JP2001296417A

JP2001296417A - 光学素子及び該光学素子を備えた露光装置

Info

Publication number: JP2001296417A
Application number: JP2000113623A
Authority: JP
Inventors: Kenji Saito; 謙治斉藤; Makoto Ogusu; 誠小楠
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-04-14
Filing date: 2000-04-14
Publication date: 2001-10-26

Abstract

(57)【要約】【課題】複数の光学素子を接合して高精度の光学素子
を製造する。【解決手段】回折格子パターン４１ａ、４２ａの設け
られた直径約１２０ｍｍ程度に対して厚みが約１ｍｍと
極めて薄肉な回折光学素子４１、４２を境界部で隣接す
るように位置合せされ回折格子パターン４１ａと回折格
子パターン４２ａがそれぞれ中央領域と周辺領域とを有
するように接合して光学ユニットを製作する。鉛直方向
を光軸方向とすると、回折格子パターン４１ａ、４２ａ
が重畳されて密閉空間４３を有する１つの回折光学素子
として機能する。この光学ユニット３４は回折格子パタ
ーン４１ａ、４２ａの両者の重畳作用により、回折格子
パターン４１ａにおける中央領域では８段の階段形状、
回折格子パターン４２ａにおける周辺領域では４段の階
段形状から構成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回折光学素子等の
光学素子及び該光学素子を備えた露光装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体素子の製造技術の進展は目
覚ましく、それに件う微細加工技術の進展も著しく、特
にサブミクロンオーダの解像力を有する縮小投影露光装
置を用いて微細加工が行われている。また、更に解像度
を向上させるために、光学系の開口数（ＮＡ)の拡大や
露光波長の短波長化が試みられており、新しい光学素子
として所謂回折光学素子の導入も盛んに研究されてい
る。なお、この回折光学素子は表面に所定の階段形状が
同心円状に複数形成されており、入射光を所望の偏向角
に回折させる光学素子であり、肉薄で占有空間が小さ
く、色収差補正等に優れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、回折光
学素子における階段形状を微細化する程理想的な所謂ブ
レーズド形状に近似できるため、できるだけ微細な階段
形状を形成することか望ましい。例えば、４段の階段形
状を形成するためには２回のパターニングが必要であ
り、８段の階段形状を形成するためには３回のパターニ
ングか必要である。

【０００４】特に、８段以上の階段形状を形成するため
には、その製造プロセスにおいて、比較的大きな段差の
有する状態でエッチングをしなければならない。このよ
うな場合においては、各段差を所望の矩形形状に形成す
ることは極めて困難であり、所望の矩形形状からずれが
生じ、例えば階段形状のエッジが丸みを帯びて形成され
てしまう危険性が高い。

【０００５】このように、階段形状が所望の形状からず
れが生ずると回折効率が低下し、不要な回折光が増加
し、回折光学素子における光学性能の低下を引き起こす
ことになる。この傾向は外周部の周期が小さい領域にお
いて特に顕著となり、良好な光学素子を製作することが
困難となる。

【０００６】また、特公平７−９２５２６号公報におい
ては、図４６の断面図、図４７の平面図に示すように所
望のパターン形状を得るために、回折格子の中央部をブ
レーズド形状１、周辺部を２段のＢＯ形状２とすること
が考えられるが、同一基板３上に異なるエッチングプロ
セスにより、異なる段差形状を形成することは困難であ
る。また、周辺部の周期を製造可能な周期とすると、中
央部では周期が長くなり、高次回折光も所望の回折光方
向に多く出射し不要光となり、悪影響を及ぼすことにな
る。

【０００７】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
極めて微細なパターンを必要とする高精度の光学素子と
同等な光学的機能を容易かつ確実に実現し、不要な回折
光や迷光の発生を抑止することにより高い光学性能を有
する光学素子を提供することにある。

【０００８】また、本発明の他の目的は、上述の光学素
子を備え高精度で小型の露光装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る光学素子は、所定面に関して複数の領域
に分割し、該分割した領域毎に基板を作成し、これらの
複数の基板を積層した素子を備えることを特徴とする。

【００１０】また、本発明に係る光学素子を備えた露光
装置は、照明光を発する光源と、所定パターンを形成し
たレチクルに照明光を照射する第１光学系と、前記レチ
クルを通過した照明光を被照射面に照射する第２光学系
とを備え、前記被照射面に前記レチクルの所定パターン
を投影露光を行う露光装置であって、前記第１光学系及
び／又は前記第２光学系は、所定面に関して複数の領域
に分割し、該分割した領域毎に個々に基板を作成し、こ
れらの複数の基板を積層した素子を備えた光学素子を含
むことを特徴とする。

【００１１】更に、本発明に係る光学素子の製造方法
は、所定面に関して複数の領域に基板を分割し、該分割
した領域毎に別々の基板を作成し、これらの基板を積層
する段階を含むことを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明を図１〜図４５に図示の実
施の形態に基づいて詳細に説明する。図１はステッパと
呼ばれる投影露光装置の構成図を示しており、高輝度の
ＡｒＦエキシマレーザー光を出射する光源１１と、照明
光を照射するための第１の光学系である照明光学系１２
と、所望のパターンが描かれているレチクル１３と、透
過した照明光によるレチクル１３のパターンをウェハ１
４の表面に縮小投影するための第２の光学系である投影
光学系１５と、ウェハ１４を載置して固定するウェハチ
ャック１６及びこのウェハチャック１６を固定するウェ
ハステージ１７とから構成されている。なお、光源１１
には紫外線や遠紫外線等の短波長光等の光源を用いても
よい。

【００１３】また、照明光学系１２は光源１１から入射
した照明光を所望の光束形状に変換するビーム形状変換
手段１８、複数のシリンドリカルレンズや微小レンズを
二次元的に配置しているオプティカルインテグレータ１
９、図示しない切換手段により任意の絞りに切換可能
で、オプティカルインテグレータ１９により形成した二
次光源の位置近傍に配置された絞り部材２０、この絞り
部材２０を通過した照明光を集光するコンデンサレンズ
２１、レチクル１３の共役面に配置されレチクル１３の
表面において照明範囲を任意に決定する４枚の可変ブレ
ードから構成されるブラインド２２、このブラインド２
２において所定形状に決定された照明光をレチクル１３
の表面に投影するための結像レンズ２３及びこの結像レ
ンズ２３を透過した照明光をレチクル１３の方向に反射
させる折り曲げミラー２４が順次に配置されている。

【００１４】図２は投影光学系１５の拡大断面図を示し
ており、鏡筒３１には前段のレンズ３２及び後段のレン
ズ３３を有するレンズ群及びレンズ３２、３３の間に設
けられた光学ユニット３４が配置されている。

【００１５】図３は第１の実施例における光学ユニット
３４の斜視図を示しており、２枚の回折光学素子４１、
４２がそれぞれのパターン形成面を対向して接合されて
いる。回折光学素子４１、４２は直径約１２０ｍｍ程度
に対して厚みが約１ｍｍの極めて薄肉のものであり、そ
れぞれ石英を含む円盤状基板から成り、入射光を所望の
偏向角に回折させる光学素子であり、色収差補正等に優
れている。

【００１６】また、図４は図３における光学ユニット３
４のＡ−Ａ’線の断面図を示しており、回折光学素子４
１の中央部に設けられた回折格子パターン４１ａと、回
折光学素子４２の周辺部に設けられた回折格子パターン
４２ａは、これらの境界部においてそれぞれ中央領域と
周辺領域となるように位置合わせされて接合されてい
る。また、鉛直方向を光軸方向とすると、回折格子パタ
ーン４１ａ、４２ａが重畳されることにより、密閉空間
４３を有する１つの回折光学素子として構成されてい
る。即ち、光学ユニット３４は回折格子パターン４１ａ
における中央領域では８段の階段形状、回折格子パター
ン４２ａにおける周辺領域では４段の階段形状とされて
いる。

【００１７】図５は回折光学素子４１の斜視図を示して
おり、直径約１２０ｍｍの円盤状基板４１ｂの下面の中
央部には、同心円状の回折格子パターン４１ａが形成さ
れている。また、図６は図５に示す回折格子パターン４
１ａにおけるＢ−Ｂ’線の断面図を示し、高さ４３ｎｍ
の８段の微細な階段形状を有しており、ピッチや深さ等
の条件が外周部に向かうに従って変化するようにされて
いる。

【００１８】一方、回折光学素子４２は図７に示すよう
に、円盤状基板４２ｂの上面の円環状領域に、同心円状
の回折格子パターン４２ａが形成されている。図８は図
７に示す回折格子パターン４２ａにおけるＣ−Ｃ’線の
断面図を示し、高さ８６ｎｍの４段の微細な階段形状が
形成されており、回折格子パターン４１ａと同様に、そ
のピッチや深さ等の条件が外周部に向かうにつれて変化
するようにされている。

【００１９】従って、光学ユニット３４は図９、図１０
に示すような１枚の基板上に回折格子パターン５０ａ、
５０ｂを備えた回折光学素子５０と同等の機能を有する
ことになる。

【００２０】更に、図３、図４における光学ユニット３
４は、回折格子パターン４１ａ、４２ａの回折格子面同
士を接合しているが、図１１、図１２に示すように円盤
状基板４１ｂにおける平面と円盤状基板４２ｂにおける
回折格子面を接合したり、図１３、図１４に示すように
平面同士を接合することもできる。

【００２１】一般に、回折光学素子は色収差補正等の目
的に用いられる多層の複雑な構成を有するレンズ群から
構成される光学素子と異なり極めて薄肉であるため、様
々な光学機器部位に設置することが可能となる。

【００２２】しかしながら、回折格子パターンとして理
想的形状とされる所謂ブレーズド形状に近似するために
は、可能な限り微細な階段形状を形成することが望まし
い。特に、図５に示すような格子ピッチの粗い中央部の
領域では不要光の対策上、階段形状の段数を増加させる
必要がある。このように、領域別に異なる段差を有する
回折光学素子を作製する場合には、段数の多い領域での
歩留りを考慮し、それぞれ別々に作製し、その後に接合
する方が効果的であり、次のような利点がある。

【００２３】(a)一部分の作製誤差により、回折格子全
体が使用不可能になる確率を半分に低減することができ
る。 (b)領域別に階段形状の段数を８段と６段のように深さ
を変更することが容易である。 (c)回折光学素子を張り合せにより強度を増加させるこ
とができる。 (d)４段の階段形状部分と８段の階段形状部分における
製造条件の違いにより、製造プロセスの最適化が容易と
なる。

【００２４】従って、各段数に相応するプロセスにより
作製したものを接合することにより、容易に所望の回折
格子パターンを得ることができる。

【００２５】なお、図４、図１２に示すように回折光学
素子４１、４２を接合することによって、回折光学素子
４１、４２の間に密閉空間４３が形成されるが、光源の
性質等に応じて密閉空間４３内を真空としたり、使用す
るレーザー光の波長等により異なるが、ドライエアやヘ
リウム、窒素等の不活性ガス等の気体を封入してもよ
い。

【００２６】図１５は上述した回折光学素子４１、４２
を製作するための露光装置の構成図を示しており、ウェ
ハステージ６１はｘ軸方向及びｙ軸方向に可動するＸＹ
ステージ６１ａと、制御回路６２の接合により駆動する
モータ６３によってｚ軸方向及びｘ、ｙ、ｚ軸の周りに
回転するＺステージ６１ｂにより構成されている。ま
た、ウェハ６４はＺステージ６１ｂにおける図示しない
ウェハチャックに固定されている。

【００２７】更に、このウェハ６４の上方に投影光学系
６５とアライメントスコープ６６が設けられている。こ
の投影光学系６５は照明系６７、レチクル６８、縮小型
の投影レンズ系６９を有している。

【００２８】アライメントスコープ６６には、ウェハ６
４側から上方に向かう光軸Ｌ２に沿って結像レンズ７
０、補正光学系７１、ハーフミラー７２、ハーフミラー
７３、ＣＣＤカメラ７４が配置されており、ＣＣＤカメ
ラ７４の出力は画像処理装置７５に接続されている。ま
た、ハーフミラー７２の入射方向には照明用レンズ７
６、光源７７が設けられている。更に、ハーフミラー７
３の反対側には焦点検出手段７８が配置されており、焦
点検出手段７８にはレンズ７９が設けられ、このレンズ
７９の偏心した位置の光軸上には開口絞り８０、レンズ
８１、図１６に示すような開口部８２ａを有する視野絞
り８２、光源８３が配置され、他方の偏心した光軸上に
はレンズ８４、回動可能な平行平面板８５、検出器８６
が配置されている。

【００２９】投影光学系６５の照明系６７からｚ軸と平
行関係の光軸Ｌ１に沿って出射した光束は、レチクル６
８面上を均一に照明する。また、このレチクル６８の面
上には所定パターンが形成されており、このレチクル６
８を透過した所定パターンは、投影レンズ系６９におい
てレチクル６８に形成されている所定パターンを１／５
倍に縮小し、その焦平面であるウェハ６４上に回路パタ
−ン像を投影する。このウェハ６４上にはレジストが塗
布されており、多数個の被露光領域（ショット)が配列
されている。

【００３０】ｘ、ｙ、ｚ軸は互いに直交するように設定
されており、ウェハステージ６１を駆動することによ
り、ウェハ６４の表面の位置を投影レンズ系６９の光軸
Ｌ１方向及び光軸Ｌ１に直交する平面に沿った方向に調
整し、更に所定パターン像に対する傾きも調整してい
る。また、ＸＹステージ６１ａは図示しないレーザー干
渉装置を用いて、その位置情報を検出し位置調整を行っ
ている。

【００３１】ウェハ６４上にはアライメントマークＭが
設けられ、このアライメントマークＭの上方に設けられ
たアライメントスコープ６６を用いて計測することによ
り、レチクル６８とウェハ６４との相対的位置合わせが
行われる。

【００３２】光源７７から出射した光束は照明用レンズ
７６において集光され、ハーフミラー７２に入射し、更
にこのハーフミラー７２によりウェハ６４の方向に反射
され、補正光学系７１、結像レンズ７０を介してウェハ
６４上のアライメントマークＭを照明する。そして、こ
のウェハ６４の測定領域からの反射光束は結像レンズ７
０、補正光学系７１、ハーフミラー７２、７３を介して
ＣＣＤカメラ７４に結像される。

【００３３】画像処理装置７５はＣＣＤカメラ７４に結
像したウェハ６４面上のアライメントマークＭの位置情
報から、レチクル６８及びウェハ６４との位置関係を検
出する。また、この画像処理装置７５からの信号に基づ
いて、制御回路６２によりモータ６３を駆動させること
により、Ｚステージ６１ｂの光軸Ｌ２方向の位置を調整
している。

【００３４】更に、アライメントスコープ６６の焦点検
出手段７８は、結像レンズ７０の焦平面を検出し、その
焦平面にウェハ６４が位置するように制御している。光
源８３から出射した光束は視野絞り８２を通過し、レン
ズ８１において集光され、開口絞り８０により通過する
光束を制限している。更に、この開口絞り８０を通過し
た光束は、レンズ７９において集光され、ハーフミラー
７３において反射され、更にハーフミラー７２、補正光
学系７１を介して結像レンズ７０を透過し、ウェハ６４
上のアライメントマークＭを含む測定領域を斜め方向か
ら照射する。この際に、視野絞り８２の像がウェハ６４
面上のアライメントマークＭを照明領域に含ませるよう
結像するようにしている。また、補正光学系７１の調整
により集光位置を変化させることができる。

【００３５】ウェハ６４の測定領域からの反射光束は、
結像レンズ７０、補正光学系７１、ハーフミラー７２、
７３、第２レンズ７９、第３レンズ８４、そして回動可
能な平行平面板８５を介して検出器８６の表面に導光さ
れ、視野絞り８２の像を再結像している。検出器８６の
表面上に形成した像の位置を検出することにより、ウェ
ハ６４の光軸Ｌ２方向の位置情報を求めることができ
る。

【００３６】図１７は直径１２０ｍｍのウェハ６４の平
面図を示しており、回折光学素子の回転対称性を考慮
し、回折光学素子のパターンと同心円となるように、中
心から半径方向に同心円状の３つの円形及び円環形領域
に分割されている。更に、最外周の領域の周縁部にはア
ライメントマークを形成する領域が設けられている。こ
れらの３つの円形又は円環形領域は、ウェハ６４におけ
る中心線によりも更に円周方向にそれぞれ４分割、１２
分割、１８分割され、扇状の露光領域９１ａ、９１ｂ、
９１ｃが形成されている。これにより、ウェハ６４を円
周方向に回転させることによって、同一パターンを所定
の露光領域９１ａ、９１ｂ、９１ｃに順次に露光するこ
とができる。先ず、フォトレジストが塗布されたウェハ
６４を一方の被露光面が上面となるようにウェハチャッ
クに設置し、アライメントマークを形成する。

【００３７】次に、図１８に示すようなレチクル６８を
用い、各回転角度成分のアライメントマークをウェハ６
４の周縁部領域に１つの回転角度に対して８個所で露光
する。レチクル６８には０層として基板回転角に応じて
反時計方向に回転したアライメントマークＭ００〜Ｍ３
４０が設けられている。なお、アライメントマークの形
状によっては対称性が認められるものもあるため、異な
る回転角度でアライメントマークを共用することも可能
である。また、露光すべき角度のアライメントマーク
は、ブレードにより選択して所定の位置に露光し、その
後に加工プロセスを経て所望のアライメントマークとし
て形成される。

【００３８】図１９はウェハ６４の周縁部に形成された
アライメントマークを示し、０°用、２０°用、３０°
用のアライメントマークＭ００、Ｍ２０、Ｍ３０を代表
として表示しており、また図１９は模式的な表示のため
に一部のアライメントマーク同士は重ねて表示してい
る。

【００３９】図２０は回折格子１０１を形成する工程の
製作模式図を示しており、先ず図２０(a)に示すよう
に、ウェハ６４上にフォトレジスト１０２を塗布した後
に、図示しないレチクルを用いて露光することにより、
２段の階段形状１０３を得ることができる。続いて、図
２０(b)に示すようにフォトレジスト１０４を塗布し、
露光することにより４段の階段形状１０５を得る。更
に、フォトレジスト１０６を塗布し、同様の工程を繰り
返すことにより、図２０(c)に示すような８段の階段形
状１０７を得ることができる。そして、図２０(d)に示
すようにフォトレジスト１０６を除去することにより回
折格子１０１が得られる。

【００４０】図２１は図２０における製作模式図を説明
するためのフローチャート図を示し、先ずステップＳ１
においてウェハ６４の表面にフォトレジスト１０２を塗
布形成した後に、ステップＳ２として１層目における各
露光領域９１ａ〜９１ｃの一部に対応する３種類の回折
光学素子のパターンが形成された各レチクル６８を設置
し、１層目の露光作業を行う。レチクル６８は半径にし
て約２２ｍｍ〜４１ｍｍまでのパターンを露光すること
が可能であり、既にウェハ６４の回転角が０°用のアラ
イメントマークＭ００がウェハ６４の円周上に８個形成
されているため、ステップＳ３としてこの８個のアライ
メントマークＭ００により全体的なアライメント調整を
行う。このように、全体的なアライメント調整を行った
後に、ステップＳ４において図２２に示すような中心か
ら２番目の位置Ｔに、露光領域９１ｂのレチクルパター
ンを使用して露光を行う。

【００４１】続いて、ステップＳ５としてウェハ６４を
時計方向に所定角度回転させ、例えばウェハ６４の周縁
部領域に形成された反時計方向に所定角度回転したアラ
イメントマークＭ３０が、ウェハ６４の回転に伴って所
望の向きとなり、この向きのアライメントマークＭ３０
を用いて、ステップＳ３と同様にアライメント調整を行
った後に、ウェハ６４の右上の位置にステップＳ４と同
様に露光領域９１ｂのレチクルパターンを用いて露光を
行う。更に、ウェハ６４を３０°、合計６０°時計方向
に回転させて、反射時計方向に６０°回転したアライメ
ントマークＭ６０を用いてアライメントを行い、位置Ｔ
に同様に露光を行う。

【００４２】このようにして、順次にウェハ６４を時計
方向に３０°ずつ回転すると、反時計方向にウェハ６４
の回転角に応じた角度だけ予め回転したアライメントマ
ークが所望の向き及び位置となるため、これを用いて順
次にアライメントを行い、所定位置に露光を繰り返すこ
とにより、中心から約２２ｍｍ〜４１ｍｍの２番目の円
環状の露光領域９１ｂは、合計１２回のパターン露光に
より完了する。

【００４３】次に、中心の露光領域９１ａを露光するた
めにステップＳ３〜Ｓ５の工程を繰り返し行う。また、
一辺が２２ｍｍの画角において露光可能な範囲は９０°
であるため、露光領域９１ａのレチクルパターンは中心
から約２２ｍｍまでの領域を露光する。即ち、ウェハ６
４を９０°ずつ回転し、対応する角度のアライメントマ
ークＭ００、Ｍ９０、Ｍ１８０、Ｍ２７０を使用してア
ライメントを調整し、合計４回の露光により中心から約
２２ｍｍの領域の露光を完了することができる。

【００４４】同様に、最外周の露光領域９１ｃについて
も同様に露光する。即ち、最外周パターンは１回の露光
において２０°の範囲が露光可能であり、２０°ずつ回
転し、アライメントマークＭ００、Ｍ２０、Ｍ４０、
…、Ｍ３４０を使用してアライメントを調整し、露光領
域９１ｃをレチクルパターンを用いて露光することによ
り、合計１８回の露光により最外周部の領域の露光を完
了するすることができる。以上の各ステップを経ること
により、ウェハ６４における１層面の全ショットの露光
を完了することができる。

【００４５】続いて、ステップＳ６として図２０(a)に
おいて示したウェハ６４の露光されたフォトレジスト１
０２を現像し、更にステップＳ７において、加工された
フォトレジスト１０２をマスクとして、ウェハ６４の表
面にドライエッチングを施して２段の階段形状１０３を
形成する。

【００４６】そして、ステップＳ８においてＯ₂プラズ
マを用いた灰化処理により、フォトレジスト１０２を除
去する。次に、露光パターンが２層目のものとされた３
種のレチクル６８を用いて、１層目の形成時と同様にス
テップＳ１〜Ｓ６を繰り返すことにより、ウェハ６４の
全面における２層目の各アライメント、露光及び現像を
行う。ただし、ステップＳ２で設置する各レチクル６８
は、２層目の露光領域９１ａ、９１ｂ、９１ｃの一部に
対応するものである。

【００４７】続いて、ステップＳ７において、図２０
(b)に示した加工されたフォトレジスト１０４をマスク
として、２段の階段形状１０３の表面にドライエッチン
グを施すことにより、４段の階段形状１０５を形成す
る。また、ステップＳ８においてＯ₂プラズマを用いた
灰化処理によりフォトレジスト１０４を除去する。

【００４８】そして、更に露光パターンが３層目の３種
のレチクル６８を用いて、１層、２層目の形成と同様に
ステップＳ１〜Ｓ６を繰り返すことにより、ウェハ６４
の全面における３層目の各アライメント、露光及び現像
を行う。ただし、ステップＳ２で設置する各レチクル３
層目の露光領域９１ａ〜９１ｃの一部に対応するもので
ある。そして、１層、２層目と同様に、図２０(c)に示
すようにステップＳ７において加工されたフォトレジス
ト１０４をマスクとして、４段の階段形状１０５の表面
にドライエッチングを施すことにより、最終目的である
８段の階段形状１０７を形成する。同様に、ステップＳ
８においてＯ₂プラズマを用いた灰化処理によりフォト
レジスト１０６を除去することにより、ウェハ６４の第
１面に図２０(d)に示すような同心円状に、８段の階段
形状が複数形成された回折格子１０１を完成することが
できる。

【００４９】図２３は図２１におけるステップＳ３の各
所定アライメントを説明するためのフローチャート図を
示している。先ず、ステップＳ１１としてＸＹステージ
６１ａを移動させ、観察すべきアライメントマークＭの
位置をアライメントスコープ６６の直下、即ち結像レン
ズ７０の光軸Ｌ２上の位置に移動させる。

【００５０】次に、ステップＳ１２としてＺステージ６
１ｂを光軸Ｌ２の方向に順次に移動させると同時に、Ｃ
ＣＤカメラ７４によりアライメントマークＭの画像信号
を取り込み、画像処理装置７５により画像コントラスト
を評価し、この評価値が最大となる位置にＺステージ６
１ｂを駆動して設定する。続いて、ステップＳ１３とし
て焦点検出手段７８の光源８３を作動させ、検出器８６
からの出力信号がゼロ位置となるように平行平面板６４
を回動させる。

【００５１】このような一連の画像フォーカスによるキ
ャリブレーションを行うことにより、斜入射ＡＦ方式の
ゼロ位置がアライメントにとってのウェハ６４のベスト
フォーカス位置となるように設定している。

【００５２】斜入射ＡＦ方式におけるウェハ６４に投光
する視野絞り８２の開口部８２ａは、アライメントマー
クＭをアライメントスコープ６６の観察位置に移動させ
た際に、測定領域内に納まるように設定されている。開
口部８２ａをこのように設定すると、ＸＹステージ６１
ａを駆動させて別ショットのアライメントマークＭを検
出し、ウェハ６４のアライメントを行う際に、斜入射Ａ
Ｆ方式による投光位置のパターン形状等の条件をほぼ同
じに保つことができる。

【００５３】即ち、ウェハ６４の面上の複数の測定領域
からの反射条件がそれぞれ略等しくなるようにしてい
る。これにより長い信号処理時間を要する画像ＡＦ方式
をアライメント毎に使用する必要がなく、高速なフォー
カス検出を行うことが可能な斜入射ＡＦ方式をアライメ
ント毎に使用することを可能としている。

【００５４】その結果、上述した画像フォーカス方式に
よる一連のキャリブレーション動作を行う必要があるの
は、斜入射ＡＦ方式による投光位置の状態が変化したと
き、例えばプロセスか変わったときにのみ一度行えばよ
く、その他のアライメント時は全て高速な斜入射ＡＦ方
式により、常にベストフォーカス状態でアライメントが
行えるようにしている。これにより、本実施形態ではス
ループットを低下させることなく、アライメント精度を
向上させることができる。

【００５５】図２４は上述の方法により作製した２枚の
光学素子を接合する接合装置の断面図を示しており、こ
の接合装置における回転治具１１１上には、回折光学素
子チャック１１２が固定されており、このチャック１１
２の上面には直径が異なる大小２つの円環状突起１１
３、１１４が上方に向けて突設され、これらの突起１１
３、１１４の間には排気口１１５が設けられている。ま
た、外側の突起１１３は内側の突起１１４よりも僅かに
低く形成されている。これらの突起１１３、１１４上に
は石英ウェハから成る回折光学素子１１６が載置されて
いる。更に治具１１１の側面には、３点の当接部１１７
を有する円筒状の平行平板ホルダ１１８が外接されてお
り、当接部１１７に平行平板の光学素子１１９を当接す
ることにより、チャック１１２の中心とホルダ１１８に
載置された光学素子１１９の中心とが一致するようにな
っている。

【００５６】チャック１１２の上方には、位置測定用の
マークスコープ１２０が配置されている。このマークス
コープ１２０により回折光学素子１１６上の位置測定用
マークを観察することにより、回折光学素子１１６の中
心とチャック１１２の中心が一致するように調整する。
マークスコープ１２０は測定後に接合装置から接合に邪
魔にならない場所に移動する。なお、回折光学素子１１
６の中心出しは、専用マークではなく格子パターンその
ものを使用して行ってもよい。

【００５７】次に、排気口１１５から空気を排出するこ
とにより、回折光学素子１１６は突起１１３、１１４間
において吸着され、凸状に僅かに変形する。回折光学素
子１１６の中心と接合する光学素子１１９の中心の位置
合わせが終了した後に、ホルダ１１８を下降させると、
先ず光学素子１１９が接合する回折光学素子１１６の中
心部と接触する。続いて、排気口１１５から徐々に空気
を入れ大気圧に戻すことにより、回折光学素子１１６の
変形は徐々に開放され、回折光学素子１１６と光学素子
１１９に徐々に接触面を拡大し、最終的には全面におい
て直接接合される。

【００５８】この直接接合方法はオプティカルコンタク
トと呼ばれ、光学部材の表面に吸着した水等を介して、
図２５に示すような石英と水、水同士、蛍石と水等によ
る(a)水素結合及び(b)ファンデルワールス力によって光
学部材を直接接合する接着方法であり、接着剤等を用い
ずにガラスや石英等の光学部材同士を接着することがで
きる。この際に、十分な接着強度を得るためには、接合
する光学素子１１９と回折光学素子１１６の接合部の表
面粗さを、平方二乗平均で５ｎｍ以下とし、水分量を１
０¹³分子／ｃｍ²以上に制御することが好適である。

【００５９】通常では、接合部の表面は図２６に示すよ
うに微細なレベルの間隙ｈが生じているが、半径ｒ、表
面エネルギγ、弾性率Ｅ、厚さｔとすると、式(1)を満
たす範囲内であれば、直接接合が可能であることが知ら
れている。ｈ／ｒ²＜（γ／Ｅ／ｔ³)^1/2 ・・・(1)

【００６０】式(1)は間隙ｈが１個所存在する場合を示
しているが、直径２００ｍｍの基板全体における間隙ｈ
は無数に存在する。式(1)から直接接合には間隙ｈと表
面エネルギγを考慮する必要があり、ＡＦＭ等により測
定した表面粗さとＡＰＩＭＳ等で測定した水分量が基準
となることが分かる。従って、回折光学素子１１６にお
いて表面粗さを確保するためには、回折光学素子１１６
を半導体プロセスで加工する以前に、研磨等を行って基
板の表面粗さを確保し、更に加工中及び加工後も表面粗
さを十分に配慮する必要がある。

【００６１】表面エネルギγに関しては、通常の石英基
板では水分量を１０¹³分子／ｃｍ²に確保することは可
能なため、十分な表面エネルギγとすることができる
が、基板が汚染されていると表面エネルギγが不足する
場合が生ずる。石英のような親水性材料の場合には、薬
液、紫外線、オゾン洗浄等により水分量を回復すること
は可能であるが、疎水性材料では洗浄後に、更に水を吹
き付けたり、親水性の薬液で処理することによって水分
量を確保する必要がある。

【００６２】このような基板を図２４に示した接合装置
を用いて接合を行うことにより、基板間は水素結合とフ
ァンデルワールス力で接合される。この際に、基板間に
残留する水分が多過ぎると逆に接合強度が低下するた
め、接合前の水分量を調整すると共に、接合後において
常温で乾燥したり、また加熱をすることにより水分量を
減少させることが望ましい。通常では、吸着水の脱離は
２００〜４００℃程度で起こり、図２７に示すような状
態となることが理想的であるが、実際には基板間に間隙
があるために、図２８に示すように数分子程度の水が残
留する。このように水分子が残留すると接合強度は１０
Ｋｇ／ｃｍ²程度となり、使用方法によっては強度が不
足するため、有効径から外れた部分の外周等を接着剤等
により補強を行うことが好ましい。また、４００〜１０
００℃に加熱することによって脱水縮合反応を起こし、
水素結合を共有結合に置き換えることにより接合強度を
増大させてもよい。

【００６３】接合面における光学特性は、使用波長によ
る反射率及び透過率の損失を０．１％以下になるように
することが好適であり、塵埃等が残留したり、空気又は
水等が多く存在した場合には光学特性が維持できないこ
ともあるため、接合強度だけでなく光学特性の点からも
接合前の基板管理は重要となる。

【００６４】光学素子１１９と回折光学素子１１６には
共に同一素材の石英を使用したが、接合する光学素子１
１９にアルミナ等の酸化物や、弗化カルシウム、弗化リ
チウム、弗化バリウム、弗化マグネシウム、弗化ストロ
ンチウム等の弗化物を使用することにより、短波長用の
光学部材とすることも可能である。また、長波長用の光
学部材としては、接合する光学素子１１９にガラス材や
合成樹脂材等を使用することが好適である。更に、反射
光学系の回折光学素子においては、ＳｉＮやＳｉＣ等の
セラミックや金属等を使用することも可能であるが、同
一材料同士の方がＯＨ基の分布間隔等の水素を供給する
表面状態が同じになるために接合は容易である。

【００６５】このようにして、２倍以上の剛性の強度を
有し、微細な格子ピッチを有する光学素子を精度良く作
製することができる。また、この光学素子を用いること
により外力の影響を受け難く、光学系に組込んだ際に良
好な光学性能を発揮することが可能となる。更に、水素
結合又はファンデルワールス力による直接接合方式を使
用することにより、短波長の光を用いた光学系に安定し
て使用可能となる。

【００６６】図３における光学ユニット３４における位
置合わせの具体的手段としては、回折格子パターン４１
ａ、４２ａの形成時に円盤状基板４１ｂ、３２ａの有効
径外部位にそれぞれアライメントマークを形成し、この
アライメントマークを指標として回折光学素子４１、４
２の両者を接合する。また、回折格子パターン４１ａ、
４２ａの形成時に、有効径外部位にそれぞれ微小突起を
形成し、微小突起を突き合わせることにより両者を接合
するようにしてもよい。

【００６７】更に、回折光学素子４１、４２の接合時
に、光学ユニット３４としての回折効率等の光学的機能
を測定しながら、最適な光学性能となる部位において円
盤状基板４１ｂ、４２ｂの位置合わせを行うようにして
もよい。

【００６８】光学ユニット３４においては、回折格子パ
ターン４１ａ、４２ａが一部で接触するように構成され
ているが、非接触の状態で両者が近接するように配置し
て構成してもよい。更に、構成要素である回折光学素子
４１、４２にそれぞれ分割パターンとなる回折格子パタ
ーン４１ａ、４２ａが形成され、これら回折格子パター
ン４１ａ、４２ａが光学的に重畳し、全体として所望の
光学的パターンが構成されている。

【００６９】このようにして、領域により８段及び４段
の階段形状の異なる段数を有する極めて微細なパターン
を必要とする高精度の回折光学素子と同等の光学的機能
を容易かつ確実に実現し、不要回折光や迷光の発生を抑
止して高い光学性能を有する光学ユニット３４を製造す
ることができる。

【００７０】そして、この光学ユニット３４をステッパ
の光学系の一部として配することにより、色収差等の各
種の光学的収差を効率良く除去でき、極めて均一な照明
を行う高精度のステッパを実現することが可能となる。

【００７１】なお、本実施例においては、ウェハ６４の
表面に各種収差の補正された均一な照明光を照射するこ
とを考慮して、光学ユニット３４をステッパの投影光学
系１５に設置した例を開示したが、図２９に示すように
レチクル１３の表面に同様の照明光を照射することを考
慮して、光学ユニット３４を照明光学系１２内に設置し
てもよい。更に、ウェハ１４及びレチクル１３の各表面
にそれぞれ同様の照明光を照射し、更なる各種収差の補
正された均一な照明を達成するために、投影光学系１５
及び照明光学系１２の双方に光学ユニット３４を設置す
ることもできる。

【００７２】図３０は第２の実施例における光学ユニッ
ト１３１の斜視図を示しており、回折光学素子１３２、
４２が接合されており、回折光学素子１３２の中央部に
は理想的なブレーズド形状である所謂フレネルレンズの
回折格子パターン１３２ａが形成され、外周部の回折光
学素子４２には第１の実施例と同様に、階段形状の回折
格子パターン４２ａが形成されている。なお、第１の実
施例と同一の部材には同一の符号を付している。

【００７３】図３１は図３０における光学ユニット１３
１における回折光学素子１３２、４２の加工面同士を接
合した場合のＧ−Ｇ’線の断面図を示し、図３２は加工
面と平面を接合した場合のＧ−Ｇ’線の断面図を示して
いる。勿論、図１４と同様に平面同士を接合してもよ
い。

【００７４】フレンネルレンズである回折光学素子１３
２の作製方法は、第１の実施例における８段の回折光学
素子の段数を更に１６段に増加し、全体を軽くエッチン
グすることで形状整えることにより作製する。また、ピ
ッチがそれほど微細ではなく、主として可視光から赤外
光領域において応用するフレネルレンズは、バイトによ
る切削により製作してもよい。

【００７５】このように本実施例においては、一方をフ
レネルレンズ、他方を階段形状を有する回折光学素子と
し、両者を接合することにより、１つの光学ユニット１
３１としている。

【００７６】図３３は第３の実施例における光学ユニッ
ト１４１の斜視図を示しており、第１の実施例における
回折光学素子４１の代りに光学素子１４２を用いてお
り、この光学素子１４２の中央部には通常の凸レンズ１
４２ａが設けられている。図３４は図３３における光学
ユニット１４１のＨ−Ｈ’線の断面図を示している。本
実施例においては、凸レンズ１４２ａと回折光学素子４
２の組合わせを示したが、図３５〜図３７に示すよう
に、その他の各種レンズを備えた光学素子と各種の回折
光学素子を組合わせてもよい。

【００７７】図３５は光学素子１４２の代りに光学素子
１５１を用いている。この光学素子１５１の中央部には
凹レンズ１５１ａが設けられ、負のパワーを有する回折
格子パターン１５２ａが設けられた回折光学素子１５２
と接合している。また、図３６は中央部に凹レンズ１５
１ａを有する光学素子１５１の平面と回折光学素子１５
２を接合し、更に図３７は凸レンズ１５３ａを有する光
学素子１５３と正のパワーを有する回折光学素子１５４
を接合している。

【００７８】図３８は第４の実施例における光学ユニッ
ト１６１の斜視図を示し、回折格子の段数が３つの領域
でそれぞれ異なる機能を有する３つの回折光学素子を積
層して接合することにより構成されている。この光学ユ
ニット１６１は、中央部に８段の回折格子パターン１６
２ａを有する上層の回折光学素子１６２、中間部に４段
の回折格子パターン１６３ａを有する中層の回折光学素
子１６３、周辺部に２段の回折格子パターン１６４ａを
有する下層の回折光学素子１６４を接合することにより
構成されている。

【００７９】図３９は図３８におけるＩ−Ｉ’線の断面
図、図４０はＩ’−Ｉ”線の断面図を示している。本実
施例では全て回折面と平面を接合したが、接合する向き
は適宣に組合せてもよい。また、本実施例では凸レンズ
を組み合わせた構成を採っているが、凹レンズや途中で
正と負のパワーが変化する非球面レンズでも同様に構成
することができる。

【００８０】図４１は第５の実施例における光学ユニッ
ト１７１の斜視図を示しており、偏心光学素子を回折光
学素子を積層して接合することにより構成している。中
央部に８段の回折パターン１７２ａを有する上層の回折
光学素子１７２、中間部に４段の回折パターン１７３ａ
を有する中層の回折光学素子１７３、周辺部に２段の回
折パターン１７４ａを有する下層の回折光学素子１７４
を接合することにより構成されている。

【００８１】図４２は図４１におけるＪ−Ｊ’線の断面
図、図４３は図４１におけるＪ’−Ｊ”線の断面図を示
している。

【００８２】ステッパを利用した半導体装置（半導体デ
バイス)の製造方法の一例を説明すると、図４４はＩＣ
やＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル或いはＣＣＤ等
の半導体デバイスの製造工程のフローチャート図を示し
ている。先ず、ステップＳ２１において半導体デバイス
の回路設計を行い、続いてステップＳ２２においてステ
ップＳ１で設計した回路パターンをＥＢ描画装置等を用
いマスクを作成する。一方、ステップＳ２３においてシ
リコン等の材料を用いてウェハを製造する。その後に、
前工程と呼ばれるステップＳ２４において、ステップＳ
２２、Ｓ２３において用意したマスク及びウェハを用
い、マスクを露光装置内にローディングし、マスクを搬
送しマスクチャックにチャッキングする。

【００８３】次に、ウェハをローディングしてアライメ
ントのずれを検出して、ウェハステージを駆動して位置
合わせを行い、アライメントが合致すると露光を行う。
露光の終了後にウェハは次のショットヘステップ移動
し、リソグラフィ技術によってウェハ上に回路を形成す
る。更に、後工程と呼ばれるステップＳ２５において、
ステップＳ２４によって製造されたウェハを用いてダイ
シング、ボンディング等のアッセンブリ工程、チップ封
入等のパッケージング工程を経て半導体チップ化する。
チップ化された半導体デバイスは、ステップＳ２６にお
いて動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。この
ような一連の工程を経て半導体デバイスは完成し、ステ
ップＳ２７に進み出荷される。

【００８４】図４５は図４４におけるステップＳ２３に
おいて、ウェハ製造の詳細な製造工程のフローチャート
図を示している。先ず、ステップＳ３１においてウェハ
表面を酸化させる。続いて、ステップＳ３２においてウ
ェハ表面をＣＶＤ法により絶縁膜を形成し、ステップＳ
３３において電極を蒸着法により形成する。更にステッ
プＳ３４に進みウェハにイオンを打込み、続いてステッ
プＳ３５においてウェハ上に感光剤を塗布する。ステッ
プＳ３６では半導体露光装置によりマスクの回路パター
ンをウェハ上の感光剤上に焼付ける。

【００８５】ステップＳ３７において、ステップＳ３６
において露光したウェハ上の感光剤を現像する。更に、
ステップＳ３８でステップＳ３７において現像したレジ
スト像以外の部分をエッチングする。その後に、ステッ
プＳ３９においてエッチングが済んで不要となったレジ
ストを剥離する。更に、これらの一連の工程を繰り返し
行うことにより、ウェハ上に多重の回路パターンを形成
することができる。

【００８６】この製造方法を用いれば、ステップＳ３６
においてウェハ面に各種の光学的収差の補正された均一
な照明光が照射されるので、従来は製造が困難であった
高集積度の半導体デバイスを容易かつ確実に製造するこ
とができる。

【００８７】なお、ステッパを用いた製造方法は、上記
した半導体デバイスに限定されるものではなく、各種の
電子素子や光学素子等のフォトリソグラフィによる微細
加工が必要なもの全てに渡って適用が可能である。即
ち、光学ユニットの構成要素である回折光学素子の回折
格子パターンの形成に、この製造方法を適用することも
できる。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る光学素
子は、所定面を所定の領域に分割し、それぞれ対応して
個別に略同一サイズの基板上に部分光学素子として作成
し接合することにより、高精度に作成することが容易と
なる。

【００８９】また、分割し略同一サイズの基板を接合す
ることにより、製造時の歩止留まりを向上し、領域によ
り変化する所望の段数の回折光学素子の製造が可能とな
り、強度が増加することによる変形が少ない光学素子の
製造が可能となる。

【００９０】また、本発明に係る光学素子を備えた露光
装置は、上述の光学素子を備えているので、高精度で小
型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】投影露光装置の構成図である。

