B)所示，多层基板104A具备基材10D及金属构件24等。在基材10D的内部形成有导体66、多个层间连接导体V16及接地导体71 等。
金属构件24在从厚度方向(Z轴方向)观察时为U字状，是在平面方向(X轴方向及Y轴方向)上延伸的部分和在厚度方向(Z轴方向) 上延伸的部分经由弯折的部分而成为一体的三维构造体。金属构件24具有开口部CP1。如图10(B)所示，金属构件24被收纳于基材10D的内部。金属构件24的一端经由多个层间连接导体V16而与接地导体71连接。
如图11所示，基材10D是将多个绝缘基材层11d、12d、13d、14d、 15d在厚度方向(Z轴方向)上层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。绝缘基材层11d为最上层、绝缘基材层15d为最下层。
在绝缘基材层12d形成有开口AP6。开口AP6是平面形状为U字形且从绝缘基材层12d的上表面至下表面的贯通孔。
在绝缘基材层13d的上表面形成平面形状为L字形的导体66。再有，在绝缘基材层13d形成有开口AP7。开口AP7是平面形状为U字形且从绝缘基材层13d的上表面至下表面的贯通孔。
在绝缘基材层14d形成5个层间连接导体V16。5个层间连接导体 V16在俯视绝缘基材层14d时(从Z轴方向观察时)被配置成U字状。
在绝缘基材层15d的上表面形成接地导体71。
基材10D是将多个绝缘基材层11d、12d、13d、14d、15d层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。此时，通过形成有开口AP6、 AP7的绝缘基材层12d、13d和未形成开口的绝缘基材层11d、14d的层叠，在层叠的多个绝缘基材层11d、12d、13d、14d、15d的内部构成腔室。该腔室在厚度方向(Z轴方向)及平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸，以便沿着金属构件24的形状。金属构件24被收纳(埋设)于该腔室内。
接着，针对本实施方式涉及的其他多层基板，参照附图进行说明。图 12(A)是第4实施方式涉及的其他多层基板104B的主要部分中的外观立体图，图12(B)是多层基板104B的主要部分中的剖视图。另外，在图12(A)中，为了容易理解构造而用点图案来表示金属构件24。
如图12(A)及图12(B)所示，多层基板104B具备基材10E及金属构件24等。多层基板104B在具有从基材10E的表面(第1主面VS1) 朝向内部地形成的空孔SP1这一点上和多层基板104A不同。关于其他结构，和多层基板104A相同。
空孔SP1是从第1主面VS1朝向基材10E的内部地在厚度方向(Z 轴方向)上延伸、并至形成于基材10E的内部的接地导体71的孔。因而，接地导体71的一部分从基材10E露出。再有，空孔SP1从Z轴方向观察时被配置在与金属构件24的开口部CP1(图11中，三个方向(-X方向、 +Y方向及-Y方向)被金属构件24包围的部分)一致的位置。因而，空孔SP1沿着金属构件24的开口部CP1而形成，金属构件24的开口部 CP1的内侧部分从基材10E露出。
本实施方式涉及的多层基板104B例如通过以下的工序来制造。图13 是依序表示多层基板104B的制造工序的剖视图。
首先，如图13中的(1)所示，准备多层基板104A。
接着，形成从第1主面VS1侧朝向基材10D的内侧地在厚度方向(Z 轴方向)上延伸并至接地导体71的空孔SP1，获得多层基板104B(基材 10E)。
具体地，空孔SP1是对被收纳到基材10D内部的金属构件24的开口部CP1的位置通过朝向厚度方向(Z轴方向)照射的激光光线LR而形成的。激光光线LR被形成于基材10D内部的接地导体71遮挡。通过使用这种制造方法，从而可容易地形成从第1主面VS1至接地导体71的空孔 SP1。再有，根据该制造方法，在形成沿着金属构件24的空孔SP1时可使得孔不向不需要的方向(例如相对于金属构件24的-X方向)一直扩展。
另外，本实施方式涉及的多层基板104B中，虽然示出形成从第1主面VS1至接地导体71的空孔SP1的结构，但未被限定于此。空孔SP1 也可以不从基材的表面达到接地导体。此外，空孔SP1也可以形成于基材的第2主面VS2或侧面。
再有，多层基板104B中，虽然示出空孔SP1从Z轴方向观察时被配置在与金属构件24的开口部CP1一致的位置的结构例，但未被限定于此。也可以将空孔SP1配置于金属构件24的开口部CP1以外的位置。
还有，本实施方式中，虽然示出金属构件24从厚度方向(Z轴方向) 观察时为U字状的三维构造体的例子，但未被限定于本结构。如后面所详述的(参照“其他实施方式”。)，金属构件的形状(三维构造)在实现本实用新型的作用/效果的范围内能适宜地变更，例如在从厚度方向(Z 轴方向)观察时也可以是被弯折成大致U字形、大致L字形、大致I字形、大致T字形、大致Y字形等的形状。
《第5实施方式》
第5实施方式中，表示形状与上述实施方式涉及的金属构件不同的例子。
图14是第5实施方式涉及的多层基板105的外观立体图。图15是多层基板105的分解立体图。图16是图14中的A-A剖视图。
多层基板105具备具有第1主面VS1和与第1主面VS1对置的第2 主面VS2的基材10F、金属构件25、及连接器51、52等。金属构件25 被收纳(埋设)于该基材10F的内部。连接器51、52安装于基材10F的第2主面VS2。如图14所示，多层基板105具有线路部SL及连接部CN1、 CN2。
基材10F是长边方向与横向(图14中的X轴方向)一致、短边方向与纵向(Y轴方向)一致的大致长条状的绝缘体平板。基材10F是将分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层11f、12f、13f、14f在厚度方向(图 15中的Z轴方向)上层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。多个绝缘基材层11f、12f、13f、14f是平面形状为矩形的平板。
绝缘基材层11f为最上层。在绝缘基材层11f的上表面形成接地导体 71f。接地导体71f是形成于绝缘基材层11f的大致整个面的平面形状为矩形的导体图案。
在绝缘基材层12f的上表面形成信号导体61f及导体62f、63f。信号导体61f是在绝缘基材层12f的长边方向(X轴方向)上延伸的直线(I 字)状的导体图案，被配置于绝缘基材层12f的短边方向(Y轴方向)中央。导体62f为C字形的导体图案，被配置于绝缘基材层12f的长边方向 (X轴方向)的一端(图15中的绝缘基材层12f的右侧端)附近。导体 62f经由形成于绝缘基材层11f的3个层间连接导体V1f而与接地导体71f 连接。导体63f为C字形的导体图案，被配置于绝缘基材层12f的长边方向(X轴方向)的另一端(绝缘基材层12f的左侧端)附近。导体63f经由形成于绝缘基材层11f的3个层间连接导体V2f而与接地导体71f连接。
再有，在绝缘基材层12f形成有开口AP1f、AP2f。开口AP1f被配置为靠近绝缘基材层12f的第1边(图15中的绝缘基材层12f的下边)，是在绝缘基材层12f的长边方向(X轴方向)上延伸的平面形状为直线(I 字)状的贯通孔。开口AP2f被配置为靠近绝缘基材层12f的第2边(绝缘基材层12f的上边)，是在绝缘基材层12f的长边方向(X轴方向)上延伸的平面形状为直线(I字)状的贯通孔。
在绝缘基材层13f的上表面形成导体64f、65f、3个导体66f及3个导体67f。导体64f、65f、3个导体66f及3个导体67f是平面形状为矩形的导体图案。导体64f及3个导体66f被配置于绝缘基材层13f的一端(图 15中的绝缘基材层13f的右侧端)附近。导体65f及3个导体67f被配置于绝缘基材层13f的另一端(绝缘基材层13f的左侧端)附近。
导体64f经由形成于绝缘基材层12f的层间连接导体V5f而与信号导体61f的一端连接。导体65f经由形成于绝缘基材层12f的层间连接导体 V6f而与信号导体61f的另一端连接。3个导体66f经由形成于绝缘基材层12f的层间连接导体V7f而分别与导体62f连接。3个导体67f经由形成于绝缘基材层12f的层间连接导体V8f而分别与导体63f连接。
还有，在绝缘基材层13f形成开口AP3f。开口AP3f是被配置于绝缘基材层13f的中央且长边方向与横向(X轴方向)一致的平面形状为矩形的贯通孔。
绝缘基材层14f为最下层。在绝缘基材层14f的下表面形成信号电极 41f、42f、3个接地电极43f、3个接地电极44f及5个接地电极45f。信号电极41f、42f、3个接地电极43f、3个接地电极44f及5个接地电极 45f是平面形状为矩形的导体图案。信号电极41f及3个接地电极43f被配置于绝缘基材层14f的一端(图15中的绝缘基材层14f的右侧端)附近。信号电极42f及3个接地电极44f配置于绝缘基材层14f的另一端(绝缘基材层14f的左侧端)附近。5个接地电极45f被配置于绝缘基材层14f 的短边方向(Y轴方向)中央且排列于长边方向(X轴方向)上。
信号电极41f经由形成于绝缘基材层13f、14f的层间连接导体V9f、 V13f而与导体64f连接。信号电极42f经由形成于绝缘基材层13f、14f 的层间连接导体V10f、V14f而与导体65f连接。3个接地电极43f经由形成于绝缘基材层13f、14f的层间连接导体V11f、V15f而与3个导体 66f分别连接。3个接地电极44f经由形成于绝缘基材层13f、14f的层间连接导体V12f、V16f而与3个导体67f分别连接。
如上所述，基材10F是将多个绝缘基材层11f、12f、13f、14f层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。此时，通过形成了开口AP1f、 AP2f、AP3f的绝缘基材层12f、13f和未形成开口的绝缘基材层11f、14f 的层叠，在层叠的多个绝缘基材层11f、12f、13f、14f的内部构成腔室。该腔室在厚度方向(Z轴方向)及平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸，以便沿着金属构件25的形状。金属构件25被收纳(埋设)于该腔室内。
金属构件25是隔着弯折的部分而具有厚度方向(Z轴方向)成分和平面方向(X轴方向或Y轴方向)成分的三维构造体。具体地说明的话，金属构件25是在横向(X轴方向)上延伸的剖面形状为C字形的构件，是在厚度方向(Z轴方向)上延伸的部分和在平面方向(Y轴方向)上延伸的部分成为一体的连续的构件。
金属构件25例如通过塑性变形(锻造)将铜制的平板成型而得到。其中，金属构件25也可以通过进行铸造来成型为三维构造。另外，金属构件25的厚度大于导体图案(形成于绝缘基材层的电极及导体)的厚度，是刚性比基材10F高的(硬质的)构件。
如图15及图16所示，金属构件25经由形成于绝缘基材层11f的层间连接导体V3f、V4f而与接地导体71f连接。再有，金属构件25经由形成于绝缘基材层14f的层间连接导体V17f而与5个接地电极45f分别连接。如图16所示，金属构件25被配置为将信号导体61f的三个方向(+ Y方向、-Y方向及-X方向)包围。
信号电极41f、42f及接地电极43f、44f、45f在基材10F的第2主面 VS2露出。连接器51分别与信号电极41f及3个接地电极43f电连接(接合)，连接器52分别与信号电极42f及3个接地电极44f电连接(接合)。
这样，包含信号导体61f、被配置为将信号导体61f的三个方向包围的的金属构件25、接地导体71f和层间连接导体V3f、V4f而构成传输线路。具体地，在多层基板105的基材10F中，信号导体61f构成被接地(金属构件25及接地导体71f)将四方向(+Y方向、-Y方向、+X方向及 -X方向)围起来的构造的传输线路。如图16所示，在本实施方式中，在基材10F的厚度方向(Z轴方向)及长边方向(X轴方向)延伸的面状的金属(金属构件25的一部分)也排列于信号导体61f的宽度方向(Y 轴方向)的两侧。因而，与层间连接导体排列在信号导体的宽度方向(Y 轴方向)的两侧的构造相比，从传输线路向外部的不需要的辐射得以抑制。
再有，在本实施方式中，如图14所示，刚性高于基材10F的(硬质的)金属构件25在基材10F的长边方向(X轴方向)上被埋设于中央附近，因此能够提高埋设有金属构件25的部分的机械强度。即，在本实施方式中，金属构件25成为具有作为接地的功能的变形防止构件。
还有，在本实施方式中，未被埋设金属构件25的连接部CN1、CN2 (基材10F的长边方向(X轴方向)的一端及另一端)近旁具有挠性，因此连接器51、52向安装基板等的连接(接合)变得容易起来。
另外，在本实施方式中，虽然示出在未被埋设金属构件25的连接部 CN1、CN2(基材10F的长边方向(X轴方向)的一端及另一端)近旁具有挠性的多层基板105的例子，但未被限定于本结构。通过刚性高于基材 10F的金属构件的配置，能够适宜地变更具有挠性的部分。再者，也可以遍及基材的长边方向(X轴方向)整体来埋设刚性高的金属构件。
此外，如上所述，金属构件25优选由与导体图案(信号电极、信号导体、导体、接地导体、接地电极)相同的材料构成。根据本结构，由于金属构件25及导体图案和层间连接导体通过加热加压(热压接)时的热而同时被接合，故可简化制造工序。
《第6实施方式》
第6实施方式中，针对多层基板被安装到安装基板的电子设备的例子加以表示。
图17(A)是表示第6实施方式涉及的电子设备202的主要部分的立体图，图17(B)是表示电子设备202的主要部分的分解立体图。
本实施方式涉及的电子设备202具备安装基板301、多层基板106及安装部件33、34、35、36、37等。多层基板106及安装基板301被收纳于未图示的壳体的内部。多层基板106在不具备连接器这一点上和第5 实施方式涉及的多层基板105不同，关于其他结构，和多层基板105是相同的。
本实施方式涉及的多层基板106经由焊料等导电性接合材料而被安装于安装基板301，由此与构成于安装基板301的电路连接。再有，安装部件33、34、35、36、37等也被安装于安装基板301。安装基板301例如是印刷布线板。安装部件33、34、35、36、37例如是由陶瓷素材组成的芯片型电感器或芯片型电容器的芯片部件等。
如图17(B)所示，多层基板106的信号电极41f、42f分别与形成于安装基板301的电极P41、P42连接。多层基板106的3个接地电极43f 分别与形成于安装基板301的3个接地电极P43连接。多层基板106的3 个接地电极44f分别与形成于安装基板301的3个接地电极P44连接。多层基板106的5个接地电极45f分别与形成于安装基板301的5个接地电极P45连接。
这样，多层基板也可以被安装于安装基板。另外，通过如本实施方式那样将刚性高于基材10F的金属构件埋设于基材10F，从而可抑制多层基板的翘曲或不需要的变形。因此，如本实施方式涉及的多层基板106那样，即便是长条状，向安装基板等的面安装也会变得容易，能够与其他部件同样地利用安装机进行安装，因此可简化安装工序。
《第7实施方式》
第7实施方式中，表示构成了与第5实施方式不同的构造的传输线路的多层基板的例子。
图18(A)是第7实施方式涉及的多层基板107的外观立体图，图 18(B)是从与图18(A)不同的视点观察到的多层基板107的外观立体图。图19是多层基板107的分解立体图。图20(A)是图18(A)中的 B-B剖视图，图20(B)是图18(A)中的C-C剖视图。图21是图 18(A)中的D-D剖视图。在图19中，为了容易理解构造而以点图案表示金属构件27A、27B。
多层基板107具备具有第1主面VS1和与第1主面VS1对置的第2 主面VS2的基材10J、信号导体61J及金属构件27A、27B。信号导体61J 及金属构件27A、27B等被收纳(埋设)于基材10J的内部。
基材10J是长边方向与横向(图18中的X轴方向)一致、短边方向与纵向(Y轴方向)一致的大致长条状的绝缘体。在基材10J的第1主面 VS1，大致整个面地形成接地导体71h。在基材10J的第2主面VS2形成信号电极41g、42g、3个接地电极43g及3个接地电极44g。信号电极41g 及3个接地电极43g被配置于基材10J的一端(图18(B)中的基材10J 的第2主面VS2的右侧端)附近。信号电极42g及3个接地电极44g被配置于基材10J的另一端(基材10J的第2主面VS2的左侧端)附近。
如图19所示，基材10J是将基材10G与基材10H层叠而构成的，以使基材10G的第1面S1g与基材10H的第1面S1h重合。信号导体61J 是在横向(X轴方向)上延伸的直线(I字)状的平板。信号导体61J的一端与在基材10G的第1面S1g露出的层间连接导体V1g连接。信号导体61J的另一端与在基材10G的第1面S1g露出的层间连接导体V2g连接。信号导体61J通过例如焊料或导电性粘接剂等而与层间连接导体V1g、 V2g接合。
再有，如图19所示，在基材10G的第1面S1g露出的3个层间连接导体V3g分别与在基材10H的第1面S1h露出的3个层间连接导体V1h 连接。在基材10G的第1面S1g露出的3个层间连接导体V4g分别与在基材10H的第1面S1h露出的3个层间连接导体V2h连接。
如图20(A)所示，信号导体61J的一端经由信号导体61g、65g及层间连接导体V1g、V5g、V9g而与信号电极41g连接。再有，如图21 所示，信号导体61J的另一端经由信号导体62g、66g及层间连接导体V2g、 V6g、V10g而与信号电极42g连接。还有，3个接地电极43g及3个接地电极44g经由多个接地导体及多个层间连接导体而分别与接地导体71h 导通。
再有，通过将基材10G与基材10H层叠，从而在基材10G的第1面 S1g露出的金属构件27A与在基材10H的第1面S1h露出的金属构件27B 连接。如图20(B)所示，接地电极45g经由金属构件27A、27B及层间连接导体V13g、V7h而与接地导体71h导通。
如图20(B)所示，本实施方式中，构成包含信号导体61J和金属构件27A、27B的传输线路，金属构件27A、27B被配置为将信号导体61J 的四方向(+Y方向、-Y方向、+Z方向及-Z方向)包围。具体地，在多层基板107构成信号导体61J被接地(金属构件27A、27B)围起来的传输线路。再有，在信号导体61J与接地(金属构件27A、27B)之间，如图20(B)所示，形成没有绝缘基材层的空孔SP1J、SP2J。
接着，参照附图对基材10G的构造进行说明。图22(A)是基材10G 的外观立体图，图22(B)是基材10G的分解立体图。
基材10G是长边方向与横向(X轴方向)一致、短边方向与纵向(Y 轴方向)一致的大致长条状的绝缘体的平板。在基材10G的内部收纳金属构件27A。
如图22(B)所示，金属构件27A是在横向(X轴方向)上延伸的剖面形状为C字形的构件，是在厚度方向(Z轴方向)上延伸的部分和在平面方向(Y轴方向)上延伸的部分成为一体的连续的构件。金属构件 27A例如通过塑性变形(锻造)将铜制的平板成型而得到。
基材10G具有从第1面S1g朝向内部形成的2个空孔SP1G、SP2G。空孔SP1G、SP2G是第1面S1g朝向基材10G的内部地在厚度方向(Z 轴方向)上延伸且至被收纳于基材10G内部的金属构件27A的孔。空孔 SP1G、SP2G在横向(X轴方向)上延伸且平面形状为直线(I字)形，在纵向(Y轴方向)上并排地排列。如图21(A)等所示，空孔SP1G、 SP2G沿着金属构件27A形成。
基材10G是将分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层11g、12g、 13g在厚度方向(Z轴方向)上层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。多个绝缘基材层11g、12g、13g是平面形状为矩形的平板。
绝缘基材层11g为最上层。在绝缘基材层11g的下表面形成信号导体 61g、62g及接地导体63g、64g。信号导体61g、62g是平面形状为矩形的导体图案，接地导体63g、64g是C字形的导体图案。信号导体61g及接地导体63g被配置于绝缘基材层11g的长边方向(X轴方向)的一端(图 22(B)中的绝缘基材层11g的右侧端)附近。信号导体62g及接地导体 64g被配置于绝缘基材层11g的长边方向(X轴方向)的另一端(绝缘基材层11g的左侧端)附近。
在绝缘基材层11g形成层间连接导体V1g、V2g、3个层间连接导体 V3g及3个层间连接导体V4g。层间连接导体V1g与信号导体61g连接，层间连接导体V2g与信号导体62g连接。3个层间连接导体V3g与接地导体63g连接，3个层间连接导体V4g与接地导体64g连接。
再有，在绝缘基材层11g形成有开口AP1g、AP2g。开口AP1g被配置为靠近绝缘基材层11g的第1边(图22(B)中的绝缘基材层11g的上边)，是在绝缘基材层11g的长边方向(X轴方向)上延伸的平面形状为直线(I字)状的贯通孔。开口AP2g被配置为靠近绝缘基材层11g的第 2边(绝缘基材层11g的下边)，是在绝缘基材层11g的长边方向(X轴方向)上延伸的平面形状为直线(I字)状的贯通孔。
在绝缘基材层12g的下表面形成信号导体65g、66g及接地导体67g、 68g。信号导体65g、66g是平面形状为矩形的导体图案，接地导体67g、 68g是平面形状为C字形的导体图案。信号导体65g及接地导体67g被配置于绝缘基材层12g的长边方向(X轴方向)的一端(图22(B)中的绝缘基材层12g的右侧端)附近。信号导体66g及接地导体68g被配置于绝缘基材层12g的长边方向(X轴方向)的另一端(绝缘基材层12g的左侧端)附近。
信号导体65g经由形成于绝缘基材层12g的层间连接导体V5g而与信号导体61g连接。信号导体66g经由形成于绝缘基材层12g的层间连接导体V6g而与信号导体62g连接。接地导体67g经由形成于绝缘基材层 12g的3个层间连接导体V7g而与接地导体63g连接。接地导体68g经由形成于绝缘基材层12g的3个层间连接导体V8g而与接地导体64g连接。
还有，在绝缘基材层12g形成开口AP3g。开口AP3g被配置于绝缘基材层12g的中央，是长边方向与横向(X轴方向)一致的平面形状为矩形的贯通孔。
绝缘基材层13g为最下层。在绝缘基材层13g的下表面形成信号电极 41g、42g、3个接地电极43g、3个接地电极44g及5个接地电极45g。信号电极41g、42g、接地电极43g、44g、45g是平面形状为矩形的导体图案。信号电极41g及3个接地电极43g被配置于绝缘基材层13g的长边方向(X轴方向)的一端(图22(B)中的绝缘基材层13g的右侧端)附近。信号电极42g及3个接地电极44g被配置于绝缘基材层13g的长边方向(X 轴方向)的另一端(绝缘基材层13g的左侧端)附近。5个接地电极45g 被配置于绝缘基材层13g的短边方向(Y轴方向)中央且排列在长边方向 (X轴方向)上。
信号电极41g经由形成于绝缘基材层13g的层间连接导体V9g而与信号导体65g连接。信号电极42g经由形成于绝缘基材层13g的层间连接导体V10g而与信号导体66g连接。3个接地电极43g经由形成于绝缘基材层13g的3个层间连接导体V11g而分别与接地导体67g连接。3个接地电极44g经由形成于绝缘基材层13g的3个层间连接导体V12g而分别与接地导体68g连接。5个接地电极45g经由形成于绝缘基材层13g的层间连接导体V13g而分别与金属构件27A连接。
如上所述，基材10G是将多个绝缘基材层11g、12g、13g层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。此时，通过形成了开口AP1(后面详述的开口AP1g)、AP2(后面详述的开口AP2g)、AP3g的绝缘基材层11g、12g和未形成开口的绝缘基材层13g的层叠，在层叠的多个绝缘基材层11g、12g、13g的内部构成腔室。该腔室在厚度方向(Z轴方向) 及与绝缘基材层11g、12g、13g的主面平行的平面方向(X轴方向或Y 轴方向)上延伸，以便沿着金属构件27A的形状。金属构件27A被收纳 (埋设)于该腔室内。
接着，对基材10H的构造进行说明。图23(A)是基材10H的外观立体图，图23(B)是基材10H的分解立体图。
如图23(A)所示，基材10H是长边方向与横向(X轴方向)一致、短边方向与纵向(Y轴方向)一致的大致长条状的绝缘体的平板。在基材 10H的内部收纳金属构件27B。
如图23(B)所示，金属构件27B是在横向(X轴方向)上延伸的剖面形状为C字形的构件，是在厚度方向(Z轴方向)上延伸的部分和在平面方向(Y轴方向)上延伸的部分成为一体的连续的构件。金属构件 27B例如通过塑性变形(锻造)将铜制的平板成型而得到。
基材10H具有从第1面S1h朝向内部形成的2个空孔SP1H、SP2H。空孔SP1H、SP2H是从第1面S1h朝向基材10H的内部在厚度方向(Z 轴方向)上延伸且至被收纳于基材10H内部的金属构件27B的孔。空孔 SP1H、SP2H在横向(X轴方向)上延伸且平面形状为直线(I字)形，在纵向(Y轴方向)上并排地排列。如图23(A)所示，空孔SP1H、SP2H 沿着金属构件27B形成。
基材10H是将分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层11h、12h、 13h在厚度方向(Z轴方向)上层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。多个绝缘基材层11h、12h、13h是平面形状为矩形的平板。
绝缘基材层11h为最上层。在绝缘基材层13h的上表面形成接地导体 71h。接地导体71h是形成于绝缘基材层11h的大致整个面的平面形状为矩形的导体图案。接地导体71h经由形成于绝缘基材层11h的10个层间连接导体V7h而与金属构件27B连接。
在绝缘基材层12h的上表面形成接地导体63h、64h。接地导体63h、 64h是C字形的导体图案。接地导体63h被配置于绝缘基材层12h的长边方向(X轴方向)的一端(图23(B)中的绝缘基材层12h的右侧端)附近。接地导体64h被配置于绝缘基材层12h的长边方向(X轴方向)的另一端(绝缘基材层12h的左侧端)附近。
接地导体63h经由形成于绝缘基材层11h的3个层间连接导体V5h 而与接地导体71h连接。接地导体64h经由形成于绝缘基材层11h的3 个层间连接导体V6h而与接地导体71h连接。
再有，在绝缘基材层12h形成开口AP6h。开口AP6h被配置于绝缘基材层12h的中央，是长边方向与横向(X轴方向)一致的平面形状为矩形的贯通孔。
绝缘基材层13h为最下层。在绝缘基材层13h的上表面形成接地导体 61h、62h。接地导体61h、62h为C字形的导体图案。接地导体61h被配置于绝缘基材层13h的长边方向(X轴方向)的一端(图23(B)中的绝缘基材层13h的右侧端)附近。接地导体62h被配置于绝缘基材层13h 的长边方向(X轴方向)的另一端(绝缘基材层13h的左侧端)附近。
在绝缘基材层13h形成3个层间连接导体V1h及3个层间连接导体 V2h。3个层间连接导体V1h与接地导体61h连接，3个层间连接导体V2h 与接地导体62h连接。再有，接地导体61h经由形成于绝缘基材层12h 的3个层间连接导体V3h而与接地导体63h连接。接地导体62h经由形成于绝缘基材层12h的3个层间连接导体V4h而与接地导体64h连接。
还有，在绝缘基材层13h形成有开口AP4、AP5。开口AP4被配置为靠近绝缘基材层13h的第1边(图23(B)中的绝缘基材层13h的下边)，是在绝缘基材层13h的长边方向(X轴方向)上延伸的平面形状为直线(I 字)状的贯通孔。开口AP5被配置为靠近绝缘基材层13h的第2边(绝缘基材层11h的上边)，是在绝缘基材层13h的长边方向(X轴方向)上延伸的平面形状为直线(I字)状的贯通孔。
如上所述，基材10H是将多个绝缘基材层11h、12h、13h层叠并对这些绝缘基材层进行加热加压而构成的。此时，通过未形成开口的绝缘基材层11h和形成了开口AP4(后面详述的开口AP4h)、AP5(后面详述的开口AP5h)、AP6h的绝缘基材层12h、13h的层叠，在层叠的多个绝缘基材层11h、12h、13h的内部构成腔室。该腔室在厚度方向(Z轴方向) 及与绝缘基材层11h、12h、13h的主面平行的平面方向(X轴方向或Y 轴方向)上延伸，以便沿着金属构件27B的形状。金属构件27B被收纳 (埋设)于该腔室内。
通过将基材10G与基材10H层叠，从而构成基材10J(多层基板107)。本实施方式中，由于基材10G、10H均为热塑性树脂，故能通过层叠基材 10G与基材10H并进行加热压接来接合。另外，如图20(B)所示，在基材10J的内部形成空孔SP1J及空孔SP2J。空孔SP1J是由形成于基材 10G的空孔SP1G和形成于基材10H的空孔SP1H构成的孔。空孔SP2J 是由形成于基材10G的空孔SP2G和形成于基材10H的空孔SP2H构成的孔。如图20(B)所示，空孔SP1J、SP2J沿着金属构件27A、27B而形成。
本实施方式中，信号导体61J构成被接地(金属构件27A、27B)围起来的传输线路，在信号导体61J与接地(金属构件27A、27B)之间形成没有绝缘基材层的空孔SP1J、SP2J。没有绝缘基材层的空孔SP1J、SP2J 是与绝缘基材层相比介电常数相对较低的部分。因此，根据本结构，可降低信号导体61J与接地(金属构件27A、27B)之间产生的电容。再有，根据本结构，能抑制将高频信号传输至信号导体61J时的电介质损耗。
本实施方式涉及的基材10G例如通过以下的工序来制造。
图24是依序表示基材10G的制造工序的立体图。其中，在图24中，为了说明的方便，虽然以单片下的制造工序进行说明，但实际的基材的制造工序能在集合基板状态下进行。另外，在图24中，为了容易理解构造而以点图案表示区域LT1、LT2。
首先，如图24中的(1)所示，将金属箔(例如铜箔)层压在绝缘基材层11g、12g、13g的单侧主面，并通过光刻对该金属箔进行图案化。由此，在绝缘基材层11g、12g、13g分别形成导体图案(信号导体61g、62g、 65g、66g、信号电极41g、42g、接地导体63g、64g、67g、68g及接地电极43g、44g、45g)。绝缘基材层11g、12g、13g能采用例如液晶聚合物等的热塑性树脂片。
再有，在绝缘基材层11g、12g、13g形成层间连接导体V1g、V2g、 V3g、V4g、V5g、V6g、V7g、V8g、V9g、V10g、V11g、V12g、V13g。层间连接导体V1g、V2g、V3g、V4g、V5g、V6g、V7g、V8g、V9g、V10g、 V11g、V12g、V13g通过利用激光等设置了贯通孔后填充包括Cu、Ag、 Sn、Ni、Mo等之中的1种以上或者这些的合金的导电性膏并在加热加压工序中使之固化而被设置的。因而，层间连接导体V1g、V2g、V3g、V4g、 V5g、V6g、V7g、V8g、V9g、V10g、V11g、V12g、V13g设为熔点比之后的加热加压时的温度低的材料。
再有，绝缘基材层11g、12g形成开口AP1g、AP2g、AP3g，这些开口在层叠的多个绝缘基材层11g、12g、13g的内部构成腔室。
接着，将金属构件27A成型为具有厚度方向(Z轴方向)成分和平面方向(X轴方向或Y轴方向)成分、且至少一部分在平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸的连续的形状。金属构件27A例如能够通过塑性变形(锻造)将铜制的平板成型来获得三维构造。
然后，将绝缘基材层11g、12g、13g层叠，将成型后的金属构件27A 收纳在腔室(开口AP1g、AP2g、AP3g)内，对层叠的绝缘基材层11g、 12g、13g进行加热加压，由此形成基材10K。
接着，如图24中的(2)所示，形成从第1面S1g侧朝向基材10K 的内侧地在厚度方向(Z轴方向)上延伸的空孔SP1G、SP2G，获得图 24中的(3)所示的基材10G。
具体地，空孔SP1G是利用针对基材10K的第1面S1g的区域LT1 朝向厚度方向(Z轴方向)地照射的激光光线LR来形成的。再有，空孔 SP2G是利用针对基材10K的第1面S1g的区域LT2朝向厚度方向(Z 轴方向)地照射的激光光线LR来形成的。激光光线LR被收纳在基材的内部的金属构件27A遮挡。因此，通过使用这种制造方法，从而可容易地形成沿着金属构件27A的(从第1面S1g至金属构件27A的)空孔SP1G、 SP2G。
再有，本实施方式涉及的基材10H例如通过以下的工序来制造。
图25是依次表示基材10H的制造工序的立体图。其中，在图25中，为了说明的方便而以单片下的制造工序进行说明，但实际的基材的制造工序能在集合基板状态下进行。另外，在图25中，为了容易理解构造而点图案来表示区域LT3、LT4。
首先，如图25中的(1)所示，将金属箔(例如铜箔)层压在绝缘基材层11h、12h、13h的单侧主面，并通过光刻对该金属箔进行图案化。由此，在绝缘基材层11h、12h、13h分别形成导体图案(接地导体61h、62h、 63h、64h、71h)。绝缘基材层11h、12h、13h能采用例如液晶聚合物等的热塑性树脂片。
再有，在绝缘基材层11h、12h、13h形成层间连接导体V1h、V2h、 V3h、V4h、V5h、V6h、V7h。层间连接导体V1h、V2h、V3h、V4h、V5h、 V6h、V7h是通过在用激光等设置了贯通孔后，配设包括Cu、Ag、Sn、 Ni、Mo等之中的1种以上或者这些的合金的导电性膏，并在之后的加热加压工序中使之硬化而被设置的。因而，层间连接导体V1h、V2h、V3h、 V4h、V5h、V6h、V7h设为熔点比之后的加热加压时的温度低的材料。
还有，在绝缘基材层12h、13h形成开口AP4h、AP5h、AP6h，这些开口在层叠的多个绝缘基材层11h、12h、13h的内部构成腔室。
接着，将金属构件27B成型为具有厚度方向(Z轴方向)成分和平面方向(X轴方向或Y轴方向)成分、且至少一部分在平面方向(X轴方向或Y轴方向)上延伸的连续的形状。金属构件27B例如能够通过塑性变形(锻造)将铜制的平板成型来获得三维构造。
然后，层叠绝缘基材层11h、12h、13h，在腔室(开口AP4h、AP5h、 AP6h)内收纳已成型的金属构件27B，对层叠的绝缘基材层11h、12h、 13h进行加热加压，由此形成基材10L。
接着，如图25中的(2)所示，形成从第1面S1h朝向基材10L内侧地在厚度方向(Z轴方向)上延伸的空孔SP1H、SP2H，获得图25中的(3)所示的基材10H。
具体地，空孔SP1H是利用针对基材10L的第1面S1h的区域LT3 朝向厚度方向(Z轴方向)地照射的激光光线LR来形成的。再有，空孔 SP2H是利用针对基材10L的第1面S1h的区域LT4朝向厚度方向(Z轴方向)照射的激光光线LR来形成。激光光线LR被收纳在基材内部的金属构件27B遮挡。因此，通过使用这种制造方法，从而可容易地形成沿着金属构件27B的(从第1面S1h至金属构件27B的)空孔SP1H、SP2H。
《其他实施方式》
其中，在上述实施方式中，虽然示出了为基材的长边方向与横向(X 轴方向)一致、短边方向与纵向(Y轴方向)一致的大致长条状的绝缘体平板的例子，但未被限定于本结构。基材的形状/构造等在实现本实用新型的作用/效果的范围内能适宜地变更。基材的平面形状例如能适宜地变更为正方形、圆形、椭圆形、L字形、Y字形等。
在上述的第1～第6实施方式中，虽然示出具备绝缘基材层的层叠数为4或5的基材的多层基板的例子，但未被限定于本结构。基材(多层基板)的层叠数在实现本实用新型的作用/效果的范围内能适宜地变更。
另外，多层基板所具有的电路的结构未被限定于上述实施方式示出的结构。多层基板所具有的电路结构在实现本实用新型的作用/效果的范围内能适宜地变更。因此，形成于多个绝缘基材层的导体图案及层间连接导体的形状、数量、大小等能根据多层基板所具有的电路结构而适宜地变更。再有，安装部件31、32的种类、个数等也能根据多层基板所具有的电路结构而适宜地变更。此外，在上述实施方式中，虽然示出了安装部件31、 32被安装于基材10的第1主面VS1的例子，但未被限定于此。安装部件31、32也可以被安装于基材10的第2主面VS2。还有，安装部件31、 32也可以被收纳(埋设)于基材10的内部。另外，在本实用新型的多层基板中，安装部件31、32并不是必须的。
再有，对于连接器51的种类、个数等来说，也能根据多层基板所具有的电路结构而适宜地变更。其中，在上述的实施方式中，虽然示出了连接器51被安装于基材10的第1主面VS1的例子，但未被限定于此。连接器51也可以被安装于基材10的第2主面VS2。此外，在本实用新型的多层基板中，连接器51并不是必须的。即，多层基板也可以是经由焊料等的导电性接合材料而与其他电路基板连接的结构。
金属构件的形状(三维构造)未被限定于上述实施方式示出的金属构件21、22、24的构造。只要是具有厚度方向(Z轴方向)成分和平面方向(X轴方向或Y轴方向)成分、且构成形成于基材的电路的至少一部分的结构，金属构件的形状(三维构造)就能适宜地变更。再有，金属构件的剖面形状没有必要一定是圆形的。金属构件的剖面形状能适宜地变更为例如矩形、正方形、多边形、椭圆形、L字形、T字形、コ字形(c字形)等。
上述(第1或第2)实施方式中，虽然示出了金属构件21、22例如为UHF频带天线的辐射元件的例子，但未被限定于本结构。金属构件也可以构成传输线路的一部分、线圈天线、电感器等。
上述(第1或第2)实施方式中，虽然示出了金属构件21、22的一端经由导电性接合材料1而与导体图案(导体61的另一端)连接的例子，但未被限定于此。导电性接合材料1并不是必须的，也可以通过使金属构件的一端与导体图案(导体61的另一端)抵接而进行连接。
-符号说明-
AN…天线部
SL…线路部
CN1、CN2…连接部
CP1、…开口部
SP1、SP1G、SP1H、SP1J、SP2G、SP2H、SP2J…空孔
AP1、AP1f、AP1g、AP2、AP2f、AP2g、AP3、AP3f、AP3g、AP4、 AP4h、AP5、AP5h、AP6、AP6h、AP7…开口
H1…贯通孔
P1、P2…电极
V1、V1f、V1g、V1h、V2、V2f、V2g、V2h、V3、V3f、V3g、V3h、 V4、V4f、V4g、V4h、V5、V5f、V5g、V5h、V6、V6f、V6g、V6h、V7、 V7f、V7g、V7h、V8f、V8g、V9f、V9g、V10f、V10g、V11、V11f、V11g、V12、V12f、V12g、V13、V13f、V14、V14f、V15、V15f、V16、V16f、 V17f…层间连接导体
VS1…第1主面
VS2…第2主面
S1g、S1h…第1面
1…导电性接合材料
2…结合构件
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10J…基材
11、11a、11c、11d、11f、11g、11h、12、12a、12c、12d、12f、12g、 12h、13、13a、13c、13d、13f、13g、13h、14、14a、14c、14f、15、15c、 15d…绝缘基材层
21、22、22A、23、24、25、27A、27B…金属构件
31、32、33、34、35、36、37…安装部件
41、42、43、44、45、P41、P42、P43…电极
61f、61g、61J、62g、65g、66g…信号导体
41f、41g、42f、42g…信号电极
43f、43g、44f、44g、45f、45g、46、P43、P44、P45…接地电极
47、71、61h、62h、63g、63h、64g、64h、67g、68g、71f、71h…接地导体
81…金属壳体
51、52…连接器
61、61f、62、62f、63、63f、64、64f、65、65f、66、66f、67f…导体
101、102、103、104A、104B、105、106、107…多层基板
201、202…电子设备
301…安装基板。

Claims (13)

1.一种多层基板，其特征在于，具备：
基材，层叠分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层而成；
导体图案，形成于多个所述绝缘基材层之中的至少1个绝缘基材层；和
金属构件，具有弯折的部分，至少一部分被收纳于所述基材的内部且与所述导体图案连接，
所述金属构件是隔着所述弯折的部分而具有多个所述绝缘基材层的层叠方向成分和与所述绝缘基材层的主面平行的平面方向成分、且至少一部分在所述平面方向上延伸的连续的构件，所述金属构件构成形成于所述基材的电路的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，
所述弯折的部分被收纳于所述基材的内部。
3.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，
被收纳于所述基材的内部的所述金属构件的至少一部分收纳在腔室内，该腔室构成在层叠的多个所述绝缘基材层的内部，且在所述层叠方向及与所述绝缘基材层的所述主面平行的平面方向上延伸，以便沿着所述金属构件的形状。
4.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，
所述层叠方向上的所述金属构件的厚度大于所述层叠方向上的所述导体图案的厚度。
5.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，
所述多层基板还具备层间连接导体，所述层间连接导体形成于所述绝缘基材层并在所述层叠方向上延伸、且与所述导体图案连接，
所述层间连接导体与所述导体图案通过固相扩散接合来连接。
6.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，
所述金属构件由与所述导体图案相同的材料构成。
7.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，
所述金属构件的一部分相对于所述层叠方向，超过0°且小于90°地延伸。
8.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，
所述金属构件是天线的辐射元件的至少一部分。
9.根据权利要求1所述的多层基板，其特征在于，
所述导体图案具有信号导体，
所述金属构件被配置为将所述信号导体的至少三个方向包围，
由此构成包括所述金属构件和所述信号导体的传输线路。
10.根据权利要求1～9的任一项所述的多层基板，其特征在于，
所述基材具有沿着所述金属构件形成的空孔。
11.一种电子设备，其特征在于，具备：
壳体；和
被收纳于所述壳体的内部的多层基板，
所述多层基板具有：
基材，层叠分别由热塑性树脂组成的多个绝缘基材层而成；
导体图案，形成于多个所述绝缘基材层之中的至少1个绝缘基材层；和
金属构件，具有弯折的部分，至少一部分被收纳于所述基材的内部且与所述导体图案连接，
所述金属构件是隔着所述弯折的部分而具有多个所述绝缘基材层的层叠方向成分和与所述绝缘基材层的主面平行的平面方向成分、且至少一部分在所述平面方向上延伸的连续的构件，所述金属构件构成形成于所述基材的电路的至少一部分。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，
所述弯折的部分被收纳于所述基材的内部。
13.根据权利要求11或12所述的电子设备，其特征在于，
该电子设备具备被收纳于所述壳体的内部的安装基板，
所述多层基板被安装在所述安装基板。
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