JP2001313535A - 金属層の上にピエゾ電子材料層が堆積された電子デバイスを製造する方法 - Google Patents
金属層の上にピエゾ電子材料層が堆積された電子デバイスを製造する方法Info
- Publication number
- JP2001313535A JP2001313535A JP2001032114A JP2001032114A JP2001313535A JP 2001313535 A JP2001313535 A JP 2001313535A JP 2001032114 A JP2001032114 A JP 2001032114A JP 2001032114 A JP2001032114 A JP 2001032114A JP 2001313535 A JP2001313535 A JP 2001313535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- depositing
- piezoelectric material
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 30
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 50
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/076—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by vapour phase deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/964—Roughened surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振器デバイスに用いられるピエゾ電子フィ
ルムの製造方法を提供することである。 【解決手段】 本発明の方法は、ピエゾ電子フィルム１
２０のテキスチャは、その下の電極層１３５の表面形態
により直接影響され、更にまた電極層１３５の表面形態
は、その下の酸化物層或いはブラグスタック１２５の表
面形態により影響される。従って、本発明の方法は、ピ
エゾ電子フィルムを含むデバイスを製造する方法で、電
極の表面粗さと堆積を制御するステップを含むことを特
徴とする。
ルムの製造方法を提供することである。 【解決手段】 本発明の方法は、ピエゾ電子フィルム１
２０のテキスチャは、その下の電極層１３５の表面形態
により直接影響され、更にまた電極層１３５の表面形態
は、その下の酸化物層或いはブラグスタック１２５の表
面形態により影響される。従って、本発明の方法は、ピ
エゾ電子フィルムを含むデバイスを製造する方法で、電
極の表面粗さと堆積を制御するステップを含むことを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属製電極の上に
ピエゾ電子フィルム（層）を含む電子デバイスを製造す
る方法に関し、特に音響共振器と半導体デバイスを製造
する方法に関する。
ピエゾ電子フィルム（層）を含む電子デバイスを製造す
る方法に関し、特に音響共振器と半導体デバイスを製造
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通信システムは、様々なデバイス（例、
フィルタ、ミキサー、増幅器、集積回路等）を含む。通
信システムはワイヤレスリンクとツイストペア、光ファ
イバ等の手段により、中継された情報（音声、ビデオ、
データ）を送信するのに有益である。ワイヤレス通信シ
ステムがさらに進歩すると信号は、高い周波数（例え
ば、ＰＣＳ，ＩＳＭ等）で送信されるようになる。シス
テムがマーケットの要求に応じて開発されるとより、更
に性能の向上／小型化に対する需要が増してくる。マー
ケットの力により集積度の向上及び、構成素子の小型化
が求められている。
フィルタ、ミキサー、増幅器、集積回路等）を含む。通
信システムはワイヤレスリンクとツイストペア、光ファ
イバ等の手段により、中継された情報（音声、ビデオ、
データ）を送信するのに有益である。ワイヤレス通信シ
ステムがさらに進歩すると信号は、高い周波数（例え
ば、ＰＣＳ，ＩＳＭ等）で送信されるようになる。シス
テムがマーケットの要求に応じて開発されるとより、更
に性能の向上／小型化に対する需要が増してくる。マー
ケットの力により集積度の向上及び、構成素子の小型化
が求められている。
【０００３】バルク音響波（Bulk Acoustic Wave;BAW）
共振器のような共振器は、通過帯域フィルタ或いは他の
関連した半導体デバイスの製造に対し重要な構成要素と
なっている。ＢＡＷ共振器は、ピエゾ電子共振器であ
り、少なくとも２つの電極の間に堆積したピエゾ電子材
料フィルム（例えば、結晶ＡｌＮフィルム）を含む。電
圧をこのような構造体にかけるとピエゾ電子材料は、あ
る周波数である振動モードで振動する。ピエゾ電子共振
器は、周波数ダイバシティに基づいた信号間を区別する
（例、バンドパスフィルタ（帯域通過フィルタ））のに
有効であり、且つ、安定した周波数信号（発振器回路内
の周波数安定化フィードバック素子）を提供する。
共振器のような共振器は、通過帯域フィルタ或いは他の
関連した半導体デバイスの製造に対し重要な構成要素と
なっている。ＢＡＷ共振器は、ピエゾ電子共振器であ
り、少なくとも２つの電極の間に堆積したピエゾ電子材
料フィルム（例えば、結晶ＡｌＮフィルム）を含む。電
圧をこのような構造体にかけるとピエゾ電子材料は、あ
る周波数である振動モードで振動する。ピエゾ電子共振
器は、周波数ダイバシティに基づいた信号間を区別する
（例、バンドパスフィルタ（帯域通過フィルタ））のに
有効であり、且つ、安定した周波数信号（発振器回路内
の周波数安定化フィードバック素子）を提供する。
【０００４】通常、ピエゾ電子共振器の共振周波数の性
能は、ピエゾ電子材料の組成、厚さ、方向性に依存す
る。ピエゾ電子材料の共振周波数は、通常その厚さに反
比例し、そのためピエゾ電子共振器が高周波（７００Ｍ
Ｈｚ以上）で動作するためにはピエゾ電子フィルムは、
５００ｎｍから１０μｍの厚さのフィルムにしなければ
ならない。ピエゾ電子共振器の性能はピエゾ電子フィル
ムを含む原子の結晶方向に依存する。印加された電圧
（即ち、電界）に応答してピエゾ電子フィルム内に誘導
された歪み（即ち、応力波）は、ピエゾ電子フィルム内
の原子ダイポール（atomic dipole）の好ましい整合か
ら発生する。好ましいフィルムの方向性の例は、基板に
直交したＡｌＮの＜００２＞である。ピエゾ電子材料
（例えば、窒化アルミ）のフィルムを堆積するパルスＤ
Ｃスパッタリングの方法は、米国特許出願（発明者Mill
er et al.著の「Pulse DC Reactive Sputtering Method
for Fabricating Piezoelectic Resonators」出願日１
９９８年９月１日）に開示されている。前掲の特許出願
においては、ピエゾ電子フィルムの品質は、フィルムそ
のものを堆積するのに用いられる技術でもって改善され
る。
能は、ピエゾ電子材料の組成、厚さ、方向性に依存す
る。ピエゾ電子材料の共振周波数は、通常その厚さに反
比例し、そのためピエゾ電子共振器が高周波（７００Ｍ
Ｈｚ以上）で動作するためにはピエゾ電子フィルムは、
５００ｎｍから１０μｍの厚さのフィルムにしなければ
ならない。ピエゾ電子共振器の性能はピエゾ電子フィル
ムを含む原子の結晶方向に依存する。印加された電圧
（即ち、電界）に応答してピエゾ電子フィルム内に誘導
された歪み（即ち、応力波）は、ピエゾ電子フィルム内
の原子ダイポール（atomic dipole）の好ましい整合か
ら発生する。好ましいフィルムの方向性の例は、基板に
直交したＡｌＮの＜００２＞である。ピエゾ電子材料
（例えば、窒化アルミ）のフィルムを堆積するパルスＤ
Ｃスパッタリングの方法は、米国特許出願（発明者Mill
er et al.著の「Pulse DC Reactive Sputtering Method
for Fabricating Piezoelectic Resonators」出願日１
９９８年９月１日）に開示されている。前掲の特許出願
においては、ピエゾ電子フィルムの品質は、フィルムそ
のものを堆積するのに用いられる技術でもって改善され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】通信システムの分野に
おいては、システム性能と集積度を向上させる新たな方
法が模索され続けられている。本発明の目的は、ピエゾ
電子フィルムの品質を改善する新たな方法を提供するこ
とである。
おいては、システム性能と集積度を向上させる新たな方
法が模索され続けられている。本発明の目的は、ピエゾ
電子フィルムの品質を改善する新たな方法を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、電子デバイス
特に共振器で使用されるピエゾ電子フィルムを改善する
方法を提供する。本発明の方法は、ピエゾ電子フィルム
（ピエゾ電子共振器内で使用される）のテキスチャア
（texture）は、その下の金属層（例、電極）の表面形
態（形状）により直接影響を受ける。従って本発明のピ
エゾ電子フィルムと電極を有するデバイスを製造する方
法は、金属層の堆積と表面粗さを制御することを含む。
即ち、電極に対する表面粗さが低下するとピエゾ電子フ
