JP2001244636A

JP2001244636A - プリント配線板

Info

Publication number: JP2001244636A
Application number: JP2000055234A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Segawa; 博史瀬川; Touto O; 東冬王; Motoo Asai; 元雄浅井
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-03-01
Filing date: 2000-03-01
Publication date: 2001-09-07

Abstract

(57)【要約】【課題】同軸構造のスルーホール内に発生するクラッ
クを防止できるプリント配線板を提案する。【解決手段】外層スルーホール３６内及び内層スルー
ホール６２内に充填する樹脂充填剤の中に、粒子状物質
を含有させる。これにより、樹脂充填剤の熱膨張率と樹
脂製の基板３０及び層間樹脂絶縁層４４、１４４の熱膨
張率とを整合させることができ、ヒートサイクルによ
る、外層スルーホール３６内及び内層スルーホール６２
内でのクラックの発生を防ぐことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、スルーホールを
介して表裏が電気的接続をされたプリント配線板に関
し、特に、樹脂絶縁層と導体回路層とを交互にビルドア
ップしてなる多層プリント配線板から成り、ＩＣチップ
などの電子部品を載置するパッケージ基板に好適に用い
得るプリント配線板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】信号の高周波化に伴って、プリント配線
板の材料は、低誘電率、低誘電正接であることが求めら
れるようになってきている。そのためプリント配線板の
材料は、セラミックから樹脂へとその主流が移りつつあ
る。

【０００３】係るパッケージ基板を構成する樹脂製の多
層プリント配線板は、コア基板に配線層と層間樹脂絶縁
層とを交互に積層することにより構成され、コア基板に
形成されるスルーホールにより、上層側と下層側との接
続を取る。コア基板は、１mm程度の厚みを有し、層間樹
脂絶縁層は数十μｍの厚みに形成される。

【０００４】ＩＣチップの高周波化により、パッケージ
基板は、信号線での定在波や反射の低減が求められてい
る。このため、樹脂製の多層プリント配線板において
も、セラミックの積層パッケージ基板と同様に、層間の
配線をマイクロストリップライン構造及びストリップラ
イン構造にして、配線のインピーダンスなどの電気特性
を整合させることにより対応していた。

【０００５】このストリップライン構造について、図２
１を参照して説明する。図２１（Ａ）は、同一の層間樹
脂絶縁層上に形成された信号線（Sig）と接地線（GND）
と信号線（Sig）とを示し、図２１（Ｂ）は、図２１
（Ａ）中のＢ−Ｂ断面を示している。ここで、信号線
（Sig）と信号線（Sig）との間に接地線（GND）を配す
ることで、ストリップライン構造とし、配線のインピー
ダンスなどの電気特性を整合させてある。同様に、図２
１（Ｃ）は、３層の層間樹脂絶縁層上に配設された信号
線（Sig）と接地線（GND）と信号線（Sig）とを示し、
図２１（Ｄ）は、図２１（Ｃ）中のＤ−Ｄ断面を示して
いる。ここで、信号線（Sig）と信号線（Sig）との間に
接地線（GND）を配することで、ストリップライン構造
とし、配線のインピーダンスなどの電気特性を整合させ
てある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような配線の取り回しを工夫するだけでは、高周波に
対応できなくなった。この原因を本発明者が検討したと
ころ、厚さ１mmのコア基板を貫通するスルーホールで、
図２１を参照して上述したストリップライン構造を取る
ことができないため、定在波や反射が発生し、動作が不
安定になり易いことが判明した。そのため、発明者は、
図２２に示すように、外層スルーホール１３６及び該外
層スルーホール１３６内に形成された内層スルーホール
１６２とからなるようにスルーホール１６６を同軸で形
成することで、インピーダンスなどの電気特性を整合さ
せて、定在波や反射の発生を防ぐことを案出した。

【０００７】しかしながら、図２２に示す構成のプリン
ト配線板においては、同軸スルーホール１６６に充填す
る樹脂充填材１３９の熱膨張率と樹脂製の基板３０及び
層間樹脂絶縁層４４、１４４の熱膨張率とが相違するた
め、ヒートサイクルによる熱収縮の際に応力が加わり同
軸スルーホール１６６内にクラックＣＬが発生した。

【０００８】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、同軸構
造のスルーホールでクラックや剥がれが発生しないプリ
ント配線板を提案することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の発明では、スルーホールを介して表
裏が電気的接続をされたプリント配線板において、前記
スルーホールは、前記基板の通孔の壁面に形成した外層
スルーホールと、前記外層スルーホール内に外層樹脂充
填材を介在させて形成した内層スルーホールと、前記内
層スルーホール内に充填した内層樹脂充填材とから成
り、前記外層樹脂充填材及び内層樹脂充填材は、粒子状
物質を含むことを技術的特徴とする。

【００１０】請求項２の発明では、スルーホールを介し
て表裏が電気的接続をされたプリント配線板において、
前記スルーホールは、前記基板の通孔の壁面に形成した
外層スルーホールと、前記外層スルーホール内に外層樹
脂充填材を介在させて形成した内層スルーホールとから
成り、前記外層樹脂充填材は、粒子状物質を含むことを
技術的特徴とする。

【００１１】請求項１、２の発明のプリント配線板で
は、外層スルーホール内及び内層スルーホール内に充填
する樹脂充填材の中に、粒子状物質を含有させている。
これにより、樹脂充填材の熱膨張率と樹脂製の基板及び
層間樹脂絶縁層の熱膨張率とを整合させることができ
る。よって、ヒートサイクルによる、外層スルーホール
内及び内層スルーホール内でのクラックや剥がれの発生
を防ぐことが可能となる。

