JP2001308250A - 熱伝導基板とその製造方法およびパワーモジュール - Google Patents

熱伝導基板とその製造方法およびパワーモジュール

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Seiichi Nakatani
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Abstract

(57)【要約】 【課題】熱伝導基板の絶縁層内部の任意の位置で接地パ
ターンと放熱板を電気的に接続することにより、放熱性
や導電性が高く、アース接続信頼性が高い熱伝導基板と
その製造方法及び小型高密度化が可能なパワーモジュー
ルを提供する。 【解決手段】無機質フィラー70〜95重量%と熱硬化
性樹脂組成物5〜30%からなるシート状の熱伝導樹脂
組成物16と、配線パターンとしてのリードフレーム1
1と、金属柱14を設置した導電性の放熱板13を重ね
合わせ、加熱加圧することでこれらを一体化し、表面が
平坦でかつ接地パターン15を絶縁層12の内部で放熱
板13とアース接続した熱伝導基板とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種半導体装置や
電子部品を搭載する回路基板に関するものであり、特に
パワーエレクトロニクス分野に好適な高放熱性の樹脂基
板(熱伝導基板)およびそれを用いたパワーモジュール
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化の要
求に伴い、半導体の高密度、高機能化が要請されてい
る。これによりそれらを実装するため回路基板もまた小
型高密度なものが望まれている。その結果、回路基板の
放熱を考慮した設計が重要となってきている。回路基板
の放熱性を改良する技術として、従来のガラス−エポキ
シ樹脂によるプリント基板に対し、銅やアルミニウムな
どの金属板を使用し、この金属板の片面もしくは両面に
絶縁層を介して回路パターンを形成する金属ベース基板
が知られている。またより高熱伝導性を要求される場合
は、アルミナや窒化アルミなどのセラミック基板に銅板
をダイレクトに接合した基板が利用されている。比較的
小電力な用途には、金属ベース基板が一般的に利用され
るが、熱伝導を良くするため絶縁層が薄くなければなら
ず、金属ベース間でノイズの影響を受けやすいことと、
絶縁耐圧に課題を有している。
【0003】これらの問題を解決するため、近年樹脂中
に熱伝導性の良いフィラーを充填した組成物を電極であ
るリードフレームと一体化した基板が提案されている。
このような組成物を用いた基板としては、たとえば特開
平10−173097号公報に提案されている。その熱
伝導基板の製造方法を図13に示す。それによると無機
質フィラーと熱硬化性樹脂とを少なくとも含む混合物ス
ラリーを造膜してシート状の熱伝導樹脂組成物16を作
製し、それを乾燥させた後、図13(a)に示すように
リードフレーム11および放熱板13と重ねあわせ、次
いで図13(b)に示すように加熱加圧してシート状の
熱伝導樹脂組成物16を硬化させ絶縁層12とした熱伝
導基板28を作製している。
【0004】このような熱伝導基板、およびそれを用い
たパワーモジュールでは、浮遊容量低減などの電気的要
求から配線パターンの一部を放熱板にアース接続させる
ことが一般的である。その場合、基板の外部で配線パタ
ーンと放熱板を接続することが必要であり、部品実装と
は別の工程が必要になっていた。その場合の放熱板との
接続例を図14に示す。これによると、リードフレーム
11の一部を接地パターン15とし、前記接地パターン
15と放熱板13とにリード29を半田付けしてアース
接続している。なお12は絶縁層である。また外部で配
線パターンと放熱板を接続させるために接地パターンを
基板の周辺部分に配置しなければならず、パターン設計
上の制約条件になり、回路設計の自由度が減少してい
た。さらに、接続させるために基板自体のサイズが大き
くなるという課題を有していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の問題を解決するためになされたものであり、熱伝導
基板の絶縁層内部で接地パターンと放熱板が電気的に接
続されることで、放熱性や導電性が高く、アース接続信
頼性が高い熱伝導基板とその製造方法を提供することを
目的とする。またこの基板を利用して、小型高密度化が
可能なパワーモジュールを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の熱伝導基板は、無機質フィラー70〜95重量
%と少なくとも熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物5〜30
重量%とを含んだ熱伝導樹脂組成物からなる絶縁層と、
導電性を持つ放熱板と、配線パターンとしてのリードフ
レームからなり、前記リードフレームが前記絶縁層と面
一になっている回路基板であり、前記配線パターンと同
一面上の任意の位置に、前記放熱板と前記絶縁層内部で
電気的に接続された接地パターンがあることを特徴とす
る。この構成によれば、接地パターンを配線パターンと
同一平面上の任意の位置に配置することができるため、
パターン設計の自由度が向上する。また絶縁層内部で接
続するため基板サイズを小さくすることが可能になる。
さらに接地パターンは他のパターンと同一平面上にある
ため、部品搭載や接続性の面で有利である。
【0007】次に、本発明の熱伝導基板は、前記接地パ
ターンが前記リードフレームであり、前記接地パターン
と前記放熱板が前記絶縁層内部で電気的に接続されてい
るものである。この場合、リードフレームを接地パター
ンとして使用するため、形状の自由度が大きく、接地パ
ターンへの部品搭載や接続が容易になる。
【0008】次に、本発明の熱伝導基板は、前記接地パ
ターンと前記放熱板が前記絶縁層内部に埋設された金属
柱を介して電気的に接続されているものである。金属柱
を用いることで接続部分が低抵抗になり接続の信頼性が
向上する。またその位置精度が高いことによって接続の
信頼性が向上する。
【0009】次に、本発明の熱伝導基板は、前記接地パ
ターンと前記放熱板が、導電性金属粉末と熱硬化性樹脂
とを少なくとも含んで前記絶縁層中に設けられた導電性
樹脂組成物の硬化物を介して、電気的に接続されている
ものである。この場合も高い精度で電気的接続を得るこ
とができる。
【0010】次に、本発明の熱伝導基板は、前記接地パ
ターンが、平坦な頂上を持つ突起状に加工された前記放
熱板の一部であることを特徴とする。この場合、放熱板
の一部を直接接地パターンとして利用できるので、接続
信頼性が高い。
【0011】次に、本発明の熱伝導基板は、前記接地パ
ターンが、前記放熱板に接続された金属柱の頭頂部であ
ることを特徴とする。この場合、接続用の金属柱をその
まま接地パターンとして利用できる。
【0012】本発明の熱伝導基板は、前記金属柱が、前
記リードフレームもしくは前記放熱板の少なくとも一方
と嵌合されているものである。また、前記金属柱の少な
くとも一方の端が2段の突起になっていることを特徴と
する。
【0013】また、前記金属柱の一方の端が錐状になっ
ており、前記放熱板もしくは前記リードフレームのいず
れかに前記金属柱の前記錐状端が突入していてもよい。
【0014】本発明にかかる熱伝導基板の製造方法は、
放熱板に接続された接地パターンを有する回路基板であ
って、(1)無機質フィラー70〜95重量%と、未硬
化の熱硬化性樹脂を少なくとも含む樹脂組成物5〜30
重量%からなるシート状熱伝導樹脂組成物を用意する工
程と、(2)導電性を持つ放熱板の所望の位置に金属柱
を配置する工程と、(3)配線パターンとしてのリード
フレームと、前記シート状熱伝導樹脂組成物と、前記放
熱板を、前記放熱板上の前記金属柱が前記シート状熱伝
導樹脂組成物と対向するようにしてこの順で重ね合わ
せ、加熱および加圧することにより、前記金属柱を前記
リードフレームに接続させ、同時に前記リードフレーム
の表面まで前記シート状熱伝導樹脂組成物を充填させる
と共に、前記シート状熱伝導樹脂組成物中の熱硬化性樹
脂を硬化させる工程、とを少なくとも含む。この方法に
よれば、無機フィラー比率が高く熱伝導性に優れた絶縁
物を簡便に取り扱え、また基板成形時に配線パターンで
あるリードフレームの一部を、接地パターンとして利用
することができる。
【0015】また、本発明にかかる熱伝導基板の別の製
造方法は、上記の(3)の工程を、配線パターンとして
のリードフレームと、前記シート状熱伝導樹脂組成物
と、前記放熱板を、前記放熱板上の前記金属柱が前記シ
ート状熱伝導樹脂組成物と対向するようにしてこの順で
重ね合わせ、加熱および加圧することにより、前記金属
柱の表面をリードフレームの表面と面一にして前記配線
パターンの一部とし、前記リードフレームの表面まで前
記シート状熱伝導樹脂組成物を充填させると共に、前記
シート状熱伝導樹脂組成物中の熱硬化性樹脂を硬化させ
る工程、に置き換えたものである。これにより、金属柱
を接続材料として使用すると共に、接地パターンとして
も使用することができるため、接地パターンを別に用意
する必要がなくなる。
【0016】また上記の熱伝導基板の各製造方法におい
て、(2)の工程を、導電性を持つ放熱板の所望の位置
を押し出して突起状に加工する工程、に置き換え、さら
に(3)の工程において、金属柱を突起物に置き換えて
もよい。この場合、金属柱を用意する必要がなくなる。
また放熱板の一部分を直接接地パターンとして利用する
ことができ、あるいはリードフレームに直接接続するこ
とができるため、接続信頼性が向上する。
【0017】また、本発明にかかる別の熱伝導基板の製
造方法は、放熱板に接続された接地パターンを有する回
路基板であって、(1)無機質フィラー70〜95重量
%と、未硬化の熱硬化性樹脂を少なくとも含む樹脂組成
物5〜30重量%からなるシート状熱伝導樹脂組成物を
用意する工程と、(2)配線パターンとしてのリードフ
レームの所望の位置に金属柱を配置する工程と、(3)
前記リードフレームと、前記シート状熱伝導樹脂組成物
と、導電性の放熱板を、前記リードフレーム上の前記金
属柱が前記シート状熱伝導樹脂組成物と対向するように
してこの順で重ね合わせ、加熱および加圧することによ
り、前記金属柱を前記放熱板に接続させ、同時に前記リ
ードフレームの表面まで前記シート状熱伝導樹脂組成物
を充填させると共に、前記シート状熱伝導樹脂組成物中
の熱硬化性樹脂を硬化させる工程、とを含むものであ
る。
【0018】本発明にかかる熱伝導基板の別の製造方法
は、放熱板に接続された接地パターンを有する回路基板
であって、(1)無機質フィラー70〜95重量%と、
未硬化の熱硬化性樹脂を少なくとも含む樹脂組成物5〜
30重量%からなるシート状熱伝導樹脂組成物を用意す
る工程と、(2)前記シート状熱伝導樹脂組成物の所望
の位置に金属柱を挿入する工程と、(3)配線パターン
としてのリードフレームと、前記シート状熱伝導樹脂組
成物と、導電性の放熱板をこの順で重ね合わせ、加熱お
よび加圧することにより、前記金属柱を前記放熱板に接
続させると共に前記リードフレームにも接続させ、同時
に前記リードフレームの表面まで前記シート状熱伝導樹
脂組成物を充填させると共に、前記シート状熱伝導樹脂
組成物中の熱硬化性樹脂を硬化させる工程、とを含むも
のである。
【0019】上記のいずれの熱伝導基板の製造方法にお
いても、前記放熱板または前記リードフレームのうち少
なくとも一方の所望の位置に、前記金属柱の径よりもわ
ずかに小さな径の穴を開け、前記穴に前記金属柱を嵌合
することが好ましい。接続信頼性が向上するからであ
る。
【0020】また、上記の熱伝導基板の各製造方法にお
いて、前記金属柱もしくは前記突起物の端部のうち、前
記金属板もしくは前記リードフレームと接続される前記
端部が錐状になっており、(3)の工程において、前記
金属柱もしくは前記突起物の錐状の前記端部が前記金属
板もしくは前記リードフレームに食い込んで接続される
ことが好ましい。接続信頼性が向上し、またその位置精
度が向上するからである。
【0021】本発明にかかる熱伝導基板の別の製造方法
は、放熱板に接続された接地パターンを有する回路基板
であって、(1)無機質フィラー70〜95重量%と、
未硬化の熱硬化性樹脂を少なくとも含む樹脂組成物5〜
30重量%からなるシート状熱伝導樹脂組成物を用意す
る工程と、(2)導電性金属粉末と熱硬化性樹脂とを少
なくとも含む未硬化の導電性樹脂組成物を用意する工程
と、(3)前記シート状熱伝導樹脂組成物の所望の位置
に穴を開け、前記導電性樹脂組成物を前記穴に充填する
工程と、(4)配線パターンとしてのリードフレーム
と、前記シート状熱伝導樹脂組成物と、導電性の放熱板
をこの順で重ね合わせ、加熱および加圧することによ
り、前記導電性樹脂組成物を前記放熱板と前記リードフ
レームの両方に接続させ、また同時に前記リードフレー
ムの表面まで前記シート状熱伝導樹脂組成物を充填させ
ると共に、前記シート状熱伝導樹脂組成物および前記導
電性樹脂組成物中の熱硬化性樹脂を硬化させる工程、と
を含むものである。この場合でも配線パターン上の任意
の位置に接地パターンを設けることができる。
【0022】本発明のパワーモジュールは、上記に記載
のいずれかの熱伝導基板に、パワー用能動素子および受
動素子が実装され、さらに制御回路が接続されているこ
とものである。この構造によれば、高い熱放散性と設計
自由度を具備し、小型でエネルギー密度の高いパワーモ
ジュールを得ることができる。
【0023】また、本発明のパワーモジュールは、上記
熱伝導基板の配線パターンと異なる接地パターン上に直
接部品が実装されていることを特徴とするものである。
【0024】本発明によれば、配線パターンの所望の位
置にアース接続部を設けることができるため、設計上の
自由度が向上する。また基板作製と同時にアース用パタ
ーンを設けることができるため工程上有利であり、基板
外部に接続部分を設ける必要がないためモジュールの小
型化が可能になる。
【0025】なお、ここで用いるパワーモジュールと
は、複数個の半導体を目的に応じて結線し、1個のパッ
ケージに収めた形態のものを指し、たとえばIGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールや
IPM(インテリジェント・パワーモジュール)、DC
−DCコンバータモジュールなどを示す。
【0026】
【発明の実施の形態】本発明は、未硬化の熱硬化性樹脂
に無機質フィラーを高濃度に充填した混合物をシート状
態に加工したシート状の熱伝導樹脂組成物を用いる。こ
の熱伝導樹脂組成物は無機質フィラー配合比率が高いた
め高い熱伝導性を持ち、そのため基板の絶縁材料として
使用した場合に高い放熱性を保ったまま絶縁距離を高め
ることが可能で、耐ノイズ性や絶縁性に優れた基板を作
製できるという利点がある。またその硬化物の熱膨張係
数が配線パターンである金属や半導体に近く、熱履歴に
対して高い信頼性を持つという特徴があるものである。
また常温で可撓性があるために取り扱いが容易で打ち抜
きなどの加工が可能であり、さらに樹脂の流動性に優れ
ているために配線パターンや放熱板と一体化することが
容易であるのみならず、厚みを持った配線パターンの側
面を埋めることが可能となり、絶縁性や平坦性に優れた
基板を作製することが可能である。
【0027】次に、本発明の態様は、上記の熱伝導樹脂
組成物を、配線パターンとしてのリードフレームと導電
性の放熱板と共に加熱加圧して一体化すると共に、熱伝
導樹脂組成物をリードフレームの隙間部分まで充填させ
て面一な表面を形成し、同時に放熱板を接着させながら
前記の熱伝導樹脂組成物の熱硬化性樹脂を硬化させるこ
とで、放熱性に優れたリジッドな基板(熱伝導基板)を
作製することを基本とする。
【0028】本発明の第一の態様は、上記の熱伝導基板
の成形時において、予め配線パターンもしくは放熱板の
任意の位置に金属柱などの突起物を設け、その突起物を
熱伝導樹脂組成物と対向するように配置して重ね合わせ
加熱加圧することにより、基板成形と同時に放熱板と配
線パターンの一部をアース接続するものである。
【0029】また、本発明の第二の態様は、上記の熱伝
導基板の成形時において、予め放熱板の任意の位置に金
属柱などの突起物を設け、その突起物を熱伝導樹脂組成
物と対向するように配置して重ね合わせ加熱加圧するこ
とにより、基板を成形すると同時に上記の突起物を接地
パターンとするものである。
【0030】また、本発明の第三の態様は、上記の熱伝
導基板の成形時において、予めシート状になった熱伝導
樹脂組成物の任意の位置に、前記シート状の熱伝導樹脂
組成物を貫通するようにして金属柱あるいは導電性樹脂
組成物を充填し、これを配線板としてのリードフレーム
と放熱板と重ね合わせて加熱加圧して一体化すると共
に、配線パターンの一部を放熱板とアース接続するもの
である。
【0031】また、本発明の第四の態様は、上記の各態
様において成形された熱伝導基板に、パワー用能動素子
および受動素子が実装されており、特に接地パターンに
直接部品が実装されているパワーモジュールである。
【0032】以下、本発明の一実施の形態による熱伝導
基板およびパワーモジュールの製造方法を、図面に基づ
き説明する。
【0033】図1は、本発明の一実施例による接地パタ
ーンを具備した熱伝導基板の断面図である。図において
11は配線パターンとしてのリードフレームであり、1
2は無機質フィラー70〜95重量%と少なくとも熱硬
化性樹脂を含む樹脂組成物5〜30重量%の混合物から
なる絶縁層であり、13は導電性の放熱板であり、14
は金属柱であり、15は接地パターンである。金属柱1
4を介して、接地パターン15と放熱板13は絶縁層1
2の内部で接続されている。
【0034】図2は、本発明の一実施例による熱伝導基
板の製造方法を示す工程別断面図である。図2(a)に
おいて、11はリードフレームであり、16は無機質フ
ィラー70〜95重量%と未硬化の熱硬化性樹脂を少な
くとも含む樹脂組成物5〜30重量%の混合物を造膜し
たシート状の熱伝導樹脂組成物であり、13は導電性の
放熱板であり、14は金属柱である。図2(a)に示す
ように、放熱板13上に金属柱14が設けられている。
これらを図2(b)に示すように重ね合わせ加熱加圧す
る。これにより、図2(c)に示すように、熱伝導樹脂
組成物16がリードフレーム11の間隙に埋まって表面
が面一になり、同時に熱伝導樹脂組成物16中の熱硬化
性樹脂が硬化されて絶縁層12になり、リードフレーム
11および放熱板13と一体化される。このとき同時に
金属柱14が配線パターンであるリードフレーム11中
の接地パターン15に接続され、接地パターンを具備し
た熱伝導基板が完成される。
【0035】上記のリードフレームとしては、電気抵抗
の低い金属であれば特に限定されないが、たとえば銅、
鉄、アルミニウム、ニッケルや、それらの合金が使用で
きる。またそのパターン形成方法としては、たとえば化
学的エッチングによる方法や、金型による打ち抜きが使
用できる。また、その表面に酸化防止や半田濡れ性の向
上のためめっきを施すことが好ましい。めっき材料とし
ては、たとえばニッケル、錫、はんだ、金、銀、パラジ
ウム、クロムやそれらを主成分とする合金が使用でき
る。
【0036】上記の熱伝導樹脂組成物の無機質フィラー
は70〜95重量%であることが好ましい。無機質フィ
ラー比率がこの範囲より低い場合、熱伝導樹脂組成物の
熱伝導度が低くなり、基板の熱抵抗が大きくなりすぎて
基板に搭載する能動素子から発生する熱を外部へ逃がす
ことが困難になり、装置の信頼性が低下する。また熱伝
導樹脂組成物の熱膨張係数が大きくなり、半導体などの
部品や配線パターンなどの金属部分との熱膨張係数の差
が大きくなるため、信頼性が低下する。逆に無機質フィ
ラー比率がこの範囲より高い場合には、熱伝導樹脂組成
物とリードフレームや放熱板との密着性や絶縁性が低下
する。
【0037】無機質フィラーとしては、Al23、Al
N、SiC、Si34、MgO、SiO2、BNから選
ばれた少なくとも1種の粉末を主成分として含むものが
好ましい。これらは熱伝導性や絶縁性に優れており、高
い熱放散性を持つ基板を作製することが可能になるから
である。特にAl23やSiO2を用いた場合、樹脂組
成物との混合が容易になる。またAlNを用いた場合、
熱伝導基板の熱放散性が特に高くなる。さらに無機質フ
ィラーの粒径が0.1〜100μmの範囲にあることが
好ましい。これより小さすぎても大きすぎてもとフィラ
ーの充填性や基板の放熱性が低下するからである。特に
無機質フィラーの充填性を良好にするためにはこの範囲
内で異種の粒径の粉末を配合し、高密充填構造を取るよ
うにすることが好ましい。
【0038】また、上記の熱硬化性樹脂組成物中の熱硬
化性樹脂の主成分はエポキシ樹脂、フェノール樹脂およ
びシアネート樹脂から選ばれた少なくとも1種類である
ことが好ましい。これらの樹脂はそれぞれ耐熱性や機械
的強度、電気絶縁性に優れるからである。特には樹脂組
成物が臭素化された多官能エポキシ樹脂を主成分として
含み、さらに硬化剤としてのビスフェノールA型ノボラ
ック樹脂と、硬化促進剤としてのイミダゾール類とを含
むことが好ましい。この構成によれば、耐熱性に優れる
ばかりでなく難燃性にも優れるからである。
【0039】また、樹脂組成物にさらにカップリング
剤、分散剤、着色剤および離型剤から選ばれた少なくと
も1種が添加されていることが好ましい。カップリング
剤は、無機質フィラーやリードフレームおよび放熱板と
熱硬化性樹脂との接着強度を向上させ、基板の絶縁耐圧
を向上させる点で好ましく、たとえばエポキシシラン系
カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、チタ
ネート系カップリング剤などが使用できる。分散剤は熱
伝導樹脂組成物中の無機質フィラーの分散性を向上させ
均質化させる点で好ましく、たとえばリン酸エステルが
使用できる。着色剤は熱伝導樹脂組成物に着色すること
でその熱輻射性を向上させることが可能な点で好まし
く、たとえばカーボンが使用できる。
【0040】上記の熱伝導樹脂組成物をシート状に造膜
する方法は特に限定されず、ドクターブレード法、コー
ター法、押し出し法などを用いることができる。また、
熱伝導樹脂組成物に溶剤を混合させてその粘度を調整し
てから造膜し、その後熱伝導樹脂組成物中の熱硬化性樹
脂の硬化温度より低い温度で溶剤を乾燥させてシート状
に造膜してもよく、この場合にはドクターブレード法を
用いることが好ましい。造膜が容易だからである。溶剤
としては、たとえばメチルエチルケトン(MEK)、ト
ルエン、イソプロパノールが使用できる。
【0041】また、上記の導電性の放熱板としては、た
