JP2001295035A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4574949B2 (ja) * 2003-01-14 2010-11-04 株式会社東芝 スパッタリングターゲットとその製造方法
CA2584566C (en) * 2004-11-15 2013-12-10 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Sputtering target for producing metallic glass membrane and manufacturing method thereof
KR100888911B1 (ko) 2004-11-15 2009-03-16 닛코 킨조쿠 가부시키가이샤 수소 분리막 및 수소 분리막 형성용 스퍼터링 타겟 및 그제조 방법
KR20150002861A (ko) * 2010-07-16 2015-01-07 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 탄탈기 소결체 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법
WO2015064087A1 (ja) * 2013-10-29 2015-05-07 株式会社 東芝 スパッタリングターゲットおよびその製造方法、ならびに半導体素子の製造方法
JP6293929B2 (ja) 2015-05-22 2018-03-14 Jx金属株式会社 タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2016190159A1 (ja) 2015-05-22 2016-12-01 Jx金属株式会社 タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法
US11177119B2 (en) 2017-03-30 2021-11-16 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Tantalum sputtering target
US20210040601A1 (en) * 2018-03-13 2021-02-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering Target and Method for Producing Sputtering Target
TWI798387B (zh) * 2019-03-18 2023-04-11 日商Jx金屬股份有限公司 濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06200370A (ja) * 1992-12-28 1994-07-19 Japan Energy Corp スパッタリング用W−Tiターゲットの製造方法
JPH0776771A (ja) * 1993-09-08 1995-03-20 Japan Energy Corp タングステンスパッタリングターゲット
WO1995016797A1 (fr) * 1993-12-14 1995-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Materiau en molybdene-tungstene pour cablage, cible en molybdene-tungstene pour cablage, procede de fabrication et couche mince de cablage en molybdene-tungstene

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