【００１２】請求項３の発明では、請求項１又は請求項
２において、前記粒子状物質は、無機粒子、有機樹脂粒
子の中から選ばれるいずれか少なくとも１種類以上から
なることを技術的特徴とする。無機としては、シリカ、
アルミナ、ムライト、ドロマイトがある。有機として
は、熱硬化性樹脂を硬化して球状、砕さい状にさせたも
のをいう。大きさは、０．１〜１０μｍが望ましい。そ
れ未満ではクラックを誘発しやすい。１０μｍを越える
と、剥がれを引き起こしてしまう。

【００１３】請求項３の発明では、外層スルーホール内
と内層スルーホール内とに充填する樹脂充填材に含有さ
せる粒子状物質を無機粒子、有機樹脂粒子の中から選ば
れるいずれか少なくとも１種類以上としている。その理
由として、樹脂との線膨張係数や融点などが調整しやす
く、樹脂との混合した際も分散凝集が起こりにくいから
である。

【００１４】次に、スルーホール内に絶縁層と複数の導
体回路を形成した多層プリント配線板の製造工程につい
て説明する。コア基板としては、ガラスエポキシ基板、
ポリイミド基板、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）
樹脂基板等の樹脂絶縁基板、セラミック基板、金属基板
等を用いることができる。ドリル、あるいは炭酸レーザ
等のレーザによってコア基板にスルーホール用貫通孔を
形成させる。コア基板の厚みは、０．４〜１．２ｍｍで
あるのが望ましい。特に、０．６〜１．０mmであること
が望ましい。その理由は、コア基板として強度があり、
スルーホールも加工し易いからである。ただし、樹脂絶
縁基板は、融点が３００℃以下であるため、３５０℃以
上の温度では、溶解、炭化してしまう。

【００１５】このとき、スルーホール用貫通孔は、導通
用スルーホール用貫通孔と同軸スルーホールの外層スル
ーホール用貫通孔の２種類が形成される。同軸スルーホ
ールは、外層スルーホールと内層スルーホールから成
る。なお、導通用スルーホール用貫通孔の開口径は、５
０〜４００μｍで形成される。５０μｍ未満では、導体
層を形成することが困難になり、４００μｍを越える
と、実用的でなくなる。

【００１６】次に、導通用スルーホール及び外層スルー
ホール内に、有機樹脂フィラー及び無機フィラーのいず
れか少なくとも１種を含有した樹脂充填材を充填させ
る。場合によっては、導通用スルーホール及び外層スル
ーホール内に、粗化層を設ける。粗化層は、酸化−還元
処理、無電解めっき、エッチング処理によって形成され
る。具体例を述べると、酸化−還元処理としては、酸化
浴としてNaOH（10ｇ／Ｌ）、NaClＯ₂ （40ｇ／Ｌ）、N
a₃PO₄（６ｇ／Ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／
Ｌ）、NaBH₄ （６ｇ／Ｌ）を用いて行う。また、無電
解銅めっきでは、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金で形成す
る。エッチング処理としては、第二銅錯体と有機酸塩か
らなるエッチング液が用いられる。

【００１７】次に、樹脂充填材を硬化あるいは半硬化さ
せることにより、導通用スルーホール内に樹脂絶縁層
を、外層スルーホール内に外層樹脂充填材を形成する。
その後、場合によっては、コア基板の平滑性を出すため
に、バフ、ベルトサンダー、ジェットスクラブなどの物
理的研磨、あるいは酸や酸化剤などによって、スルーホ
ールからはみ出した部分を化学的エッチングによって除
去してもよい。

【００１８】上述のコア基板に層間樹脂絶縁層（下層）
を施す。導体回路には粗化層を形成させてもよい。層間
樹脂絶縁層としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱
硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体あるいは、それらに
感光性を有する基を置換した樹脂でもよい。具体例とし
て、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
フェノキシ樹脂等のプリント配線板に使用されている樹
脂がある。また、高周波領域において低誘電率である樹
脂を用いてもよい。特に、１ＧＨｚにおける誘電率が
３．０以下の樹脂であるポリオレフィン系樹脂、ポリフ
ェニレン系樹脂、フッ素樹脂などを用いるのがよい。層
間樹脂絶縁層の形成には、塗布、あるいはＢステージ状
のフィルムを加熱、加圧、もしくは加熱加圧によって貼
り付けるのがよい。

【００１９】次に、フォトおよびレーザにより層間樹脂
絶縁層（下層）にバイアホールとなる開口を形成する。
そして、外層スルーホール内に、ドリルおよびレーザで
層間樹脂絶縁層（下層）を介して、外層樹脂充填材内に
内層スルーホール用貫通孔を設ける。バイアホールとな
る開口および内層スルーホール用貫通孔をレーザで形成
する場合は、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレ
ーザ、ＹＡＧレーザ等を用いることができる。その後、
デスミアなどの化学エッチング処理やプラズマ、コロナ
処理などのドライエッチング処理を行い、内層スルーホ
ール用貫通孔の内壁にある樹脂のスミアを除去し、樹脂
の残さを取り去ることによって金属層の形成を助長させ
る。

【００２０】次に、層間樹脂絶縁層（下層）上、バイア
ホールとなる開口内および内層スルーホール用貫通孔の
内壁にＣｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ、Ａｕ、Ａｇが
少なくとも１種以上である金属層を１層以上設ける。そ
の厚みは、０．１〜２μｍで形成されるのが望ましい。
金属層は、めっき、スパッタあるいは、スパッタで形成
させた上にめっきを形成させた２層構成でもよい。層間
樹脂絶縁層（下層）の表層には粗化面を設けてもよい。
酸や酸化剤などによって層間樹脂絶縁層（下層）の表層
を化学的エッチングにより粗化面を設ける。酸として
は、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸などが、また酸化剤とし
ては、クロム酸、クロム酸塩、過マンガン酸塩などが、
粗化面を形成させるのによい。その上に、前述の金属層
を形成させる。そして、無電解めっきを行い、無電解め
っき膜を金属層上に形成する。

【００２１】層間樹脂絶縁層（下層）上、バイアホール
となる開口内および内層スルーホール用貫通孔に無電解
めっきを施した基板に、感光性樹脂フィルム（ドライフ
ィルム）をラミネ−トする。そして、この感光性樹脂フ
ィルム上に、めっきレジストパタ−ンが描画されたフォ
トマスク（ガラス基板がよい）を密着させて載置し、露
光し、現像処理する。それにより、めっきレジストパタ
−ンを配設した非導体部分を形成することができる。

【００２２】無電解めっき膜上の非導体部分以外に電解
めっきを施し、無電解めっきの導体部分上とバイアホ−
ルとなる開口、内層スルーホール用貫通孔に電解めっき
膜を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっきを用い
ることが望ましく、その厚みは、５〜２０μｍがよい。

【００２３】次に、非導体回路部分のめっきレジストを
アルカリ水溶液などで除去する。その後、さらに、硫酸
と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アン
モニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液に
て非導体回路部分の金属層と無電解めっき膜を除去す
る。これにより層間樹脂絶縁層（下層）上に、無電解め
っき膜と電解めっき膜の２層からなる導体回路とバイア
ホ−ルを得る。また内層スルーホール用貫通孔内には、
金属層、無電解めっき膜、電解めっき膜の３層からなる
内層スルーホールを得る。バイアホールは、平坦なフィ
ールドビアを形成させてもよい。

【００２４】次に、内層スルーホール内に外層スルーホ
ールと同様に、有機樹脂フィラー及び無機フィラーのい
ずれか少なくとも１種を含有した樹脂充填材を充填させ
て、内層樹脂充填材を形成する。充填には、前述のよう
な方法で充填させてもよいが、さらに上層をフィルムか
らなる層間樹脂絶縁層（上層）を形成させる際、層間樹
脂絶縁層（上層）と樹脂充填材を同時に形成させてもよ
い。

【００２５】それ以外の方法としては、前述の樹脂絶縁
層上に無電解めっきを施した基板に、更に、電解めっき
膜、無電解めっき膜、あるいは、それらの複合体めっき
膜を積層させる。そのめっき膜を積層した基板に樹脂充
填材を充填させる。その際、硬化あるいは半硬化してか
ら研磨を行って、めっき膜層と樹脂充填材層とを平坦に
させてもよい。エッチングレジストを形成して、配線が
描画されたマスクを載置して露光、現像を経て、レジス
トの配線層を形成させて、硫酸−過酸化水素水、塩化第
二鉄や塩化第二銅、有機塩酸−第二銅錯体からなるエッ
チング液を用いて、めっき膜層を除去してレジストを剥
離させることによって行ってもよい。エッチング液とし
ては、上記以外にもプリント配線板の製造で使用される
ものは全て用いることができる。

【００２６】更に、該当のスルーホールを分割させるこ
とによって、形成する配線を分割させることも可能であ
る。これにより、更に、多くの配線をコア基板に通すこ
とができ、高密度化を達成できる。

【００２７】上層に層間樹脂絶縁層（上層）を施して、
導体回路とバイアホールを形成させることにより、多層
プリント配線板が得られる。そして、表層にはソルダー
レジスト層を形成する。ソルダーレジスト層の形成に
は、塗布あるいはフィルムを加熱、加圧、あるいは加熱
加圧によって貼り付けるのがよい。ソルダーレジスト層
は、フォトおよびレーザにより半田パッドを設けて、半
田パッドから露出した部分に、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ
／Ａｕなどの耐食金属層を形成させる。レーザで半田パ
ッドを形成する場合は、炭酸ガスレーザ、エキシマレー
ザ、ＵＶレーザ、ＹＡＧレーザ等が用いることができ
る。ＩＣチップ接続の半田バンプが形成させる半田パッ
ドは、開口径１００〜２００μｍで開口させて、外部端
子接続のためＢＧＡ／ＰＧＡを配設させる半田パッド部
分は開口径３００〜６５０μｍで開口させる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るパッケージ基板として用いられるプリント配線板の
構成について、図７及び図８を参照にして説明する。図
７は、本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板１０
の断面図を示している。図８は、図７中のスルーホール
の構成を拡大して示す説明図である。

【００２９】パッケージ基板１０は、コア基板３０の表
面及び裏面にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成
されている。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、導
体回路５８及びバイアホール６０の形成された層間樹脂
絶縁層４４と、導体回路１５８及びバイアホール１６０
の形成された層間樹脂絶縁層１４４とからなる。ビルド
アップ配線層８０Ａとビルドアップ配線層８０Ｂとは、
コア基板３０に形成された信号線として用いられる同軸
スルーホール６６と、主としてアース線・電源線として
用いられる導通用スルーホール３４とを介して接続され
ている。層間樹脂絶縁層１４４の上にはソルダーレジス
ト層７０が形成されており、ソルダーレジスト７０の開
口部７１を介して、導体回路１５８及びバイアホール１
６０に半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄが形成されている。上
面の半田バンプ７６Ｕは、ＩＣチップ９０のパッド９２
に接続されている。一方、下面の半田バンプ７６Ｄは、
ドータボード９４のパッド９６に接続されている。

【００３０】図８に示すように、同軸スルーホール６６
は、外層スルーホール３６及び内層スルーホール６２か
ら成る。外層スルーホール３６及び内層スルーホール６
２は、それぞれビルドアップ配線層８０Ａとビルドアッ
プ配線層８０Ｂとを接続している。外層スルーホール３
６は、コア基板３０の貫通孔３３の壁面に金属膜３８が
形成されて成る。そして、外層スルーホール３６の内側
には、外層樹脂充填材４２が充填されている。外層樹脂
充填材４２の内側には、内層スルーホール６２が形成さ
れている。

【００３１】内層スルーホール６２は、金属層５０、無
電解めっき膜５２、電解めっき膜５６の３層からなる。
あるいは、各２層で形成されてもよい。また、内層スル
ーホール６２の内側には、内層樹脂充填材６４が充填さ
れている。信号線として用いられるスルーホール６６を
外層スルーホール３６と内層スルーホール６２とを同軸
構造とすることにより、スルーホール６６内での定在波
や反射の発生を防ぐことが可能となる。

【００３２】本実施形態では、外層スルーホール３６内
の外層樹脂充填材４２及び内層スルーホール６２内の内
層樹脂充填材６４の中に、粒子状物質を含有させてあ
る。これにより、外層樹脂充填材及び内層樹脂充填材の
熱膨張率と樹脂製の基板３０及び層間樹脂絶縁層４４、
１４４の熱膨張率とを整合させることができる。よっ
て、ヒートサイクルによる外層スルーホール３６内及び
内層スルーホール６２内でのクラックの発生を防ぐこと
が可能となる。なお、外層樹脂充填材及び内層樹脂充填
材に含有させる粒子状物質は、無機フィラー、有機樹脂
フィラーの中から選ばれるいずれか少なくとも１種類以
上がよい。その理由として、樹脂との線膨張係数や融点
などが調整しやすく、樹脂との混合した際も分散凝集が
起こり難いからである。

【００３３】引き続き、第１実施形態に係る上記パッケ
ージ基板１０の製造方法について説明する。ここでは、
先ず、該パッケージ基板の製造方法に用いるＡ．樹脂充
填材の組成について説明する。

【００３４】Ａ．樹脂充填材の調製〔樹脂組成物〕ビスフェノールＦ型エポキシモノマー
（油化シェル製、分子量310 、YL983U）100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μｍのSiＯ_２球状粒子（アドマテック製、CRS
1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅
パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レ
ベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量
部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±
１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）6.5 重量部。

【００３５】次に、第１実施形態に係る該パッケージ基
板１０の製造方法について図１〜図７を参照にして説明
する。

【００３６】パッケージ基板の製造（１）厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる基板３０
の両面に１２μｍの銅箔３１がラミネートされている銅
張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ））。ま
ず、この銅張積層板３０Ａをドリルで削孔し、直径３５
０μｍの導通用スルーホール貫通孔３２と直径３５０μ
ｍの外層スルーホール用貫通孔３３を形成する（図１
（Ｂ））。

【００３７】（２）続いて、基板３０に無電解銅めっき
処理を施し、導通用スルーホール３４及び外層スルーホ
ール３６を形成する（図１（Ｃ））。さらに、銅箔３１
を常法に従いパターン上にエッチングすることにより、
基板３０の両面に内層銅パターン（金属膜）３８を形成
する（図１（Ｄ））。

【００３８】（３）内層銅パターン（金属膜）３８およ
び導通用スルーホール３４、外層スルーホール３６を形
成した基板３０を水洗いし、乾燥させる。その後、酸化
浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO_２（4
0ｇ／ｌ），Na_３PO_４（６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaO
H（10ｇ／ｌ），NaBH_４（６ｇ／ｌ）を用いた酸化−
還元処理により、内層銅パターン（金属膜）３８および
導通用スルーホール３４、外層スルーホール３６の表面
に粗化層３４α、３６α、３８αを設ける。実施形態中
では粗化層を設けたが、樹脂の密着が確保できれば粗化
層を設ける必要はない（図１（Ｅ））。

【００３９】（４）導通用スルーホール３４及び外層ス
ルーホール３６に、上記Ａで調整した樹脂充填材３９を
印刷で充填させる（図２（Ａ））。樹脂充填材３９の中
には、有機樹脂フィラー、無機フィラーの中から選ばれ
るいずれか少なくとも１種類以上の粒子状物質が含有さ
れている。樹脂充填材３９の粘度は、３０〜５０Ｐａ．
Ｓが好ましい。また、樹脂充填材３９に含有する粒子状
物質は、０．１〜２０ｖｏｌ％の割合で配合させるとよ
い。これにより、樹脂充填材３９の熱膨張率と樹脂製の
基板３０の熱膨張率とを整合させることができる。よっ
て、ヒートサイクルによる、外層スルーホール３６内で
のクラックの発生を防ぐことが可能となる。

【００４０】（５）上記（４）の処理を終えた基板３０
の片面をベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベル
トサンダー研磨により、下層導体回路（内層銅パター
ン）３８の表面や導通用スルーホール３４、外層スルー
ホール３６のランド３４ａ、３６ａ表面に樹脂充填材３
９が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダ
ー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。この
ような一連の工程を基板の他方の面についても同様に行
う。そして、充填した樹脂充填材３９を加熱硬化させ
て、導通用スルーホール３４内に樹脂絶縁層４０を、外
層スルーホール３６内に外層樹脂充填材４２を形成する
（図２（Ｂ））。

【００４１】（６）次に、上記（５）の処理を終えた基
板３０の両面に、上記（３）と同様に一旦平坦化された
下層導体回路３８の表面と導通用スルーホール３４及び
外層スルーホール３６のランド３４ａ、３６ａ表面とを
酸化−還元処理を施すことにより、下層導体回路３８の
表面及びランド３４ａ、３６ａ表面に粗化面３４β、３
６β、３８βを形成する（図２（Ｃ））。

【００４２】（７）上記（６）工程を終えた基板３０の
両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型ポリオレフィン系樹脂
シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋ
ｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミネートし、ポリオレフィン系
樹脂からなる層間樹脂絶縁層４４を設ける（図２
（Ｄ））。層間樹脂絶縁層としては、熱硬化性樹脂、熱
可塑性樹脂からなる樹脂あるいは、それらに感光性を有
する基を置換した樹脂でもよい。具体例として、エポキ
シ樹脂、ポリフェノール樹脂、ポリイミド樹脂等のプリ
ント配線板に使用されている樹脂がある。また、高周波
領域において低誘電率である樹脂を用いてもよい。樹脂
の真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。

【００４３】（８）次に、層間樹脂絶縁層４４にバイア
ホールとなる開口４６を形成する（図３（Ａ））。ここ
では、炭酸（ＣＯ₂）ガスレーザにて、ビーム径５ｍ
ｍ、パルス幅１５μ秒、マスクの穴径０．８ｍｍ、１シ
ョットの条件で、ポリオレフィン系樹脂あるいはエポキ
シ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層４４に直径８０μｍの
バイアホール用開口を設ける。

【００４４】その後、外層スルーホール３６に、内層ス
ルーホール用貫通孔４８をドリル又はレーザ等によって
形成する（図３（Ｂ））。レーザの場合、炭酸（Ｃ
Ｏ₂）ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、シングルモー
ド、パルス幅６０μ秒で、コア基板３０の外層スルーホ
ール３６の外層樹脂充填材４２及び層間樹脂絶縁層４４
を貫通する内層スルーホール用貫通孔４８を形成する。
必要に応じて、内層スルーホール用貫通孔４８内のスミ
アを過マンガン酸などのウェットプロセスあるいはプラ
ズマ、コロナ処理などのドライエッチング処理で除去す
る。また、内層スルーホール用貫通孔４８の径は、５０
〜２００μｍで形成されるのがよい。

【００４５】（９）層間樹脂絶縁層４４にバイアホール
となる開口４６を設けた基板３０にプラズマ処理を行
い、層間樹脂絶縁層４４の表層を粗化し、粗化層４４α
を形成する（図３（Ｃ））。この際、不活性ガスとして
アルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐ
ａ、温度７０℃の条件で（プラズマ装置日本真空技術株
式会社製ＳＶ−４５４０）、２分間プラズマ処理を実
施する。

【００４６】（１０）層間樹脂絶縁層４４の表層および
内層スルーホール用貫通孔４８にスパッタリングでＣｕ
（Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｗ）の合金をターゲットした
金属層５０を形成する（図３（Ｄ））。形成条件とし
て、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間
５分（プラズマ装置日本真空技術株式会社製ＳＶ−４
５４０）で実施する。これにより、層間樹脂絶縁層４４
の表層と内層スルーホール用貫通孔４８に合金層を形成
させることができる。このときの金属層５０の厚みは、
０．２μｍである。金属層５０の厚みとしては、０．１
〜２μｍがよい。スパッタ以外にも、蒸着、スパッタを
行わないでめっき層を形成させてもよい。あるいは、そ
れらの複合体でもよい。

【００４７】めっきの一例を説明する。基板３０をコン
ディショニングし、アルカリ触媒液中で触媒付与を５分
間行う。基板３０を活性化処理し、ロッシェル塩タイプ
の化学銅めっき浴で厚さ０．５μmの無電解めっき膜５
２を付ける（図４（Ａ））。化学銅メッキのメッキ条件：ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ 10ｇ／ｌＨＣＨＯ８ｇ／ｌＮａＯＨ 5ｇ／ｌロッシェル塩 45ｇ／ｌ添加剤 30ｍｌ／ｌ温度 30℃ メッキ時間 18分

【００４８】（１１）金属膜５２上に、厚さ２０μｍの
感光性フィルム（ドライフィルム）を貼り付けて、マス
クを載置して、100 mJ／cm^２で露光、0.8 ％炭酸ナト
リウムで現像処理し、厚さ２０μｍのめっきレジスト５
４を設ける（図４（Ｂ））。

【００４９】（１２）無電解めっき膜５２上のめっきレ
ジスト５４の非形成部に下記条件で電解めっきを施し、
電解めっき膜５６を形成する（図４（Ｃ））。電解めっ
き膜５６の厚みとしては、５〜２０μｍがよい。電解めっきのめっき条件ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ１４０ｇ／ｌＨ₂ＳＯ₄１２０ｇ／ｌＣｌ^- ５０ｍｇ／ｌ添加剤３００ｍｇ／ｌスルホン酸アミン１００ｍｇ／ｌ温度２５℃ 電流密度０，８Ａ／ｄｍ² メッキ時間３０分膜厚１８μｍ

【００５０】（１３）次いで、５０℃、４０ｇ／ｌのＮ
ａＯＨ水溶液中でめっきレジスト５４を剥離除去する。
その後、硫酸―過酸化水素水溶液を用い、エッチングに
より、レジスト５４下の金属層５０及び無電解めっき膜
５２を除去して、層間樹脂絶縁層４４上に導体回路５８
（バイアホール６０を含む）を形成し、外層スルーホー
ル３６内に内層スルーホール６２を形成し、導体回路５
８、バイアホール６０、外層スルーホール３６表面に粗
化処理を施す（図４（Ｄ））。

【００５１】（１４）次に、前述（３）〜（５）の工程
と同様に、内層スルーホール６２内にも上記Ａで調製し
た樹脂充填材を充填し、加熱硬化させて、内層樹脂充填
材６４を形成する。これにより、外層スルーホール３６
及び内層スルーホール６２から成る同軸スルーホール６
６を形成することができる（図５（Ａ））。信号線とし
て用いられるスルーホール６６を外層スルーホール３６
と内層スルーホール６２とを同軸構造とすることによ
り、スルーホール６６内での定在波や反射の発生を防ぐ
ことが可能となる。内層スルーホール６２に充填する樹
脂充填材の粘度は、３０〜５０Ｐａ．Ｓで、外層スルー
ホール３６に充填するときより、粘度を低くさせて充填
性を上げておくのが好ましい。なお、樹脂充填材を内層
スルーホールへ充填する際に、上述のような方法で充填
させる代わりに、後述するように層間絶縁樹脂層１４４
を形成させる際、層間樹脂絶縁層と内層樹脂充填材６４
を同時に形成さることもできる。

【００５２】上述したように、Ａで調製した樹脂充填材
には、有機樹脂フィラー、無機フィラーの中から選ばれ
るいずれか少なくとも１種類以上の粒子状物質が０．１
〜２０ｖｏｌ％の割合で含有されている。このため、樹
脂充填材３９の熱膨張率と層間樹脂絶縁層４４、１４４
の熱膨張率とを整合させることができる。よって、ヒー
トサイクルによる、内層スルーホール６２内でのクラッ
クの発生を防ぐことが可能となる。

【００５３】（１５）その後、上層に層間樹脂絶縁層１
４４を形成し、前述（８）〜（１４）の工程を経て、導
体回路１５８（スルーホール１６０を含む）を形成し、
６層からなるパッケージ基板を得る（図５（Ｂ））。

【００５４】（１６）一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重
量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオ
リゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダ
ゾール硬化剤（四国化成製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）16ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー
（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノ
マー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、に分散系消泡剤
（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこ
の混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関
東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン
（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・
ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。なお、粘
度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpm
の場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3に
よる。

【００５５】（１７）前述（１６）で得られたパッケー
ジ基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を20μｍ
の厚さで塗布する。次いで、70℃で20分間、70℃で30分
間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパター
ン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルムを密
着させて載置し、1000mJ／cm^２の紫外線で露光し、DM
TG現像処理する。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃
で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加
熱処理し、半田パッド部分（バイアホールとそのランド
部分を含む）に開口部７１Ｕ、７１Ｄを有するソルダー
レジスト層７０（厚み20μｍ）を形成する（図５
（Ｃ））。ＩＣチップ接続の半田バンプを形成させる半
田パッドは、開口径１００〜１７０μｍで開口させるの
がよい。また外部端子接続のためＢＧＡ／ＰＧＡを配設
させる半田パッドは開口径３００〜６５０μｍで開口さ
せるのがよい。

【００５６】（１８）その後、塩化ニッケル2.3 ×10
^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10^−１ｍ
ｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.6 ×10^−１ｍｏｌ／
ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液
に、20分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μ
ｍのニッケルめっき層７２を形成する。その後、表層に
は、シアン化金カリウム7.6 ×10^−３ｍｏｌ／ｌ、塩化
アンモニウム1.9 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリ
ウム1.2 ×10^−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.
7 ×10^−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃
の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上
に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成する（図５
（Ｄ））。

【００５７】（１９）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１Ｕ、７１Ｄに、低融点金属として半田ペー
ストを印刷して２００℃でリフローすることにより、半
田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、パッケー
ジ基板１０を完成する（図６参照）。

【００５８】完成したパッケージ基板１０の半田バンプ
７６Ｕに、ＩＣチップ９０のパッド９２が対応するよう
に載置し、リフローを行いＩＣチップ９０を搭載する。
このＩＣチップ９０を搭載したパッケージ基板１０を、
ドータボード９４側のバンプ９６に対応するように載置
してリフローを行い、ドータボード９４へ取り付ける
（図７参照）。これにより、ＢＧＡが配設されている、
配線を高密度化し、電気特性に優れ、なおかつスルーホ
ールでクラックが発生しないパッケージ基板を得ること
が可能となる。

【００５９】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基
板１０の製造方法について、ＢＧＡを配設した場合を例
示したが、図９に示すようにＰＧＡを配設してもよい。
ＰＧＡを配設した場合も（１）〜（１９）までの工程は
同様である。それ以降の工程について説明する。まず、
基板の下面側（ドータボード、マザーボードとの接続
面）となる開口部７１Ｄ内に導電性接着剤７８として半
田ペーストを印刷する。次に、導電性接続ピン９０を適
当なピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン
９０の固定部９２を開口部７１Ｄ内の導電性接着剤７８
に当接させる。そしてリフローを行い、導電性接続ピン
９０を導電性接着剤７８に固定する。また、導電性接続
ピン９０の取り付け方法としては、導電性接着剤７８を
ボール状等に形成したものを開口部７１Ｄ内に入れる、
あるいは、固定部９２に導電性接着剤７８を接合させて
導電性接続ピン９０を取り付け、その後にリフローさせ
てもよい。なお、上面の開口部７１Ｕには、半田バンプ
７６を設ける。これにより、ＰＧＡが配設されている配
線を高密度化し、電気特性に優れ、なおかつスルーホー
ルでクラックが発生しないパッケージ基板を得ることが
できる。

【００６０】（第２実施形態）第２実施形態に係るプリ
ント配線板の構成を図１１に示し、図１２中に図１１中
のスルーホールを拡大して示す。第２実施形態のプリン
ト配線板は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第
２実施形態では、内層スルーホール６２の真上に蓋めっ
き部９４を形成し、蓋めっき部９４を介して内層スルー
ホール６２と上層の導体回路１５８とを接続をしてい
る。蓋めっき部９４を介在させることで、内層スルーホ
ール６２と上層の導体回路１５８との接続性が向上す
る。なお、蓋めっき部９４を配設した場合も（１）〜
（１５）までの製造工程は第１実施形態と同様である。
それ以降の製造工程を図１０を参照して説明する。

【００６１】（１６）基板に無電解めっきを施し、無電
解めっき膜６８を形成する（図１０（Ａ））。

【００６２】（１７）次いで、基板に所定パターンのレ
ジスト６７を形成した後、電解めっきを施して、電解め
っき膜６９を形成する（図１０（Ｂ））。その後、レジ
スト６７を剥離後、レジスト６７下の無電解めっき膜６
８をライトエッチングで除くことにより、内層スルーホ
ール６２上に無電解めっき膜６８及び電解めっき膜６９
からなる蓋めっき部９４を形成する（図１０（Ｃ））。

【００６３】（１８）その後、上層に層間樹脂絶縁層１
４４を形成し、第１実施形態で前述した（８）〜（１
４）の工程を経て、導体回路１５８（スルーホール１６
０を含む）を形成し、６層からなるパッケージ基板を得
る（図１０（Ｄ））。なお、以後の製造工程は、第１実
施形態の（１７）〜（２０）と同様である。

【００６４】（第３実施形態）第３実施形態に係るプリ
ント配線板の構成を図１３に示し、図１４中に図１３中
のスルーホールを拡大して示す。第３実施形態のプリン
ト配線板は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第
１実施形態では、内層スルーホール６２内に樹脂充填材
が充填されたが、第３実施形態では、内層スルーホール
６２がめっきにより充填されている。

【００６５】第１、第２実施形態の構成では、内層スル
ーホール６２内に、樹脂充填材を充填し加熱硬化させて
内層樹脂充填材６４を形成することで、内層スルーホー
ル６２に発生した応力を内層樹脂充填材６４側へ逃がす
ことができる。これに対して、第３実施形態では、内層
スルーホール６２を銅めっきで充填するため、小径に構
成可能であると共に、製造コストを低減できる。

【００６６】（第４実施形態）第１実施形態とほぼ同様
であるが、第４実施形態では同軸スルーホール６６が２
つに分割され、２つの配線路３６Ａ、３６Ｂ及び６２
Ａ、６２Ｂが形成されている（図１５及び図１５中のス
ルーホールを拡大して示す図１６参照）。１つのスルー
ホールに複数の配線路が配設してあるので、スルーホー
ルの数倍の配線路をコア基板に通すことができ、より高
密度のプリント配線板を得ることが可能となる。なお、
図１７（Ａ）は図１５中のＡ−Ａ断面、即ち、コア基板
３０の表面に配設された同軸スルーホール６６の開口部
の平面図である。また、図１７（Ｂ）は、同軸スルーホ
ール６６を斜視図的に示した説明図である。

【００６７】（第５実施形態）第５実施形態に係るプリ
ント配線板のスルーホールについて図１８を参照して説
明する。図１７を参照して上述した第４実施形態では同
軸スルーホール６６が２つに分割され、２つの配線路３
６Ａ、３６Ｂ及び６２Ａ、６２Ｂが形成されていた。こ
れに対して、第５実施形態では、スルーホール６６が、
グランド線として使用される内層スルーホール６２Ｃ
と、信号線として使用される２分割された外層スルーホ
ール３６Ａ、３６Ｂからなる。このグランド線として使
用される内層スルーホール６２Ｃと、信号線として使用
される外層スルーホール３６Ａ、３６Ｂとがマイクロス
トリップラインを形成している。

【００６８】（第６実施形態）第６実施形態に係るプリ
ント配線板の製造工程を図１８及び図１９を参照して説
明する。（１）厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる基板３０
の両面に１２μｍの銅箔３１がラミネートされている銅
張積層板３０Ａを出発材料とする（図１８（Ａ））。ま
ず、この銅張積層板３０Ａをドリルで削孔し、直径３５
０μｍの導通用スルーホール貫通孔３２と直径３５０μ
ｍの外層スルーホール用貫通孔３３を形成する（図１８
（Ｂ））。

【００６９】（２）続いて、基板３０に無電解銅めっき
処理を施し無電解めっき膜３７ａを形成する（図１８
（Ｃ））。（３）無電解めっき膜３７ａを介して電流を流し、電解
めっき膜３７ｂを形成し、これにより、導通用スルーホ
ール貫通孔３２に導通用スルーホール３４を、外層スル
ーホール用貫通孔３３に外層スルーホール３６を形成す
る（図１８（Ｄ））。

【００７０】（４）導通用スルーホール３４と外層スル
ーホール３６に樹脂充填剤３９を充填させる。（図１９
（Ａ））。

【００７１】（５）基板３０の片面をベルト研磨紙（三
共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、コ
ア基板３０の表面に充填剤３９が残らないように研磨
し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除
くためのバフ研磨を行う（図１９（Ｂ））。

【００７２】（６）エッチングレジストを塗布し、配線
の描画された図示しないマスクを載置して露光、現像を
経て、レジスト層４３を形成させる（図１９（Ｃ））。

【００７３】（７）硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄や
塩化第二銅、有機塩酸−第二銅錯体からなるエッチング
液を用いて、レジスト層４３の被覆されていないめっき
膜３７ａ、３７ｂ、銅箔３１を除去する。その後、レジ
スト層４３を剥離する（図１６（Ｄ））。なお、エッチ
ング液としては、上記以外にもプリント配線板の製造で
使用されるものは全て用いることができる。以降の工程
は、図１（Ｃ）〜図５を参照して上述した第１実施形態
と同様であるため説明を省略する。

【００７４】なお、上述した第１〜第３実施形態では、
スルーホール６６を同軸としたが、スルーホール６６の
外層スルーホール３６と内層スルーホール６６とを別々
の信号線として用いることも可能である。この場合に
は、コア基板の配線密度を高めることができる。同様
に、第４実施形態の配線路３６Ａ、３６Ｂ及び６２Ａ、
６２Ｂを別々の信号線として用いることもできる。

【００７５】

【発明の効果】本発明の構成により、同一平面、層間、
貫通孔内にマイクロストリップラインを形成することが
でき、定在波や反射の発生をより低減することができ
る。また、より高度化されたプリント配線板を形成する
ことができる。そのため、ＧＮＤ、Ｖｃｃなどの配線数
をより多く配設させることが可能となり、信号遅延など
も防止することができる。また、外層スルーホール、内
層スルーホール、絶縁基板において、その熱膨張係数が
調和されているので、界面におけるクラックや剥がれが
なく、スルーホール上に形成される層間絶縁層やソルダ
ーレジスト層なども平坦化されるので、その部分におけ
る剥がれもなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、
本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程
図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。

【図６】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板の
断面図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係るパッケージ基板に
ＩＣチップを搭載し、ドータボードに取り付けた状態を
示す断面図である。

【図８】図７中のスルーホールの構成を拡大して示す説
明図である。

【図９】本発明の第１実施形態の改変例に係るパッケー
ジ基板の断面図である。

【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。

【図１１】本発明の第２実施形態に係るパッケージ基板
の断面図である。

【図１２】図１１中のスルーホールの構成を拡大して示
す説明図である。

【図１３】本発明の第３実施形態に係るパッケージ基板
の断面図である。

【図１４】図１３中のスルーホールの構成を拡大して示
す説明図である。

【図１５】本発明の第４実施形態に係るパッケージ基板
の断面図である。

【図１６】図１５中のスルーホールの構成を拡大して示
す説明図である。

【図１７】（Ａ）は、図１５中のＡ−Ａ断面の同軸スル
ーホールを示す説明図である。（Ｂ）は、同軸スルーホ
ールを斜視図的に示した説明図である。

【図１８】（Ａ）は、第５実施形態に係るプリント配線
板のスルーホールを示す説明図である。（Ｂ）は、図１
８（Ａ）のスルーホールを斜視図的に示した説明図であ
る。

【図１９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第６実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図２０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第６実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図２１】（Ａ）は、同一平面上に配設された信号線の
ストリップライン構造の説明図であり、（Ｂ）は、図２
１（Ａ）のＢ−Ｂ断面を示す説明図であり、（Ｃ）は、
層間に配設された信号線のストリップライン構造の説明
図であり、（Ｄ）は、図２１（Ｃ）のＤ−Ｄ断面を示す
説明図である。

【図２２】従来技術に係るスルーホールを示す説明図で
ある。

【符号の説明】

３０コア基板３４導通用スルーホール３６外層スルーホール３８内層銅パターン３９樹脂充填材４０樹脂絶縁層４２外層樹脂充填材４４層間樹脂絶縁層４８内層スルーホール用貫通孔５０金属層５２無電解めっき膜５６電解めっき膜５８導体回路６０バイアホール６２内層スルーホール６４内層樹脂充填材６６同軸スルーホール７０ソルダーレジスト層７１開口部７２ニッケルめっき層７４金めっき層７６Ｕ、７６Ｄ半田バンプ７８導電性接着剤８０Ａ、８０Ｂビルドアップ配線層９０導電性接続ピン９２固定部９４蓋めっき部１４４層間樹脂絶縁層１５８導体回路１６０バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者浅井元雄岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB11 CC25 CC31 CC53 CD27 CD32 GG09 5E346 AA12 AA41 CC04 CC09 CC16 CC32 CC37 CC40 DD12 EE33 FF01 FF13 FF17 FF22 GG15 GG25 HH05 HH06 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スルーホールを介して表裏が電気的接続
をされたプリント配線板において、前記スルーホールは、前記基板の通孔の壁面に形成した
外層スルーホールと、前記外層スルーホール内に外層樹脂充填材を介在させて
形成した内層スルーホールと、前記内層スルーホール内に充填した内層樹脂充填材とか
ら成り、前記外層樹脂充填材及び内層樹脂充填材は、粒子状物質
を含むことを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】スルーホールを介して表裏が電気的接続
をされたプリント配線板において、前記スルーホールは、前記基板の通孔の壁面に形成した
外層スルーホールと、前記外層スルーホール内に外層樹脂充填材を介在させて
形成した内層スルーホールとから成り、前記外層樹脂充填材は、粒子状物質を含むことを特徴と
するプリント配線板。
【請求項３】前記粒子状物質は、無機粒子、有機樹脂
粒子の中から選ばれるいずれか少なくとも１種類以上か
らなることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリン
ト配線板。