とえばアルミニウム、銅、鉄、ニッケルやその合金など
が使用できる。また、上記の金属柱としては、導電性の
放熱板と同様の材料が使用できる。
【0042】図3は、本発明の別の一実施例による接地
パターンを具備した熱伝導基板の断面図である。図にお
いて11は配線パターンとしてのリードフレームであ
り、12は無機質フィラー70〜95重量%と少なくと
も熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物5〜30重量%の混合
物からなる絶縁層であり、13は導電性の放熱板であ
り、14は金属柱である。この熱伝導基板は図2に示し
たものと同様な方法で作製できるが、金属柱14はリー
ドフレーム11に接しておらず、金属柱14の頭頂部が
そのまま接地パターン15として使用される。
【0043】本実施の形態における金属柱としては上記
の図2で示したものと同様な材料が使用できるが、その
頭頂部を接地パターンとして使用するため、半田濡れ性
が良好になるように金属柱の頭頂部にめっきなどの方法
により皮膜を形成することが好ましい。皮膜としては、
たとえば半田、錫、銀、パラジウムおよびそれらの合金
が使用できる。
【0044】図4は、本発明の別の一実施例による熱伝
導基板の製造方法を示す工程別断面図である。図4
(a)において、11はリードフレームであり、16は
図2(a)に示したものと同様のシート状の熱伝導樹脂
組成物であり、13は導電性の放熱板である。図4
(a)に示すように、放熱板13の一部は押し出されて
突起状に加工されており、突起部17となっている。こ
れらを図4(b)に示すように重ね合わせ加熱加圧す
る。これにより、図4(c)に示すように、熱伝導樹脂
組成物16がリードフレーム11の間隙に埋まって表面
が面一になり、同時に熱伝導樹脂組成物16中の熱硬化
性樹脂が硬化されて絶縁層12になり、リードフレーム
11および放熱板13と一体化される。このとき同時に
放熱板13に設けた突起部17が配線パターンであるリ
ードフレーム11中の接地パターン15に接続され、接
地パターンを具備した熱伝導基板が完成される。
【0045】突起部の加工方法としては、たとえばパン
チ加工やプレス加工などが使用できる。
【0046】図5は、本発明の別の一実施例による接地
パターンを具備した熱伝導基板の断面図である。図にお
いて11は配線パターンとしてのリードフレームであ
り、12は無機質フィラー70〜95重量%と少なくと
も熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物5〜30重量%の混合
物からなる絶縁層であり、13は導電性の放熱板であ
り、17は放熱板13に設けられた突起部である。この
熱伝導基板は図4に示したものと同様な方法で作製でき
るが、突起部17はリードフレーム11に接しておら
ず、突起部17の頭頂部がそのまま接地パターン15と
して使用される。
【0047】本実施の形態における突起部17はその頭
頂部を接地パターンとして使用するため、図3で示した
実施の形態と同様に突起部の頭頂部にめっきなどの方法
により半田濡れ性のよい金属皮膜を形成することが好ま
しい。
【0048】図6は、本発明の別の一実施例による熱伝
導基板の製造方法を示す工程別断面図である。図6
(a)に示すように、配線パターンとしてのリードフレ
ーム11のあるパターン上に金属柱14を配置する。次
に図6(b)に示すように、この金属柱14付のリード
フレーム11を、図2で示したものと同様な方法で用意
したシート状の熱伝導樹脂組成物16と導電性の放熱板
13と重ね合わせ加熱加圧する。これにより、図6
(c)に示すように、熱伝導樹脂組成物16がリードフ
レーム11の間隙に埋まって表面が面一になり、同時に
熱伝導樹脂組成物16中の熱硬化性樹脂が硬化されて絶
縁層12になり、リードフレーム11および放熱板13
と一体化される。このとき同時にリードフレーム11に
設けた金属柱14が放熱板13に接続され、配線パター
ンであるリードフレーム11中の一部分が接地パターン
15になり、接地パターンを具備した熱伝導基板が完成
される。
【0049】図7は、本発明の別の一実施例による熱伝
導基板の製造方法を示す工程別断面図である。図7
(a)に示すように、図2(a)で示したものと同様な
方法で作製したシート状の熱伝導樹脂組成物16のある
部分に金属柱14を埋めこむ。次に、図7(b)に示す
ように、この金属柱14が埋めこまれた熱伝導樹脂組成
物16を、配線パターンとしてのリードフレーム11と
導電性の放熱板13と重ね合わせ加熱加圧する。これに
より、図7(c)に示すように、熱伝導樹脂組成物16
がリードフレーム11の間隙に埋まって表面が面一にな
り、同時に熱伝導樹脂組成物16中の熱硬化性樹脂が硬
化されて絶縁層12になり、リードフレーム11および
放熱板13と一体化される。このとき同時に熱伝導樹脂
組成物16に設けた金属柱14が放熱板13およびリー
ドフレーム11に接続され、配線パターンであるリード
フレーム11中の一部分が接地パターン15になり、接
地パターンを具備した熱伝導基板が完成される。
【0050】図8は、本発明の別の一実施例による熱伝
導基板の製造方法を示す工程別断面図である。図8
(a)に示すように、導電性の放熱板13の任意の位置
に、貫通孔18が設けてある。次に図8(b)に示すよ
うに、貫通孔18の大きさよりもわずかに大きな径を持
つ金属柱14を貫通孔18に重ね合わせ、嵌合すること
により、図8(c)に示すように、金属柱付き放熱板1
9が作製される。この後、図2に示すものと同様な方法
で接地パターンを具備した熱伝導基板が完成される。
【0051】嵌合の方法としては、たとえばハンドプレ
スやエキセンプレスが使用できる。この方法によれは、
簡便で接続信頼性に優れた基板を作製することができ
る。また、図8に示した方法と同様にして、リードフレ
ームにも金属柱を嵌合して設けることができ、その場合
図6に示すような方法で熱伝導基板が完成される。
【0052】図9は、本発明の別の一実施例による熱伝
導基板の製造方法を示す工程別断面図である。図9
(a)に示すように、2段の突起を持つ金属柱20を用
意する。次いで図9(b)に示すように、この金属柱2
0を、貫通孔18を設けた導電性の放熱板13の貫通孔
部分に重ね合わせ、嵌合することで、図9(c)に示す
ような金属柱付き放熱板19が作製される。次に、上記
の実施の形態と同様の方法で作製したシート状熱伝導樹
脂組成物16と貫通孔18を設けた配線パターンとして
のリードフレーム11を用意し、図9(d)に示すよう
に、金属柱付き金属板19と重ね合わせ加熱加圧する。
これにより、図9(e)に示すように、熱伝導樹脂組成
物16がリードフレーム11の間隙に埋まって表面が面
一になり、同時に熱伝導樹脂組成物16中の熱硬化性樹
脂が硬化されて絶縁層12になり、リードフレーム11
および放熱板13と一体化される。このとき同時に放熱
板13に設けた金属柱20の突起部分がリードフレーム
11に設けられた貫通孔18に接続され、配線パターン
であるリードフレーム11中の一部分が接地パターン1
5になり、接地パターンを具備した熱伝導基板が完成さ
れる。
【0053】なお、この図では金属柱の両端に2段の突
起があるように示したが、一方の端のみに2段の突起が
あってもよい。この場合は、放熱板もしくはリードフレ
ームのいずれか一方に設けた貫通孔に金属柱の突起部分
を嵌合させ、その後図2、図3および図6で示したもの
と同様な方法で接地パターンを具備した熱伝導基板を作
製することができる。
【0054】また、図8および図9においては、放熱板
またはリードフレームに貫通孔が設けてある形態につい
て説明したが、金属柱を嵌合させる孔は金属柱が嵌合で
きれば必ずしも貫通させなくてもよい。
【0055】図10は、本発明の別の一実施例による熱
伝導基板の製造方法を示す工程別断面図である。図10
(a)に示すように、導電性の放熱板13に図8で説明
したものと同様な方法で、一方の端21が錐状になって
いる金属柱14を設ける。次いで、上記の各実施の形態
と同様の方法で作製したシート状の熱伝導樹脂組成物1
6、および配線パターンとしてのリードフレーム11を
用意し、図10(b)に示すように、放熱板13と重ね
合わせて加熱加圧する。これにより、図10(c)に示
すように、熱伝導樹脂組成物16中の熱硬化性樹脂が硬
化されて絶縁層12になり、リードフレーム11および
放熱板13と一体化される。このとき同時に放熱板13
に設けた金属柱14の錐状の端21がリードフレーム1
1に食い込んで接続され、配線パターンであるリードフ
レーム11中の一部分が接地パターン15になり、接地
パターンを具備した熱伝導基板が完成される。
【0056】図11は、本発明の別の一実施例による熱
伝導基板の製造方法を示す工程別断面図である。図11
(a)に示すように、上記の各実施の形態と同様の方法
で作製したシート状の熱伝導樹脂組成物16の任意の位
置に貫通孔18を開ける。次に、図11(b)で示すよ
うに、貫通孔18に導電性樹脂組成物22を充填する。
次いで、図11(c)に示すように、この熱伝導樹脂組
成物22と、配線パターンとしてのリードフレーム1
1、導電性の放熱板13を重ね合わせて加熱加圧する。
これによって、図11(d)に示すように、熱伝導樹脂
組成物16中の熱硬化性樹脂が硬化されて絶縁層12に
なり、リードフレーム11および放熱板13と一体化さ
れる。このとき同時に熱伝導樹脂組成物16中に設けた
貫通孔18の中の導電性樹脂組成物22も硬化されてリ
ードフレーム11と放熱板13を電気的に接続し、配線
パターンであるリードフレーム11中の一部分が接地パ
ターン15になり、接地パターンを具備した熱伝導基板
が完成される。
【0057】導電性樹脂組成物としては、導電性のある
金属粉末を熱硬化性樹脂に混合したものが使用できる。
金属粉末としては、金、銀、銅、ニッケル、パラジウ
ム、錫、半田からなる群から選ばれた少なくとも1種類
の金属もしくはその合金が好ましい。導電性が良好で接
続信頼性が高いからである。また熱硬化性樹脂として
は、たとえばエポキシ樹脂が使用できる。また、前記の
導電性樹脂組成物はペースト状に混合されていることが
好ましい。熱伝導樹脂組成物中の貫通孔への充填が容易
になるからである。充填方法としては、たとえばスクリ
ーン印刷法が使用できる。
【0058】なお、上記の各実施の形態において、リー
ドフレーム、熱伝導樹脂組成物、および放熱板を重ね合
わせて加熱加圧して基板を形成する際に、金属柱もしく
は突起物が存在する部分に相対する部分の熱伝導樹脂組
成物を予め除去してもよい。この場合、金属柱もしくは
突起物を熱伝導樹脂組成物に貫通させることが容易にな
り、熱伝導樹脂組成物により導電性を損なわれる恐れが
少なくなるからである。熱伝導樹脂組成物を除去させる
方法としては、パンチや金型で打ち抜く方法が使用でき
る。
【0059】また、上記の各実施の形態において、回路
の必要上、基板内に複数の接地パターンを設けてもよ
く、接地方法として上記の各実施の形態が複数個使用さ
れてもよい。
【0060】図12は、本発明の一実施例による熱伝導
基板を用いたパワーモジュールの断面図である。図12
において、基板部分は図1で示したものと同様の構成か
らなり、11は配線パターンとしてのリードフレームで
あり、12は無機質フィラー70〜95重量%と少なく
とも熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物5〜30重量%の混
合物からなる絶縁層であり、13は導電性の放熱板であ
り、14は金属柱であり、15は接地パターンである。
金属柱14を介して、接地パターン15と放熱板13は
絶縁層12の内部で接続されている。また配線パターン
であるリードフレーム11の一部は外部端子として基板
に対して直角に折り曲げられている。この基板の配線パ
ターン11上に、能動素子23および受動素子24が搭
載されている。さらにその上に、予め用意された回路基
板25上に回路部品26を搭載した制御回路基板27
が、配線パターンでありかつ外部端子であるリードフレ
ーム11に接続されている。この後、必要に応じて回路
部分を樹脂封止し、さらにケース取りつけなどの工程を
経てパワーモジュールとして完成されるが、これらの工
程は公知の方法で行うことができ、本発明に関与しない
ため図示していない。
【0061】各部品の搭載方法としては、半田付けなど
の公知の技術が利用できる。また制御回路用の回路基板
25としては一般的なプリント配線板が使用でき、たと
えばガラスエポキシ基板、フェノール基板が使用でき
る。さらに制御回路を熱伝導基板に搭載する方法として
は、たとえば図12に示したように熱伝導基板の外部端
子に制御回路を搭載した基板を差し込む方法が使用でき
る。
【0062】上記のパワーモジュールにおいては、接地
パターン15上に部品が搭載されることが好ましい。こ
れによりパワーモジュールが小型、高密度になるからで
ある。
【0063】また、上記の図12においては、熱伝導基
板として図1に示したものと同様の構成が使用されてい
るが、必ずしもこれに限定されず、図3〜11に示した
各熱伝導基板が使用できる。
【0064】
【実施例】以下、具体的実施例により本発明の熱伝導基
板とその製造方法、およびそれを用いたパワーモジュー
ルをさらに詳細に説明する。
【0065】(実施例1)本発明に用いられるシート状
の熱伝導樹脂組成物を作製するために、無機質フィラー
と熱硬化性樹脂組成物を混合させてスラリー状に加工し
た。混合した熱伝導樹脂組成物の組成を以下に示す。
【0066】(1)無機質フィラー:Al23(AS−
40、昭和電工(株)製、平均粒径12μm)89重量
% (2)熱硬化性樹脂:臭素化された多官能エポキシ樹脂
(NVR−1010、日本レック(株)製、硬化剤を含
む)10重量% (3)その他の添加物:硬化促進剤(イミダゾール、日
本レック(株)製)0.05重量部、カーボンブラック
(東洋カーボン(株)製)0.4重量部、カップリング
剤(プレンアクト KR−46B、味の素(株)製)
0.55重量部 これらの材料に溶剤としてMEKを加え、さらにアルミ
ナボールを加えて800rpmの回転数で40時間ボー
ルミルで混合した。MEKを添加することにより混合物
の粘度が低下してスラリー状に加工することが可能にな
るが、その後の乾燥工程で飛散させるため配合組成には
含んでいない。
【0067】ドクターブレード法により、表面に離型処
理を施したポリエチレンテレフタレート(PET)の離
型フィルム上にこのスラリーを造膜した。その後、90
℃で乾燥を行い、溶剤を飛散させて図2(a)に示すシ
ート状の熱伝導樹脂組成物16を作製した。得られたシ
ート状の熱伝導樹脂組成物16の厚みは1.2mmであ
った。
【0068】次に厚さ0.5mmの銅板(神戸製鋼
(株)製)を公知の方法でエッチングして回路パターン
を形成し、ニッケルめっきを施して、図2(a)に示す
ものと同様なリードフレーム11を用意した。さらに厚
さ1mmのアルミニウム板13を用意し、その一部に直
径1.45mmの貫通孔をあけ、そこに直径1.50m
m長さ2.0mmのアルミニウムの円柱を図8に示すよ
うに嵌合させることで、図2(a)に示すような金属柱
14付の放熱板13を用意した。
【0069】これらを図2(b)に示すように重ね合わ
せ、150℃の温度で10分間、3MPaの圧力で加熱
加圧することにより、アルミニウムの放熱板13に設け
られた金属柱14がシート状の熱伝導樹脂組成物16を
貫通してリードフレーム11と接続された。同時に、加
圧することで前記の熱伝導樹脂組成物がリードフレーム
の隙間部分まで埋まって表面が面一になり、さらに加熱
により熱硬化性樹脂を硬化させて絶縁層として、この絶
縁層とリードフレーム、放熱板を一体化し、図2(c)
に示すようなリジッドな基板(厚さ2.5mm)を完成
させた。
【0070】この基板の放熱板13と接地パターン15
との抵抗値を測定したところ、0.1Ω以下であった。
また、その接続性を評価するために、ピーク温度240
℃のリフロー装置に10回通してから同様に抵抗値を測
定したが、変化は認められなかった。また−40〜12
5℃の熱サイクル試験を500回行った後でも、同様に
抵抗値に変化が認められなかった。このことから、接地
パターンの接続信頼性が高いことが明らかになった。
【0071】(実施例2)放熱板に設置した金属柱の表
面を接地パターンとして使用する熱伝導基板の実施例を
示す。
【0072】実施例1と同様の方法で作製したシート状
の熱伝導樹脂組成物とリードフレームを用意した。さら
に厚さ3mmのアルミニウム板を用意し、その一部に2
mm角で深さ1.5mmの凹部を設けた。さらに長さ3
mmで一方の端に2段突起を持つアルミニウムの金属柱
(突起部の長さ1.5mm)を用意し、その突起のない
平坦面に半田メッキを施した。次に金属柱の2段突起部
(2.05mm角)をアルミニウム板の凹部に嵌合さ
せ、図2(a)に示すような金属柱のついた放熱板を作
製した。
【0073】上記の金属柱付きの放熱板とリードフレー
ムおよびシート状の熱伝導樹脂組成物を図2(b)に示
すように重ね合わせ、150℃の温度で10分間、3M
Paの圧力で加熱加圧することによりアルミニウムの放
熱板に設けられた金属柱をシート状の熱伝導樹脂組成物
に貫通させてその表面がリードフレームと面一になるよ
うにし、同時に加圧することで前記の熱伝導樹脂組成物
をリードフレームの隙間部分まで埋めて表面を面一に
し、さらに加熱により熱硬化性樹脂を硬化させて絶縁層
として、この絶縁層とリードフレーム、放熱板を一体化
し、図3に示すようなリジッドな基板(厚さ4.5m
m)を完成させた。
【0074】この基板の放熱板と接地パターンとの抵抗
値を測定したところ、0.1Ω以下であった。また、そ
の接続性を評価するために、ピーク温度240℃のリフ
ロー装置に10回通してから同様に抵抗値を測定した
が、変化は認められなかった。また−40〜125℃の
熱サイクル試験を500回行った後でも、同様に抵抗値
に変化が認められなかった。このことから、接地パター
ンの接続信頼性が高いことが明らかになった。さらに接
地パターン上に共晶半田ペーストを印刷し、上記と同様
のリフローに通して半田濡れ性を評価したが、濡れ性は
良好で異常は認められなかった。
【0075】(実施例3)放熱板の所望の位置を押し出
して突起状に加工し、この突起物を用いて接地パターン
を放熱板に接続させた熱伝導基板の実施例を示す。
【0076】実施例1と同様の方法でシート状の熱伝導
樹脂組成物を作製した。この熱伝導樹脂組成物の組成を
以下に示す。 (1)無機質フィラー:、Al23(AS−40、昭和
電工(株)製、平均粒径12μm)90重量% (2)熱硬化性樹脂:シアネートエステル樹脂、(旭チ
バ(株)製、「AroCy M30」)9重量% (3)その他の添加物:カーボンブラック(東洋カーボ
ン(株)製)0.4重量%、分散剤(第一工業製薬
(株)製「プライサーフ、A−208F」)0.2重量
%、シランカップリング剤(A−187、日本ユニカー
(株)製)0.4重量% 次に、厚さ0.5mmの42アロイの板を打ち抜いて回
路パターンを形成し、ニッケルめっきを施したリードフ
レームを用意した。次に厚さ0.5mmの銅板を用意
し、図4(a)に示すように所定の位置にプレスで先端
部が直径2mmの突起部分を形成した。
【0077】これらを図4(b)に示すように重ね合わ
せ、170℃、4MPaで50分加熱加圧することによ
り、放熱板に設けられた突起部分がシート状の熱伝導樹
脂組成物を貫通してリードフレームと接続され、同時
に、前記の熱伝導樹脂組成物がリードフレームの隙間部
分まで埋まって表面が面一になり、さらに加熱により熱
硬化性樹脂を硬化させて絶縁層として、この絶縁層とリ
ードフレーム、放熱板を一体化し、図4(c)に示すよ
うなリジッドな基板(厚さ1.5mm)を完成させた。
【0078】この基板の放熱板と接地パターンとの抵抗
値を測定したところ、0.1Ω以下であった。また、そ
の接続性を評価するために、ピーク温度240℃のリフ
ロー装置に10回通してから同様に抵抗値を測定した
が、変化は認められなかった。また−40〜125℃の
熱サイクル試験を500回行った後でも、同様に抵抗値
に変化が認められなかった。このことから、接地パター
ンの接続信頼性が高いことが明らかになった。
【0079】(実施例4)シート状の熱伝導樹脂組成物
に金属柱を埋め込み、その金属柱を接地パターンと放熱
板に接続させた熱伝導基板の実施例を示す。
【0080】シート状の熱伝導樹脂組成物を作製するた
めに、無機質フィラーと熱硬化性樹脂とを混練し、粘土
状の熱伝導樹脂組成物を得た。熱伝導樹脂組成物の組成
を以下に示す。
【0081】(1)無機質フィラー:AlN(SCAN
70、ダウケミカル社製)35重量%、Al23(AS
−40、昭和電工(株)製)55重量% (2)熱硬化性樹脂:エポキシ樹脂(XNR5002、
長瀬チバ(株)製)9.5重量% (3)その他添加物:シラン系カップリング剤(A−1
87、日本ユニカー(株)製)0.3重量%、カーボン
ブラック(東洋カーボン(株)製)0.2重量% これらの材料を配合し、プラネタリーミキサーで混練し
て一様な組成にした後、押し出し成形機で厚さ約1.2
mmのシート状に加工してシート状の熱伝導樹脂組成物
を作製した。
【0082】次に直径2mm長さ1.2mmで両端の
0.1mmずつを錐状に加工したアルミニウムの金属柱
を作製し、所定の形状に打ち抜いた前記熱伝導樹脂組成
物の所望の位置に図7(a)に示すように挿入した。ま
た実施例1と同様の方法で作製したリードフレームと、
厚さ1.5mmのアルミニウム板を用意した。
【0083】これらを図7(b)に示したものと同様に
重ね合わせ、170℃、8MPaで60分加熱加圧する
ことにより、シート状の熱伝導樹脂組成物に挿入された
金属柱がリードフレームおよび放熱板と接続され、同時
に、前記の熱伝導樹脂組成物がリードフレームの隙間部
分まで埋まって表面が面一になり、さらに加熱により熱
硬化性樹脂を硬化させて絶縁層として、この絶縁層とリ
ードフレーム、放熱板を一体化し、図7(c)に示すよ
うなリジッドな基板(厚さ3.0mm)を完成させた。
【0084】この基板の放熱板と接地パターンとの抵抗
値を測定したところ、0.1Ω以下であった。また、そ
の接続性を評価するために、ピーク温度240℃のリフ
ロー装置に10回通してから同様に抵抗値を測定した
が、変化は認められなかった。また−40〜125℃の
熱サイクル試験を500回行った後でも、同様に抵抗値
に変化が認められなかった。このことから、接地パター
ンの接続信頼性が高いことが明らかになった。また、こ
の基板の金属柱が埋設されている部分を切断してその断
面を観察したところ、金属柱の錐状部分がリードフレー
ムおよび放熱板に食い込んでいた。
【0085】(実施例5)導電性樹脂組成物により接地
パターンと放熱板が接続された熱伝導基板の実施例を示
す。
【0086】実施例1と同様な方法で、厚さ約0.7m
mのシート状の熱伝導樹脂組成物を作製した。このシー
ト状の熱伝導樹脂組成物にパンチングにより図11
(a)に示すような直径0.8mmの貫通孔を設けた。
この貫通孔に、ビアホール充填用導電性樹脂組成物とし
て、銅の球形状の金属粒子85重量%と、樹脂組成とし
てビスフェノールA型エポキシ樹脂(エピコート828
油化シェルエポキシ製)3重量%とグルシジルエステ
ル系エポキシ樹脂(YD−171 東都化成製)9重量
%および硬化剤としてアミンアダクト硬化剤(MY−2
4 味の素製)3重量%を三本ロールにて混練したもの
を、スクリーン印刷法により図11(b)に示すように
充填した。さらに、厚さ0.4mmの銅板をエッチング
して回路パターンを形成し、錫めっきを施したリードフ
レームと、厚さ0.8mmの銅板からなる放熱板を用意
した。
【0087】これらの材料を、図11(c)に示すよう
に重ね合わせ、180℃、5MPaで10分間加熱加圧
することにより、前記の熱伝導樹脂組成物がリードフレ
ームの隙間部分まで埋まって表面が面一になり、さらに
加熱により熱硬化性樹脂が硬化して絶縁層となり、この
絶縁層とリードフレーム、放熱板が一体化された、図1
1(d)に示すようなリジッドな基板(厚さ1.7m
m)を完成させた。このとき、シート状の熱伝導樹脂組
成物が硬化するのと同時に導電性樹脂組成物も硬化さ
れ、リードフレームおよび放熱板と接続される。
【0088】この基板の放熱板と接地パターンとの抵抗
値を測定したところ、0.1Ω以下であった。また、そ
の接続性を評価するために、ピーク温度240℃のリフ
ロー装置に10回通してから同様に抵抗値を測定した
が、変化は認められなかった。また−40〜125℃の
熱サイクル試験を500回行った後でも、同様に抵抗値
に変化が認められなかった。このことから、接地パター
ンの接続信頼性が高いことが明らかになった。
【0089】(実施例6)本発明の熱伝導基板を用いて
作製したパワーモジュールの実施例を示す。
【0090】実施例2で作製した熱伝導基板の配線パタ
ーン上に、TO−220パッケージのパワー半導体素子
(松下電子工業(株)製)およびコンデンサ、トラン
ス、チョーク、抵抗などの各種受動素子を搭載し、リフ
ロー装置ではんだ付けを行った。その後リードフレーム
のフレーム部分を切断し、その端子を基板に対して直角
に折り曲げ、外部取り出し電極を形成した。このように
して、パワー部分の回路を搭載したパワー回路基板を完
成させた。
【0091】また、配線層が4層あるガラスエポキシ基
板上に各種ICや受動部品を表面実装して、駆動回路や
保護回路が形成された制御回路基板を作製した。この制
御回路基板には、パワー回路基板の外部取り出し端子に
相当する位置にスルーホールが形成されている。
【0092】次に、パワー回路基板に制御回路基板を差
し込み、制御回路基板のスルーホールにパワー回路基板
の外部取り出し端子を貫通させた。その後、外部取り出
し端子と制御回路基板の接続部分をはんだ付けした。そ
の後、回路部分をシリコーン樹脂(信越シリコーン製)
でモールドし、ケースに挿入して図12に示すようなD
C−DCコンバータモジュールを完成させた。
【0093】接地パターンを設けていない熱伝導基板を
使用して同様のパワー回路を形成したところ、回路設計
上リードフレーム端子の一部を放熱板と接続させる必要
があるため、熱伝導基板面積が約1.1倍に増加した。
さらに、接地パターンと放熱板の接続のために結線をす
る必要があり、部品点数、半田付け個所が増加した。こ
のことから、絶縁層内部で接地パターンと放熱板を接続
する熱伝導基板は、モジュールの小型化や工数の削減に
効果があることがわかる。
【0094】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、無
機質フィラーを熱硬化性樹脂組成物に高濃度に充填した
シート状の熱伝導樹脂組成物と導電性の放熱板、配線パ
ターンとしてのリードフレームを用いた基板において、
配線パターンの所望の位置にアース接続部分を設けるこ
とができるため、設計の自由度が向上し、また基板作製
と同時に接地パターンを設けることが可能になる。さら
に、基板外部でアース接続する必要がないため、基板サ
イズを小さくすることができる。この結果、熱伝導基板
の絶縁層内部の任意の位置で接地パターンと放熱板を電
気的に接続することができ、放熱性や導電性が高く、ア
ース接続信頼性が高い熱伝導基板とその製造方法及び小
型高密度化が可能なパワーモジュールが提供できる。
【0095】また本発明による熱伝導基板の製造方法に
よれば、簡便な方法で信頼性に優れた熱伝導基板を製造
することができる。
【0096】また、本発明による熱伝導基板を用いたパ
ワーモジュールによれば、基板外部でのアース接続の必
要がないためモジュールの設計自由度が向上すると共
に、小型化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態における熱伝導基板を示
す断面図
【図2】本発明の一実施の形態における熱伝導基板の製
造方法を示す工程別断面図
【図3】本発明の別の一実施の形態における、金属柱表
面を接地パターンとした熱伝導基板を示す断面図
【図4】本発明の別の一実施の形態における、金属の放
熱板に突起部を設け、その突起部によりアース接続する
熱伝導基板の製造方法を示す工程別断面図
【図5】本発明の別の一実施の形態における、金属板の
突起部分が接地パターンである熱伝導基板を示す断面図
【図6】本発明の別の一実施の形態における、リードフ
レームに金属柱を設置した熱伝導基板の製造方法を示す
工程別断面図
【図7】本発明の別の一実施の形態における、シート状
の熱伝導樹脂組成物に金属柱を挿入した熱伝導基板の製
造方法を示す工程別断面図
【図8】本発明の別の一実施の形態における、放熱板に
金属柱を嵌合させる方法を示す工程別断面図
【図9】本発明の別の一実施の形態における、2段突起
を具備した金属柱によりアース接続する熱伝導基板の製
造方法を示す工程別断面図
【図10】本発明の別の一実施の形態における、先端が
錐状の金属柱を用いた熱伝導基板の製造方法を示す工程
別断面図
【図11】本発明の別の一実施の形態における、導電性
樹脂組成物によりアース接続される熱伝導基板の製造方
法を示す工程別断面図
【図12】本発明の一実施の形態におけるパワーモジュ
ールを示す断面図
【図13】従来の熱伝導基板の製造方法を示す工程別断
面図
【図14】従来の熱伝導基板のアース接続方法を示す断
面図
【符号の説明】
11 リードフレーム 12 絶縁層 13 放熱板 14 金属柱 15 接地パターン 16 シート状の熱伝導樹脂組成物 17 突起部 18 貫通孔 19 金属柱付き放熱板 20 2段の突起を持つ金属柱 21 金属柱の錐状の一端 22 導電性樹脂組成物 23 能動素子 24 受動素子 25 回路基板 26 回路部品 27 制御回路基板 28 熱伝導基板 29 リード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 1/02 H05K 1/02 F 5F067 N 1/03 610 1/03 610H 610R 3/40 3/40 K // B29K 101:10 B29K 101:10 105:16 105:16 509:00 509:00 B29L 31:34 B29L 31:34 (72)発明者 松尾 光洋 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山下 嘉久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 4F071 AA41 AA42 AA53 AB03 AB18 AB22 AB26 AE17 AF39 AF43 AH12 AH13 BA07 BB02 BC01 BC02 4F204 AA39 AB11 AB16 AD19 AD35 AH33 FA01 FB01 FB12 FB20 FQ01 4J002 CC041 CD001 CK021 DE076 DE146 DF016 DJ006 DJ016 DK006 FD016 FD140 GQ01 5E317 AA24 AA27 BB01 BB11 CC60 CD31 GG11 GG20 5E338 AA01 AA05 AA16 BB71 BB75 CC01 CC06 CD02 CD10 EE02 EE13 5F067 AA03 CA01 CC01 CC07 CD00 CD03

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】無機質フィラー70〜95重量%と少なく
    とも熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物5〜30重量%とを
    含む熱伝導樹脂組成物からなる絶縁層と、導電性を持つ
    放熱板と、配線パターンとしてのリードフレームからな
    り、前記リードフレームが前記絶縁層と面一になってい
    る回路基板において、前記配線パターンと同一面上の任
    意の位置に、前記放熱板と前記絶縁層内部で電気的に接
    続された接地パターンを存在させたことを特徴とする熱
    伝導基板。
  2. 【請求項2】前記接地パターンが前記リードフレームで
    あり、前記接地パターンと前記放熱板が前記絶縁層内部
    で電気的に接続されている請求項1に記載の熱伝導基
    板。
  3. 【請求項3】前記接地パターンと前記放熱板が前記絶縁
    層内部に埋設された金属柱を介して電気的に接続されて
    いる請求項1または2に記載の熱伝導基板。
  4. 【請求項4】前記接地パターンと前記放熱板が、導電性
    金属粉末と熱硬化性樹脂とを少なくとも含んで前記絶縁
    層中に設けられた導電性樹脂組成物の硬化物を介して、
    電気的に接続されている請求項1〜3のいずれかに記載
    の熱伝導基板。
  5. 【請求項5】前記接地パターンが、平坦な頂上を持つ突
    起状に加工された前記放熱板の一部である請求項1〜4
    のいずれかに記載の熱伝導基板。
  6. 【請求項6】前記接地パターンが、前記放熱板に接続さ
    れた金属柱の頭頂部である請求項1〜5のいずれかに記
    載の熱伝導基板。
  7. 【請求項7】前記金属柱が、前記リードフレームもしく
    は前記放熱板の少なくとも一方と嵌合されている請求項
    3または6に記載の熱伝導基板。
  8. 【請求項8】前記金属柱の少なくとも一方の端が2段の
    突起になっている請求項3、6または7に記載の熱伝導
    基板。
  9. 【請求項9】前記金属柱の少なくとも一方の端が錐状に
    なっており、前記放熱板もしくは前記リードフレームの
    少なくともいずれか一方に前記金属柱の前記錐状端が突
    入している請求項3、6〜8のいずれかに記載の熱伝導
    基板。
  10. 【請求項10】放熱板に接続された接地パターンを有す
    る回路基板の製造方法であって、(1)無機質フィラー
    70〜95重量%と、未硬化の熱硬化性樹脂を少なくと
    も含む樹脂組成物5〜30重量%からなるシート状熱伝
    導樹脂組成物を用意し、(2)導電性を持つ放熱板の所
