JP4412691B2 - ポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法 - Google Patents
ポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法に関する。ポリカーボネートは、疎水性が大きく、その結果として帯電し易い特性を有し、かかる特性はポリカーボネートの製造工程やその製品使用上の大きな障害となっている。本発明は上記のような障害を取り除くためのポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、合成高分子用帯電防止剤としては、カーボンや導電性金属粉末等の導電剤或は界面活性剤が使用されている。これらは合成高分子へ結果として添加されたり或はその表面へ塗布されている。しかし、導電剤は、相応の効果を得るために必要な使用量が多く、またその添加方法が難しく、更に透明なものが得難く、しかも導電剤それ自体が高価であること等から、実際には使用できる範囲がかなり限定されてしまうという問題がある。対して界面活性剤は、その多くの種類の中から適宣選定され、多くの場合に応用されている。これらのうちでポリカーボネートへ添加するものについては多くの提案がある。しかし、ポリカーボネートへ帯電防止剤として界面活性剤を添加する場合、アニオン性界面活性剤には、相溶性が悪く、また均一分散が難しかったり或は加熱時に分解劣化を生じたりして、ポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低下させるため、使用し難いという問題がある。また第四級窒素を分子内に有するカチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤には、帯電防止性は良好なるも、耐熱性が非常に悪く、実際のところ極く限定された範囲でしか使用できないという問題がある。更に非イオン性界面活性剤には、前記したイオン性界面活性剤に比べてポリカーボネートへの相溶性に優れるが、帯電防止性が弱く、しかもその効果が常温や高温で経時的に消失し易いという問題がある。そこで、これら界面活性剤の欠点を改善するものとして、有機スルホン酸のホスホニウム塩が提案されている(特開昭62−230835、特開昭63−117061、特開平1−14267、特開平1−62336、特開平1−92474、USP4943380)。ところが、従来提案されている有機スルホン酸のホスホニウム塩には、ポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低下させる傾向があり、その使用量が制限されるため、低湿下における帯電防止性が不充分という問題がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、良好な耐熱性及びポリカーボネートに対する相溶性を示し、したがってポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低下させることなく、低湿下においてもポリカーボネートに充分な帯電防止性を付与できるポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法を提供する処にある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
しかして本発明者らは、上記課題を解決するべく研究した結果、ポリカーボネートの帯電防止には、特定のスルホネートホスホニウム塩と特定のスルホネート無機塩と特定のポリオキシアルキレン化合物とを併用することが正しく好適であることを見出した。
【0005】
すなわち本発明は、下記の式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と下記の式2で示されるスルホネート無機塩と下記の式3で示されるポリオキシアルキレン化合物とから成ることを特徴とするポリカーボネート用帯電防止剤に係る。また本発明は、帯電防止剤成分を添加してポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法において、帯電防止剤成分として下記の式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と下記の式2で示されるスルホネート無機塩と下記の式3で示されるポリオキシアルキレン化合物とを添加することを特徴とするポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法に係る。
【0006】
【式1】
【式2】
【式3】
【0007】
式1,式2,式3において、
A1,A2:炭素数1〜24のアルキル基、炭素数4〜24のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数1〜18のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル基又は置換基として炭素数1〜18のアルキル基を有する置換ナフチル基
A3:水素、炭素数1〜24の脂肪族炭化水素基、炭素数2〜24のアシル基又は芳香族炭化水素基
B:水素、1〜4価のヒドロキシ化合物から全ての水酸基を除いた残基又は1〜4価のカルボン酸から全ての水酸基を除いた残基
R1,R2,R3,R4:炭素数1〜18の脂肪族若しくは芳香族炭化水素基又は置換基として水酸基若しくはシアノ基を有する炭素数1〜18の置換炭化水素基Mn+:n=1の場合はアルカリ金属カチオン、n=2の場合はアルカリ土類金属カチオン
m:1〜4の整数、但しBが水素の場合はm=1、Bがヒドロキシ化合物の残基又はカルボン酸の残基の場合はm=除かれた水酸基の数
n:1又は2
X:4〜100個のオキシエチレン単位又は合計4〜100個のオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位とで構成されたポリオキシアルキレン基
【0008】
式1で示されるスルホネートホスホニウム塩は有機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオンとからなるものである。かかる有機スルホネートアニオンとしては、1)メチルスルホネート、エチルスルホネート、プロピルスルホネート、ブチルスルホネート、オクチルスルホネート、ドデシルスルホネート、テトラデシルスルホネート、ステアリルスルホネート、テトラコシルスルホネート、2−エチルヘキシルスルホネート等の、炭素数1〜24のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、2)ブテニルスルホネート、オクテニルスルホネート、ドデセニルスルホネート、テトラデセニルスルホネート、オクタデセニルスルホネート等の、炭素数4〜24のアルケニル基を有する有機スルホネートアニオン、3)フェニルスルホネート、4)メチルフェニルスルホネート、ブチルフェニルスルホネート、オクチルフェニルスルホネート、ドデシルフェニルスルホネート、ジブチルフェニルスルホネート、ジノニルフェニルスルホネート等の、炭素数1〜18のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオン、5)ナフチルスルホネート、6)ジイソプロピルナフチルスルホネート、ジブチルナフチルスルホネート等の、炭素数1〜18のアルキル基で置換したナフチル基を有する有機スルホネートアニオン等が挙げられる。なかでも炭素数6〜22のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、炭素数2〜12のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオン、炭素数2〜12のアルキル基で置換したナフチル基を有する有機スルホネートアニオンが好ましく、ドデシルベンゼンスルホネートアニオンが特に好ましい。
【0009】
また前記有機ホスホニウムカチオンとしては、1)テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、トリエチルメチルホスホニウム、トリブチルメチルホスホニウム、ジエチルジヘキシルホスホニウム、ジオクチルジメチルホスホニウム、トリメチルブチルホスホニウム、トリメチルオクチルホスホニウム、トリメチルラウリルホスホニウム、トリメチルステアリルホスホニウム、トリエチルオクチルホスホニウム、トリブチルオクチルホスホニウム等の、式1中のR1〜R4が炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオン、2)テトラフェニルホスホニウム、トリフェニルメチルホスホニウム、トリフェニルエチルホスホニウム、トリフェニルベンジルホスホニウム、トリブチルベンジルホスホニウム等の、式1中のR1〜R4のうちで少なくとも一つが芳香族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオン、3)テトラメチロールホスホニウム、トリ(2−シアノエチル)メチルホスホニウム、トリ(2−シアノエチル)エチルホスホニウム、トリ(2−シアノエチル)ベンジルホスホニウム、トリ(3−ヒドロキシプロピル)メチルホスホニウム、トリ(3−ヒドロキシプロピル)ベンジルホスホニウム、トリメチル(2−ヒドロキシエチル)ホスホニウム、トリ(2−ヒドロキシエチル)メチルホスホニウム等の、式1中のR1〜R4のうちで少なくとも一つが置換基として水酸基若しくはシアノ基を有する炭素数1〜18の炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオン等が挙げられる。なかでも式1中のR1〜R4が炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオンが好ましく、テトラブチルホスホニウムカチオンが特に好ましい。
【0010】
本発明に供するスルホネートホスホニウム塩は以上例示したような有機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオンとの任意の組合わせにより構成されたものであるが、本発明はその組合わせを特に制限するものではない。かかるスルホネートホスホニウム塩は、それぞれ相当する有機スルホネートの金属塩又はアンモニウム塩と四級ホスホニウム塩とを溶媒中で混合し、副生する無機塩を水洗分離するか、又はメタノールやイソプロパノール更にはアセトンの如き有機溶媒にてスルホネートホスホニウム塩を抽出することにより得ることができる。
【0011】
式2で示されるスルホネート無機塩は、式1で示されるスルホネートホスホニウム塩について前記した有機スルホネートアニオンと同様の有機スルホネートアニオンを用いてアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩としたものである。なかでもアルカリ金属塩が好ましく、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩が特に好ましい。
【0012】
本発明に供する式3で示されるポリオキシアルキレン化合物には、1)4〜100個のオキシエチレン単位で構成されたポリオキシアルキレン基を有するポリオキシアルキレン化合物、2)合計4〜100個のオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位とで構成されたポリオキシアルキレン基を有するポリオキシアルキレン化合物が包含される。なかでも、式3で示されるポリオキシアルキレン化合物としては、ポリオキシアルキレン基として、5〜60個のオキシエチレン単位で構成されたポリオキシエチレン基を有するものが好ましい。
【0013】
かかるポリオキシアルキレン化合物には、a)1〜4価のヒドロキシ化合物にアルキレンオキサイドを付加して得られるポリオキシアルキレン化合物、b)前記a)のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシル基を1価の有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物で部分エステル化又は完全エステル化して得られるポリオキシアルキレン化合物、c)前記a)のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシル基をアルコキシ化剤で部分アルコキシ化又は完全アルコキシ化して得られるポリオキシアルキレン化合物、d)1〜4価の有機カルボン酸にアルキレンオキサイドを付加して得られるポリオキシアルキレン化合物、e)前記d)のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシル基を1価の有機カルボン酸又はカルボン酸形成性化合物で部分エステル化又は完全エステル化して得られるポリオキシアルキレン化合物、f)1〜4価の有機カルボン酸を片末端封鎖ポリオキシアルキレングリコールにより完全エステル化して得られるポリオキシアルキレン化合物が挙げられる。
【0014】
前記a)のポリオキシアルキレン化合物を得るのに用いられる1〜4価のヒドロキシ化合物としては、1)メタノール、エタノール、ブタノール、2−エチルヘキサノール、ラウリルアルコール、ステアリルアルコール等の1価の脂肪族ヒドロキシ化合物、2)ベンジルアルコール、フェノール、2−ヒドロキシナフタレン、オクチルフェノール、ノニルフェノール等の1価の芳香族ヒドロキシ化合物、3)エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ソルビトール、ペンタエリスリトール等の2〜4価の脂肪族ヒドロキシ化合物、4)ハイドロキノン、ビスフェノールA、ビスフェノールS、1,3,5−トリヒドロキシベンゼン、1,2,3,4−テトラヒドロキシベンゼン等の2〜4価の芳香族ヒドロキシ化合物等が挙げられる。なかでも2〜3価の芳香族ヒドロキシ化合物が好ましく、ビスフェノールAが特に好ましい。本発明は、前記a)のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、以上説明したヒドロキシ化合物に、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等の塩基触媒存在下で、エチレンオキサイド或いはエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとを付加反応する方法が挙げられる。
