JP2016029430A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質の高い電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】基板と、基板の一方の面に基板と離間するように配置された複数の膜からなるミラー１０２と、基板とミラー１０２との間に配置され、ミラー１０２を支持するようにミラー１０２の一部と接続された部分を有する支持部１０５と、を備え、ミラー１０２は、ミラー１０２の基板と反対側に配置された反射金属膜である第３ミラー膜１０２ｃと、反射金属膜と基板との間に配置された高融点金属膜である第２ミラー膜１０２ｂと、高融点金属膜と基板との間に配置された酸化防止膜である第１ミラー膜１０２ａと、を備える。【選択図】図５

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。

上記電子機器として、例えば、光源から射出された光を、ＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）と呼ばれる電気光学装置としての光偏向装置に集光させ、投射光学系によって拡大投射することにより、スクリーン上にカラー表示させているプロジェクターが知られている。

光偏向装置は、複数のマイクロミラーがマトリクス状に配列されたものである。マイクロミラーの表面には、反射性を有する金属膜が配置されている。そして、光源から射出された光をマイクロミラーで反射することにより画像を表示する。光偏向装置は、光源から射出される青色光、緑色光、赤色光を順次変調する。

しかし、反射性を有する金属膜（例えば、アルミニウム）の表面が凸凹していることにより、散乱光が発生し、輝度が低下するという問題があった。そこで、例えば、特許文献１に記載のように、アルミニウムのマイグレーションが抑制される金属膜（例えば、チタン）の上にアルミニウムを形成することにより、膜厚を均一にして平滑な反射面にしている技術が開示されている。

特開２００３−２１７９４号公報

しかしながら、チタンのような金属膜は、大気中に晒されることにより酸化する。これにより、チタンに酸化膜が形成され、マイクロミラーに反りが発生し、反射率が低下する。その結果、輝度が低下するという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の一方の面に前記基板と離間するように配置された複数の膜からなるミラーと、前記基板と前記ミラーとの間に配置され、前記ミラーを支持するように前記ミラーの一部と接続された部分を有する支持部と、を備え、前記ミラーは、前記ミラーの前記基板と反対側に配置された反射金属膜と、前記反射金属膜と前記基板との間に配置された高融点金属膜と、前記高融点金属膜と前記基板との間に配置された酸化防止膜と、を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、高融点金属膜の上に反射金属膜が配置されているので、例えば、これら２つの膜が重なる部分の格子面間隔の間隔差を小さくすることが可能となり、最上層の膜である反射金属膜の表面を平担にすることができる。その結果、反射率を向上させることが可能となり、輝度を向上させることができる。また、反射金属膜と酸化防止膜とによって高融点金属膜を挟んでいるので、これらの膜で構成されるミラーを大気中に晒した場合でも、高融点金属膜に酸化膜が形成されることを抑えることができる。その結果、ミラーに反りが発生することを抑えることができる。その結果、輝度を向上させることができる。

［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記高融点金属膜は、チタン又は窒化チタンであることが好ましい。

本適用例によれば、高融点金属膜がチタンや窒化チタンであり、下地膜に影響されることなく結晶の面方位が（００２）になり、その上に配置した反射金属膜との格子面間隔の差が小さいので、反射金属膜の表面に凹凸が発生することを抑えることができる。

［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射金属膜は、アルミニウムであることが好ましい。

本適用例によれば、反射金属膜がアルミニウムであるので、ミラーに集光する光を効率よく反射させることができる。また、高融点金属膜の結晶の面方位が（００２）である場合、格子面間隔の差が小さいので、その上に配置するアルミニウムの結晶の面方位を（１１１）にすることができる。よって、反射金属膜の表面に凹凸ができることを抑えることができる。

［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記酸化防止膜は、アルミニウム又は窒化チタンであることが好ましい。

本適用例によれば、アルミニウム又は窒化チタンを酸化防止膜として高融点金属膜の下地に配置するので、チタンが露出することを抑えることができる。よって、ミラーを構成する、特にチタンが酸化することを抑えることが可能となり、ミラーに反りが発生することを抑えることができる。また、酸化防止膜としてアルミニウムを用いることにより、反射金属膜と同じ材料であることから、上下バランスよく酸化され、反りが発生しにくい。一方、酸化防止膜として窒化チタンを用いることにより、窒化チタンが酸化しにくいことから、窒化チタン膜を薄くすることが可能となり、ミラーの動作をしやすくすることができる。

［適用例５］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板の一方の面に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層にコンタクトホールを形成する工程と、前記犠牲層の前記基板と反対側の面及び前記コンタクトホールの開口部に酸化防止膜を形成する工程と、前記酸化防止膜の前記基板と反対側の面に高融点金属膜を形成する工程と、前記高融点金属膜の前記基板と反対側の面に反射金属膜を形成する工程と、前記酸化防止膜、前記高融点金属膜、及び前記反射金属膜をパターニングしてミラーを形成する工程と、前記犠牲層を除去する工程と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、高融点金属膜の上に反射金属膜を形成するので、例えば、２つの膜が重なる部分の格子面間隔の間隔差を小さくすることが可能となり、最上層の膜である反射金属膜の表面を平担にすることができる。その結果、反射率を向上させることが可能となり、輝度を向上させることができる。また、反射金属膜と酸化防止膜とによって高融点金属膜を挟んで形成するので、これの膜で構成されるミラーを大気中に晒した場合でも（フッ素ガスを用いた場合でも）、高融点金属膜に酸化膜が形成されることを抑えることができる。その結果、ミラーに反りが発生することを抑えることができる。その結果、輝度を向上させることができる。

［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記ミラーを形成する工程よりも後の工程において、フッ素ガスを用いる工程を有することが好ましい。

本適用例によれば、フッ素ガスを用いた場合でも、高融点金属膜が反射金属膜と酸化防止膜とによって挟まれて積層されているので、高融点金属膜にダメージが加わることを抑えることができる。

［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記高融点金属膜は、チタン又は窒化チタンであることが好ましい。

本適用例によれば、高融点金属膜がチタンや窒化チタンであり、下地膜に影響されることなく結晶の面方位が（００２）になり、その上に形成した反射金属膜との格子面間隔の差が小さいので、反射金属膜の表面に凹凸が発生することを抑えることができる。

［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記反射金属膜は、アルミニウムであることが好ましい。

本適用例によれば、反射金属膜がアルミニウムであるので、ミラーに集光する光を効率よく反射させることができる。また、高融点金属膜の結晶の面方位が（００２）であり、格子面間隔の差が小さくなるので、その上に形成するアルミニウムの結晶の面方位を（１１１）にすることができる。よって、反射金属膜の表面に凹凸ができることを抑えることができる。

［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記酸化防止膜は、アルミニウム又は窒化チタンであることが好ましい。

本適用例によれば、アルミニウム又は窒化チタンを酸化防止膜として高融点金属膜の下地に形成するので、チタンが露出することを抑えることができる。よって、ミラーを構成する、特にチタンが酸化することを抑えることが可能となり、ミラーに反りが発生することを抑えることができる。また、酸化防止膜としてアルミニウムを用いることにより、反射金属膜と同じ材料であることから、上下バランスよく酸化され、反りが発生しにくい。一方、酸化防止膜として窒化チタンを用いることにより、窒化チタンが酸化しにくいことから、窒化チタン膜を薄くすることが可能となり、ミラーの動作をしやすくすることができる。

［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

電子機器としてのプロジェクターの光学系を示す模式図。 電気光学装置としての光偏向装置の構成を示す模式図。 図２に示す光偏向装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図であると共に、光偏向装置のミラーの動作を示す模式断面図。 図２に示す光偏向装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図であると共に、光偏向装置のミラーの動作を示す模式断面図。 光偏向装置のうちミラーの構成を示す模式断面図。 光偏向装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。 光偏向装置の製造方法のうち一部を工程順に示す模式断面図。 光偏向装置の製造方法のうち一部を工程順に示す模式断面図。 変形例の光偏向装置のミラーを拡大して示す拡大断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

＜電子機器としてのプロジェクターの構成＞
図１は、電子機器としてのプロジェクターの光学系を示す模式図である。以下、プロジェクターの光学系を、図１を参照しながら説明する。

図１に示すように、プロジェクター１０００は、光源装置１００２と、光源装置１００２から射出された光を画像情報に応じて変調する光偏向装置１００と、光偏向装置１００からの変調光を投写画像として投写する投写光学系１００４と、を具備して構成されている。

光源装置１００２は、発光素子１０２０と、蛍光体基板１０３０と、を備えている。光源装置１００２は、青色のレーザー光（発光強度のピーク：例えば、約４４５ｎｍ）を射出するレーザー光源である。発光素子１０２０から射出されるレーザー光の光路上には、蛍光体基板１０３０、が配置されている。

なお、発光素子１０２０は、後述する蛍光物質を励起させることができる波長の光であれば、４４５ｎｍ以外のピーク波長を有する色光を射出する励起光源であっても構わない。また、投写画像を明るくする方法として、３つの光偏向装置を用いるようにしてもよい。

＜電気光学装置としての光偏向装置の構成＞
図２は、電気光学装置としての光偏向装置の構成を示す模式図である。図３及び図４は、図２に示す光偏向装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図であると共に、光偏向装置のミラーの動作を示す模式断面図である。以下、光偏向装置の構成及び動作を、図２〜図４を参照しながら説明する。

図２に示すように、光偏向装置（ＤＭＤ）１００は、基板としてのウエハ基板３００の上方に、ヒンジ１０６、支柱１０５（これら図３参照）を介してミラー１０２がマトリクス状に支持されている。ウエハ基板３００は、例えば、シリコン基板である。ミラー１０２の表面には、光を反射するための反射金属膜が形成されている。反射金属膜としては、例えば、アルミニウムが挙げられる。

図３に示すように、本実施形態の光偏向装置１００は、制御回路を含む底部１０と、電極２０２、ヒンジ１０６を備えた中間部２０と、埋め込みトーションヒンジ及びキャビティーを備えたミラー１０２によって覆われる上部３０と、の３つの主要な部分を備えている。

底部１０は、光偏向装置１００の各ミラー１０２の動作を選択的に制御するための、アドレス指定回路を備えたウエハ基板３００を有する。アドレス指定回路は、通信信号のためのメモリセルと、ワード線／ビット線の配線とを備える。ウエハ基板３００上の電気的なアドレス指定回路は、標準的ＣＭＯＳ技術を使用して組み立てることが可能であり、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）に類似している。

中間部２０は、電極２０２、ヒンジ１０６、及び支柱１０５によって構成される。電極２０２は、角度交差遷移の間の静電トルクの容量結合効率を向上させるように設計されている。ミラー１０２は、電極２０２の静電力によって、一方の電極２０２に引き寄せられる。また、ヒンジ１０６は、ミラー１０２が電極２０２に引き寄せられたときねじれ、電極２０２に電圧が印加されていないとき、ねじれが戻るようになっている。静電引力は、ミラー１０２と電極２０２との間の２乗に反比例するので、この影響は、ミラー１０２をそのランディング位置で傾斜させたときに明白になる。

上部３０は、上面に平坦な反射金属膜としての第３ミラー膜１０２ｃを備えた積層膜で構成されたミラー１０２によって覆われる。ミラー１０２のヒンジ１０６は、ミラー１０２の一部になるように形成される。また、ミラー１０２の下側には、最小距離を保持して所定の角度を回転するだけの間隙が与えられる。

図３は、照明光源４０１からの指向性光４１１が入射角θ１を形成するときの、本発明の一実施態様に基づく光偏向装置１００の一部分の断面図を示す。光偏向装置１００を通常の方向で測定したとき、偏向光４１２は角度θｏを有する。デジタル動作モードにおいて、この構成を一般的に「オン」の位置と呼ぶ。

図４は、ミラー１０２が、ヒンジ１０６の反対側の下の別の電極２０２に向かって回転される間の、光偏向装置１００の同じ部分の断面図を示す。指向性光４１１及び偏向光４１２は、より大きな角度θ１およびθｏを成す。偏向光４１２は、光吸収装置４０２の方へ射出する。

図５は、光偏向装置のうちミラーの構成を示す模式断面図である。以下、ミラーの構成を、図５を参照しながら説明する。

図５に示すように、ミラー１０２は、３つの材料が積層されて構成されている。ミラー１０２は、下層側から酸化防止膜としての第１ミラー膜１０２ａ、次に高融点金属膜としての第２ミラー膜１０２ｂ、最上位層は反射金属膜としての第３ミラー膜１０２ｃが積層されている。

第１ミラー膜１０２ａの材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を挙げることができる。第２ミラー膜１０２ｂの材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）や窒化チタン（ＴｉＮ）を挙げることができる。第３ミラー膜１０２ｃの材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を挙げることができる。なお、アルミニウム（Ａｌ）に代えて、アルミニウム合金を用いるようにしてもよい。

チタンの結晶の面方位は、（００２）である。チタンの格子面間隔は、２．３４２Ａである。アルミニウムの結晶の面方位は、（１１１）である。アルミニウムの格子面間隔は、２．３３８Ａである。両者の差は０．００６Ａであり非常に小さいので、チタンの上にアルミニウムを成膜することができる。

第１ミラー膜１０２ａの厚みは、例えば、１３００Åである。第２ミラー膜１０２ｂの厚みは、例えば、２００Åである。第３ミラー膜１０２ｃの厚みは、例えば、１０００Åである。

このように、アルミニウムの膜厚が１０００Å〜１３００Å程度あることにより、アルミニウムの表面が酸化された場合でも、表面の酸化に留めておくことが可能となり、酸化の影響を受けにくくすることができる。

このような構成のミラー１０２によれば、高融点金属膜としての第２ミラー膜１０２ｂの上に反射金属膜としての第３ミラー膜１０２ｃが形成されているので、第１格子面間隔の高融点金属膜と、第２格子面間隔の反射金属膜との間隔差を小さくすることが可能となる。その結果、第２ミラー膜１０２ｂの上に形成された第３ミラー膜１０２ｃの表面を平担にすることができる。

＜電気光学装置の製造方法＞
図６は、電気光学装置としての光偏向装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図７及び図８は、光偏向装置の製造方法のうち一部を工程順に示す模式断面図である。以下、光偏向装置の製造方法を、図６〜図８を参照しながら説明する。

まず、ステップＳ１１では、底部１０を形成する。具体的には、図７（ａ）に示すように、公知の方法を用いて、ウエハ基板３００に制御回路（図示せず）を形成する。その後、第１犠牲層６０１をウエハ基板３００表面に堆積させる。第１犠牲層６０１は、フォトレジストのスピンコートまたは有機ポリマーのＰＥＣＶＤとすることができる。第１犠牲層６０１は、一連の熱およびプラズマ処理によって硬化させ、材料の構造をポリマーの疎水性状態から親水性状態に変質させる。

次に、第１犠牲層６０１の上に電極２０２やヒンジ１０６などを形成する。電極２０２やヒンジ１０６は、例えば、公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術などを用いて形成する。

ステップＳ１２では、中間部２０を形成する。具体的には、図７（ｂ）に示すように、１μｍ程度の厚みの第２犠牲層６０２を第１犠牲層６０１の上に堆積させる。第２犠牲層６０２は、上記第１犠牲層６０１と同様に形成する。この第２犠牲層６０２の厚みが、ヒンジ１０６上のミラー１０２の高さを決定する。

ステップＳ１３では、上部３０を構成する第１ミラー膜１０２ａを形成する。具体的には、まず、図７（ｃ）に示すように、第２犠牲層６０２に開口部６０３を形成する。開口部６０３の形成方法は、例えば、マスクを用いたエッチング法を挙げることができる。これにより、ヒンジ１０６の表面が露出する。

次に、図７（ｄ）に示す工程では、第２犠牲層６０２の表面から開口部６０３の内壁に亘って、第１ミラー膜１０２ａを成膜する。第１ミラー膜１０２ａは、上記したように、アルミニウムである。第１ミラー膜１０２ａの厚みは、例えば、１３００Åである。

ステップＳ１４では、第２ミラー膜１０２ｂを形成する。具体的には、図８（ａ）に示すように、第２ミラー膜１０２ｂをチタン（Ｔｉ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）で形成する。形成方法としては、例えば、指向性スパッタを用いることができる。厚みは、例えば、２００Åである。

ステップＳ１５では、第３ミラー膜１０２ｃを形成する。具体的には、図８（ｂ）に示すように、第２ミラー膜１０２ｂ上に、アルミニウム（Ａｌ）からなる第３ミラー膜１０２ｃを形成する。第３ミラー膜１０２ｃの厚みは、例えば、１０００Åである。成膜方法は、例えば、スパッタ法である。

ステップＳ１６では、犠牲層（６０１，６０２）を除去して、ミラー１０２を完成させる。まず、ミラー膜１０２ａ〜１０２ｃをパターニングして個々のミラー１０２に分離する。その後、図８（ｃ）に示すように、第１犠牲層６０１及び第２犠牲層６０２を、例えば、フッ素ガスを用いて除去する。

このように、第２ミラー膜１０２ｂであるチタンを、第１ミラー膜１０２ａ及び第３ミラー膜１０２ｃであるアルミニウムで挟むことにより、犠牲層６０１，６０２を除去する際、チタンにダメージが加わらずに（例えば、酸化チタンとならずに）フッ素系のガスや薬液を使うことができる。これにより、プロセスの自由度が向上する。

また、アルミニウムの膜厚を厚くするだけでも、反射率が向上する。しかし、チタンを下地にしたアルミニウムだと、アルミニウムの膜厚が薄くても十分な反射率が得られる。つまり、厚いアルミニウムに匹敵する効果を得ることができる。

また、膜厚が薄いということは、膜を形成しやすい。よって、生産上のメリットがある。更に、膜厚のばらつきも少なくなる。加えて、膜厚が薄いことにより、重量が軽くなり、ミラー１０２の高速動作が可能となり、例えば、画素を増やすことができ高解像度化を実現することができる。

従来は、アルミニウムの下地にＳｉＯ₂やポリマーなどが配置されていた。これによれば、ＳｉＯ₂やポリマーのように、面方位がないと、ランダムな方向を向いてしまう。しかしながら、本実施形態のように、アルミニウムの下地に（００２）の面方位をもつチタンを形成することにより、その上のアルミニウムの面方位が（１１１）面で形成される。チタンは、下地に関わらず、（００２）面方位になる材料である。

具体的には、チタンは（００２）面に配向しやすい。アルミニウムは（１１１）面に配向しやすい。格子面間隔が、チタンの（００２）面と、アルミニウムの（１１１）面とが近いので、アルミニウムの（１１１）面に向く。また、格子面間隔が近いので、チタンの原子がマイグレーションすることを抑えることができる。また、格子乗数が似ているので、化学的に安定させることができる。

また、ミラー１０２が第２ミラー膜１０２ｂ及び第３ミラー膜１０２ｃで構成されていた場合、第２ミラー膜１０２ｂが酸化した際に格子面間隔が広がってしまい、ミラー１０２に反りが発生する恐れがある。

しかしながら、アルミニウムの間にチタンを挟むことにより、アルミニウムの表面の凸凹が抑制され、更に、チタンの下層にアルミニウムが配置され、チタンが剥き出しになっていないので、チタンの下側が酸化されずに、ミラーを電気的に動作させることができる。

また、本実施形態のように、ミラー１０２が第１ミラー膜１０２ａ〜第３ミラー膜１０２ｃの３層で構成されている場合、第２ミラー膜１０２ｂの酸化は、上下に膜があるので、ミラー１０２の端部のみが酸化してミラー１０２外周部の厚みが変わる。よって、ミラー１０２としての機能が低下することを少なくすることができる。

また、第１ミラー膜１０２ａ及び第３ミラー膜１０２ｃがアルミニウムで形成されていることから、アルミニウムの表面が酸化される恐れがある。しかしながら、２つとも同じ材料であるので、上下均等に酸化されることとなり、ミラー１０２に反りが発生することを抑えることができる。以上により、光偏向装置１００が完成する。

以上詳述したように、本実施形態の光偏向装置１００、及び光偏向装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態の光偏向装置１００、及び光偏向装置１００の製造方法によれば、チタン（結晶の面方位（００２））又は窒化チタンである第２ミラー膜１０２ｂの上に、アルミニウム（結晶の面方位（１１１））である第３ミラー膜１０２ｃを形成するので、例えば、上下に重なる部分の格子面間隔差を小さくすることが可能となり、最上層の膜である第３ミラー膜１０２ｃの表面を平担にすることができる。その結果、反射率を向上させることが可能となり、輝度を向上させることができる。また、第２ミラー膜１０２ｂであるチタン又は窒化チタンを、第１ミラー膜１０２ａ及び第３ミラー膜１０２ｃであるアルミニウムで挟んでいるので、ミラー１０２を大気中に晒した場合でも（フッ素ガスと接触させた場合でも）、チタンに酸化膜が形成される量を少なくすることができる。その結果、ミラーに反りが発生することを抑えることができる。その結果、輝度を向上させることができる。

（２）本実施形態の光偏向装置１００、及び光偏向装置１００の製造方法によれば、チタン又は窒化チタンで形成される第２ミラー膜１０２ｂを、アルミニウムで形成される第１ミラー膜１０２ａ及び第３ミラー膜１０２ｃで挟んでいるので、第１ミラー膜１０２ａ及び第３ミラー膜１０２ｃに酸化膜が形成された場合でも、下層の第１ミラー膜１０２ａ及び上層の第３ミラー膜１０２ｃに略均一の酸化膜が形成される。よって、バランスよく酸化され、ミラー１０２に反りが発生することを抑えることができる。

（３）本実施形態の光偏向装置１００、及び光偏向装置１００の製造方法によれば、アルミニウム又は窒化チタンを第１ミラー膜１０２ａとしてミラー１０２の最下層に形成するので、チタンが露出することを抑えることができる。よって、ミラー１０２が酸化することを抑えることが可能となり、ミラー１０２に反りが発生することを抑えることができる。

（４）本実施形態のプロジェクター１０００によれば、上記の光偏向装置１００を備えているので、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、ミラー１０２は、下層側からアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）（又は窒化チタン（ＴｉＮ））、アルミニウム（Ａｌ）の積層膜であることに限定されず、例えば、以下に示す構成でもよい。図９は、変形例の光偏向装置のミラー５０２を拡大して示す拡大断面図である。

図９に示すミラー５０２は、下層側から窒化チタン（ＴｉＮ）で形成された第１ミラー膜５０２ａ、チタン（Ｔｉ）で形成された第２ミラー膜５０２ｂ、アルミニウム（Ａｌ）で形成された第３ミラー膜５０２ｃの積層膜で構成されている。

第１ミラー膜５０２ａの厚みは、例えば、２００Å〜１３００Åである。第２ミラー膜５０２ｂの厚みは、例えば、２００Åである。第３ミラー膜５０２ｃの厚みは、例えば、１３００Åである。

これによれば、窒化チタンで形成される第１ミラー膜５０２ａ上に、チタンで形成される第２ミラー膜５０２ｂを配置するので、チタンが酸化されることを抑えることができると共に、第１ミラー膜５０２ａの酸化が抑えられるので、アルミニウムで形成される第１ミラー膜１０２ａと比較して、第１ミラー膜５０２ａの厚みを薄くすることができる。よって、材料が異なることによる酸化した際のバランスが異なるものの、ミラー１０２全体を軽くすることが可能となり、ミラー１０２の動作をさせやすくすることができる。

（変形例２）
上記したように、第２ミラー膜１０２ｂとしてチタンや窒化チタンを用いることに限定されず、例えば、タングステン、Ｔｉタングステン、タングステンシリサイド、モリブデンなどを用いるようにしてもよい。

（変形例３）
上記したように、光偏向装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、モバイルミニプロジェクター、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

１０…底部、２０…中間部、３０…上部、１００…電気光学装置としての光偏向装置、１０２…ミラー、１０２ａ…第１ミラー膜、１０２ｂ…第２ミラー膜、１０２ｃ…第３ミラー膜、１０５…支柱、１０６…ヒンジ、２０２…電極、３００…基板としてのウエハ基板、４０１…照明光源、４０２…光吸収装置、４１１…指向性光、４１２…偏向光、５０２…ミラー、５０２ａ…第１ミラー膜、５０２ｂ…第２ミラー膜、５０２ｃ…第３ミラー膜、６０１…第１犠牲層、６０２…第２犠牲層、６０３…開口部、１０００…電子機器としてのプロジェクター、１００２…光源装置、１００４…投写光学系、１０２０…発光素子、１０３０…蛍光体基板。

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板の一方の面に前記基板と離間するように配置された複数の膜からなるミラーと、
   前記基板と前記ミラーとの間に配置され、前記ミラーを支持するように前記ミラーの一部と接続された部分を有する支持部と、を備え、
   前記ミラーは、
   前記ミラーの前記基板と反対側に配置された反射金属膜と、
   前記反射金属膜と前記基板との間に配置された高融点金属膜と、
   前記高融点金属膜と前記基板との間に配置された酸化防止膜と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置であって、
   前記高融点金属膜は、チタン又は窒化チタンであることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
   前記反射金属膜は、アルミニウムであることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
   前記酸化防止膜は、アルミニウム又は窒化チタンであることを特徴とする電気光学装置。
5. 基板の一方の面に犠牲層を形成する工程と、
   前記犠牲層にコンタクトホールを形成する工程と、
   前記犠牲層の前記基板と反対側の面及び前記コンタクトホールの開口部に酸化防止膜を形成する工程と、
   前記酸化防止膜の前記基板と反対側の面に高融点金属膜を形成する工程と、
   前記高融点金属膜の前記基板と反対側の面に反射金属膜を形成する工程と、
   前記酸化防止膜、前記高融点金属膜、及び前記反射金属膜をパターニングしてミラーを形成する工程と、
   前記犠牲層を除去する工程と、
   を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記ミラーを形成する工程よりも後の工程において、フッ素ガスを用いる工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
7. 請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記高融点金属膜は、チタン又は窒化チタンであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
8. 請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記反射金属膜は、アルミニウムであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項５乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記酸化防止膜は、アルミニウム又は窒化チタンであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
10. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

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