JP2001323148A - ポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低
下させることなく、該ポリカーボネートに低湿下におい
ても優れた帯電防止性を付与できる、ポリカーボネート
用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与
する方法を提供する。 【解決手段】特定のスルホネートホスホニウム塩、特定
のスルホネート無機塩及び特定の有機リン化合物の３成
分、或は更に特定のポリオキシアルキレン化合物の４成
分系から成る帯電防止剤を用いた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はポリカーボネート用
帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与す
る方法に関する。ポリカーボネートは、疎水性が大き
く、その結果として帯電し易い特性を有し、かかる特性
はポリカーボネートの製造工程やその製品使用上の大き
な障害となっている。本発明は上記のような障害を取り
除くためのポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカー
ボネートに帯電防止性を付与する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、合成高分子用帯電防止剤として、
カーボンや導電性金属粉末等の導電剤或は界面活性剤が
使用されている。これらは合成高分子に結果として添加
されたり或はその表面へ塗布されている。しかし、導電
剤は、相応の効果を得るために必要な使用量が多く、ま
たその添加方法が難しく、更に透明なものが得難く、し
かも導電剤それ自体が高価であること等から、実際には
使用できる範囲がかなり限定されてしまうという問題が
ある。対して界面活性剤は、その多くの種類の中から適
宣選定され、多くの場合に応用されている。これらのう
ちでポリカーボネートへ添加するものについては多くの
提案がある。しかし、界面活性剤を帯電防止剤として添
加する場合、アニオン性界面活性剤には、相溶性が悪
く、また均一分散が難しかったり或は加熱時に分解劣化
を生じたりして、ポリカーボネートの本来的な色相や透
明性を低下させるため、使用し難いという問題がある。
また第四級窒素を分子内に有するカチオン性界面活性剤
及び両性界面活性剤には、帯電防止性は良好なるも、耐
熱性が非常に悪く、実際のところ極く限定された範囲で
しか使用できないという問題がある。更に非イオン性界
面活性剤には、前記したイオン性界面活性剤に比べてポ
リカーボネートへの相溶性に優れるが、帯電防止性が弱
く、しかもその効果が常温や高温で経時的に消失し易い
という問題がある。そこで、これら界面活性剤の欠点を
改善するものとして、有機スルホン酸のホスホニウム塩
が提案されている（特開昭６２−２３０８３５、特開昭
６３−１１７０６１、特開平１−１４２６７、特開平１
−６２３３６、特開平１−９２４７４、ＵＳＰ４９４３
３８０）。ところが、従来提案されている有機スルホン
酸のホスホニウム塩には、ポリカーボネートの本来的な
色相や透明性を低下させる傾向があり、その使用量が制
限されるため、低湿下における帯電防止性が不充分とい
う問題がある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、良好な耐熱性及びポリカーボネートに対す
る相溶性を示し、したがってポリカーボネートの本来的
な色相や透明性を低下させることなく、低湿下において
もポリカーボネートに充分な帯電防止性を付与できるポ
リカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯
電防止性を付与する方法を提供する処にある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】しかして本発明者らは、
上記課題を解決するべく研究した結果、ポリカーボネー
トの帯電防止には、特定のスルホネートホスホニウム
塩、特定のスルホネート無機塩及び特定の有機リン化合
物を併用することが正しく好適であることを見出した。

【０００５】すなわち本発明は、下記の式１で示される
スルホネートホスホニウム塩、下記の式２で示されるス
ルホネート無機塩及び下記の有機リン化合物から成るこ
とを特徴とするポリカーボネート用帯電防止剤に係る。
また本発明は、下記の式１で示されるスルホネートホス
ホニウム塩、下記の式２で示されるスルホネート無機塩
及び下記の有機リン化合物と、更に下記の式５で示され
るポリオキシアルキレン化合物とから成ることを特徴と
するポリカーボネート用帯電防止剤に係る。更に本発明
は、帯電防止剤成分を添加してポリカーボネートに帯電
防止性を付与する方法において、帯電防止剤成分として
下記の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、下
記の式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機
リン化合物を添加することを特徴とするポリカーボネー
トに帯電防止性を付与する方法に係る。更にまた本発明
は、帯電防止剤成分を添加してポリカーボネートに帯電
防止性を付与する方法において、帯電防止剤成分として
下記の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、下
記の式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機
リン化合物、更に下記の式５で示されるポリオキシアル
キレン化合物とを添加することを特徴とするポリカーボ
ネートに帯電防止性を付与する方法に係る。

【０００６】

【式１】

【式２】

【０００７】式１，式２において、 Ａ¹，Ａ²：炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数４〜２
４のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数１
〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル
基又は置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有す
る置換ナフチル基 Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴：炭素数１〜１８の脂肪族若しくは
芳香族炭化水素基又は置換基として水酸基若しくはシア
ノ基を有する炭素数１〜１８の置換炭化水素基 Ｍⁿ⁺：ｎ＝１の場合はアルカリ金属カチオン、ｎ＝２の
場合はアルカリ土類金属カチオン ｎ：１又は２

【０００８】有機リン化合物：下記の式３で示される有
機リン化合物及び下記の式４で示される有機リン化合物
から選ばれる一つ又は二つ以上

【０００９】

【式３】

【式４】

【００１０】式３，式４において、 Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷，Ｒ⁸：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素
基又は芳香族炭化水素基 Ｔ¹：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化
水素基又は２〜４価のヒドロキシ化合物から全ての水酸
基を除いた残基 Ｔ²：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化
水素基、２価の脂肪族炭化水素基又は２価の芳香族炭化
水素基 ｑ：１〜４の整数、但しＴ¹が脂肪族炭化水素基又は芳
香族炭化水素基の場合はｑ＝１、Ｔ¹がヒドロキシ化合
物の残基の場合はｑ＝除かれた水酸基の数 ｒ：１又は２、但しＴ²が脂肪族炭化水素基又は芳香族
炭化水素基の場合はｒ＝１、Ｔ²が２価の脂肪族炭化水
素基又は２価の芳香族炭化水素基の場合はｒ＝２

【００１１】

【式５】

【００１２】式５において、 Ａ³：水素、炭素数１〜２４の脂肪族炭化水素基、炭素
数２〜２４のアシル基又は芳香族炭化水素基 Ｂ：水素、１〜４価のヒドロキシ化合物から全ての水酸
基を除いた残基又は１〜４価のカルボン酸から全ての水
酸基を除いた残基 ｍ：１〜４の整数、但しＢが水素の場合はｍ＝１、Ｂが
ヒドロキシ化合物の残基又はカルボン酸の残基の場合は
ｍ＝除かれた水酸基の数 Ｘ：４〜１００個のオキシエチレン単位又は合計４〜１
００個のオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位と
で構成されたポリオキシアルキレン基

【００１３】式１で示されるスルホネートホスホニウム
塩は有機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチ
オンとからなるものである。かかる有機スルホネートア
ニオンとしては、１）メチルスルホネート、エチルスル
ホネート、プロピルスルホネート、ブチルスルホネー
ト、オクチルスルホネート、ドデシルスルホネート、テ
トラデシルスルホネート、ステアリルスルホネート、テ
トラコシルスルホネート、２−エチルヘキシルスルホネ
ート等の、炭素数１〜２４のアルキル基を有する有機ス
ルホネートアニオン、２）ブテニルスルホネート、オク
テニルスルホネート、ドデセニルスルホネート、テトラ
デセニルスルホネート、オクタデセニルスルホネート等
の、炭素数４〜２４のアルケニル基を有する有機スルホ
ネートアニオン、３）フェニルスルホネート、４）メチ
ルフェニルスルホネート、ブチルフェニルスルホネー
ト、オクチルフェニルスルホネート、ドデシルフェニル
スルホネート、ジブチルフェニルスルホネート、ジノニ
ルフェニルスルホネート等の、炭素数１〜１８のアルキ
ル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートア
ニオン、５）ナフチルスルホネート、６）ジイソプロピ
ルナフチルスルホネート、ジブチルナフチルスルホネー
ト等の、炭素数１〜１８のアルキル基で置換したナフチ
ル基を有する有機スルホネートアニオン等が挙げられ
る。なかでも炭素数６〜２２のアルキル基を有する有機
スルホネートアニオン、炭素数２〜１２のアルキル基で
置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオ
ン、炭素数２〜１２のアルキル基で置換したナフチル基
を有する有機スルホネートアニオンが好ましく、ドデシ
ルベンゼンスルホネートアニオンが特に好ましい。