【0015】
前記b)のポリオキシアルキレン化合物を得るのに用いられる有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物としては、1)酢酸、酪酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ウンデカン酸、ラウリン酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、酢酸メチル、酪酸メチル、カプロン酸メチル、カプリル酸メチル、カプリン酸メチル、ウンデカン酸メチル、ラウリン酸メチル、トリデカン酸メチル、ミリスチン酸メチル、ペンタデカン酸メチル、パルミチン酸メチル、ステアリン酸メチル、ノナデカン酸メチル、アラキジン酸メチル、ベヘニン酸メチル、リグノセリン酸メチル、パルミトレイン酸メチル、オレイン酸メチル、エライジン酸メチル、バクセン酸メチル、リノール酸メチル、リノレン酸メチル、アラキドン酸メチル等の、脂肪族カルボン酸又は脂肪族有機カルボン酸形成性化合物、2)安息香酸、ナフトエ酸、トルイル酸、安息香酸メチル、ナフトエ酸メチル、トルイル酸メチル等の、芳香族有機カルボン酸又は芳香族有機カルボン酸形成性化合物、3)グルコール酸、乳酸、リンゴ酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシステアリン酸、酒石酸、テトラヒドロキシ琥珀酸、グルコン酸、リシノール酸、α−オキシリノレン酸等の、分子中にヒドロキシ基を有する有機カルボン酸が挙げられる。なかでも芳香族有機カルボン酸又は芳香族有機カルボン酸形成性化合物が好ましく、特に安息香酸、安息香酸メチルが好ましい。本発明は、前記b)のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、前記a)のポリオキシアルキレン化合物と以上説明した有機カルボン酸とを、硫酸やp−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エステル化反応する方法が挙げられる。ここで、原料の仕込み条件を、前記a)のポリオキシアルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化合物1モル当たりのヒドロキシ基数/有機カルボン酸のモル数>1として、エステル化反応することで部分エステル化物が得られる。また前記a)のポリオキシアルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化合物1モル当たりのヒドロキシ基数/有機カルボン酸のモル数=1として、エステル化反応することで完全エステル化物が得られる。
【0016】
前記c)のポリオキシアルキレン化合物を得るのに用いられるアルコキシ化剤としては、1)メチルクロライド、エチルクロライド、プロピルクロライド、オクチルクロライド、ラウリルクロライド、ステアリルクロライド、メチルブロマイド、エチルブロマイド、プロピルブロマイド、オクチルブロマイド、ラウリルブロマイド、ステアリルブロマイド、メチルアイオダイド、エチルアイオダイド、プロピルアイオダイド、オクチルアイオダイド、ラウリルアイオダイド、ステアリルアイオダイド等の脂肪族モノハロゲン化物、2)ベンジルクロライド、ベンジルブロマイド、ベンジルアイオダイド、モクロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨードベンゼン等の芳香族モノハロゲン化物が挙げられる。なかでも芳香族モノハロゲン化物が好ましい。本発明は、前記c)のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、前記したa)のポリオキシアルキレン化合物をナトリウムアルコラートとした後、以上説明したモノハロゲン化物とエーテル化反応する方法が挙げられる。ここで、原料の仕込み条件を、前記a)のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数/モノハロゲン化物のハロゲン原子の数>1として、エーテル化反応することで部分エーテル化物が得られる。また前記a)のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数/モノハロゲン化物のハロゲン原子の数=1として、エーテル化反応することで完全エーテル化物が得られる。
【0017】
前記d)のポリオキシアルキレン化合物を得るのに用いられる1〜4価の有機カルボン酸としては、1)酢酸、酪酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ウンデカン酸、ラウリン酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の1価の脂肪族カルボン酸、2)安息香酸、ナフトエ酸、トルイル酸等の1価の芳香族有機カルボン酸、3)琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、2,3,5−ヘキサントリカルボン酸、1,2,3−ブタントリカルボン酸、2−(3−カルボキシプロピル)−1,1,5,6−ヘプタンテトラカルボン酸、マレイン酸、シトラコン酸等の2〜4価の脂肪族カルボン酸、3)フタル酸、1,4−ジカルボキシナフタレン、トリメリット酸、ピロメリット酸等の2〜4価の芳香族カルボン酸が挙げられるが、なかでも2〜3価の芳香族カルボン酸が好ましい。本発明は、前記d)のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、前記した1〜4価のカルボン酸に、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等の塩基触媒存在下で、エチレンオキサイド或いはエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとを付加反応する方法が挙げられる。
【0018】
前記e)のポリオキシアルキレン化合物は、前記d)のポリオキシアルキレン化合物と1価の有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物とのエステル化反応により得られる。かかる1価の有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物は前記b)のポリオキシアルキレン化合物の場合と同じである。本発明は、前記e)のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、前記d)のポリオキシアルキレン化合物と上記した1価の有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物とを、硫酸やp−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エステル化反応する方法が挙げられる。ここで、原料の仕込み条件を、前記d)のポリオキシアルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化合物1モル当たりのヒドロキシ基数/有機カルボン酸のモル数>1として、エステル化反応することで部分エステル化物が得られる。また前記d)のポリオキシアルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化合物1モル当たりのヒドロキシ基数/有機カルボン酸のモル数=1として、エステル化反応することで完全エステル化物が得られる。
【0019】
前記f)のポリオキシアルキレン化合物は、1〜4価の有機カルボン酸と片末端封鎖ポリアルキレングリコールとのエステル化反応により得られる。かかる1〜4価の有機カルボン酸は前記d)のポリオキシアルキレン化合物の場合と同じである。また片末端封鎖ポリアルキレングリコールとしては、メタノール、エタノール、ブタノール、2−エチルヘキサノール、ラウリルアルコール、ステアリルアルコール、ベンジルアルコール、フェノール、ナフトール、オクチルフェノール、ノニルフェノール等の1価のヒドロキシ化合物1モルにエチレンオキサイド又はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとを付加反応して得られるものであって、付加モル数は合計4〜100モルである。前記f)のポリオキシアルキレン化合物において、2〜4価の有機カルボン酸と片末端封鎖ポリアルキレングリコールとのエステル化反応により得られるポリオキシアルキレン化合物は、有機カルボン酸の全てのカルボキシ基がエステル化されたポリオキシアルキレン化合物である。本発明は、前記f)のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、1〜4価の有機カルボン酸と片末端封鎖ポリアルキレングリコールとを、硫酸やp−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エステル化反応する方法が挙げられる。
【0020】
本発明の帯電防止剤はその調製方法を特に制限されない。かかる調製方法には例えば、1)式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩とを別々に合成しておき、これらと式3で示されるポリオキシアルキレン化合物とを混合して調製する方法、2)それぞれ相当するスルホネート無機塩とホスホニウムハライドとをスルホネート無機塩/ホスホニウムハライド>1(モル比)の条件で反応させて式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩との混合物を調製し、そこへ式3で示されるポリオキシアルキレン化合物を混合して調製する方法、3)相当する有機スルホン酸に対し、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸水素塩等のアルカリ化合物と相当するホスホニウムハイドロオキサイドとを用いて、中和反応により式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩との混合物を調製し、そこへ式3で示されるポリオキシアルキレン化合物を混合して調製する方法等が挙げられる。
【0021】
本発明の帯電防止剤は、前記したように、式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩と式3で示されるポリオキシアルキレン化合物との3成分系から成るものである。本発明は各成分の割合を特に制限するものではないが、式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩との合計/式3で示されるポリオキシアルキレン化合物=95/5〜10/90(重量比)の割合とするのが好ましく、90/10〜20/80(重量比)の割合とするのがより好ましく、80/20〜25/75(重量比)の割合とするのが特に好ましい。上記のような各成分の割合の範囲内にて、本発明の帯電防止剤は、低湿下においても、ポリカーボネートに対してより優れた帯電防止性を付与できる。
【0022】
次に本発明のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法について説明する。本発明の帯電防止性付与方法は、ポリカーボネートの重合工程或は加工工程で、該ポリカーボネートに式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩と式3で示されるポリオキシアルキレン化合物との3成分を帯電防止剤成分として添加する方法である。帯電防止剤成分として添加するこれらの各成分の内容については前記した通りであり、またそれらの好ましい例についても前記した通りである。本発明は帯電防止剤成分として添加するこれらの各成分の割合を特に制限するものではないが、式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩との合計/式3で示されるポリオキシアルキレン化合物=95/5〜10/90(重量比)の割合となるように添加するのが好ましく、90/10〜20/80(重量比)の割合となるように添加するのがより好ましく、80/20〜25/75の割合となるように添加するのが特に好ましい。上記のような各成分の添加割合の範囲内にて、本発明の帯電防止性付与方法は、低湿下においても、ポリカーボネートに対してより優れた帯電防止性を付与できる。
【0023】
本発明は帯電防止剤成分の添加方法を特に制限するものではない。かかる添加方法には例えば、1)式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩と式3で示されるポリオキシアルキレン化合物とを、前もって混合物としておき、該混合物をポリカーボネートに添加する方法、2)式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩と式3で示されるポリオキシアルキレン化合物とを別々に、ポリカーボネートに添加する方法等がある。上記2)の場合、各帯電防止剤成分を添加する順序は任意である。また各帯電防止剤成分を添加する工程には、1)ポリカーボネートの重合工程、2)ポリカーボネートの加工工程がある。
【0024】
本発明はポリカーボネートに対する各帯電防止剤成分の添加量を特に制限するものではないが、ポリカーボネート100重量部当たり、各帯電防止剤成分をその合計量として、0.1〜10重量部の割合となるように添加するのが好ましく、0.2〜4重量部の割合となるように添加するのがより好ましい。なかでもポリカーボネート100重量部当たり、式1で示されるスルホネートホスホニウム塩を0.5〜2.0重量部、式2で示されるスルホネート無機塩を0.02〜0.1重量部、また式3で示されるポリオキシアルキレン化合物を0.5〜2.0重量部の割合となるように添加するのが特に好ましい。ポリカーボネートの本来的な透明性を低下させることなく、該ポリカーボネートに、低湿下においても、より優れた帯電防止性を付与できるからである。
【0025】
本発明の帯電防止剤及び帯電防止性付与方法では、合目的的に他の剤を併用することができる。かかる他の剤としては、滑剤、抗酸化剤、紫外線吸収剤等が挙げられる。
【0026】
【発明の実施の形態】
本発明の帯電防止剤の実施形態としては、次の1)〜11)が挙げられる。
1)オクチルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、BがビスフェノールA残基、mが2、Xが20個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3がベンゾイル基である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、オクチルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=50/50(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0027】
2)ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bが1,3,5−オキシベンゼン基、mが3、Xが10個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3がアセチル基である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ステアリルテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=43/57(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0028】
3)ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、BがビスフェノールA残基、mが2、Xが20個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3が水素である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=57/43(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0029】
4)ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bがフェニレン基、mが2、Xが10個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3がベンジル基である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=65/35(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0030】
5)ラウリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートカルシウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bがトリメチロールプロパン残基、mが3、Xが10個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3がベンジル基である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ラウリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートカルシウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=46/54(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0031】
6)ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートマグネシウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bがトリメリット酸残基、mが3、Xが10個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3が水素である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートマグネシウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=48/52(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0032】
7)ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートマグネシウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bがベンゾイル基、mが1、Xが5個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3がベンゾイル基である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートマグネシウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=62/38(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0033】
8)ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bがトリメリット酸残基、mが3、Xが10個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3がベンゾイル基である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ステアリルテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=46/54(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0034】
9)ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bがナフタレンジカルボン酸残基、mが2、Xが20個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3が水素である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=45/55(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0035】
10)ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bがテレフタル酸残基、mが2、Xが10個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3がトリル基である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=67/33(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0036】
11)ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩とポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bがトリメリット酸残基、mが3、Xが10個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、A3がフェニル基である場合のポリオキシアルキレン化合物)とから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩との合計/該ポリオキシアルキレン化合物=67/33(重量比)の割合から成る帯電防止剤。
【0037】
また本発明の帯電防止性付与方法の実施形態としては、次の12)が挙げられる。
12)ポリカーボネートに前記1)〜11)の帯電防止剤を構成する各帯電防止剤成分をこれらの合計で、ポリカーボネート100重量部当たり1.5〜3.25重量部の割合となるように添加する方法。
【0038】
以下、本発明の構成及び結果をより具体的にするため実施例等を挙げるが、本発明がこれらの実施例に限定されるというものではない。尚、以下の実施例及び比較例において、部は重量部を、また%は重量%を意味する。
【0039】
【実施例】
試験区分1(帯電防止剤成分の合成)
・式1で示されるスルホネートホスホニウム塩の合成{帯電防止剤成分(Q−1)〜(Q−15)の合成}
特開平2−188593号公報に記載の方法にしたがって、セチルスルホン酸ナトリウム塩328部(1.0モル)にジオクチルジメチルホスホニウムクロライド323部(1.0モル)を溶媒中で混合し、副生した塩化ナトリウムを水洗除去した後、溶媒を留去して、セチルスルホン酸ジオクチルジメチルホスホニウム塩563部(0.95モル)を得た。これを帯電防止剤成分(Q−1)とした。帯電防止剤成分(Q−1)と同様にして帯電防止剤成分(Q−2)〜(Q−15)を得た。これらの内容を表1にまとめて示した。
【0040】
【表1】
【0041】
・式2で示されるスルホネート無機塩の合成{帯電防止剤成分(N−1)〜(N−6)及び(N−13)〜(N−18)の合成}
常法によりラウリルスルホン酸250部(1.0モル)を水酸化リチウム・1水和物42部(1.0モル)で中和してラウリルスルホン酸リチウム塩254部(0.99モル)を得た。これを帯電防止剤成分(N−1)とした。帯電防止剤成分(N−1)と同様にして帯電防止剤成分(N−2)〜(N−6)及び(N−13)〜(N−18)を得た。
【0042】
・式2で示されるスルホネート無機塩の合成{帯電防止剤成分(N−7)〜(N−12)及び(N−19)〜(N−22)の合成}
常法によりラウリルスルホン酸501部(2.0モル)を水酸化カルシウム74部(1.0モル)で中和してラウリルスルホン酸カルシウム塩533部(0.99モル)を得た。これを帯電防止剤成分(N−7)とした。帯電防止剤成分(N−7)と同様にして帯電防止剤成分(N−8)〜(N−12)及び(N−19)〜(N−22)を得た。以上の内容を表2にまとめて示した。
【0043】
【表2】
【0044】
・式3で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成{帯電防止剤成分(E−1)〜(E−5)及び(E−12)の合成}
フェノール94部(1モル)及び水酸化カリウム2部をオ−トクレ−ブに仕込み、窒素ガスでパ−ジ後、120〜140℃に温度を保ちながらエチレンオキサイド1760部(40モル)を圧入した。1時間の熟成反応後、触媒を除去して反応物を得た。得られた反応物を分析したところ、フェノールの水酸基1個にオキシエチレン単位が40個付加した帯電防止剤成分(E−1)であった。帯電防止剤成分(E−1)と同様にして帯電防止剤成分(E−2)〜(E−5)及び(E−12)を得た。
【0045】
・式3で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成{帯電防止剤成分(E−6)〜(E−8)の合成}
ビスフェノールA228部(1モル)及び水酸化カリウム2部をオ−トクレ−ブに仕込み、窒素ガスでパ−ジ後、120〜140℃に温度を保ちながらエチレンオキサイド880部(20モル)を圧入した。1時間の熟成反応後、触媒を除去して反応物を得た。得られた反応物を分析したところ、ビスフェノールAの水酸基1個当たりオキシエチレン単位が10個付加したポリエーテル化合物であった。このポリエ−テル化合物554部(0.5モル)、安息香酸134部(1.1モル)及びパラトルエンスルホン酸・1水和物3gをフラスコに仕込み、窒素ガス気流下で撹拌しながら120〜130℃に加温した。同温度で生成する水を減圧下に除去しながら2時間反応を続けて生成物を得た。得られた生成物を分析したところ、ポリエ−テル化合物の末端水酸基2個にそれぞれ1個のベンゾイル基が導入された帯電防止剤成分(E−6)であった。帯電防止剤成分(E−6)と同様にして帯電防止剤成分(E−7)及び(E−8)を得た。
【0046】
・式3で示されるポリオキシアルキレン化合物の調製{帯電防止剤成分(E−9)〜(E−11)の合成}
28%ソジウムメチラート212部(1.1モル)及び前記した帯電防止剤成分(E−1)1854部(1モル)をフラスコに仕込み、減圧下でメタノールを留去した後、ベンジルブロマイド171部(1モル)を徐々に加え、70℃〜80℃で2時間反応を続けて生成物を得た。得られた生成物を分析したところ、帯電防止剤成分(E−1)の末端水酸基1個にベンジル基が導入された帯電防止剤成分(E−9)であった。帯電防止剤成分(E−9)と同様にして帯電防止剤成分(E−10)及び(E−11)を得た。
【0047】
・式3で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成{帯電防止剤成分(E−13)〜(E−15)、(E−18)及び(E−24)の合成}
テレフタル酸166部(1モル)、キシレン200部及び水酸化カリウム2部をオ−トクレ−ブに仕込み、窒素ガスでパ−ジ後、160〜180℃に温度を保ちながらエチレンオキサイド880部(20モル)を圧入した。1時間の熟成反応後、触媒と溶媒を除去して反応物を得た。得られた反応物を分析したところ、テレフタル酸のカルボン酸基1個当たりオキシエチレン単位が10個付加した帯電防止剤成分(E−13)であった。帯電防止剤成分(E−13)と同様にして帯電防止剤成分(E−14)、(E−15)、(E−18)及び(E−24)を得た。
【0048】
・式3で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成{帯電防止剤成分(E−16)、(E−17)、(E−19)及び(E−22)の合成}
ポリエチレングリコール(オキシエチレン単位の繰り返し数5)238部(1モル)、安息香酸256部(2.1モル)及びパラトルエンスルホン酸・1水和物3gをフラスコに仕込み、窒素ガス気流下で撹拌しながら120〜130℃に加温した。同温度で生成する水を減圧下に除去しながら2時間反応を続けて生成物を得た。得られた生成物を分析したところ、ポリエチレングリコールの末端水酸基2個にそれぞれ1個のベンゾイル基が導入された帯電防止剤成分(E−16)であった。帯電防止剤成分(E−16)と同様にして帯電防止剤成分(E−17)、(E−19)及び(E−22)を得た。
【0049】
・式3で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成{帯電防止剤成分(E−20)、(E−21)及び(E−23)の合成}
帯電防止剤成分(E−1)と同様にして得たポリオキシアルキレン化合物(式3において、Bがオクチル基、mが1、Xが15個のオキシエチレン基と5個のオキシプロピレン基とで構成されたポリオキシアルキレン基、A3が水素である場合のポリオキシアルキレン化合物)108部(0.1モル)及びトリエチルアミン35部(0.35モル)をトルエン1リットルに加え、加温して溶解させた。これにオクタン酸クロライド54部(0.33モル)を徐々に加え、反応系を50〜60℃に2時間保持して反応させた。反応終了後、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、得られた濾液からトルエンを減圧下に留去して生成物を得た。得られた生成物を分析したところ、片末端がオクチル基で封鎖されたポリオキシアルキレングリコールがオクタン酸でエステル化された帯電防止剤成分(E−20)であった。帯電防止剤成分(E−20)と同様にして、帯電防止剤成分(E−21)及び(E−23)を得た。以上の内容を表3にまとめて示した。
【0050】
【表3】
【0051】
表3において、
ビスフェノールA残基:ビスフェノールAから全ての水酸基を除いた残基
ペンタエリスリトール残基:ペンタエリスリトールから全ての水酸基を除いた残基
トリメチロールプロパン残基:トリメチロールプロパンから全ての水酸基を除いた残基
テレフタル酸残基:テレフタル酸から全ての水酸基を除いた残基
トリメリット酸残基:トリメリット酸から全ての水酸基を除いた残基
ピロメリット酸残基:ピロメリット酸から全ての水酸基を除いた残基
ナフタレンジカルボン酸残基:ナフタレンジカルボン酸から全ての水酸基を除いた残基
【0052】
試験区分2(帯電防止剤成分混合物の調製)
・帯電防止剤成分の混合物(P−1)〜(P−4)、(P−8)及び(P−11)〜(P−16)の調製
試験区分1で得た帯電防止剤成分(Q−8)99部と帯電防止剤成分(N−4)1部とを混合して、帯電防止剤成分の混合物(P−1)100部を調製した。帯電防止剤成分の混合物(P−1)と同様にして帯電防止剤成分の混合物(P−2)〜(P−4)、(P−8)及び(P−11)〜(P−16)を調製した。
【0053】
・帯電防止剤成分の混合物(P−5)〜(P−7)の調製
特開平2−188593号公報に記載の方法にしたがって、試験区分1で得た帯電防止剤成分(N−2)189部(0.51モル)とトリフェニルメチルホスホニウムクロライド16部(0.05モル)とを混合し、副生する塩化カリウムを除去して、帯電防止剤成分の混合物(P−5)187部を調製した。帯電防止剤成分の混合物(P−5)と同様にして帯電防止剤成分の混合物(P−6)及び(P−7)を調製した。
【0054】
・帯電防止剤成分の混合物(P−9)及び(P−10)の調製
特公昭47−2234号公報に記載の方法にしたがって、ナフチルスルホン酸155部(0.72モル)と炭酸ナトリウム30部(0.28モル)とトリシアノエチルメチルホスホニウムハイドロオキサイド34部(0.15モル)とを混合し、中和して、帯電防止剤成分の混合物(P−9)182部を調製した。帯電防止剤成分の混合物(P−9)と同様にして帯電防止剤成分の混合物(P−10)を調製した。以上の内容を表4及び表5にまとめて示した。
【0055】
【表4】
【0056】
【表5】
【0057】
試験区分3(帯電防止剤の調製)
・帯電防止剤(S−1)〜(S−24)及び(T−1)〜(T−16)の調製
帯電防止剤成分の混合物(P−1)67部と帯電防止剤成分(E−1)33部とを混合して、帯電防止剤混合物(S−1)100部を調製した。帯電防止剤(S−1)と同様にして帯電防止剤(S−2)〜(S−24)及び(T−1)〜(T−16)を調製した。これらの内容を表6及び表7にまとめて示した。
【0058】
試験区分4(評価その1)
・実施例1〜24及び比較例1〜16
ポリカーボネート100部と試験区分3で調製した帯電防止剤(S−1)3.0部とをラボプラストミル(東洋精機社製)に投入し、280℃で5分間混練して、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物をホットプレス(東洋精機社製)にて280℃で成形加工し、厚さ5mmのシートを作製した。得られたシートについて表面固有抵抗率を下記の条件で測定し、下記の基準で評価した。また、透明性を観察して、下記の基準で評価した。これを実施例1とした。実施例1と同様にして実施例2〜24及び比較例1〜16を行なった。結果を表6及び表7にまとめて示した。
【0059】
・表面固有抵抗率の測定及びその評価
作製したシートを20℃×45%RHの恒温恒湿室にて24時間調湿後、同雰囲気にて超絶縁抵抗計(東亜電波工業社製のSM−8210型)を用い、JIS−K6911に準拠して表面固有抵抗率を測定し、下記の基準で評価した。
評価基準
AAA:表面固有抵抗率が5×1012Ω未満であり、優れている。
AA:表面固有抵抗率が5×1012Ω以上5×1013Ω未満であり、良好。
A:表面固有抵抗率が5×1013Ω以上5×1014Ω未満であり、やや良好。
B:表面固有抵抗率が5×1014Ω以上1×1016Ω未満であり、やや不良。
C:表面固有抵抗率が1×1016Ω以上であり、不良。
【0060】
・透明性の評価
表面固有抵抗率を測定したシートを肉眼観察し、下記の基準で評価した。
AA:帯電防止剤を用いないこと以外は同様に作製したブランクと同程度の透明性を有する。
A:ブランクより僅かに濁りがある。
B:ブランクより明らかに濁りがある。
C:ブランクより著しく濁りがある。
【0061】
【表6】
【0062】
表6において、
帯電防止剤成分の混合物(P):式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩との混合物
帯電防止剤成分(E):式3で示されるポリオキシアルキレン化合物
使用量:ポリカーボネート100部に対する帯電防止剤の添加部数
【0063】
【表7】
【0064】
表7において、
帯電防止剤成分(A):式1で示されるスルホネートホスホニウム塩又は式2で示されるスルホネート無機塩
帯電防止剤成分(E):式3で示されるポリオキシアルキレン化合物
使用量:ポリカーボネート100部に対する帯電防止剤の添加部数
【0065】
・試験区分5(評価その2)
・実施例25〜32
ポリカーボネート100部、帯電防止剤成分の混合物(P−3)2.0部及び帯電防止剤成分(E−1)1.5部をラボプラストミル(東洋精機社製)に投入し、280℃で5分間混練して、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物から実施例1と同様にしてシートを作製し、実施例1と同様に帯電防止性と透明性とを評価した。これを実施例25とした。実施例25と同様にして実施例26〜32を行なった。結果を表8にまとめて示した。
【0066】
【表8】
【0067】
表8において、
添加方法イ:ポリカーボネート、帯電防止剤成分の混合物(式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩との混合物)及び式3で示されるポリオキシアルキレン化合物を同時にミキサーに投入して、混練した。
添加方法ロ:ポリカーボネートと式3で示されるポリオキシアルキレン化合物とを同時にミキサーに投入して、混練した後、帯電防止剤成分の混合物(式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩との混合物)を投入して、更に混練した。
【0068】
【発明の効果】
既に明らかなように、以上説明した本発明には、ポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低下させることなく、該ポリカーボネートに低湿下においても優れた帯電防止性を付与できるという効果がある。
Claims (9)
- 下記の式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と下記の式2で示されるスルホネート無機塩と下記の式3で示されるポリオキシアルキレン化合物とから成ることを特徴とするポリカーボネート用帯電防止剤。
【式1】
【式2】
【式3】
(式1,式2,式3において、
A1,A2:炭素数1〜24のアルキル基、炭素数4〜24のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数1〜18のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル基又は置換基として炭素数1〜18のアルキル基を有する置換ナフチル基
A3:水素、炭素数1〜24の脂肪族炭化水素基、炭素数2〜24のアシル基又は芳香族炭化水素基
B:水素、1〜4価のヒドロキシ化合物から全ての水酸基を除いた残基又は1〜4価のカルボン酸から全ての水酸基を除いた残基
R1,R2,R3,R4:炭素数1〜18の脂肪族若しくは芳香族炭化水素基又は置換基として水酸基若しくはシアノ基を有する炭素数1〜18の置換炭化水素基Mn+:n=1の場合はアルカリ金属カチオン、n=2の場合はアルカリ土類金属カチオン
m:1〜4の整数、但しBが水素の場合はm=1、Bがヒドロキシ化合物の残基又はカルボン酸の残基の場合はm=除かれた水酸基の数
n:1又は2
X:4〜100個のオキシエチレン単位又は合計4〜100個のオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位とで構成されたポリオキシアルキレン基) - 式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩との合計/式3で示されるポリオキシアルキレン化合物=95/5〜10/90(重量比)の割合である請求項1記載のポリカーボネート用帯電防止剤。
- 式1で示されるスルホネートホスホニウム塩が、式1中のA1が炭素数6〜22のアルキル基、置換基として炭素数2〜12のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数2〜12のアルキル基を有する置換ナフチル基であり、且つR1,R2,R3,R4がブチル基である場合のものであって、また式2で示されるスルホネート無機塩が、式2中のA2が炭素数6〜22のアルキル基、置換基として炭素数2〜12のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数2〜12のアルキル基を有する置換ナフチル基であり、且つMn+がアルカリ金属カチオンである場合のものである請求項1又は2記載のポリカーボネート用帯電防止剤。
- 式3で示されるポリオキシアルキレン化合物が、式3中のXが5〜60個のオキシエチレン単位で構成されたポリオキシエチレン基である場合のものである請求項1、2又は3記載のポリカーボネート用帯電防止剤。
- 帯電防止剤成分を添加してポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法において、帯電防止剤成分として請求項1記載の式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩と式3で示されるポリオキシアルキレン化合物とを添加することを特徴とするポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
- 式1で示されるスルホネートホスホニウム塩と式2で示されるスルホネート無機塩との合計/式3で示されるポリオキシアルキレン化合物=95/5〜10/90(重量比)の割合となるように添加する請求項5記載のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
- 式1で示されるスルホネートホスホニウム塩が、式1中のA1が炭素数6〜22のアルキル基、置換基として炭素数2〜12のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数2〜12のアルキル基を有する置換ナフチル基であり、且つR1,R2,R3,R4がブチル基である場合のものであって、また式2で示されるスルホネート無機塩が、式2中のA2が炭素数6〜22のアルキル基、置換基として炭素数2〜12のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数2〜12のアルキル基を有する置換ナフチル基であり、且つMn+がアルカリ金属カチオンである場合のものである請求項5又は6記載のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
- 式3で示されるポリオキシアルキレン化合物が、式3中のXが5〜60個のオキシエチレン単位で構成されたポリオキシエチレン基である場合のものである請求項5、6又は7記載のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
- ポリカーボネート100重量部当たり帯電防止剤成分をその合計量として0.1〜10重量部の割合となるように添加する請求項5、6、7又は8記載のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
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