ィルムの品質が改善される。表面粗さを低下させるには
ロッキングカーブの半値全幅（ＦＷＨＭ）が４．５°以
下となるような金属層を堆積し、そしてこの金属層の上
によりロッキングカーブの半値全幅（ＦＷＨＭ）のが
３．５°以下となるようなピエゾ電子層が生成される。
特に共振器で使用されるピエゾ電子フィルムを改善する
方法を提供する。本発明の方法は、ピエゾ電子フィルム
（ピエゾ電子共振器内で使用される）のテキスチャア
（texture）は、その下の金属層（例、電極）の表面形
態（形状）により直接影響を受ける。従って本発明のピ
エゾ電子フィルムと電極を有するデバイスを製造する方
法は、金属層の堆積と表面粗さを制御することを含む。
即ち、電極に対する表面粗さが低下するとピエゾ電子フ
ィルムの品質が改善される。表面粗さを低下させるには
ロッキングカーブの半値全幅（ＦＷＨＭ）が４．５°以
下となるような金属層を堆積し、そしてこの金属層の上
によりロッキングカーブの半値全幅（ＦＷＨＭ）のが
３．５°以下となるようなピエゾ電子層が生成される。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の方法を用いて形
成した音響共振器の斜視図である。共振器１００は、基
板１１０とピエゾ電子材料層１２０と、この基板１１０
とピエゾ電子材料層１２０の間に形成された、例えばブ
ラグ反射領域のような音響反射領域１２５とを有する。
音響反射領域１２５の代わりに空気層（図示せず）を用
いてピエゾ電子材料層１２０を基板１１０の上方に保持
しても良い。底部電極１３５と上部電極１３０は、ピエ
ゾ電子材料層１２０を挟んで反対表面上に堆積される。
成した音響共振器の斜視図である。共振器１００は、基
板１１０とピエゾ電子材料層１２０と、この基板１１０
とピエゾ電子材料層１２０の間に形成された、例えばブ
ラグ反射領域のような音響反射領域１２５とを有する。
音響反射領域１２５の代わりに空気層（図示せず）を用
いてピエゾ電子材料層１２０を基板１１０の上方に保持
しても良い。底部電極１３５と上部電極１３０は、ピエ
ゾ電子材料層１２０を挟んで反対表面上に堆積される。
【０００８】ピエゾ電子材料層１２０はＡｌＮを含有す
るが、特定の共振器のアプリケーション十分なピエゾ電
子材料の機能を有する他の如何なる材料でもよい。通
常、ピエゾ電子材料は、例えばＺｎＯ，ＬｉＮｂＯ3の
ようなセラミック材料，ＬＩＴａＯ3，ＴｅＯ2，ＰＺＴ
−ＳＡである。基板は通常シリコン製であるが、水晶，
サファイア，ポリシリコン，アエロゲル，酸化アルミ
（Ａｌ2Ｏ3）のような他の材料で形成することも出来
る。
るが、特定の共振器のアプリケーション十分なピエゾ電
子材料の機能を有する他の如何なる材料でもよい。通
常、ピエゾ電子材料は、例えばＺｎＯ，ＬｉＮｂＯ3の
ようなセラミック材料，ＬＩＴａＯ3，ＴｅＯ2，ＰＺＴ
−ＳＡである。基板は通常シリコン製であるが、水晶，
サファイア，ポリシリコン，アエロゲル，酸化アルミ
（Ａｌ2Ｏ3）のような他の材料で形成することも出来
る。
【０００９】本発明は、新たなピエゾ電子フィルムを得
る方法に関する。発明者等は、共振器デバイスの動作、
特にピエゾ電子フィルムの動作は、ピエゾ電子フィルム
が堆積される電極表面の形態を操作することにより改善
されることを見出した。更に発明者等は、ピエゾ電子フ
ィルム（例、ＡｌＮ）の成長は、エピタキシャルではな
く（即ち、ＡｌＮ層は、電極材料と格子整合或いはコー
ディネートしながら成長するのではなく）、電極表面の
形態は、Ｃ軸方向とピエゾ電子フィルムのロッキングカ
ーブに影響を及ぼすことを見出した。
る方法に関する。発明者等は、共振器デバイスの動作、
特にピエゾ電子フィルムの動作は、ピエゾ電子フィルム
が堆積される電極表面の形態を操作することにより改善
されることを見出した。更に発明者等は、ピエゾ電子フ
ィルム（例、ＡｌＮ）の成長は、エピタキシャルではな
く（即ち、ＡｌＮ層は、電極材料と格子整合或いはコー
ディネートしながら成長するのではなく）、電極表面の
形態は、Ｃ軸方向とピエゾ電子フィルムのロッキングカ
ーブに影響を及ぼすことを見出した。
【００１０】本明細書で用いられる用語「テキスチャ」
とは、多結晶フィルムの粒子の結晶方向の整合性を意味
し、最大テキスチャ（maximum texture）とは、成長方
向（に対し）からのはかった角度で単一方向を中心とし
た粒子の整合性（方向性）を有するフィルムを意味す
る。かくして、ピエゾ電子層のテキスチャと品質（機
能）は、ロッキングカーブで定義することが出来る。具
体的に説明すると、理想的には粒子は単一方向に中心が
向いており、ピエゾ電子フィルム（ピエゾ電子共振器内
の）の性能は、フィルムが含有する原子の結晶方向に依
存する。しかし通常、粒子が中心とする方向は、ガウス
分布をしている。分布が小さいとフィルムは最大テキス
チャに近づくことになる。粒子の方向の分布は、ピーク
を規定するためにプロットされ最大高さの半分の場所に
おける幅（半値全幅；ＦＷＨＭ）がフィルムテキスチャ
の品質を規定する値を反映する。「ロッキングカーブ」
の番号は、フィルムテキスチャのメリット数である。即
ち、分布が少ないほどロッキングカーブも小さくなり、
フィルムは最大テキスチャに近づくことになる。ピエゾ
電子層は１１°以下のＦＷＨＭのロッキングカーブ、そ
して好ましくは３．５°以下、更に好ましくは２．５°
ＦＷＨＭのロッキングカーブでもって形成される。
とは、多結晶フィルムの粒子の結晶方向の整合性を意味
し、最大テキスチャ（maximum texture）とは、成長方
向（に対し）からのはかった角度で単一方向を中心とし
た粒子の整合性（方向性）を有するフィルムを意味す
る。かくして、ピエゾ電子層のテキスチャと品質（機
能）は、ロッキングカーブで定義することが出来る。具
体的に説明すると、理想的には粒子は単一方向に中心が
向いており、ピエゾ電子フィルム（ピエゾ電子共振器内
の）の性能は、フィルムが含有する原子の結晶方向に依
存する。しかし通常、粒子が中心とする方向は、ガウス
分布をしている。分布が小さいとフィルムは最大テキス
チャに近づくことになる。粒子の方向の分布は、ピーク
を規定するためにプロットされ最大高さの半分の場所に
おける幅（半値全幅；ＦＷＨＭ）がフィルムテキスチャ
の品質を規定する値を反映する。「ロッキングカーブ」
の番号は、フィルムテキスチャのメリット数である。即
ち、分布が少ないほどロッキングカーブも小さくなり、
フィルムは最大テキスチャに近づくことになる。ピエゾ
電子層は１１°以下のＦＷＨＭのロッキングカーブ、そ
して好ましくは３．５°以下、更に好ましくは２．５°
ＦＷＨＭのロッキングカーブでもって形成される。
【００１１】本発明は、電極の組成と堆積を操作するこ
とによりピエゾ電子フィルムの最大テキスチャを達成
し、そして共振器の最適な動作を達成できる、と言う発
明者等の認識に基づいている。これに対しピエゾ電子フ
ィルムのテキスチャと性能を改善する従来の方法は、ピ
エゾ電子フィルムそのものを堆積する別の方法及び組成
に集中していた。本発明によれば、電極は表面粗さが小
さくなるようにし（例、堆積プロセス、研磨或いは材料
の選択により）、その結果ロッキングカーブが低いピエ
ゾ電子フィルム及び品質が改善された。好ましくは、電
極の表面粗さは０．１から１００Åであり、更に好まし
くは１５ÅＲＭＳである。本発明者等は、電極の表面粗
さは、ロッキングカーブの半値全幅を最小にすることに
より達成できることを見出した。電極に対するロッキン
グカーブを低くすると、電極表面の表面粗さが低下する
ことになる。更にまた電極の表面粗さは、その下の絶縁
層或いはブラグスタック層、例えばブラグスタックの酸
化物値を低下させること及び電極のロッキングカーブを
低下させること及び電極表面のＲＭＳの値を低下させる
ことにより達成できることを見出した。例えば、ＣＭＰ
により研磨された酸化物ブラグスタックは、堆積された
ままの酸化物ブラグスタックよりも金属製電極に対して
はより良好な表面粗さを生成することになる。電極層の
表面粗さは電極スタックを含む金属を選択することによ
り改善できる。
とによりピエゾ電子フィルムの最大テキスチャを達成
し、そして共振器の最適な動作を達成できる、と言う発
明者等の認識に基づいている。これに対しピエゾ電子フ
ィルムのテキスチャと性能を改善する従来の方法は、ピ
エゾ電子フィルムそのものを堆積する別の方法及び組成
に集中していた。本発明によれば、電極は表面粗さが小
さくなるようにし（例、堆積プロセス、研磨或いは材料
の選択により）、その結果ロッキングカーブが低いピエ
ゾ電子フィルム及び品質が改善された。好ましくは、電
極の表面粗さは０．１から１００Åであり、更に好まし
くは１５ÅＲＭＳである。本発明者等は、電極の表面粗
さは、ロッキングカーブの半値全幅を最小にすることに
より達成できることを見出した。電極に対するロッキン
グカーブを低くすると、電極表面の表面粗さが低下する
ことになる。更にまた電極の表面粗さは、その下の絶縁
層或いはブラグスタック層、例えばブラグスタックの酸
化物値を低下させること及び電極のロッキングカーブを
低下させること及び電極表面のＲＭＳの値を低下させる
ことにより達成できることを見出した。例えば、ＣＭＰ
により研磨された酸化物ブラグスタックは、堆積された
ままの酸化物ブラグスタックよりも金属製電極に対して
はより良好な表面粗さを生成することになる。電極層の
表面粗さは電極スタックを含む金属を選択することによ
り改善できる。
【００１２】好ましいことに本発明では電極、特に底部
電極１３５はＡｌを含有する、或いはＡｌが添加された
