JP2001261312A - ヒドロキシルアミン水溶液およびその製造方法 - Google Patents
ヒドロキシルアミン水溶液およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001261312A JP2001261312A JP2000083528A JP2000083528A JP2001261312A JP 2001261312 A JP2001261312 A JP 2001261312A JP 2000083528 A JP2000083528 A JP 2000083528A JP 2000083528 A JP2000083528 A JP 2000083528A JP 2001261312 A JP2001261312 A JP 2001261312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydroxylamine
- aqueous solution
- content
- aqueous
- ppb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
- C23C22/68—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous solutions with pH between 6 and 8
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
- C01B21/14—Hydroxylamine; Salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/082—Compounds containing nitrogen and non-metals and optionally metals
- C01B21/14—Hydroxylamine; Salts thereof
- C01B21/1481—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Vaporization, Distillation, Condensation, Sublimation, And Cold Traps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】鉄などの金属成分の含有量が顕著に低い高純
度、高濃度のヒドロキシルアミン水溶液を提供する。 【解決手段】ヒドロキシルアミン含有量が３０重量％以
上、鉄の含有量が１０ｐｐｂ以下、鉄以外の金属成分の
含有量が各金属成分について５ｐｐｂ以下であり、そし
てトランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を０．０００５〜０．５重
量％含有するフリーヒドロキシルアミン水溶液、並び
に、必要により飛沫分離器を備え、内部表面がヒドロキ
シルアミン塩で防食処理されたステンレス製の蒸留装置
を用いて、粗製ヒドロキシルアミン水溶液を加熱濃縮お
よび蒸留することからなるフリーヒドロシキルアミン水
溶液の製造法。
度、高濃度のヒドロキシルアミン水溶液を提供する。 【解決手段】ヒドロキシルアミン含有量が３０重量％以
上、鉄の含有量が１０ｐｐｂ以下、鉄以外の金属成分の
含有量が各金属成分について５ｐｐｂ以下であり、そし
てトランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を０．０００５〜０．５重
量％含有するフリーヒドロキシルアミン水溶液、並び
に、必要により飛沫分離器を備え、内部表面がヒドロキ
シルアミン塩で防食処理されたステンレス製の蒸留装置
を用いて、粗製ヒドロキシルアミン水溶液を加熱濃縮お
よび蒸留することからなるフリーヒドロシキルアミン水
溶液の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高濃度・高純度の
フリーのヒドロキシルアミン水溶液およびその製造法に
関し、特に電子部品の加工もしくは洗浄に有利に用いる
ことができる、金属成分の含有量が顕著に低く、かつ高
い安定性を示す高濃度のヒドロキシルアミン水溶液に関
する。
フリーのヒドロキシルアミン水溶液およびその製造法に
関し、特に電子部品の加工もしくは洗浄に有利に用いる
ことができる、金属成分の含有量が顕著に低く、かつ高
い安定性を示す高濃度のヒドロキシルアミン水溶液に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ヒドロキシルアミン水溶液は、従来より
電子部品の製造を行う際の処理剤、洗浄剤として有用と
されている。最近では、例えば超小型で、かつ高密度化
した半導体集積回路等の電子材料を洗浄するために、不
純物（特に金属分）の含有量のより少ない高純度で高濃
度のヒドロキシルアミン水溶液が求められている。
電子部品の製造を行う際の処理剤、洗浄剤として有用と
されている。最近では、例えば超小型で、かつ高密度化
した半導体集積回路等の電子材料を洗浄するために、不
純物（特に金属分）の含有量のより少ない高純度で高濃
度のヒドロキシルアミン水溶液が求められている。
【０００３】ヒドロキシルアミン（ＮＨ2ＯＨ）の合成
方法はよく知られており、一般に次のような方法により
得ることができる。まず、重亜硫酸ナトリウムと亜硝酸
ナトリウムとを水溶液中で反応させてヒドロキシルアミ
ンジスルホン酸ナトリウム水溶液を得たのち、これを加
水分解することにより硫酸ヒドロキシアミン水溶液を生
成させる。次いで、硫酸ヒドロキシアミン水溶液に水酸
化ナトリウムを加えて中和を行うことにより、フリーヒ
ドロキシルアミンの水溶液が得られる。
方法はよく知られており、一般に次のような方法により
得ることができる。まず、重亜硫酸ナトリウムと亜硝酸
ナトリウムとを水溶液中で反応させてヒドロキシルアミ
ンジスルホン酸ナトリウム水溶液を得たのち、これを加
水分解することにより硫酸ヒドロキシアミン水溶液を生
成させる。次いで、硫酸ヒドロキシアミン水溶液に水酸
化ナトリウムを加えて中和を行うことにより、フリーヒ
ドロキシルアミンの水溶液が得られる。
【０００４】ヒドロキシルアミンは、常温、常態で結晶
であり、融点３３℃、沸点５７℃（２０ｍｍＨｇ）を示
すが、加熱すると激しく爆発する危険があり、またその
水溶液の状態では分解が起りやすく、極めて不安定であ
ることが知られている。従来より、ヒドロキシルアミン
を使用するには、安定なヒドロキシルアミン塩の水溶液
を用意しておき、必要に応じてその場でヒドロキシルア
ミンを遊離させて使用しなければならないため、取扱い
上非常に不便であった。このため、ヒドロキシルアミン
を安定化するための有効な安定剤の開発が要望されてお
り、これまでに安定剤として、８−ヒドロキシキノリン
（特開昭５７−１００９０８号公報）、１−１０−フェ
ナントロリン（同５８−６９８４１号公報）、ジピリジ
ル（同５８−６９８４２号公報）、チオカルボン酸（同
５８−６９８４３号公報）、及びキノリン（同５８−６
９８４４号公報）などが提案されている。また、ＷＯ９
７／２２５４９号公報や米国特許第５７８３１６１号明
細書には、トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン
−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸がフリーのヒドロキ
シルアミン水溶液の安定剤として有用である旨の記載が
ある。
であり、融点３３℃、沸点５７℃（２０ｍｍＨｇ）を示
すが、加熱すると激しく爆発する危険があり、またその
水溶液の状態では分解が起りやすく、極めて不安定であ
ることが知られている。従来より、ヒドロキシルアミン
を使用するには、安定なヒドロキシルアミン塩の水溶液
を用意しておき、必要に応じてその場でヒドロキシルア
ミンを遊離させて使用しなければならないため、取扱い
上非常に不便であった。このため、ヒドロキシルアミン
を安定化するための有効な安定剤の開発が要望されてお
り、これまでに安定剤として、８−ヒドロキシキノリン