【図２】投影光学系の拡大断面図である。

【図３】第１の実施例における光学ユニットの斜視図で
ある。

【図４】図３のＡ−Ａ’線の断面図である。

【図５】回折光学素子の斜視図である。

【図６】図５のＢ−Ｂ’線の断面図である。

【図７】回折光学素子の斜視図である。

【図８】図７のＣ−Ｃ’線の断面図である。

【図９】回折光学素子の斜視図である。

【図１０】図９のＤ−Ｄ’線の断面図である。

【図１１】光学ユニットの斜視図である。

【図１２】図１１のＥ−Ｅ’線の断面図である。

【図１３】光学ユニットの斜視図である。

【図１４】図１３のＦ−Ｆ’線の断面図である。

【図１５】露光装置の構成図である。

【図１６】光学絞りの開口部の正面図である。

【図１７】ウェハの平面図である。

【図１８】レチクルの平面図である。

【図１９】アライメントマークを形成したウェハの平面
図である。

【図２０】回折格子の製作模式図である。

【図２１】回折格子の製造フローチャート図である。

【図２２】ウェハの露光領域を示す平面図である。

【図２３】アライメントの詳細な説明図である。

【図２４】接合装置の断面図である。

【図２５】反応過程の説明図である。

【図２６】微細構造の断面図である。

【図２７】反応過程の説明図である。

【図２８】反応過程の説明図である。

【図２９】投影露光装置の構成図である。

【図３０】第２の実施例の光学ユニットの斜視図であ
る。

【図３１】図３０のＧ−Ｇ’線の断面図である。

【図３２】図３０のＧ−Ｇ’線の断面図である。

【図３３】第３の実施例の光学ユニットの斜視図であ
る。

【図３４】図３３のＨ−Ｈ’線の断面図である。

【図３５】第３の実施例の光学ユニットの断面図であ
る。

【図３６】第３の実施例の光学ユニットの断面図であ
る。

【図３７】第３の実施例の光学ユニットの断面図であ
る。

【図３８】第４の実施例の光学ユニットの斜視図であ
る。

【図３９】図３８のＩ−Ｉ’線の断面図である。

【図４０】図３８のＩ’−Ｉ”線の断面図である。

【図４１】第５の実施例の光学ユニットの斜視図であ
る。

【図４２】図４１のＪ−Ｊ’線の断面図である。

【図４３】図４１のＪ’−Ｊ ”線の断面図である。

【図４４】半導体デバイスの製造フローチャート図であ
る。

【図４５】ウェハ製造の詳細なフローチャート図であ
る。

【図４６】従来の回折格子の断面図である。

【図４７】従来の回折格子の平面図である。

【符号の説明】

１３、６８レチクル１４、６４ウェハ３１鏡筒３２、３３レンズ３４、１３１、１４１、１６１、１７１光学ユニット２２、２３レンズ４１、４２、１０１、１３２、１４２、１５２、１６
２、１６３、１６４、１７２、１７３、１７４回折光
学素子４１ａ、４２ａ、１３２ａ、１４２ａ、１５２ａ、１６
２ａ、１６３ａ、１６４ａ、１７２ａ、１７３ａ、１７
４ａ回折格子パターン４１ｂ、４２ｂ円盤状基板４３密閉空間６５投影光学系６６アライメントスコープ６７照明系９１ａ〜９１ｃ露光領域１０２、１０４、１０６フォトレジスト１０３、１０５、１０７階段形状１５１、１５３光学素子１５１ａ凹レンズ１５３ａ凸レンズ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定面に関して複数の領域に分割し、該
分割した領域毎に基板を作成し、これらの複数の基板を
積層した素子を備えることを特徴とする光学素子。
【請求項２】前記分割した領域毎の基板は平面部を有
することを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】前記各基板は互いに略同一の大きさとし
たことを特徴とする請求項２に記載の光学素子。
【請求項４】前記分割した領域毎の基板のうちの少な
くとも１つには階段形状の面を形成し、全体として入射
光を所望の回折角で回折する回折光学素子として機能さ
せることを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求
項に記載の光学素子。
【請求項５】前記分割された領域毎の基板の光学パワ
ーを有する面側同士を貼り合わせたことを特徴とする請
求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の光学素子。
【請求項６】前記分割した領域毎の基板では、光学パ
ワーを有する領域と光学パワーを持たない領域が相補的
に存在することを特徴とする請求項１〜４の何れか１つ
の請求項に記載の光学素子。
【請求項７】前記分割した領域毎の基板の光学パワー
を有する面と平面とを貼り合わせたことを特徴とする請
求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の光学素子。
【請求項８】前記分割した領域で段数が異なっている
階段形状を有する回折光学素子を貼り合せたことを特徴
とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の光学
素子。
【請求項９】前記分割した領域毎の光学素子の周辺に
平面部を設けたことを特徴とする請求項１〜８の何れか
に記載の光学素子。
【請求項１０】請求項１〜９の何れかに記載の前記光
学素子と、前記光学素子の前段及び後段のうち少なくと
も一方に配した少なくとも１枚の光学レンズとを備え、
前記光学素子及び前記光学レンズを鏡筒内に一体に保持
したことを特徴とする光学系。
【請求項１１】照明光を発する光源と、所定パターン
を形成したレチクルに照明光を照射する第１光学系と、
前記レチクルを通過した照明光を被照射面に照射する第
２光学系とを備え、前記被照射面に前記レチクルの所定
パターンを投影露光を行う露光装置であって、前記第１
光学系及び／又は前記第２光学系は、所定面に関して複
数の領域に分割し、該分割した領域毎に個々に基板を作
成し、これらの複数の基板を積層した素子を備えた光学
素子を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項１２】所定面に関して複数の領域に基板を分
割し、該分割した領域毎に別々の基板を作成し、これら
の基板を積層する段階を含むことを特徴とする光学素子
の製造方法。
【請求項１３】照明光を発する光源と、所定パターン
の形成されたレチクルに照明光を照射する第１光学系
と、前記レチクルを通過した照明光を被照射面に照射す
る第２光学系とを備え、前記被照射面に前記レチクルの
所定パターンを投影露光を行う露光装置であって、前記
第１光学系及び又は前記第２光学系は、請求項１１に記
載の光学系を含む露光装置を用いてデバイスを製造する
ことを特徴とするデバイス製造方法。