コリメート（物理的フラックスセレクタ）チタンＡｌ
（ｃ−Ｔｉ／Ａｌ）を用いた金属製積層体である。従来
の積層型電極は、ｃ−Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ選択した組成
として含有していた。本発明者等は、ピエゾ電子層がそ
の上に堆積されるＡｌ製表面の表面粗さは、金属製積層
体からＴｉＮ層を取り除くことにより少なくとも２倍以
上改善できることを見出した。更にまたＡｌ及び／又は
ｃ−Ｔｉ／Ａｌの使用に加えてシート抵抗が充分低く、
且つ表面粗さが十分小さい他の金属を上部電極１３０，
底部電極１３５として用いることが出来る。０．０１か
ら１００オーム／スクエア（Ω／□）の範囲のシート抵
抗を有する金属は十分低く、更に好ましくはシート抵抗
が約１Ω／□以下である。０．１から１００Åの範囲の
表面粗さを有する金属は十分低いものであり、更に好ま
しくは１５Å以下の表面粗さが好ましい。
電極１３５はＡｌを含有する、或いはＡｌが添加された
コリメート（物理的フラックスセレクタ）チタンＡｌ
（ｃ−Ｔｉ／Ａｌ）を用いた金属製積層体である。従来
の積層型電極は、ｃ−Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ選択した組成
として含有していた。本発明者等は、ピエゾ電子層がそ
の上に堆積されるＡｌ製表面の表面粗さは、金属製積層
体からＴｉＮ層を取り除くことにより少なくとも２倍以
上改善できることを見出した。更にまたＡｌ及び／又は
ｃ−Ｔｉ／Ａｌの使用に加えてシート抵抗が充分低く、
且つ表面粗さが十分小さい他の金属を上部電極１３０，
底部電極１３５として用いることが出来る。０．０１か
ら１００オーム／スクエア（Ω／□）の範囲のシート抵
抗を有する金属は十分低く、更に好ましくはシート抵抗
が約１Ω／□以下である。０．１から１００Åの範囲の
表面粗さを有する金属は十分低いものであり、更に好ま
しくは１５Å以下の表面粗さが好ましい。
【００１３】図２は底部電極１３５がコリメートしたチ
タンとＡｌ（ｃ−Ｔｉ／Ａｌ）とピエゾ電子材料層１２
０がＡｌＮを含むような共振器のＡｌロッキングカーブ
とＡｌＮロッキングカーブの関係を表すグラフである。
同図から判るように、ＡｌＮテキスチャ（ピエゾ電子材
料層１２０）の上のＡｌテキスチャ（電極１３５）の直
接的な影響（非線形ではあるが）があることが判る。か
くして、Ａｌテキスチャは共振器の結合係数（極／ゼロ
分離）に影響を及ぼす。かくして電極（Ａｌ層とｃ−Ｔ
ｉ層）は、最小の半値全幅のロッキングカーブを有する
ようなテキスチャで形成される。コリメートされたＴｉ
層にとっては、共振器のアプローチに対する有益なテキ
スチャは、ＦＷＨＭが０．２°から９°の範囲の時に達
成され、そして一般的に好ましいカーブは、ＦＷＨＭが
４．５°以下のときである。Ａｌ層に対しては、このア
プリケーションにとって有効なテキスチャは、ＦＷＨＭ
が０．２°から１１°の範囲の時に達成され、一般的に
好ましいロッキングカーブのＦＷＨＭは４°以下であ
る。ピエゾ電子材料の領域は、０．２°から１１℃の範
囲のＦＷＨＭのロッキングカーブでもって形成され、そ
して通常好ましい低いロッキングカーブは、ＦＷＨＭが
２．５°以下である。電極のロッキングカーブが低いと
電極の表面粗さも小さくなり、これによりピエゾ電子層
の品質も改善されることが見出された。
タンとＡｌ（ｃ−Ｔｉ／Ａｌ）とピエゾ電子材料層１２
０がＡｌＮを含むような共振器のＡｌロッキングカーブ
とＡｌＮロッキングカーブの関係を表すグラフである。
同図から判るように、ＡｌＮテキスチャ（ピエゾ電子材
料層１２０）の上のＡｌテキスチャ（電極１３５）の直
接的な影響（非線形ではあるが）があることが判る。か
くして、Ａｌテキスチャは共振器の結合係数（極／ゼロ
分離）に影響を及ぼす。かくして電極（Ａｌ層とｃ−Ｔ
ｉ層）は、最小の半値全幅のロッキングカーブを有する
ようなテキスチャで形成される。コリメートされたＴｉ
層にとっては、共振器のアプローチに対する有益なテキ
スチャは、ＦＷＨＭが０．２°から９°の範囲の時に達
成され、そして一般的に好ましいカーブは、ＦＷＨＭが
４．５°以下のときである。Ａｌ層に対しては、このア
プリケーションにとって有効なテキスチャは、ＦＷＨＭ
が０．２°から１１°の範囲の時に達成され、一般的に
好ましいロッキングカーブのＦＷＨＭは４°以下であ
る。ピエゾ電子材料の領域は、０．２°から１１℃の範
囲のＦＷＨＭのロッキングカーブでもって形成され、そ
して通常好ましい低いロッキングカーブは、ＦＷＨＭが
２．５°以下である。電極のロッキングカーブが低いと
電極の表面粗さも小さくなり、これによりピエゾ電子層
の品質も改善されることが見出された。
【００１４】本発明においては、根平均二乗（root mea
n square ＲＭＳ）が小さい形態は、堆積した後ピエゾ
電子材料層１２０を例えば化学機械研磨を行わない電極
に対して達成できる。このＲＭＳの値は、ゼロの平均値
（ゼロの値は完全に平滑な表面を表す）からの偏差、即
ち差に対する真の平均絶対値である。このＲＭＳの値は
平均二乗（mean square）と平均の二乗（square of mea
n）の差の平方根で定義される。言い換えれば、測定さ
れた粗さのメディアに対する粗さの正規化された平均値
である。好ましいことに結晶金属（crystallographic m
etal）（例えばｃ−ＴｉとＡｌ）は、単一の方向で最大
テキスチャでもって電極に対し堆積される。例えば、Ａ
ｌ製の電極は、基板の法線（substrate normal）に対し
平行な＜１１１＞方位を有する。ｃ−チタンの堆積は、
単一方位＜００２＞のフィルムを生成する。本発明によ
りピエゾ電子層の良好なテキスチャを達成する方法は、
格子整合には依存しないためにピエゾ電子層（ＡｌＮ）
用の十分低いロッキングカーブは、十分に低い表面粗さ
の様々な表面上に、例えばシリコンの終端した表面を有
する基板、ＣＭＰ酸化物、ｃ−チタン／アルミ或いは他
の適宜の材料上で得られる。シリコン＜１００＞の格子
パラメータとアルミ＜１１１＞の格子パラメータは、Ａ
ｌＮに対しては整合しないので、Ｓｉ上のＡｌＮでもっ
て低いロッキングカーブを得ることが出来る。或いは、
Ａｌ上のＡｌＮに対して低いロッキングカーブを得るこ
とが出来る。本発明はピエゾ電子層の品質を改善するの
みならず、ピエゾ電子フィルムを含む共振器或いは他の
デバイスを製造するのに用いられる材料を選択する際に
もフレキシビリティを増加させることが出来る。
n square ＲＭＳ）が小さい形態は、堆積した後ピエゾ
電子材料層１２０を例えば化学機械研磨を行わない電極
に対して達成できる。このＲＭＳの値は、ゼロの平均値
（ゼロの値は完全に平滑な表面を表す）からの偏差、即
ち差に対する真の平均絶対値である。このＲＭＳの値は
平均二乗（mean square）と平均の二乗（square of mea
n）の差の平方根で定義される。言い換えれば、測定さ
れた粗さのメディアに対する粗さの正規化された平均値
である。好ましいことに結晶金属（crystallographic m
etal）（例えばｃ−ＴｉとＡｌ）は、単一の方向で最大
テキスチャでもって電極に対し堆積される。例えば、Ａ
ｌ製の電極は、基板の法線（substrate normal）に対し
平行な＜１１１＞方位を有する。ｃ−チタンの堆積は、
単一方位＜００２＞のフィルムを生成する。本発明によ
りピエゾ電子層の良好なテキスチャを達成する方法は、
格子整合には依存しないためにピエゾ電子層（ＡｌＮ）
用の十分低いロッキングカーブは、十分に低い表面粗さ
の様々な表面上に、例えばシリコンの終端した表面を有
する基板、ＣＭＰ酸化物、ｃ−チタン／アルミ或いは他
の適宜の材料上で得られる。シリコン＜１００＞の格子
パラメータとアルミ＜１１１＞の格子パラメータは、Ａ
ｌＮに対しては整合しないので、Ｓｉ上のＡｌＮでもっ
て低いロッキングカーブを得ることが出来る。或いは、
Ａｌ上のＡｌＮに対して低いロッキングカーブを得るこ
とが出来る。本発明はピエゾ電子層の品質を改善するの
みならず、ピエゾ電子フィルムを含む共振器或いは他の
デバイスを製造するのに用いられる材料を選択する際に
もフレキシビリティを増加させることが出来る。
【００１５】更に本発明者等は、電極（図１の１３５）
のその結果得られた表面粗さは、下の層、例えば音響反
射領域１２５の表面形態により影響されることを見出し
た。例えば、ＰＶＤにより堆積された標準の酸化物を用
いた場合には、その結果得られたＡｌのテキスチャは、
ＦＷＨＭが１１°である。しかし、Ａｌ層を堆積する際
に同一の条件を適用するとＡｌ層の得られたテキスチャ
は、ＣＭＰ酸化物を用いた場合にはＦＷＨＭが４°であ
る。ＣＭＰ酸化物は、自動的にほぼ平滑（例えば、３Å
以下）のＲＭＳ表面粗さを有するが、ブラグスタックの
最後の層の標準のＰＶＤ酸化物の表面粗さは、４５から
６０ÅＲＭＳである。ブラグスタックの酸化物層のＲＭ
Ｓの値が低くなると、電極のロッキングカーブも低くな
り、又電極表面のＲＭＳの値も同様である。研磨した
（例えば、ＣＭＰで）酸化物ブラグスタックは、堆積し
たままの酸化物ブラグスタックよりも金属製電極に対し
ては、より良好なテキスチャを生成する。
のその結果得られた表面粗さは、下の層、例えば音響反
射領域１２５の表面形態により影響されることを見出し
た。例えば、ＰＶＤにより堆積された標準の酸化物を用
いた場合には、その結果得られたＡｌのテキスチャは、
ＦＷＨＭが１１°である。しかし、Ａｌ層を堆積する際