（特開昭５７−１００９０８号公報）、１−１０−フェ
ナントロリン（同５８−６９８４１号公報）、ジピリジ
ル（同５８−６９８４２号公報）、チオカルボン酸（同
５８−６９８４３号公報）、及びキノリン（同５８−６
９８４４号公報）などが提案されている。また、ＷＯ９
７／２２５４９号公報や米国特許第５７８３１６１号明
細書には、トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン
−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸がフリーのヒドロキ
シルアミン水溶液の安定剤として有用である旨の記載が
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記の各種の安定剤
は、しかしながら、通常の使用法では、その効果が十分
であるとは言い難い。また、一般に得られたヒドロキシ
ルアミン水溶液には、原料中に含まれていた、あるいは
製造工程において混入した不純物、例えば鉄、アルミニ
ウム、アルカリ金属（ナトリウム、カリウム等）などの
金属分が含まれている。このため、半導体などの加工や
洗浄に適した純度の高いフリーのヒドロキシルアミン水
溶液を得るには、加熱濃縮および蒸留操作が必要になる
が、爆発の恐れがあり、不安定性で腐食性の高いヒドロ
キシルアミン水溶液を安全にかつ不純物を混入させずに
蒸留して、高濃度、高純度のフリーヒドロキシルアミン
水溶液を得ることは極めて困難であった。
は、しかしながら、通常の使用法では、その効果が十分
であるとは言い難い。また、一般に得られたヒドロキシ
ルアミン水溶液には、原料中に含まれていた、あるいは
製造工程において混入した不純物、例えば鉄、アルミニ
ウム、アルカリ金属（ナトリウム、カリウム等）などの
金属分が含まれている。このため、半導体などの加工や
洗浄に適した純度の高いフリーのヒドロキシルアミン水
溶液を得るには、加熱濃縮および蒸留操作が必要になる
が、爆発の恐れがあり、不安定性で腐食性の高いヒドロ
キシルアミン水溶液を安全にかつ不純物を混入させずに
蒸留して、高濃度、高純度のフリーヒドロキシルアミン
水溶液を得ることは極めて困難であった。
【０００６】本発明は、特に鉄などの金属成分の含有量
が顕著に低く高純度で、かつ高濃度のヒドロキシルアミ
ン水溶液、およびそのようなヒドロキシルアミン水溶液
を安全にかつ簡便に製造する方法を提供するものであ
る。
が顕著に低く高純度で、かつ高濃度のヒドロキシルアミ
ン水溶液、およびそのようなヒドロキシルアミン水溶液
を安全にかつ簡便に製造する方法を提供するものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、フリーのヒ
ドロキシルアミン水溶液の安定化に有効であり、また加
熱濃縮を伴う蒸留操作を安全に行うことができるヒドロ
キシルアミンの安定剤を求めて鋭意検討を進めた結果、
トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸（ＣＤＴＡ）が安定剤として高
い有効性を示すことを既に見い出している。この安定剤
の開発により、フリーヒドロキシルアミン水溶液の保
存、流通などが容易になると共に、ナトリウムおよびカ
リウムの含有量が３０〜１００ｐｐｂの範囲にあり、鉄
の含有量が５０〜１００ｐｐｂの範囲にある純度の高い
ヒドロキシルアミン水溶液を安定して製造、供給するこ
とが可能になった。しかしながら、極めて高い純度が要
求される半導体などの電子材料の分野においては、この
レベルの純度では十分とは言えない。また、より高純度
のヒドロキシルアミン水溶液を得るには、この従来のヒ
ドロキシルアミン水溶液を更に高濃度になるまで加熱濃
縮したのち蒸留することが必要になるが、蒸留操作には
非常に危険が伴うばかりでなく、ヒドロキシルアミンに
よって蒸留装置の表面が腐食されて新たに不純物が混入
して汚染が生じることが判明した。
ドロキシルアミン水溶液の安定化に有効であり、また加
熱濃縮を伴う蒸留操作を安全に行うことができるヒドロ
キシルアミンの安定剤を求めて鋭意検討を進めた結果、
トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸（ＣＤＴＡ）が安定剤として高
い有効性を示すことを既に見い出している。この安定剤
の開発により、フリーヒドロキシルアミン水溶液の保
存、流通などが容易になると共に、ナトリウムおよびカ
リウムの含有量が３０〜１００ｐｐｂの範囲にあり、鉄
の含有量が５０〜１００ｐｐｂの範囲にある純度の高い
ヒドロキシルアミン水溶液を安定して製造、供給するこ
とが可能になった。しかしながら、極めて高い純度が要
求される半導体などの電子材料の分野においては、この
レベルの純度では十分とは言えない。また、より高純度
のヒドロキシルアミン水溶液を得るには、この従来のヒ
ドロキシルアミン水溶液を更に高濃度になるまで加熱濃
縮したのち蒸留することが必要になるが、蒸留操作には
非常に危険が伴うばかりでなく、ヒドロキシルアミンに
よって蒸留装置の表面が腐食されて新たに不純物が混入
して汚染が生じることが判明した。
【０００８】本発明者の更なる研究の結果、従来のヒド
ロキシルアミン水溶液（以下、粗製ヒドロキシルアミン
水溶液と称する）を加熱濃縮および蒸留するに際して、
安定剤としてトランス−１，２−ジアミノシクロヘキサ
ン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を用い、そして必
要があれば加熱濃縮により得られるヒドロキシルアミン
水溶液の飛沫の混入を抑制する設備、例えば飛沫分離器
を備え、かつ装置表面からの不純物が混入しないように
内部表面がヒドロキシルアミン塩による高度な防食処理
されているステンレス製の蒸留装置を用いることによ
り、従来のヒドロキシルアミン水溶液に比べて極めて高
純度で、半導体洗浄剤としての用途に適したヒドロキシ
ルアミン水溶液が得られることを見い出し、本発明を完
成した。
ロキシルアミン水溶液（以下、粗製ヒドロキシルアミン
水溶液と称する）を加熱濃縮および蒸留するに際して、
安定剤としてトランス−１，２−ジアミノシクロヘキサ
ン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を用い、そして必
要があれば加熱濃縮により得られるヒドロキシルアミン
水溶液の飛沫の混入を抑制する設備、例えば飛沫分離器
を備え、かつ装置表面からの不純物が混入しないように
内部表面がヒドロキシルアミン塩による高度な防食処理
されているステンレス製の蒸留装置を用いることによ
り、従来のヒドロキシルアミン水溶液に比べて極めて高
純度で、半導体洗浄剤としての用途に適したヒドロキシ
ルアミン水溶液が得られることを見い出し、本発明を完
成した。
【０００９】本発明は、ヒドロキシルアミン含有量が３
０重量％以上で、鉄の含有量が１０ｐｐｂ以下、鉄以外
の金属成分の含有量が各金属成分について５ｐｐｂ以下
であり、そしてトランス−１，２−ジアミノシクロヘキ
サン−Ｎ，Ｎ，Ｎを０．０００５〜０．５重量％含有す
るヒドロキシルアミン水溶液にある。
０重量％以上で、鉄の含有量が１０ｐｐｂ以下、鉄以外
の金属成分の含有量が各金属成分について５ｐｐｂ以下
であり、そしてトランス−１，２−ジアミノシクロヘキ
サン−Ｎ，Ｎ，Ｎを０．０００５〜０．５重量％含有す
るヒドロキシルアミン水溶液にある。
【００１０】また本発明は、ヒドロキシルアミン含有量
が４０〜６０重量％であって、少なくとも鉄を１５〜２
００ｐｐｂ含有する粗製のヒドロキシルアミン水溶液
を、該ヒドロキシルアミン水溶液の重量に対して０．０
００５〜０．５重量％の範囲の量のトランス−１，２−
ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
酢酸の存在下にて加熱濃縮して、ヒドロキシルアミン含
有量が７０〜９５重量％の濃縮ヒドロキシルアミン水溶
液を得たのち、必要によりこの濃縮ヒドロキシルアミン
水溶液の飛沫の混入を抑制する設備を備え、かつ内部表
面がヒドロキシルアミン塩で防食処理されているステン
レス製の蒸留装置を用いて、該濃縮ヒドロキシルアミン
水溶液を蒸留することからなる上記のヒドロキシルアミ
ン水溶液の製造方法にもある。
が４０〜６０重量％であって、少なくとも鉄を１５〜２
００ｐｐｂ含有する粗製のヒドロキシルアミン水溶液
を、該ヒドロキシルアミン水溶液の重量に対して０．０
００５〜０．５重量％の範囲の量のトランス−１，２−
ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
酢酸の存在下にて加熱濃縮して、ヒドロキシルアミン含
有量が７０〜９５重量％の濃縮ヒドロキシルアミン水溶
液を得たのち、必要によりこの濃縮ヒドロキシルアミン
水溶液の飛沫の混入を抑制する設備を備え、かつ内部表
面がヒドロキシルアミン塩で防食処理されているステン
レス製の蒸留装置を用いて、該濃縮ヒドロキシルアミン
水溶液を蒸留することからなる上記のヒドロキシルアミ
ン水溶液の製造方法にもある。
【００１１】本発明のヒドロキシルアミン水溶液および
その製造法は以下の態様であることが好ましい。 （１）鉄の含有量が５ｐｐｂ以下（更に好ましくは、３
ｐｐｂ以下）であるヒドロキシルアミン水溶液。 （２）ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ２
ｐｐｂ以下（更に好ましくは、１ｐｐｂ以下）であるヒ
ドロキシルアミン水溶液。 （３）鉄以外の金属成分の含有量が各金属成分について
２ｐｐｂ以下（更に好ましくは、１ｐｐｂ以下）である
ヒドロキシルアミン水溶液。
その製造法は以下の態様であることが好ましい。 （１）鉄の含有量が５ｐｐｂ以下（更に好ましくは、３
ｐｐｂ以下）であるヒドロキシルアミン水溶液。 （２）ナトリウムおよびカリウムの含有量がそれぞれ２
ｐｐｂ以下（更に好ましくは、１ｐｐｂ以下）であるヒ
ドロキシルアミン水溶液。 （３）鉄以外の金属成分の含有量が各金属成分について
２ｐｐｂ以下（更に好ましくは、１ｐｐｂ以下）である
ヒドロキシルアミン水溶液。
【００１２】（４）濃縮ヒドロキシルアミン水溶液の蒸
留を、その蒸留残渣を分離しながら行うヒドロキシルア
ミン水溶液の製造方法。 （５）分離した濃縮ヒドロキシルアミン水溶液の蒸留残
渣を新たに供給した粗製ヒドロキシルアミン水溶液と混
合したのち、混合液を加熱濃縮するヒドロキシルアミン
水溶液の製造方法。 （６）分離した濃縮ヒドロキシルアミン水溶液の蒸留残
渣の一部を、新たに供給した粗製ヒドロキシルアミン水
溶液と混合する前あるいは混合した後に除去し、次いで
残りの混合液を加熱濃縮するヒドロキシルアミン水溶液
の製造方法。 （７）蒸留後のヒドロキシルアミン水溶液に、更にトラ
ンス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を添加するヒドロキシルアミン
水溶液の製造方法。
留を、その蒸留残渣を分離しながら行うヒドロキシルア
ミン水溶液の製造方法。 （５）分離した濃縮ヒドロキシルアミン水溶液の蒸留残
渣を新たに供給した粗製ヒドロキシルアミン水溶液と混
合したのち、混合液を加熱濃縮するヒドロキシルアミン
水溶液の製造方法。 （６）分離した濃縮ヒドロキシルアミン水溶液の蒸留残
渣の一部を、新たに供給した粗製ヒドロキシルアミン水
溶液と混合する前あるいは混合した後に除去し、次いで
残りの混合液を加熱濃縮するヒドロキシルアミン水溶液
の製造方法。 （７）蒸留後のヒドロキシルアミン水溶液に、更にトラ
ンス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を添加するヒドロキシルアミン
水溶液の製造方法。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のヒドロキシルアミン水溶
液の製造方法を添付図面により説明する。図１は、本発
明のヒドロキシルアミン水溶液を製造するために用いら
れる蒸留装置の構成を模式的に示す図である。図１に示
す蒸留装置は、出発原料である粗製ヒドロキシルアミン
水溶液を貯蔵するための原料タンクＡ、原料タンクＡか
ら原料を原料移送ライン１を介して連続的に加熱器Ｃ、
続いて蒸発缶Ｄに供給するように配置された循環ポンプ
Ｂ、蒸発缶Ｄの上部に接続されたガス移送ライン３を介
して送られてくる、濃縮原料の飛沫成分から分離された
高純度のヒドロキシルアミンガスを冷却するための冷却
器Ｅ、冷却器Ｅに対して出口側のラインに配置され、蒸
留缶Ｄ、ガス移送ライン３、および冷却器Ｅを含む装置
の内部を所定の減圧に維持するための減圧ライン（真空
ポンプ）５、そして冷却器Ｅに接続された凝縮液ライン
４を介してヒドロキシルアミンガスを含んだ蒸気をヒド
ロキシルアミン水溶液として凝縮させ、高純度のヒドロ
キシルアミン水溶液を最終製品として貯蔵するための製
品タンクＦから構成されている。蒸留缶Ｄの下部には循
環ライン２が接続されて、蒸発缶Ｄで生成した濃縮原料
の蒸留残渣が、この循環ライン２を通り循環ポンプＢに
より出発原料の一部として戻るようにされている。ま
た、循環ポンプＢと加熱器Ｃとの間には、不純物の濃度
を限度内に保つために蒸留残渣の一部を系外に抜き取る
ためのブローライン６が設けられている。
液の製造方法を添付図面により説明する。図１は、本発
明のヒドロキシルアミン水溶液を製造するために用いら
れる蒸留装置の構成を模式的に示す図である。図１に示
す蒸留装置は、出発原料である粗製ヒドロキシルアミン
水溶液を貯蔵するための原料タンクＡ、原料タンクＡか
ら原料を原料移送ライン１を介して連続的に加熱器Ｃ、
続いて蒸発缶Ｄに供給するように配置された循環ポンプ
Ｂ、蒸発缶Ｄの上部に接続されたガス移送ライン３を介
して送られてくる、濃縮原料の飛沫成分から分離された
高純度のヒドロキシルアミンガスを冷却するための冷却
器Ｅ、冷却器Ｅに対して出口側のラインに配置され、蒸
留缶Ｄ、ガス移送ライン３、および冷却器Ｅを含む装置
の内部を所定の減圧に維持するための減圧ライン（真空
ポンプ）５、そして冷却器Ｅに接続された凝縮液ライン
４を介してヒドロキシルアミンガスを含んだ蒸気をヒド
ロキシルアミン水溶液として凝縮させ、高純度のヒドロ
キシルアミン水溶液を最終製品として貯蔵するための製
品タンクＦから構成されている。蒸留缶Ｄの下部には循
環ライン２が接続されて、蒸発缶Ｄで生成した濃縮原料
の蒸留残渣が、この循環ライン２を通り循環ポンプＢに
より出発原料の一部として戻るようにされている。ま
た、循環ポンプＢと加熱器Ｃとの間には、不純物の濃度
を限度内に保つために蒸留残渣の一部を系外に抜き取る
ためのブローライン６が設けられている。
【００１４】上記蒸留装置の主要部分である蒸留缶Ｄに
は、加熱濃縮により発生した飛沫の混入を抑制する設
備、例えば飛沫分離器（図示なし）が取り付けられてい
る。また、蒸留缶Ｄはステンレス製であり、腐食性のヒ
ドロキシルアミンによる腐食、汚染を防ぐために、その
内部表面には予め、ヒドロキシルアミン塩（硫酸ヒドロ
キシルアミン、リン酸ヒドロキシルアミン、塩酸ヒドロ
キシルアミン等）による防食処理が施されている。防食
処理は例えば、蒸留缶の内部表面をヒドロキシルアミン
塩の水溶液（約０．２〜２０重量％濃度）で常圧下で加
熱することにより行うことができる。処理温度は約５０
℃〜２００℃であり、処理時間は約３分以上である。
は、加熱濃縮により発生した飛沫の混入を抑制する設
備、例えば飛沫分離器（図示なし）が取り付けられてい
る。また、蒸留缶Ｄはステンレス製であり、腐食性のヒ
ドロキシルアミンによる腐食、汚染を防ぐために、その
内部表面には予め、ヒドロキシルアミン塩（硫酸ヒドロ
キシルアミン、リン酸ヒドロキシルアミン、塩酸ヒドロ
キシルアミン等）による防食処理が施されている。防食
処理は例えば、蒸留缶の内部表面をヒドロキシルアミン
塩の水溶液（約０．２〜２０重量％濃度）で常圧下で加
熱することにより行うことができる。処理温度は約５０
℃〜２００℃であり、処理時間は約３分以上である。
【００１５】図１に示した蒸留装置により、本発明のヒ
ドロキシルアミン水溶液を製造する方法について詳述す
る。まず、出発原料である粗製ヒドロキシルアミン水溶
液を原料タンクＡに導入する。粗製ヒドロキシルアミン
水溶液は、前述したような公知の製法により得ることが
できる。この粗製ヒドロキシルアミン水溶液には通常、
鉄、アルミニウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム
等の不揮発性の金属成分などからなる不純物が含まれて
いる。原料としては一般に、ヒドロキシルアミン含有量
が４０〜６０重量％、鉄の含有量が１５〜２００ｐｐｂ
の範囲にある粗製ヒドロキシルアミン水溶液を用いる。
製造に先立ち、粗製ヒドロキシルアミン水溶液の分解を
抑制して安定化する目的で、この水溶液にトランス−
１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−テトラ酢酸（ＣＤＴＡ）安定剤を、ヒドロキシルアミ
ン水溶液の重量に対して０．０００５〜０．０５重量％
の範囲の量で添加する。
ドロキシルアミン水溶液を製造する方法について詳述す
る。まず、出発原料である粗製ヒドロキシルアミン水溶
液を原料タンクＡに導入する。粗製ヒドロキシルアミン
水溶液は、前述したような公知の製法により得ることが
できる。この粗製ヒドロキシルアミン水溶液には通常、
鉄、アルミニウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム
等の不揮発性の金属成分などからなる不純物が含まれて
いる。原料としては一般に、ヒドロキシルアミン含有量
が４０〜６０重量％、鉄の含有量が１５〜２００ｐｐｂ
の範囲にある粗製ヒドロキシルアミン水溶液を用いる。
製造に先立ち、粗製ヒドロキシルアミン水溶液の分解を
抑制して安定化する目的で、この水溶液にトランス−
１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−テトラ酢酸（ＣＤＴＡ）安定剤を、ヒドロキシルアミ
ン水溶液の重量に対して０．０００５〜０．０５重量％
の範囲の量で添加する。
【００１６】循環ポンプＢを作動させると、原料である
粗製ヒドロキシルアミン水溶液は、原料移送ライン１を
通って連続的に加熱器Ｃに送られ、加熱器Ｃで加熱され
る。加熱された水溶液は、次に蒸留缶Ｄに送られる。蒸
留缶Ｄは減圧ライン（真空ポンプ）５により減圧状態に
あり、そこでヒドロキシルアミン水溶液は加熱濃縮さ
れ、そして蒸留される。ヒドロキシルアミン水溶液の蒸
留は、減圧下で液温度が比較的低い状態で行うことが好
ましい。通常、４５〜５０℃／１２〜１７ｍｍＨｇの範
囲である。このような条件での蒸留により、水溶液はま
ず加熱濃縮され、ヒドロキシルアミン含有量が７０〜９
０重量％（特に、７８〜９０重量％）の程度まで高濃度
に濃縮したヒドロキシルアミン水溶液となる。加熱濃縮
により発生したヒドロキシルアミン水溶液の飛沫は、飛
沫分離器等により分離される。
粗製ヒドロキシルアミン水溶液は、原料移送ライン１を
通って連続的に加熱器Ｃに送られ、加熱器Ｃで加熱され
る。加熱された水溶液は、次に蒸留缶Ｄに送られる。蒸
留缶Ｄは減圧ライン（真空ポンプ）５により減圧状態に
あり、そこでヒドロキシルアミン水溶液は加熱濃縮さ
れ、そして蒸留される。ヒドロキシルアミン水溶液の蒸
留は、減圧下で液温度が比較的低い状態で行うことが好
ましい。通常、４５〜５０℃／１２〜１７ｍｍＨｇの範
囲である。このような条件での蒸留により、水溶液はま
ず加熱濃縮され、ヒドロキシルアミン含有量が７０〜９
０重量％（特に、７８〜９０重量％）の程度まで高濃度
に濃縮したヒドロキシルアミン水溶液となる。加熱濃縮
により発生したヒドロキシルアミン水溶液の飛沫は、飛
沫分離器等により分離される。
【００１７】濃縮ヒドロキシルアミン水溶液から、次い
でヒドロキシルアミンガスを含む水蒸気が発生する。こ
のヒドロキシルアミンガスは、飛沫が分離されて不純物
の含有量が低減した高純度の気体である。発生したヒド
ロキシルアミンガス（留出ガス）は、蒸発缶Ｄの上部に
設けられたガス移送ライン３を通って冷却器Ｅに送られ
る。なお、ガス移送ライン３を含めて留出物が移動する
装置内部は、上述したような防食処理が施されている
か、あるいは防食材料（ポリプロピレン、ポリエチレ
ン、テフロン等）で被覆されていることが好ましい。
でヒドロキシルアミンガスを含む水蒸気が発生する。こ
のヒドロキシルアミンガスは、飛沫が分離されて不純物
の含有量が低減した高純度の気体である。発生したヒド
ロキシルアミンガス（留出ガス）は、蒸発缶Ｄの上部に
設けられたガス移送ライン３を通って冷却器Ｅに送られ
る。なお、ガス移送ライン３を含めて留出物が移動する
装置内部は、上述したような防食処理が施されている
か、あるいは防食材料（ポリプロピレン、ポリエチレ
ン、テフロン等）で被覆されていることが好ましい。
【００１８】一方、上記の蒸留操作を連続的に実施する
ことにより、蒸留缶Ｄには、濃縮ヒドロキシルアミン水
溶液の蒸留残渣、即ち、不純物を高濃度で含む蒸留残渣
が蓄積される。この蒸留残渣には、除去対象である金属
成分と共に添加した安定剤も含まれる。蒸留操作を行っ
ている間中、安定剤の濃度が濃縮ヒドロキシルアミン水
溶液の重量に対して０．０００５〜０．５重量％の範囲
にあるように濃縮液を維持する。また、濃縮液中の不純
物成分、特に鉄の濃度が約５ｐｐｍ以下となるように濃
縮液を維持することが好ましい。そして濃縮液の濃度を
維持するために、蒸留操作は濃縮ヒドロキシルアミン水
溶液の蒸留残渣を分離しながら行うことが好ましい。ま
た、ヒドロキシルアミンの分解を抑制するために、蒸留
残渣の一部を適宜、蒸発缶Ｄの下部に設けられた循環ラ
イン２およびブローライン６を通って系外に排出するこ
とにより、蓄積した不純物は限度内に保たれる。一方、
効率良く蒸留を実施するためには、蒸留残渣を新たに供
給された粗製ヒドロキシルアミン水溶液と混合したの
ち、再び加熱濃縮を行う方法を利用することが好まし
い。また、蒸留残渣の一部を新たに供給された粗製ヒド
ロキシルアミン水溶液と混合する前あるいは混合した後
に適宜系外に排出し、残りの混合液に加熱濃縮を行って
もよい。
ことにより、蒸留缶Ｄには、濃縮ヒドロキシルアミン水
溶液の蒸留残渣、即ち、不純物を高濃度で含む蒸留残渣
が蓄積される。この蒸留残渣には、除去対象である金属
成分と共に添加した安定剤も含まれる。蒸留操作を行っ
ている間中、安定剤の濃度が濃縮ヒドロキシルアミン水
溶液の重量に対して０．０００５〜０．５重量％の範囲
にあるように濃縮液を維持する。また、濃縮液中の不純
物成分、特に鉄の濃度が約５ｐｐｍ以下となるように濃
縮液を維持することが好ましい。そして濃縮液の濃度を
維持するために、蒸留操作は濃縮ヒドロキシルアミン水
溶液の蒸留残渣を分離しながら行うことが好ましい。ま
た、ヒドロキシルアミンの分解を抑制するために、蒸留
残渣の一部を適宜、蒸発缶Ｄの下部に設けられた循環ラ
イン２およびブローライン６を通って系外に排出するこ
とにより、蓄積した不純物は限度内に保たれる。一方、
効率良く蒸留を実施するためには、蒸留残渣を新たに供
給された粗製ヒドロキシルアミン水溶液と混合したの
ち、再び加熱濃縮を行う方法を利用することが好まし
い。また、蒸留残渣の一部を新たに供給された粗製ヒド
ロキシルアミン水溶液と混合する前あるいは混合した後
に適宜系外に排出し、残りの混合液に加熱濃縮を行って
もよい。
【００１９】高純度のヒドロキシルアミンガスは冷却器
Ｅで冷却、濃縮されて水溶液となり、凝縮ライン４を通
って製品タンクＦに集められ、貯蔵される。必要によ
り、得られたヒドロキシルアミン水溶液に上記安定剤を
更に添加してもよい。
Ｅで冷却、濃縮されて水溶液となり、凝縮ライン４を通
って製品タンクＦに集められ、貯蔵される。必要によ
り、得られたヒドロキシルアミン水溶液に上記安定剤を
更に添加してもよい。
【００２０】このようにして得られた本発明の高濃度・
高純度フリーヒドロキシルアミン水溶液は、ヒドロキシ
ルアミン含有量が３０重量％以上となる。また、鉄の含
有量は１０ｐｐｂ以下、好ましくは５ｐｐｂ以下、更に
好ましくは３ｐｐｂ以下である。鉄以外の金属成分の含
有量は、各金属成分について５ｐｐｂ以下、好ましくは
２ｐｐｂ以下、更に好ましくは１ｐｐｂ以下である。特
に、ナトリウムおよびカリウムの含有量はそれぞれ２ｐ
ｐｂ以下であることが好ましく、更に好ましくは１ｐｐ
ｂ以下である。さらに、本発明のヒドロキシルアミン水
溶液は、安定剤としてトランス−１，２−ジアミノシク
ロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を０．０
００５〜０．５重量％含有する。
高純度フリーヒドロキシルアミン水溶液は、ヒドロキシ
ルアミン含有量が３０重量％以上となる。また、鉄の含
有量は１０ｐｐｂ以下、好ましくは５ｐｐｂ以下、更に
好ましくは３ｐｐｂ以下である。鉄以外の金属成分の含
有量は、各金属成分について５ｐｐｂ以下、好ましくは
２ｐｐｂ以下、更に好ましくは１ｐｐｂ以下である。特
に、ナトリウムおよびカリウムの含有量はそれぞれ２ｐ
ｐｂ以下であることが好ましく、更に好ましくは１ｐｐ
ｂ以下である。さらに、本発明のヒドロキシルアミン水
溶液は、安定剤としてトランス−１，２−ジアミノシク
ロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を０．０
００５〜０．５重量％含有する。
【００２１】
【実施例】以下に本発明の実施例を記載する。 ［実施例１］図１に示した構成の蒸留装置を利用して、
粗製ヒドロキシルアミン水溶液から、本発明に従うヒド
ロキシルアミン水溶液を製造した。製造に際しての操作
条件は以下の通りである。
粗製ヒドロキシルアミン水溶液から、本発明に従うヒド
ロキシルアミン水溶液を製造した。製造に際しての操作
条件は以下の通りである。
【００２２】（１）蒸留装置の蒸留缶には、濃縮による
飛沫を分離するための飛沫分離器が設けられている。ま
た、蒸留缶および留出ガスを送るためのガス移送ライン
には、ステンレス製であってその内部表面をヒドロキシ
ルアミン塩で防食処理したものを用いた。防食処理は、
硫酸ヒドロキシルアミン水溶液（２０重量％）を用い、
常圧下、約１００℃で８時間煮沸することにより行っ
た。 （２）原料として、ヒドロキシルアミン水溶液の重量に
対して、０．００５重量％のトランス−１，２−ジアミ
ノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸
（安定剤）を含有する約５０重量％の粗製ヒドロキシル
アミン水溶液を用いた。 （３）原料タンクから蒸留装置内に、上記原料を２５０
Ｌ／時の供給速度で連続的に供給した。そして製品であ
る高純度ヒドロキシルアミン水溶液の留出量が２３０Ｌ
／時、一方ブローラインから除去される、不純物を含む
ヒドロキシルアミン水溶液の量が２０Ｌ／時となるよう
な物質収支で、蒸留装置を稼働させた。 （４）蒸留缶内の液温度が４５〜５０℃／１２〜１７ｍ
ｍＨｇに保持された状態で蒸留が実施されるように、条
件設定を行った。
飛沫を分離するための飛沫分離器が設けられている。ま
た、蒸留缶および留出ガスを送るためのガス移送ライン
には、ステンレス製であってその内部表面をヒドロキシ
ルアミン塩で防食処理したものを用いた。防食処理は、
硫酸ヒドロキシルアミン水溶液（２０重量％）を用い、
常圧下、約１００℃で８時間煮沸することにより行っ
た。 （２）原料として、ヒドロキシルアミン水溶液の重量に
対して、０．００５重量％のトランス−１，２−ジアミ
ノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸
（安定剤）を含有する約５０重量％の粗製ヒドロキシル
アミン水溶液を用いた。 （３）原料タンクから蒸留装置内に、上記原料を２５０
Ｌ／時の供給速度で連続的に供給した。そして製品であ
る高純度ヒドロキシルアミン水溶液の留出量が２３０Ｌ
／時、一方ブローラインから除去される、不純物を含む
ヒドロキシルアミン水溶液の量が２０Ｌ／時となるよう
な物質収支で、蒸留装置を稼働させた。 （４）蒸留缶内の液温度が４５〜５０℃／１２〜１７ｍ
ｍＨｇに保持された状態で蒸留が実施されるように、条
件設定を行った。
【００２３】以上の操作条件により、ヒドロキシルアミ
ン含有量が約５０重量％の本発明に従うヒドロキシルア
ミン水溶液を製造した。このヒドロキシルアミン水溶液
中の金属成分の含有量は、下記の表１の通りである。な
お、出発原料である粗製ヒドロキシルアミン水溶液中の
金属成分の含有量を参考のために併せて記載する。
ン含有量が約５０重量％の本発明に従うヒドロキシルア
ミン水溶液を製造した。このヒドロキシルアミン水溶液
中の金属成分の含有量は、下記の表１の通りである。な
お、出発原料である粗製ヒドロキシルアミン水溶液中の
金属成分の含有量を参考のために併せて記載する。
【００２４】
【表１】 表１ （１）本発明のヒドロキシルアミン水溶液 ─────────────────────────────────── 水溶液中の金属成分の含有量（単位：ｐｐｂ） ─────────────────────────────────── Al Ca Cr Cu Fe Pb Mg Mn Ni K Na Zn ─────────────────────────────────── 0.6 0.2 0.9 0.2 1〜3.1 ＜0.3 0.05 0.03 0.2 ＜0.3 ＜0.1 0.6 ───────────────────────────────────
【００２５】 （２）原料である粗製ヒドロキシルアミン水溶液 ─────────────────────────────────── 水溶液中の金属成分の含有量（単位：ｐｐｂ） ─────────────────────────────────── Al Ca Cr Cu Fe Pb Mg Mn Ni K Na Zn ─────────────────────────────────── ６５ ５ ８ ＜１ ４２ ＜１ ３ ＜１ ４ ３２ ２３ ＜１ ───────────────────────────────────
【００２６】表１の結果から、本発明の方法により製造
された高純度ヒドロキシルアミン水溶液は、従来品であ
る粗製ヒドロキシルアミン水溶液に比べて、特に鉄、ア
ルミニウム、およびナトリウム、カリウムなどのアルカ
リ金属成分の含有量が顕著に低減していることがわか
る。
された高純度ヒドロキシルアミン水溶液は、従来品であ
る粗製ヒドロキシルアミン水溶液に比べて、特に鉄、ア
ルミニウム、およびナトリウム、カリウムなどのアルカ
リ金属成分の含有量が顕著に低減していることがわか
る。
【００２７】
【発明の効果】本発明の製造方法によって、金属成分、
特に鉄、アルカリ金属などの含有量が顕著に低減した高
純度かつ高濃度のヒドロキシルアミン水溶液を得ること
ができる。また、本発明の方法によれば、高純度・高濃
度のヒドロキシルアミン水溶液を安全にかつ簡便に製造
することができる。従って、高純度のヒドロキシルアミ
ン水溶液の需要が望まれる電子部品などを扱う分野にお
いて、本発明のヒドロキシルアミン水溶液は半導体など
の加工、洗浄に有利に用いることができる。
特に鉄、アルカリ金属などの含有量が顕著に低減した高
純度かつ高濃度のヒドロキシルアミン水溶液を得ること
ができる。また、本発明の方法によれば、高純度・高濃
度のヒドロキシルアミン水溶液を安全にかつ簡便に製造
することができる。従って、高純度のヒドロキシルアミ
ン水溶液の需要が望まれる電子部品などを扱う分野にお
いて、本発明のヒドロキシルアミン水溶液は半導体など
の加工、洗浄に有利に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のヒドロキシルアミン水溶液を有利に製
造するために用いられる蒸留装置の構成を模式的に示す
図である。
造するために用いられる蒸留装置の構成を模式的に示す
図である。
Ａ 原料タンク Ｂ 循環ポンプ Ｃ 加熱器 Ｄ 蒸発缶 Ｅ 冷却器 Ｆ 製品タンク １ 原料移送ライン ２ 循環ライン ３ ガス移送ライン ４ 凝集液ライン ５ 減圧ライン（真空ポンプ） ６ ブローライン
Claims (11)
- 【請求項１】 ヒドロキシルアミン含有量が３０重量％
以上で、鉄の含有量が１０ｐｐｂ以下、鉄以外の金属成
分の含有量が各金属成分について５ｐｐｂ以下であり、
そしてトランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を０．０００５〜０．
５重量％含有することを特徴とするヒドロキシルアミン
水溶液。 - 【請求項２】 鉄の含有量が５ｐｐｂ以下であることを
特徴とする請求項１に記載のヒドロキシルアミン水溶
液。 - 【請求項３】 鉄の含有量が３ｐｐｂ以下であることを
特徴とする請求項１に記載のヒドロキシルアミン水溶
液。 - 【請求項４】 ナトリウムおよびカリウムの含有量がそ
れぞれ２ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１乃
至３のうちのいずれかの項に記載のヒドロキシルアミン
水溶液。 - 【請求項５】 ナトリウムおよびカリウムの含有量がそ
れぞれ１ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１乃
至３のうちのいずれかの項に記載のヒドロキシルアミン
水溶液。 - 【請求項６】 鉄以外の金属成分の含有量が各金属成分
について２ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１
乃至３のうちのいずれかの項に記載のヒドロキシルアミ
ン水溶液。 - 【請求項７】 ヒドロキシルアミン含有量が４０〜６０
重量％であって、鉄を１５〜２００ｐｐｂ含有する粗製
のヒドロキシルアミン水溶液を、該ヒドロキシルアミン
水溶液の重量に対して０．０００５〜０．５重量％の範
囲の量のトランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸の存在下にて加熱濃縮
して、ヒドロキシルアミン含有量が７０〜９５重量％の
濃縮ヒドロキシルアミン水溶液を得たのち、必要により
この濃縮ヒドロキシルアミン水溶液の飛沫の混入を抑制
する設備を備え、かつ内部表面がヒドロキシルアミン塩
で防食処理されたステンレス製の蒸留装置を用いて、該
濃縮ヒドロキシルアミン水溶液を蒸留することからなる
請求項１乃至６のうちのいずれかの項に記載のヒドロキ
シルアミン水溶液の製造方法。 - 【請求項８】 濃縮ヒドロキシルアミン水溶液の蒸留
を、その蒸留残渣を分離しながら行うことを特徴とする
請求項７に記載のヒドロキシルアミン水溶液の製造方
法。 - 【請求項９】 分離した濃縮ヒドロキシルアミン水溶液
の蒸留残渣を、新たに供給した粗製ヒドロキシルアミン
水溶液と混合したのち、混合液を加熱濃縮することを特
徴とする請求項８に記載のヒドロキシルアミン水溶液の
製造方法。 - 【請求項１０】 分離した濃縮ヒドロキシルアミン水溶
液の蒸留残渣の一部を、新たに供給した粗製ヒドロキシ
ルアミン水溶液と混合する前あるいは混合した後に除去
し、次いで残りの混合液を加熱濃縮することを特徴とす
る請求項８に記載のヒドロキシルアミン水溶液の製造方
法。 - 【請求項１１】 蒸留後のヒドロキシルアミン水溶液
に、さらにトランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン
−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸を添加することを特
徴とする請求項７乃至１０のうちのいずれかの項に記載
のヒドロキシルアミン水溶液の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000083528A JP4582602B2 (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | ヒドロキシルアミン水溶液およびその製造方法 |
| DE10114821A DE10114821B4 (de) | 2000-03-24 | 2001-03-26 | Wässrige Hydroxylamin-Lösung |
| US09/816,340 US6300518B1 (en) | 2000-03-24 | 2001-03-26 | Aqueous hydroxylamine solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000083528A JP4582602B2 (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | ヒドロキシルアミン水溶液およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001261312A true JP2001261312A (ja) | 2001-09-26 |
| JP4582602B2 JP4582602B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=18600146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000083528A Expired - Lifetime JP4582602B2 (ja) | 2000-03-24 | 2000-03-24 | ヒドロキシルアミン水溶液およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6300518B1 (ja) |
| JP (1) | JP4582602B2 (ja) |
| DE (1) | DE10114821B4 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002012415A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-15 | Toray Fine Chemicals Co Ltd | フリーヒドロキシルアミン水溶液の製造方法 |
| WO2017099211A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄液、基板洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| WO2017099121A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイス用処理液の保管方法、処理液収容体 |
| WO2017119334A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法および半導体デバイスの製造方法 |
| WO2017119350A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| WO2017119244A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法、および、半導体デバイスの製造方法 |
| JPWO2017208767A1 (ja) * | 2016-06-03 | 2019-03-28 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板洗浄方法およびレジストの除去方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109075035B (zh) * | 2016-04-28 | 2023-06-13 | 富士胶片株式会社 | 处理液及处理液收容体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06510517A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-11-24 | コーダント・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 高純度硝酸ヒドロキシルアンモニウムの製造法 |
| US5788946A (en) * | 1997-07-16 | 1998-08-04 | Ashland Inc. | Purification of hydroxylamine |
| WO1999042434A2 (de) * | 1998-02-17 | 1999-08-26 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung wässriger, im wesentlichen metallionenfreier hydroxylaminlösungen |
| JP2000502035A (ja) * | 1995-12-20 | 2000-02-22 | ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト | 安定化されたヒドロキシルアミン溶液 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5709789A (en) * | 1996-10-23 | 1998-01-20 | Sachem, Inc. | Electrochemical conversion of nitrogen containing gas to hydroxylamine and hydroxylammonium salts |
| US5906805A (en) * | 1997-04-30 | 1999-05-25 | Alliedsignal Inc. | Stabilized hydroxylamine solutions |
| DE19733681A1 (de) * | 1997-08-04 | 1999-02-11 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung einer wäßrigen Lösung von freiem Hydroxylamin |
| US5808150A (en) * | 1997-08-14 | 1998-09-15 | Concept Sciences, Inc. | Stabilization of hydroxylamine solutions |
-
2000
- 2000-03-24 JP JP2000083528A patent/JP4582602B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-03-26 US US09/816,340 patent/US6300518B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-26 DE DE10114821A patent/DE10114821B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06510517A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-11-24 | コーダント・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 高純度硝酸ヒドロキシルアンモニウムの製造法 |
| JP2000502035A (ja) * | 1995-12-20 | 2000-02-22 | ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト | 安定化されたヒドロキシルアミン溶液 |
| US5788946A (en) * | 1997-07-16 | 1998-08-04 | Ashland Inc. | Purification of hydroxylamine |
| WO1999042434A2 (de) * | 1998-02-17 | 1999-08-26 | Basf Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung wässriger, im wesentlichen metallionenfreier hydroxylaminlösungen |
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002012415A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-15 | Toray Fine Chemicals Co Ltd | フリーヒドロキシルアミン水溶液の製造方法 |
| JPWO2017099211A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2018-09-20 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄液、基板洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| KR20180077250A (ko) * | 2015-12-11 | 2018-07-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 세정액, 기판 세정 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JPWO2017099121A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2018-08-30 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイス用処理液の保管方法、処理液収容体 |
| WO2017099211A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄液、基板洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| KR102121759B1 (ko) * | 2015-12-11 | 2020-06-11 | 후지필름 가부시키가이샤 | 세정액, 기판 세정 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| KR20180074755A (ko) * | 2015-12-11 | 2018-07-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 반도체 디바이스용 처리액의 보관 방법, 처리액 수용체 |
| KR102067444B1 (ko) * | 2015-12-11 | 2020-01-17 | 후지필름 가부시키가이샤 | 반도체 디바이스용 처리액의 보관 방법, 처리액 수용체 |
| WO2017099121A1 (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 富士フイルム株式会社 | 半導体デバイス用処理液の保管方法、処理液収容体 |
| KR101966674B1 (ko) | 2016-01-05 | 2019-04-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| KR102027793B1 (ko) * | 2016-01-05 | 2019-10-02 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| WO2017119334A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法および半導体デバイスの製造方法 |
| WO2017119350A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| KR20180088452A (ko) * | 2016-01-05 | 2018-08-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JPWO2017119334A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2018-10-25 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JPWO2017119244A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2018-10-25 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法、および、半導体デバイスの製造方法 |
| WO2017119244A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法、および、半導体デバイスの製造方法 |
| KR20180075652A (ko) * | 2016-01-05 | 2018-07-04 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| KR102027795B1 (ko) * | 2016-01-05 | 2019-10-02 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JPWO2017119350A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2018-09-27 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| KR20180074720A (ko) * | 2016-01-05 | 2018-07-03 | 후지필름 가부시키가이샤 | 처리액, 기판의 세정 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JPWO2017208767A1 (ja) * | 2016-06-03 | 2019-03-28 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板洗浄方法およびレジストの除去方法 |
| US11397383B2 (en) | 2016-06-03 | 2022-07-26 | Fujifilm Corporation | Treatment liquid, method for washing substrate, and method for removing resist |
| US11899369B2 (en) | 2016-06-03 | 2024-02-13 | Fujifilm Corporation | Treatment liquid, method for washing substrate, and method for removing resist |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6300518B1 (en) | 2001-10-09 |
| DE10114821B4 (de) | 2009-01-02 |
| DE10114821A1 (de) | 2001-12-06 |
| US20010034312A1 (en) | 2001-10-25 |
| JP4582602B2 (ja) | 2010-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4646251B2 (ja) | 水性エッチング混合物からの酸回収方法 | |
| US5346557A (en) | Process for cleaning silicon mass and the recovery of nitric acid | |
| TWI481550B (zh) | 高純度硫酸溶液之製備方法 | |
| JPH0786260A (ja) | エッチング液の精製方法 | |
| TW201236738A (en) | Separation method and separation apparatus | |
| JP4582602B2 (ja) | ヒドロキシルアミン水溶液およびその製造方法 | |
| US2061314A (en) | Process of preparing nitriles | |
| JPS58217403A (ja) | ふつ素化反応からふつ化水素を回収するための無水相分離 | |
| US3386892A (en) | Purification of fluosilicic acid solution by distillation with phosphoric acid solution | |
| US2924508A (en) | Method of production of stannous fluoride | |
| US2180006A (en) | Process for the separation and refining of amines | |
| US2610105A (en) | Process of simultaneously purifying and dehydrating caustic alkali solutions containing chlorates | |
| US3992247A (en) | Process for the concentration of diluted salt-containing sulphuric acid | |
| US5032371A (en) | Process for the continuous recovery of hydrogen fluoride gas | |
| TWI491559B (zh) | 藉由分步結晶來純化磷酸之方法和裝置 | |
| JP2007022956A (ja) | 高純度アミノメチレンホスホン酸の製造方法 | |
| EP0508187B1 (en) | Method of treating nickel-containing etching waste fluid | |
| FR2488887A1 (fr) | Procede pour purifier l'hexamethylenediamine | |
| US1946195A (en) | Purification of organic fluorine compounds | |
| JP3959259B2 (ja) | フッ化水素の回収方法 | |
| JPH03265514A (ja) | ふっ素化合物を含むエッチング廃液の処理方法 | |
| US478067A (en) | Russell s | |
| JP2000026111A (ja) | 高純度リン酸 | |
| US3378585A (en) | Process for the production of urea | |
| JP2010042341A (ja) | 廃液の減量方法及び廃液の処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091113 |
|
| AA91 | Notification that invitation to amend document was cancelled |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971091 Effective date: 20091201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100108 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100407 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100412 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100507 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100728 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100826 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4582602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |