JP2001295035A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2001295035A5 JP2001295035A5 JP2000109929A JP2000109929A JP2001295035A5 JP 2001295035 A5 JP2001295035 A5 JP 2001295035A5 JP 2000109929 A JP2000109929 A JP 2000109929A JP 2000109929 A JP2000109929 A JP 2000109929A JP 2001295035 A5 JP2001295035 A5 JP 2001295035A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- target according
- less
- sintered body
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000109929A JP2001295035A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000109929A JP2001295035A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001295035A JP2001295035A (ja) | 2001-10-26 |
| JP2001295035A5 true JP2001295035A5 (https=) | 2007-05-24 |
Family
ID=18622534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000109929A Pending JP2001295035A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001295035A (https=) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4574949B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとその製造方法 |
| CA2584566C (en) | 2004-11-15 | 2013-12-10 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sputtering target for producing metallic glass membrane and manufacturing method thereof |
| JP4673855B2 (ja) | 2004-11-15 | 2011-04-20 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 水素分離膜及び水素分離膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| KR20150002861A (ko) * | 2010-07-16 | 2015-01-07 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 탄탈기 소결체 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 |
| WO2015064087A1 (ja) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | 株式会社 東芝 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、ならびに半導体素子の製造方法 |
| JP6293929B2 (ja) | 2015-05-22 | 2018-03-14 | Ｊｘ金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2016190159A1 (ja) | 2015-05-22 | 2016-12-01 | Ｊｘ金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US11177119B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-11-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tantalum sputtering target |
| KR102703290B1 (ko) * | 2018-03-13 | 2024-09-06 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 및 스퍼터링 타깃의 제조 방법 |
| TWI798387B (zh) * | 2019-03-18 | 2023-04-11 | 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 | 濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06200370A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Japan Energy Corp | スパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲットの製造方法 |
| JPH0776771A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Japan Energy Corp | タングステンスパッタリングターゲット |
| KR100210525B1 (ko) * | 1993-12-14 | 1999-07-15 | 니시무로 타이죠 | 배선형성용 몰리브덴-텅스텐재, 배선형성용 몰리브덴-텅스텐 타깃과 그 제조방법 및 몰리브덴-텅스텐 배선박막 |
-
2000
- 2000-04-11 JP JP2000109929A patent/JP2001295035A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102528039B (zh) | 成型体制造方法及生坯 | |
| US8002885B2 (en) | Dental restorations using nanocrystalline materials | |
| CN114932235B (zh) | 一种粉末冶金用可控金属基骨架的近净成型制备方法 | |
| CN105026610B (zh) | FePt‑C系溅射靶及其制造方法 | |
| JP6783528B2 (ja) | セラミック構造体、その製法及び半導体製造装置用部材 | |
| CN103056340B (zh) | 用TiAlC基陶瓷粉料作为金属及钛合金铸造面层的方法 | |
| JP2001295035A5 (https=) | ||
| WO1995004167A1 (en) | High melting point metallic silicide target and method for producing the same, high melting point metallic silicide film and semiconductor device | |
| JPH06506187A (ja) | セラミック体の製造法 | |
| JPH07505605A (ja) | 粉末状アルミニウム金属を使用することによるＡｌ↓２Ｏ↓３含有微粒状セラミック成形体の製法 | |
| JP2001295035A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH05140613A (ja) | タングステン焼結体の製造方法 | |
| TW201000651A (en) | Method for manufacturing metal-based ceramic composite target having noble metal | |
| JP3839632B2 (ja) | Ｎｉ−Ａｌ系金属間化合物の製造方法 | |
| JPH11172423A (ja) | 導電性高密度酸化チタンターゲットの製造方法 | |
| JP3551355B2 (ja) | Ｒｕターゲットおよびその製造方法 | |
| KR20210047358A (ko) | 산화마그네슘 스퍼터링 타깃 | |
| JPS6158865A (ja) | 高融点金属珪化物基焼結体の製造法 | |
| CN110240491A (zh) | 一种高韧性的氧化锆瓷块 | |
| CN116275044A (zh) | 一种注射成型制备高密度钨铜热沉材料的方法 | |
| JP2890849B2 (ja) | 窒化珪素焼結体の製造方法 | |
| JPH11130543A (ja) | β型窒化ケイ素結晶およびその製造方法ならびに窒化ケイ素質焼結体の製造方法 | |
| CN107226690B (zh) | 含有多铝红柱石的烧结体、其制法及复合基板 | |
| JPH0931586A (ja) | 固相焼結Ｗ−Ｃｕ合金 | |
| JPS6350468A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト材の製造方法 |