に同一の条件を適用するとＡｌ層の得られたテキスチャ
は、ＣＭＰ酸化物を用いた場合にはＦＷＨＭが４°であ
る。ＣＭＰ酸化物は、自動的にほぼ平滑（例えば、３Å
以下）のＲＭＳ表面粗さを有するが、ブラグスタックの
最後の層の標準のＰＶＤ酸化物の表面粗さは、４５から
６０ÅＲＭＳである。ブラグスタックの酸化物層のＲＭ
Ｓの値が低くなると、電極のロッキングカーブも低くな
り、又電極表面のＲＭＳの値も同様である。研磨した
（例えば、ＣＭＰで）酸化物ブラグスタックは、堆積し
たままの酸化物ブラグスタックよりも金属製電極に対し
ては、より良好なテキスチャを生成する。
【００１６】図３はピエゾ電子フィルムを改善した共振
器構造体を形成する本発明の方法を表すステップを表す
フローチャート図である。ブロック１ａ，２ａ，３ａ，
４は、本発明の一実施例を表し、ブロック１ｂ、２ｂ、
３ｂ、４は、他の実施例を表す。本発明の一実施例によ
れば、第１ステップ（ブロック１ａ）は、例えばブラグ
スタックのような音響反射層をその上に有する基板（通
常シリコン製基板）上にｃ−チタンのテキスチャード金
属層を堆積するステップを含む。好ましくは、少なくと
もブラグスタックの最後の層を研磨して金属製電極のテ
キスチャに対する最良の結果を達成する。上述したよう
に本発明者等は、電極とピエゾ電子層のテキスチャは、
ブラグスタックの最後の層の品質により影響されること
を見出した。同時に継続しているバーバーアプリケーシ
ョン（Barber application）(後日出願番号を通知する)
は、ブラグスタック層（ＳｉＯ2フィルムを含む）を堆
積する方法、及び堆積プロセスの最適化を開示してい
る。
器構造体を形成する本発明の方法を表すステップを表す
フローチャート図である。ブロック１ａ，２ａ，３ａ，
４は、本発明の一実施例を表し、ブロック１ｂ、２ｂ、
３ｂ、４は、他の実施例を表す。本発明の一実施例によ
れば、第１ステップ（ブロック１ａ）は、例えばブラグ
スタックのような音響反射層をその上に有する基板（通
常シリコン製基板）上にｃ−チタンのテキスチャード金
属層を堆積するステップを含む。好ましくは、少なくと
もブラグスタックの最後の層を研磨して金属製電極のテ
キスチャに対する最良の結果を達成する。上述したよう
に本発明者等は、電極とピエゾ電子層のテキスチャは、
ブラグスタックの最後の層の品質により影響されること
を見出した。同時に継続しているバーバーアプリケーシ
ョン（Barber application）(後日出願番号を通知する)
は、ブラグスタック層（ＳｉＯ2フィルムを含む）を堆
積する方法、及び堆積プロセスの最適化を開示してい
る。
【００１７】コリメートされたチタン（ｃ−チタン）堆
積により、単一方向＜００２＞で且つロッキングカーブ
が４．５°（ＦＷＨＭ）以下のテキスチャを有するフィ
ルムが得られた。ｃ−Ｔｉ層の厚さは、１００から１０
００Åの間の範囲であり、更に好ましくは、約３００Å
である。好ましいプロセスは、堆積温度が約２５０℃で
堆積速度が８−１２Å／秒で、更に好ましくは約１０Å
／秒のスパッタ堆積を含むが、公知の堆積技術を用いて
この層を堆積することが出来る。
積により、単一方向＜００２＞で且つロッキングカーブ
が４．５°（ＦＷＨＭ）以下のテキスチャを有するフィ
ルムが得られた。ｃ−Ｔｉ層の厚さは、１００から１０
００Åの間の範囲であり、更に好ましくは、約３００Å
である。好ましいプロセスは、堆積温度が約２５０℃で
堆積速度が８−１２Å／秒で、更に好ましくは約１０Å
／秒のスパッタ堆積を含むが、公知の堆積技術を用いて
この層を堆積することが出来る。
【００１８】この代表的な方法の第２ステップ（ブロッ
ク２ａ）は、ｃ−Ｔｉ層の上にＡｌを堆積するステップ
を含み、これは真空中で十分高い堆積レートと基板温度
でもって行われ、その結果得られたＡｌテキスチャのＦ
ＷＨＭは、４．５°以下である。Ａｌ層は、Ｃｕのよう
な他の合金化元素を少量含む。例えば、Ａｌ−０．５％
Ｃｕの層が適切である。堆積パラメータは、当業者の知
識に基づいて選択できる。適切なパラメータは、堆積温
度が２００℃で、堆積速度が１００Å／秒で、Ａｌ層の
厚さは２００から２５００Åで、公称厚さは１２００Å
である。Ａｌ表面の後処理或いは前堆積は、ＡｌＮのテ
キスチャード成長を達成するのには必ずしも必要ではな
い。
ク２ａ）は、ｃ−Ｔｉ層の上にＡｌを堆積するステップ
を含み、これは真空中で十分高い堆積レートと基板温度
でもって行われ、その結果得られたＡｌテキスチャのＦ
ＷＨＭは、４．５°以下である。Ａｌ層は、Ｃｕのよう
な他の合金化元素を少量含む。例えば、Ａｌ−０．５％
Ｃｕの層が適切である。堆積パラメータは、当業者の知
識に基づいて選択できる。適切なパラメータは、堆積温
度が２００℃で、堆積速度が１００Å／秒で、Ａｌ層の
厚さは２００から２５００Åで、公称厚さは１２００Å
である。Ａｌ表面の後処理或いは前堆積は、ＡｌＮのテ
キスチャード成長を達成するのには必ずしも必要ではな
い。
【００１９】積層金属電極が堆積された後、第３ステッ
プ（ブロック３）は、金属製電極をパターン化するステ
ップを含む。標準の光リソグラフプロセスを用いて電極
をパターン化する。第４ステップ（ブロック４）を適用
すると、ＡｌＮを含むピエゾ電子材料層１２０がこのパ
ターン化された電極の上に堆積される。ピエゾ電子材料
層１２０は、底部電極１３５の上にＤＣ反応性スパッタ
リングプロセスを用いてスパッタ堆積される。しかし他
の堆積技術を用いることも出来る。例えば同時継続のBa
rber applicationは、磁気マグネトロンを回転させ、
パルス状のＤＣ電源を用いてピエゾ電子フィルムを堆積
するプロセスを最適化することについて記載している。
プ（ブロック３）は、金属製電極をパターン化するステ
ップを含む。標準の光リソグラフプロセスを用いて電極
をパターン化する。第４ステップ（ブロック４）を適用
すると、ＡｌＮを含むピエゾ電子材料層１２０がこのパ
ターン化された電極の上に堆積される。ピエゾ電子材料
層１２０は、底部電極１３５の上にＤＣ反応性スパッタ
リングプロセスを用いてスパッタ堆積される。しかし他
の堆積技術を用いることも出来る。例えば同時継続のBa
rber applicationは、磁気マグネトロンを回転させ、
パルス状のＤＣ電源を用いてピエゾ電子フィルムを堆積
するプロセスを最適化することについて記載している。
【００２０】本発明の共振器デバイスを形成する別の方
法は、図３のブロック１ｂ、２ｂ、３ｂ、４に示されて
いる。この実施例においては電極は、前の実施例の積層
型の電極ではなく、単一の電極材料から形成される。第
１ステップ（ブロック１ｂ）は、ブラグスタックを含む
基板、或いは音響膜サポート層（例、ＳｉＮ）上に金属
製電極材料、例えばアルミ或いは低い表面抵抗を有する
他の金属を堆積する。堆積のパラメータは、当業者に公
知である。第２ステップ（ブロック２ｂ）は、最低の根
平均二乗の数字になるまで電極層の表面を研磨するステ
ップを含む。この値は、３−１０Åの範囲で、より好ま
しくは７．５Å以下である。前の実施例と同様に電極材
料は、ブロック３でパターン化され、ＡｌＮ層がこのパ
ターン化された金属製電極の表面に堆積され（ブロック
４）、その結果最大のテキスチャードＡｌＮフィルムが
得られる。他の堆積プロセスパラメータは、前掲のMill
eret al.著の論文に記載されている。
法は、図３のブロック１ｂ、２ｂ、３ｂ、４に示されて
いる。この実施例においては電極は、前の実施例の積層
型の電極ではなく、単一の電極材料から形成される。第
１ステップ（ブロック１ｂ）は、ブラグスタックを含む
基板、或いは音響膜サポート層（例、ＳｉＮ）上に金属
製電極材料、例えばアルミ或いは低い表面抵抗を有する
他の金属を堆積する。堆積のパラメータは、当業者に公
知である。第２ステップ（ブロック２ｂ）は、最低の根
平均二乗の数字になるまで電極層の表面を研磨するステ
ップを含む。この値は、３−１０Åの範囲で、より好ま
しくは７．５Å以下である。前の実施例と同様に電極材
料は、ブロック３でパターン化され、ＡｌＮ層がこのパ
ターン化された金属製電極の表面に堆積され（ブロック
４）、その結果最大のテキスチャードＡｌＮフィルムが
得られる。他の堆積プロセスパラメータは、前掲のMill
eret al.著の論文に記載されている。
【図１】音響共振器を表す斜視図。
【図２】ＡｌＮテクスチャ上のＡｌテクスチャの影響を
表すためにＡｌ製底部電極のロッキングカーブとＡｌＮ
製のピエゾ電子フィルムのロッキングカーブの関係を表
すグラフ。
表すためにＡｌ製底部電極のロッキングカーブとＡｌＮ
製のピエゾ電子フィルムのロッキングカーブの関係を表
すグラフ。
【図３】本発明の方法の各ステップを表す図。
【符号の説明】 １００ 共振器 １１０ 基板 １２０ ピエゾ電子材料層 １２５ 音響反射領域 １３０ 上部電極 １３５ 底部電極 １ａ ブラッグストックを有する基板上にｃ−Ｔｉのテ
キスチャード金属層を堆積する。 １ｂ ブラッグストックを有する基板上にテキスチャー
ドＡｌ層を堆積する。 ２ａ ｃ−Ｔｉ層の上にＡｌ製のテキスチャード金属層
を堆積する。 ２ｂ 電極表面を最低のＲＭＳまで研磨する。 ３ 電極をパターン化する。 ４ ＡｌＮを堆積する（例；ミラー等のＤＣ反応性スパ
ッタリングを形成する。
キスチャード金属層を堆積する。 １ｂ ブラッグストックを有する基板上にテキスチャー
ドＡｌ層を堆積する。 ２ａ ｃ−Ｔｉ層の上にＡｌ製のテキスチャード金属層
を堆積する。 ２ｂ 電極表面を最低のＲＭＳまで研磨する。 ３ 電極をパターン化する。 ４ ＡｌＮを堆積する（例；ミラー等のＤＣ反応性スパ
ッタリングを形成する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｚ Ｈ０３Ｈ 9/17 41/22 Ｚ (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ジョン エリック ボワー アメリカ合衆国、07060 ニュージャージ ー、ノース プレインフィールド、グレン サイド プレイス 200 (72)発明者 ジョン ゼット、パスタラン アメリカ合衆国、08809 ニュージャージ ー、クリントン、 ウェストウェイ ８ (72)発明者 ジョージ イー、リッテンハウス アメリカ合衆国、07733 ニュージャージ ー、ホルムデル、ヘイワード ヒルズ ド ライブ ６
Claims (20)
- 【請求項１】（Ａ） 基板（１１０）上に少なくとも１
つの金属層（１３５）を堆積するステップと、 （Ｂ） 前記金属層（１３５）の上にピエゾ電子材料層
（１２０）を堆積するステップとを有し、 前記ピエゾ電子材料のテキスチャは、 （Ｃ） 前記金属層（１３５）の表面粗さを制御するス
テップにより決定されることを特徴とする金属層の上に
ピエゾ電子材料層が堆積された電子デバイスを製造する
方法。 - 【請求項２】音響反射層（１２５）が、基板（１１０）
とピエゾ電子材料層（１２０）の間に堆積されることを
特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】前記金属層（１３５）の表面粗さは、１５
Å以下ＲＭＳであることを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項４】前記（Ｃ）のステップは、金属層（１３
５）に対するロッキングカーブの半値全幅を最小にする
ことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項５】前記（Ｃ）ステップは、金属層（１３５）
の表面を研磨することを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項６】前記（Ｃ）ステップは、ｃ−Ｔｉの金属層
を堆積し、その後Ａｌの金属層を堆積することを特徴と
する請求項１記載の方法。 - 【請求項７】前記（Ｃ）のステップは、ＴｉＮを含有せ
ず、ｃ−ＴｉとＡｌの金属層を積層して堆積することを
特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項８】前記金属層（１３５）は、絶縁層の上に堆
積され、 前記（Ｃ）のステップは、絶縁層の表面粗さを最小にす
ることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項９】前記電子デバイスは、共振器であることを
特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】前記ピエゾ電子材料層（１２０）は、Ａ
ｌＮを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】前記金属層（１３５）は、シート抵抗が
１−１００Ω／スクエアの範囲の金属を含有することを
特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１２】前記金属層（１３５）は、Ａｌを含有す
ることを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１３】前記金属層（１３５）は、ｃ−Ｔｉ／Ａ
ｌの積層型層を含むことを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項１４】前記金属層は、ロッキングカーブの半値
全幅が４．５°以下となるよう堆積されることを特徴と
する請求項１記載の方法。 - 【請求項１５】前記ピエゾ電子材料は、ロッキングカー
ブの半値全幅が３．５°以下となるよう堆積されること
を特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項１６】（Ａ） 基板（１１０）上に堆積された
ブラグスタック（１２５）の上に少なくとも１つの金属
層（１３５）を堆積するステップと、 前記金属層は、ロッキングカーブの半値全幅が４．５°
以下であり、 （Ｂ） 前記金属層（１３５）の上にピエゾ電子材料層
（１２０）を堆積するステップとを有し、 これによりピエゾ電子材料層（１２０）のテキスチャの
ロッキングカーブの半値全幅は３．５°以下となること
を特徴とする金属層の上にピエゾ電子材料層が堆積され
た共振器デバイスを製造する方法。 - 【請求項１７】（Ａ） 基板（１１０）上にブラグスタ
ック（１２５）を堆積するステップと、 （Ｂ） 前記ブラグスタック（１２５）の上部表面を研
磨するステップと、 （Ｃ） 前記ブラグスタック（１２５）の上にテキスチ
ャード金属層（１３５）を堆積するステップと前記テキ
スチャード金属層の表面粗さは、１５Å（ＲＭＳ）以下
であり、 （Ｄ） 第１電極を形成するために前記テキスチャード
金属層をパターン化するステップと、 （Ｅ） スパッタリングにより前記電極（１３５）の上
にピエゾ電子材料層（１２０）を堆積するステップと、
を有し、 前記ピエゾ電子材料のテキスチャは、格子整合の無いテ
キスチャード金属層ののロッキングカーブの半値全幅の
値により決定される、 （Ｆ） 第２電極（１３０）を形成するために前記ピエ
ゾ電子材料層（１２０）の上に金属を堆積するステップ
とことを特徴とする共振器デバイスの製造方法。 - 【請求項１８】前記金属層の表面粗さは、前記金属層の
ロッキングカーブの半値全幅が０．２から１１°の範囲
にあることを特徴とする請求項１７記載の方法。 - 【請求項１９】前記ブラグスタックの上部表面は研磨さ
れ、その結果根平均二乗の表面粗さは、３Å以下である
ことを特徴とする請求項１４記載の方法。 - 【請求項２０】請求項１の方法により製造されたピエゾ
電子層を有する共振器デバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/502868 | 2000-02-11 | ||
| US09/502,868 US6329305B1 (en) | 2000-02-11 | 2000-02-11 | Method for producing devices having piezoelectric films |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001313535A true JP2001313535A (ja) | 2001-11-09 |
| JP4917711B2 JP4917711B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=23999743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001032114A Expired - Fee Related JP4917711B2 (ja) | 2000-02-11 | 2001-02-08 | 金属層の上にピエゾ電子材料層が堆積された電子デバイスを製造する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6329305B1 (ja) |
| EP (1) | EP1124269B1 (ja) |
| JP (1) | JP4917711B2 (ja) |
| KR (1) | KR100859674B1 (ja) |
| DE (1) | DE60143682D1 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093549A1 (fr) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Ube Electronics, Ltd. | Resonateur acoustique a film mince et son procede de fabrication |
| JP2004048639A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法等 |
| JP2004221622A (ja) * | 2002-01-08 | 2004-08-05 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法 |
| JP2005110230A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜バルク音響共振器、その製造方法、フィルタ、複合電子部品および通信機器 |
| JP2005136115A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Tdk Corp | 電子デバイス及びその製造方法 |
| US6906451B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator |
| JP2005252069A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Tdk Corp | 電子デバイス及びその製造方法 |
| JP2005295786A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-10-20 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射装置 |
| JP2006186833A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP2006186831A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電薄膜デバイス及びその製造方法 |
| US7109637B2 (en) | 2003-07-09 | 2006-09-19 | Tdk Corporation | Thin-film bulk acoustic oscillator and method of manufacturing same |
| US7463117B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film bulk acoustic-wave resonator (FBAR), filter implemented by FBARs and method for manufacturing FBAR |
| JP2011061867A (ja) * | 2003-04-10 | 2011-03-24 | Aviza Technology Ltd | 層のスタック堆積方法、共振器の形成方法、および、圧電層の堆積方法 |
| JP2016029430A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376971B1 (en) * | 1997-02-07 | 2002-04-23 | Sri International | Electroactive polymer electrodes |
| US6953977B2 (en) | 2000-02-08 | 2005-10-11 | Boston Microsystems, Inc. | Micromechanical piezoelectric device |
| US6329305B1 (en) * | 2000-02-11 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for producing devices having piezoelectric films |
| DE10035421A1 (de) * | 2000-07-20 | 2002-02-07 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Schichtenfolge zum ineinander Umwandeln von akustischen oder thermischen Signalen und elektrischen Spannungsänderungen |
| JP2005500778A (ja) * | 2001-08-14 | 2005-01-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | バルク音響波共振器を用いるフィルタ装置 |
| KR20030032401A (ko) * | 2001-10-18 | 2003-04-26 | 한국쌍신전기주식회사 | 압전박막형 공진기 및 그 제조방법 |
| US20040164291A1 (en) * | 2002-12-18 | 2004-08-26 | Xingwu Wang | Nanoelectrical compositions |
| KR20020029882A (ko) * | 2002-03-02 | 2002-04-20 | 주식회사 에이엔티 | 엘시엠피 공정법에 의한 탄성파소자의 제작방법 |
| US6740588B1 (en) * | 2002-03-29 | 2004-05-25 | Silicon Magnetic Systems | Smooth metal semiconductor surface and method for making the same |
| JP2004072715A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子、圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品 |
| US7276994B2 (en) * | 2002-05-23 | 2007-10-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter |
| JP4240445B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2009-03-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子とその製造方法 |
| US6944922B2 (en) | 2002-08-13 | 2005-09-20 | Trikon Technologies Limited | Method of forming an acoustic resonator |
| JP3947443B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-07-18 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子デバイス用基板および電子デバイス |
| KR100483340B1 (ko) * | 2002-10-22 | 2005-04-15 | 쌍신전자통신주식회사 | 체적탄성파 소자 및 그 제조방법 |
| DE10301261B4 (de) * | 2003-01-15 | 2018-03-22 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
| US7227292B2 (en) | 2003-04-10 | 2007-06-05 | Aviza Technologies, Inc. | Methods of depositing piezoelectric films |
| DE102004026654B4 (de) * | 2004-06-01 | 2009-07-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanisches HF-Schaltelement sowie Verfahren zur Herstellung |
| US7450352B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-11-11 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Fabrication of magnetic tunnel junctions with epitaxial and textured ferromagnetic layers |
| WO2009006318A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Artificial Muscle, Inc. | Electroactive polymer transducers for sensory feedback applications |
| EP2239793A1 (de) | 2009-04-11 | 2010-10-13 | Bayer MaterialScience AG | Elektrisch schaltbarer Polymerfilmaufbau und dessen Verwendung |
| JP2012015304A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
| US9553254B2 (en) | 2011-03-01 | 2017-01-24 | Parker-Hannifin Corporation | Automated manufacturing processes for producing deformable polymer devices and films |
| CN103703404A (zh) | 2011-03-22 | 2014-04-02 | 拜耳知识产权有限责任公司 | 电活化聚合物致动器双凸透镜系统 |
| EP2828901B1 (en) | 2012-03-21 | 2017-01-04 | Parker Hannifin Corporation | Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices |
| US9761790B2 (en) | 2012-06-18 | 2017-09-12 | Parker-Hannifin Corporation | Stretch frame for stretching process |
| US9590193B2 (en) | 2012-10-24 | 2017-03-07 | Parker-Hannifin Corporation | Polymer diode |
| US10069472B2 (en) | 2015-04-10 | 2018-09-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator and filter including the same |
| KR101901696B1 (ko) * | 2015-04-10 | 2018-09-28 | 삼성전기 주식회사 | 체적 음향 공진기 및 이를 포함하는 필터 |
| CN109160485B (zh) * | 2018-08-09 | 2020-09-15 | 南京邮电大学 | 一种声栅-反射面压电超声能量收集器及其制备方法 |
| KR20200076125A (ko) | 2018-12-19 | 2020-06-29 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기 |
| US11990885B2 (en) * | 2021-06-29 | 2024-05-21 | Qorvo Us, Inc. | Method for manufacturing acoustic devices with improved performance |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295181A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-10-21 | Motorola Inc | 周波数選択構成要素 |
| JPH08148968A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
| JPH11260835A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-09-24 | Tdk Corp | 電子デバイス用基板 |
| EP0963040A2 (en) * | 1998-06-02 | 1999-12-08 | Hewlett-Packard Company | Acoustic resonator and method for making the same |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692653A (en) * | 1984-03-23 | 1987-09-08 | Hitachi, Ltd. | Acoustic transducers utilizing ZnO thin film |
| JPH06350371A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電デバイスの製造方法 |
| US5741961A (en) * | 1993-08-18 | 1998-04-21 | Sandia Corporation | Quartz resonator fluid density and viscosity monitor |
| US5867074A (en) | 1994-03-02 | 1999-02-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave resonator unit, surface mounting type surface acoustic wave resonator unit |
| WO1995027318A1 (fr) | 1994-03-31 | 1995-10-12 | Nihon Dengyo Kosaku Co., Ltd. | Cavite resonante et filtre utilisant cet element |
| US5903087A (en) * | 1997-06-05 | 1999-05-11 | Motorola Inc. | Electrode edge wave patterns for piezoelectric resonator |
| US5936150A (en) * | 1998-04-13 | 1999-08-10 | Rockwell Science Center, Llc | Thin film resonant chemical sensor with resonant acoustic isolator |
| US6329305B1 (en) * | 2000-02-11 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for producing devices having piezoelectric films |
| US6342134B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-01-29 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for producing piezoelectric films with rotating magnetron sputtering system |
| KR100963040B1 (ko) * | 2009-08-06 | 2010-06-10 | 이용규 | 건설용 가설재 파이프 이송장치 |
-
2000
- 2000-02-11 US US09/502,868 patent/US6329305B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-29 EP EP01300740A patent/EP1124269B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-01-29 DE DE60143682T patent/DE60143682D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-08 JP JP2001032114A patent/JP4917711B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-12 KR KR1020010006759A patent/KR100859674B1/ko active IP Right Grant
- 2001-05-21 US US09/861,839 patent/US6475931B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295181A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-10-21 | Motorola Inc | 周波数選択構成要素 |
| JPH08148968A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
| JPH11260835A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-09-24 | Tdk Corp | 電子デバイス用基板 |
| EP0963040A2 (en) * | 1998-06-02 | 1999-12-08 | Hewlett-Packard Company | Acoustic resonator and method for making the same |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842088B2 (en) | 2001-05-11 | 2005-01-11 | Ube Industries, Ltd. | Thin film acoustic resonator and method of producing the same |
| WO2002093549A1 (fr) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Ube Electronics, Ltd. | Resonateur acoustique a film mince et son procede de fabrication |
| KR100799391B1 (ko) | 2001-05-11 | 2008-01-30 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 박막 음향공진기 및 그 제조방법 |
| JP2004221622A (ja) * | 2002-01-08 | 2004-08-05 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子、圧電フィルタ、デュプレクサ、通信装置および圧電共振子の製造方法 |
| US6906451B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator |
| US7240410B2 (en) | 2002-01-08 | 2007-07-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing a piezoelectric resonator |
| JP2004048639A (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及びその製造方法等 |
| JP2011061867A (ja) * | 2003-04-10 | 2011-03-24 | Aviza Technology Ltd | 層のスタック堆積方法、共振器の形成方法、および、圧電層の堆積方法 |
| US7109637B2 (en) | 2003-07-09 | 2006-09-19 | Tdk Corporation | Thin-film bulk acoustic oscillator and method of manufacturing same |
| JP2005110230A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜バルク音響共振器、その製造方法、フィルタ、複合電子部品および通信機器 |
| JP4657660B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2011-03-23 | パナソニック株式会社 | 薄膜バルク音響共振器、その製造方法、フィルタ、複合電子部品および通信機器 |
| JP2005136115A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Tdk Corp | 電子デバイス及びその製造方法 |
| US7105880B2 (en) | 2004-03-05 | 2006-09-12 | Tdk Corporation | Electronic device and method of fabricating the same |
| JP2005252069A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Tdk Corp | 電子デバイス及びその製造方法 |
| JP4737375B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2011-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | アクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法並びに液体噴射装置の製造方法 |
| JP2005295786A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-10-20 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射装置 |
| US7463117B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film bulk acoustic-wave resonator (FBAR), filter implemented by FBARs and method for manufacturing FBAR |
| JP2006186831A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP4693407B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2011-06-01 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP2006186833A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP2016029430A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1124269B1 (en) | 2010-12-22 |
| US6329305B1 (en) | 2001-12-11 |
| DE60143682D1 (de) | 2011-02-03 |
| KR100859674B1 (ko) | 2008-09-23 |
| US6475931B2 (en) | 2002-11-05 |
| KR20010082140A (ko) | 2001-08-29 |
| EP1124269A3 (en) | 2005-04-06 |
| JP4917711B2 (ja) | 2012-04-18 |
| EP1124269A2 (en) | 2001-08-16 |
| US20010026981A1 (en) | 2001-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4917711B2 (ja) | 金属層の上にピエゾ電子材料層が堆積された電子デバイスを製造する方法 | |
| US7105880B2 (en) | Electronic device and method of fabricating the same | |
| KR100799391B1 (ko) | 박막 음향공진기 및 그 제조방법 | |
| US7802349B2 (en) | Manufacturing process for thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filters | |
| CN100499365C (zh) | 薄膜体波谐振器 | |
| JP4756461B2 (ja) | 窒化アルミニウム薄膜およびそれを用いた圧電薄膜共振子 | |
| JP4688070B2 (ja) | 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 | |
| WO2002009160A2 (en) | Piezoelectric structures for acoustic wave devices and manufacturing processes | |
| JP2004312657A (ja) | 薄膜バルク音響共振器素子及びその製造方法 | |
| EP1124328A1 (en) | A method of fabricating a zinc oxide based resonator | |
| JP2002372974A (ja) | 薄膜音響共振器及びその製造方法 | |
| JPH10270978A (ja) | 表面弾性波素子及びその製造方法 | |
| JP3838359B2 (ja) | 音響信号または熱信号と電圧変化とを互いに変換するための層配列を備えた半導体素子、および、その製造方法 | |
| JP4186685B2 (ja) | 窒化アルミニウム薄膜及びそれを用いた圧電薄膜共振子 | |
| JP4730383B2 (ja) | 薄膜音響共振器及びその製造方法 | |
| US7436051B2 (en) | Component for fabricating an electronic device and method of fabricating an electronic device | |
| Lanz | Piezoelectric thin films for bulk acoustic wave resonator applications: from processing to microwave filters | |
| Wei et al. | Solidly mounted resonators consisting of a molybdenum and titanium Bragg reflector | |
| CN112953441B (zh) | 谐振器和谐振器的制造方法 | |
| TWI833158B (zh) | 聲波共振器 | |
| TW202404137A (zh) | 絕緣體上壓電（ｐｏｉ）底材及其製作方法 | |
| JP5096695B2 (ja) | 薄膜音響共振器 | |
| JP2005233981A (ja) | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20010604 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20010604 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20020411 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080206 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101101 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110201 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110204 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110502 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110502 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110530 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110830 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110902 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120105 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120127 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |