JP2001244596A - 抵抗付き回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】閉ループ回路の一部を形成する抵抗体を、所要
の抵抗値に精度良く容易に設定できる抵抗付き回路基板
とその製造方法を提供する。 【解決手段】絶縁層２の上に形成されると共に、略逆Ω
形の配線４の端部５，６間に配置され、且つトリミング
される予定の抵抗体１０を接続した閉ループ回路３と、
上記抵抗体１０の中間に設けられ且つ当該抵抗体１０を
二分割するダミーパターン１６を有する中間電極１４
と、を含む、抵抗付き回路基板１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、所要の抵抗値を有
する抵抗体を一部に接続した閉ループ回路を有する抵抗
付き回路基板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】絶縁層の上に電子回路を有する配線基板
等では、回路の一部に抵抗体を接続した閉ループ回路を
形成する場合がある。上記閉ループ回路を得るため、従
来においては、次のような方法が用いられていた。即
ち、図６(Ａ)に示すように、先ず絶縁層３０の上に円弧
形の一対の配線３１，３１と、これらが互いに近接する
端部３２，３３間を接続する抵抗体３４とからなる開回
路を形成する。この状態で、端部３２，３３間に通電す
ることにより、抵抗体３４の抵抗値を測定する。この
際、所要の抵抗値にするため、抵抗体３４をレーザなど
により除去する等のトリミングを行う。

【０００３】次いで、図６(Ｂ)に示すように、配線３
１，３１の他方の端部３５，３５間に配線３６を接続す
ることにより、所要の抵抗値を有する抵抗体３４を含む
平面視で略逆Ω形の閉ループ回路３８を形成する方法が
ある。しかしながら、図６に示した方法では、トリミン
グによる抵抗体３４の抵抗値を精度良く設定できる反
面、工数が多くコスト高になる、という問題があった。

【０００４】一方、閉ループ回路の一部を形成する抵抗
体Ｒａにおいて、トリミングする予定の上記抵抗体の付
近にモニタ抵抗体(ダミー抵抗体)Ｒｂを形成し、このモ
ニタ抵抗体Ｒｂの抵抗値を測定しつつトリミングすると
共に、同時に抵抗体Ｒａをトリミングして所要の抵抗値
にする方法もある。しかしながら、この方法では抵抗体
Ｒａの抵抗値を実際に測定しないため、その抵抗値の精
度が低くなり、例えば求める抵抗値の規格範囲を外れて
しまう、という問題があった。

【０００５】

【発明が解決すべき課題】本発明は、以上において説明
した従来の技術における問題点を解決し、閉ループ回路
の一部を形成する抵抗体を、所要の抵抗値に精度良く容
易に設定できる抵抗付き回路基板とその製造方法を提供
する、ことを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、閉ループ回路の一部に含まれるトリミング
予定の抵抗体を複数に分割し、分割された部分抵抗体毎
の各抵抗値を基に抵抗体をトリミングすること、に着想
して成されたものである。即ち、本発明の抵抗付き回路
基板は、絶縁層の上に形成され且つ一部にトリミングさ
れる予定の抵抗体を接続した閉ループ回路と、前記抵抗
体の中間に設けられ且つ当該抵抗体を複数に分割する中
間電極と、を含む、ことを特徴とする。

【０００７】これによれば、中間電極により例えば二分
割された抵抗体における各部分抵抗体毎の各抵抗値を合
計した合成抵抗値を基準として、抵抗体をトリミングす
ることにより、狙いとする抵抗値に精度良く設定した抵
抗体を一部に含む閉ループ回路を有する回路基板とする
ことが容易となる。例えば、抵抗体を中間電極により等
分に二分割することにより、一対の部分抵抗体の抵抗値
Ｒ1とＲ2との合成抵抗値(１／Ｒ＝１／Ｒ1＋１／Ｒ2)を
測定することができる。このため、係る合成抵抗値に基
づいて抵抗体をその基準抵抗値に一致させるように、抵
抗体の一部を例えばレーザで除去するトリミングにより
所要抵抗値の抵抗体にすることが容易となる。従って、
所要抵抗値の抵抗体を含む抵抗付き閉ループ回路を有す
る回路基板とすることが容易となる。

【０００８】また、前記中間電極は、前記抵抗体の長手
方向における中間に単数又は複数が配置されている、抵
抗付き回路基板も含まれる。これによれば、中間電極
が、抵抗体をその長手方向に二分割又は三分割以上で且
つ等間隔又は不等間隔に分割しても、上記同様に例えば
一対の部分抵抗体の各抵抗値から、抵抗体全体の合成抵
抗値を容易に測定でき、精度の良いトリミングを行うこ
とができる。また、抵抗体を三つ以上に分割する場合、
ガード電極法により部分抵抗体毎の抵抗値を測定するこ
とができる。更に、抵抗体を不等間隔に分割した場合で
も、後述するように、個々の部分抵抗体間における抵抗
値に、それぞれに分割した長さの差に比例した比を加算
することにより、合成抵抗値や個別の抵抗値を容易に測
定することができる。

【０００９】更に、前記中間電極は、前記抵抗体を複数
に分割し且つ当該抵抗体のトリミング後に切断される予
定のダミーパターンを含む、抵抗付き回路基板も含まれ
る。これによれば、トリミング後で抵抗体に接触するダ
ミーパターンを切断するのみで、所要抵抗値の抵抗体を
ループ回路内に配置できる。また、トリミング時におい
て抵抗体の抵抗値を測定する際、プローブを立てるため
に十分な電極面積を確保することが可能となる。尚、ダ
ミーパターンには、抵抗体の分割すべき位置の幅方向に
おける一部分において接触する形態も含まれる。但し、
ダミーパターンを含まず、トリミング後もそのまま残留
して、ループ回路における配線の一部となる中間電極
や、全体が抵抗体の分割すべき位置の幅方向の範囲内に
納まる小型の中間電極も、本発明に含まれる。

【００１０】一方、本発明の抵抗付き回路基板の製造方
法は、絶縁層の上に一部に抵抗体を接続した閉ループ回
路を形成すると共に、上記抵抗体の中間に当該抵抗体を
複数に分割する中間電極を形成する工程と、分割された
複数の部分抵抗体の合成抵抗値又は個別の抵抗値に基づ
いて、上記抵抗体全体における所望の抵抗値に近似する
ようにトリミングする工程と、を含む、ことを特徴とす
る。これによれば、抵抗体の中間にこれを複数に分割す
る中間電極を配置し、例えば二分割された各部分抵抗体
の合成抵抗値を測定すると共に、これらを合計した合成
抵抗値を基にして抵抗体をトリミングすることにより、
抵抗体の抵抗値を所要の抵抗値に精度良く設定すること
ができる。しかも、合成抵抗値を計測しながらトリミン
グが行えるため、少ない工数で精度良く抵抗値を設定で
きる。このため、工程が複雑にならず且つ全体の工程数
も増やすことなく、上記のような抵抗体を一部に含む閉
ループ回路を有する回路基板を容易に提供することがで
きる。尚、抵抗体を三つ以上に分割する場合には、各部
分抵抗体毎の抵抗値を個別に測定し、それぞれを所望の
抵抗値に近似するようトリミング(ガード電極法)するこ
とができる。また、上記閉ループ回路を形成する工程と
上記抵抗体を複数に分割する中間電極を形成する工程と
を、個別の工程として行うことも可能である。

【００１１】また、前記トリミング工程の後に、前記中
間電極において前記抵抗体を分割していたダミーパター
ンを切断する工程を更に含む、抵抗付き回路基板の製造
方法も含まれる。これによれば、トリミング後において
中間電極全体を除去することなく、抵抗体に接触するダ
ミーパターン付近のみを切断する簡単な工程により、所
要抵抗値の抵抗体をループ回路内に配置することができ
る。尚、本発明の回路基板には、絶縁基板等の絶縁層上
に上記抵抗体を一部に有する閉ループ回路を同じレベル
にて形成する形態の他、絶縁層を挟んだ上下の配線層間
に跨って、上記閉ループ回路を形成した多層配線基板の
形態も含まれる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下において本発明の実施に好適
な形態を図面と共に説明する。図１(Ａ)は、本発明の回
路基板１を示す。この基板１は、絶縁層２の上に平面視
で略逆Ω形を呈する配線４と、その端部５，６間に抵抗
体１０とを配置した閉ループ回路３を形成している。端
部５，６には、図示しない配線層と導通するための端子
部７，８が接続されている。尚、上記配線４はＣｕをス
パッタリングした上にＣｕ・Ｎｉ・Ａｕメッキすること
により、また、抵抗体１０はＴａ_２Ｎを絶縁層２の表面
にスパッタリング等することにより形成される。また、
抵抗体１０は、所要の抵抗値にするため、追ってトリミ
ングすることが予定されている。このため、図１(Ａ)に
示すように、抵抗体１０の長手方向の中央において、こ
れを部分抵抗体１１，１２に二分割するＣｕ製の中間電
極１４が配置されている。この中間電極１４は、抵抗体
１０の表面に接触するダミーパターン１６と、その基端
の端子部１５とからなる。

【００１３】上記抵抗体１０の抵抗値をＲ、部分抵抗体
１１，１２の抵抗値をＲ１，Ｒ２、中間電極１４の端子
部１５をＸ、配線４の端子部８をＹとする。そして、Ｘ
・Ｙ間に通電した際におけるＸ・Ｙ間の抵抗値は、Ｘ・
Ｙ間に部分抵抗体１１，１２を並列に配置した図１(Ｂ)
の回路Ｓ１に示すように、それぞれの等価な抵抗値Ｒ１
と抵抗値Ｒ２との合計値となる。上記回路Ｓ１中におい
て配線４は、部分抵抗体１１(Ｒ１)と端子部８(Ｙ)との
間に位置する。この場合、Ｘ・Ｙ間における抵抗体１０
全体の合成抵抗値(Ｒ_ＸＹ)は、数式１により算出され
る。尚、上記Ｒ１，Ｒ２は、それぞれ上記Ｒの２分の１
とする。

【００１４】

【数１】 Ｒ_ＸＹ＝(Ｒ１×Ｒ２)／(Ｒ１＋Ｒ２)＝Ｒ／４

【００１５】例えば、抵抗体１０における抵抗値Ｒの規
格が１００Ω±２％である場合、上記合成抵抗値(Ｒ
_ＸＹ)を測定しつつ、これが２５Ωになるように、抵抗
体１０に対し後述するトリミングを施すことにより、上
記規格の範囲内に抵抗値Ｒを精度良く設定することがで
きる。また、図１(Ａ)のように中間電極１４を抵抗体１
０の長手方向における中央の位置で抵抗体１０が等間隔
に分割されるのでなく、両側が不等間隔になる位置に配
置して、抵抗体１０を二分割しても良い。仮に、部分抵
抗体１１，１２間の長さの相違に比例して、部分抵抗体
１１の抵抗値Ｒ１が部分抵抗体１２の抵抗値Ｒ２よりも
２倍大きいと、Ｒ１は２／３ＲでＲ２は１／３Ｒとな
る。しかも、抵抗体１０の抵抗値Ｒの規格が１００Ω±
２％である場合、前記回路Ｓ１中のＸ・Ｙ間における抵
抗体１０全体の合成抵抗値（Ｒ_ＸＹ)は、数式２により
算出される。

【００１６】

【数２】Ｒ_ＸＹ＝(Ｒ１×Ｒ２)／(Ｒ１＋Ｒ２)＝２／９
・Ｒ＝２２.２Ω

【００１７】上記合成抵抗値(Ｒ_ＸＹ)を直接測定しなが
ら、抵抗体１０をトリミングするため、合成抵抗値(Ｒ
_ＸＹ)を２２.２Ω±２％の範囲に容易に設定できる。ま
た、数式２から、部分抵抗体１１の抵抗値Ｒ１は６６.６
Ωとなる。更に、部分抵抗体１２の抵抗値Ｒ２は、抵抗
値Ｒ１の１／２であるため、３３.３Ωとなる。従っ
て、抵抗体１０の全体の抵抗値Ｒは、上記抵抗値Ｒ１及
び抵抗値Ｒ２を合計した９９.９Ωとなり、前記規格１
００Ω±２％の範囲内に入る。即ち、抵抗体１０を等分
に分割しない場合でも、部分抵抗体１１，１２の抵抗値
Ｒ１，Ｒ２の和を基に、抵抗体１０の抵抗値Ｒを精度良
く規格内に納めることができる。尚、中間電極１４によ
り抵抗体１０を等分に分割した方が好ましい。何故なら
規格がＲ±Ｘ％の場合、Ｒの値の高い方が抵抗値の絶対
値で幅が広くなる分広がり、係る拡大した目的の規格の
範囲内に含まれるよう、トリミングする幅を広くするこ
とができる故である。

【００１８】以上に説明した抵抗体１０のトリミングの
後、中間電極１４のダミーパターン１６を、抵抗体１０
とその端子部１５との中間１７で切断する。尚、特に高
周波用回路基板としてを使用する場合には、ダミーパタ
ーン１６にて抵抗体１０からはみ出す部分が大きい程、
インピーダンスを持つため、高周波の信号が上記はみ出
し部分で不用意な伝播をしないように、可及的に抵抗体
１０に近い位置で切断することが望ましい。以上の結
果、図１(Ａ)に示したように、規格内に抵抗値Ｒを精度
良くを設定した抵抗体１０を一部に含む閉ループ回路３
を絶縁層２上に有する回路基板１を、得ることができ
る。尚、図１(Ｂ)に示した並列回路Ｓ１が形成されるな
らば、端部５，６間の配線４は絶縁層２の上に限らず、
その上層又は下層に位置する図示しない配線層内におい
て形成することも可能である。また、絶縁層２には、例
えばガラス−エポキシ樹脂の複合材からなる基板や、エ
ポキシ樹脂を主成分とする樹脂絶縁層、或いはアルミナ
等のセラミック等が含まれる。

【００１９】図２(Ａ)は、前記回路基板１の応用形態の
回路基板１ａを示す。回路基板１ａも、絶縁層２の上に
平面視で略逆Ω形を呈する配線４と、その端部５，６間
に抵抗体１０とを配置した閉ループ回路３を形成すると
共に、端部５，６には端子部７，８が接続されている。
また、抵抗体１０の長手方向に沿って、これを部分抵抗
体１１，１２，１３に三分割する中間電極１４，１８が
等間隔に配置される。図２(Ａ)で右側の中間電極１４
は、前記と同じくダミーパターン１６と、その基端の端
子部１５とからなる。左側の中間電極１８は、Ｃｕから
なるパターンで、回路基板１ａ内の他の配線と導通され
ており、その基端に端子部１９を有する。

【００２０】上記抵抗体１０の抵抗値をＲ、部分抵抗体
１１，１２，１３の抵抗値をＲ１，Ｒ2-1，Ｒ2-2とし、
中間電極１４の端子部１５をＸ、配線４の端子部８を
Ｙ、中間電極１８の端子部１９をＺとする。すると、図
２(Ｂ)に示す三つの抵抗Ｒ１，Ｒ2-1，Ｒ2-2をＸ,Ｙ,Ｚ
で接続した等価回路の閉ループ回路Ｓ２が形成される。
抵抗体１０のトリミングは、次のようにして行う。例え
ば、部分抵抗体１１の抵抗値Ｒ１を測定する場合、図２
(Ａ)，(Ｂ)において、Ｚ及びＸの電位を等価にして、且
つＺ−Ｘ間の電流値が０になるよう制御した状態で、Ｚ
−Ｙ間における電流及び電圧から上記抵抗値Ｒ１を測定
するガード電極法を行う。同様の方法に基づいて、部分
抵抗体１２，１３の抵抗値Ｒ2-1，Ｒ2-2も測定する。そ
して、抵抗値Ｒ１，Ｒ2-1，Ｒ2-2が部分抵抗体１１〜１
３への設定すべき抵抗値となるように、抵抗体１０をト
リミングする。これより、抵抗体１０全体の抵抗値Ｒを
基準値に対し±２％の範囲内に容易に納めることができ
る。

【００２１】尚、抵抗体１０を不等間隔に三分割する場
合でも、部分抵抗体１１〜１３の抵抗値Ｒ１，Ｒ2-1，
Ｒ2-2間のそれぞれ比を、上記合成抵抗値Ｒ_Ｘ〜Ｚの算出
に加味することにより、上記抵抗値Ｒを基準値±２％の
範囲内に容易に入ることが可能となる。上記トリミング
の後、前記同様に中間電極１４のダミーパターン１５を
切断する。以上のような回路基板１ａによっても、抵抗
体１０の抵抗値Ｒを精度良く設定した閉ループ回路３を
形成することができる。尚、抵抗体１０を四つ以上に等
間隔又は不等間隔に分割しても、上記と同様にして抵抗
体１０の抵抗値Ｒを精度良く設定することが可能であ
る。

【００２２】図３及び図４は、前記回路基板１，１ａの
製造方法に関する。図３(Ａ)は、絶縁層２の上に、前記
抵抗体１０となる例えばＴａ_２Ｎからなる絶縁体２０を
スパッタリングにより被覆して成膜した状態を示す。こ
の絶縁体２０上に、図３(Ｂ)に示すように、例えばエポ
キシ樹脂を主成分とする感光性の樹脂２１を形成した
後、所定のパターンを有する図示しないマスクを介した
露光及び現像を上記樹脂２１に施すことにより、樹脂２
１に所定パターン２２が形成される。かかる状態で、レ
ジスト２１間から露出する絶縁体２０に対し、エッチン
グ液を接触させた後、上記レジスト２１を剥離する。こ
の結果、図３(Ｃ)に示すように、絶縁体２０は上記パタ
ーン２２に倣った絶縁部２３，２４に形成される。

【００２３】次に、図３(Ｄ)に示すように、上記絶縁部
２３，２４の上に、Ｔｉ層２５及びＰｄ層２６をスパッ
タリングにより順次形成する。表層のＰｄ層２６の上
に、図３(Ｅ)に示すように、前記同様の方法によりパタ
ーンレジスト２７を形成する。更に、図３(Ｆ)に示すよ
うに、パターンレジスト２７内の隙間に、Ａｕメッキ又
はＣｕ・Ｎｉ・Ａｕメッキを施して、パターンメッキ層
２８を形成する。次いで、３(Ｇ)に示すように、上記レ
ジスト２７を剥離した後、その跡に形成される隙間から
露出するＴｉ層２５とＰｄ層２６とに対しエッチングを
施す。

【００２４】この結果、図３(Ｈ)に示すように、左側の
絶縁部２３上の両端と中央に、隙間２９を介してＴｉ層
２５、Ｐｄ層２６、及び上記メッキ層２８をそれぞれ積
層した前記図１(Ａ)に示した抵抗体１０が得られる。ま
た、右側の絶縁部２４上の両端と中間二カ所に、隙間２
９を介して四組のＴｉ層２５、Ｐｄ層２６、及びメッキ
層２８をそれぞれ積層した前記図２(Ａ)に示した抵抗体
１０が形成される。そして、これらの抵抗体１０を絶縁
層２と共に、大気中で約４００〜４７０℃に加熱するこ
とにより、露出した絶縁部(Ｔａ_２Ｎ)２３，２４の表面
を酸化して安定化させる。尚、上記Ｐｄ層２６は、Ｃｕ
層に替えて形成しても良い。その後、上記メッキ層２８
を介して、前記中間電極１４のダミーパターン１６、中
間電極１８、配線４の端部５，６が接続される。また、
上記抵抗体１０の形成と平行して、上記と同様の方法に
より抵抗体１０の付近に前記配線４もその端部５，６を
抵抗体１０の両端に接触させつつ形成されている。これ
により、前記図１(Ａ)，図２(Ａ)に示した回路基板１，
１ａが得られる。

【００２５】図４は抵抗体１０のトリミング方法に関す
る。図４(Ａ)は、図３の方法で製造された回路基板１，
１ａの抵抗体１０(Ｒ)を模式的に示し、一対の側面Ｒ
ａ，Ｒｂ及び両端部ｒ１，ｒ２を有する。前述したよう
に、抵抗体１０の中間には前記中間電極１４のダミーパ
ターン１６、及び／又は、中間電極１８が配置され、分
割された部分抵抗体１１，１２等の抵抗値Ｒ１，Ｒ２等
を測定する。これらから合成抵抗値Ｒ_ＸＹの目標とすべ
き抵抗値が算出される。そして、図４(Ｂ)に示すよう
に、例えば一方の側面Ｒａ全体を研削するようにトリミ
ングＴするスキャントリムを施すことにより、抵抗体１
０全体の抵抗値Ｒを規格内に精度良く納めることができ
る。尚、上記トリミングＴは、部分抵抗体１１，１２の
抵抗値Ｒ１，Ｒ２の測定と平行して行えるので、製造工
程を増やさず確実に前記回路基板１，１ａを得ることが
できる。

【００２６】図４(Ｃ)は、異なるトリミング方法を示
し、レーザ(ＹＡＧ、ＣＯ_２、エキシマ等)を、抵抗体１
０の側面Ｒａから直角にその軸心付近に向けて照射しつ
つ走査した後、途中から長手方向に沿って走査すること
により、平面視で略Ｌ字形のスリットｓを形成する方法
(Ｌカット)である。また、図４(Ｄ)は、更に異なるトリ
ミング方法を示し、抵抗体１０の側面Ｒａ，Ｒｂから幅
方向に沿って交互にレーザを照射しつつ走査することに
より、スリットｓを側面Ｒａ，Ｒｂに沿って交互に複数
形成する(マルチカット)方法である。この際、例えば部
分抵抗体１１，１２等の抵抗値Ｒ１，Ｒ２等を低減する
値に応じて、部分抵抗体１１，１２等に形成するスリッ
トｓの数を設定したり、徐々に増やす等の調整を行うこ
とができる。尚、以上の他に、抵抗体１０にレーザを照
射して、その中間に貫通孔や凹みを形成することによっ
ても、トリミングを施すことが可能である。

【００２７】本発明は、以上において説明した各形態に
限定されるものではない。例えば、図５(Ａ)に示すよう
に、前記と同じ閉ループ回路３内に配置した抵抗体１０
の中間において、ダミーパターン１６が抵抗体１０の幅
方向の一部のみを覆う中間電極１４ａを配置した回路基
板１ｂとすることもできる。また、図５(Ｂ)に示すよう
に、閉ループ回路３内に配置した抵抗体１０の中間にお
いて、その幅方向の範囲のみを覆う小型の中間電極１４
ｂを配置した回路基板１ｃとすることもできる。これに
よれば、上記電極１４ｂにはダミーパターンがないの
で、トリミング後において前記切断工程を省略すること
ができる。尚、高周波用回路回路として使用する場合、
中間電極１４等にて抵抗体１０からはみ出す部分が大き
い程、インピーダンスを持つことなるが、上記ダミーパ
ターンによるはみ出し部分のない電極１４ｂを用いるこ
とにより、インピーダンスの発生を防止することができ
る。更に、抵抗体１０や配線４の形成には、前記スパッ
タリングの他、素材を所定パターンにスクリーン印刷し
且つ焼成する方法も適用可能である。この場合、焼成に
耐えるため、絶縁層２にはセラミックシートを用いる。
また、前記製造方法において、配線４と抵抗体１０及び
中間抵抗体１４を略平行して形成したが、これらを別々
の工程によって形成することも可能である。

【００２８】

【発明の効果】以上において説明した本発明の回路基板
によれば、中間電極により複数に分割された抵抗体にお
ける各部分抵抗体毎の各抵抗値を測定したり、或いは、
各抵抗値の合成抵抗値を測定し、これらを基に抵抗体を
トリミングすることにより、狙いとする抵抗値に精度良
く設定した抵抗体を一部に含む閉ループ回路を有する回
路基板とすることが容易となる。また、本発明の回路基
板の製造方法によれば、抵抗体の中間にこれを複数に分
割する中間電極を配置し、分割された複数の部分抵抗体
の合成抵抗値又は個別の抵抗値に基づいて、抵抗体をト
リミングすることにより、抵抗体全体の抵抗値を精度良
く設定できる。しかも、合成抵抗値や個別の抵抗値を計
測しながら、トリミングを行えるので、少ない工数で精
度良く抵抗値を設定できるので、工程が複雑にならず工
程数も増やすことなく、上記のような抵抗体を一部に含
む閉ループ回路を有する回路基板を容易に提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】(Ａ)は本発明の回路基板を示す平面図、(Ｂ)は
(Ａ)中の回路を示す概略図。

【図２】(Ａ)は図１(Ａ)の回路基板の応用形態を示す平
面図、(Ｂ)は(Ａ)中の回路を示す概略図。

【図３】(Ａ)〜(Ｈ)は本発明の回路基板の製造方法にお
ける各工程を示す概略図。

【図４】(Ａ)〜(Ｄ)は図３(Ｈ)の後に行うトリミング工
程を示す概略図。

【図５】(Ａ)及び(Ｂ)は異なる形態の回路基板を示す平
面図。

【図６】(Ａ)及び(Ｂ)は従来の回路基板におけるトリミ
ング工程を示す概略図。

【符号の説明】

１，１ａ,１ｂ,１ｃ…………回路基板 ２………………………………絶縁層 ３………………………………閉ループ回路 １０……………………………抵抗体 １１,１２,１３………………部分抵抗体 １４，１４ａ,１４ｂ,１８…中間電極 １６……………………………ダミーパターン Ｔ………………………………トリミング

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【手続補正書】

【提出日】平成１３年４月３日（２００１．４．３）

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図５

【補正方法】変更

【補正内容】

【図５】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大島 年治 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Ｆターム(参考） 4E351 AA00 BB01 BB05 BB22 BB29 BB32 BB33 CC03 CC06 DD01 DD04 DD06 DD19 DD37 FF04 FF07 GG06 5E032 BB01 TA05 TA11 TB02

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁層の上に形成され且つ一部にトリミン
   グされる予定の抵抗体を接続した閉ループ回路と、 上記抵抗体の中間に設けられ且つ当該抵抗体を複数に分
   割する中間電極と、を含む、ことを特徴とする抵抗付き
   回路基板。
2. 【請求項２】前記中間電極は、前記抵抗体の長手方向に
   おける中間に単数又は複数が配置されている、ことを特
   徴とする請求項１に記載の抵抗付き回路基板。
3. 【請求項３】前記中間電極は、前記抵抗体を複数に分割
   し且つ当該抵抗体のトリミング後に切断される予定のダ
   ミーパターンを含む、 ことを特徴とする請求項１又は２に記載の抵抗付き回路
   基板。
4. 【請求項４】絶縁層の上に一部に抵抗体を接続した閉ル
   ープ回路を形成すると共に、上記抵抗体の中間に当該抵
   抗体を複数に分割する中間電極を形成する工程と、 分割された複数の部分抵抗体の合成抵抗値又は個別の抵
   抗値に基づいて、上記抵抗体全体における所望の抵抗値
   に近似するようにトリミングする工程と、を含む、こと
   を特徴とする抵抗付き回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】前記トリミング工程の後に、前記中間電極
   において前記抵抗体を分割していたダミーパターンを切
   断する工程を更に含む、 ことを特徴とする請求項４に記載の抵抗付き回路基板の
   製造方法。