JP2001281487A - 光導波路装置およびその製造方法 - Google Patents
光導波路装置およびその製造方法Info
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アレイ導波路型回折格子等のクロストーク特
性を向上させる。 【解決手段】 一定の回転角速度ωで回転するターンテ
ーブル5上のテーブル回転中心Cを中心とした円周位置
に基板11を1つ以上配置し、ターンテーブル5を回転
させると共に、バーナ6をターンテーブル5の径方向の
位置r1とr2の間でターンテーブル5の径方向に往復
移動して基板11上を往復させながら、バーナ6からガ
ラスの原料ガスと酸素ガスと水素ガスを流して酸素水素
火炎中で前記原料ガスの加水分解反応を起こし、基板1
1上に下部クラッドガラス微粒子とコアガラス微粒子と
上部クラッド微粒子を順に堆積して光導波路部を形成す
る。下部クラッドガラス微粒子とコアガラス微粒子と上
部クラッド微粒子の堆積工程の少なくともコアガラス微
粒子堆積工程において前記位置r1におけるターンテー
ブル5の周速度r1ωを600mm/sec以上とす
る。
性を向上させる。 【解決手段】 一定の回転角速度ωで回転するターンテ
ーブル5上のテーブル回転中心Cを中心とした円周位置
に基板11を1つ以上配置し、ターンテーブル5を回転
させると共に、バーナ6をターンテーブル5の径方向の
位置r1とr2の間でターンテーブル5の径方向に往復
移動して基板11上を往復させながら、バーナ6からガ
ラスの原料ガスと酸素ガスと水素ガスを流して酸素水素
火炎中で前記原料ガスの加水分解反応を起こし、基板1
1上に下部クラッドガラス微粒子とコアガラス微粒子と
上部クラッド微粒子を順に堆積して光導波路部を形成す
る。下部クラッドガラス微粒子とコアガラス微粒子と上
部クラッド微粒子の堆積工程の少なくともコアガラス微
粒子堆積工程において前記位置r1におけるターンテー
ブル5の周速度r1ωを600mm/sec以上とす
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野に用い
られるアレイ導波路型回折格子等の光導波路装置に関す
るものである。
られるアレイ導波路型回折格子等の光導波路装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】近年、光通信においては、その伝送容量
を飛躍的に増加させる方法として、光波長多重通信の研
究開発が盛んに行なわれ、実用化が進みつつある。光波
長多重通信は、例えば互いに異なる波長を有する複数の
光を波長多重化して伝送させるものであり、このような
光波長多重通信のシステムにおいては、伝送される波長
多重光から互いに異なる複数の波長の光を分波したり、
互いに異なる複数の波長の光を合波する光合分波器が必
要である。
を飛躍的に増加させる方法として、光波長多重通信の研
究開発が盛んに行なわれ、実用化が進みつつある。光波
長多重通信は、例えば互いに異なる波長を有する複数の
光を波長多重化して伝送させるものであり、このような
光波長多重通信のシステムにおいては、伝送される波長
多重光から互いに異なる複数の波長の光を分波したり、
互いに異なる複数の波長の光を合波する光合分波器が必
要である。
【0003】この種の光合分波器の一例として、アレイ
導波路回折格子(AWG;Arrayed Waveg
uide Grating)がある。アレイ導波路回折
格子は、例えば図4に示すような導波路構成を有する光
導波路部10を基板11上に形成したものである。
導波路回折格子(AWG;Arrayed Waveg
uide Grating)がある。アレイ導波路回折
格子は、例えば図4に示すような導波路構成を有する光
導波路部10を基板11上に形成したものである。
【0004】前記導波路構成は、1本以上の並設された
光入力導波路12の出射側に、第1のスラブ導波路13
が接続され、第1のスラブ導波路13の出射側には、複
数の並設されたアレイ導波路14が接続され、複数のア
レイ導波路14の出射側には第2のスラブ導波路15が
接続され、第2のスラブ導波路15の出射側には複数の
並設された光出力導波路16が接続されて形成されてい
る。
光入力導波路12の出射側に、第1のスラブ導波路13
が接続され、第1のスラブ導波路13の出射側には、複
数の並設されたアレイ導波路14が接続され、複数のア
レイ導波路14の出射側には第2のスラブ導波路15が
接続され、第2のスラブ導波路15の出射側には複数の
並設された光出力導波路16が接続されて形成されてい
る。
【0005】前記アレイ導波路14は、第1のスラブ導
波路13から導出された光を伝搬するものであり、互い
に異なる長さに形成されている。また、光入力導波路1
2、光出力導波路16は、いずれも、その太さが均一に
形成され、光入力導波路12、光出力導波路16の太さ
は互いにほぼ等しく形成されている。
波路13から導出された光を伝搬するものであり、互い
に異なる長さに形成されている。また、光入力導波路1
2、光出力導波路16は、いずれも、その太さが均一に
形成され、光入力導波路12、光出力導波路16の太さ
は互いにほぼ等しく形成されている。
【0006】なお、光入力導波路12や光出力導波路1
6は、例えばアレイ導波路回折格子によって分波される
互いに異なる波長の信号光の数に対応させて設けられる
ものであり、アレイ導波路14は、通常、例えば100
本といったように多数設けられるが、同図においては、
図の簡略化のために、これらの各導波路12,14,1
6の本数を簡略的に示してある。
6は、例えばアレイ導波路回折格子によって分波される
互いに異なる波長の信号光の数に対応させて設けられる
ものであり、アレイ導波路14は、通常、例えば100
本といったように多数設けられるが、同図においては、
図の簡略化のために、これらの各導波路12,14,1
6の本数を簡略的に示してある。
【0007】光入力導波路12には、例えば送信側の光
ファイバが接続されて、波長多重光が導入されるように
なっており、光入力導波路12を通って第1のスラブ導
波路13に導入された光は、その回折効果によって広が
って複数の各アレイ導波路14に入射し、各アレイ導波
路14を伝搬する。
ファイバが接続されて、波長多重光が導入されるように
なっており、光入力導波路12を通って第1のスラブ導
波路13に導入された光は、その回折効果によって広が
って複数の各アレイ導波路14に入射し、各アレイ導波
路14を伝搬する。
【0008】各アレイ導波路14を伝搬した光は、第2
のスラブ導波路15に達し、さらに、光出力導波路16
に集光されて出力されるが、各アレイ導波路14の長さ
が一定量互いに異なることから、各アレイ型導波路14
を伝搬した後に個々の光の位相にずれが生じ、このずれ
量に応じて集束光の波面が傾き、この傾き角度により集
光する位置が決まるため、波長の異なった光の集光位置
は互いに異なることになり、その位置に光出力導波路1
6を形成することによって、波長の異なった光を各波長
ごとに異なる光出力導波路16から出力できる。
のスラブ導波路15に達し、さらに、光出力導波路16
に集光されて出力されるが、各アレイ導波路14の長さ
が一定量互いに異なることから、各アレイ型導波路14
を伝搬した後に個々の光の位相にずれが生じ、このずれ
量に応じて集束光の波面が傾き、この傾き角度により集
光する位置が決まるため、波長の異なった光の集光位置
は互いに異なることになり、その位置に光出力導波路1
6を形成することによって、波長の異なった光を各波長
ごとに異なる光出力導波路16から出力できる。
【0009】例えば、同図に示すように、1本の光入力
導波路12から波長λ1,λ2,λ3,・・・λn(n
は2以上の整数)の波長多重光を入力させると、これら
の光は、第1のスラブ導波路13で広げられ、アレイ導
波路14に到達し、第2のスラブ導波路15を通って、
前記の如く、波長によって異なる位置に集光され、互い
に異なる光出力導波路16に入射し、それぞれの光出力
導波路16を通って、光出力導波路16の出射端から出
力される。そして、各光出力導波路16の出射端に光出
力用の光ファイバを接続することにより、この光ファイ
バを介して、前記各波長の光が取り出される。
導波路12から波長λ1,λ2,λ3,・・・λn(n
は2以上の整数)の波長多重光を入力させると、これら
の光は、第1のスラブ導波路13で広げられ、アレイ導
波路14に到達し、第2のスラブ導波路15を通って、
前記の如く、波長によって異なる位置に集光され、互い
に異なる光出力導波路16に入射し、それぞれの光出力
導波路16を通って、光出力導波路16の出射端から出
力される。そして、各光出力導波路16の出射端に光出
力用の光ファイバを接続することにより、この光ファイ
バを介して、前記各波長の光が取り出される。
【0010】このアレイ型導波路回折格子においては、
回折格子の波長分解能の向上が回折格子を構成する各ア
レイ導波路14の長さの差(ΔL)に比例するために、
ΔLを大きく設計することにより、従来の回折格子では
実現できなかった波長間隔の狭い波長多重光の光合分波
が可能となり、高密度の光波長多重通信の実現に必要と
されている、複数の信号光の光合分波機能、すなわち、
波長間隔が1nm以下の複数の光信号を分波または合波
する機能を果たすことができる。
回折格子の波長分解能の向上が回折格子を構成する各ア
レイ導波路14の長さの差(ΔL)に比例するために、
ΔLを大きく設計することにより、従来の回折格子では
実現できなかった波長間隔の狭い波長多重光の光合分波
が可能となり、高密度の光波長多重通信の実現に必要と
されている、複数の信号光の光合分波機能、すなわち、
波長間隔が1nm以下の複数の光信号を分波または合波
する機能を果たすことができる。
【0011】上記アレイ導波路型回折格子は、石英系ガ
ラスによって形成された下部クラッドとコアと上部クラ
ッドとを有する光導波路部10を、シリコン等の基板1
1上に形成してなる光導波路装置であり、例えば以下に
示す火炎堆積法を用いた製造方法により製造される。
ラスによって形成された下部クラッドとコアと上部クラ
ッドとを有する光導波路部10を、シリコン等の基板1
1上に形成してなる光導波路装置であり、例えば以下に
示す火炎堆積法を用いた製造方法により製造される。
【0012】すなわち、図8の(a)に示すように、一
定の回転角速度ωで回転するターンテーブル5上のテー
ブル回転中心Cを中心とした円周位置に、基板11を1
つ以上配列配置する。
定の回転角速度ωで回転するターンテーブル5上のテー
ブル回転中心Cを中心とした円周位置に、基板11を1
つ以上配列配置する。
【0013】そして、ターンテーブル5を例えばB方向
に回転させると共に、バーナ6を矢印Aに示すように、
ターンテーブル5の径方向(半径方向)の位置r1と位
置r 1よりも内側の位置r2との間で径方向に往復移動
して前記基板11上を往復させながら、矢印Dに示すよ
うに、前記バーナ6からガラスの原料ガスと酸素ガスと
水素ガスを流して酸素水素火炎中で前記原料ガスの加水
分解反応を起こし、前記基板11上に下部クラッドガラ
ス微粒子とコアガラス微粒子を順に堆積した後、焼結に
よりガラス化し、フォトリソグラフィとリアクティブエ
ッチング法によりコアパターン化し、その後、上部クラ
ッド微粒子をコアパターン上に堆積して光導波路部10
を形成する。
に回転させると共に、バーナ6を矢印Aに示すように、
ターンテーブル5の径方向(半径方向)の位置r1と位
置r 1よりも内側の位置r2との間で径方向に往復移動
して前記基板11上を往復させながら、矢印Dに示すよ
うに、前記バーナ6からガラスの原料ガスと酸素ガスと
水素ガスを流して酸素水素火炎中で前記原料ガスの加水
分解反応を起こし、前記基板11上に下部クラッドガラ
ス微粒子とコアガラス微粒子を順に堆積した後、焼結に
よりガラス化し、フォトリソグラフィとリアクティブエ
ッチング法によりコアパターン化し、その後、上部クラ
ッド微粒子をコアパターン上に堆積して光導波路部10
を形成する。
【0014】なお、従来は、上記下部クラッドガラス微
粒子とコアガラス微粒子と上部クラッド微粒子の堆積形
成時のターンテーブル5の回転角速度ωは、いずれも
9.0rpmとしていた。
粒子とコアガラス微粒子と上部クラッド微粒子の堆積形
成時のターンテーブル5の回転角速度ωは、いずれも
9.0rpmとしていた。
【0015】また、上記の下部クラッドガラス微粒子と
コアガラス微粒子と上部クラッド微粒子の堆積によっ
て、同図の(b)〜(e)に示すように、下部クラッド
1とコア2と上部クラッド3が形成されるものであり、
以下、図8の(b)〜(e)の工程を具体的に説明す
る。同図の(b)に示す工程は、下部クラッド1のガラ
ス微粒子とコア2のガラス微粒子の堆積工程である。
コアガラス微粒子と上部クラッド微粒子の堆積によっ
て、同図の(b)〜(e)に示すように、下部クラッド
1とコア2と上部クラッド3が形成されるものであり、
以下、図8の(b)〜(e)の工程を具体的に説明す
る。同図の(b)に示す工程は、下部クラッド1のガラ
ス微粒子とコア2のガラス微粒子の堆積工程である。
【0016】まず、上記クラッドのガラスの原料ガスと
してのSiCl4、BCl3、PCl3の混合原料ハロ
ゲンガスを酸素ガスと水素ガスと共にバーナ6に流し、
酸素水素火炎中で前記原料ガスの加水分解反応を起こし
て下部クラッド1のガラス微粒子(下部クラッドガラス
微粒子)を基板11上に堆積形成する。
してのSiCl4、BCl3、PCl3の混合原料ハロ
ゲンガスを酸素ガスと水素ガスと共にバーナ6に流し、
酸素水素火炎中で前記原料ガスの加水分解反応を起こし
て下部クラッド1のガラス微粒子(下部クラッドガラス
微粒子)を基板11上に堆積形成する。
【0017】その後、コアのガラスの原料ガスとしての
SiCl4、BCl3、PCl3、GeCl4の混合原
料ハロゲンガスを酸素ガスと水素ガスと共にバーナ6に
流し、酸素水素火炎中で前記原料ガスの加水分解反応を
起こしてコア2のガラス微粒子(コアガラス微粒子)を
堆積形成する。
SiCl4、BCl3、PCl3、GeCl4の混合原
料ハロゲンガスを酸素ガスと水素ガスと共にバーナ6に
流し、酸素水素火炎中で前記原料ガスの加水分解反応を
起こしてコア2のガラス微粒子(コアガラス微粒子)を
堆積形成する。
【0018】同図の(c)に示す工程は、下部クラッド
1とコア2のガラス微粒子膜の透明化の工程であり、堆
積形成された下部クラッドガラス微粒子とコアガラス微
粒子を1300℃以上の高温で熱処理を行なうことによ
り、下部クラッド1とコア2のガラス微粒子膜の透明化
を行なう。
1とコア2のガラス微粒子膜の透明化の工程であり、堆
積形成された下部クラッドガラス微粒子とコアガラス微
粒子を1300℃以上の高温で熱処理を行なうことによ
り、下部クラッド1とコア2のガラス微粒子膜の透明化
を行なう。
【0019】次に、同図の(d)に示すように、フォト
リソグラフィーとリアクティブイオンエッチング法でコ
ア2にアレイ導波路型回折格子の光導波路パターンを形
成し、前記光導波路構成のコア2を形成する。
リソグラフィーとリアクティブイオンエッチング法でコ
ア2にアレイ導波路型回折格子の光導波路パターンを形
成し、前記光導波路構成のコア2を形成する。
【0020】その後、同図の(e)に示すように、コア
2の上部側に、コア2を覆う態様で上部クラッド3の膜
を形成する。なお、上部クラッド3の膜は、下部クラッ
ド1の形成時と同様に、酸素水素火炎中で前記クラッド
ガラスの原料ガスの加水分解反応を起こして上部クラッ
ド3のガラス微粒子(上部クラッドガラス微粒子)を堆
積形成し、この上部クラッドガラス微粒子を例えば12
00℃で焼結することによって形成される。
2の上部側に、コア2を覆う態様で上部クラッド3の膜
を形成する。なお、上部クラッド3の膜は、下部クラッ
ド1の形成時と同様に、酸素水素火炎中で前記クラッド
ガラスの原料ガスの加水分解反応を起こして上部クラッ
ド3のガラス微粒子(上部クラッドガラス微粒子)を堆
積形成し、この上部クラッドガラス微粒子を例えば12
00℃で焼結することによって形成される。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記アレイ
導波路型回折格子のような光合分波器には、隣接する通
過波長間のクロストークが低いことが要求される。
導波路型回折格子のような光合分波器には、隣接する通
過波長間のクロストークが低いことが要求される。
【0022】具体的には、図5に示すチャンネルスペー
シングをΔλ、中心波長をλc、Free Spect
ral RangeをFSRとしたとき、λc−FSR
+Δλ<λ<λc−Δλ、もしくは、λc+Δλ<λ<λc
+FSR−Δλ、となる波長帯域における最悪損失をバ
ックグランドクロストークと定義すると、このバックグ
ランドクロストークを最低でも28〜29dB程度にす
ることが、波長多重伝送システムに適用する光合分波器
として要求されている。なお、このバックグランドクロ
ストークが劣化すると、波長多重伝送システムにおける
符号誤り率が大きくなる。
シングをΔλ、中心波長をλc、Free Spect
ral RangeをFSRとしたとき、λc−FSR
+Δλ<λ<λc−Δλ、もしくは、λc+Δλ<λ<λc
+FSR−Δλ、となる波長帯域における最悪損失をバ
ックグランドクロストークと定義すると、このバックグ
ランドクロストークを最低でも28〜29dB程度にす
ることが、波長多重伝送システムに適用する光合分波器
として要求されている。なお、このバックグランドクロ
ストークが劣化すると、波長多重伝送システムにおける
符号誤り率が大きくなる。
【0023】しかしながら、上記従来の製造方法により
製造した、16ch−100GHzの(波長1.55μ
m帯域において約0.8nm間隔で16の互いに異なる
波長の光を合分波する機能を有する)アレイ導波路型回
折格子の通過スペクトルは、図9に示すようになり、こ
の図から、バックグランドクロストークが約25dBと
見積もられる。そのため、従来のアレイ導波路型回折格
子は、波長多重伝送システムに適用するために要求され
るクロストーク特性を十分に満足できるものではなかっ
た。
製造した、16ch−100GHzの(波長1.55μ
m帯域において約0.8nm間隔で16の互いに異なる
波長の光を合分波する機能を有する)アレイ導波路型回
折格子の通過スペクトルは、図9に示すようになり、こ
の図から、バックグランドクロストークが約25dBと
見積もられる。そのため、従来のアレイ導波路型回折格
子は、波長多重伝送システムに適用するために要求され
るクロストーク特性を十分に満足できるものではなかっ
た。
【0024】なお、アレイ導波路型回折格子のクロスト
ークを劣化させる原因は、アレイ導波路型回折格子のア
レイ導波路の位相誤差であることが分かっている。i番
目のアレイ導波路の位相誤差δφiは、一般に、(数
1)により表わされる。
ークを劣化させる原因は、アレイ導波路型回折格子のア
レイ導波路の位相誤差であることが分かっている。i番
目のアレイ導波路の位相誤差δφiは、一般に、(数
1)により表わされる。
【0025】
【数1】
【0026】ここで、βは伝搬定数、δti(z)はi
番目のアレイ導波路の伝搬方向の膜厚変動、δni
(z)はi番目のアレイ導波路の伝搬方向の屈折率変動
である。過去の検討結果から、(数1)の右辺における
積分の第3項の屈折率変動がアレイ導波路の位相誤差に
最も影響を与えることが分かっており、特願平11−2
26616において、アレイ導波路を構成するコアの堆
積層数を大きく形成することによりグロストークを改善
することを提案した(なお、この提案は未だ公開になっ
ていない)。
番目のアレイ導波路の伝搬方向の膜厚変動、δni
(z)はi番目のアレイ導波路の伝搬方向の屈折率変動
である。過去の検討結果から、(数1)の右辺における
積分の第3項の屈折率変動がアレイ導波路の位相誤差に
最も影響を与えることが分かっており、特願平11−2
26616において、アレイ導波路を構成するコアの堆
積層数を大きく形成することによりグロストークを改善
することを提案した(なお、この提案は未だ公開になっ
ていない)。
【0027】しかしながら、特願平11−226616
に提案した製造方法を用いて多数枚のアレイ導波路型回
折格子を製造し、バックグランドクロストークが28d
B以上となるものの歩留まりを把握した結果、十分に満
足できるものではなく、さらなる検討が必要であること
が分かった。
に提案した製造方法を用いて多数枚のアレイ導波路型回
折格子を製造し、バックグランドクロストークが28d
B以上となるものの歩留まりを把握した結果、十分に満
足できるものではなく、さらなる検討が必要であること
が分かった。
【0028】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたものであり、その目的は、クロストーク特性
が良好なアレイ導波路型回折格子等の光導波路装置およ
びその製造方法を提供することにある。
になされたものであり、その目的は、クロストーク特性
が良好なアレイ導波路型回折格子等の光導波路装置およ
びその製造方法を提供することにある。
【0029】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、本発明の光導波路総理
の製造方法は、一定の回転角速度ωで回転するターンテ
ーブル上のテーブル回転中心を中心とした円周位置に基
板を1つ以上配列配置し、前記ターンテーブルを回転さ
せると共にバーナを前記ターンテーブルの径方向の位置
r1と位置r1よりも内側の位置r2との間でターンテ
ーブルの径方向に往復移動して前記基板上を往復させな
がら、前記バーナからガラスの原料ガスと酸素ガスと水
素ガスを流して酸素水素火炎中で前記原料ガスの加水分
解反応を起こし、前記基板上に下部クラッドガラス微粒
子とコアガラス微粒子と上部クラッド微粒子を順に堆積
して光導波路部を形成する光導波路装置の製造方法であ
って、前記下部クラッドガラス微粒子とコアガラス微粒
子と上部クラッド微粒子の堆積工程の少なくともコアガ
ラス微粒子堆積工程において前記位置r1におけるター
ンテーブル周速度r1ωを600mm/sec以上とす
る構成をもって課題を解決する手段としている。
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、本発明の光導波路総理
の製造方法は、一定の回転角速度ωで回転するターンテ
ーブル上のテーブル回転中心を中心とした円周位置に基
板を1つ以上配列配置し、前記ターンテーブルを回転さ
せると共にバーナを前記ターンテーブルの径方向の位置
r1と位置r1よりも内側の位置r2との間でターンテ
ーブルの径方向に往復移動して前記基板上を往復させな
がら、前記バーナからガラスの原料ガスと酸素ガスと水
素ガスを流して酸素水素火炎中で前記原料ガスの加水分
解反応を起こし、前記基板上に下部クラッドガラス微粒
子とコアガラス微粒子と上部クラッド微粒子を順に堆積
して光導波路部を形成する光導波路装置の製造方法であ
って、前記下部クラッドガラス微粒子とコアガラス微粒
子と上部クラッド微粒子の堆積工程の少なくともコアガ
ラス微粒子堆積工程において前記位置r1におけるター
ンテーブル周速度r1ωを600mm/sec以上とす
る構成をもって課題を解決する手段としている。
【0030】また、光導波路装置の第1の発明は、上記
構成の光導波路装置の製造方法により製造されているこ
とを特徴とする。
構成の光導波路装置の製造方法により製造されているこ
とを特徴とする。
【0031】さらに、光導波路装置の第2の発明は、上
記第1の発明の構成に加え、光導波路装置は、1本以上
の並設された光入力導波路の出射側に第1のスラブ導波
路が接続され、該第1のスラブ導波路の出射側には該第
1のスラブ導波路から導出された光を伝搬する互いに異
なる長さの複数の並設されたアレイ導波路が接続され、
該複数のアレイ導波路の出射側には第2のスラブ導波路
が接続され、該第2のスラブ導波路の出射側には複数の
並設された光出力導波路が接続されたアレイ導波路型回
折格子とした構成をもって課題を解決する手段としてい
る。
記第1の発明の構成に加え、光導波路装置は、1本以上
の並設された光入力導波路の出射側に第1のスラブ導波
路が接続され、該第1のスラブ導波路の出射側には該第
1のスラブ導波路から導出された光を伝搬する互いに異
なる長さの複数の並設されたアレイ導波路が接続され、
該複数のアレイ導波路の出射側には第2のスラブ導波路
が接続され、該第2のスラブ導波路の出射側には複数の
並設された光出力導波路が接続されたアレイ導波路型回
折格子とした構成をもって課題を解決する手段としてい
る。
【0032】上記本発明の光導波路装置の製造方法は、
基板上に、バーナを用いた火炎堆積法によってガラス微
粒子を堆積して光導波路部を形成する方法である。そこ
で、本発明者は堆積するガラス微粒子の密度を均一化す
ることに着目し、ガラス微粒子の密度の検討を以下のよ
うにして行なった。まず、静止状態のバーナから噴出さ
れるガラス微粒子のスポット分布を測定した。その結
果、図6に示す結果が得られた。なお、図6の横軸の位
置は、上記スポット分布の中心位置を0として示したも
のである。
基板上に、バーナを用いた火炎堆積法によってガラス微
粒子を堆積して光導波路部を形成する方法である。そこ
で、本発明者は堆積するガラス微粒子の密度を均一化す
ることに着目し、ガラス微粒子の密度の検討を以下のよ
うにして行なった。まず、静止状態のバーナから噴出さ
れるガラス微粒子のスポット分布を測定した。その結
果、図6に示す結果が得られた。なお、図6の横軸の位
置は、上記スポット分布の中心位置を0として示したも
のである。
【0033】同図に示すように、静止状態のバーナから
噴出されるガラス微粒子のスポット分布は、ほぼガウス
分布となっており、その形状から、スポット半径は1
2.5mmと見積もることができる。そこで、位置に対
するバーナのスポット関数SP(x)は、バーナスポッ
トの最大高さ(最大の厚み)をHとして、(数2)で表
わされる。
噴出されるガラス微粒子のスポット分布は、ほぼガウス
分布となっており、その形状から、スポット半径は1
2.5mmと見積もることができる。そこで、位置に対
するバーナのスポット関数SP(x)は、バーナスポッ
トの最大高さ(最大の厚み)をHとして、(数2)で表
わされる。
【0034】
【数2】
【0035】上記火炎堆積法において、バーナは、ター
ンテーブルの径方向の位置r1と位置r1よりも内側の
位置r2との間でターンテーブルの径方向に往復移動す
ることから、位置r1と位置r2の間の径方向の位置r
におけるバーナ移動速度は(数3)により表わされる。
なお、光導波路装置を構成する基板は、位置r1と位置
r2の間の適宜の位置に配置され、この基板上に、光導
波路部を形成するガラス微粒子の堆積が行われる。
ンテーブルの径方向の位置r1と位置r1よりも内側の
位置r2との間でターンテーブルの径方向に往復移動す
ることから、位置r1と位置r2の間の径方向の位置r
におけるバーナ移動速度は(数3)により表わされる。
なお、光導波路装置を構成する基板は、位置r1と位置
r2の間の適宜の位置に配置され、この基板上に、光導
波路部を形成するガラス微粒子の堆積が行われる。
【0036】
【数3】
【0037】ここで、v1はターンテーブルの位置r1
におけるバーナ移動速度である。また、f(r)はバー
ナ速度補正関数であり、個々のバーナ装置の動作誤差等
を補正するための関数である。したがって、理論上は、
f(r)=0となる。
におけるバーナ移動速度である。また、f(r)はバー
ナ速度補正関数であり、個々のバーナ装置の動作誤差等
を補正するための関数である。したがって、理論上は、
f(r)=0となる。
【0038】そして、ある時刻tにおけるバーナスポッ
ト分布(バーナから噴出されるガラス粒子の堆積スポッ
ト分布)はバーナ移動速度とターンテーブルの周速度r
ωとの合成速度に応じた分布となり、(数4)により表
わされる。また、バーナ移動速度とターンテーブルの周
速度rωとの合成速度が大きいほど(ターンテーブルに
対する相対速度が増すために)、バーナから噴出される
ガラス微粒子は薄く堆積される。
ト分布(バーナから噴出されるガラス粒子の堆積スポッ
ト分布)はバーナ移動速度とターンテーブルの周速度r
ωとの合成速度に応じた分布となり、(数4)により表
わされる。また、バーナ移動速度とターンテーブルの周
速度rωとの合成速度が大きいほど(ターンテーブルに
対する相対速度が増すために)、バーナから噴出される
ガラス微粒子は薄く堆積される。
【0039】
【数4】
【0040】そこで、これらの(数2)〜(数4)を用
いてターンテーブルの径方向の1断面のバーナスポット
軌跡を、r1=445mm、r2=285mm、v1=
1.5mm/secとし、簡単のためにf(r)=0と
して計算したところ、図7の(a)、(b)に示す結果
が得られた。
いてターンテーブルの径方向の1断面のバーナスポット
軌跡を、r1=445mm、r2=285mm、v1=
1.5mm/secとし、簡単のためにf(r)=0と
して計算したところ、図7の(a)、(b)に示す結果
が得られた。
【0041】なお、同図の(a)には、ターンテーブル
の回転角速度ωを9.0rpmとした場合の計算結果で
あり、この場合、位置r1における周速度は419.4
03mm/secとなる。また、同図の(b)において
は、ターンテーブルの回転角速度ωを15.0rpmと
した場合の計算結果であり、この場合、位置r1におけ
る周速度は699.004mm/secとなる。また、
図7の(a)、(b)は、いずれも、ターンテーブルの
回転角速度ω=9.0rpmとした場合の位置r1での
スポット最大高さ(厚み)Hを1として規格化してあ
る。
の回転角速度ωを9.0rpmとした場合の計算結果で
あり、この場合、位置r1における周速度は419.4
03mm/secとなる。また、同図の(b)において
は、ターンテーブルの回転角速度ωを15.0rpmと
した場合の計算結果であり、この場合、位置r1におけ
る周速度は699.004mm/secとなる。また、
図7の(a)、(b)は、いずれも、ターンテーブルの
回転角速度ω=9.0rpmとした場合の位置r1での
スポット最大高さ(厚み)Hを1として規格化してあ
る。
【0042】これらの図から明らかなように、ターン
テーブルの周速度が大きい方が、1つのバーナスポット
の高さHが小さくなる。ターンテーブルの周速度が大
きい方が、バーナ操作領域(位置r1と位置r2との間
の領域)におけるバーナの通過回数が多くなる。といっ
た特徴がある。
テーブルの周速度が大きい方が、1つのバーナスポット
の高さHが小さくなる。ターンテーブルの周速度が大
きい方が、バーナ操作領域(位置r1と位置r2との間
の領域)におけるバーナの通過回数が多くなる。といっ
た特徴がある。
【0043】一般に、バーナから噴出されるガラス微粒
子のスポット分布において、スポットの裾の方は油煙状
の密度の低いガラス微粒子が生成され、スポットの中心
部分は密度の高いガラス微粒子が生成される。この事柄
と上記、の特徴とを合わせて考えると、ターンテー
ブルの周速度が大きい方が、のように1つのバーナス
ポットの高さHが小さくなることからスポット内での密
度ムラが軽減でき、しかも、のように位置r1と位置
r2との間の領域内でのバーナ通過回数が多くなること
からスポットの裾の方の密度の低いガラス微粒子部分が
次の火炎で焼結され、全体として密度的に均一な膜が形
成される。
子のスポット分布において、スポットの裾の方は油煙状
の密度の低いガラス微粒子が生成され、スポットの中心
部分は密度の高いガラス微粒子が生成される。この事柄
と上記、の特徴とを合わせて考えると、ターンテー
ブルの周速度が大きい方が、のように1つのバーナス
ポットの高さHが小さくなることからスポット内での密
度ムラが軽減でき、しかも、のように位置r1と位置
r2との間の領域内でのバーナ通過回数が多くなること
からスポットの裾の方の密度の低いガラス微粒子部分が
次の火炎で焼結され、全体として密度的に均一な膜が形
成される。
【0044】このように、ガラス微粒子の膜が均一にな
ると、ガラス微粒子膜を高温処理して最終的に得られる
ガラス膜の均一性も良好になり、屈折率の均一性も向上
する。したがって、上記検討から、ターンテーブルの周
速度を大きくして屈折率の均一性向上を図ることによ
り、前記(数1)から、アレイ導波路の位相誤差を抑制
してアレイ導波路型回折格子のクロストークを向上でき
ることが分かった。
ると、ガラス微粒子膜を高温処理して最終的に得られる
ガラス膜の均一性も良好になり、屈折率の均一性も向上
する。したがって、上記検討から、ターンテーブルの周
速度を大きくして屈折率の均一性向上を図ることによ
り、前記(数1)から、アレイ導波路の位相誤差を抑制
してアレイ導波路型回折格子のクロストークを向上でき
ることが分かった。
【0045】次に、ターンテーブルの周速度とバックグ
ランドクロストークの関係を具体的に求めるために、r
1=445mm、r2=285mm、v1=1.5mm
/secとし、ターンテーブルの回転角速度ωを9.0
rpmから25rpmまで変化させて16ch−100
GHzのアレイ導波路型回折格子を製造した。そして、
このアレイ導波路型回折格子の通過スペクトルを測定
し、ターンテーブルの径方向の位置r1における周速度
r1ωに対してバックグランドクロストークをプロット
した結果、図2に示す結果が得られた。
ランドクロストークの関係を具体的に求めるために、r
1=445mm、r2=285mm、v1=1.5mm
/secとし、ターンテーブルの回転角速度ωを9.0
rpmから25rpmまで変化させて16ch−100
GHzのアレイ導波路型回折格子を製造した。そして、
このアレイ導波路型回折格子の通過スペクトルを測定
し、ターンテーブルの径方向の位置r1における周速度
r1ωに対してバックグランドクロストークをプロット
した結果、図2に示す結果が得られた。
【0046】同図から明らかなように、ターンテーブル
の径方向の位置r1における周速度r1ωを600mm
/sec以上とすると、28dB以上の良好なクロスト
ーク特性を得られることが分かった。なお、前記の如
く、ある時刻tにおけるバーナスポット分布はバーナ移
動速度とターンテーブルの周速度rωとの合成速度に対
応するものであるが、ターンテーブルの周速度rωとバ
ーナ移動速度とを比較すると、ターンテーブルの周速度
の方が遥かに大きいため、前記バーナスポット分布に与
えるバーナ移動速度による影響は小さいと考えられる。
の径方向の位置r1における周速度r1ωを600mm
/sec以上とすると、28dB以上の良好なクロスト
ーク特性を得られることが分かった。なお、前記の如
く、ある時刻tにおけるバーナスポット分布はバーナ移
動速度とターンテーブルの周速度rωとの合成速度に対
応するものであるが、ターンテーブルの周速度rωとバ
ーナ移動速度とを比較すると、ターンテーブルの周速度
の方が遥かに大きいため、前記バーナスポット分布に与
えるバーナ移動速度による影響は小さいと考えられる。
【0047】本発明は、上記検討に基づき、光導波路装
置の火炎堆積法による製造に際し、下部クラッドガラス
微粒子とコアガラス微粒子と上部クラッド微粒子の堆積
工程の少なくともコアガラス微粒子堆積工程において前
記位置r1におけるターンテーブル周速度r1ωを60
0mm/sec以上とすることを特徴とするものである
から、上記のように、良好なクロストーク特性を有する
アレイ導波路型回折格子等の光導波路装置を得ることが
可能となる。
置の火炎堆積法による製造に際し、下部クラッドガラス
微粒子とコアガラス微粒子と上部クラッド微粒子の堆積
工程の少なくともコアガラス微粒子堆積工程において前
記位置r1におけるターンテーブル周速度r1ωを60
0mm/sec以上とすることを特徴とするものである
から、上記のように、良好なクロストーク特性を有する
アレイ導波路型回折格子等の光導波路装置を得ることが
可能となる。
【0048】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図1には、本発明に係る光導波路装
置の製造方法の一実施形態例が示されている。
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図1には、本発明に係る光導波路装
置の製造方法の一実施形態例が示されている。
【0049】同図に示すように、本実施形態例の光導波
路装置の製造方法は、図8に示した従来の光導波路装置
の製造方法とほぼ同様の方法であり、前記火炎堆積法に
より、図1の(a)に示すように、ターンテーブル5の
B方向の回転とバーナ6のA方向の往復移動を行ないな
がら、基板11上に下部クラッドガラス微粒子とコアガ
ラス微粒子と上部クラッド微粒子を順に堆積して光導波
路部10を形成するが、本実施形態例では、ターンテー
ブル5の径方向の位置r1におけるターンテーブル周速
度r1ωを600mm/sec以上として、コアガラス
微粒子を堆積することを特徴としている。
路装置の製造方法は、図8に示した従来の光導波路装置
の製造方法とほぼ同様の方法であり、前記火炎堆積法に
より、図1の(a)に示すように、ターンテーブル5の
B方向の回転とバーナ6のA方向の往復移動を行ないな
がら、基板11上に下部クラッドガラス微粒子とコアガ
ラス微粒子と上部クラッド微粒子を順に堆積して光導波
路部10を形成するが、本実施形態例では、ターンテー
ブル5の径方向の位置r1におけるターンテーブル周速
度r1ωを600mm/sec以上として、コアガラス
微粒子を堆積することを特徴としている。
【0050】具体的には、本実施形態例において、ター
ンテーブル5の位置r1=445mm、r2=285m
mとしており、図1の(a)に示すように、これらの位
置r 1と位置r2の間の適宜の位置に基板11を複数配
列配置している。なお、基板11の径は100mmφと
している。また、バーナ1の移動速度v1=1.5mm
/secとしている。
ンテーブル5の位置r1=445mm、r2=285m
mとしており、図1の(a)に示すように、これらの位
置r 1と位置r2の間の適宜の位置に基板11を複数配
列配置している。なお、基板11の径は100mmφと
している。また、バーナ1の移動速度v1=1.5mm
/secとしている。
【0051】そして、コアガラス微粒子堆積工程(コア
膜堆積工程)におけるターンテーブルの回転角速度ωを
15.0rpmとし、それにより、コアガラス微粒子堆
積工程におけるターンテーブル5の径方向の位置r1に
おけるターンテーブル周速度r1ωを699.004m
m/secとしている。
膜堆積工程)におけるターンテーブルの回転角速度ωを
15.0rpmとし、それにより、コアガラス微粒子堆
積工程におけるターンテーブル5の径方向の位置r1に
おけるターンテーブル周速度r1ωを699.004m
m/secとしている。
【0052】なお、本実施形態例において、下部クラッ
ドガラス微粒子堆積工程(アンダークラッド膜堆積工
程)および上部クラッドガラス微粒子堆積工程(オーバ
ークラッド膜堆積工程)におけるターンテーブルの回転
角速度ωを共に9.0rpmとし、これらの工程におけ
るターンテーブル5の径方向の位置r1におけるターン
テーブル周速度r1ωを419.403mm/secと
している。
ドガラス微粒子堆積工程(アンダークラッド膜堆積工
程)および上部クラッドガラス微粒子堆積工程(オーバ
ークラッド膜堆積工程)におけるターンテーブルの回転
角速度ωを共に9.0rpmとし、これらの工程におけ
るターンテーブル5の径方向の位置r1におけるターン
テーブル周速度r1ωを419.403mm/secと
している。
【0053】本実施形態例は、上記の製造方法であり、
前記の本発明者の検討結果に基づき、コアガラス微粒子
堆積工程におけるターンテーブル5の周速度を特徴的な
値に設定したものであるから、良好なクロストーク特性
を有するアレイ導波路型回折格子等の光導波路装置を得
ることができる。
前記の本発明者の検討結果に基づき、コアガラス微粒子
堆積工程におけるターンテーブル5の周速度を特徴的な
値に設定したものであるから、良好なクロストーク特性
を有するアレイ導波路型回折格子等の光導波路装置を得
ることができる。
【0054】本発明者は、本実施形態例の有効性を確認
するために、本実施形態例の製造方法を用いて16ch
−100GHzのアレイ導波路型回折格子を製造し、そ
のアレイ導波路型回折格子の通過スペクトルを測定し
た。この測定結果が図3に示されており、同図から明ら
かなように、このアレイ導波路型回折格子は、バックグ
ランドクロストークが約30dBで優れたクロストーク
特性を有することが分かった。
するために、本実施形態例の製造方法を用いて16ch
−100GHzのアレイ導波路型回折格子を製造し、そ
のアレイ導波路型回折格子の通過スペクトルを測定し
た。この測定結果が図3に示されており、同図から明ら
かなように、このアレイ導波路型回折格子は、バックグ
ランドクロストークが約30dBで優れたクロストーク
特性を有することが分かった。
【0055】また、上記本実施形態例の製造方法を適用
し、上記アレイ導波路型回折格子を10回繰り返して製
造し、製造されたそれぞれのアレイ導波路型回折格子の
バックグランドクロストークを測定した結果、平均で約
29.6dBとなった。さらに、バックグランドクロス
トークが28dB以上となるものが90%以上となり、
製造歩留まりが従来に比べて大幅に向上した。
し、上記アレイ導波路型回折格子を10回繰り返して製
造し、製造されたそれぞれのアレイ導波路型回折格子の
バックグランドクロストークを測定した結果、平均で約
29.6dBとなった。さらに、バックグランドクロス
トークが28dB以上となるものが90%以上となり、
製造歩留まりが従来に比べて大幅に向上した。
【0056】なお、本発明は上記実施形態例に限定され
ることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば上
記実施形態例では、バーナ6をターンテーブル5の径方
向の位置r1=445mmと同じくターンテーブル5の
径方向の位置r2=285mmとの間で往復移動するよ
うにしたが、位置r1、r2の値は特に限定されるもの
ではなく、適宜設定されるものである。すなわち、本発
明の光導波路装置の製造方法は、位置r1の値が小さい
ときにはターンテーブル5の角速度ωを大きくして、コ
アガラス微粒子堆積工程におけるターンテーブル5の径
方向の位置r1におけるターンテーブル周速度r1ωを
600mm/sec以上とすればよい。
ることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば上
記実施形態例では、バーナ6をターンテーブル5の径方
向の位置r1=445mmと同じくターンテーブル5の
径方向の位置r2=285mmとの間で往復移動するよ
うにしたが、位置r1、r2の値は特に限定されるもの
ではなく、適宜設定されるものである。すなわち、本発
明の光導波路装置の製造方法は、位置r1の値が小さい
ときにはターンテーブル5の角速度ωを大きくして、コ
アガラス微粒子堆積工程におけるターンテーブル5の径
方向の位置r1におけるターンテーブル周速度r1ωを
600mm/sec以上とすればよい。
【0057】また、上記位置r2は、例えば位置r1と
基板11の径の大きさ等に対応させて適宜決定されるも
のであり、位置r1と位置r2の間の適宜の位置に基板
11を配置したときに、バーナ6から噴出されるガラス
微粒子の高さが均一になるように、上記位置r1、r2
および基板11の配設位置を適宜設定すればよい。
基板11の径の大きさ等に対応させて適宜決定されるも
のであり、位置r1と位置r2の間の適宜の位置に基板
11を配置したときに、バーナ6から噴出されるガラス
微粒子の高さが均一になるように、上記位置r1、r2
および基板11の配設位置を適宜設定すればよい。
【0058】さらに、上記実施形態例では、バーナ6の
移動速度v1を1.5mm/secとしたが、前記の如
く、ターンテーブルの周速度rωとバーナ移動速度とを
比較すると、ターンテーブルの周速度の方が遥かに大き
いため、前記バーナスポット分布に与えるバーナ移動速
度による影響は小さいと考えられるので、バーナ6の移
動速度は特に限定されるものでなく適宜設定されるもの
である。
移動速度v1を1.5mm/secとしたが、前記の如
く、ターンテーブルの周速度rωとバーナ移動速度とを
比較すると、ターンテーブルの周速度の方が遥かに大き
いため、前記バーナスポット分布に与えるバーナ移動速
度による影響は小さいと考えられるので、バーナ6の移
動速度は特に限定されるものでなく適宜設定されるもの
である。
【0059】ただし、バーナ6の移動速度を大きくする
と、バーナ移動速度とターンテーブルの周速度rωとの
合成速度が大きくなり、バーナから噴出されるガラス微
粒子は薄く堆積されるので、バーナ6の移動速度が速い
ことが望ましい。
と、バーナ移動速度とターンテーブルの周速度rωとの
合成速度が大きくなり、バーナから噴出されるガラス微
粒子は薄く堆積されるので、バーナ6の移動速度が速い
ことが望ましい。
【0060】さらに、上記実施形態例では、光導波路部
10を形成する下部クラッドガラス微粒子とコアガラス
微粒子と上部クラッド微粒子の堆積工程のうち、コアガ
ラス微粒子堆積工程において、ターンテーブル5の径方
向の位置r1におけるターンテーブル周速度r1ωを6
00mm/sec以上としたが、下部クラッドガラス微
粒子の堆積工程やコアガラス微粒子の堆積工程において
も、前記位置r1におけるターンテーブル周速度r1ω
を600mm/sec以上としてもよい。
10を形成する下部クラッドガラス微粒子とコアガラス
微粒子と上部クラッド微粒子の堆積工程のうち、コアガ
ラス微粒子堆積工程において、ターンテーブル5の径方
向の位置r1におけるターンテーブル周速度r1ωを6
00mm/sec以上としたが、下部クラッドガラス微
粒子の堆積工程やコアガラス微粒子の堆積工程において
も、前記位置r1におけるターンテーブル周速度r1ω
を600mm/sec以上としてもよい。
【0061】さらに、上記説明は、上記実施形態例の製
造方法を適用してアレイ導波路型回折格子を製造した例
について述べたが、上記実施形態例に示したような本発
明の光導波路装置の製造方法を適用してアレイ導波路型
回折格子以外の光導波路装置を製造することもできる。
この場合も、光導波路部における屈折率の均一性を向上
させることができ、上記アレイ導波路型回折格子の例に
示したようなクロストーク特性の優れた光導波路装置と
することができる。
造方法を適用してアレイ導波路型回折格子を製造した例
について述べたが、上記実施形態例に示したような本発
明の光導波路装置の製造方法を適用してアレイ導波路型
回折格子以外の光導波路装置を製造することもできる。
この場合も、光導波路部における屈折率の均一性を向上
させることができ、上記アレイ導波路型回折格子の例に
示したようなクロストーク特性の優れた光導波路装置と
することができる。
【0062】
【発明の効果】本発明の光導波路装置の製造方法によれ
ば、本発明者による上記検討に基づき、光導波路装置の
火炎堆積法による製造に際し、下部クラッドガラス微粒
子とコアガラス微粒子と上部クラッド微粒子の堆積工程
の少なくともコアガラス微粒子堆積工程において前記位
置r1におけるターンテーブル周速度r1ωを600m
m/sec以上とすることを特徴とするものであるか
ら、良好なクロストーク特性を有するアレイ導波路型回
折格子等の光導波路装置を歩留まり良く得ることができ
る。
ば、本発明者による上記検討に基づき、光導波路装置の
火炎堆積法による製造に際し、下部クラッドガラス微粒
子とコアガラス微粒子と上部クラッド微粒子の堆積工程
の少なくともコアガラス微粒子堆積工程において前記位
置r1におけるターンテーブル周速度r1ωを600m
m/sec以上とすることを特徴とするものであるか
ら、良好なクロストーク特性を有するアレイ導波路型回
折格子等の光導波路装置を歩留まり良く得ることができ
る。
【0063】そして、本発明の光導波路装置は、本発明
の光導波路装置の製造方法により製造されているため
に、良好なクロストーク特性を有するアレイ導波路型回
折格子等の光導波路装置とすることができる。
の光導波路装置の製造方法により製造されているため
に、良好なクロストーク特性を有するアレイ導波路型回
折格子等の光導波路装置とすることができる。
【図1】本発明に係る光導波路装置の製造方法の一実施
形態例を示す要部構成図である。
形態例を示す要部構成図である。
【図2】光導波路装置製造時のターンテーブルの径方向
の位置r1における周速度r1ωと、製造されたアレイ
導波路型回折格子のバックグランドクロストークとの関
係を測定した結果を示すグラフである。
の位置r1における周速度r1ωと、製造されたアレイ
導波路型回折格子のバックグランドクロストークとの関
係を測定した結果を示すグラフである。
【図3】上記実施形態例の製造方法を適用して製造した
アレイ導波路型回折格子の通過スペクトル例を示すグラ
フである。
アレイ導波路型回折格子の通過スペクトル例を示すグラ
フである。
【図4】アレイ導波路型回折格子の構成をその波長分波
動作と共に示す説明図である。
動作と共に示す説明図である。
【図5】バックグランドクロストークの定義の説明図で
ある。
ある。
【図6】バーナ静止時のバーナスポット分布の測定結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図7】一定角速度で回転するターンテーブルの径方向
に一定速度でバーナを往復移動させたときのバーナスポ
ット軌跡の計算結果を示すグラフである。
に一定速度でバーナを往復移動させたときのバーナスポ
ット軌跡の計算結果を示すグラフである。
【図8】従来の光導波路装置の製造方法を示す説明図で
ある。
ある。
【図9】従来の光導波路装置の製造方法で製造したアレ
イ導波路型回折格子の通過スペクトル例を示すグラフで
ある。
イ導波路型回折格子の通過スペクトル例を示すグラフで
ある。
1 下部クラッド 2 コア 3 上部クラッド 5 ターンテーブル 6 バーナ 10 光導波路部 11 基板 12 光入力導波路 13 第1のスラブ導波路 14 アレイ導波路 15 第2のスラブ導波路 16 光出力導波路
Claims (3)
- 【請求項1】 一定の回転角速度ωで回転するターンテ
ーブル上のテーブル回転中心を中心とした円周位置に基
板を1つ以上配列配置し、前記ターンテーブルを回転さ
せると共にバーナを前記ターンテーブルの径方向の位置
r1と位置r 1よりも内側の位置r2との間でターンテ
ーブルの径方向に往復移動して前記基板上を往復させな
がら、前記バーナからガラスの原料ガスと酸素ガスと水
素ガスを流して酸素水素火炎中で前記原料ガスの加水分
解反応を起こし、前記基板上に下部クラッドガラス微粒
子とコアガラス微粒子と上部クラッド微粒子を順に堆積
して光導波路部を形成する光導波路装置の製造方法であ
って、前記下部クラッドガラス微粒子とコアガラス微粒
子と上部クラッド微粒子の堆積工程の少なくともコアガ
ラス微粒子堆積工程において前記位置r1におけるター
ンテーブル周速度r1ωを600mm/sec以上とす
ることを特徴とする光導波路装置の製造方法。 - 【請求項2】請求項1記載の光導波路装置の製造方法に
より製造されていることを特徴とする光導波路装置。 - 【請求項3】 光導波路装置は、1本以上の並設された
光入力導波路の出射側に第1のスラブ導波路が接続さ
れ、該第1のスラブ導波路の出射側には該第1のスラブ
導波路から導出された光を伝搬する互いに異なる長さの
複数の並設されたアレイ導波路が接続され、該複数のア
レイ導波路の出射側には第2のスラブ導波路が接続さ
れ、該第2のスラブ導波路の出射側には複数の並設され
た光出力導波路が接続されたアレイ導波路型回折格子と
したことを特徴とする請求項2記載の光導波路装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000094026A JP2001281487A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 光導波路装置およびその製造方法 |
US09/820,800 US6504983B1 (en) | 2000-03-30 | 2001-03-30 | Optical waveguide and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000094026A JP2001281487A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 光導波路装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001281487A true JP2001281487A (ja) | 2001-10-10 |
Family
ID=18609126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000094026A Pending JP2001281487A (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | 光導波路装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6504983B1 (ja) |
JP (1) | JP2001281487A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010099086A (ko) * | 2001-08-28 | 2001-11-09 | 권순창 | 화염가수분해 증착장치의 토치와 턴테이블 제어방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8865271B2 (en) * | 2003-06-06 | 2014-10-21 | Neophotonics Corporation | High rate deposition for the formation of high quality optical coatings |
JP2007065562A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | アレイ導波路回折格子 |
JP5100175B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2012-12-19 | 古河電気工業株式会社 | アレイ導波路格子型の合分波装置 |
US20110085761A1 (en) * | 2009-05-26 | 2011-04-14 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Arrayed waveguide grating and method of manufacturing arrayed waveguide grating |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6139645A (ja) | 1984-07-30 | 1986-02-25 | Toshiba Corp | Fm復調装置 |
GB8515814D0 (en) * | 1985-06-21 | 1985-07-24 | British Telecomm | Fabrication of optical waveguides |
JPH0776097B2 (ja) | 1987-01-20 | 1995-08-16 | 日本電信電話株式会社 | ガラス膜製造装置 |
JPH0617239B2 (ja) | 1987-03-27 | 1994-03-09 | 工業技術院長 | ガラス微粒子堆積法 |
JPH05273426A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-10-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光導波膜の作製方法およびこれを用いた光導波路の作製方法 |
TW243500B (ja) * | 1993-01-14 | 1995-03-21 | Sumitomo Electric Industries | |
US20020118942A1 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for producing an optical waveguide substrate and an optical waveguide substrate |
-
2000
- 2000-03-30 JP JP2000094026A patent/JP2001281487A/ja active Pending
-
2001
- 2001-03-30 US US09/820,800 patent/US6504983B1/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010099086A (ko) * | 2001-08-28 | 2001-11-09 | 권순창 | 화염가수분해 증착장치의 토치와 턴테이블 제어방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6504983B1 (en) | 2003-01-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |