JP2001326075A - 有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大掛かりなマスク位置合わせ機構による多大
な設備投資を不要にし、更には、マスクの位置合わせ作
業を迅速に行うことで生産性の向上を図る。 【解決手段】 基板枠２０に、透明電極３，金属電極
４，絶縁層５が形成された透明基板２を保持させ固定さ
せる。そして、基板枠２０におけるガイド穴２４に設け
られたガイドピン２５に、ガイド穴１５を挿入すること
で基板枠２０に対して蒸着マスク１３を装着し、透明基
板２と蒸着マスク１３との位置決めを図る。
な設備投資を不要にし、更には、マスクの位置合わせ作
業を迅速に行うことで生産性の向上を図る。 【解決手段】 基板枠２０に、透明電極３，金属電極
４，絶縁層５が形成された透明基板２を保持させ固定さ
せる。そして、基板枠２０におけるガイド穴２４に設け
られたガイドピン２５に、ガイド穴１５を挿入すること
で基板枠２０に対して蒸着マスク１３を装着し、透明基
板２と蒸着マスク１３との位置決めを図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と示す。）の製造
方法に関し、特には、基板上に蒸着マスクを介して、発
光に必要な各種薄膜層を形成する有機ＥＬ素子の製造方
法に関する。
ミネセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と示す。）の製造
方法に関し、特には、基板上に蒸着マスクを介して、発
光に必要な各種薄膜層を形成する有機ＥＬ素子の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ（エレクトロルミネセンス；電界発
光）素子は、例えば液晶ディスプレイのバックライト等
の各種面光源として用いられているが、従来の無機ＥＬ
素子では困難であった青色発光を含む各色の発光波長が
得られる有機ＥＬ素子の開発により、フラットパネルカ
ラーディスプレイへの利用が図られている。
光）素子は、例えば液晶ディスプレイのバックライト等
の各種面光源として用いられているが、従来の無機ＥＬ
素子では困難であった青色発光を含む各色の発光波長が
得られる有機ＥＬ素子の開発により、フラットパネルカ
ラーディスプレイへの利用が図られている。
【０００３】図６は、カラーディスプレイとして構成す
るための有機ＥＬ素子を示した平面図である。この有機
ＥＬ素子１によれば、ガラス等の透明基板２の一方面に
は素子領域２Ａが配されており、この素子領域２Ａに
は、ＩＴＯからなる透明電極３が陽極として幅Ｗ１，ピ
ッチＰ１でストライプ状に形成されている。また、この
透明電極３の抵抗を実質的に低下させるため、幅Ｗ２の
アルミニウム又は金からなる金属電極４が各透明電極３
の中央部に接して透明基板２側に埋設されている。
るための有機ＥＬ素子を示した平面図である。この有機
ＥＬ素子１によれば、ガラス等の透明基板２の一方面に
は素子領域２Ａが配されており、この素子領域２Ａに
は、ＩＴＯからなる透明電極３が陽極として幅Ｗ１，ピ
ッチＰ１でストライプ状に形成されている。また、この
透明電極３の抵抗を実質的に低下させるため、幅Ｗ２の
アルミニウム又は金からなる金属電極４が各透明電極３
の中央部に接して透明基板２側に埋設されている。
【０００４】そして、透明基板２に設けられた透明電極
３の上には、この透明電極３と直交するように絶縁層５
が幅Ｗ３、ピッチＰ２でストライプ状に形成されてい
る。この絶縁層５は、その後に透明基板２上に形成する
有機発光層及び電極（陰極）の幅方向の端縁部を通って
電流がリークするのを防止するためのものである。
３の上には、この透明電極３と直交するように絶縁層５
が幅Ｗ３、ピッチＰ２でストライプ状に形成されてい
る。この絶縁層５は、その後に透明基板２上に形成する
有機発光層及び電極（陰極）の幅方向の端縁部を通って
電流がリークするのを防止するためのものである。
【０００５】図７は、図６のＸ−Ｘ断面図である。図示
の如く、透明基板２上には、ホール輸送層６と、発光材
料が混合されている電子輸送層７とがそれぞれ有機層と
して、更に電極８が陰極（例えばアルミニウム電極）と
して、この順にほぼ同一の平面形状に且つストライプ状
に積層されている。この積層体からなる赤（Ｒ），緑
（Ｇ），青（Ｂ）の各発光色のものを１組ＣＧとしてこ
れを多数並列配置しており、この上を保護層９で被覆し
ている。
の如く、透明基板２上には、ホール輸送層６と、発光材
料が混合されている電子輸送層７とがそれぞれ有機層と
して、更に電極８が陰極（例えばアルミニウム電極）と
して、この順にほぼ同一の平面形状に且つストライプ状
に積層されている。この積層体からなる赤（Ｒ），緑
（Ｇ），青（Ｂ）の各発光色のものを１組ＣＧとしてこ
れを多数並列配置しており、この上を保護層９で被覆し
ている。
【０００６】この有機ＥＬ素子１は、陽極である透明電
極３と陰極となる電極８との間に電圧を選択的に印加す
ることによって、透明電極３から注入されたホールがホ
ール輸送層６を経て、また電極８から注入された電子が
電子輸送層７を経て、それぞれ電子輸送層７とホール輸
送層６との発光界面１０に到達して電子−ホールの再結
合が生じ、ここから所定波長の発光が生じ、透明基板２
の背面側から表示がなされるものである。
極３と陰極となる電極８との間に電圧を選択的に印加す
ることによって、透明電極３から注入されたホールがホ
ール輸送層６を経て、また電極８から注入された電子が
電子輸送層７を経て、それぞれ電子輸送層７とホール輸
送層６との発光界面１０に到達して電子−ホールの再結
合が生じ、ここから所定波長の発光が生じ、透明基板２
の背面側から表示がなされるものである。
【０００７】図８は、上記の基本構造を備えた有機ＥＬ
素子によりカラーディスプレイを構成する概念図であ
る。即ち、上記のように陰極となる電極８と陽極となる
透明電極３をマトリクス状に交差させてストライプ状に
設け、シフトレジスタ内蔵の制御回路１１、輝度信号回
路１２によって時系列に信号電圧を印加し、交差位置に
て発光させることにより画素ＰＸ（図６参照）を形成し
ている。これにより、カラーフィルタを不要とした高輝
度のフルカラーディスプレイが得られる。
素子によりカラーディスプレイを構成する概念図であ
る。即ち、上記のように陰極となる電極８と陽極となる
透明電極３をマトリクス状に交差させてストライプ状に
設け、シフトレジスタ内蔵の制御回路１１、輝度信号回
路１２によって時系列に信号電圧を印加し、交差位置に
て発光させることにより画素ＰＸ（図６参照）を形成し
ている。これにより、カラーフィルタを不要とした高輝
度のフルカラーディスプレイが得られる。
【０００８】上記の有機ＥＬ素子１によるフルカラーデ
ィスプレイの製造に当たっては、図６及び図７に示され
るような赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）に発光する有機
層をストライプ状等にパターニングして形成することが
要求されるが、この有機層は成膜後のエッチング等によ
ってパターニングすることが極めて困難であることか
ら、所望のパターンを有する蒸着マスクを介して透明電
極３上に順次各層を蒸着して積層する方法が採られてい
る。
ィスプレイの製造に当たっては、図６及び図７に示され
るような赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）に発光する有機
層をストライプ状等にパターニングして形成することが
要求されるが、この有機層は成膜後のエッチング等によ
ってパターニングすることが極めて困難であることか
ら、所望のパターンを有する蒸着マスクを介して透明電
極３上に順次各層を蒸着して積層する方法が採られてい
る。
【０００９】この有機ＥＬ素子１を量産化するための製
造工程について説明すると、各工程は、上述した透明電
極３及びそれと直交した絶縁層５をストライプ状にパタ
ーニングした透明基板２を処理材として搬入し待機させ
るための搬入工程と、蒸着前に処理材に対して洗浄等の
前処理を施す前処理工程と、ホール輸送層６を形成する
第１蒸着工程と、各色発光に対応した電荷輸送層７を蒸
着する第２蒸着工程と、陰極となる電極８を蒸着する第
３蒸着工程と、保護層９を蒸着する第４蒸着工程と、蒸
着完了後の処理材をライン外に排出する排出工程とから
なる。そして、上記の各蒸着工程では、各工程において
異なる蒸着材料についての蒸着処理を行うための真空蒸
着装置が配備されている。
造工程について説明すると、各工程は、上述した透明電
極３及びそれと直交した絶縁層５をストライプ状にパタ
ーニングした透明基板２を処理材として搬入し待機させ
るための搬入工程と、蒸着前に処理材に対して洗浄等の
前処理を施す前処理工程と、ホール輸送層６を形成する
第１蒸着工程と、各色発光に対応した電荷輸送層７を蒸
着する第２蒸着工程と、陰極となる電極８を蒸着する第
３蒸着工程と、保護層９を蒸着する第４蒸着工程と、蒸
着完了後の処理材をライン外に排出する排出工程とから
なる。そして、上記の各蒸着工程では、各工程において
異なる蒸着材料についての蒸着処理を行うための真空蒸
着装置が配備されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記有機ＥＬ
素子の製造方法においては、上記各蒸着工程にて、透明
電極３と直交して配置される絶縁層５の間に各層が正確
に積層されなければならない。このためには、まず、透
明電極３上にホール輸送層６を形成する工程で、蒸着マ
スクのマスクパターンと透明基板上の絶縁層５間の間隙
とが正確に重なるように、透明基板２と蒸着マスクとを
正確に位置合わせして固定する必要がある。そして、こ
の蒸着マスクと透明基板２との位置合わせ及び固定は、
上記各層の蒸着工程で行わなければならない。そのた
め、従来の製造工程においては、各蒸着工程の真空蒸着
装置内に大掛かりなマスク位置合わせ機構を装備させる
必要があり、設備投資に多大な経費を要すると共に、各
蒸着工程において、マスクの位置合わせ操作を行うため
に作業時間の長期化を招き、生産性の向上が望めないと
いう問題があった。
素子の製造方法においては、上記各蒸着工程にて、透明
電極３と直交して配置される絶縁層５の間に各層が正確
に積層されなければならない。このためには、まず、透
明電極３上にホール輸送層６を形成する工程で、蒸着マ
スクのマスクパターンと透明基板上の絶縁層５間の間隙
とが正確に重なるように、透明基板２と蒸着マスクとを
正確に位置合わせして固定する必要がある。そして、こ
の蒸着マスクと透明基板２との位置合わせ及び固定は、
上記各層の蒸着工程で行わなければならない。そのた
め、従来の製造工程においては、各蒸着工程の真空蒸着
装置内に大掛かりなマスク位置合わせ機構を装備させる
必要があり、設備投資に多大な経費を要すると共に、各
蒸着工程において、マスクの位置合わせ操作を行うため
に作業時間の長期化を招き、生産性の向上が望めないと
いう問題があった。
【００１１】本発明は、上記の事情に対処するために提
案されたものであって、大掛かりなマスク位置合わせ機
構による多大な設備投資を不要にし、更には、マスクの
位置合わせ作業を迅速に行うことで生産性の向上を図る
ことを可能にした有機ＥＬ素子の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
案されたものであって、大掛かりなマスク位置合わせ機
構による多大な設備投資を不要にし、更には、マスクの
位置合わせ作業を迅速に行うことで生産性の向上を図る
ことを可能にした有機ＥＬ素子の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、クランプ
機構を有する基板枠を用いて、基板を該基板枠に位置合
わせして固定する工程と、有機ＥＬ素子を形成する各層
の蒸着工程に先だって、ガイドピンを用いて上記基板枠
と蒸着マスクとの位置合わせを行う工程とを有すること
を特徴とするものである。
に、本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、クランプ
機構を有する基板枠を用いて、基板を該基板枠に位置合
わせして固定する工程と、有機ＥＬ素子を形成する各層
の蒸着工程に先だって、ガイドピンを用いて上記基板枠
と蒸着マスクとの位置合わせを行う工程とを有すること
を特徴とするものである。
【００１３】上記特徴によると、クランプ機構を有する
基板枠を用いて、透明電極及び絶縁層が形成された基板
が位置合わせされて固定される。次いで、この基板枠を
蒸着装置内に移動し、ガイドピンを用いてこの基板枠と
蒸着マスクとの位置合わせを行う。この基板枠と蒸着マ
スクには、予め位置合わせ用のガイド穴が形成されてお
り、これらのガイド穴を合わせてガイドピンを挿入する
という極めて簡易な工程で基板と蒸着マスクとの位置合
わせが完了する。これによると、大掛かりな位置合わせ
機構は不要であり、また、短時間で基板と蒸着マスクと
の位置合わせを行うことができる。
基板枠を用いて、透明電極及び絶縁層が形成された基板
が位置合わせされて固定される。次いで、この基板枠を
蒸着装置内に移動し、ガイドピンを用いてこの基板枠と
蒸着マスクとの位置合わせを行う。この基板枠と蒸着マ
スクには、予め位置合わせ用のガイド穴が形成されてお
り、これらのガイド穴を合わせてガイドピンを挿入する
という極めて簡易な工程で基板と蒸着マスクとの位置合
わせが完了する。これによると、大掛かりな位置合わせ
機構は不要であり、また、短時間で基板と蒸着マスクと
の位置合わせを行うことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して説明する（なお、従来と同一の部分には同一の番
号を付して一部重複した説明は省略する）。図１は、本
発明の一実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法に用いら
れる基板枠を示す説明図である。また、図２は、図１に
おけるＡ−Ａ断面図を示している。基板枠２０には、透
明基板２が位置合わせされる開口２１が枠体２２によっ
て形成されている。この枠体２２には、透明基板２の端
部を受ける保持部２２Ａが形成されており、また、開口
２１内に位置合わせされて保持された透明基板２を固定
するためのクランプ機構２３が設けられている。
照して説明する（なお、従来と同一の部分には同一の番
号を付して一部重複した説明は省略する）。図１は、本
発明の一実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法に用いら
れる基板枠を示す説明図である。また、図２は、図１に
おけるＡ−Ａ断面図を示している。基板枠２０には、透
明基板２が位置合わせされる開口２１が枠体２２によっ
て形成されている。この枠体２２には、透明基板２の端
部を受ける保持部２２Ａが形成されており、また、開口
２１内に位置合わせされて保持された透明基板２を固定
するためのクランプ機構２３が設けられている。
【００１５】クランプ機構２３は、図２に示されるよう
に、バネ２３Ａを備えるクランプ２３Ｂからなり、バネ
２３Ａに抗してクランプ２３Ｂを開放し（破線）、この
状態で開口２１内に透明基板２を保持させ、クランプ２
３Ｂを閉じることによって基板枠２０に透明基板を固定
するものである。そして、基板枠２２にはガイドピン２
５を挿入するガイド穴２４が形成されている（図１参
照）。
に、バネ２３Ａを備えるクランプ２３Ｂからなり、バネ
２３Ａに抗してクランプ２３Ｂを開放し（破線）、この
状態で開口２１内に透明基板２を保持させ、クランプ２
３Ｂを閉じることによって基板枠２０に透明基板を固定
するものである。そして、基板枠２２にはガイドピン２
５を挿入するガイド穴２４が形成されている（図１参
照）。
【００１６】図３〜図５は、上記の基板枠２０を用いた
本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す説
明図である。ここで、各蒸着工程には蒸着マスク１３が
用いられる。この蒸着マスク１３は、厚さが数百μｍ程
度の板材であり、絶縁層５間の間隔３つ分のピッチでス
トライプ状のマスク穴１４が並列して形成されている。
このマスク穴１４は基板側の開口が小口１４Ａで逆側が
大口１４Ｂとなる台形断面を有するものである。そし
て、この蒸着マスク１３には、設定された位置に位置合
わせするためのガイド穴１５が形成されている。
本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す説
明図である。ここで、各蒸着工程には蒸着マスク１３が
用いられる。この蒸着マスク１３は、厚さが数百μｍ程
度の板材であり、絶縁層５間の間隔３つ分のピッチでス
トライプ状のマスク穴１４が並列して形成されている。
このマスク穴１４は基板側の開口が小口１４Ａで逆側が
大口１４Ｂとなる台形断面を有するものである。そし
て、この蒸着マスク１３には、設定された位置に位置合
わせするためのガイド穴１５が形成されている。
【００１７】以下では、実施例の製造方法を説明する。
まず、図３に示すように、上記の基板枠２０に、透明電
極３，金属電極４，絶縁層５が形成された透明基板２を
保持させ固定させる。そして、基板枠２０におけるガイ
ド穴２４に設けられたガイドピン２５に、ガイド穴１５
を挿入することで基板枠２０に対して蒸着マスク１３を
装着する。この状態では、蒸着マスク１３のマスク穴１
４は、第１色目、例えば赤色の発光色を得る有機層を形
成する領域（絶縁層５間の間隔ａ１，ａ２，ａ３，…，
ａｎ及びその両側の絶縁層５の一部にオーバーラップし
た領域）に位置合わせされる。即ち、蒸着マスク１３の
ガイド穴１５とマスク穴１４との位置関係は、上記の位
置合わせが可能なように予め設定されている。
まず、図３に示すように、上記の基板枠２０に、透明電
極３，金属電極４，絶縁層５が形成された透明基板２を
保持させ固定させる。そして、基板枠２０におけるガイ
ド穴２４に設けられたガイドピン２５に、ガイド穴１５
を挿入することで基板枠２０に対して蒸着マスク１３を
装着する。この状態では、蒸着マスク１３のマスク穴１
４は、第１色目、例えば赤色の発光色を得る有機層を形
成する領域（絶縁層５間の間隔ａ１，ａ２，ａ３，…，
ａｎ及びその両側の絶縁層５の一部にオーバーラップし
た領域）に位置合わせされる。即ち、蒸着マスク１３の
ガイド穴１５とマスク穴１４との位置関係は、上記の位
置合わせが可能なように予め設定されている。
【００１８】次に、上記のように透明基板２及び蒸着マ
スク１３を装着した基板枠２０を真空蒸着装置内にセッ
トして、各蒸着工程を行う。図４は、例えば赤色発光用
の積層体を形成するために、ＴＰＤ（トリフェニルジア
ミン誘導体）を主体とするホール輸送層６を一層目とし
て蒸着した状態を示している。この場合、ＴＰＤの蒸気
１６はマスク穴１４を介して、絶縁層５間の間隔ａ１，
ａ２，ａ３，…，ａｎ及びその両側の絶縁層５の一部に
オーバーラップした領域に積層する。
スク１３を装着した基板枠２０を真空蒸着装置内にセッ
トして、各蒸着工程を行う。図４は、例えば赤色発光用
の積層体を形成するために、ＴＰＤ（トリフェニルジア
ミン誘導体）を主体とするホール輸送層６を一層目とし
て蒸着した状態を示している。この場合、ＴＰＤの蒸気
１６はマスク穴１４を介して、絶縁層５間の間隔ａ１，
ａ２，ａ３，…，ａｎ及びその両側の絶縁層５の一部に
オーバーラップした領域に積層する。
【００１９】引き続いて、蒸着マスク１３はそのままの
状態で、Ａｌｑ3（トリス−（８−ヒドロキシキノリ
ン）アルミニウム）とＤＣＭ（４−ジシアノメチレン−
６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−２−メチル−４
Ｈ−ピラン）を主体とする電子輸送層７及びアルミニウ
ムの電極８をこの順でホール輸送層６に対して積層して
蒸着し、赤色発光用の積層体を形成する。
状態で、Ａｌｑ3（トリス−（８−ヒドロキシキノリ
ン）アルミニウム）とＤＣＭ（４−ジシアノメチレン−
６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−２−メチル−４
Ｈ−ピラン）を主体とする電子輸送層７及びアルミニウ
ムの電極８をこの順でホール輸送層６に対して積層して
蒸着し、赤色発光用の積層体を形成する。
【００２０】こうして領域ａ１，ａ２，ａ３，…，ａｎ
に第１色目の積層体を形成した後、蒸着マスク１３の位
置合わせを変更して、第２色目の積層体の形成に移る。
この際、蒸着マスク１３は、第２色目の位置合わせに対
応するように上記の蒸着マスク１３に別の位置設定がな
されたガイド穴を設けたものを使用してもよいし、第２
色目の積層体形成に対応するマスク穴とガイド穴との位
置関係を有する新たな蒸着マスクを使用してもよい。そ
して、図５に示すように、領域ａ１，ａ２，ａ３，…，
ａｎと隣接する領域ｂ１，ｂ２，ｂ３，…ｂｎにマスク
穴１４を位置させて、上記ＴＰＤを主体とするホール輸
送層６を蒸着させる。これに引き続いて、Ａｌｑ3を主
体とする電子輸送層及びＡｌ電極を順次蒸着して（図示
省略）、緑色発光用の積層体を形成する。
に第１色目の積層体を形成した後、蒸着マスク１３の位
置合わせを変更して、第２色目の積層体の形成に移る。
この際、蒸着マスク１３は、第２色目の位置合わせに対
応するように上記の蒸着マスク１３に別の位置設定がな
されたガイド穴を設けたものを使用してもよいし、第２
色目の積層体形成に対応するマスク穴とガイド穴との位
置関係を有する新たな蒸着マスクを使用してもよい。そ
して、図５に示すように、領域ａ１，ａ２，ａ３，…，
ａｎと隣接する領域ｂ１，ｂ２，ｂ３，…ｂｎにマスク
穴１４を位置させて、上記ＴＰＤを主体とするホール輸
送層６を蒸着させる。これに引き続いて、Ａｌｑ3を主
体とする電子輸送層及びＡｌ電極を順次蒸着して（図示
省略）、緑色発光用の積層体を形成する。
【００２１】更には、上記と同様に蒸着マスクの位置合
わせを変更して、上記ＴＰＤを主体とするホール輸送
層、Ｚｎ（ｏｘｚ）2（２−（ｏ−ヒドロキシフェニ
ル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）を主体とする電
子輸送層及びＡｌ電極を蒸着し、青色発光用の積層体を
形成する（図示省略）。これによって、図６及び図７に
示したような有機ＥＬ素子を形成することができる。
わせを変更して、上記ＴＰＤを主体とするホール輸送
層、Ｚｎ（ｏｘｚ）2（２−（ｏ−ヒドロキシフェニ
ル）−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体）を主体とする電
子輸送層及びＡｌ電極を蒸着し、青色発光用の積層体を
形成する（図示省略）。これによって、図６及び図７に
示したような有機ＥＬ素子を形成することができる。
【００２２】上記の実施例によると、クランプ機構２３
を有する基板枠２０を用いて、透明電極３及び絶縁層５
が形成されている透明基板２が位置合わせされて固定さ
れ、ガイドピン２５を用いてこの基板枠２０と蒸着マス
ク１３との位置合わせを行うもので、予め設定された蒸
着マスク１３におけるガイド穴１５にガイドピン２５を
挿入するという極めて簡易な工程で被蒸着対象である透
明基板２と蒸着マスク１３との位置合わせが完了する。
また、透明基板２と蒸着マスク１３との位置合わせの変
更も同様に極めて簡易に行うことができる。したがって
この実施例によると、大掛かりな位置合わせ機構は不要
であり、また、短時間で蒸着マスクの位置合わせ作業を
行うことが可能になる。
を有する基板枠２０を用いて、透明電極３及び絶縁層５
が形成されている透明基板２が位置合わせされて固定さ
れ、ガイドピン２５を用いてこの基板枠２０と蒸着マス
ク１３との位置合わせを行うもので、予め設定された蒸
着マスク１３におけるガイド穴１５にガイドピン２５を
挿入するという極めて簡易な工程で被蒸着対象である透
明基板２と蒸着マスク１３との位置合わせが完了する。
また、透明基板２と蒸着マスク１３との位置合わせの変
更も同様に極めて簡易に行うことができる。したがって
この実施例によると、大掛かりな位置合わせ機構は不要
であり、また、短時間で蒸着マスクの位置合わせ作業を
行うことが可能になる。
【００２３】上記実施例においては、蒸着マスクとして
ストライプ状のマスク穴を有するものを用い、フルカラ
ーディスプレイとして用いる有機ＥＬ素子について説明
したが、本発明の特徴は、蒸着マスクと被蒸着対象であ
る基板の位置合わせをガイドピンで行うことが最も特徴
的な技術思想であり、この技術思想の範囲内で各種の変
更が可能である。例えば、有機ＥＬ素子は、モノカラー
用のディスプレイに適用するものであってもよいし、文
字板等の光源に用いるものであってもよい。
ストライプ状のマスク穴を有するものを用い、フルカラ
ーディスプレイとして用いる有機ＥＬ素子について説明
したが、本発明の特徴は、蒸着マスクと被蒸着対象であ
る基板の位置合わせをガイドピンで行うことが最も特徴
的な技術思想であり、この技術思想の範囲内で各種の変
更が可能である。例えば、有機ＥＬ素子は、モノカラー
用のディスプレイに適用するものであってもよいし、文
字板等の光源に用いるものであってもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明による有機ＥＬ素子の製造方法
は、上記のように構成されるので、大掛かりなマスク位
置合わせ機構による多大な設備投資を不要にし、更に
は、マスクの位置合わせ作業を迅速に行うことで生産性
の向上を図ることができる。
は、上記のように構成されるので、大掛かりなマスク位
置合わせ機構による多大な設備投資を不要にし、更に
は、マスクの位置合わせ作業を迅速に行うことで生産性
の向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方
法に用いられる基板枠を示す説明図。
法に用いられる基板枠を示す説明図。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図。
【図３】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法
を示す説明図。
を示す説明図。
【図４】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法
を示す説明図。
を示す説明図。
【図５】本発明の実施例に係る有機ＥＬ素子の製造方法
を示す説明図。
を示す説明図。
【図６】カラーディスプレイとして構成するための有機
ＥＬ素子を示した平面図。
ＥＬ素子を示した平面図。
【図７】図６のＸ−Ｘ断面図。
【図８】有機ＥＬ素子によりカラーディスプレイを構成
する概念図。
する概念図。
１ 有機ＥＬ素子 ２ 透明基板 ３ 透明電極 ４ 金属電極 ５ 絶縁層 ６ ホール輸送層 ７ 電子輸送層 ８ 電極 ９ 保護層 １０ 発光界面 １１ 制御回路 １２ 輝度信号回路 １３ 蒸着マスク １４ マスク穴 １５ ガイド穴 １６ 蒸気 ２０ 基板枠 ２１ 開口 ２２ 枠体 ２３ クランプ機構 ２３Ａ バネ ２３Ｂ クランプ ２４ ガイド穴 ２５ ガイドピン
Claims (1)
- 【請求項１】 クランプ機構を有する基板枠により、基
板と該基板枠との位置合わせを行い該基板を固定する工
程と、有機ＥＬ素子を形成する各層の蒸着工程に先だっ
て、ガイドピンを用いて上記基板枠と蒸着マスクの位置
合わせを行う工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146394A JP2001326075A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146394A JP2001326075A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001326075A true JP2001326075A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18652759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000146394A Pending JP2001326075A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001326075A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005344201A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Canon Inc | 真空蒸着装置 |
| CN100354752C (zh) * | 2002-05-31 | 2007-12-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于蒸发的掩模，包括该掩模的掩模框架组件，及其制造方法 |
| JP2011046971A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Canon Anelva Corp | マスク位置合わせ機構及びマスク位置合わせ方法並びに真空処理装置 |
| CN111621743A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板 |
| CN112481581A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 |
| WO2024045972A1 (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀掩膜板、蒸镀装置及蒸镀方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130481A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-18 | Hitachi Maxell Ltd | 蒸着用支持枠 |
| JPH09115672A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 有機光学的素子及びその製造方法 |
| JPH1072668A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-17 | Toray Ind Inc | 基板支持具ならびに該支持具を用いた薄膜の製造方法およびその製造装置 |
-
2000
- 2000-05-18 JP JP2000146394A patent/JP2001326075A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61130481A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-18 | Hitachi Maxell Ltd | 蒸着用支持枠 |
| JPH09115672A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Sony Corp | 有機光学的素子及びその製造方法 |
| JPH1072668A (ja) * | 1996-09-02 | 1998-03-17 | Toray Ind Inc | 基板支持具ならびに該支持具を用いた薄膜の製造方法およびその製造装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100354752C (zh) * | 2002-05-31 | 2007-12-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于蒸发的掩模，包括该掩模的掩模框架组件，及其制造方法 |
| JP2005344201A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Canon Inc | 真空蒸着装置 |
| JP4641390B2 (ja) * | 2004-06-07 | 2011-03-02 | キヤノン株式会社 | 真空蒸着装置 |
| JP2011046971A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Canon Anelva Corp | マスク位置合わせ機構及びマスク位置合わせ方法並びに真空処理装置 |
| CN112481581A (zh) * | 2019-09-11 | 2021-03-12 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 |
| CN111621743A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板 |
| WO2024045972A1 (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀掩膜板、蒸镀装置及蒸镀方法 |
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