    望の位置に金属柱を配置し、(3)配線パターンとして
    のリードフレームと、前記シート状熱伝導樹脂組成物
    と、前記放熱板を、前記放熱板上の前記金属柱が前記シ
    ート状熱伝導樹脂組成物と対向するようにしてこの順で
    重ね合わせ、加熱および加圧することにより、 (A)前記金属柱を前記リードフレームに接続させ、同
    時に前記リードフレームの表面まで前記シート状熱伝導
    樹脂組成物を充填させるか、または(B)前記金属柱の
    表面をリードフレームの表面と面一にして前記配線パタ
    ーンの一部とし、前記リードフレームの表面まで前記シ
    ート状熱伝導樹脂組成物を充填させ、 前記シート状熱伝導樹脂組成物中の熱硬化性樹脂を硬化
    させることを特徴とする熱伝導基板の製造方法。
  11. 【請求項11】放熱板に接続された接地パターンを有す
    る回路基板の製造方法であって、(1)無機質フィラー
    70〜95重量%と、未硬化の熱硬化性樹脂を少なくと
    も含む樹脂組成物5〜30重量%からなるシート状熱伝
    導樹脂組成物を用意し、(2)導電性を持つ放熱板の所
    望の位置を押し出して突起状物に加工し、(3)配線パ
    ターンとしてのリードフレームと、前記シート状熱伝導
    樹脂組成物と、前記放熱板を、前記放熱板上の前記突起
    状物が前記シート状熱伝導樹脂組成物と対向するように
    してこの順で重ね合わせ、加熱および加圧することによ
    り、 (A)前記突起状物を前記リードフレームに接続させ、
    同時に前記リードフレームの表面まで前記シート状熱伝
    導樹脂組成物を充填させるか、または(B)前記突起状
    物の表面をリードフレームの表面と面一にして前記配線
    パターンの一部とし、前記リードフレームの表面まで前
    記シート状熱伝導樹脂組成物を充填させ、 前記シート状熱伝導樹脂組成物中の熱硬化性樹脂を硬化
    させることを特徴とする熱伝導基板の製造方法。
  12. 【請求項12】放熱板に接続された接地パターンを有す
    る回路基板の製造方法であって、(1)無機質フィラー
    70〜95重量%と、未硬化の熱硬化性樹脂を少なくと
    も含む樹脂組成物5〜30重量%からなるシート状熱伝
    導樹脂組成物を用意し、(2)配線パターンとしてのリ
    ードフレームの所望の位置に金属柱を配置し、(3)前
    記リードフレームと、前記シート状熱伝導樹脂組成物
    と、導電性の放熱板を、前記リードフレーム上の前記金
    属柱が前記シート状熱伝導樹脂組成物と対向するように
    してこの順で重ね合わせ、加熱および加圧することによ
    り、前記金属柱を前記放熱板に接続させ、同時に前記リ
    ードフレームの表面まで前記シート状熱伝導樹脂組成物
    を充填させると共に、前記シート状熱伝導樹脂組成物中
    の熱硬化性樹脂を硬化させることを特徴とする熱伝導基
    板の製造方法。
  13. 【請求項13】放熱板に接続された接地パターンを有す
    る回路基板の製造方法であって、(1)無機質フィラー
    70〜95重量%と、未硬化の熱硬化性樹脂を少なくと
    も含む樹脂組成物5〜30重量%からなるシート状熱伝
    導樹脂組成物を用意し、(2)前記シート状熱伝導樹脂
    組成物の所望の位置に金属柱を挿入する工程と、(3)
    配線パターンとしてのリードフレームと、前記シート状
    熱伝導樹脂組成物と、導電性の放熱板をこの順で重ね合
    わせ、加熱および加圧することにより、前記金属柱を前
    記放熱板に接続させると共に前記リードフレームにも接
    続させ、同時に前記リードフレームの表面まで前記シー
    ト状熱伝導樹脂組成物を充填させると共に、前記シート
    状熱伝導樹脂組成物中の熱硬化性樹脂を硬化させること
    を特徴とする熱伝導基板の製造方法。
  14. 【請求項14】前記放熱板または前記リードフレームの
    うち少なくとも一方の所望の位置に、前記金属柱に対応
    した形状の穴を開け、前記穴部に前記金属柱を嵌合する
    請求項10〜13のいずれかに記載の熱伝導基板の製造
    方法。
  15. 【請求項15】前記金属柱もしくは前記突起物の端部の
    うち、前記金属板もしくは前記リードフレームと接続さ
    れる前記端部が錐状になっており、(3)の工程におい
    て、前記金属柱もしくは前記突起物の錐状の前記端部が
    前記金属板もしくは前記リードフレームに食い込んで接
    続される請求項10〜14のいずれかにに記載の熱伝導
    基板の製造方法。
  16. 【請求項16】放熱板に接続された接地パターンを有す
    る回路基板の製造方法であって、(1)無機質フィラー
    70〜95重量%と、未硬化の熱硬化性樹脂を少なくと
    も含む樹脂組成物5〜30重量%からなるシート状熱伝
    導樹脂組成物を用意し、(2)導電性金属粉末と熱硬化
    性樹脂とを少なくとも含む未硬化の導電性樹脂組成物を
    用意し、(3)前記シート状熱伝導樹脂組成物の所望の
    位置に穴を開け、前記導電性樹脂組成物を前記穴に充填
    し、(4)配線パターンとしてのリードフレームと、前
    記シート状熱伝導樹脂組成物と、導電性の放熱板をこの
    順で重ね合わせ、加熱および加圧することにより、前記
    導電性樹脂組成物を前記放熱板と前記リードフレームの
    両方に接続させ、また同時に前記リードフレームの表面
    まで前記シート状熱伝導樹脂組成物を充填させると共
    に、前記シート状熱伝導樹脂組成物および前記導電性樹
    脂組成物中の熱硬化性樹脂を硬化させることを特徴とす
    る熱伝導基板の製造方法。
  17. 【請求項17】請求項1〜9のいずれかに記載の熱伝導
    基板に、パワー用能動素子および受動素子が実装され、
    さらに制御回路が接続されていることを特徴とするパワ
    ーモジュール。
  18. 【請求項18】請求項5または6に記載の熱伝導基板の
    接地パターン上に直接部品が実装されている請求項17
    に記載のパワーモジュール。
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US10/309,707 US6860004B2 (en) 2000-04-26 2002-12-03 Method of manufacturing a thermally conductive circuit board with a ground pattern connected to a heat sink
US10/998,277 US7059042B2 (en) 2000-04-26 2004-11-24 Method of manufacturing a thermal conductive circuit board with grounding pattern connected to a heat sink

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004102589A1 (ja) * 2003-05-19 2004-11-25 Hitachi Chemical Co., Ltd. 絶縁材料、フィルム、回路基板及びこれらの製造方法
JP2007173791A (ja) * 2005-11-22 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2008021819A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導基板とその製造方法及び電源ユニット及び電子機器
KR100843368B1 (ko) * 2007-03-02 2008-07-03 삼성전기주식회사 다층 인쇄회로기판의 제조방법
JP2008179720A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Nitto Denko Corp 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性シートならびにパワーモジュール
JP2008243877A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Sumitomo Electric Ind Ltd パワーモジュールおよびその製造方法
JP2009289934A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Apic Yamada Corp 半導体実装基板及びその製造方法
WO2011115037A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 株式会社メイコー プリント基板及びその製造方法
KR101875945B1 (ko) * 2011-11-16 2018-07-06 엘지이노텍 주식회사 전원 공급 장치 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI117717B (fi) * 1999-07-09 2007-01-31 Ciba Sc Holding Ag Pintaliimakoostumus
EP1156528B1 (en) * 2000-05-08 2006-08-30 STMicroelectronics S.r.l. Electric connection structure for electronic power devices and method of connection
US6870244B2 (en) * 2000-12-27 2005-03-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame and production process thereof and production process of thermally conductive substrate
DE10200066A1 (de) * 2002-01-03 2003-07-17 Siemens Ag Leistungselektronikeinheit
US6763580B2 (en) * 2002-03-21 2004-07-20 Motorola, Inc. Method and apparatus for securing an electrically conductive interconnect through a metallic substrate
US20050233161A1 (en) * 2002-04-02 2005-10-20 Masaaki Takeda Thermosetting adhesive sheet with electroconductive and thermoconductive properties
JP2003292908A (ja) * 2002-04-02 2003-10-15 Three M Innovative Properties Co 導電性及び熱伝導性を有する熱硬化型接着シート
US7035047B2 (en) * 2002-10-15 2006-04-25 International Business Machines Corporation Magnetic recording heads having thin thermally conductive undercoating
JP2004140195A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
KR100488518B1 (ko) * 2002-11-14 2005-05-11 삼성전자주식회사 반도체 장치의 방열 시스템
TW200507131A (en) * 2003-07-02 2005-02-16 North Corp Multi-layer circuit board for electronic device
DE10341453A1 (de) * 2003-09-09 2005-03-31 Robert Bosch Gmbh Schaltungsträger
EP1695361A4 (en) * 2003-10-29 2009-11-11 Showa Denko Kk ELECTROLYTIC CAPACITOR
DE102004036909B4 (de) 2004-07-29 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Halbleiterbasisbauteil mit Verdrahtungssubstrat und Zwischenverdrahtungsplatte für einen Halbleiterbauteilstapel sowie Verfahren zu deren Herstellung
US20060037995A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Texas Instruments Incorporated Heatslug to leadframe attachment
JP2006286977A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Eudyna Devices Inc 半導体装置およびその製造方法並びに金属部材および金属部材の製造方法。
US20060256533A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Lear Corporation Thermally dissipating and power dispersing adhesively bonded metal-printed circuit board structure
US8263870B2 (en) * 2005-09-27 2012-09-11 Panasonic Corporation Heat dissipating wiring board, method for manufacturing same, and electric device using heat dissipating wiring board
JP4843419B2 (ja) * 2005-10-13 2011-12-21 ポリマテック株式会社 キーシート
KR100723414B1 (ko) * 2005-12-07 2007-05-30 삼성전자주식회사 열구동 방식의 잉크젯 프린트헤드
WO2007076014A2 (en) * 2005-12-23 2007-07-05 World Properties, Inc. Thermal management circuit materials, method of manufacture thereof, and articles formed therefrom
US20070257343A1 (en) * 2006-05-05 2007-11-08 Hauenstein Henning M Die-on-leadframe (dol) with high voltage isolation
JP2008053693A (ja) * 2006-07-28 2008-03-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュール、携帯機器、および半導体モジュールの製造方法
WO2008148095A1 (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Astralux, Inc. Hybrid silicon/non-silicon electronic device with heat spreader
CN101690434B (zh) * 2007-06-26 2011-08-17 株式会社村田制作所 元器件内置基板的制造方法
US8829663B2 (en) * 2007-07-02 2014-09-09 Infineon Technologies Ag Stackable semiconductor package with encapsulant and electrically conductive feed-through
US8130499B2 (en) * 2007-11-30 2012-03-06 Panasonic Corporation Heat dissipating structure base board, module using heat dissipating structure base board, and method for manufacturing heat dissipating structure base board
US8127445B2 (en) * 2008-04-03 2012-03-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for integrating heat transfer members, and an LED device
JP2009283832A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Rohm Co Ltd Ledランプ
CN102197062B (zh) 2008-09-17 2015-07-08 诺沃梅尔公司 脂族聚碳酸酯淬灭方法
US9084371B2 (en) * 2009-07-27 2015-07-14 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Wiring substrate and manufacturing method for wiring substrate
US7898078B1 (en) 2009-09-29 2011-03-01 International Business Machines Corporation Power connector/decoupler integrated in a heat sink
WO2012026418A1 (ja) * 2010-08-27 2012-03-01 株式会社村田製作所 半導体装置
TWI442526B (zh) * 2010-09-17 2014-06-21 Subtron Technology Co Ltd 導熱基板及其製作方法
KR101156903B1 (ko) * 2010-10-28 2012-06-21 삼성전기주식회사 전력변환모듈의 방열장치
CN103582976A (zh) * 2011-05-31 2014-02-12 伊顿公司 插入式复合配电组件和包括该组件的系统
US8687370B2 (en) * 2011-11-14 2014-04-01 Infineon Technologies Ag Housing for a chip arrangement and a method for forming a housing
KR101895416B1 (ko) * 2011-12-23 2018-09-06 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP6257362B2 (ja) * 2014-02-06 2018-01-10 株式会社神戸製鋼所 鉄鋼精錬用副資材
JP6312527B2 (ja) * 2014-05-23 2018-04-18 新日本無線株式会社 放熱板を備えた電子部品の実装構造
US10420255B2 (en) * 2016-09-14 2019-09-17 Jtekt Corporation Electronic control device
US20180177073A1 (en) * 2016-12-21 2018-06-21 Delphi Technologies, Inc. Compression fit heat sink for electronic components
US11054457B2 (en) 2017-05-24 2021-07-06 Cisco Technology, Inc. Safety monitoring for cables transmitting data and power
US10809134B2 (en) 2017-05-24 2020-10-20 Cisco Technology, Inc. Thermal modeling for cables transmitting data and power
KR102069659B1 (ko) 2017-08-31 2020-01-23 해성디에스 주식회사 반도체 패키지 기판 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체 패키지 기판
US10541758B2 (en) 2017-09-18 2020-01-21 Cisco Technology, Inc. Power delivery through an optical system
US11431420B2 (en) 2017-09-18 2022-08-30 Cisco Technology, Inc. Power delivery through an optical system
US11093012B2 (en) 2018-03-02 2021-08-17 Cisco Technology, Inc. Combined power, data, and cooling delivery in a communications network
US10732688B2 (en) 2018-03-09 2020-08-04 Cisco Technology, Inc. Delivery of AC power with higher power PoE (power over ethernet) systems
US10281513B1 (en) 2018-03-09 2019-05-07 Cisco Technology, Inc. Verification of cable application and reduced load cable removal in power over communications systems
US10631443B2 (en) 2018-03-12 2020-04-21 Cisco Technology, Inc. Splitting of combined delivery power, data, and cooling in a communications network
US10672537B2 (en) 2018-03-30 2020-06-02 Cisco Technology, Inc. Interface module for combined delivery power, data, and cooling at a network device
US10958471B2 (en) 2018-04-05 2021-03-23 Cisco Technology, Inc. Method and apparatus for detecting wire fault and electrical imbalance for power over communications cabling
FR3080501B1 (fr) * 2018-04-23 2021-10-08 Valeo Systemes Thermiques Groupe moto-ventilateur pour vehicule automobile comprenant une carte electronique de commande d’un moteur electrique
US10763749B2 (en) 2018-11-14 2020-09-01 Cisco Technology, Inc Multi-resonant converter power supply
US11061456B2 (en) 2019-01-23 2021-07-13 Cisco Technology, Inc. Transmission of pulse power and data over a wire pair
US10790997B2 (en) 2019-01-23 2020-09-29 Cisco Technology, Inc. Transmission of pulse power and data in a communications network
US10680836B1 (en) 2019-02-25 2020-06-09 Cisco Technology, Inc. Virtualized chassis with power-over-Ethernet for networking applications
US11063630B2 (en) 2019-11-01 2021-07-13 Cisco Technology, Inc. Initialization and synchronization for pulse power in a network system
JP7404834B2 (ja) * 2019-12-06 2023-12-26 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US11252811B2 (en) 2020-01-15 2022-02-15 Cisco Technology, Inc. Power distribution from point-of-load with cooling
US11853138B2 (en) 2020-01-17 2023-12-26 Cisco Technology, Inc. Modular power controller
US11088547B1 (en) 2020-01-17 2021-08-10 Cisco Technology, Inc. Method and system for integration and control of power for consumer power circuits
US11438183B2 (en) 2020-02-25 2022-09-06 Cisco Technology, Inc. Power adapter for power supply unit
US11637497B2 (en) 2020-02-28 2023-04-25 Cisco Technology, Inc. Multi-phase pulse power short reach distribution
US11320610B2 (en) 2020-04-07 2022-05-03 Cisco Technology, Inc. Integration of power and optics through cold plate for delivery to electronic and photonic integrated circuits
US11307368B2 (en) 2020-04-07 2022-04-19 Cisco Technology, Inc. Integration of power and optics through cold plates for delivery to electronic and photonic integrated circuits
CN111654979A (zh) * 2020-06-30 2020-09-11 博敏电子股份有限公司 一种导通孔内无缝衔接埋嵌铜柱方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4396936A (en) * 1980-12-29 1983-08-02 Honeywell Information Systems, Inc. Integrated circuit chip package with improved cooling means
JPS60169187A (ja) 1984-02-13 1985-09-02 松下電器産業株式会社 金属ベ−ス回路基板
JPH069312B2 (ja) 1988-06-24 1994-02-02 電気化学工業株式会社 金属ベース回路基板の製造方法
JPH02297995A (ja) 1989-05-12 1990-12-10 Furukawa Electric Co Ltd:The 金属板付きプリント回路基板の製造方法
JPH0373594A (ja) 1989-08-15 1991-03-28 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属板ベース回路基板及びその製法
US5559369A (en) * 1989-10-02 1996-09-24 Advanced Micro Devices, Inc. Ground plane for plastic encapsulated integrated circuit die packages
JP3197213B2 (ja) * 1996-05-29 2001-08-13 松下電器産業株式会社 プリント配線板およびその製造方法
JP3528451B2 (ja) * 1996-07-26 2004-05-17 ソニー株式会社 電子番組ガイド表示制御装置及びその方法
US6143116A (en) * 1996-09-26 2000-11-07 Kyocera Corporation Process for producing a multi-layer wiring board
TW398163B (en) 1996-10-09 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd The plate for heat transfer substrate and manufacturing method thereof, the heat-transfer substrate using such plate and manufacturing method thereof
JP3312723B2 (ja) 1996-10-09 2002-08-12 松下電器産業株式会社 熱伝導シート状物とその製造方法及びそれを用いた熱伝導基板とその製造方法
US5851337A (en) * 1997-06-30 1998-12-22 Caesar Technology Inc. Method of connecting TEHS on PBGA and modified connecting structure
US6038133A (en) * 1997-11-25 2000-03-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit component built-in module and method for producing the same
JP3284092B2 (ja) * 1997-12-05 2002-05-20 理研ダイヤモンド工業株式会社 切断破砕用カッター
JPH11243166A (ja) * 1998-02-24 1999-09-07 Fuji Electric Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP3835949B2 (ja) * 1999-06-11 2006-10-18 松下電器産業株式会社 熱伝導樹脂組成物構造体及びその製造方法、並びに、それを用いた熱伝導基板の製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004102589A1 (ja) * 2003-05-19 2004-11-25 Hitachi Chemical Co., Ltd. 絶縁材料、フィルム、回路基板及びこれらの製造方法
US7700185B2 (en) 2003-05-19 2010-04-20 Hitachi Chemical Company, Ltd. Insulation material, film, circuit board and method of producing them
JP2007173791A (ja) * 2005-11-22 2007-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法並びにそれを用いたバックライト装置
JP2008021819A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導基板とその製造方法及び電源ユニット及び電子機器
JP2008179720A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Nitto Denko Corp 熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性シートならびにパワーモジュール
KR100843368B1 (ko) * 2007-03-02 2008-07-03 삼성전기주식회사 다층 인쇄회로기판의 제조방법
JP2008243877A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Sumitomo Electric Ind Ltd パワーモジュールおよびその製造方法
JP2009289934A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Apic Yamada Corp 半導体実装基板及びその製造方法
WO2011115037A1 (ja) * 2010-03-19 2011-09-22 株式会社メイコー プリント基板及びその製造方法
KR101875945B1 (ko) * 2011-11-16 2018-07-06 엘지이노텍 주식회사 전원 공급 장치 및 이의 제조 방법

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