JP4475930B2 - 多層プリント配線板 - Google Patents
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Description
本願発明は、電源層又はアース層の少なくとも一方を有するコア基板上に、層間絶縁層を介して導体回路層、及び、電源層又はアース層が形成され、コア基板のスルーホー
ルを介して電気的な接続の行われる多層プリント配線板において、
前記コア基板は、表裏の導体層と少なくとも2層以上の内層の導体層とを有する多層コア基板であり、前記表裏の導体層及び前記内層の導体層は電源層又はアース層として用いられ、前記表裏の電源層又はアース層の厚みは、前記導体回路層の厚みよりも厚く、
前記内層の導体層のそれぞれの厚みは前記表裏の導体層の厚みよりも厚いことを特徴とする多層プリント配線板にある。
即ち、内層側に厚い導体層を配置させることにより、その厚みを任意に変更したとしても、その内層の導体層を覆うように、樹脂層を形成させることが可能となるため、コアとしての平坦性が得られる。そのため、層間絶縁層の導体層にうねりを生じさせることがない。多層コア基板の表層に薄い導体層を配置しても、内層の導体層と足した厚みでコアの導体層として十分な導体層の厚みを確保することができる。これらを、電源層用の導体層又はアース用の導体層として用いることで、多層プリント配線板の電気特性を改善することが可能になる。
図22には、コンデンサを備えたプリント基板をモデルにしたものである。線Cは、小容量のコンデンサを実装して、1GHzのICチップにおける電圧の経時変化を示したものである。コンデンサを実装していない線Aに比べると電圧降下の度合いが小さくなってきている。さらに、線Dは、線Cで行ったものに比べて大容量のコンデンサを実装して、線C同様に経時変化を示したものである。さらに線Cと比較しても、電圧降下の度合いが小さくなってきている。それにより、短時間で所望のICチップも機能、起動を行うことができるのである。しかしながら、図21に示したように、ICチップがより高周波領域になると、より多くのコンデンサ容量が必要になってしまい、そのためにコンデンサの実装する領域を設定する必要となるため、電圧の確保が困難になってしまい、動作、機能を向上することができないし、高密度化という点でも難しくなってしまう。
先ず、本発明の第1実施例に係る多層プリント配線板10の構成について、図1〜図8を参照して説明する。図6は、該多層プリント配線板10の断面図を、図7は、図6に示す多層プリント配線板10にICチップ90を取り付け、ドータボード96へ載置した状態を示している。図8は、図6中のX−X横断面図である。図6に示すように、多層プリント配線板10では、コア基板30の上面に導体回路34、電源用プレーン層34P、裏面に導体回路34、アース用プレーン層34Eが形成されている。コア基板30の上面と裏面とはスルーホール36を介して接続されている。
(第1実施例)
A.層間樹脂絶縁層の樹脂フィルムの作製ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量455、油化シェルエポキシ社製エピコート1001)29重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量215、大日本インキ化学工業社製 エピクロンN−673)39重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量120、大日本インキ化学工業社製 フェノライトKA−7052)30重量部をエチルジグリコールアセテート20重量部、ソルベントナフサ20重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム(ナガセ化成工業社製 デナレックスR−45EPT)15重量部と2−フェニル−4、5−ビス(ヒドロキシメチル)イミダゾール粉砕品1.5重量部、微粉砕シリカ2.5重量部、シリコン系消泡剤0.5重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ38μmのPETフィルム上に乾燥後の厚さが50μmとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、80〜120℃で10分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル社製、分子量:310、YL983U)100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下のSiO2 球状粒子(アドテック社製、CRS 1101−CE)170重量部およびレベリング剤(サンノプコ社製 ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が23±1℃で44〜49Pa・sの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−CN)6.5重量部を用いた。充填材用樹脂としては、他のエポキシ樹脂(例えば、ビスフェノールA型、ノボラック型など)、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を用いてもよい。
(1)厚さ0.2〜0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる絶縁性基板30の両面に7.5〜250μmの銅箔32がラミネートされている銅張積層板30Aを出発材料とした(図1(A))。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理および電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に導体回路34、電源用プレーン層34P、アース用プレーン層34Eとスルーホール36を形成した(図1(B))。
即ち、スルーホールおよび導体回路非形成部に相当する部分が開口した版を有する樹脂充填用マスクを基板上に載置し、スキージを用いてスルーホール内、凹部となっている下層導体回路非形成部、および、下層導体回路の外縁部に樹脂充填材を充填し、100℃/20分の条件で乾燥させた。
コア基板の導体層の厚みは7.5〜250μmの間で形成された。このとき、第1実施例では、コア基板の導体層の厚みは18μmであった。しかしながら、導体層の厚みは上記厚みの範囲を超えてもよい。
さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。すなわち、上記基板を塩化パラジウム(PbCl2 )と塩化第一スズ(SnCl2 )とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
〔無電解めっき水溶液〕
NiSO4 0.003 mol/l
酒石酸 0.200 mol/l
硫酸銅 0.032 mol/l
HCHO 0.050 mol/l
NaOH 0.100 mol/l
α、α′−ビピリジル 100 mg/l
ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l
〔無電解めっき条件〕
34℃の液温度で45分
〔電解めっき液〕
硫酸 2.24 mol/l
硫酸銅 0.26 mol/l
添加剤 19.5 ml/l
(アトテックジャパン社製、カパラシドGL)
〔電解めっき条件〕
電流密度 1 A/dm2
時間 65 分
温度 22±2 ℃
なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器社製、DVL−B型)で60min-1の場合はローターNo.4、6min-1の場合はローターNo.3によった。
そして、さらに、80℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが15〜25μmのソルダーレジストパターン層を形成した。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
図6を参照して上述した第1実施例では以下の様に製造した。
導体回路層(導体回路58)の厚み:15μm
電源層、アース層の銅の厚み:18μm
第2実施例の構成は、第1実施例と同様であるが以下の厚みに製造した。
導体回路層(導体回路58)の厚み:15μm
電源層、アース層の銅の厚み:30μm
第3実施例の構成は、第1実施例と同様であるが以下の厚みに製造した。
導体回路層(導体回路58)の厚み:15μm
電源層、アース層の銅の厚み:60μm
第4実施例の構成は、第1実施例と同様であるが以下の厚みに製造した。
導体回路層(導体回路58)の厚み:15μm
電源層、アース層の銅の厚み:180μm
図9及び図10を参照して第5実施例に係る多層プリント配線板について説明する。
図6を参照して上述した第1実施例では、コア基板が単板で形成されていた。これに対して、第5実施例では、コア基板が積層板からなり、積層板内に導体層が設けられている。
図11〜図19を参照して本発明の第6実施例に係る多層プリント配線板について説明する。
先ず、第6実施例に係る多層プリント配線板10の構成について、図18、図19を参照して説明する。図18は、該多層プリント配線板10の断面図を、図19は、図18に示す多層プリント配線板10にICチップ90を取り付け、ドータボード96へ載置した状態を示している。図18に示すように、多層プリント配線板10では多層コア基板30を用いている。多層コア基板30の表面側に導体回路34、電源用プレーン層34P、裏面に導体回路34、アース用プレーン層34Eが形成されている。上側の電源用プレーン層34Pは、電源用のプレーン層として形成され、下側のアース用プレーン層34Eは、アース用のプレーン層として形成されている。更に、多層コア基板30の内部の表面側に、内層の導体回路16、導体層16E、裏面に導体回路16、導体層16Pが形成されている。上側の導体層16Eは、アース用のプレーン層として形成され、下側の導体層16Pは、電源用のプレーン層として形成されている。電源用のプレーン層との接続は、スルーホールやバイアホールにより行われる。プレーン層は、片側だけの単層であっても、2層以上に配置したものでもよい。2層〜4層で形成されることが望ましい。4層以上では電気的な特性の向上が確認されていないことからそれ以上多層にしてもその効果は4層と同等程度である。特に、2層で形成されることが、多層コア基板の剛性整合という点において基板の伸び率が揃えられるので反りが出にくいからである。多層コア基板30の中央には、電気的に隔絶された金属板12が収容されている。(該金属板12は、心材としての役目も果たしているが、スルーホールやバイアホールなどどの電気な接続がされていない。主として、基板の反りに対する剛性を向上させているのである。金属板として低熱膨張部材を用いれば基板の熱膨張係数を下げられる)該金属板12に、絶縁樹脂層14を介して表面側に、内層の導体回路16、導体層16E、裏面に導体回路16、導体層16Pが、更に、絶縁樹脂層18を介して表面側に導体回路34、電源用プレーン層34Pが、裏面に導体回路34、アース用プレーン層34Eが形成されている。多層コア基板30は、スルーホール36を介して表面側と裏面側との接続が取られている。
(1)金属層の形成
図11(A)に示す厚さ50〜400μmの間の内層金属層(金属板)12に、表裏を買通する開口12aを設ける(図11(B))。金属層の材質としては、銅、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、鉄などの金属やそれらの合金を用いることができる。開口12aは、パンチング、エッチング、ドリリング、レーザなどによって穿設する。場合によっては、開口12aを形成した金属層12の全面に電解めっき、無電解めっき、置換めっき、スパッタによって、金属膜13を被覆してもよい(図11(C))。なお、金属板12は、単層でも、2層以上の複数層でもよい。また、金属膜13は、開口12aの角部において、曲面を形成するほうが望ましい。それにより、応力の集中するポイントがなくなり、その周辺でのクラックなどの不具合が引き起こしにくい。
金属層12の全体を覆い、開口12a内を充填するために、絶縁樹脂を用いる。形成方法としては、例えば、厚み30〜200μm程度のBステージ状の樹脂フィルムを金属板12で挟んでから、熱圧着してから絶縁樹脂層14を形成することができる(図11(D))。更に、樹脂に無機フィラーを分散させた方がよい。場合によっては、塗布、塗布とフィルム圧着の混合、もしくは閑口部分だけを塗布して、その後、フィルムで形成してもよい。
材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、BT樹脂等の熱硬化性樹脂をガラスクロス等の心材に含浸させたプリプレグを用いることが望ましい。この場合にガラス、アルミナ、ジルコニア等の無機フィラーを分散してもよい。それ以外にも樹脂を用いてもよい。
樹脂層14で覆われた金属層12の両面に、内層金属層16αを形成させる(図11(E))。その一例として、厚み12〜275μmの金属箔を積層させた。金属箔を形成させる以外の方法として、片面銅箔付きプリプレグを積層させる。片面銅箔付きプリプレグとしては上記(2)の工程と同じものを用いることができる。
2層以上にしてもよい。アディティブ法により金属層を形成してもよい。
テンティング法、エッチング工程等を経て、内層金属層16αから内層導体層16、16P、16Eを形成させた(図11(F))。このときの内層導体層の厚みは、7.5〜250μmで形成させた。しかしながら、上述の範囲を超えてもよい。
内層導体層16、16P、16Eの全体を覆い、その回路間の隙間を充填するために、絶縁樹脂を用いる。形成方法としては、例えば、厚み30〜200μm程度のBステージ状の樹脂フィルムを内層導体層16、16P、16Eを挟んでから、熱圧着して外層絶縁樹脂層18を形成する(図12(A))。場合によっては、塗布、塗布とフィルム圧着の混合、もしくは開口部分だけを塗布して、その後、フィルムで形成してもよい。加圧することで表面を平坦にすることができる。
外層絶縁樹脂層18で覆われた基板の両面に、最外層の金属層34αを形成させる(図12(B))。その一例として、厚み10〜275μmの金属箔を積層させる。金属箔を形成させる以外の方法として、片面銅箔付きプリプレグを積層させる。金属箔上に、めっきなどで2層以上にしてもよい。アディティブ法により金属層を形成してもよい。片面銅箔付きプリプレグとしては上記(2)の工程と同じものを用いることができる。
基板の表裏を貫通する開口径50〜400μmのスルーホール用通孔36αを形成する(図12(C))。形成方法としては、ドリル、レーザもしくはレーザとドリルの複合により形成させる(最外層の絶縁層の開口をレーザで行い、場合によっては、そのレーザでの開口をターゲットマークとして用いて、その後、ドリルで開口して貫通させる)。形状としては、直線状の側壁を有するものであることが望ましい。場合によっては、テーパ状であってもよい。
めっきとしては、電解めっき、無電解めっき、パネルめっき(無電解めっきと電解めっき)などを用いることができる。金属としては、銅、ニッケル、コバルト、リン、等が含有してもので形成されるのである。めっき金属の厚みとしては、5〜30μmの間で形成されることが望ましい。
全体にめっき膜を被覆することで、スルーホール36の直上に蓋めっき25を形成してもよい(図13(A))。その後、テンティング法、エッチング工程等を経て、外層の導体回路34、34P、アース用プレーン層34Eを形成する(図13(B))。これにより、多層コア基板30を完成する。
このとき、図示されていないが多層コア基板の内層の導体層16等との電気接続を、バイアホールやブラインドスルーホール、ブラインドバイアホールにより行ってもよい。
また、導体回路間の樹脂充填を行わなくてもよい。この場合は、層間絶縁層などの樹脂層で絶縁層の形成と導体回路間の充填を行う。
そして、さらに、80℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間、150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが10〜25μmのソルダーレジストパターン層を形成した。
コア基板の内層の導体層の厚み:70μm 表層の導体層の厚み:35μm
コア基板の導体回路の厚みの和:210μm
導体回路層(導体回路58)の厚み:15μm
電源層(電源用プレーン層158E)の厚み:35μm
第1実施例において、(導体回路層の厚み/電源層の厚み)≦1.2を比較例とした。その実例として、導体回路層の厚み:15μm、電源層の厚み:15μmに設定した。
第1実施例において、(導体回路層の厚み/電源層の厚み)>12を参考例とした。その実例として、導体回路層の厚み:15μm、電源層の厚み:195μmに設定した。
参考例とは、適合例と同様な効果を得ることができるが、それ以外で不具合が発生する恐れがあり、適合例よりも若干適合されないというものである。
また、それぞれの実施例と比較例と参考例のバイアス高温高湿条件(130、湿度85wt%、2V印加)下における信頼性試験を行った。試験時間は、100hr、300hr、500hr、1000hrで行い、ICの誤動作の有無、層間樹脂絶縁層のバイアホールの接続オープンの有無についてそれそれ実施例および比較例について検証をした。この結果を図24中の図表に表す。
さらに、導体層の厚みについても検証を行った。横軸に(電源層/導体回路層厚みの比)を設定し、縦軸に最大電圧降下量(V)を設定してシュミレートした結果を図25に示した。
比較例では、ICチップの誤動作を引き起こしてしまうため、電気接続性に問題があるし、導体の厚みが薄いため、信頼性試験下で発生した応力を緩衝できず、バイアホール接続部での剥がれが生じてしまった。そのために、信頼性が低下してしまった。しかしながら、電源層又はアース層の導体の厚み/導体回路層の導体の厚みの比1.2を越えると、その効果が現れてくる。
電源層又はアース層の導体の厚み/層間絶縁層の導体回路層の厚み比が12を越えると(参考例)、上層の導体回路における不具合(例えば、上層の導体回路への応力の発生やうねりによる密着性の低下を引き起こしてしまう等)のため、信頼性が低下してしまった。通常は問題ないが、材料等の要因によっては、その傾向が現れてしまうことがある。
試験の結果からも電気特性を満たすのは、1.2≦(電源層又はアース層の導体の厚み/導体回路層の導体の厚み)である。また、電気特性と信頼性の要因を満たすのは、1.2≦(電源層又はアース層の導体の厚み/導体回路層の導体の厚み)≦12ということになる。
更に、2.0≦(電源層、アース層の少なくとも一方の導体の厚み/導体回路層の導体の厚み)≦4.0未満であれば、電圧降下量がほぼ同じであることから、安定しているということとなる。つまり、この範囲が、最も望ましい比率範囲であるということが言える。なお、導体回路層とはシグナル層を意味する。
また、本願発明により、ICチップの初期起動時に発生する電源不足(電圧降下)の度合いを小さくなることもわかり、高周波領域のICチップ、特に3GHz以上のICチップを実装したとしても、問題なく起動することができることが分かった。そのため、電気的な特性や電気接続性をも向上させることができるのである。
さらに、プリント基板の回路内での抵抗を従来のプリント基板に比べても、小さくすることができる。そのために、バイアスを付加して、高温高湿下で行う信頼性試験(高温高湿バイアス試験)を行っても、破壊する時間も長くなるので、信頼性も向上することができる。
14 樹脂層
16 導体回路
16P 導体層
16E 導体層
18 樹脂層
30 基板
32 銅箔
34 導体回路
34P 電源用プレーン層
34E アース用プレーン層
36 スルーホール
40 樹脂充填層
50 層間樹脂絶縁層
58 導体回路(導体回路層)
60 バイアホール
70 ソルダーレジスト層
71 開口
78、78 半田バンプ
90 ICチップ
96 ドータボード
150 層間樹脂絶縁層
158 導体回路
158P 電源用プレーン層(電源層)
158E アース用プレーン層(アース層)
C チップコンデンサ
Claims (4)
- 電源層又はアース層の少なくとも一方を有するコア基板上に、層間絶縁層を介して導体回路層、及び、電源層又はアース層が形成され、コア基板のスルーホー
ルを介して電気的な接続の行われる多層プリント配線板において、
前記コア基板は、表裏の導体層と少なくとも2層以上の内層の導体層とを有する多層コア基板であり、前記表裏の導体層及び前記内層の導体層は電源層又はアース層として用いられ、前記表裏の電源層又はアース層の厚みは、前記導体回路層の厚みよりも厚く、
前記内層の導体層のそれぞれの厚みは前記表裏の導体層の厚みよりも厚いことを特徴とする多層プリント配線板。 - 前記電源層又はアース層の厚みは、前記導体回路層の厚みよりも1.2〜12倍厚いことを特徴とする請求項1の多層プリント配線板。
- 前記電源層又はアース層の厚みは、前記導体回路層の厚みよりも2〜4倍厚いことを特徴とする請求項1の多層プリント配線板。
- 前記スルーホールの内部には樹脂充填材が充填されている請求項1の多層プリント配線板。
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