【００１４】また前記有機ホスホニウムカチオンとして
は、１）テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホス
ホニウム、テトラブチルホスホニウム、トリエチルメチ
ルホスホニウム、トリブチルメチルホスホニウム、ジエ
チルジヘキシルホスホニウム、ジオクチルジメチルホス
ホニウム、トリメチルブチルホスホニウム、トリメチル
オクチルホスホニウム、トリメチルラウリルホスホニウ
ム、トリメチルステアリルホスホニウム、トリエチルオ
クチルホスホニウム、トリブチルオクチルホスホニウム
等の、式１中のＲ¹〜Ｒ⁴が炭素数１〜１８の脂肪族炭化
水素基である場合の有機ホスホニウムカチオン、２）テ
トラフェニルホスホニウム、トリフェニルメチルホスホ
ニウム、トリフェニルエチルホスホニウム、トリフェニ
ルベンジルホスホニウム、トリブチルベンジルホスホニ
ウム等の、式１中のＲ¹〜Ｒ⁴のうちで少なくとも一つが
芳香族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオ
ン、３）テトラメチロールホスホニウム、トリ（２−シ
アノエチル）メチルホスホニウム、トリ（２−シアノエ
チル）エチルホスホニウム、トリ（２−シアノエチル）
ベンジルホスホニウム、トリ（３−ヒドロキシプロピ
ル）メチルホスホニウム、トリ（３−ヒドロキシプロピ
ル）ベンジルホスホニウム、トリメチル（２−ヒドロキ
シエチル）ホスホニウム、トリ（２−ヒドロキシエチ
ル）メチルホスホニウム等の、式１中のＲ¹〜Ｒ⁴のうち
で少なくとも一つが置換基として水酸基若しくはシアノ
基を有する炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカ
チオン等が挙げられる。なかでも式１中のＲ¹〜Ｒ⁴が炭
素数１〜８の脂肪族炭化水素基である場合の有機ホスホ
ニウムカチオンが好ましく、テトラブチルホスホニウム
カチオンが特に好ましい。

【００１５】本発明に供するスルホネートホスホニウム
塩は以上例示したような有機スルホネートアニオンと有
機ホスホニウムカチオンとの任意の組合わせにより構成
されるが、本発明はその組合わせを特に制限するもので
はない。かかるスルホネートホスホニウム塩は、それぞ
れ相当する有機スルホネートの金属塩又はアンモニウム
塩と四級ホスホニウム塩とを溶媒中で混合し、副生する
無機塩を水洗分離するか、又はメタノールやイソプロパ
ノール更にはアセトンの如き有機溶媒にてスルホネート
ホスホニウム塩を抽出することにより得ることができ
る。

【００１６】式２で示されるスルホネート無機塩は、式
１で示されるスルホネートホスホニウム塩について前記
した有機スルホネートアニオンと同様の有機スルホネー
トアニオンを用いてアルカリ金属塩又はアルカリ土類金
属塩としたものである。なかでもアルカリ金属塩が好ま
しく、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩が特に好
ましい。

【００１７】本発明に供する有機リン化合物には、１）
式３で示される有機リン化合物、２）式４で示される有
機リン化合物、３）これらの混合物が包含される。

【００１８】式３で示される有機リン化合物には、１）
ｑが１である場合の分子中にリン原子を１個有する有機
リン化合物、２）ｑが２〜４である場合の分子中にリン
原子を２〜４個有する有機リン化合物が包含される。式
３中のＲ⁵，Ｒ⁶としては、１）プロピル基、ブチル基、
ヘキシル基、オクチル基、ラウリル基、パルミチル基、
ステアリル基、ベヘニル基、２−エチル−ヘキシル基等
の炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、２）フェニル
基、ナフチル基、ベンジル基、クレジル基、キシレニル
基等の芳香族炭化水素基が挙げられる。なかでもフェニ
ル基又はアルキル基で置換したフェニル基が好ましい。
また式３中のＴ¹には、１）プロピル基、ブチル基、ヘ
キシル基、ラウリル基、ステアリル基等の炭素数３〜２
２の脂肪族炭化水素基、２）フェニル基、ナフチル基、
ベンジル基、クレジル基、キシレニル基等の芳香族炭化
水素基、３）エチレングリコール、プロピレングリコー
ル、ブチレングリコール、トリメチロールプロパン、ペ
ンタエリスリトール、１，３−ジヒドロキシベンゼン、
１，４−ジヒドロキシベンゼン、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＳ等の２価〜４価のヒドロキシ化合物から
全ての水酸基を除いた残基が挙げられる。なかでもフェ
ニレン基又はビスフェノールＡから全ての水酸基を除い
た残基が好ましい。

【００１９】式３で示される有機リン化合物の具体例と
しては、１）トリプロピルホスフェート、トリブチルホ
スフェート、トリ（２−エチルヘキシル）ホスフェー
ト、トリステアリルホスフェート、トリフェニルホスフ
ェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホ
スフェート、トリ（ブチルフェニル）ホスフェート、ト
リ（ノニルフェニル）ホスフェート、ジフェニルブチル
ホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート等の、
式３中のｑが１である場合の有機リン化合物、２）１，
２−エチレン−ビス（ジブチルホスフェート）、１，２
−エチレン−ビス（ジフェニルホスフェート）、１，２
−エチレン−ビス（ジクレジルホスフェート）、１，４
−ブチレン−ビス（ジキシレニルホスフェート）、トリ
メチロールプロパントリス（ジフェニルホスフェー
ト）、ペンタエリスリトールテトラキス（ジフェニルホ
スフェート）、１，３−フェニレン−ビス（ジブチルホ
スフェート）、１，３−フェニレン−ビス（ジフェニル
ホスフェート）、１，３−フェニレン−ビス（ジクレジ
ルホスフェート）、１，３−フェニレン−ビス（ジキシ
レニルホスフェート）、１，４−フェニレン−ビス（ジ
フェニルホスフェート）、１，４−フェニレン−ビス
（ジクレジルホスフェート）、ビスフェノールＡビス
（ジブチルホスフェート）、ビスフェノールＡビス（ジ
フェニルホスフェート）、ビスフェノールＡビス（ジク
レジルホスフェート）、ビスフェノールＡビス（ジキシ
レニルホスフェート）、ビスフェノールＳビス（ジフェ
ニルホスフェート）、ビスフェノールＳビス（ジクレジ
ルホスフェート）等の、式３中のｑが２〜４である場合
の有機リン化合物が挙げられる。なかでもトリクレジル
ホスフェート、トリキシレニルホスフェート、１，３−
フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）、１，４
−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）、１，
３−フェニレン−ビス（ジキシレニルホスフェート）、
ビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）が特
に好ましい。

【００２０】式４で示される有機リン化合物には、１）
ｒが１である場合の分子中にリン原子を１個有する有機
リン化合物、２）ｒが２である場合の分子中にリン原子
を２個有する有機リン化合物が包含される。式４中のＲ
⁷，Ｒ⁸としては、１）プロピル基、ブチル基、ヘキシル
基、オクチル基、ラウリル基、パルミチル基、ステアリ
ル基、ベヘニル基、２−エチル−ヘキシル基等の炭素数
３〜２２の脂肪族炭化水素基、２）フェニル基、ナフチ
ル基、ベンジル基、クレジル基、キシレニル基、２，６
−ジ−ｔ−ブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔ−ブチル
−５−メチルフェニル基、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４
−メチルフェニル基等の芳香族炭化水素基が挙げられ
る。なかでもフェニル基又はアルキル基で置換したフェ
ニル基が好ましい。また式４中のＴ²としては、１）プ
ロピル基、ブチル基、ヘキシル基、ラウリル基、ステア
リル基等の炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、２）フ
ェニル基、ナフチル基、ベンジル基、クレジル基、キシ
レニル基、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル基、２，４
−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル基、２，６−ジ
−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル基等の芳香族炭化水
素基、３）エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、イ
ソブチレン基、ネオペンチレン基、へキシレン基等の２
価の脂肪族炭化水素基、４）フェニレン基、ナフチレン
基、ビフェニレン基等の２価の芳香族炭化水素基が挙げ
られる。なかでもビフェニレン基が好ましい。

【００２１】式４で示される有機リン化合物の具体例と
しては、１）ジブチルブチルホスホナイト、ジオクチル
ブチルホスホナイト、ジオクチルフェニルホスホナイ
ト、ジフェニルブチルホスホナイト、ジフェニルフェニ
ルホスホナイト、ジ（ｔ−ブチルフェニル）フェニルホ
スホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）
フェニルホスホナイト、オクチルフェニルベンジルホス
ホナイト、ジフェニルベンジルホスホナイト、ビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスホナ
イト等の、式４中のｒが１である場合の有機リン化合
物、２）テトラフェニル−１，４−ブチレン−ジ−ホス
ホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）−１，４−ブチレン−ジ−ホスホナイト、テトラフ
ェニル−１，４−フェニレン−ジ−ホスホナイト、テト
キス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−１，４−フ
ェニレン−ジ−ホスホナイト、テトキス（２，４−ジ−
ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−１，４−フェニレ
ン−ジ−ホスホナイト、テトラフェニル−４，４’−ビ
フェニレン−ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，４−
ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−
ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチ
ル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−
ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−
ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル）−２，６−ナフチレン−ジ−ホスホナイ
ト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチル
フェニル）−２，６−ナフチレン−ジ−ホスホナイト等
の、式４中のｒが２である場合の有機リン化合物が挙げ
られる。なかでもビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）フェニルホスホナイト、ジフェニルフェニルホスホ
ナイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベン
ジルホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナ
イト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチ
ルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナ
イトが特に好ましい。

【００２２】本発明に供する式５で示されるポリオキシ
アルキレン化合物には、１）４〜１００個のオキシエチ
レン単位で構成されたポリオキシエチレン基を有するポ
リオキシアルキレン化合物、２）合計４〜１００個のオ
キシエチレン単位とオキシプロピレン単位とで構成され
たポリオキシアルキレン基を有するポリオキシアルキレ
ン化合物が包含される。かかるポリオキシアルキレン化
合物には、ａ）１〜４価のヒドロキシ化合物にアルキレ
ンオキサイドを付加して得られるポリオキシアルキレン
化合物、ｂ）前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物の
ヒドロキシル基を１価の有機カルボン酸又は有機カルボ
ン酸形成性化合物で部分エステル化又は完全エステル化
して得られるポリオキシアルキレン化合物、ｃ）前記
ａ）のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシル基を
アルコキシ化剤で部分アルコキシ化又は完全アルコキシ
化して得られるポリオキシアルキレン化合物、ｄ）１〜
４価の有機カルボン酸にアルキレンオキサイドを付加し
て得られるポリオキシアルキレン化合物、ｅ）前記ｄ）
のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシル基を１価
の有機カルボン酸又はカルボン酸形成性化合物で部分エ
ステル化又は完全エステル化して得られるポリオキシア
ルキレン化合物、ｆ）１〜４価の有機カルボン酸を片末
端封鎖ポリオキシアルキレングリコールにより完全エス
テル化して得られるポリオキシアルキレン化合物が挙げ
られる。

【００２３】前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物を
得るのに用いられる１〜４価のヒドロキシ化合物として
は、１）メタノール、エタノール、ブタノール、２−エ
チルヘキサノール、ラウリルアルコール、ステアリルア
ルコール等の１価の脂肪族ヒドロキシ化合物、２）ベン
ジルアルコール、フェノール、２−ヒドロキシナフタレ
ン、オクチルフェノール、ノニルフェノール等の１価の
芳香族ヒドロキシ化合物、３）エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオー
ル、グリセリン、トリメチロールプロパン、ソルビトー
ル、ペンタエリスリトール等の２〜４価の脂肪族ヒドロ
キシ化合物、４）ハイドロキノン、ビスフェノールＡ、
ビスフェノールＳ、１，３，５−トリヒドロキシベンゼ
ン、１，２，３，４−テトラヒドロキシベンゼン等の２
〜４価の芳香族ヒドロキシ化合物が挙げられる。なかで
も２〜３価の芳香族ヒドロキシ化合物が好ましく、ビス
フェノールＡが特に好ましい。本発明は、前記ａ）のポ
リオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するも
のではなく、これには公知の方法が適用できる。例え
ば、以上説明したヒドロキシ化合物に、水酸化ナトリウ
ムや水酸化カリウム等の塩基触媒存在下で、エチレンオ
キサイド或はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイ
ドとを付加反応する方法が挙げられる。

【００２４】前記ｂ）のポリオキシアルキレン化合物を
得るのに用いられる有機カルボン酸又は有機カルボン酸
形成性化合物としては、１）酢酸、酪酸、カプロン酸、
カプリル酸、カプリン酸、ウンデカン酸、ラウリン酸、
トリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミ
チン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、
ベヘニン酸、リグノセリン酸、パルミトレイン酸、オレ
イン酸、エライジン酸、バクセン酸、リノール酸、リノ
レン酸、アラキドン酸、酢酸メチル、酪酸メチル、カプ
ロン酸メチル、カプリル酸メチル、カプリン酸メチル、
ウンデカン酸メチル、ラウリン酸メチル、トリデカン酸
メチル、ミリスチン酸メチル、ペンタデカン酸メチル、
パルミチン酸メチル、ステアリン酸メチル、ノナデカン
酸メチル、アラキジン酸メチル、ベヘニン酸メチル、リ
グノセリン酸メチル、パルミトレイン酸メチル、オレイ
ン酸メチル、エライジン酸メチル、バクセン酸メチル、
リノール酸メチル、リノレン酸メチル、アラキドン酸メ
チル等の、脂肪族カルボン酸又は脂肪族有機カルボン酸
形成性化合物、２）安息香酸、ナフトエ酸、トルイル
酸、安息香酸メチル、ナフトエ酸メチル、トルイル酸メ
チル等の、芳香族有機カルボン酸又は芳香族有機カルボ
ン酸形成性化合物、３）グルコール酸、乳酸、リンゴ
酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシステアリン酸、酒石
酸、テトラヒドロキシ琥珀酸、グルコン酸、リシノール
酸、α−オキシリノレン酸等の、分子中にヒドロキシ基
を有する有機カルボン酸が挙げられる。なかでも芳香族
有機カルボン酸又は芳香族有機カルボン酸形成性化合物
が好ましく、特に安息香酸、安息香酸メチルが好まし
い。本発明は、前記ｂ）のポリオキシアルキレン化合物
の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知
の方法が適用できる。例えば、前記したａ）のポリオキ
シアルキレン化合物と以上説明した有機カルボン酸と
を、硫酸やｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下
で、エステル化反応する方法が挙げられる。ここで、原
料の仕込み条件を、前記ａ）のポリオキシアルキレン化
合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化合物のヒドロ
キシ基数／有機カルボン酸のモル数＞１として、エステ
ル化反応することで部分エステル化物が得られる。また
前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物のモル数×該ポ
リオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数／有機カル
ボン酸のモル数＝１として、エステル化反応することで
完全エステル化物が得られる。

【００２５】前記ｃ）のポリオキシアルキレン化合物を
得るのに用いられるアルコキシ化剤としては、１）メチ
ルクロライド、エチルクロライド、プロピルクロライ
ド、オクチルクロライド、ラウリルクロライド、ステア
リルクロライド、メチルブロマイド、エチルブロマイ
ド、プロピルブロマイド、オクチルブロマイド、ラウリ
ルブロマイド、ステアリルブロマイド、メチルアイオダ
イド、エチルアイオダイド、プロピルアイオダイド、オ
クチルアイオダイド、ラウリルアイオダイド、ステアリ
ルアイオダイド等の脂肪族モノハロゲン化物、２）ベン
ジルクロライド、ベンジルブロマイド、ベンジルアイオ
ダイド、モクロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨードベ
ンゼン等の芳香族モノハロゲン化物が挙げられる。なか
でも芳香族モノハロゲン化物が好ましい。本発明は、前
記ｃ）のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に
制限するものではなく、これには公知の方法が適用でき
る。例えば、前記したａ）のポリオキシアルキレン化合
物をナトリウムアルコラートとした後、以上説明したモ
ノハロゲン化物とエーテル化反応する方法が挙げられ
る。ここで、原料の仕込み条件を、前記ａ）のポリオキ
シアルキレン化合物のヒドロキシ基数／モノハロゲン化
物のハロゲン原子の数＞１として、エーテル化反応する
ことで部分エーテル化物が得られる。また前記ａ）のポ
リオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数／モノハロ
ゲン化物のハロゲン原子の数＝１として、エーテル化反
応することで完全エーテル化物が得られる。

【００２６】前記ｄ）のポリオキシアルキレン化合物を
得るのに用いられる１〜４価の有機カルボン酸として
は、１）酢酸、酪酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリ
ン酸、ウンデカン酸、ラウリン酸、トリデカン酸、ミリ
スチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、パルミ
トレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、
リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の１価の脂肪
族カルボン酸、２）安息香酸、ナフトエ酸、トルイル酸
等の１価の芳香族有機カルボン酸、３）琥珀酸、グルタ
ル酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、２，
３，５−ヘキサントリカルボン酸、１，２，３−ブタン
トリカルボン酸、２−（３−カルボキシプロピル）−
１，１，５，６−ヘプタンテトラカルボン酸、マレイン
酸、シトラコン酸等の２〜４価の脂肪族カルボン酸、
３）フタル酸、１，４−ジカルボキシナフタレン、トリ
メリット酸、ピロメリット酸等の２〜４価の芳香族カル
ボン酸が挙げられるが、なかでも２〜３価の芳香族カル
ボン酸が好ましい。本発明は、前記ｄ）のポリオキシア
ルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではな
く、これには公知の方法が適用できる。例えば、前記し
た１〜４価のカルボン酸に、水酸化ナトリウムや水酸化
カリウム等の塩基触媒存在下で、エチレンオキサイド或
はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとを付加
反応する方法が挙げられる。

【００２７】前記ｅ）のポリオキシアルキレン化合物
は、前記ｄ）のポリオキシアルキレン化合物と１価の有
機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物とのエス
テル化反応により得られる。かかる１価の有機カルボン
酸又は有機カルボン酸形成性化合物は、前記ｂ）のポリ
オキシアルキレン化合物の場合と同じである。本発明
は、前記ｅ）のポリオキシアルキレン化合物の合成方法
を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適
用できる。例えば、前記したｄ）のポリオキシアルキレ
ン化合物と上記した１価の有機カルボン酸又は有機カル
ボン酸形成性化合物とを、硫酸やｐ−トルエンスルホン
酸等の酸触媒存在下で、エステル化反応する方法が挙げ
られる。ここで、原料の仕込み条件を、前記ｄ）の（ポ
リオキシアルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアル
キレン化合物のヒドロキシ基数）／１価の有機カルボン
酸のモル数＞１として、エステル化反応することで部分
エステル化物が得られる。また前記ｄ）の（ポリオキシ
アルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化
合物のヒドロキシ基数）／１価の有機カルボン酸のモル
数＝１として、エステル化反応することで完全エステル
化物が得られる。

【００２８】前記ｆ）のポリオキシアルキレン化合物
は、１〜４価の有機カルボン酸と片末端封鎖ポリアルキ
レングリコールとのエステル化反応により得られる。か
かる１〜４価の有機カルボン酸は、前記ｄ）のポリオキ
シアルキレン化合物の場合と同じである。また片末端封
鎖ポリアルキレングリコールとしては、メタノール、エ
タノール、ブタノール、２−エチルヘキサノール、ラウ
リルアルコール、ステアリルアルコール、ベンジルアル
コール、フェノール、ナフトール、オクチルフェノー
ル、ノニルフェノール等の１価のヒドロキシ化合物１モ
ルにエチレンオキサイド又はエチレンオキサイドとプロ
ピレンオキサイドとを付加反応して得られるものであっ
て、付加モル数は合計４〜１００モルである。前記ｆ）
のポリオキシアルキレン化合物において、２〜４価の有
機カルボン酸と片末端封鎖ポリアルキレングリコールと
のエステル化反応により得られるポリオキシアルキレン
化合物としては、有機カルボン酸の全てのカルボキシ基
がエステル化されたポリオキシアルキレン化合物であ
る。本発明は、前記ｆ）のポリオキシアルキレン化合物
の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知
の方法が適用できる。例えば、１〜４価の有機カルボン
酸と片末端封鎖ポリアルキレングリコールとを、硫酸や
ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エステル
化反応する方法が挙げられる。

【００２９】本発明の帯電防止剤はその調製方法を特に
制限されない。かかる調製方法には例えば、１）式１で
示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示される
スルホネート無機塩とを別々に合成しておき、これらと
式３又は式４で示される有機リン化合物とを混合して調
製する方法、２）それぞれ相当するスルホネート無機塩
とホスホニウムハライドとを、スルホネート無機塩／ホ
スホニウムハライド＞１（モル比）の条件で反応させ
て、式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２
で示されるスルホネート無機塩との混合物を調製し、そ
こへ式３又は式４で示される有機リン化合物を混合して
調製する方法、３）相当する有機スルホン酸に対し、ア
ルカリ金属酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属
炭酸水素塩、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金
属炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸水素塩等のアルカリ化
合物と、相当するホスホニウムハイドロオキサイドとを
用いて中和反応により式１で示されるスルホネートホス
ホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との混
合物を調製し、そこへ式３又は式４で示される有機リン
化合物を混合して調製する方法、４）以上の１）〜３）
の混合物に更に式５で示されるポリオキシアルキレン化
合物を混合して調製する方法等が挙げられる。

【００３０】本発明の帯電防止剤は、前記したように、
１）式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、式２
で示されるスルホネート無機塩及び式３又は式４で示さ
れる有機リン化合物との３成分系から成るもの、２）こ
れらの３成分系と、更に式５で示されるポリオキシアル
キレン化合物との４成分系から成るものである。本発明
は各成分の割合を特に制限するものではないが、式１で
示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示される
スルホネート無機塩との合計／式３又は式４で示される
有機リン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割
合とするのが好ましく、９８／２〜２０／８０（重量
比）の割合とするのがより好ましく、９５／５〜２５／
７５（重量比）の割合とするのが特に好ましい。また、
式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示
されるスルホネート無機塩と式３又は式４で示される有
機リン化合物との合計／式５で示されるポリオキシアル
キレン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合
とするのが好ましく、９８／２〜２０／８０（重量比）
の割合とするのがより好ましく、９５／５〜３０／７０
（重量比）の割合とするのが特に好ましい。上記のよう
な各成分の割合の範囲内にて、本発明の帯電防止剤は、
低湿下においても、より優れた帯電防止性を発揮する。

【００３１】次に本発明のポリカーボネートに帯電防止
性を付与する方法について説明する。本発明の帯電防止
性付与方法は、１）式１で示されるスルホネートホスホ
ニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩及び式３
又は式４で示される有機リン化合物の３成分を帯電防止
剤成分として添加する方法、２）これらの３成分と、更
に式５で示されるポリオキシアルキレン化合物との４成
分を帯電防止剤成分として添加する方法である。帯電防
止剤成分として添加するこれらの各成分の内容について
は前記した通りであり、またそれらの好ましい例につい
ても前記した通りである。本発明は帯電防止剤成分とし
て添加するこれらの各成分の割合を特に制限するもので
はないが、式１で示されるスルホネートホスホニウム塩
と式２で示されるスルホネート無機塩との合計／式３又
は式４で示される有機リン化合物＝９９／１〜１０／９
０（重量比）の割合となるように添加するのが好まし
く、９８／２〜２０／８０（重量比）の割合となるよう
に添加するのがより好ましく、９５／５〜２５／７５の
割合となるように添加するのが特に好ましい。また式１
で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示され
るスルホネート無機塩と式３又は式４で示される有機リ
ン化合物との合計／式５で示されるポリオキシアルキレ
ン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合とな
るように添加するのが好ましく、９８／２〜２０／８０
（重量比）の割合となるように添加するのがより好まし
く、９５／５〜３０／７０の割合となるように添加する
のが特に好ましい。上記のような各成分の添加割合の範
囲内にて、本発明の帯電防止性付与方法は、低湿下にお
いても、ポリカーボネートに対してより優れた帯電防止
性を付与できる。

【００３２】本発明はポリカーボネートに対して帯電防
止剤成分を添加する方法を特に制限するものではない。
かかる添加方法には例えば、１）式１で示されるスルホ
ネートホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無
機塩及び式３又は式４で示される有機リン化合物を、或
は更に式５で示されるポリオキシアルキレン化合物を
も、前もって混合物としておき、該混合物をポリカーボ
ネートに添加する方法、２）式１で示されるスルホネー
トホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機
塩、式３又は式４で示される有機リン化合物、式５で示
されるポリオキシアルキレン化合物を別々に、ポリカー
ボネートに添加する方法等がある。上記２）の場合、各
帯電防止剤成分をポリカーボネートへ添加する順序は任
意である。各帯電防止剤成分を添加する方法には、１）
ポリカーボネートの重合工程で各帯電防止剤成分を添加
する方法、２）ポリカーボネートの成形加工時に各帯電
防止剤成分を添加する方法等がある。

【００３３】本発明は各帯電防止剤成分の添加量を特に
制限するものではないが、ポリカーボネート１００重量
部当たり、各帯電防止剤成分をその合計量として、０．
１〜１０重量部の割合となるように添加するのが好まし
く、０．２〜４重量部の割合となるように添加するのが
より好ましい。なかでも、ポリカーボネート１００重量
部当たり、式１で示されるスルホネートホスホニウム塩
を０．５〜２．０重量部、式２で示されるスルホネート
無機塩を０．０２〜０．１重量部、式３で示される有機
リン化合物を０．２〜２．０重量部、式４で示される有
機リン化合物を０．０２〜０．５重量部、式５で示され
るポリオキシアルキレン化合物を０．１〜２．０重量部
の割合となるように添加するのが特に好ましい。ポリカ
ーボネートの本来的な透明性を低下させることなく、該
ポリカーボネートに、低湿下においても、より優れた帯
電防止性を付与できるからである。

【００３４】本発明の帯電防止剤及び帯電防止性付与方
法では、合目的的に他の剤を併用することができる。か
かる他の剤としては、滑剤、抗酸化剤、紫外線吸収剤等
が挙げられる。

【００３５】

【発明の実施の形態】本発明の帯電防止剤の実施形態と
しては、次の１）〜１８）が挙げられる。 １）ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム
塩、ドデシルフェニルスルホネートリチウム塩及び１，
３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）から
成り、ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウ
ム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩との合
計／１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェー
ト）＝４３／５７（重量比）の割合から成る帯電防止
剤。

【００３６】２）ステアリルスルホネートテトラブチル
ホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチウ
ム塩及びビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベン
ジルホスホナイトから成り、ステアリルテトラブチルホ
スホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム
塩との合計／ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）
ベンジルホスホナイト＝６５／３５（重量比）の割合か
ら成る帯電防止剤。

【００３７】３）ドデシルフェニルスルホネートテトラ
ブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネート
ナトリウム塩及び１，３−フェニレン−ビス（ジフェニ
ルホスフェート）から成り、ドデシルフェニルスルホネ
ートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルス
ルホネートナトリウム塩との合計／１，３−フェニレン
−ビス（ジフェニルホスフェート）＝５０／５０（重量
比）の割合から成る帯電防止剤。

【００３８】４）ドデシルフェニルスルホネートテトラ
ブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネート
ナトリウム塩及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル
フェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイ
トから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチ
ルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナト
リウム塩との合計／テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナ
イト＝８３／１７（重量比）の割合から成る帯電防止
剤。

【００３９】５）ジイソプロピルナフチルスルホネート
ジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピルナ
フチルスルホネートナトリウム塩及び１，３−フェニレ
ン−ビス（ジキシレニルホスフェート）から成り、ジイ
ソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホ
スホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートナ
トリウム塩との合計／１，３−フェニレン−ビス（ジキ
シレニルホスフェート）＝７９／２１（重量比）の割合
から成る帯電防止剤。

【００４０】６）ジイソプロピルナフチルスルホネート
ジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピルナ
フチルスルホネートナトリウム塩及びテトラキス（２，
４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレ
ン−ジ−ホスホナイトから成り、ジイソプロピルナフチ
ルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジ
イソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩との合
計／テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−
４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト＝８８／１
２（重量比）の割合から成る帯電防止剤。

【００４１】７）ステアリルスルホネートテトラブチル
ホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチウ
ム塩、１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェ
ート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−
メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホス
ホナイトから成り、ステアリルテトラブチルホスホニウ
ム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩との合
計／１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェー
ト）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチ
ルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナ
イトとの合計＝３３／６７（重量比）の割合から成る帯
電防止剤。

【００４２】８）ドデシルフェニルスルホネートテトラ
ブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネート
ナトリウム塩、ビスフェノールＡビス（ジフェニルホス
フェート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフ
ェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト
から成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチル
ホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリ
ウム塩との合計／ビスフェノールＡビス（ジフェニルホ
スフェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフ
ェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト
の合計＝５６／４４（重量比）の割合から成る帯電防止
剤。

【００４３】９）ジイソプロピルナフチルスルホネート
ジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピルナ
フチルスルホネートナトリウム塩、ビスフェノールＡビ
ス（ジフェニルホスフェート）及びテトラキス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル−５−メチルフェニル）−
４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトから成り、
ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシ
ルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネー
トナトリウム塩との合計／ビスフェノールＡビス（ジフ
ェニルホスフェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−
ブチルフェニル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビ
フェニレン−ジ−ホスホナイト＝６４／３６（重量比）
の割合から成る帯電防止剤。

【００４４】１０）ステアリルスルホネートテトラブチ
ルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチ
ウム塩及び１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホス
フェート）と、ポリオキシアルキレン化合物（式５にお
いて、Ｂがペンタエリスリトール残基、ｍが４、Ｘが１
０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレ
ン基、Ａ³が水素である場合のポリオキシアルキレン化
合物）とから成り、ステアリルスルホネートテトラブチ
ルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチ
ウム塩と１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフ
ェート）との合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝７
８／２２（重量比）の割合から成る帯電防止剤。

【００４５】１１）ステアリルスルホネートテトラブチ
ルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチ
ウム塩及びビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベ
ンジルホスホナイトと、ポリオキシアルキレン化合物
（式５において、ＢがビスフェノールＡ残基、ｍが２、
Ｘが２０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシ
エチレン基、Ａ³がベンゾイル基である場合のポリオキ
シアルキレン化合物）とから成り、ステアリルスルホネ
ートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルス
ルホネートリチウム塩とビス（２，４−ジ−ｔ−ブチル
フェニル）ベンジルホスホナイトとの合計／該ポリオキ
シアルキレン化合物＝５８／４２（重量比）の割合から
成る帯電防止剤。

【００４６】１２）ドデシルフェニルスルホネートテト
ラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネー
トナトリウム塩及び１，３−フェニレン−ビス（ジフェ
ニルホスフェート）と、ポリオキシアルキレン化合物
（式５において、Ｂがテレフタル酸残基、ｍが２、Ｘが
１０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチ
レン基、Ａ³が水素である場合のポリオキシアルキレン
化合物）とから成り、ドデシルフェニルスルホネートテ
トラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネ
ートナトリウム塩と１，３−フェニレン−ビス（ジフェ
ニルホスフェート）との合計／該ポリオキシアルキレン
化合物＝８０／２０（重量比）の割合から成る帯電防止
剤。

【００４７】１３）ドデシルフェニルスルホネートテト
ラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネー
トナトリウム塩及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナ
イトと、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、
Ｂがトリメリット酸残基、ｍが３、Ｘが１０個のオキシ
エチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ³が
水素である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから
成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホス
ホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム
塩とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−
４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトとの合計／
該ポリオキシアルキレン化合物＝６０／４０（重量比）
の割合から成る帯電防止剤。

【００４８】１４）ジイソプロピルナフチルスルホネー
トジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピル
ナフチルスルホネートナトリウム塩及び１，３−フェニ
レン−ビス（ジキシレニルホスフェート）と、ポリオキ
シアルキレン化合物（式５において、Ｂがトリメリット
酸残基、ｍが３、Ｘが１０個のオキシエチレン基で構成
されたポリオキシエチレン基、Ａ³がベンゾイル基であ
る場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ジ
イソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシル
ホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネート
ナトリウム塩と１，３−フェニレン−ビス（ジキシレニ
ルホスフェート）との合計／該ポリオキシアルキレン化
合物＝７６／２４（重量比）の割合から成る帯電防止
剤。

【００４９】１５）ジイソプロピルナフチルスルホネー
トジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピル
ナフチルスルホネートナトリウム塩及びビス（フェニ
ル）フェニルホスホナイトと、ポリオキシアルキレン化
合物（式５において、Ｂがオクタノイル残基、ｍが１、
Ｘが１０個のオキシエチレン基と５個のオキシプロピレ
ン基とで構成されたポリオキシアルキレン基、Ａ³がオ
クチル基である場合のポリオキシアルキレン化合物）と
から成り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチ
ルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチル
スルホネートナトリウム塩とビス（フェニル）フェニル
ホスホナイトとの合計／該ポリオキシアルキレン化合物
＝５９／４１（重量比）の割合から成る帯電防止剤。

【００５０】１６）ステアリルスルホネートテトラブチ
ルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチ
ウム塩、１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフ
ェート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェ
ニル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン
−ジ−ホスホナイトと、ポリオキシアルキレン化合物
（式５において、Ｂがナフタレンジカルボン酸残基、ｍ
が２、Ｘが２０個のオキシエチレン基で構成されたポリ
オキシエチレン基、Ａ³が水素である場合のポリオキシ
アルキレン化合物）とから成り、ステアリルテトラブチ
ルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチ
ウム塩と１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフ
ェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−
ジ−ホスホナイトとの合計／該ポリオキシアルキレン化
合物＝７５／２５（重量比）の割合から成る帯電防止
剤。

【００５１】１７）ドデシルフェニルスルホネートテト
ラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネー
トナトリウム塩、ビスフェノールＡビス（ジフェニルホ
スフェート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル
フェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイ
トと、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、Ｂ
がビスフェノールＡ残基、ｍが２、Ｘが２０個のオキシ
エチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ³が
水素である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから
成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホス
ホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム
塩とビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）
とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−
４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトとの合計／
該ポリオキシアルキレン化合物＝７８／２２（重量比）
の割合から成る帯電防止剤。

【００５２】１８）ジイソプロピルナフチルスルホネー
トジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピル
ナフチルスルホネートナトリウム塩、ビスフェノールＡ
ビス（ジフェニルホスフェート）及びテトラキス（２，
４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−５−メチルフェニル）−
４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトと、ポリオ
キシアルキレン化合物（式５において、Ｂがビスフェノ
ールＡ残基、ｍが２、Ｘが２０個のオキシエチレン基で
構成されたポリオキシエチレン基、Ａ³がベンゾイル基
である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成
り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘ
キシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホ
ネートナトリウム塩とビスフェノールＡビス（ジフェニ
ルホスフェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェ
ニレン−ジ−ホスホナイトの合計／該ポリオキシアルキ
レン化合物＝９２／８（重量比）の割合から成る帯電防
止剤。

【００５３】また本発明の帯電防止性付与方法の実施形
態としては、次の１９）が挙げられる。 １９）ポリカーボネートに前記１）〜１８）の帯電防止
剤を構成する各帯電防止剤成分をこれらの合計で、ポリ
カーボネート１００重量部当たり１．０〜４．０重量部
の割合となるように添加する方法。

【００５４】以下、本発明の構成及び結果をより具体的
にするため実施例等を挙げるが、本発明がこれらの実施
例に限定されるというものではない。尚、以下の実施例
及び比較例において、部は重量部を、また％は重量％を
意味する。

【００５５】

【実施例】試験区分１（帯電防止剤成分の合成） ・式１で示されるスルホネートホスホニウム塩の合成
｛帯電防止剤成分（Ｑ−１）〜（Ｑ−１５）の合成｝ 特開平２−１８８５９３号公報に記載の方法にしたがっ
て、セチルスルホン酸ナトリウム塩３２８部（１．０モ
ル）にジオクチルジメチルホスホニウムクロライド３２
３部（１．０モル）を溶媒中で混合して、副生した塩化
ナトリウムを水洗除去した後、溶媒を留去して、セチル
スルホン酸ジオクチルジメチルホスホニウム塩５６３部
（０．９５モル）を得た。これを帯電防止剤成分（Ｑ−
１）とした。帯電防止剤成分（Ｑ−１）と同様にして帯
電防止剤成分（Ｑ−２）〜（Ｑ−１５）を得た。これら
の内容を表１にまとめて示した。

【００５６】

【表１】

【００５７】・式２で示されるスルホネート無機塩の合
成｛帯電防止剤成分（Ｎ−１）〜（Ｎ−６）及び（Ｎ−
１３）〜（Ｎ−１８）の合成｝ 常法によりラウリルスルホン酸２５０部（１．０モル）
を水酸化リチウム・１水和物４２部（１．０モル）で中
和してラウリルスルホン酸リチウム塩２５３部（０．９
９モル）を得た。これを帯電防止剤成分（Ｎ−１）とし
た。帯電防止剤成分（Ｎ−１）と同様にして帯電防止剤
成分（Ｎ−２）〜（Ｎ−６）及び（Ｎ−１３）〜（Ｎ−
１８）を得た。

【００５８】・式２で示されるスルホネート無機塩の合
成｛帯電防止剤成分（Ｎ−７）〜（Ｎ−１２）及び（Ｎ
−１９）〜（Ｎ−２２）の合成｝ 常法によりラウリルスルホン酸５００部（２．０モル）
を水酸化カルシウム７４部（１．０モル）で中和してラ
ウリルスルホン酸カルシウム塩５３３部（０．９９モ
ル）を得た。これを帯電防止剤成分（Ｎ−７）とした。
帯電防止剤成分（Ｎ−７）と同様にして帯電防止剤成分
（Ｎ−８）〜（Ｎ−１２）を得た。以上の内容を表２に
まとめて示した。

【００５９】

【表２】

【００６０】・式３で示される有機リン化合物の合成
｛有機リン化合物（Ｈ−１）〜（Ｈ−５）の合成｝ フラスコに１リットルの無水エーテルを入れ、次いでオ
キシ塩化リン２３０ｇ（１．５モル）を添加し、−２０
℃に冷却した後、クレゾール３２４ｇ（３モル）と無水
ピリジン２３７ｇ（３モル）の混合液を滴下した。この
間、フラスコ内を−１５℃前後に維持した。滴下終了
後、同温度で３時間熟成を行ない、反応させた。反応系
からピリジン塩酸塩を濾別し、残留エーテル溶液を水１
リットルで洗浄した後、エーテルを減圧留去して生成物
を得た。得られた生成物を分析したところ、式３中のＲ
⁵、Ｒ⁶、Ｔ¹がクレジル基であって、ｑが１である場合
の有機リン化合物（Ｈ−１）であった。有機リン化合物
（Ｈ−１）と同様にして、有機リン化合物（Ｈ−２）〜
（Ｈ−５）を得た。これらの内容を表３にまとめて示し
た。

【００６１】

【表３】

【００６２】・式４で示される有機リン化合物の合成
｛有機リン化合物（Ｊ−１）〜（Ｊ−５）の合成｝ フラスコに１リットルの無水エーテルを入れ、次いでジ
メチルアニリン２６７ｇ（２．２モル）とフェノール１
８８ｇ（２モル）とを加えて、撹拌混合しながら−５℃
に冷却した後、ジクロロ（フェニル）ホスフィン１７９
ｇ（１モル）を滴下した。この際、反応系を２０〜３０
℃に維持した。滴下終了後、室温で５時間熟成を行な
い、反応させた。反応系からジメチルアニリン塩酸塩を
濾別した後、残留濾液からエーテルを減圧留去して、生
成物を得た。得られた生成物をエーテルで再結晶した
後、これを分析したところ、式４中のＲ⁷、Ｒ⁸、Ｔ²が
フェニル基であって、ｒが１である場合の有機リン化合
物（Ｊ−１）であった。有機リン化合物（Ｊ−１）と同
様にして、有機リン化合物（Ｊ−２）〜（Ｊ−５）を得
た。これらの内容を表４にまとめて示した。

【００６３】

【表４】

【００６４】・有機リン化合物の混合物（Ｋ−１）〜
（Ｋ−１０）の調製 有機リン化合物（Ｈ−１）２５部と有機リン化合物（Ｊ
−１）７５部とを混合して、有機リン化合物の混合物
（Ｋ−１）１００部を調製した。有機リン化合物の混合
物（Ｋ−１）と同様にして、有機リン化合物の混合物
（Ｋ−２）〜（Ｋ−１０）を調製した。これらの内容を
表５にまとめて示した。

【００６５】

【表５】

【００６６】・式５で示されるポリオキシアルキレン化
合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−１）〜（Ｅ−５）及
び（Ｅ−１２）の合成｝ フェノール９４部（１モル）及び水酸化カリウム２部を
オートクレーブに仕込み、窒素ガスでパ−ジ後、１２０
〜１４０℃に温度を保ちながらエチレンオキサイド１７
６０部（４０モル）を圧入した。１時間の熟成反応後、
触媒を除去して反応物を得た。得られた反応物を分析し
たところ、フェノールの水酸基１個にオキシエチレン単
位が４０個付加した帯電防止剤成分（Ｅ−１）であっ
た。帯電防止剤成分（Ｅ−１）と同様にして、帯電防止
剤成分（Ｅ−２）〜（Ｅ−５）及び（Ｅ−１２）を得
た。

【００６７】・式５で示されるポリオキシアルキレン化
合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−６）〜（Ｅ−８）の
合成｝ ビスフェノールＡ２２８部（１モル）及び水酸化カリウ
ム２部をオートクレーブに仕込み、窒素ガスでパージ
後、１２０〜１４０℃に温度を保ちながらエチレンオキ
サイド８８０部（２０モル）を圧入した。１時間の熟成
反応後、触媒を除去して反応物を得た。得られた反応物
を分析したところ、ビスフェノールＡの水酸基１個当た
りオキシエチレン単位が１０個付加したポリエーテル化
合物であった。このポリエ−テル化合物５５４部（０．
５モル）、安息香酸１３４部（１．１モル）及びパラト
ルエンスルホン酸・１水和物３ｇをフラスコに仕込み、
窒素ガス気流下で撹拌しながら１２０〜１３０℃に加温
した。同温度で生成する水を減圧下に除去しながら２時
間反応を続けて生成物を得た。得られた生成物を分析し
たところ、ポリエ−テル化合物の末端水酸基２個にそれ
ぞれ１個のベンゾイル基が導入された帯電防止剤成分
（Ｅ−６）であった。帯電防止剤成分（Ｅ−６）と同様
にして、帯電防止剤成分（Ｅ−７）及び（Ｅ−８）を得
た。

【００６８】・式３で示されるポリオキシアルキレン化
合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−９）〜（Ｅ−１１）
の合成｝ ２８％ソジウムメチラート２１２部（１．１モル）及び
前記の帯電防止剤成分（Ｅ−１）１８５４部（１モル）
をフラスコに仕込み、減圧下でメタノールを留去した
後、ベンジルブロマイド１７１部（１モル）を徐々に加
えた。７０〜８０℃で２時間反応を続けて生成物を得
た。得られた生成物を分析したところ、帯電防止剤成分
（Ｅ−１）の末端水酸基１個にベンジル基が導入された
帯電防止剤成分（Ｅ−９）であった。帯電防止剤成分
（Ｅ−９）と同様にして、帯電防止剤成分（Ｅ−１０）
及び（Ｅ−１１）を得た。

【００６９】・式５で示されるポリオキシアルキレン化
合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−１３）〜（Ｅ−１
５）、（Ｅ−１８）及び（Ｅ−２４）の合成｝ テレフタル酸１６６部（１モル）、キシレン２００部及
び水酸化カリウム２部をオートクレーブに仕込み、窒素
ガスでパージ後、１６０〜１８０℃に温度を保ちながら
エチレンオキサイド８８０部（２０モル）を圧入した。
１時間の熟成反応後、触媒と溶媒を除去して反応物を得
た。得られた反応物を分析したところ、テレフタル酸の
カルボン酸基１個当たりオキシエチレン単位が１０個付
加した帯電防止剤成分（Ｅ−１３）であった。帯電防止
剤成分（Ｅ−１３）と同様にして、帯電防止剤成分（Ｅ
−１４）、（Ｅ−１５）、（Ｅ−１８）及び（Ｅ−２
４）を得た。

【００７０】・式５で示されるポリオキシアルキレン化
合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−１６）、（Ｅ−１
７）、（Ｅ−１９）及び（Ｅ−２２）の合成｝ ポリエチレングリコールモノベンゾエート（オキシエチ
レン単位の繰り返し数５）３４２部（１モル）、安息香
酸１３４部（１．１モル）及びパラトルエンスルホン酸
・１水和物３ｇをフラスコに仕込み、窒素ガス気流下で
撹拌しながら１２０〜１３０℃に加温した。同温度で生
成する水を減圧下に除去しながら２時間反応を続けて生
成物を得た。得られた生成物を分析したところ、ポリエ
チレングリコールの末端水酸基２個にそれぞれ１個づつ
のベンゾイル基が導入された帯電防止剤成分（Ｅ−１
６）であった。帯電防止剤成分（Ｅ−１６）と同様にし
て、帯電防止剤成分（Ｅ−１７）、（Ｅ−１９）及び
（Ｅ−２２）を得た。

【００７１】・式５で示されるポリオキシアルキレン化
合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−２０）、（Ｅ−２
１）及び（Ｅ−２３）の合成｝ 帯電防止剤成分（Ｅ−１）と同様にして得たポリオキシ
アルキレン化合物（式３において、Ｂがオクチル基、ｍ
が１、Ｘが１５個のオキシエチレン基と５個のオキシプ
ロピレン基とで構成されたポリオキシアルキレン基、Ａ
³が水素の場合）１０８部（０．１モル）及びトリエチ
ルアミン３５部（０．３５モル）をトルエン１リットル
に加え、加温して溶解させた。これにオクタン酸クロラ
イド５４部（０．３３モル）を徐々に加えて反応させ、
反応系を５０〜６０℃に２時間保持して反応を終了し
た。反応終了後、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾
別し、得られた濾液からトルエンを減圧下に留去して生
成物を得た。得られた生成物を分析したところ、片末端
がオクチル基で封鎖されたポリオキシアルキレン化合物
がオクタン酸とエステル化反応した帯電防止剤成分（Ｅ
−２０）であった。帯電防止剤成分（Ｅ−２０）と同様
にして、帯電防止剤成分（Ｅ−２１）及び（Ｅ−２３）
を得た。以上で合成した帯電防止剤成分（Ｅ−１）〜
（Ｅ−２４）の内容を表６にまとめて示した。

【００７２】

【表６】

【００７３】表６において、 ビスフェノールＡ残基：ビスフェノールＡから全ての水
酸基を除いた残基 ペンタエリスリトール残基：ペンタエリスリトールから
全ての水酸基を除いた残基 トリメチロールプロパン残基：トリメチロールプロパン
から全ての水酸基を除いた残基 テレフタル酸残基：テレフタル酸から全ての水酸基を除
いた残基 トリメリット酸残基：トリメリット酸から全ての水酸基
を除いた残基 ピロメリット酸残基：ピロメリット酸から全ての水酸基
を除いた残基 ナフタレンジカルボン酸残基：ナフタレンジカルボン酸
から全ての水酸基を除いた残基

【００７４】試験区分２（帯電防止剤成分の混合物の調
製） ・帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−１）〜（Ｐ−４）、
（Ｐ−８）及び（Ｐ−１１）〜（Ｐ−１６）の調製 試験区分１で得た帯電防止剤成分（Ｑ−８）９９部と帯
電防止剤成分（Ｎ−４）１部とを混合して、帯電防止剤
成分の混合物（Ｐ−１）１００部を調製した。帯電防止
剤成分の混合物（Ｐ−１）と同様にして帯電防止剤成分
の混合物（Ｐ−２）〜（Ｐ−４）、（Ｐ−８）及び（Ｐ
−１１）〜（Ｐ−１６）を調製した。

【００７５】・帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−５）〜
（Ｐ−７）の調製 特開平２−１８８５９３号公報に記載の方法にしたがっ
て、試験区分１で得た帯電防止剤成分（Ｎ−２）１８９
部（０．５１モル）とトリフェニルメチルホスホニウム
クロライド１６部（０．０５モル）とを混合し、副生す
る塩化ナトリウムを除去して、帯電防止剤成分の混合物
（Ｐ−５）１８７部を調製した。帯電防止剤成分の混合
物（Ｐ−５）と同様にして帯電防止剤成分の混合物（Ｐ
−６）及び（Ｐ−７）を調製した。

【００７６】・帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−９）及び
（Ｐ−１０）の調製 特公昭４７−２２３４号公報に記載の方法にしたがっ
て、ナフチルスルホン酸１５５部（０．７２モル）、炭
酸ナトリウム３０部（０．２８モル）及びトリシアノエ
チルメチルホスホニウムハイドロオキサイド３４部
（０．１５モル）を混合し、中和して、帯電防止剤成分
の混合物（Ｐ−９）１８２部を調製した。帯電防止剤成
分の混合物（Ｐ−９）と同様にして帯電防止剤成分の混
合物（Ｐ−１０）を調製した。以上の内容を表７及び表
８にまとめて示した。

【００７７】

【表７】

【００７８】

【表８】

【００７９】試験区分３（帯電防止剤の調製） ・帯電防止剤（Ｓ−１）〜（Ｓ−２６）及び（Ｔ−
１），（Ｔ−２），（Ｔ−４），（Ｔ−５），（Ｔ−
７），（Ｔ−８），（Ｔ−１０），（Ｔ−１１），（Ｔ
−１３），（Ｔ−１４）の調製 帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−１）６７部と有機リン化
合物（Ｈ−１）３３部とを混合して、帯電防止剤（Ｓ−
１）１００部を調製した。帯電防止剤（Ｓ−１）と同様
にして帯電防止剤（Ｓ−２）〜（Ｓ−２６）及び（Ｔ−
１），（Ｔ−２），（Ｔ−４），（Ｔ−５），（Ｔ−
７），（Ｔ−８），（Ｔ−１０），（Ｔ−１１），（Ｔ
−１３），（Ｔ−１４）を調製した。

【００８０】帯電防止剤（Ｓ−２７）〜（Ｓ−３６）及
び（Ｔ−３），（Ｔ−６），（Ｔ−９），（Ｔ−１
２），（Ｔ−１５）〜（Ｔ−２０）の調製 帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−３）８２部と有機リン化
合物の混合物（Ｋ−１）１８部とを混合して、帯電防止
剤（Ｓ−２７）１００部を調製した。帯電防止剤（Ｓ−
２７）と同様にして帯電防止剤（Ｓ−２８）〜（Ｓ−３
６）及び（Ｔ−３），（Ｔ−６），（Ｔ−９），（Ｔ−
１２），（Ｔ−１５）〜（Ｔ−２０）を調製した。

【００８１】・帯電防止剤（Ｓ−３７）〜（Ｓ−６２）
及び（Ｔ−２１）〜（Ｔ−４０）の調製 帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−１）６６．４部と有機リ
ン化合物（Ｈ−１）１６．６部と帯電防止剤成分（Ｅ−
１）１７部とを混合して、帯電防止剤（Ｓ−３７）１０
０部を調製した。帯電防止剤（Ｓ−３７）と同様にして
帯電防止剤（Ｓ−３８）〜（Ｓ−６２）及び（Ｔ−２
１）〜（Ｔ−４０）を調製した。

【００８２】・帯電防止剤（Ｓ−６３）〜（Ｓ−７２）
の調製 帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−３）６９．７部と有機リ
ン化合物の混合物（Ｋ−１）１５．３部と帯電防止剤成
分（Ｅ−６）１５部とを混合して、帯電防止剤（Ｓ−６
３）１００部を調製した。帯電防止剤（Ｓ−６３）と同
様にして帯電防止剤（Ｓ−６４）〜（Ｓ−７２）を調製
した。以上の内容を表９〜表１２にまとめて示した。

【００８３】試験区分４（評価その１） ・実施例１〜７２及び比較例１〜４０ ポリカーボネート１００部と帯電防止剤（Ｓ−１）３．
０部とをラボプラストミル（東洋精機社製）に投入し、
２８０℃で５分間混練して、樹脂組成物を得た。得られ
た樹脂組成物をホットプレス（東洋精機社製）にて２８
０℃で成型し、厚さ５mmのシートを作製した。得られた
シートについて表面固有抵抗率を下記の条件で測定し、
下記の基準で評価した。また着色性と透明性を観察し
て、下記の基準で評価した。これを実施例１とした。実
施例１と同様にして実施例２〜７２及び比較例１〜４０
を行なった。結果を表９〜表１４にまとめて示した。

【００８４】・表面固有抵抗率の測定及びその評価 作製したシートを２０℃×４５％ＲＨの恒温恒湿室にて
２４時間調湿後、同雰囲気にて超絶縁抵抗計（東亜電波
工業社製のＳＭ−８２１０型）を用い、ＪＩＳ−Ｋ６９
１１に準拠して表面固有抵抗率を測定し、下記の基準で
評価した。 評価基準 ＡＡＡ：表面固有抵抗率が５×１０¹²Ω未満であり、優
れている。 ＡＡ：表面固有抵抗率が５×１０¹²Ω以上５×１０¹³Ω
未満であり、良好。 Ａ：表面固有抵抗率が５×１０¹³Ω以上５×１０¹⁴Ω未
満であり、やや良好。 Ｂ：表面固有抵抗率が５×１０¹⁴Ω以上１×１０¹⁶Ω未
満であり、やや不良。 Ｃ：表面固有抵抗率が１×１０¹⁶Ω以上であり、不良。

【００８５】・着色性の評価 表面固有抵抗率を測定したシートを肉眼観察し、下記の
基準で評価した。 ＡＡ：帯電防止剤を用いないこと以外は同様に作製した
ブランクと同程度の色相を有する。 Ａ：ブランクより僅かに着色している。 Ｂ：ブランクより幾分着色している。 Ｃ：ブランクより著しく着色している。

【００８６】・透明性の評価 表面固有抵抗率を測定したシートを肉眼観察し、下記の
基準で評価した。 ＡＡ：帯電防止剤を用いないこと以外は同様に作製した
ブランクと同程度の透明性を有する。 Ａ：ブランクより僅かに濁りがある。 Ｂ：ブランクより明らかに濁りがある。 Ｃ：ブランクより著しく濁りがある。

【００８７】

【表９】

【００８８】

【表１０】

【００８９】

【表１１】

【００９０】

【表１２】

【００９１】

【表１３】

【００９２】

【表１４】

【００９３】表９〜表１４において、 帯電防止剤成分の混合物（Ｐ）：式１で示されるスルホ
ネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無
機塩との混合物 有機リン化合物又はその混合物（Ｄ）：式３若しくは式
４で示される有機リン化合物又はその混合物 帯電防止剤成分（Ｅ）：式５で示されるポリオキシアル
キレン化合物 Ｑ−１〜Ｑ−７：式１で示されるスルホネートホスホニ
ウム塩 Ｎ−１、Ｎ−２、Ｎ−６、Ｎ−７、Ｎ−１０、Ｎ−１
２：式２で示されるスルホネート無機塩 使用量：樹脂１００部に対する帯電防止剤の添加部数 ＊１：｛帯電防止剤成分の混合物（Ｐ）＋有機リン化合
物又はその混合物（Ｄ）｝／帯電防止剤成分（Ｅ） これらは以下同じ

【００９４】・試験区分５（評価その２） ・実施例７３〜８８ ポリカーボネート１００部と帯電防止剤成分の混合物
（Ｐ−３）２．０部と有機リン化合物（Ｈ−３）１．５
部とをラボプラストミル（東洋精機社製）に投入し、２
８０℃で５分間混練して、樹脂組成物を得た。得られた
樹脂組成物から実施例１と同様にしてシートを作製し、
実施例１と同様に帯電防止性と透明性とを評価した。こ
れを実施例７３とした。実施例７３と同様にして実施例
７４〜８８を行なった。結果を表１５及び表１６にまと
めて示した。

【００９５】

【表１５】

【００９６】

【表１６】

【００９７】表１５，表１６において、 添加方法イ：ポリカーボネートと、帯電防止剤成分の混
合物（Ｐ）と、有機リン化合物又はその混合物（Ｄ）と
を同時にミキサーに投入して、混練した。 添加方法ロ：ポリカーボネートと、有機リン化合物又は
その混合物（Ｄ）とを同時にミキサーに投入して混練し
た後、帯電防止剤成分の混合物（Ｐ）を投入して更に混
練した。 添加方法ハ：ポリカーボネートと、帯電防止剤成分の混
合物（Ｐ）と、有機リン化合物又はその混合物（Ｄ）
と、帯電防止剤成分（Ｅ）とを同時にミキサーに投入し
て、混練した。 添加方法ニ：ポリカーボネートと帯電防止剤成分（Ｅ）
とを同時にミキサーに投入して混練した後、帯電防止剤
成分の混合物（Ｐ）と有機リン化合物又はその混合物
（Ｄ）とを投入して更に混練した。

【００９８】

【発明の効果】既に明らかなように、以上説明した本発
明には、ポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低
下させることなく、該ポリカーボネートに低湿下におい
ても優れた帯電防止性を付与できるという効果がある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 71/00 Ｃ０８Ｌ 71/00 Ｚ Ｃ０９Ｋ 3/16 １０２ Ｃ０９Ｋ 3/16 １０２Ｅ １０２Ｌ １０７ １０７Ｄ １０８ １０８Ｄ

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の式１で示されるスルホネートホス
   ホニウム塩、下記の式２で示されるスルホネート無機塩
   及び下記の有機リン化合物から成ることを特徴とするポ
   リカーボネート用帯電防止剤。 【式１】 【式２】 （式１，式２において、 Ａ¹，Ａ²：炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数４〜２
   ４のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数１
   〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル
   基又は置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有す
   る置換ナフチル基 Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³，Ｒ⁴：炭素数１〜１８の脂肪族若しくは
   芳香族炭化水素基又は置換基として水酸基若しくはシア
   ノ基を有する炭素数１〜１８の置換炭化水素基Ｍⁿ⁺：ｎ
   ＝１の場合はアルカリ金属カチオン、ｎ＝２の場合はア
   ルカリ土類金属カチオン ｎ：１又は２） 有機リン化合物：下記の式３で示される有機リン化合物
   及び下記の式４で示される有機リン化合物から選ばれる
   一つ又は二つ以上 【式３】 【式４】 （式３，式４において、 Ｒ⁵，Ｒ⁶，Ｒ⁷，Ｒ⁸：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素
   基又は芳香族炭化水素基 Ｔ¹：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化
   水素基又は２〜４価のヒドロキシ化合物から全ての水酸
   基を除いた残基 Ｔ²：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化
   水素基、２価の脂肪族炭化水素基又は２価の芳香族炭化
   水素基 ｑ：１〜４の整数、但しＴ¹が脂肪族炭化水素基又は芳
   香族炭化水素基の場合はｑ＝１、Ｔ¹がヒドロキシ化合
   物の残基の場合はｑ＝除かれた水酸基の数 ｒ：１又は２、但しＴ²が脂肪族炭化水素基又は芳香族
   炭化水素基の場合はｒ＝１、Ｔ²が２価の脂肪族炭化水
   素基又は２価の芳香族炭化水素基の場合はｒ＝２）
2. 【請求項２】 請求項１記載の式１で示されるスルホネ
   ートホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機
   塩及び有機リン化合物と、更に下記の式５で示されるポ
   リオキシアルキレン化合物とから成ることを特徴とする
   ポリカーボネート用帯電防止剤。 【式５】 （式５において、 Ａ³：水素、炭素数１〜２４の脂肪族炭化水素基、炭素
   数２〜２４のアシル基又は芳香族炭化水素基 Ｂ：水素、１〜４価のヒドロキシ化合物から全ての水酸
   基を除いた残基又は１〜４価のカルボン酸から全ての水
   酸基を除いた残基 ｍ：１〜４の整数、但しＢが水素の場合はｍ＝１、Ｂが
   ヒドロキシ化合物の残基又はカルボン酸の残基の場合は
   ｍ＝除かれた水酸基の数 Ｘ：４〜１００個のオキシエチレン単位又は合計４〜１
   ００個のオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位と
   で構成されたポリオキシアルキレン基）
3. 【請求項３】 式１で示されるスルホネートホスホニウ
   ム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との合計／有
   機リン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合
   である請求項１又は２記載のポリカーボネート用帯電防
   止剤。
4. 【請求項４】 式１で示されるスルホネートホスホニウ
   ム塩と式２で示されるスルホネート無機塩と有機リン化
   合物との合計／ポリオキシアルキレン化合物＝９９／１
   〜１０／９０（重量比）の割合である請求項２又は３記
   載のポリカーボネート用帯電防止剤。
5. 【請求項５】 式１で示されるスルホネートホスホニウ
   ム塩が、式１中のＡ ¹が炭素数６〜２２のアルキル基、
   置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換
   フェニル基又は置換基として炭素数２〜１２のアルキル
   基を有する置換ナフチル基であり、且つＲ¹，Ｒ²，
   Ｒ³，Ｒ⁴がブチル基である場合のものであって、また式
   ２で示されるスルホネート無機塩が、式２中のＡ²が炭
   素数６〜２２のアルキル基、置換基として炭素数２〜１
   ２のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基とし
   て炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換ナフチル基
   であり、且つＭⁿ⁺がアルカリ金属カチオンである場合の
   ものである請求項１、２、３又は４記載のポリカーボネ
   ート用帯電防止剤。
6. 【請求項６】 式３で示される有機リン化合物が、式３
   中のＴ¹がフェニレン基又はビスフェノールＡから全て
   の水酸基を除いた残基、Ｒ⁵，Ｒ⁶がフェニル基又はアル
   キル基で置換したフェニル基である場合のものであっ
   て、また式４で示される有機リン化合物が、式４中のＴ
   ²がビフェニレン基、Ｒ⁷，Ｒ⁸がフェニル基又はアルキ
   ル基で置換したフェニル基、ｒが２である場合のもので
   ある請求項１、２、３、４又は５記載のポリカーボネー
   ト用帯電防止剤。
7. 【請求項７】 帯電防止剤成分を添加してポリカーボネ
   ートに帯電防止性を付与する方法において、帯電防止剤
   成分として請求項１記載の式１で示されるスルホネート
   ホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩及
   び有機リン化合物を添加することを特徴とするポリカー
   ボネートに帯電防止性を付与する方法。
8. 【請求項８】 帯電防止剤成分を添加してポリカーボネ
   ートに帯電防止性を付与する方法において、帯電防止剤
   成分として請求項１記載の式１で示されるスルホネート
   ホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩及
   び有機リン化合物と、更に請求項２記載の式５で示され
   るポリオキシアルキレン化合物とを添加することを特徴
   とするポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
9. 【請求項９】 式１で示されるスルホネートホスホニウ
   ム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との合計／有
   機リン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合
   となるように添加する請求項７又は８記載のポリカーボ
   ネートに帯電防止性を付与する方法。
10. 【請求項１０】 式１で示されるスルホネートホスホニ
    ウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩と有機リン
    化合物との合計／式５で示されるポリオキシアルキレン
    化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合となる
    ように添加する請求項８又は９記載のポリカーボネート
    に帯電防止性を付与する方法。
11. 【請求項１１】 式１で示されるスルホネートホスホニ
    ウム塩が、式１中のＡ¹が炭素数６〜２２のアルキル
    基、置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する
    置換フェニル基又は置換基として炭素数２〜１２のアル
    キル基を有する置換ナフチル基であり、且つＲ¹，Ｒ²，
    Ｒ³，Ｒ⁴がブチル基である場合のものであって、また式
    ２で示されるスルホネート無機塩が、式２中のＡ²が炭
    素数６〜２２のアルキル基、置換基として炭素数２〜１
    ２のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基とし
    て炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換ナフチル基
    であり、且つＭⁿ⁺がアルカリ金属カチオンである場合の
    ものである請求項７、８、９又は１０記載のポリカーボ
    ネートに帯電防止性を付与する方法。
12. 【請求項１２】 式３で示される有機リン化合物が、式
    ３中のＴ¹がフェニレン基又はビスフェノールＡから全
    ての水酸基を除いた残基、Ｒ⁵，Ｒ⁶がフェニル基又はア
    ルキル基で置換したフェニル基である場合のものであっ
    て、また式４で示される有機リン化合物が、式４中のＴ
    ²がビフェニレン基、Ｒ⁷，Ｒ⁸がフェニル基又はアルキ
    ル基で置換したフェニル基、ｒが２である場合のもので
    ある請求項７、８、９、１０又は１１記載のポリカーボ
    ネートに帯電防止性を付与する方法。
13. 【請求項１３】 ポリカーボネート１００重量部当たり
    帯電防止剤成分をその合計量として０．１〜１０重量部
    の割合となるように添加する請求項７、８、９、１０、
    １１又は１２記載のポリカーボネートに帯電防止性を付
    与する方法。