JP2001307360A - 重畳デバイス - Google Patents
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ピックアップ等に用いられる重畳デバイス
の小型化を図り、電磁波の不要輻射を低減し、回路部品
定数のばらつきを小さくする。 【解決手段】 セラミック層を積層して形成された多層
基板４２に、発振回路の一部（共振回路）やノイズ除去
フィルタの一部等を構成する回路部品を内蔵させ、残り
の回路部品を多層基板４２の表面に実装する。多層基板
４２の表面は、金属ケース４５によって覆う。
の小型化を図り、電磁波の不要輻射を低減し、回路部品
定数のばらつきを小さくする。 【解決手段】 セラミック層を積層して形成された多層
基板４２に、発振回路の一部（共振回路）やノイズ除去
フィルタの一部等を構成する回路部品を内蔵させ、残り
の回路部品を多層基板４２の表面に実装する。多層基板
４２の表面は、金属ケース４５によって覆う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、重畳デバイスに関
する。特に、光磁気ディスク等の情報記録媒体に記録／
再生または再生を行うための光ピックアップ用のレーザ
ーダイオードの高周波重畳回路として用いられる重畳デ
バイスに関する。
する。特に、光磁気ディスク等の情報記録媒体に記録／
再生または再生を行うための光ピックアップ用のレーザ
ーダイオードの高周波重畳回路として用いられる重畳デ
バイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】光ピックアップは、情報を再生するとき
に、光磁気ディスクに照射した光ビームの反射光を受光
することにより、カー効果を利用して記録情報を再生で
きるようにしたものである。しかし、光磁気ディスクの
情報を再生する時に、レーザーダイオードの端面に対し
て光磁気ディスク側から戻り光があると変調されてしま
う。このため、光ピックアップは、レーザーダイオード
の端面への戻り光の影響をキャンセルするために、高周
波発振器を備えた高周波重畳回路を設けている。
に、光磁気ディスクに照射した光ビームの反射光を受光
することにより、カー効果を利用して記録情報を再生で
きるようにしたものである。しかし、光磁気ディスクの
情報を再生する時に、レーザーダイオードの端面に対し
て光磁気ディスク側から戻り光があると変調されてしま
う。このため、光ピックアップは、レーザーダイオード
の端面への戻り光の影響をキャンセルするために、高周
波発振器を備えた高周波重畳回路を設けている。
【０００３】図１に示すものは、この高周波重畳回路の
構成を示す回路図である。この重畳回路は、発振回路
１、マッチング回路２、ノイズ除去用フィルタ３、４、
スイッチを介して高周波重畳回路の電源ラインに接続さ
れる電源端子５、オートパワーコントローラ（ＡＰＣ）
のレーザーダイオード駆動電流用ラインに接続された端
子（以下、ＡＰＣ端子という）６、グランドとの間にレ
ーザーダイオード２５を接続される端子（以下、ＬＤ端
子という）７、グランド（ＧＮＤ）接続用の端子（以
下、ＧＮＤ端子という）８によって構成されている。こ
の重畳回路のＬＤ端子７とＧＮＤ端子８の間に接続され
るレーザーダイオード２５は、ハイパワー型のレーザー
ダイオードであり、光磁気ディスク用のレーザー光の発
生源である。レーザーダイオード２５には、ＡＰＣ端子
６から電力が供給され、発振回路１には、電源端子５か
ら電力が供給される。
構成を示す回路図である。この重畳回路は、発振回路
１、マッチング回路２、ノイズ除去用フィルタ３、４、
スイッチを介して高周波重畳回路の電源ラインに接続さ
れる電源端子５、オートパワーコントローラ（ＡＰＣ）
のレーザーダイオード駆動電流用ラインに接続された端
子（以下、ＡＰＣ端子という）６、グランドとの間にレ
ーザーダイオード２５を接続される端子（以下、ＬＤ端
子という）７、グランド（ＧＮＤ）接続用の端子（以
下、ＧＮＤ端子という）８によって構成されている。こ
の重畳回路のＬＤ端子７とＧＮＤ端子８の間に接続され
るレーザーダイオード２５は、ハイパワー型のレーザー
ダイオードであり、光磁気ディスク用のレーザー光の発
生源である。レーザーダイオード２５には、ＡＰＣ端子
６から電力が供給され、発振回路１には、電源端子５か
ら電力が供給される。
【０００４】図１において、高周波重畳回路は次のよう
な構成となっている。電源端子５と発振回路１との間に
は、重畳回路用電源ラインのノイズ除去用フィルタ３が
接続されている。すなわち、電源端子５と発振回路１の
入力をインダクタ９で接続し、電源端子５とＧＮＤ端子
８とをコンデンサ１０で接続することにより、インダク
タ９とコンデンサ１０からなるτ型のノイズ除去用フィ
ルタ３を構成している。
な構成となっている。電源端子５と発振回路１との間に
は、重畳回路用電源ラインのノイズ除去用フィルタ３が
接続されている。すなわち、電源端子５と発振回路１の
入力をインダクタ９で接続し、電源端子５とＧＮＤ端子
８とをコンデンサ１０で接続することにより、インダク
タ９とコンデンサ１０からなるτ型のノイズ除去用フィ
ルタ３を構成している。
【０００５】発振回路１において、その入力とＧＮＤ端
子８との間には、抵抗１１、１２が直列にして接続さ
れ、またトランジスタ１３、インダクタ１４及び抵抗１
５が直列にして接続され、またコンデンサ１６が接続さ
れている。さらに、抵抗１１及び１２の中点はトランジ
スタ１３のベースに接続されている。トランジスタ１３
のべ一スとＧＮＤ端子８との間には、コンデンサ１７と
インダクタ１８が直列にして接続され、また２つのコン
デンサ１９、２０が直列にして接続されており、両コン
デンサ１９、２０の中点とトランジスタ１３のエミッタ
が互いに接続されている。
子８との間には、抵抗１１、１２が直列にして接続さ
れ、またトランジスタ１３、インダクタ１４及び抵抗１
５が直列にして接続され、またコンデンサ１６が接続さ
れている。さらに、抵抗１１及び１２の中点はトランジ
スタ１３のベースに接続されている。トランジスタ１３
のべ一スとＧＮＤ端子８との間には、コンデンサ１７と
インダクタ１８が直列にして接続され、また２つのコン
デンサ１９、２０が直列にして接続されており、両コン
デンサ１９、２０の中点とトランジスタ１３のエミッタ
が互いに接続されている。
【０００６】トランジスタ１３のエミッタとＧＮＤ端子
８との間には、直列に接続されたコンデンサ２１、２２
を挿入してレーザーダイオード２５との整合をとるため
のマッチング回路２を構成し、両コンデンサ２１、２２
間の中点にＬＤ端子７を接続している。また、ＬＤ端子
７とＡＰＣ端子６との間に挿入されたインダクタ２３
と、ＡＰＣ端子６とＧＮＤ端子８との間に挿入されたコ
ンデンサ２４によってレーザーダイオード駆動回路用ラ
インのτ型ノイズ除去用フィルタ４を構成している。
８との間には、直列に接続されたコンデンサ２１、２２
を挿入してレーザーダイオード２５との整合をとるため
のマッチング回路２を構成し、両コンデンサ２１、２２
間の中点にＬＤ端子７を接続している。また、ＬＤ端子
７とＡＰＣ端子６との間に挿入されたインダクタ２３
と、ＡＰＣ端子６とＧＮＤ端子８との間に挿入されたコ
ンデンサ２４によってレーザーダイオード駆動回路用ラ
インのτ型ノイズ除去用フィルタ４を構成している。
【０００７】この重畳回路にあっては、レーザーダイオ
ード２５に対し順バイアスをかけて発振回路１をオンに
する。電源端子５は、高周波重畳回路電源（Ｖｃｃ）と
回路スイッチ端子（ＲＭＳ）とを兼ねたものであり、高
周波重畳回路電源と回路スイッチ端子を接続したもので
ある。電源端子５で電源のオン／オフを行うことによ
り、重畳回路のオン／オフも行うことができる。すなわ
ち、ノイズ除去用フィルタ３を通して印加された直流電
圧は、抵抗１１、１２によって分圧されて発振回路１の
トランジスタ１３のべ一スに入力されており、高周波重
畳回路電源に電圧をかけると同時に回路スイッチ端子に
電圧をかけることができ、トランジスタ１３が動作状態
となって、発振を開始することができる。なお、この発
振回路１の発振周波数は、コンデンサ１７、１９、２０
及びインダクタ１８からなる共振回路の各定数によって
決まる。
ード２５に対し順バイアスをかけて発振回路１をオンに
する。電源端子５は、高周波重畳回路電源（Ｖｃｃ）と
回路スイッチ端子（ＲＭＳ）とを兼ねたものであり、高
周波重畳回路電源と回路スイッチ端子を接続したもので
ある。電源端子５で電源のオン／オフを行うことによ
り、重畳回路のオン／オフも行うことができる。すなわ
ち、ノイズ除去用フィルタ３を通して印加された直流電
圧は、抵抗１１、１２によって分圧されて発振回路１の
トランジスタ１３のべ一スに入力されており、高周波重
畳回路電源に電圧をかけると同時に回路スイッチ端子に
電圧をかけることができ、トランジスタ１３が動作状態
となって、発振を開始することができる。なお、この発
振回路１の発振周波数は、コンデンサ１７、１９、２０
及びインダクタ１８からなる共振回路の各定数によって
決まる。
【０００８】この発振回路１を含む高周波重畳回路は、
たとえば光磁気ディスクの情報の再生時において、レー
ザーダイオード２５に対して戻り光があると変調されて
しまうので、レーザーダイオード２５の端面への戻り光
の影響をキャンセルするのに使用される。
たとえば光磁気ディスクの情報の再生時において、レー
ザーダイオード２５に対して戻り光があると変調されて
しまうので、レーザーダイオード２５の端面への戻り光
の影響をキャンセルするのに使用される。
【０００９】図２は上記のような構成の高周波重畳回路
を具体化した従来の重畳デバイス３１の構造を示す断面
図である。従来の高周波デバイスにあっては、（単層）
プリント配線基板３５の表裏両面にトランジスタやコン
デンサ、抵抗、インダクタ等のチップ状回路部品（ディ
スクリート部品）３６を実装してあり、このプリント配
線基板３５をホルダーケース３２内に納めて突起３４に
よって位置決めし、その上をホルダーカバー３３によっ
て覆っている。ホルダーケース３２の底面に配置された
レーザーダイオード２５のリード３７ａ、３７ｂ、３７
ｃは、プリント配線基板３５に挿通され、プリント配線
基板３５の配線パターンに半田付けされている。また、
プリント配線基板３５に挿通され、プリント配線基板３
５の配線パターンに接続された３本の端子ピン３８ａ、
３８ｂ、３８ｃはホルダーケース３２の内底面に設けら
れた貫通コンデンサ３９を貫通してホルダーケース３２
の底面から突出している。
を具体化した従来の重畳デバイス３１の構造を示す断面
図である。従来の高周波デバイスにあっては、（単層）
プリント配線基板３５の表裏両面にトランジスタやコン
デンサ、抵抗、インダクタ等のチップ状回路部品（ディ
スクリート部品）３６を実装してあり、このプリント配
線基板３５をホルダーケース３２内に納めて突起３４に
よって位置決めし、その上をホルダーカバー３３によっ
て覆っている。ホルダーケース３２の底面に配置された
レーザーダイオード２５のリード３７ａ、３７ｂ、３７
ｃは、プリント配線基板３５に挿通され、プリント配線
基板３５の配線パターンに半田付けされている。また、
プリント配線基板３５に挿通され、プリント配線基板３
５の配線パターンに接続された３本の端子ピン３８ａ、
３８ｂ、３８ｃはホルダーケース３２の内底面に設けら
れた貫通コンデンサ３９を貫通してホルダーケース３２
の底面から突出している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の重畳デバイスに
あっては、図２に示したように、プリント配線基板の両
面にチップ状の回路部品を実装して発振回路を含む重畳
回路を構成していたので、回路素子の占める実効面積が
大きくなり、大きなプリント配線基板が必要となり、重
畳デバイスのサイズが大きくなっていた。
あっては、図２に示したように、プリント配線基板の両
面にチップ状の回路部品を実装して発振回路を含む重畳
回路を構成していたので、回路素子の占める実効面積が
大きくなり、大きなプリント配線基板が必要となり、重
畳デバイスのサイズが大きくなっていた。
【００１１】また、重畳デバイスのサイズが大きくなる
のに伴って、基板表面における配線パターンの長さが長
くなるので、信号の不要幅射が大きくなる問題があり、
そのため信号の漏洩対策としてプリント配線基板全体を
ホルダーケースとホルダーカバーで完全に覆う必要があ
った。
のに伴って、基板表面における配線パターンの長さが長
くなるので、信号の不要幅射が大きくなる問題があり、
そのため信号の漏洩対策としてプリント配線基板全体を
ホルダーケースとホルダーカバーで完全に覆う必要があ
った。
【００１２】さらに、サイズが大きくなること、基板を
ホルダーケースとホルダーカバーで完全に覆う必要があ
ることに加え、貫通コンデンサの取り付けなどによって
コストが高くつくようになり、組立工数も大きくなる問
題があった。
ホルダーケースとホルダーカバーで完全に覆う必要があ
ることに加え、貫通コンデンサの取り付けなどによって
コストが高くつくようになり、組立工数も大きくなる問
題があった。
【００１３】さらに、このような重畳デバイスにあって
は、プリント配線基板にディスクリート部品を実装して
いるので、回路部品間のマッチングも考慮する必要があ
り、インダクタやコンデンサ等の各回路部品の定数（特
に、共振回路の共振周波数を決める定数）の選定にも時
間がかかる欠点があった。
は、プリント配線基板にディスクリート部品を実装して
いるので、回路部品間のマッチングも考慮する必要があ
り、インダクタやコンデンサ等の各回路部品の定数（特
に、共振回路の共振周波数を決める定数）の選定にも時
間がかかる欠点があった。
【００１４】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、小型化
を図ることができ、電磁波の不要輻射を低減でき、回路
部品定数のばらつきも小さな重畳デバイスを提供するこ
とにある。
なされたものであり、その目的とするところは、小型化
を図ることができ、電磁波の不要輻射を低減でき、回路
部品定数のばらつきも小さな重畳デバイスを提供するこ
とにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の重畳デ
バイスは、情報記録媒体にレーザー光を照射するレーザ
ー光源に対する、前記情報記録媒体からの戻り光による
影響を低減するための重畳回路を備えた重畳デバイスで
あって、前記重畳回路を構成する発振回路の一部もしく
は全ての回路素子を多層基板の内部に設けたものであ
る。特に、発振回路を構成する回路素子のうち、コンデ
ンサ、インダクタンスもしくはストリップラインからな
る共振回路の回路素子の一部もしくは全てを多層基板の
内部に設けることが望ましい。
バイスは、情報記録媒体にレーザー光を照射するレーザ
ー光源に対する、前記情報記録媒体からの戻り光による
影響を低減するための重畳回路を備えた重畳デバイスで
あって、前記重畳回路を構成する発振回路の一部もしく
は全ての回路素子を多層基板の内部に設けたものであ
る。特に、発振回路を構成する回路素子のうち、コンデ
ンサ、インダクタンスもしくはストリップラインからな
る共振回路の回路素子の一部もしくは全てを多層基板の
内部に設けることが望ましい。
【００１６】請求項１に記載の重畳デバイスにあって
は、発振回路を構成する回路素子の一部もしくは全てを
多層基板の内部に設けることにより、多層化によって発
振回路を小さくでき、ひいては重畳デバイスを小型化す
ることができる。
は、発振回路を構成する回路素子の一部もしくは全てを
多層基板の内部に設けることにより、多層化によって発
振回路を小さくでき、ひいては重畳デバイスを小型化す
ることができる。
【００１７】また、発振回路ないし重畳デバイスのサイ
ズが小さくなるのに伴って、基板表面における配線パタ
ーンの長さを短くでき、信号の不要幅射を低減できる。
ズが小さくなるのに伴って、基板表面における配線パタ
ーンの長さを短くでき、信号の不要幅射を低減できる。
【００１８】さらに、発振回路の多層化とサイズの小型
化により、組立工数が少なくなり、コストも安価にする
ことが可能になる。
化により、組立工数が少なくなり、コストも安価にする
ことが可能になる。
【００１９】さらに、このような重畳デバイスにあって
は、発振回路の回路部品を印刷電極や印刷配線によって
形成することができるので、回路定数のばらつきを小さ
くでき、マッチング調整も不要にできる。
は、発振回路の回路部品を印刷電極や印刷配線によって
形成することができるので、回路定数のばらつきを小さ
くでき、マッチング調整も不要にできる。
【００２０】請求項２に記載の重畳デバイスは、情報記
録媒体にレーザー光を照射するレーザー光源に対する、
前記情報記録媒体からの戻り光による影響を低減するた
めの重畳回路を備えた重畳デバイスであって、前記重畳
回路を構成するノイズ除去用フィルタの一部もしくは全
ての回路素子を多層基板の内部に設けたものである。特
に、ノイズ除去用フィルタを構成する回路素子のうちで
も、コンデンサ、インダクタもしくはストリップライン
を多層基板の内部に設けることが望ましい。
録媒体にレーザー光を照射するレーザー光源に対する、
前記情報記録媒体からの戻り光による影響を低減するた
めの重畳回路を備えた重畳デバイスであって、前記重畳
回路を構成するノイズ除去用フィルタの一部もしくは全
ての回路素子を多層基板の内部に設けたものである。特
に、ノイズ除去用フィルタを構成する回路素子のうちで
も、コンデンサ、インダクタもしくはストリップライン
を多層基板の内部に設けることが望ましい。
【００２１】請求項２に記載の重畳デバイスにあって
は、ノイズ除去用フィルタを構成する回路素子の一部も
しくは全てを多層基板の内部に設けることにより、多層
化によってノイズ除去用フィルタを小さくでき、ひいて
は重畳デバイスを小型化することができる。
は、ノイズ除去用フィルタを構成する回路素子の一部も
しくは全てを多層基板の内部に設けることにより、多層
化によってノイズ除去用フィルタを小さくでき、ひいて
は重畳デバイスを小型化することができる。
【００２２】また、ノイズ除去用フィルタないし重畳デ
バイスのサイズが小さくなるのに伴って、基板表面にお
ける配線パターンの長さを短くでき、信号の不要幅射を
低減できる。
バイスのサイズが小さくなるのに伴って、基板表面にお
ける配線パターンの長さを短くでき、信号の不要幅射を
低減できる。
【００２３】さらに、発振回路の多層化とサイズの小型
化により、組立工数が少なくなり、コストも安価にする
ことが可能になる。
化により、組立工数が少なくなり、コストも安価にする
ことが可能になる。
【００２４】さらに、このような重畳デバイスにあって
は、発振回路の回路部品を印刷電極や印刷配線によって
形成することができるので、回路定数のばらつきを小さ
くでき、マッチング調整も不要にできる。
は、発振回路の回路部品を印刷電極や印刷配線によって
形成することができるので、回路定数のばらつきを小さ
くでき、マッチング調整も不要にできる。
【００２５】請求項３に記載の重畳デバイスは、請求項
１又は２に記載した重畳デバイスにおける増幅用素子
が、前記多層基板の表面に実装されたものである。トラ
ンジスタ等からなる増幅用素子は、多層基板の内部に設
けるのは困難であるから、増幅用素子は多層基板の表面
に実装することによって重畳デバイスの構造を簡単にす
ることができる。
１又は２に記載した重畳デバイスにおける増幅用素子
が、前記多層基板の表面に実装されたものである。トラ
ンジスタ等からなる増幅用素子は、多層基板の内部に設
けるのは困難であるから、増幅用素子は多層基板の表面
に実装することによって重畳デバイスの構造を簡単にす
ることができる。
【００２６】請求項４に記載の重畳デバイスは、請求項
１、２又は３に記載した重畳デバイスにおいて、前記多
層基板の表面を金属ケースで覆ったものである。
１、２又は３に記載した重畳デバイスにおいて、前記多
層基板の表面を金属ケースで覆ったものである。
【００２７】請求項４に記載した重畳デバイスにあって
は、基板表面を金属ケースで覆っているので、信号の不
要輻射をより低減することができる。しかも、基板の表
面だけを金属ケースで覆うだけでよいので、重畳デバイ
スを小型化でき、コストも安価にできる。
は、基板表面を金属ケースで覆っているので、信号の不
要輻射をより低減することができる。しかも、基板の表
面だけを金属ケースで覆うだけでよいので、重畳デバイ
スを小型化でき、コストも安価にできる。
【００２８】請求項５に記載の重畳デバイスは、請求項
１、２、３又は４に記載した重畳デバイスにおける前記
多層基板が、低温焼結セラミック層と銅電極とを積層し
て形成されたものである。
１、２、３又は４に記載した重畳デバイスにおける前記
多層基板が、低温焼結セラミック層と銅電極とを積層し
て形成されたものである。
【００２９】請求項５に記載の重畳デバイスにあって
は、低温焼結セラミック基板と銅電極膜を用いて多層構
造にしているので、コンデンサの極板やインダクタ等と
ともに電磁波をシールドするためのシールド板も多層基
板内に形成することができる。
は、低温焼結セラミック基板と銅電極膜を用いて多層構
造にしているので、コンデンサの極板やインダクタ等と
ともに電磁波をシールドするためのシールド板も多層基
板内に形成することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図３は本発明
の一実施形態による重畳デバイス４１の構造を示す断面
図である。この重畳デバイス４１は、図１に示したよう
な構成の、光ピックアップ用の重畳回路を具体化したも
のであって、セラミックグリーンシートの表面に銅ペー
ストを所定パターンに印刷したものを積層し、これを低
温で焼成することにより低温焼結セラミック層と銅電極
膜とからなる多層基板４２を形成し、多層基板４２の内
部に回路部品の一部（この実施形態では、コンデンサと
インダクタ）を内蔵させ、残りの回路部品を多層基板４
２の表面に実装し、多層基板４２の表面を金属ケース４
５で覆っている。
の一実施形態による重畳デバイス４１の構造を示す断面
図である。この重畳デバイス４１は、図１に示したよう
な構成の、光ピックアップ用の重畳回路を具体化したも
のであって、セラミックグリーンシートの表面に銅ペー
ストを所定パターンに印刷したものを積層し、これを低
温で焼成することにより低温焼結セラミック層と銅電極
膜とからなる多層基板４２を形成し、多層基板４２の内
部に回路部品の一部（この実施形態では、コンデンサと
インダクタ）を内蔵させ、残りの回路部品を多層基板４
２の表面に実装し、多層基板４２の表面を金属ケース４
５で覆っている。
【００３１】図４（ａ）〜（ｅ）、図５（ｆ）〜
（ｉ）、図６（ｊ）〜（ｍ）、図７（ｎ）〜（ｑ）は上
記多層基板４２を各セラミック層毎に分割して表した図
であって、図４（ａ）（ｂ）は下面側（重畳デバイスを
実装する回路基板側）から第１層目のセラミック層５１
の表面図及び裏面図、図４（ｃ）〜図７（ｐ）は第２層
目〜第１５層目のセラミック層５２〜６５を示す表面
図、図７は上面に回路部品を実装された多層基板４２を
示す平面図である。以下、この多層基板４２の構造を図
４〜図７に従って説明する。
（ｉ）、図６（ｊ）〜（ｍ）、図７（ｎ）〜（ｑ）は上
記多層基板４２を各セラミック層毎に分割して表した図
であって、図４（ａ）（ｂ）は下面側（重畳デバイスを
実装する回路基板側）から第１層目のセラミック層５１
の表面図及び裏面図、図４（ｃ）〜図７（ｐ）は第２層
目〜第１５層目のセラミック層５２〜６５を示す表面
図、図７は上面に回路部品を実装された多層基板４２を
示す平面図である。以下、この多層基板４２の構造を図
４〜図７に従って説明する。
【００３２】多層基板４２の外周面には、電極材料を焼
き付けることによって電源端子５、ＡＰＣ端子６、ＬＤ
端子７、３箇所のＧＮＤ端子８が設けられている。これ
らの端子５、６、７、８は、図４（ａ）〜図５（ｆ）に
おいて、セラミック層５１〜５５の外周面に示されてい
る。図４（ａ）（ｂ）は下面から第１層のセラミック層
５１の表面及び裏面を示す図であって、このセラミック
層５１の表面のほぼ全体には銅電極膜７１が形成されて
おり、銅電極膜７１はＧＮＤ端子８に接続されている。
また、電源端子５、ＡＰＣ端子６、ＬＤ端子７、ＧＮＤ
端子８は、セラミック層５１の裏面（すなわち、多層基
板４２の裏面）にも延出されており、重畳デバイス４１
を回路基板に表面実装する際に回路基板の電極パッドと
接続するための電極となっている。
き付けることによって電源端子５、ＡＰＣ端子６、ＬＤ
端子７、３箇所のＧＮＤ端子８が設けられている。これ
らの端子５、６、７、８は、図４（ａ）〜図５（ｆ）に
おいて、セラミック層５１〜５５の外周面に示されてい
る。図４（ａ）（ｂ）は下面から第１層のセラミック層
５１の表面及び裏面を示す図であって、このセラミック
層５１の表面のほぼ全体には銅電極膜７１が形成されて
おり、銅電極膜７１はＧＮＤ端子８に接続されている。
また、電源端子５、ＡＰＣ端子６、ＬＤ端子７、ＧＮＤ
端子８は、セラミック層５１の裏面（すなわち、多層基
板４２の裏面）にも延出されており、重畳デバイス４１
を回路基板に表面実装する際に回路基板の電極パッドと
接続するための電極となっている。
【００３３】図４（ｃ）に示すように、下面から第２層
のセラミック層５２の表面のほぼ全体には、銅電極膜７
２が形成されており、この銅電極膜７２は電源端子５に
接続されている。図４（ｄ）に示すように、下面から第
３層のセラミック層５３の表面のほぼ全体には、銅電極
膜７３が形成されており、この銅電極膜７３はＧＮＤ端
子８に接続されている。図４（ｅ）に示すように、下面
から第４層のセラミック層５４の表面のほぼ全体には、
銅電極膜７４が形成されており、この銅電極膜７４は電
源端子５に接続されている。さらに、図５（ｆ）に示す
ように、下面から第５層のセラミック層５５の表面のほ
ぼ全体には、銅電極膜７５が形成されており、この銅電
極膜７５はＧＮＤ端子８に接続されている。こうしてセ
ラミック層５２〜５５を隔てて積層された銅電極膜７１
〜７５のうち、銅電極膜７１、７３、７５はＧＮＤ端子
８に接続され、銅電極膜７２、７４は電源端子５に接続
されており、銅電極膜７１〜７５によって図１の重畳回
路の積層型コンデンサ１０が形成されている。こうし
て、セラミック層５１〜５５は、発振回路の一部４３を
構成している。同時に、最下層の銅電極膜７１は、多層
基板４２の下面において電磁波をシールドする機能も備
えている。
のセラミック層５２の表面のほぼ全体には、銅電極膜７
２が形成されており、この銅電極膜７２は電源端子５に
接続されている。図４（ｄ）に示すように、下面から第
３層のセラミック層５３の表面のほぼ全体には、銅電極
膜７３が形成されており、この銅電極膜７３はＧＮＤ端
子８に接続されている。図４（ｅ）に示すように、下面
から第４層のセラミック層５４の表面のほぼ全体には、
銅電極膜７４が形成されており、この銅電極膜７４は電
源端子５に接続されている。さらに、図５（ｆ）に示す
ように、下面から第５層のセラミック層５５の表面のほ
ぼ全体には、銅電極膜７５が形成されており、この銅電
極膜７５はＧＮＤ端子８に接続されている。こうしてセ
ラミック層５２〜５５を隔てて積層された銅電極膜７１
〜７５のうち、銅電極膜７１、７３、７５はＧＮＤ端子
８に接続され、銅電極膜７２、７４は電源端子５に接続
されており、銅電極膜７１〜７５によって図１の重畳回
路の積層型コンデンサ１０が形成されている。こうし
て、セラミック層５１〜５５は、発振回路の一部４３を
構成している。同時に、最下層の銅電極膜７１は、多層
基板４２の下面において電磁波をシールドする機能も備
えている。
【００３４】図５（ｈ）に示すように、下面から第７層
目のセラミック層５７の表面には、スパイラル状の銅ス
トリップライン電極７６が形成されており、銅ストリッ
プライン電極７６は重畳回路のインダクタ１８となって
いる。このインダクタ１８を形成されたセラミック層５
７は、その上下を図５（ｇ）（ｉ）に示すようなスルー
ホール８５のみのセラミック層５６、５８で挟まれてセ
ラミック層５５の上に積層される。
目のセラミック層５７の表面には、スパイラル状の銅ス
トリップライン電極７６が形成されており、銅ストリッ
プライン電極７６は重畳回路のインダクタ１８となって
いる。このインダクタ１８を形成されたセラミック層５
７は、その上下を図５（ｇ）（ｉ）に示すようなスルー
ホール８５のみのセラミック層５６、５８で挟まれてセ
ラミック層５５の上に積層される。
【００３５】図６（ｊ）に示すように、下面から第９層
目のセラミック層５９の表面のほぼ全面には銅電極膜７
７が形成されている。この銅電極膜７７は、ＧＮＤ端子
８に接続されて共振回路のグランド電極となる。図６
（ｋ）に示すように、下面から第１０層目のセラミック
層６０の表面には、面積の大きな銅電極膜７８と面積の
小さな銅電極膜７９とが形成されている。この下の銅電
極膜７７と上の銅電極膜７８によって重畳回路のコンデ
ンサ２２が形成され、下の銅電極膜７７と上の銅電極膜
７９によって重畳回路のコンデンサ２０が形成されてい
る。
目のセラミック層５９の表面のほぼ全面には銅電極膜７
７が形成されている。この銅電極膜７７は、ＧＮＤ端子
８に接続されて共振回路のグランド電極となる。図６
（ｋ）に示すように、下面から第１０層目のセラミック
層６０の表面には、面積の大きな銅電極膜７８と面積の
小さな銅電極膜７９とが形成されている。この下の銅電
極膜７７と上の銅電極膜７８によって重畳回路のコンデ
ンサ２２が形成され、下の銅電極膜７７と上の銅電極膜
７９によって重畳回路のコンデンサ２０が形成されてい
る。
【００３６】さらに、この上には、図６（ｌ）に示すよ
うに、表面のほぼ全体に銅電極膜８０を形成された下面
から第１１層目のセラミック層６１が積層され、下の銅
電極膜７８とこの銅電極膜８０との間に重畳回路のコン
デンサ２１が形成されている。
うに、表面のほぼ全体に銅電極膜８０を形成された下面
から第１１層目のセラミック層６１が積層され、下の銅
電極膜７８とこの銅電極膜８０との間に重畳回路のコン
デンサ２１が形成されている。
【００３７】同様に、図６（ｍ）に示すように、下面か
ら第１２層目のセラミック層６２の表面のほぼ全体には
銅電極膜８１が形成されており、下の銅電極膜８０とこ
の銅電極膜８１との間に重畳回路のコンデンサ１９が形
成されている。
ら第１２層目のセラミック層６２の表面のほぼ全体には
銅電極膜８１が形成されており、下の銅電極膜８０とこ
の銅電極膜８１との間に重畳回路のコンデンサ１９が形
成されている。
【００３８】図７（ｎ）に示すように、下面から第１３
層目のセラミック層６３の表面のほぼ全体には銅電極膜
８２が形成されており、下の銅電極膜８１とこの銅電極
膜８２との間に重畳回路のコンデンサ１７が形成されて
いる。
層目のセラミック層６３の表面のほぼ全体には銅電極膜
８２が形成されており、下の銅電極膜８１とこの銅電極
膜８２との間に重畳回路のコンデンサ１７が形成されて
いる。
【００３９】こうして、下面から第７層目〜第１３層の
セラミック層５７〜６３によって発振回路の一部（コン
デンサ１７、１９、２０及びインダクタ１８からなる共
振回路）が形成されている。
セラミック層５７〜６３によって発振回路の一部（コン
デンサ１７、１９、２０及びインダクタ１８からなる共
振回路）が形成されている。
【００４０】この上には、銅電極膜からなる配線８３に
よってスルーホール８５間をつなぐように配線８３を形
成された、下面から第１４層のセラミック層６４が積層
され、さらにその上には、銅電極膜によってスルーホー
ル８５間をつなぐように配線８４を形成された、下面か
ら第１５層（最上層）のセラミック層６５が積層され
る。この最上層のセラミック層６５の上に形成された配
線８４間に重畳回路の抵抗１１、１２、１５、インダク
タ９、１４、３３、コンデンサ１６、２４等のチップ部
品４６とトランジスタ１３とを実装し、多層基板４２が
でき上がる。こうして製作された多層基板４２において
は、スルーホール８５と配線８３、８４によって各回路
素子が接続され、図１のような重畳回路が構成されてい
る。
よってスルーホール８５間をつなぐように配線８３を形
成された、下面から第１４層のセラミック層６４が積層
され、さらにその上には、銅電極膜によってスルーホー
ル８５間をつなぐように配線８４を形成された、下面か
ら第１５層（最上層）のセラミック層６５が積層され
る。この最上層のセラミック層６５の上に形成された配
線８４間に重畳回路の抵抗１１、１２、１５、インダク
タ９、１４、３３、コンデンサ１６、２４等のチップ部
品４６とトランジスタ１３とを実装し、多層基板４２が
でき上がる。こうして製作された多層基板４２において
は、スルーホール８５と配線８３、８４によって各回路
素子が接続され、図１のような重畳回路が構成されてい
る。
【００４１】本発明の重畳デバイス４１は、発振回路１
やノイズ除去用フィルタ３、４を構成する回路部品の一
部を多層基板４２内部に構成しているので、重畳デバイ
ス４１を小型化することができ、また表面実装用のチッ
プ部品とすることができると共にコストを安価にでき、
高周波帯域にも対応させることが可能になる。
やノイズ除去用フィルタ３、４を構成する回路部品の一
部を多層基板４２内部に構成しているので、重畳デバイ
ス４１を小型化することができ、また表面実装用のチッ
プ部品とすることができると共にコストを安価にでき、
高周波帯域にも対応させることが可能になる。
【００４２】また、重畳デバイス４１を小型化して、共
振回路やノイズ除去用フィルタ３、４の回路部品の一部
を多層基板内部に設けることにより、ノイズが問題とな
る部品の配線を短くすることができ、電磁波の不要輻射
の発生や電源ライン等への漏洩を抑制することができ
る。さらに、多層基板４２の内部にＧＮＤ端子８と導通
した電極を設けると共に多層基板の表面を金属ケース４
５で覆うことにより、不要幅射の発生や漏洩をより低減
することができる。
振回路やノイズ除去用フィルタ３、４の回路部品の一部
を多層基板内部に設けることにより、ノイズが問題とな
る部品の配線を短くすることができ、電磁波の不要輻射
の発生や電源ライン等への漏洩を抑制することができ
る。さらに、多層基板４２の内部にＧＮＤ端子８と導通
した電極を設けると共に多層基板の表面を金属ケース４
５で覆うことにより、不要幅射の発生や漏洩をより低減
することができる。
【００４３】また、コンデンサ１７、１９、２０及びイ
ンダクタ１８からなる共振回路を多層基板４２に内蔵さ
せることにより、各回路素子間の配線を短くでき、配線
による寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスを小さ
くでき、発振周波数を安定にできる。
ンダクタ１８からなる共振回路を多層基板４２に内蔵さ
せることにより、各回路素子間の配線を短くでき、配線
による寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスを小さ
くでき、発振周波数を安定にできる。
【００４４】さらに、重畳デバイス４１を多層基板４２
を用いて構成することにより、各回路素子の特性ばらつ
きを低減し、各回路素子間のマッチング調整も不要にす
ることが可能になる。
を用いて構成することにより、各回路素子の特性ばらつ
きを低減し、各回路素子間のマッチング調整も不要にす
ることが可能になる。
【００４５】
【発明の効果】請求項１又は請求項２に記載した重畳デ
バイスにあっては、発振回路又はノイズ除去用フィルタ
を構成する回路素子の一部もしくは全てを多層基板の内
部に設けているので、重畳デバイスを小型化することが
できる。そして、重畳デバイスのサイズが小さくなるの
に伴って、基板表面における配線パターンの長さを短く
でき、信号の不要幅射を低減できる。
バイスにあっては、発振回路又はノイズ除去用フィルタ
を構成する回路素子の一部もしくは全てを多層基板の内
部に設けているので、重畳デバイスを小型化することが
できる。そして、重畳デバイスのサイズが小さくなるの
に伴って、基板表面における配線パターンの長さを短く
でき、信号の不要幅射を低減できる。
【００４６】また、発振回路又はノイズ除去用フィルタ
の多層化とサイズの小型化により、組立工数が少なくな
り、コストも安価にすることが可能になる。さらに、こ
のような重畳デバイスにあっては、発振回路の回路部品
を印刷電極や印刷配線によって形成することができるの
で、回路定数のばらつきも小さくなる。
の多層化とサイズの小型化により、組立工数が少なくな
り、コストも安価にすることが可能になる。さらに、こ
のような重畳デバイスにあっては、発振回路の回路部品
を印刷電極や印刷配線によって形成することができるの
で、回路定数のばらつきも小さくなる。
【００４７】請求項３に記載の重畳デバイスにあって
は、トランジスタ等からなる増幅用素子を多層基板の表
面に実装しているので、重畳デバイスの構造を簡単にす
ることができる。
は、トランジスタ等からなる増幅用素子を多層基板の表
面に実装しているので、重畳デバイスの構造を簡単にす
ることができる。
【００４８】また、請求項４に記載の重畳デバイスにあ
っては、多層基板の表面を金属ケースで覆っているの
で、信号の不要輻射をより低減することができ、しか
も、基板の表面だけを金属ケースで覆うだけでよいの
で、重畳デバイスを小型化でき、コストも安価にでき
る。
っては、多層基板の表面を金属ケースで覆っているの
で、信号の不要輻射をより低減することができ、しか
も、基板の表面だけを金属ケースで覆うだけでよいの
で、重畳デバイスを小型化でき、コストも安価にでき
る。
【００４９】請求項５に記載した重畳デバイスにあって
は、低温焼結セラミック基板と銅電極膜を用いて多層構
造にしているので、コンデンサの極板やインダクタ等と
ともに電磁波をシールドするためのシールド板も多層基
板内に形成することができる。
は、低温焼結セラミック基板と銅電極膜を用いて多層構
造にしているので、コンデンサの極板やインダクタ等と
ともに電磁波をシールドするためのシールド板も多層基
板内に形成することができる。
【図１】重畳回路の構成を示す回路図である。
【図２】図１の重畳回路を有する従来の重畳デバイスの
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による重畳デバイスの構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は同上の重畳デバイスを構成
する多層基板の最下層の構造を示す上面図及び下面図、
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は下から第２層〜第４層の構造
を示す上面図である。
する多層基板の最下層の構造を示す上面図及び下面図、
（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は下から第２層〜第４層の構造
を示す上面図である。
【図５】（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）及び（ｉ）は図３の重
畳デバイスを構成する多層基板の下から第５層〜第８層
の構造を示す上面図である。
畳デバイスを構成する多層基板の下から第５層〜第８層
の構造を示す上面図である。
【図６】（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）及び（ｍ）は図３の重
畳デバイスを構成する多層基板の下から第９層〜第１２
層の構造を示す上面図である。
畳デバイスを構成する多層基板の下から第９層〜第１２
層の構造を示す上面図である。
【図７】（ｎ）、（ｏ）及び（ｐ）は図３の重畳デバイ
スを構成する多層基板の下から第１３層〜第１５層の構
造を示す上面図、（ｑ）は多層基板の表面にトランジス
タ等の回路部品を実装した状態を示す上面図である。
スを構成する多層基板の下から第１３層〜第１５層の構
造を示す上面図、（ｑ）は多層基板の表面にトランジス
タ等の回路部品を実装した状態を示す上面図である。
【符号の説明】 １ 発振回路 ３、４ ノイズ除去用フィルタ ５ 電源端子 ６ ＡＰＣ端子 ７ ＬＤ端子 ８ ＧＮＤ端子 １３ トランジスタ ２５ レーザーダイオード ４１ 重畳デバイス ４２ 多層基板 ４５ 金属ケース ４６ チップ部品
フロントページの続き (72)発明者 松本 充弘 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5D075 CD09 CD20 5D119 AA01 AA20 BB05 FA33 HA41 5F073 BA05 EA27 FA30 GA38
Claims (5)
- 【請求項１】 情報記録媒体にレーザー光を照射するレ
ーザー光源に対する、前記情報記録媒体からの戻り光に
よる影響を低減するための重畳回路を備えた重畳デバイ
スであって、 前記重畳回路を構成する発振回路の一部もしくは全ての
回路素子を多層基板の内部に設けていることを特徴とす
る重畳デバイス。 - 【請求項２】 情報記録媒体にレーザー光を照射するレ
ーザー光源に対する、前記情報記録媒体からの戻り光に
よる影響を低減するための重畳回路を備えた重畳デバイ
スであって、 前記重畳回路を構成するノイズ除去用フィルタの一部も
しくは全ての回路素子を多層基板の内部に設けているこ
とを特徴とする重畳デバイス。 - 【請求項３】 増幅用素子が、前記多層基板の表面に実
装されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載
の重畳デバイス。 - 【請求項４】 前記多層基板の表面を金属ケースで覆っ
ていることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の
重畳デバイス。 - 【請求項５】 前記多層基板は、低温焼結セラミック層
と銅電極膜とを積層したものであることを特徴とする、
請求項１、２、３又は４に記載の重畳デバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000120945A JP2001307360A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 重畳デバイス |
| TW090108493A TW544672B (en) | 2000-04-21 | 2001-04-10 | Superimposing circuit module |
| KR1020010021588A KR20010100910A (ko) | 2000-04-21 | 2001-04-21 | 중첩 회로 모듈 |
| US09/841,535 US6798730B2 (en) | 2000-04-21 | 2001-04-23 | Superimposing circuit module for reducing spurious electromagnetic wave emissions and small variations in circuit parameters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000120945A JP2001307360A (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 重畳デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001307360A true JP2001307360A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18631680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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